JPS63110A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS63110A JPS63110A JP14133386A JP14133386A JPS63110A JP S63110 A JPS63110 A JP S63110A JP 14133386 A JP14133386 A JP 14133386A JP 14133386 A JP14133386 A JP 14133386A JP S63110 A JPS63110 A JP S63110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光励起することにより薄膜を形成する方法に
関する。
関する。
近年、半導体デバイス製造プロセスにおいては、光ＣＶ
Ｄなどの光励起プロセス技術が、プロセスの低温化、工
程短縮などをもたらすものとして盛んに研究開発されて
いる。光ＣＶＤは、従来のプラズマｑ゛ロセスに比べ、
基板やその上のデバイス層へ与えるダメージが少なく、
より低温で良質な膜形成を可能とするものとして期待が
大きい。
Ｄなどの光励起プロセス技術が、プロセスの低温化、工
程短縮などをもたらすものとして盛んに研究開発されて
いる。光ＣＶＤは、従来のプラズマｑ゛ロセスに比べ、
基板やその上のデバイス層へ与えるダメージが少なく、
より低温で良質な膜形成を可能とするものとして期待が
大きい。
既に光ＣＶＤの手法を用い、将来の配線材料として有望
なタングステンやモリブデンなどの金属材料や、ＭＯＳ
ｒｃのゲート絶縁膜に使用されるＳｉｎ、などの絶
縁体などの堆積が実現されている。たとえば、「アプラ
イド・フィジックス・レター（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌ
ｅｔｔ、）誌の第４０巻、 ７１６〜７１９ページＪに
、ボイラー（Ｂｏｙｅｒ）等により、ＡｒＦエキシマ−
レーザを光源として、ＳｉＨ４とＮｚ Ｏガスを原料ガ
スとして、Ｓｉ０ｇ膜を堆積できることが報告されてい
る。この文献によれば、得られた堆積膜は、付着力やブ
レークダウン電圧などの特性では熱酸化Ｓｉｎ、膜と同
程度に優れた値を持つことが示されている。
なタングステンやモリブデンなどの金属材料や、ＭＯＳ
ｒｃのゲート絶縁膜に使用されるＳｉｎ、などの絶
縁体などの堆積が実現されている。たとえば、「アプラ
イド・フィジックス・レター（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌ
ｅｔｔ、）誌の第４０巻、 ７１６〜７１９ページＪに
、ボイラー（Ｂｏｙｅｒ）等により、ＡｒＦエキシマ−
レーザを光源として、ＳｉＨ４とＮｚ Ｏガスを原料ガ
スとして、Ｓｉ０ｇ膜を堆積できることが報告されてい
る。この文献によれば、得られた堆積膜は、付着力やブ
レークダウン電圧などの特性では熱酸化Ｓｉｎ、膜と同
程度に優れた値を持つことが示されている。
しかし、上記文献には、界面準位密度が、熱酸化Ｓｉｎ
、膜の１０倍から１００倍程度と高（、また不純物とし
て、炭化水素や、Ｎ２がかなり含まれていることが記述
されている。界面準位は、ＭＯＳ ＩＣなどのゲート
絶縁膜などに使う場合に悪影響を与えるため、できるだ
け低いことが望まれる。上記文献では、この界面準位の
増加の原因には特に触れていないが、上記のＮ２や炭化
水素などの不純物が明らかに悪影響を与えている。
、膜の１０倍から１００倍程度と高（、また不純物とし
て、炭化水素や、Ｎ２がかなり含まれていることが記述
されている。界面準位は、ＭＯＳ ＩＣなどのゲート
絶縁膜などに使う場合に悪影響を与えるため、できるだ
け低いことが望まれる。上記文献では、この界面準位の
増加の原因には特に触れていないが、上記のＮ２や炭化
水素などの不純物が明らかに悪影響を与えている。
また、第３２回春季応用物理学会予稿集（１９８５）の
講演番号３０ｐ−に２の３４０ページで開祖等により示
されているように、Ｓｉｎ、中の不純物のＯＨ基がＡｒ
Ｆレーザ光の照射のためにトラップを形成し、界面準位
の増加を招いている例もある。これらの界面準位増加の
原因を取り除（には、ＣＶＤ膜中のＮ２や炭化水素、Ｈ
２などの不純物の含有を極力低減することが有効である
。しかしながら、従来の光ＣＶＤの方法では、効果的に
これらの不純物の混入を低減することができないという
問題があった。
講演番号３０ｐ−に２の３４０ページで開祖等により示
されているように、Ｓｉｎ、中の不純物のＯＨ基がＡｒ
Ｆレーザ光の照射のためにトラップを形成し、界面準位
の増加を招いている例もある。これらの界面準位増加の
原因を取り除（には、ＣＶＤ膜中のＮ２や炭化水素、Ｈ
２などの不純物の含有を極力低減することが有効である
。しかしながら、従来の光ＣＶＤの方法では、効果的に
これらの不純物の混入を低減することができないという
問題があった。
本発明の目的は、このような従来の問題を解決した薄膜
形成方法を提供することにある。
形成方法を提供することにある。
本発明は、第１の波長の光により光化学反応を起こす第
１の気体成分を含む気体中に基板を設け、この基板上に
前記第１の波長のパルス光を照射して前記基板上に薄膜
を堆積させる薄膜形成方法において、第２の波長の光の
照射により前記薄膜の不純物成分をエツチングする第２
の気体成分を前記気体中に付加し、前記薄膜の膜厚が一
分子層分増加するのに要する時間より短い周期で前記第
２の波長のパルス光を前記基板上に照射することを特徴
としている。
１の気体成分を含む気体中に基板を設け、この基板上に
前記第１の波長のパルス光を照射して前記基板上に薄膜
を堆積させる薄膜形成方法において、第２の波長の光の
照射により前記薄膜の不純物成分をエツチングする第２
の気体成分を前記気体中に付加し、前記薄膜の膜厚が一
分子層分増加するのに要する時間より短い周期で前記第
２の波長のパルス光を前記基板上に照射することを特徴
としている。
パルスレーザ光を用いるＣＶＤ反応では、各レーザパル
スの照射ごとにＣＶＤ原料ガスが分解もしくは反応して
、生成された分子が基板上に堆積するステップを繰り返
し、薄膜が形成されていくと考えられる。この時１パル
ス当たりの堆積厚は、緻密な膜が得られる条件のもとで
は、多くとも１人／パルス程度である。つまり各パルス
の照射により、新たに堆積する膜の平均的な厚みは、１
原子層よりも十分に薄いことになる。このため、各パル
ス照射後、不純物となる原子もしくは分子は、膜の最表
面に露出している状態にあると考えられる。
スの照射ごとにＣＶＤ原料ガスが分解もしくは反応して
、生成された分子が基板上に堆積するステップを繰り返
し、薄膜が形成されていくと考えられる。この時１パル
ス当たりの堆積厚は、緻密な膜が得られる条件のもとで
は、多くとも１人／パルス程度である。つまり各パルス
の照射により、新たに堆積する膜の平均的な厚みは、１
原子層よりも十分に薄いことになる。このため、各パル
ス照射後、不純物となる原子もしくは分子は、膜の最表
面に露出している状態にあると考えられる。
本発明は、この点に着目し、ＣＶＤ用の各レーザパルス
の照射後に、堆積した原子層オーダーの薄い膜の中の不
純物原子もしくは分子に対して、別の波長の光を照射し
てエツチング反応を起こし、この不純物成分を除去すれ
ば、ＣＶＤ膜中への不純物の混入を抑えることができる
との考えに基づいている。
の照射後に、堆積した原子層オーダーの薄い膜の中の不
純物原子もしくは分子に対して、別の波長の光を照射し
てエツチング反応を起こし、この不純物成分を除去すれ
ば、ＣＶＤ膜中への不純物の混入を抑えることができる
との考えに基づいている。
この方法によれば、ＣＶＤ反応単独では不純物の発生・
混入が避けられない場合でも、ＣＶＤ膜中に不純物が取
り込まれる前にエツチング反応で不純物を取り除（こと
ができ、その結果として高純度のＣＶＤ膜を得ることが
できる。また、このエツチング反応を起こさせるレーザ
光には、エツチング反応による不純物の除去の効果のほ
かにも、光脱離効果があり、この効果によって表面に吸
着しているＮｔ ’Ｐｏｔなどの揮発性分子の除去を行
うことができる。
混入が避けられない場合でも、ＣＶＤ膜中に不純物が取
り込まれる前にエツチング反応で不純物を取り除（こと
ができ、その結果として高純度のＣＶＤ膜を得ることが
できる。また、このエツチング反応を起こさせるレーザ
光には、エツチング反応による不純物の除去の効果のほ
かにも、光脱離効果があり、この効果によって表面に吸
着しているＮｔ ’Ｐｏｔなどの揮発性分子の除去を行
うことができる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に用いられる薄膜形成装
置の構成図である。この実施例は、ＳｉＯ□のＣＶＤに
本発明を適用した例である。ｃｖＤガス供給系９は、Ｓ
ｉ Ｈｚ Ｃｌｘ 、、Ｎｔ 、ＮｚＯガスの混合ガ
スをＣＶＤセル８に供給する。またエツチングガス供給
系１０は、エツチング用の０１２ガスを供給する。Ａｒ
Ｆエキシマ−レーザで構成される第１のパルスレーザ光
源１はＣＶＤガスを励起するために用いられ、その出射
光は第２のミラー４、第３のミラー５、および第２の窓
７を通してＣＶＤセル８内に導がれる。ＸｅＣｌエキシ
マ−レーザで構成される第２のパルスレーザ光源２は、
エツチングガスのｃｌｚを励起するために用いられ、そ
の出射光は第１のミラー３および第１の窓６を通してＣ
ＶＤセル８内の基板１３に照射される構成となっている
。ヒータ１２は、基板１３を良好な膜形成のできる温度
に昇温するために用いる。ＣＶＤセル８の内部圧力は、
排気ポンプ１１の排気速度とＣＶＤガス供給系９及びエ
ツチングガス供給系ＩＯからの供給量を調整することに
より、ＣＶＤ中所定の値になるよう制御される。
置の構成図である。この実施例は、ＳｉＯ□のＣＶＤに
本発明を適用した例である。ｃｖＤガス供給系９は、Ｓ
ｉ Ｈｚ Ｃｌｘ 、、Ｎｔ 、ＮｚＯガスの混合ガ
スをＣＶＤセル８に供給する。またエツチングガス供給
系１０は、エツチング用の０１２ガスを供給する。Ａｒ
Ｆエキシマ−レーザで構成される第１のパルスレーザ光
源１はＣＶＤガスを励起するために用いられ、その出射
光は第２のミラー４、第３のミラー５、および第２の窓
７を通してＣＶＤセル８内に導がれる。ＸｅＣｌエキシ
マ−レーザで構成される第２のパルスレーザ光源２は、
エツチングガスのｃｌｚを励起するために用いられ、そ
の出射光は第１のミラー３および第１の窓６を通してＣ
ＶＤセル８内の基板１３に照射される構成となっている
。ヒータ１２は、基板１３を良好な膜形成のできる温度
に昇温するために用いる。ＣＶＤセル８の内部圧力は、
排気ポンプ１１の排気速度とＣＶＤガス供給系９及びエ
ツチングガス供給系ＩＯからの供給量を調整することに
より、ＣＶＤ中所定の値になるよう制御される。
次に、この構成での実験条件および実験結果について説
明する。実験に用いたガスの組成は、５ｉＨｚｃ１ｚ
１％、Ｎ２１０％、Ｎｔ０８６％、Ｃ１２３％とし
、ＣｖＤセル内の圧力は８ＴＯｒｒ、基板温度は３００
℃としてＳ ｉ Ｏｚ膜を形成した。
明する。実験に用いたガスの組成は、５ｉＨｚｃ１ｚ
１％、Ｎ２１０％、Ｎｔ０８６％、Ｃ１２３％とし
、ＣｖＤセル内の圧力は８ＴＯｒｒ、基板温度は３００
℃としてＳ ｉ Ｏｚ膜を形成した。
第２図は、照射レーザ光の照射タイミングを示す図であ
る。下側はＣＶＤ用のＡｒＦレーザ、上側がエツチング
用のＸｅＣｌレーザのそれぞれの出射タイミングである
。この出射タイミングによれば、エツチングガスを励起
するパルスレーザ光は、１回のＣＶＤガス励起用パルス
照射につき、１回照射する。このタイミングの照射によ
れば、ＣＶＤ用のＡｒＦレーザ光の照射により不純物を
含む５ｉＯｚ膜が堆積しても、次のエツチング用のＸｅ
Ｃｌレーザ光の照射により、基板表面の炭化水素やＮ２
は、ＣＣｌ ４やＨＣｌなどの揮発性の塩化物となって
気相中に離脱する。Ｎ２は、光脱離効果によりＮ２ガス
として表面から除去されると考えられる。なお、Ｃ１ｚ
は、ＡｒＦレーザの発振波長１９３ｎｍには吸収がなく
、逆に、ＣＶＤガス成分は、ＸｅＣｊ！レーザの発振波
長３０８ｎｍには吸収がないので、ＣＶＤおよびエツチ
ングの各反応は、それぞれ照射するレーザ光の波長によ
り選択的に起こすことができ、堆積反応などの目的とす
る以外の不要な反応は起こらない。
る。下側はＣＶＤ用のＡｒＦレーザ、上側がエツチング
用のＸｅＣｌレーザのそれぞれの出射タイミングである
。この出射タイミングによれば、エツチングガスを励起
するパルスレーザ光は、１回のＣＶＤガス励起用パルス
照射につき、１回照射する。このタイミングの照射によ
れば、ＣＶＤ用のＡｒＦレーザ光の照射により不純物を
含む５ｉＯｚ膜が堆積しても、次のエツチング用のＸｅ
Ｃｌレーザ光の照射により、基板表面の炭化水素やＮ２
は、ＣＣｌ ４やＨＣｌなどの揮発性の塩化物となって
気相中に離脱する。Ｎ２は、光脱離効果によりＮ２ガス
として表面から除去されると考えられる。なお、Ｃ１ｚ
は、ＡｒＦレーザの発振波長１９３ｎｍには吸収がなく
、逆に、ＣＶＤガス成分は、ＸｅＣｊ！レーザの発振波
長３０８ｎｍには吸収がないので、ＣＶＤおよびエツチ
ングの各反応は、それぞれ照射するレーザ光の波長によ
り選択的に起こすことができ、堆積反応などの目的とす
る以外の不要な反応は起こらない。
このようにして得られた光ＣＶＤ ５ｉＯｚ）ＦＪの
界面準位密度は、熱酸化Ｓ ｉ Ｏｚ膜の１．５倍程度
と熱酸化法に比べ遜色のないほど十分低（でき、ＭＯＳ
ＩＧのゲート絶縁膜として十分使い得る値であるこ
とがわかった。−方、上記の光エツチング処理を行わな
い通常の光ＣＶＤの場合の界面準位密度は、本発明によ
るものに対し２０倍以上高くなり、本発明が不純物など
の影響を受けやすい界面準位密度の改善に有効であるこ
とがわかった。
界面準位密度は、熱酸化Ｓ ｉ Ｏｚ膜の１．５倍程度
と熱酸化法に比べ遜色のないほど十分低（でき、ＭＯＳ
ＩＧのゲート絶縁膜として十分使い得る値であるこ
とがわかった。−方、上記の光エツチング処理を行わな
い通常の光ＣＶＤの場合の界面準位密度は、本発明によ
るものに対し２０倍以上高くなり、本発明が不純物など
の影響を受けやすい界面準位密度の改善に有効であるこ
とがわかった。
なお上記の実施例では、エツチングガスを励起するパル
スレーザ光の照射回数は、１回のＣＶＤガス励起用パル
ス照射につき、１つの場合について説明したが、１回の
ＣＶＤガス励起用の光パルスの照射につき、複数回のエ
ツチングガス励起用の光パルスを照射すれば、不純物成
分を除去する効果がより顕著になることは明らかである
。また逆に、ＣＶＤ速度が極めて小さい場合には、複数
回のＣＶＤガス励起用の光パルス照射ごとに１回のエツ
チングガス励起用の光パルスを照射しても本発明の効果
が得られる。
スレーザ光の照射回数は、１回のＣＶＤガス励起用パル
ス照射につき、１つの場合について説明したが、１回の
ＣＶＤガス励起用の光パルスの照射につき、複数回のエ
ツチングガス励起用の光パルスを照射すれば、不純物成
分を除去する効果がより顕著になることは明らかである
。また逆に、ＣＶＤ速度が極めて小さい場合には、複数
回のＣＶＤガス励起用の光パルス照射ごとに１回のエツ
チングガス励起用の光パルスを照射しても本発明の効果
が得られる。
すなわち、薄膜の膜厚が一分子層分増加するのに要する
時間より短い周期でエツチングガス励起用の光パルスを
照射するタイミングであれば、いかなる組合わせでもよ
い。
時間より短い周期でエツチングガス励起用の光パルスを
照射するタイミングであれば、いかなる組合わせでもよ
い。
以上の本発明の第１の実施例ではＳ ｉ Ｏ，膜のＣＶ
Ｄを例にとって説明したが、他の絶縁体や半導体、金属
などのＣＶＤにおいても、ＣＶＤガス、エツチングガス
、およびこれらのガスを励起できるパルスレーザ光源を
組合わせれば本発明の方法を用いて、不純物の少ない良
質なＣＶＤ膜を形成できる。
Ｄを例にとって説明したが、他の絶縁体や半導体、金属
などのＣＶＤにおいても、ＣＶＤガス、エツチングガス
、およびこれらのガスを励起できるパルスレーザ光源を
組合わせれば本発明の方法を用いて、不純物の少ない良
質なＣＶＤ膜を形成できる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す図である。
第１図の方法と異なる点は、第１のパルスレーザ光源１
の出射光が、基板１３に垂直に入射されることであり、
ダイクロイックミラー１４を用いて、第２のパルスレー
ザ光源２と第１のパルスレーザ光源１からの出射光を合
成して基板１３に照射する点が異なっている。この構成
は、基板表面に吸着したＣＶＤガス分子が光ＣＶＤ反応
に預かる場合に有効となる。このようなＣＶＤガスとし
ては、金属カルボニルなどの有機金属ガスが挙げられる
。
の出射光が、基板１３に垂直に入射されることであり、
ダイクロイックミラー１４を用いて、第２のパルスレー
ザ光源２と第１のパルスレーザ光源１からの出射光を合
成して基板１３に照射する点が異なっている。この構成
は、基板表面に吸着したＣＶＤガス分子が光ＣＶＤ反応
に預かる場合に有効となる。このようなＣＶＤガスとし
ては、金属カルボニルなどの有機金属ガスが挙げられる
。
なお、第３図において第１図と同一の要素には同一の参
照番号を付して示している。
照番号を付して示している。
第４図は、本発明の第３の実施例を示す。この実施例に
よれば、第３図の薄膜形成装置の光路上に照射パターン
を定めるマスク１５とそのパターンを基板上に転写する
レンズ１６を配置し、基板１３上の所要の位置にのみ選
択的にＣＶＤ膜を形成する。
よれば、第３図の薄膜形成装置の光路上に照射パターン
を定めるマスク１５とそのパターンを基板上に転写する
レンズ１６を配置し、基板１３上の所要の位置にのみ選
択的にＣＶＤ膜を形成する。
なお、第４図において第１図と同一の要素には同一の参
照番号を付して示している。
照番号を付して示している。
以上述べたように、従来の光ＣＶＤ方法を用いては、不
純物濃度の高いＣＶＤ膜が堆積するために、得られるＣ
ＶＤ膜は限定された用途にしか使うことができなかった
。これに対し、本発明の光ＣＶＤ方法を用いれば、従来
方法に比べ、不純物濃度を大幅に低減でき、広い範囲の
半導体製造プロセスに光ＣＶＤの手法を適用することが
可能となる。また、従来方法では、不純物の含有率が高
すぎて、実用的に使うことの困難なＣＶＤガスと光源の
組合わせを用いても、本発明の方法を用いれば、高純度
のＣＶＤ膜の形成が可能となり、実用的に使いうるＣＶ
Ｄ材料の選択の幅を大きく増やすことができる。
純物濃度の高いＣＶＤ膜が堆積するために、得られるＣ
ＶＤ膜は限定された用途にしか使うことができなかった
。これに対し、本発明の光ＣＶＤ方法を用いれば、従来
方法に比べ、不純物濃度を大幅に低減でき、広い範囲の
半導体製造プロセスに光ＣＶＤの手法を適用することが
可能となる。また、従来方法では、不純物の含有率が高
すぎて、実用的に使うことの困難なＣＶＤガスと光源の
組合わせを用いても、本発明の方法を用いれば、高純度
のＣＶＤ膜の形成が可能となり、実用的に使いうるＣＶ
Ｄ材料の選択の幅を大きく増やすことができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は第１
の実施例における波長の異なる２種類のパルスレーザ光
源の出射タイミングを示す図、 第３図は第２の実施例を示す図、 第４図は第３の実施例を示す図である。 １・・・第１のパルスレーザ光源 ２・・・第２のパルスレーザ光源 ３・・・第１のミラー ４・・・第２のミラー ５・・・第３のミラー ６・・・第１の窓 ７・・・第２の窓 ８・・・ＣＶＤセル ９・・・ＣＶＤガス供給系 ＩＯ・・・エツチングガス供給系 １１・・・排気ポンプ １２・・・ヒータ １３・・・基板 １４・・・グイクロイックミラー １５・・・マスク １６・・・レンズ 第１図− 第２図 第３図 第４図
の実施例における波長の異なる２種類のパルスレーザ光
源の出射タイミングを示す図、 第３図は第２の実施例を示す図、 第４図は第３の実施例を示す図である。 １・・・第１のパルスレーザ光源 ２・・・第２のパルスレーザ光源 ３・・・第１のミラー ４・・・第２のミラー ５・・・第３のミラー ６・・・第１の窓 ７・・・第２の窓 ８・・・ＣＶＤセル ９・・・ＣＶＤガス供給系 ＩＯ・・・エツチングガス供給系 １１・・・排気ポンプ １２・・・ヒータ １３・・・基板 １４・・・グイクロイックミラー １５・・・マスク １６・・・レンズ 第１図− 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）第１の波長の光により光化学反応を起こす第１の
気体成分を含む気体中に基板を設け、この基板上に前記
第１の波長のパルス光を照射して前記基板上に薄膜を堆
積させる薄膜形成方法において、第２の波長の光の照射
により前記薄膜の不純物成分をエッチングする第２の気
体成分を前記気体中に付加し、前記薄膜の膜厚が一分子
層分増加するのに要する時間より短い周期で前記第２の
波長のパルス光を前記基板上に照射することを特徴とす
る薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133386A JPH0618173B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133386A JPH0618173B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110A true JPS63110A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0618173B2 JPH0618173B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15289509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14133386A Expired - Lifetime JPH0618173B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618173B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04141589A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-15 | Canon Inc | 光処理法及び光処理装置 |
| JPH04291916A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Kokusai Electric Co Ltd | 気相成長方法及び装置 |
| US5705224A (en) * | 1991-03-20 | 1998-01-06 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Vapor depositing method |
| JP2010532919A (ja) * | 2007-07-07 | 2010-10-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 高ニュートラル密度プラズマ注入を用いるコンフォーマルドーピング |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14133386A patent/JPH0618173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04141589A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-15 | Canon Inc | 光処理法及び光処理装置 |
| JPH04291916A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Kokusai Electric Co Ltd | 気相成長方法及び装置 |
| US5705224A (en) * | 1991-03-20 | 1998-01-06 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Vapor depositing method |
| JP2010532919A (ja) * | 2007-07-07 | 2010-10-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 高ニュートラル密度プラズマ注入を用いるコンフォーマルドーピング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618173B2 (ja) | 1994-03-09 |
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