JPS61216449A - パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
パタ−ン薄膜形成方法及びその装置Info
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- JPS61216449A JPS61216449A JP5605185A JP5605185A JPS61216449A JP S61216449 A JPS61216449 A JP S61216449A JP 5605185 A JP5605185 A JP 5605185A JP 5605185 A JP5605185 A JP 5605185A JP S61216449 A JPS61216449 A JP S61216449A
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- Japan
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- cvd gas
- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、良好な特質を有するパターンＷＩＷ／！４を
１つの工程で簡単に製作するパターン薄膜形成方法及び
その装置に関するものである。
１つの工程で簡単に製作するパターン薄膜形成方法及び
その装置に関するものである。
従来のパターン化した薄膜、特に薄膜面内にパターンを
含む薄膜の形成方法は、先′ず最初に薄膜を形成し、次
にこの薄膜面内にパターンを形成するのを基本工程とし
ていた。後段の工程ではエツチング、ドーピング、ＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）、酸化などの工程が行われ、このため全工
程が少なくとも２工程以上必要とされていた。その上に
これらの工程によって、最初の工程で形成された薄膜及
び基板が損傷を受けるという問題を有する。近年におけ
るデバイスの高集積化に伴って多層配線などの必然性が
高まり、デバイスの平坦化、低損傷化、工程の簡略化が
必須条件となってきたが、かかる従来のパターン薄膜形
成技術ではこれらの条件を満足させることが困難であっ
た。
含む薄膜の形成方法は、先′ず最初に薄膜を形成し、次
にこの薄膜面内にパターンを形成するのを基本工程とし
ていた。後段の工程ではエツチング、ドーピング、ＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）、酸化などの工程が行われ、このため全工
程が少なくとも２工程以上必要とされていた。その上に
これらの工程によって、最初の工程で形成された薄膜及
び基板が損傷を受けるという問題を有する。近年におけ
るデバイスの高集積化に伴って多層配線などの必然性が
高まり、デバイスの平坦化、低損傷化、工程の簡略化が
必須条件となってきたが、かかる従来のパターン薄膜形
成技術ではこれらの条件を満足させることが困難であっ
た。
一例を挙げて従来技術を説明する。シリコン基板上に形
成された複数の素子を電気的に分離するアイソレーショ
ン技術は、デバイスの高集積化において不可欠な技術で
あり、パターン薄膜の形成を必要とするものである。こ
のアイソレーション技術は一般にデバイスにおいて凹凸
が生じやすいのでこれを平坦とするために工程は複雑と
なり、更にデバイスに過度の損傷を与える傾向がある。
成された複数の素子を電気的に分離するアイソレーショ
ン技術は、デバイスの高集積化において不可欠な技術で
あり、パターン薄膜の形成を必要とするものである。こ
のアイソレーション技術は一般にデバイスにおいて凹凸
が生じやすいのでこれを平坦とするために工程は複雑と
なり、更にデバイスに過度の損傷を与える傾向がある。
従来では、一般にアイソレーション技術としてポリシリ
コン（Ｐｏｌｙ Ｓｉ ）を選択的に酸化してＳｉｏ２
を形成する方法が用いられていた。
コン（Ｐｏｌｙ Ｓｉ ）を選択的に酸化してＳｉｏ２
を形成する方法が用いられていた。
かかる方法について、アベルス（Ｊ、Ａ、ＡＰＰＥＬＥ
Ｓ）等は、ポリシリコンに対して、ＣＶＤにおいてマス
クとしてＳｉ３Ｎ４を導入した後に酸化を施すことによ
って、Ｓｉ３Ｎ＋で覆われていない部分のみに５ｉ０２
を形成する方法を提案している（フィリプス リサーチ
レポート （Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ、 Ｒｅｐｔｓ
、 ）第２５巻、１１８頁）。この方法では［鳥のくち
ばしくｂｉｒｄ’ｓ ｂｅａｋ ） Ｊと呼ばれるＳｉ
３Ｎ４下部へのしみ出し、酸化部の盛り上がり等が生じ
、これらがパターンデザイン上の大きな制約になると共
により高度な集積化及び平坦化を阻む要因となる。また
長時間の酸化による不純物の再分布や欠陥の発生も素子
に損傷を与える。
Ｓ）等は、ポリシリコンに対して、ＣＶＤにおいてマス
クとしてＳｉ３Ｎ４を導入した後に酸化を施すことによ
って、Ｓｉ３Ｎ＋で覆われていない部分のみに５ｉ０２
を形成する方法を提案している（フィリプス リサーチ
レポート （Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ、 Ｒｅｐｔｓ
、 ）第２５巻、１１８頁）。この方法では［鳥のくち
ばしくｂｉｒｄ’ｓ ｂｅａｋ ） Ｊと呼ばれるＳｉ
３Ｎ４下部へのしみ出し、酸化部の盛り上がり等が生じ
、これらがパターンデザイン上の大きな制約になると共
により高度な集積化及び平坦化を阻む要因となる。また
長時間の酸化による不純物の再分布や欠陥の発生も素子
に損傷を与える。
上記方法を改善したものとしてチン（Ｋ、Ｙ、Ｃｈｉｎ
ｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈ、 Ｐａｐｅｒｓ １９８２ Ｓ
ｙｍｐ、ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。
ｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈ、 Ｐａｐｅｒｓ １９８２ Ｓ
ｙｍｐ、ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。
２８頁）。この方法は、酸化を行う前に酸化される部分
に反応性イオンエツチングを施す点を特徴とし、酸化の
しみ出し及び酸化の盛り上がりを解決した。しかしなが
ら、この方法は工程が一段と複雑となり、その上素子は
イオン衝撃による照射損傷を受けるという問題点を有し
ている。
に反応性イオンエツチングを施す点を特徴とし、酸化の
しみ出し及び酸化の盛り上がりを解決した。しかしなが
ら、この方法は工程が一段と複雑となり、その上素子は
イオン衝撃による照射損傷を受けるという問題点を有し
ている。
更に、レーザによる酸化法として堀岡等による酸素と塩
素の混合ガス中でのＸｅＣｌレーザによるシリコンの選
択酸化法がある（１９８４ドライプロセスシンポジウム
予稿集、８０頁）。この方法によれば、ＳｉＮをマスク
として用いる必要がないため工程は簡略化するものの、
塩素を用いることによる基板への損傷は避けられず、得
られる膜質も多孔質であり、実用化は困難である。
素の混合ガス中でのＸｅＣｌレーザによるシリコンの選
択酸化法がある（１９８４ドライプロセスシンポジウム
予稿集、８０頁）。この方法によれば、ＳｉＮをマスク
として用いる必要がないため工程は簡略化するものの、
塩素を用いることによる基板への損傷は避けられず、得
られる膜質も多孔質であり、実用化は困難である。
上記のようにいずれの従来技術を用いても、現状では集
積化デバイスの製作工程においてデバイスの平坦化、低
損傷化、工程の簡略化を同時に満足することができず、
例えば素子のアイソレーション技術が多層配線による集
積化において大きな壁の１つとなっていた。
積化デバイスの製作工程においてデバイスの平坦化、低
損傷化、工程の簡略化を同時に満足することができず、
例えば素子のアイソレーション技術が多層配線による集
積化において大きな壁の１つとなっていた。
本発明の目的は、簡単な工程で製作することができると
共にデバイスの平坦化、低損傷化を実現し良好な特質を
有するパターン薄膜を製作することができるパターン薄
膜形成方法及びその装置を提供することにある。
共にデバイスの平坦化、低損傷化を実現し良好な特質を
有するパターン薄膜を製作することができるパターン薄
膜形成方法及びその装置を提供することにある。
本発明は、反応容器内に第１のＣＶＤガスとこの第１の
ＣＶＤガスの分解吸収波長では光分解しない第、２のＣ
ＶＤガスとを導入し、前記反応容器内に設置された試料
基板上に前記第１のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当す
る波長を有する第１の光を照射すると共に前記試料基板
上のパターンを形成すべき部分に前記第２のＣＶＤガス
の分解吸収波長に相当する波長を有する第２の光を照射
し、前記第１のＣＶＤガスの生成物による薄膜面内に前
記第２のＣＶＤガスの生成物によるパターンを形成する
ことを特徴としている。
ＣＶＤガスの分解吸収波長では光分解しない第、２のＣ
ＶＤガスとを導入し、前記反応容器内に設置された試料
基板上に前記第１のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当す
る波長を有する第１の光を照射すると共に前記試料基板
上のパターンを形成すべき部分に前記第２のＣＶＤガス
の分解吸収波長に相当する波長を有する第２の光を照射
し、前記第１のＣＶＤガスの生成物による薄膜面内に前
記第２のＣＶＤガスの生成物によるパターンを形成する
ことを特徴としている。
また別の本発明は、試料基板を内部に設置する反応容器
と、第１のＣＶＤガス及びこの第１のＣＶＤガスの分解
吸収波長では光分解しない第２のＣＶＤガスを前記反応
容器内に供給するガス供給手段と、前記第１のＣＶＤガ
スの分解吸収波長に相当する波長の光を出射する第１の
光源と、前記第２のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当す
る波長の光を出射する第２の光源と、前記第２の光源か
ら出射光を前記試料基板上のパターンを形成すべき部分
に照射せしめる光学系とを備えることを特徴としている
。
と、第１のＣＶＤガス及びこの第１のＣＶＤガスの分解
吸収波長では光分解しない第２のＣＶＤガスを前記反応
容器内に供給するガス供給手段と、前記第１のＣＶＤガ
スの分解吸収波長に相当する波長の光を出射する第１の
光源と、前記第２のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当す
る波長の光を出射する第２の光源と、前記第２の光源か
ら出射光を前記試料基板上のパターンを形成すべき部分
に照射せしめる光学系とを備えることを特徴としている
。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
この実施例では、シリコン基板上に形成された導電性ポ
リシリコン膜をＳｔＯ，で電気的に分離するアイソレー
ション技術を説明する。
リシリコン膜をＳｔＯ，で電気的に分離するアイソレー
ション技術を説明する。
図はパターン薄膜を形成する装置の構成図である。図に
おいて、１は反応容器を成す光ＣＶＤセルであり、光Ｃ
ＶＤセル１内の下面部には基板支持台２を設け、基板支
持台２の上面に試料のシリコン基板３を固定して配置す
る。シリコン基板３の上方両側には、試料における光強
度分布が一様になるように低圧水銀ランプ４が一本ずつ
平行に置かれる。光ＣＶＤセル１の上面部には合成石英
窓５が設けられ、この合成石英窓５を通して反射鏡６に
よって案内されたＡｒＦレーザ７からの出射光８がシリ
コン基板３の上面に照射される。このとき、光路中に所
望の照射パターンを描いたパターンマスク９及び合成石
英レンズ１０が配置され、これによってシリコン基板３
の上面において所望の縮写比率で照射光のパターンを形
成するこができる。上記低圧水銀ランプ４及びＡｒＦレ
ーザ７はそれぞれ後述する如き２種のＣＶＤガスを光分
解する光源として用いられ、第１の光源である低圧水銀
ランプ４の出射光１１の波長は２５４ｉｓ、第２の光源
であるＡｒＦレーザ７の出射光８の波長は１９３ｎｓで
ある。また先部が合成石英窓５の下面に臨むノズル１２
は、合成石英窓５における光ＣＶＤによる堆積を軽減す
るためのＮ２吹付は用ノズルであり、１３はＮ２を供給
するタンクである。
おいて、１は反応容器を成す光ＣＶＤセルであり、光Ｃ
ＶＤセル１内の下面部には基板支持台２を設け、基板支
持台２の上面に試料のシリコン基板３を固定して配置す
る。シリコン基板３の上方両側には、試料における光強
度分布が一様になるように低圧水銀ランプ４が一本ずつ
平行に置かれる。光ＣＶＤセル１の上面部には合成石英
窓５が設けられ、この合成石英窓５を通して反射鏡６に
よって案内されたＡｒＦレーザ７からの出射光８がシリ
コン基板３の上面に照射される。このとき、光路中に所
望の照射パターンを描いたパターンマスク９及び合成石
英レンズ１０が配置され、これによってシリコン基板３
の上面において所望の縮写比率で照射光のパターンを形
成するこができる。上記低圧水銀ランプ４及びＡｒＦレ
ーザ７はそれぞれ後述する如き２種のＣＶＤガスを光分
解する光源として用いられ、第１の光源である低圧水銀
ランプ４の出射光１１の波長は２５４ｉｓ、第２の光源
であるＡｒＦレーザ７の出射光８の波長は１９３ｎｓで
ある。また先部が合成石英窓５の下面に臨むノズル１２
は、合成石英窓５における光ＣＶＤによる堆積を軽減す
るためのＮ２吹付は用ノズルであり、１３はＮ２を供給
するタンクである。
本実施例においては２種のＣＶＤガスを用いる。
ＣＶＤガ玉は、ポリシリコンの供給源として５％濃度の
Ｓ ｉ Ｈ４を、また５ｉ０２の供給源としてＳｉ
（ＯＣ２Ｈ５）４を使用する。第１（ＤＣＶＤガスであ
る５ＬＨ４は、タンク１４から供給され、ヒータ１５で
温度調整された水銀ベーボライザ１６内で水銀蒸気と混
合した後、光ＣＶＤセル１内に７０ｓｅｃｍで送りこま
れる。第２のＣＶＤガスであるＳｉ （ＯＣ２Ｈ５）
４１７は常温で液体状態にあり、ヒータ１８で約１００
℃に加熱されると共に、タンク１９から供給されるＡｒ
ガスでバブリングされて光ＣＶＤセル１内に送りこまれ
る。
Ｓ ｉ Ｈ４を、また５ｉ０２の供給源としてＳｉ
（ＯＣ２Ｈ５）４を使用する。第１（ＤＣＶＤガスであ
る５ＬＨ４は、タンク１４から供給され、ヒータ１５で
温度調整された水銀ベーボライザ１６内で水銀蒸気と混
合した後、光ＣＶＤセル１内に７０ｓｅｃｍで送りこま
れる。第２のＣＶＤガスであるＳｉ （ＯＣ２Ｈ５）
４１７は常温で液体状態にあり、ヒータ１８で約１００
℃に加熱されると共に、タンク１９から供給されるＡｒ
ガスでバブリングされて光ＣＶＤセル１内に送りこまれ
る。
上記構成によれば、第１のＣＶＤガスである５ｉ）（４
は低圧水銀ランプ４の光１１に基づく水銀増感法で分解
するが、第２のＣＶＤガスであるＳｉ （ＯＣ２Ｈｓ
）４はＡｒＦレーザ７からのレーザ光８によってしか
分解しないため、Ｓ ｉ Ｈ４の分解によってシリコン
基板３上に導電性ポリシリコン膜２０が形成され、同時
にこの導電性ポリシリコン膜２０の面内に５ｉ（ＯＣ２
Ｈｓ）＋の分解によって生成する５ｉ０２２１による所
望のパターンが形成される。このパターンは前記バタン
マスク９によって定められるものである。この際、５ｉ
Ｏ２２１による導電性ポリシリコン膜２０内の汚染、及
び５ｔ０２２１のパターン部でのＳｔ比率はデバイス特
性上問題とならない程度であった。
は低圧水銀ランプ４の光１１に基づく水銀増感法で分解
するが、第２のＣＶＤガスであるＳｉ （ＯＣ２Ｈｓ
）４はＡｒＦレーザ７からのレーザ光８によってしか
分解しないため、Ｓ ｉ Ｈ４の分解によってシリコン
基板３上に導電性ポリシリコン膜２０が形成され、同時
にこの導電性ポリシリコン膜２０の面内に５ｉ（ＯＣ２
Ｈｓ）＋の分解によって生成する５ｉ０２２１による所
望のパターンが形成される。このパターンは前記バタン
マスク９によって定められるものである。この際、５ｉ
Ｏ２２１による導電性ポリシリコン膜２０内の汚染、及
び５ｔ０２２１のパターン部でのＳｔ比率はデバイス特
性上問題とならない程度であった。
上記のように、Ｓ ｉ Ｈ４及びＳｔ （ＯＣ２Ｈ５
）４の２種のＣＶＤガスを用い、第１のＣＶＤガスＳｉ
Ｈ４の分解吸収波長では第２のＣＶＤガスＳｔ （Ｏ
Ｃ２Ｈ５）４が光分解しないという光化学反応上の性質
の違いを利用して、第１のＣＶＤガスの分解吸収波長に
係る光１１を低圧水銀ランプ４によってシリコン基板３
上全体に、また第２のＣＶＤガスの分解吸収波長に係る
光８をシリコン基板３上のパターンの形成所望部にのみ
それぞれ照射することにより、ｌ工程で第２のＣＶＤガ
スの生成物のパターン２１を含む第１のＣＶＤガスの生
成物による薄膜２０を得ることができる。
）４の２種のＣＶＤガスを用い、第１のＣＶＤガスＳｉ
Ｈ４の分解吸収波長では第２のＣＶＤガスＳｔ （Ｏ
Ｃ２Ｈ５）４が光分解しないという光化学反応上の性質
の違いを利用して、第１のＣＶＤガスの分解吸収波長に
係る光１１を低圧水銀ランプ４によってシリコン基板３
上全体に、また第２のＣＶＤガスの分解吸収波長に係る
光８をシリコン基板３上のパターンの形成所望部にのみ
それぞれ照射することにより、ｌ工程で第２のＣＶＤガ
スの生成物のパターン２１を含む第１のＣＶＤガスの生
成物による薄膜２０を得ることができる。
また、パターン薄膜の形成工程においては、熱効果を必
要とする工程、エツチングを必要とする工程が存在せず
、低損傷の光ＣＶＤ工程のみを用いているためシリコン
基板３における損傷は最小限に抑えることができる。更
に薄膜とパターンの形成を同時に進めることができるた
めデバイスの表面を平坦にすることができる。
要とする工程、エツチングを必要とする工程が存在せず
、低損傷の光ＣＶＤ工程のみを用いているためシリコン
基板３における損傷は最小限に抑えることができる。更
に薄膜とパターンの形成を同時に進めることができるた
めデバイスの表面を平坦にすることができる。
本発明は上記実施例以外のいくつかの変更実施例が可能
である。例えば、上記水銀増感法は必ずしも必要とする
ものではなく、直接的な光分解にのみ用いることによっ
てＡｆ２０３のパターンを有するアルミニウム薄膜を形
成することができる。
である。例えば、上記水銀増感法は必ずしも必要とする
ものではなく、直接的な光分解にのみ用いることによっ
てＡｆ２０３のパターンを有するアルミニウム薄膜を形
成することができる。
この形成方法においては、ＣＶＤガスとしてＴＭＡとＡ
１ （ｉ−ＱＣ３Ｈ７）を使用する。ＴＭＡは低圧水銀
ランプ光１１を吸収して分解しアルミニウムを生成し、
Ａｌ （ｉ −ＱＣｓ Ｈ？ ）は低圧水銀ランプ光１
１では分解せずＡｒＦレーザ光８によって分解しＡｌ２
Ｏ３を生成する。従ってＣＶＤガスにＴＭＡとＡｉｔ
（ｔ−ＱＣ３Ｈ７）を用い、水銀ベーポライザ１６を取
り外した装置を用いることによって、Ａβ２０３パター
ンを有したアルミニウム薄膜を得ることができる。
１ （ｉ−ＱＣ３Ｈ７）を使用する。ＴＭＡは低圧水銀
ランプ光１１を吸収して分解しアルミニウムを生成し、
Ａｌ （ｉ −ＱＣｓ Ｈ？ ）は低圧水銀ランプ光１
１では分解せずＡｒＦレーザ光８によって分解しＡｌ２
Ｏ３を生成する。従ってＣＶＤガスにＴＭＡとＡｉｔ
（ｔ−ＱＣ３Ｈ７）を用い、水銀ベーポライザ１６を取
り外した装置を用いることによって、Ａβ２０３パター
ンを有したアルミニウム薄膜を得ることができる。
また上記実施例においては、低圧水銀ランプ４からの光
１１をシリコン基板３の全体に対して照射するようにし
たが、シリコン基板３上の所定範囲に照射部を限定する
こともできる。低圧水銀ランプ４の設置箇所も光ＣＶＤ
セル１における反応室外とすることもできる。更に上記
実施例で本発明を絶縁物質のパターン形成に適用してい
るが、ＣＶＤガスと光源を適当に選択することによって
半導体及び導電物質のパターン形成も可能である。
１１をシリコン基板３の全体に対して照射するようにし
たが、シリコン基板３上の所定範囲に照射部を限定する
こともできる。低圧水銀ランプ４の設置箇所も光ＣＶＤ
セル１における反応室外とすることもできる。更に上記
実施例で本発明を絶縁物質のパターン形成に適用してい
るが、ＣＶＤガスと光源を適当に選択することによって
半導体及び導電物質のパターン形成も可能である。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば熱工程、
エツチング工程を省略できるため従来のパターン薄膜形
成方法では不可避であったデバイスにおける損傷を極め
て少なくすることができ、パターン部のしみ出し及び盛
り上がりをなくして平坦なパターン薄膜を形成すること
ができると共に、更に薄膜の形成とパターンの形成を光
ＣＶＤ法を用いて同時に行うようにしたため１工程とい
う簡単なプロセスで上記パターン薄膜を形成することが
できる。
エツチング工程を省略できるため従来のパターン薄膜形
成方法では不可避であったデバイスにおける損傷を極め
て少なくすることができ、パターン部のしみ出し及び盛
り上がりをなくして平坦なパターン薄膜を形成すること
ができると共に、更に薄膜の形成とパターンの形成を光
ＣＶＤ法を用いて同時に行うようにしたため１工程とい
う簡単なプロセスで上記パターン薄膜を形成することが
できる。
第１図は本発明に係るパターン薄膜を形成する装置の構
成図である。 １・・・・反応容器である光ＣＶＤセル２・・・・基板
支持台 ３・・・・シリコン基板
成図である。 １・・・・反応容器である光ＣＶＤセル２・・・・基板
支持台 ３・・・・シリコン基板
Claims (2)
- （１）反応容器内に第１のＣＶＤガスとこの第１のＣＶ
Ｄガスの分解吸収波長では光分解しない第２のＣＶＤガ
スとを導入し、前記反応容器内に設置された試料基板上
に前記第１のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当する波長
を有する第１の光を照射すると共に前記試料基板上のパ
ターンを形成すべき部分に前記第２のＣＶＤガスの分解
吸収波長に相当する波長を有する第２の光を照射し、前
記第１のＣＶＤガスの生成物による薄膜面内に前記第２
のＣＶＤガスの生成物によるパターンを形成することを
特徴とするパターン薄膜形成方法。 - （２）試料基板を内部に設置する反応容器と、第１のＣ
ＶＤガス及びこの第１のＣＶＤガスの分解吸収波長では
光分解しない第２のＣＶＤガスを前記反応容器内に供給
するガス供給手段と、前記第１のＣＶＤガスの分解吸収
波長に相当する波長の光を出射する第１の光源と、前記
第２のＣＶＤガスの分解吸収波長に相当する波長の光を
出射する第２の光源と、前記第２の光源から出射光を前
記試料基板上のパターンを形成すべき部分に照射せしめ
る光学系とを備えることを特徴とするパターン薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5605185A JPS61216449A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5605185A JPS61216449A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216449A true JPS61216449A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13016284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5605185A Pending JPS61216449A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216449A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184278A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Fujitsu Ltd | 高純度金属の堆積方法 |
| JPH0732150B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1995-04-10 | フラウンホファー―ゲゼルシャフト ツアフェルデルング デア アンゲバンテン フォルシュング アインゲトラゲナー フェライン | 集積回路のシリケート層の製造方法 |
| US5708252A (en) * | 1986-09-26 | 1998-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Excimer laser scanning system |
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US6261856B1 (en) | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5605185A patent/JPS61216449A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5708252A (en) * | 1986-09-26 | 1998-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Excimer laser scanning system |
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| JPH0732150B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1995-04-10 | フラウンホファー―ゲゼルシャフト ツアフェルデルング デア アンゲバンテン フォルシュング アインゲトラゲナー フェライン | 集積回路のシリケート層の製造方法 |
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