JPH04141589A - 光処理法及び光処理装置 - Google Patents
光処理法及び光処理装置Info
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- JPH04141589A JPH04141589A JP26167090A JP26167090A JPH04141589A JP H04141589 A JPH04141589 A JP H04141589A JP 26167090 A JP26167090 A JP 26167090A JP 26167090 A JP26167090 A JP 26167090A JP H04141589 A JPH04141589 A JP H04141589A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光励起を利用したＣＶＤ、エツチング、表面
改質、クリーニングに有用な光処理法及び装置に関する
ものである。 ［従来技術〕 半導体装置の高集積化、高性能化に伴ない光照射を利用
したＣＶＤ、エツチング、表面改質、クリーニングプロ
セス等が注目されている。これらは光プロセスの大きな
特徴である低温処理可能、低損傷なことの加え、空間的
な選択処理等が半導体製造プロセスで必要不可欠なもの
となってきたためである。ところで光処理を用いた一般
的なプロセスとしては １）反応ガス雰囲気中で光を照射し該雰囲気中で該反応
ガスの励起、分解により数種のガスを反応させ（気相反
応）、試料の表面に堆積物を堆積させるか、又は該表面
のエツチングやクリーニングを行なうものと、 ２）試料表面を光照射によって加熱し、反応ガスと該表
面との熱化学反応を生じさせるか光照射によって該表面
上と反応ガスと光化学反応（表面反応）を生じさせて堆
積物を堆積させるか、又は該表面のエツチングやクリー
ニングを行なうもの、とがある。 前者としては例えばＳｉＨ４と０２ガス雰囲気中でＫｒ
Ｆフエキシマレーザーを照射し、気相中でＳ ｉ Ｈ４
と０□を反応させＳｉｎｇを基板上に堆積させる例があ
るがこの方法では反応生物が気相中をランダムに拡散す
るので、基本的に空間的な選択性はない。一方後者とし
てＣρ２ガス雰囲気中で基板をエツチングする例を挙げ
ることができる。この方法では反応過程の詳細は解明さ
れていないが、光が照射された表面で励起された電子を
塩素原子が授受しＳｉ基板中に取り込まれ反応が進むの
で、光照射された表面上のみで反応を起こすことができ
空間的に選択処理が可能である。
改質、クリーニングに有用な光処理法及び装置に関する
ものである。 ［従来技術〕 半導体装置の高集積化、高性能化に伴ない光照射を利用
したＣＶＤ、エツチング、表面改質、クリーニングプロ
セス等が注目されている。これらは光プロセスの大きな
特徴である低温処理可能、低損傷なことの加え、空間的
な選択処理等が半導体製造プロセスで必要不可欠なもの
となってきたためである。ところで光処理を用いた一般
的なプロセスとしては １）反応ガス雰囲気中で光を照射し該雰囲気中で該反応
ガスの励起、分解により数種のガスを反応させ（気相反
応）、試料の表面に堆積物を堆積させるか、又は該表面
のエツチングやクリーニングを行なうものと、 ２）試料表面を光照射によって加熱し、反応ガスと該表
面との熱化学反応を生じさせるか光照射によって該表面
上と反応ガスと光化学反応（表面反応）を生じさせて堆
積物を堆積させるか、又は該表面のエツチングやクリー
ニングを行なうもの、とがある。 前者としては例えばＳｉＨ４と０２ガス雰囲気中でＫｒ
Ｆフエキシマレーザーを照射し、気相中でＳ ｉ Ｈ４
と０□を反応させＳｉｎｇを基板上に堆積させる例があ
るがこの方法では反応生物が気相中をランダムに拡散す
るので、基本的に空間的な選択性はない。一方後者とし
てＣρ２ガス雰囲気中で基板をエツチングする例を挙げ
ることができる。この方法では反応過程の詳細は解明さ
れていないが、光が照射された表面で励起された電子を
塩素原子が授受しＳｉ基板中に取り込まれ反応が進むの
で、光照射された表面上のみで反応を起こすことができ
空間的に選択処理が可能である。
しかしながら上述したこれらの光励起プロセスでは、半
導体素子の高集積化、高性能化に対応するためには改善
すべき余地が存在している。その１つとして光吸収断面
積や光反応断面積が小さく、処理速度が低いことが挙げ
られる０例えばＳｉ基板の光励起エツチングでは、大部
分の報告ではエッチレートは１００〜２０００人／ｍ１
ｎ（新電子材料に関する調査研究報告書店、光励起プロ
セス技術調査報告書１、日本電子工業振興会、昭和６１
年３月）程度でありこれは従来のプラズマエツチングに
比べ１桁程度低いエッチレートである。又Ｃｏｔレーザ
ー等による赤外線照射では基板加熱による熱化学反応が
主であるため熱の拡散による像のぼけが生じ、基板表面
の処理を優れた選択性をもって行う場合には問題となる
場合があった。 本発明は上述した技術課題に鑑みてなされたものであっ
て、高速処理が可能な光処理法及び該処理法を適用し得
る処理装置を提供することを目的とする。 また、本発明の別の目的は基板上の所望の領域を優れた
選択性をもって処理する光処理法及び該処理法を適用し
得る処理装置を提供することである。 〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明の光処理
法は、反応容器内に反応ガスと、該反応ガスを励起する
処理光を導入し、励起された前記反応ガスにより前記反
応容器内に配された基板の表面を処理する光処理法にお
いて、前記基板表面を構成する分子の振動を励起・させ
る第１の光発生手段より生じた光と、前記反応ガスと前
記基板表面との光化学反応を生じさせる第２の光発生手
段により生じた光と、を前記基板表面に同時に照射して
該基板の処理を行うことを特徴とする。 また、本発明の光処理装置は、反応容器と、該反応容器
内に反応ガスを導入するガス導入手段と、該反応容器内
に処理光を導入する光導入手段と、を備え、前記反応ガ
スを前記処理光で励起して前記反応容器内に配された基
板の表面を処理する光処理装置において、前記基板の表
面を構成する分子の振動を励起させる光を発生させる第
１の光発生手段と、前記反応ガスと前記基板表面との光
化学反応を生じさせる光を発生させる第２の光発生手段
と、前記第１の光発生手段及び前記第２の光発生手段に
より発生した光を前記基板表面に同時に照射する照射手
段と、を備えたことを特徴とする。 本発明によれば、基板を構成する表面分子の振動を励起
する光と、光化学反応を生じさせる光を同時に基板上に
照射することによって基板と反応ガスとの反応をより促
進させることができるため、基板の処理を高速で行うこ
とができる。また、処理光を照射した表面で選択的に光
化学反応を生じさせることができるので、所望の処理を
選択性良（行うことが出来る。 〔実施例〕 以下、本発明の好適な実施態様例を図面にもとずいて説
明する。 先ず本発明の光処理法を適用できる処理装置の１例を第
１図を用いて説明する。 同図において１は被処理試料（基板）、２はコンピュー
タ（不図示）で制御され、２次元に移動可能なＸＹステ
ージ３に設置された試料台、４は真空気密可能な処理室
である。５は処理室４内に試料１を搬入量可能で真空気
密可能なゲートバルブ、６は処理室４内に反応ガスを導
入するためのガス導入口、７は処理室４内を真空排気し
たり、処理室内に導入された反応ガスの圧力を一定に保
つ機能を備えた真空排気装置であり、８は処理光を透過
する透過窓である。９は第一の光源であるところのＮＨ
，レーザー１０を光励起するためのＣＯ２レーザーであ
り、１１ａ、ｌｌｂはシャッター、１２ａ、１２ｂはレ
ーザー光の時間的空間的可干渉性をなくし均一なレーザ
ー光にするためのビーム整形器、１３ａ、１３ｂは投影
光学系である。１４は二つの異なる波長の光を混合する
透過反射板、１５は第二の光源であるところのＫｒＦエ
キシマレーザ−である。そして、１６はＣＯ２レーザ−
９とＫｒＦレーザー１５を制御するためのレーザー制御
装置、１７はシャッター１１８、ｌｌｂを制御するため
のシャッター制御装置である。 この装置を用いた光処理工程の１例について説明する。 まず基板１をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲー
トバルブ５を閉める。ここで基板とは単体であっても良
いし、支持体上に堆積膜等が形成されたものであっても
良い。 真空排気装置７によって処理室４内を所望の圧力まで真
空排気する。次にガス導入口６より反応ガスを処理室４
内に導入し、内部の圧力が所望の圧力となるように真空
排気装置７を操作制御する。レーザー制御装置１６によ
ってＣＯｔレーザー９とＫｒＦエキシマレーザ−１５と
を両レーザーのピークパワーとなる時間が一致するよう
に制御し同期させて発振させる。Ｃ０２レーザー９で発
振させた光を、ＮＨ，レーザー１０内のＮＨ。 セルに入射させ、ＮＨ，ガスを励起しＮＨ，ガス特有の
波長の光を発振させる。この波長の光は基板の表面を構
成する分子の振動を励起させるものであることが必要で
あり、基板の表面を構成する分子と振動モードが一致す
るので共鳴的に吸収され、基板と反応ガスとの反応を促
進させる。第一の光源であるＮＨ，レーザー１０で発振
した光は、シャッター１１ａに入り、シャッターの開閉
によって変調され基板１の表面上での照射が制御される
。シャッター１１ａ、とｌｌｂはシャッター制御装置１
７によって例えば同位相で開閉するように制御される。 なおここでシャッター１１ａ、１１ｂで変調したが、シ
ャッターを用いず、ＣＯｗレーザー９とＫｒＦエキシマ
レーザ−１５の発振をレーザー制御装置１６によって制
御しても同様の変調が可能である。変調された光は、ビ
ーム整形器１２ａによって可干渉性をなくし空間的に均
一化され、投影光学系１３ａにより基板１上で所望のス
ポットサイズになるように調整される。投影光学系を出
た光は、透過反射板１４によって反射され、窓８を通し
て基板１に照射される。ここで透過反射板は例えば厚さ
２ ｍ ｍ合成石英板でできており、反射表面には、特
定波長の光を反射させＫｒＦエキシマレーザ−１５発振
光を透過させる高反射膜がコーティングしである。高反
射膜は無機材料からなる多層構造の反射膜が好適に用い
られる。窓８はたとえばＮａＣρ結晶板で構成されてい
るが、この他意材としてはＫＣｆｆＳｒＦｔ結晶等も使
用可能である。 本発明において、基板を構成する表面分子の振動を励起
する光の光源としては具体的にはレーザ、ランプ、放電
管、軌道放射光（ＳＯＲ光）等を挙げることができるが
、基板を構成する表面分子の振動を励起させるものであ
ればこれに限定されるものではない。一方第二の光源で
あるＫｒＦエキシマレーザ−１５発振光は、シャッター
１１ｂにより第一の光源で発振した光と例えば同位相で
オンオフされ、ビーム整形器１２ｂで可干渉性をなくし
空間的に均一化される。次に投影光学系１３ｂによって
、透過反射板１４と窓８を通して基板ｌ上に第一の光源
で発振させた光と同様に所望のスポットサイズで照射さ
せる。なお本発明において、反応ガスと基板との間に光
化学反応を生じさせる光の光源としては具体的にはレー
ザーランプ、放電管、軌道放射光（ＳＯＲ光）等を挙げ
ることができるが、反応ガスと基板との間に光化学反応
を生じさせるものであればこれに限定されるものではな
い。 以下本発明の実施例についてのべるが本発明は実施例に
限定されるものではない。
導体素子の高集積化、高性能化に対応するためには改善
すべき余地が存在している。その１つとして光吸収断面
積や光反応断面積が小さく、処理速度が低いことが挙げ
られる０例えばＳｉ基板の光励起エツチングでは、大部
分の報告ではエッチレートは１００〜２０００人／ｍ１
ｎ（新電子材料に関する調査研究報告書店、光励起プロ
セス技術調査報告書１、日本電子工業振興会、昭和６１
年３月）程度でありこれは従来のプラズマエツチングに
比べ１桁程度低いエッチレートである。又Ｃｏｔレーザ
ー等による赤外線照射では基板加熱による熱化学反応が
主であるため熱の拡散による像のぼけが生じ、基板表面
の処理を優れた選択性をもって行う場合には問題となる
場合があった。 本発明は上述した技術課題に鑑みてなされたものであっ
て、高速処理が可能な光処理法及び該処理法を適用し得
る処理装置を提供することを目的とする。 また、本発明の別の目的は基板上の所望の領域を優れた
選択性をもって処理する光処理法及び該処理法を適用し
得る処理装置を提供することである。 〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明の光処理
法は、反応容器内に反応ガスと、該反応ガスを励起する
処理光を導入し、励起された前記反応ガスにより前記反
応容器内に配された基板の表面を処理する光処理法にお
いて、前記基板表面を構成する分子の振動を励起・させ
る第１の光発生手段より生じた光と、前記反応ガスと前
記基板表面との光化学反応を生じさせる第２の光発生手
段により生じた光と、を前記基板表面に同時に照射して
該基板の処理を行うことを特徴とする。 また、本発明の光処理装置は、反応容器と、該反応容器
内に反応ガスを導入するガス導入手段と、該反応容器内
に処理光を導入する光導入手段と、を備え、前記反応ガ
スを前記処理光で励起して前記反応容器内に配された基
板の表面を処理する光処理装置において、前記基板の表
面を構成する分子の振動を励起させる光を発生させる第
１の光発生手段と、前記反応ガスと前記基板表面との光
化学反応を生じさせる光を発生させる第２の光発生手段
と、前記第１の光発生手段及び前記第２の光発生手段に
より発生した光を前記基板表面に同時に照射する照射手
段と、を備えたことを特徴とする。 本発明によれば、基板を構成する表面分子の振動を励起
する光と、光化学反応を生じさせる光を同時に基板上に
照射することによって基板と反応ガスとの反応をより促
進させることができるため、基板の処理を高速で行うこ
とができる。また、処理光を照射した表面で選択的に光
化学反応を生じさせることができるので、所望の処理を
選択性良（行うことが出来る。 〔実施例〕 以下、本発明の好適な実施態様例を図面にもとずいて説
明する。 先ず本発明の光処理法を適用できる処理装置の１例を第
１図を用いて説明する。 同図において１は被処理試料（基板）、２はコンピュー
タ（不図示）で制御され、２次元に移動可能なＸＹステ
ージ３に設置された試料台、４は真空気密可能な処理室
である。５は処理室４内に試料１を搬入量可能で真空気
密可能なゲートバルブ、６は処理室４内に反応ガスを導
入するためのガス導入口、７は処理室４内を真空排気し
たり、処理室内に導入された反応ガスの圧力を一定に保
つ機能を備えた真空排気装置であり、８は処理光を透過
する透過窓である。９は第一の光源であるところのＮＨ
，レーザー１０を光励起するためのＣＯ２レーザーであ
り、１１ａ、ｌｌｂはシャッター、１２ａ、１２ｂはレ
ーザー光の時間的空間的可干渉性をなくし均一なレーザ
ー光にするためのビーム整形器、１３ａ、１３ｂは投影
光学系である。１４は二つの異なる波長の光を混合する
透過反射板、１５は第二の光源であるところのＫｒＦエ
キシマレーザ−である。そして、１６はＣＯ２レーザ−
９とＫｒＦレーザー１５を制御するためのレーザー制御
装置、１７はシャッター１１８、ｌｌｂを制御するため
のシャッター制御装置である。 この装置を用いた光処理工程の１例について説明する。 まず基板１をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲー
トバルブ５を閉める。ここで基板とは単体であっても良
いし、支持体上に堆積膜等が形成されたものであっても
良い。 真空排気装置７によって処理室４内を所望の圧力まで真
空排気する。次にガス導入口６より反応ガスを処理室４
内に導入し、内部の圧力が所望の圧力となるように真空
排気装置７を操作制御する。レーザー制御装置１６によ
ってＣＯｔレーザー９とＫｒＦエキシマレーザ−１５と
を両レーザーのピークパワーとなる時間が一致するよう
に制御し同期させて発振させる。Ｃ０２レーザー９で発
振させた光を、ＮＨ，レーザー１０内のＮＨ。 セルに入射させ、ＮＨ，ガスを励起しＮＨ，ガス特有の
波長の光を発振させる。この波長の光は基板の表面を構
成する分子の振動を励起させるものであることが必要で
あり、基板の表面を構成する分子と振動モードが一致す
るので共鳴的に吸収され、基板と反応ガスとの反応を促
進させる。第一の光源であるＮＨ，レーザー１０で発振
した光は、シャッター１１ａに入り、シャッターの開閉
によって変調され基板１の表面上での照射が制御される
。シャッター１１ａ、とｌｌｂはシャッター制御装置１
７によって例えば同位相で開閉するように制御される。 なおここでシャッター１１ａ、１１ｂで変調したが、シ
ャッターを用いず、ＣＯｗレーザー９とＫｒＦエキシマ
レーザ−１５の発振をレーザー制御装置１６によって制
御しても同様の変調が可能である。変調された光は、ビ
ーム整形器１２ａによって可干渉性をなくし空間的に均
一化され、投影光学系１３ａにより基板１上で所望のス
ポットサイズになるように調整される。投影光学系を出
た光は、透過反射板１４によって反射され、窓８を通し
て基板１に照射される。ここで透過反射板は例えば厚さ
２ ｍ ｍ合成石英板でできており、反射表面には、特
定波長の光を反射させＫｒＦエキシマレーザ−１５発振
光を透過させる高反射膜がコーティングしである。高反
射膜は無機材料からなる多層構造の反射膜が好適に用い
られる。窓８はたとえばＮａＣρ結晶板で構成されてい
るが、この他意材としてはＫＣｆｆＳｒＦｔ結晶等も使
用可能である。 本発明において、基板を構成する表面分子の振動を励起
する光の光源としては具体的にはレーザ、ランプ、放電
管、軌道放射光（ＳＯＲ光）等を挙げることができるが
、基板を構成する表面分子の振動を励起させるものであ
ればこれに限定されるものではない。一方第二の光源で
あるＫｒＦエキシマレーザ−１５発振光は、シャッター
１１ｂにより第一の光源で発振した光と例えば同位相で
オンオフされ、ビーム整形器１２ｂで可干渉性をなくし
空間的に均一化される。次に投影光学系１３ｂによって
、透過反射板１４と窓８を通して基板ｌ上に第一の光源
で発振させた光と同様に所望のスポットサイズで照射さ
せる。なお本発明において、反応ガスと基板との間に光
化学反応を生じさせる光の光源としては具体的にはレー
ザーランプ、放電管、軌道放射光（ＳＯＲ光）等を挙げ
ることができるが、反応ガスと基板との間に光化学反応
を生じさせるものであればこれに限定されるものではな
い。 以下本発明の実施例についてのべるが本発明は実施例に
限定されるものではない。
【実施例１】
第一図に示した装置を用いてＳｉ基板上に成膜した窒化
けい素（ＳｉＮ）膜のエツチング処理を行った。 ここで第一の光源であるところのＮＨ，レーザー１０を
光励起するためのパルス発振型ＣＯ２レーザ−９として
５０Ｗ、繰り返し数１０００Ｈｚのものを用いた。また
第二の光源１５として２０Ｗ、繰り返し数１０００Ｈｚ
のＫｒＦエキシマレーザ−を用いた。 まず試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基板１をゲート
パルプ５を開は試料台２に載せた後、ゲートバルブ５を
閉めた。次いで、真空排気装置７によって処理室４内を
１０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した０次にガ
ス導入口６より０℃。 ガス処理室４内に導入し、内部の圧力が５０ｔｏｒｒと
なるように真空排気装置７を操作した。 レーザー制御装置１６によってＣＯ２レーザ−９とＫｒ
Ｆエキシマレーザ−１５を制御し両レーザーのビークパ
ワーとなる時間が一致するように同期させて発振させた
。ＣＯ，レーザー９で発振させた波長１０．６μｍ赤外
光を、ＮＨ，レーザー１０内のＮ Ｈｓセルに入射させ
、ＮＨａガスを励起して波長１１．７〜１２．５μｍ（
波数８５０〜８００ｃｍ−’）の赤外光を発振させた。 この波長の光は５ｉ−Ｎ結合の振動モード（〜８５０
ｃｍ−’）と一致するので共鳴的に吸収される。 ＮＨＩレーザー１０で発振した赤外光は、シャッター１
１ａに入り、ビーム整形器１２ａによって可干渉性をな
くし、投影光学系１３ａによってＳｉ基板１上で所望の
スポットサイズ（本実施例では３μｍ）になるように調
整された。投影光学系を出た赤外光は、合成石英板から
なる透過反射板１４によって反射され、ＮａＣｌ２結晶
板からなる窓８を通してＳｉ基板１に照射された。ここ
で透過反射板の反射表面には、波長１１．７〜１２５μ
ｍの赤外光を反射させＫｒＦエキシマレーザ−１５の発
振光（２４８ｎｍ）を透過する高反射膜をコーティング
しである。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５から
の発振光（２４８ｎｍ）は、シャッター１１ｂで第一の
光源で発振した赤外光と同位相でオンオフされ、ビーム
整形器１２ｂを経た後、投影光学系１３ｂ、透過反射板
１４と窓８を通ってＳｉ基板上に第一の光源で発振させ
た赤外光と同様に所望のスポットサイズ（本実施例では
３μｍ）で照射された。波長１１．７〜１２．５μｍの
赤外光と波長２４８ｎｍの遠紫外光が照射された基板表
面では、該紫外光によって励起された電子を塩素原子が
授受しＳｉＮ膜中に取り込まれる一方、該赤外光によっ
て基板表面の５ｉ−Ｎ結合が振動励起され ２ＳｉＮ＋４Ｃβ。 −２Ｓ ｉ Ｃρ４１＋ＮＲ？ の反応速度が上昇し、高速のエツチングが可能となった
。また、従来法との比較をするため赤外光の照射を行わ
ずにエツチング処理を行ったところ、本実施例では、従
来の光エツチング法に比べ２０倍程度高いエッチレート
が得られた。 更に照射時にＸＹステージ３に載せた試料台２を２次元
的に動かしシャッターによる変調を行なうことによって
ＳｉＮ膜上にエツチングパターンを形成できた。エツチ
ングは照射領域のみで行なわれていて像のぼけはなく、
選択性に優れていることが確認された。
けい素（ＳｉＮ）膜のエツチング処理を行った。 ここで第一の光源であるところのＮＨ，レーザー１０を
光励起するためのパルス発振型ＣＯ２レーザ−９として
５０Ｗ、繰り返し数１０００Ｈｚのものを用いた。また
第二の光源１５として２０Ｗ、繰り返し数１０００Ｈｚ
のＫｒＦエキシマレーザ−を用いた。 まず試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基板１をゲート
パルプ５を開は試料台２に載せた後、ゲートバルブ５を
閉めた。次いで、真空排気装置７によって処理室４内を
１０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した０次にガ
ス導入口６より０℃。 ガス処理室４内に導入し、内部の圧力が５０ｔｏｒｒと
なるように真空排気装置７を操作した。 レーザー制御装置１６によってＣＯ２レーザ−９とＫｒ
Ｆエキシマレーザ−１５を制御し両レーザーのビークパ
ワーとなる時間が一致するように同期させて発振させた
。ＣＯ，レーザー９で発振させた波長１０．６μｍ赤外
光を、ＮＨ，レーザー１０内のＮ Ｈｓセルに入射させ
、ＮＨａガスを励起して波長１１．７〜１２．５μｍ（
波数８５０〜８００ｃｍ−’）の赤外光を発振させた。 この波長の光は５ｉ−Ｎ結合の振動モード（〜８５０
ｃｍ−’）と一致するので共鳴的に吸収される。 ＮＨＩレーザー１０で発振した赤外光は、シャッター１
１ａに入り、ビーム整形器１２ａによって可干渉性をな
くし、投影光学系１３ａによってＳｉ基板１上で所望の
スポットサイズ（本実施例では３μｍ）になるように調
整された。投影光学系を出た赤外光は、合成石英板から
なる透過反射板１４によって反射され、ＮａＣｌ２結晶
板からなる窓８を通してＳｉ基板１に照射された。ここ
で透過反射板の反射表面には、波長１１．７〜１２５μ
ｍの赤外光を反射させＫｒＦエキシマレーザ−１５の発
振光（２４８ｎｍ）を透過する高反射膜をコーティング
しである。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５から
の発振光（２４８ｎｍ）は、シャッター１１ｂで第一の
光源で発振した赤外光と同位相でオンオフされ、ビーム
整形器１２ｂを経た後、投影光学系１３ｂ、透過反射板
１４と窓８を通ってＳｉ基板上に第一の光源で発振させ
た赤外光と同様に所望のスポットサイズ（本実施例では
３μｍ）で照射された。波長１１．７〜１２．５μｍの
赤外光と波長２４８ｎｍの遠紫外光が照射された基板表
面では、該紫外光によって励起された電子を塩素原子が
授受しＳｉＮ膜中に取り込まれる一方、該赤外光によっ
て基板表面の５ｉ−Ｎ結合が振動励起され ２ＳｉＮ＋４Ｃβ。 −２Ｓ ｉ Ｃρ４１＋ＮＲ？ の反応速度が上昇し、高速のエツチングが可能となった
。また、従来法との比較をするため赤外光の照射を行わ
ずにエツチング処理を行ったところ、本実施例では、従
来の光エツチング法に比べ２０倍程度高いエッチレート
が得られた。 更に照射時にＸＹステージ３に載せた試料台２を２次元
的に動かしシャッターによる変調を行なうことによって
ＳｉＮ膜上にエツチングパターンを形成できた。エツチ
ングは照射領域のみで行なわれていて像のぼけはなく、
選択性に優れていることが確認された。
【実施例２】
第二の実施例として、第一の表面振動励起用の光を試料
全面に照射し、第二の光化学反応用の光をマスク（又は
レチクル）を用いて選択的に照射し処理した例を説明す
る。第二図に用いた装置の概要を示す、同図において、
１８は第二の光化学反応用の光を試料１表面に選択的に
照射するためのマスク（又はレチクル）、１９は該マス
クを照明するための照明光学系であり、その他第１図に
示したものと同一の符号を付したものは同一のものを示
す。 この装置を用いてＳｉ基板上に成膜したＳｉＮ膜のエツ
チングを行った。 まず試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基板上をゲート
バルブ５を開は試料台２に載せゲートバルブ５を閉めた
。真空排気装置７によって処理室４内を１０−’ｔｏｒ
ｒ以下の圧力まで真空排気した後、ガス導入口６よりＣ
忍２ガスを処理室４内に導入し、内部の圧力が５０ｔｏ
ｒｒとなるように真空排気装置７を操作した。 レーザー制御装置１６によってＣＯ□レーザー９とＫｒ
Ｆエキシマレーザ−１５を制御し、両レーザーのビーク
パワーとなる時間が一致するように同期させて発振させ
た。実施例１と同様にＮ Ｈｓレーザーを発振させ波長
１１．７〜１２゜５ｇｍ（波数８５０〜８００ ｃｍ−
’）の赤外光を取り出し、ビーム整形器１２ａ、投影光
学系１３ａ、透過反射板１４を通してＳｔ基板全面に均
一に照射した。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５発振
光（２４８ｎｍ）は、ビーム整形器１２ｂ、照明光学系
１９を通って、マスク又レチクル１８に均一に照明され
、投影光学系１３ｂ、透過反射板１４、と窓８を経てＳ
ｉ基板上にマスク又レチクル１８の像を結像させた。 波長１１．７〜１２．５μｍの赤外光は基板の全面に照
射され、ＳｉＮ膜表面の５ｉ−Ｎ結合が振動励起される
がこれに加えて、波長２４８ｎｍの紫外光が照射された
表面で、実施例１と同じ反応でエツチングが進んだ。
全面に照射し、第二の光化学反応用の光をマスク（又は
レチクル）を用いて選択的に照射し処理した例を説明す
る。第二図に用いた装置の概要を示す、同図において、
１８は第二の光化学反応用の光を試料１表面に選択的に
照射するためのマスク（又はレチクル）、１９は該マス
クを照明するための照明光学系であり、その他第１図に
示したものと同一の符号を付したものは同一のものを示
す。 この装置を用いてＳｉ基板上に成膜したＳｉＮ膜のエツ
チングを行った。 まず試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基板上をゲート
バルブ５を開は試料台２に載せゲートバルブ５を閉めた
。真空排気装置７によって処理室４内を１０−’ｔｏｒ
ｒ以下の圧力まで真空排気した後、ガス導入口６よりＣ
忍２ガスを処理室４内に導入し、内部の圧力が５０ｔｏ
ｒｒとなるように真空排気装置７を操作した。 レーザー制御装置１６によってＣＯ□レーザー９とＫｒ
Ｆエキシマレーザ−１５を制御し、両レーザーのビーク
パワーとなる時間が一致するように同期させて発振させ
た。実施例１と同様にＮ Ｈｓレーザーを発振させ波長
１１．７〜１２゜５ｇｍ（波数８５０〜８００ ｃｍ−
’）の赤外光を取り出し、ビーム整形器１２ａ、投影光
学系１３ａ、透過反射板１４を通してＳｔ基板全面に均
一に照射した。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５発振
光（２４８ｎｍ）は、ビーム整形器１２ｂ、照明光学系
１９を通って、マスク又レチクル１８に均一に照明され
、投影光学系１３ｂ、透過反射板１４、と窓８を経てＳ
ｉ基板上にマスク又レチクル１８の像を結像させた。 波長１１．７〜１２．５μｍの赤外光は基板の全面に照
射され、ＳｉＮ膜表面の５ｉ−Ｎ結合が振動励起される
がこれに加えて、波長２４８ｎｍの紫外光が照射された
表面で、実施例１と同じ反応でエツチングが進んだ。
【実施例３】
実施例２と同じ装置を用いＳｉ基板上に成膜した５ｉｓ
Ｎ４膜に選択的に酸化膜の潜像を形成した。 実施例２と同様に試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基
板上をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲートバル
ブ５を閉めた。真空排気装置７によって処理室４内を１
０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した後、ガス導
入口６よりＮ Ｏｔガスを処理室４内に導入し、内部の
圧力が１００ｔｏｒｒとなるように真空排気装置７を操
作した。 次に実施例２と同様に波長１１．７〜１２．５μｍの赤
外光は全面に、波長２４８ｎｍの遠紫外光が選択的にＳ
ｉ基板上に成膜したＳｔ＊Ｎ４膜を表面に照射した。赤
外光が照射された全面ではＳｉ＊Ｎ４膜表面の５ｉ−Ｎ
結合が振動励起され、波長２４８ｎｍの遠紫外光が照射
された表面では光化学反応が進み、遠紫外光が照射され
た表面のみに酸化膜が形成された。即ち潜像が形成され
た。形成された酸化膜の厚さは、３分間の照射で５０人
程度である。この後形成された酸化膜の潜像をマスクに
エツチングを行なうことによって、マスクレスの微細加
工が可能となった。
Ｎ４膜に選択的に酸化膜の潜像を形成した。 実施例２と同様に試料であるＳｉＮ膜を成膜したＳｉ基
板上をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲートバル
ブ５を閉めた。真空排気装置７によって処理室４内を１
０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した後、ガス導
入口６よりＮ Ｏｔガスを処理室４内に導入し、内部の
圧力が１００ｔｏｒｒとなるように真空排気装置７を操
作した。 次に実施例２と同様に波長１１．７〜１２．５μｍの赤
外光は全面に、波長２４８ｎｍの遠紫外光が選択的にＳ
ｉ基板上に成膜したＳｔ＊Ｎ４膜を表面に照射した。赤
外光が照射された全面ではＳｉ＊Ｎ４膜表面の５ｉ−Ｎ
結合が振動励起され、波長２４８ｎｍの遠紫外光が照射
された表面では光化学反応が進み、遠紫外光が照射され
た表面のみに酸化膜が形成された。即ち潜像が形成され
た。形成された酸化膜の厚さは、３分間の照射で５０人
程度である。この後形成された酸化膜の潜像をマスクに
エツチングを行なうことによって、マスクレスの微細加
工が可能となった。
【実施例４】
第３図に示す装置を用いて５ｉＯｚ膜のエツチング処理
を行った。同図において表面分子励起用ＣＯ２レーザ−
９はファブリペローエタロンを有していて、ある程度発
振波長を可変できる構造となっている０本実施例では５
ｉ−０結合の振動吸収波長９．５μｍに発振波長を一致
させて用いた。２０はＡｒＫエキシマレーザ−である、
その他第２図に示したものと同一の符号を付したものは
同一のものを示す。 実施例２と同様に試料であるＳ ｉ Ｎ ｚ膜を成膜し
たＳｉ基板１をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲ
ートバルブ５を閉めた後、真空排気装置７によって処理
室４内を１０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した
。次にガス導入口６よりＮＦ、を４００ ｓ ｃ ｃｒ
ｎ、 Ｈｚを５０ｓｅｃｍ処理室４内に導入し、内部の
圧力が２ｔｏｒｒとなるように真空排気装置７を操作し
た。 レーザー制御装置１６によってＣＯ２レーザ−９とＡｒ
Ｋエキシマレーザ−２０を制御し両レーザーのビークパ
ワーとなる時間が一致するように同期させて発振させた
。ＣＯ２レーザーを発振させて波長９．５μｍ （波数
１０５４ ｃｍ−’）の赤外光を取り出し、ビーム整形
器１２ａ、投影光学系１３ａ、透過反射板１４を通して
Ｓｉ基板全面に均一に照射した。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５の発
振光（１９３ｎｍ）は、ビーム整形器１２ｂ、照明光学
系１９を介して、マスク又レチクル１８に均一に照射さ
れ、投影光学系１３ｂ、透過反射板１４、窓８を通して
Ｓｉ基板上にマスク又レチクル１８の像を結像させた。 波長９．５μｍの赤外光は基板全面に照射されＳ ｉ
Ｏ２膜表面の５ｉ−０結合を振動励起する一方、波長１
９３ｎｍの遠紫外光が照射された表面では、効率よくエ
ツチングが進んだ。 エツチングレートは従来の光エッチングに比べ８倍程度
大きくなり、高速処理が可能になった。 なお以上説明した例の他に、本発明によれば、ＣＶＤ、
クリーニング等の処理を高速で行なうことができる。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、基板を構成する
表面分子の振動を励起する光と、光化学反応を生じさせ
る光を同時に基板上に照射することによって基板と反応
ガスとの反応をより促進させることができるため、基板
の処理を高速で行うことができる。また、処理光を照射
した表面で選択的に光化学反応を生じさせることができ
るので、所望の処理を選択性良く行うことが出来る。
を行った。同図において表面分子励起用ＣＯ２レーザ−
９はファブリペローエタロンを有していて、ある程度発
振波長を可変できる構造となっている０本実施例では５
ｉ−０結合の振動吸収波長９．５μｍに発振波長を一致
させて用いた。２０はＡｒＫエキシマレーザ−である、
その他第２図に示したものと同一の符号を付したものは
同一のものを示す。 実施例２と同様に試料であるＳ ｉ Ｎ ｚ膜を成膜し
たＳｉ基板１をゲートバルブ５を開は試料台２に載せゲ
ートバルブ５を閉めた後、真空排気装置７によって処理
室４内を１０−’ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空排気した
。次にガス導入口６よりＮＦ、を４００ ｓ ｃ ｃｒ
ｎ、 Ｈｚを５０ｓｅｃｍ処理室４内に導入し、内部の
圧力が２ｔｏｒｒとなるように真空排気装置７を操作し
た。 レーザー制御装置１６によってＣＯ２レーザ−９とＡｒ
Ｋエキシマレーザ−２０を制御し両レーザーのビークパ
ワーとなる時間が一致するように同期させて発振させた
。ＣＯ２レーザーを発振させて波長９．５μｍ （波数
１０５４ ｃｍ−’）の赤外光を取り出し、ビーム整形
器１２ａ、投影光学系１３ａ、透過反射板１４を通して
Ｓｉ基板全面に均一に照射した。 一方第二の光源であるＫｒＦエキシマレーザ−１５の発
振光（１９３ｎｍ）は、ビーム整形器１２ｂ、照明光学
系１９を介して、マスク又レチクル１８に均一に照射さ
れ、投影光学系１３ｂ、透過反射板１４、窓８を通して
Ｓｉ基板上にマスク又レチクル１８の像を結像させた。 波長９．５μｍの赤外光は基板全面に照射されＳ ｉ
Ｏ２膜表面の５ｉ−０結合を振動励起する一方、波長１
９３ｎｍの遠紫外光が照射された表面では、効率よくエ
ツチングが進んだ。 エツチングレートは従来の光エッチングに比べ８倍程度
大きくなり、高速処理が可能になった。 なお以上説明した例の他に、本発明によれば、ＣＶＤ、
クリーニング等の処理を高速で行なうことができる。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、基板を構成する
表面分子の振動を励起する光と、光化学反応を生じさせ
る光を同時に基板上に照射することによって基板と反応
ガスとの反応をより促進させることができるため、基板
の処理を高速で行うことができる。また、処理光を照射
した表面で選択的に光化学反応を生じさせることができ
るので、所望の処理を選択性良く行うことが出来る。
第１図は本発明による光処理を好適に行いつる光処理装
置の１例を示す模式図、第２図は別の１例を示す模式図
、第３図は更に別の１例を示す模式図である。 第１図乃至第３図において、 １は被処理試料、 ２は試料台、 ３は２次元に移動可能なＸＹステージ、４は真空気密可
能な処理室、 ５はゲートバルブ、 ６はガス導入口、 ７は真空排気装置、 ８は窓、 ９はパルス発振型ＣＯｗレーザー １１ａ、ｌｌｂはシャッター １２ａ、１２ｂはビーム整形器、 １３ａ、１３ｂは投影光学系、 １４は透過反射板、 １５はＫｒＦエキシマレーザ− １６はレーザー制御装置、 １７はシャッター制御装置、 １８はマスク（又はレチクル）、 １９は照明光学系、 ２０はＡｒＦエキシマレーザ−である。
置の１例を示す模式図、第２図は別の１例を示す模式図
、第３図は更に別の１例を示す模式図である。 第１図乃至第３図において、 １は被処理試料、 ２は試料台、 ３は２次元に移動可能なＸＹステージ、４は真空気密可
能な処理室、 ５はゲートバルブ、 ６はガス導入口、 ７は真空排気装置、 ８は窓、 ９はパルス発振型ＣＯｗレーザー １１ａ、ｌｌｂはシャッター １２ａ、１２ｂはビーム整形器、 １３ａ、１３ｂは投影光学系、 １４は透過反射板、 １５はＫｒＦエキシマレーザ− １６はレーザー制御装置、 １７はシャッター制御装置、 １８はマスク（又はレチクル）、 １９は照明光学系、 ２０はＡｒＦエキシマレーザ−である。
Claims (6)
- （１）反応容器内に反応ガスと、該反応ガスを励起する
処理光を導入し、励起された前記反応ガスにより前記反
応容器内に配された基板の表面を処理する光処理法にお
いて、 前記基板表面を構成する分子の振動を励起させる第１の
光発生手段より生じた光と、前記反応ガスと前記基板表
面との光化学反応を生じさせる第２の光発生手段により
生じた光と、を前記基板表面に同時に照射して該基板の
処理を行うことを特徴とする光処理法。 - （２）前記基板として該表面が窒化けい素からなるもの
を用い、前記第１の光発生手段としてＮＨ＿３レーザー
を用いることを特徴とする請求項第１項記載の光処理法
。 - （３）前記基板として該表面が酸化けい素からなるもの
を用い、前記第１の光発生手段として外部共振器を有す
るＣＯ＿２レーザーを用いることを特徴とする請求項第
１項記載の光処理法。 - （４）反応容器と、該反応容器内に反応ガスを導入する
ガス導入手段と、該反応容器内に処理光を導入する光導
入手段と、を備え、前記反応ガスを前記処理光で励起し
て前記反応容器内に配された基板の表面を処理する光処
理装置において、前記基板の表面を構成する分子の振動
を励起させる光を発生させる第１の光発生手段と、前記
反応ガスと前記基板表面との光化学反応を生じさせる光
を発生させる第２の光発生手段と、前記第１の光発生手
段及び前記第２の光発生手段により発生した光を前記基
板表面に同時に照射する照射手段と、を備えたことを特
徴とする光処理装置。 - （５）前記光導入手段としてＮａＣｌ、ＳｒＦ＿２、Ｋ
Ｃｌ結晶から構成される光透過窓を用いることを特徴と
する請求の項第４項記載の光処理装置。 - （６）前記第１の光発生手段により発生した光を反射し
、前記第２の光発生手段により発生した光を、透過する
反射膜を有する透過反射板によって前記２つの光発生手
段により発生した光を混合し、前記基板に同時に照射す
ることを特徴とする請求項第５項記載の光処理装置。
Priority Applications (17)
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|---|---|---|---|
| JP2261670A JP2840419B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 光処理法及び光処理装置 |
| EP98124753A EP0909988A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method |
| AT91116309T ATE200829T1 (de) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographisches verarbeitungsverfahren und vorrichtung |
| EP98124754A EP0908782A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method |
| EP98124748A EP0909986A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method and apparatus |
| EP98124750A EP0909985A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method and apparatus |
| EP91116309A EP0477890B1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Processing method and apparatus |
| EP98124755A EP0909989A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method and apparatus |
| EP98124751A EP0908781A3 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method and apparatus |
| EP98124749A EP0909987A1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographic processing method and apparatus |
| DE69132587T DE69132587T2 (de) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Photolithographisches Verarbeitungsverfahren und Vorrichtung |
| US08/251,666 US5962194A (en) | 1990-09-26 | 1994-05-31 | Processing method and apparatus |
| US08/429,288 US6025115A (en) | 1990-09-26 | 1995-04-25 | Processing method for etching a substrate |
| US08/429,289 US5981001A (en) | 1990-09-26 | 1995-04-25 | Processing method for selectively irradiating a surface in presence of a reactive gas to cause etching |
| US08/429,287 US5863706A (en) | 1990-09-26 | 1995-04-25 | Processing method for patterning a film |
| US08/428,431 US5714306A (en) | 1990-09-26 | 1995-04-25 | Processing method and apparatus |
| US08/428,518 US5824455A (en) | 1990-09-26 | 1995-04-25 | Processing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2261670A JP2840419B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 光処理法及び光処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04141589A true JPH04141589A (ja) | 1992-05-15 |
| JP2840419B2 JP2840419B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17365114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2261670A Expired - Fee Related JP2840419B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-29 | 光処理法及び光処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840419B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011032511A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi Zosen Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| CN109097545A (zh) * | 2018-10-08 | 2018-12-28 | 吉林大学 | 激光预热与高频振动耦合非晶合金表面改性装置与方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132429A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体素子の製造装置 |
| JPS61177729A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Toshiba Corp | 光励起ドライエツチング方法 |
| JPS63110A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS63310967A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nikon Corp | Ｃｖｄによる薄膜製造方法及びそれに使用される装置 |
-
1990
- 1990-09-29 JP JP2261670A patent/JP2840419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132429A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体素子の製造装置 |
| JPS61177729A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Toshiba Corp | 光励起ドライエツチング方法 |
| JPS63110A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS63310967A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nikon Corp | Ｃｖｄによる薄膜製造方法及びそれに使用される装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011032511A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi Zosen Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| CN109097545A (zh) * | 2018-10-08 | 2018-12-28 | 吉林大学 | 激光预热与高频振动耦合非晶合金表面改性装置与方法 |
| CN109097545B (zh) * | 2018-10-08 | 2023-09-15 | 吉林大学 | 激光预热与高频振动耦合非晶合金表面改性装置与方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2840419B2 (ja) | 1998-12-24 |
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