JP3171630B2 - ＳｉＮ膜の形成方法 - Google Patents
ＳｉＮ膜の形成方法Info
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- JP3171630B2 JP3171630B2 JP00363192A JP363192A JP3171630B2 JP 3171630 B2 JP3171630 B2 JP 3171630B2 JP 00363192 A JP00363192 A JP 00363192A JP 363192 A JP363192 A JP 363192A JP 3171630 B2 JP3171630 B2 JP 3171630B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ源となる第一材料
ガスとＮ源となる第二材料ガスとを、基板に対して混合
状態で供給し、基板上にＳｉＮ膜を形成するＣＶＤ装置
におけるＳｉＮ膜の形成方法に関する。
ガスとＮ源となる第二材料ガスとを、基板に対して混合
状態で供給し、基板上にＳｉＮ膜を形成するＣＶＤ装置
におけるＳｉＮ膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このようなＳｉＮ膜形成方法において
は、第一材料ガスとしてＳｉＨ4、あるいはＳｉ2Ｈ6等
が、第二材料ガスとしてＮＨ3等が使用され、膜形成部
が適切な温度域（レーザーＣＶＤシステムを使用する場
合は３５０℃以下、熱ＣＶＤシステムを使用する場合は
７００〜８００℃）に設定されてＳｉＮ膜が形成され
る。
は、第一材料ガスとしてＳｉＨ4、あるいはＳｉ2Ｈ6等
が、第二材料ガスとしてＮＨ3等が使用され、膜形成部
が適切な温度域（レーザーＣＶＤシステムを使用する場
合は３５０℃以下、熱ＣＶＤシステムを使用する場合は
７００〜８００℃）に設定されてＳｉＮ膜が形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプロセスを利用してＳｉＮ膜を形成する場合におい
て、基板として従来採用されてきたＳｉ基板を使用する
のみならず、例えばプラスチック基板を採用することも
現在提案されている。こういった材料の採用する場合の
大きな問題点は、比較的低温（例えばレーザーＣＶＤに
おいて、１５０℃以下）で膜形成をおこなうと、ＳｉＮ
膜がその化学量論組成に適合した組成とはならず、窒素
の組成比が小さいものとなることである。そして、この
ような組成の膜においては、この薄膜を大気中に放置し
ておくと成膜後の時間経過に伴って、膜が酸化され、最
悪の場合は、組成ＳｉＮであるべき膜が、組成ＳｉＯ2
の膜に変性してしまうという問題が生じる。即ち、この
要因が成膜を低温でおこなう上で、大きな障害となって
いた。そこで本発明の目的は、例えばＳｉＮ膜の形成が
比較的低温でおこなわれ、化学量論比に対してＮが不足
した状態の薄膜が形成された場合等にも、経時的にこの
薄膜が酸化を起こすことが少ない安定したＳｉＮ膜を形
成することができるＳｉＮ膜の形成方法を得ることであ
る。
うなプロセスを利用してＳｉＮ膜を形成する場合におい
て、基板として従来採用されてきたＳｉ基板を使用する
のみならず、例えばプラスチック基板を採用することも
現在提案されている。こういった材料の採用する場合の
大きな問題点は、比較的低温（例えばレーザーＣＶＤに
おいて、１５０℃以下）で膜形成をおこなうと、ＳｉＮ
膜がその化学量論組成に適合した組成とはならず、窒素
の組成比が小さいものとなることである。そして、この
ような組成の膜においては、この薄膜を大気中に放置し
ておくと成膜後の時間経過に伴って、膜が酸化され、最
悪の場合は、組成ＳｉＮであるべき膜が、組成ＳｉＯ2
の膜に変性してしまうという問題が生じる。即ち、この
要因が成膜を低温でおこなう上で、大きな障害となって
いた。そこで本発明の目的は、例えばＳｉＮ膜の形成が
比較的低温でおこなわれ、化学量論比に対してＮが不足
した状態の薄膜が形成された場合等にも、経時的にこの
薄膜が酸化を起こすことが少ない安定したＳｉＮ膜を形
成することができるＳｉＮ膜の形成方法を得ることであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明による特徴構成は、 レーザー照射手段を備
え、膜形成の最終段階において、レーザーで励起可能で
Ｎ源となる処理ガスを供給して、前段階の成膜工程より
もＮ成分の過剰な雰囲気ガスにレーザー照射手段からの
レーザー光を照射して成膜する窒素富化処理工程を備え
たことにあり、その作用・効果は次の通りである。
の本発明による特徴構成は、 レーザー照射手段を備
え、膜形成の最終段階において、レーザーで励起可能で
Ｎ源となる処理ガスを供給して、前段階の成膜工程より
もＮ成分の過剰な雰囲気ガスにレーザー照射手段からの
レーザー光を照射して成膜する窒素富化処理工程を備え
たことにあり、その作用・効果は次の通りである。
【０００５】
【作用】この方法を採用する場合は、薄膜が形成された
後、あるいはその最終段階で、窒素富化処理が膜表面に
対しておこなわれる。即ち、この処理においては、レー
ザーで励起可能でＮ源となる処理ガスが基板の膜形成面
の近傍に供給され、基板近傍の雰囲気がＮ源過剰な状態
とされる。そして、レーザー照射手段により、この処理
ガスが励起され膜に注入される。結果、この状態で処理
された膜は、その膜最表面の組成比がＮについて充分に
本来の化学量論比に近いものとなる。従って、成膜後、
大気中に長期間放置した場合にも酸化の進み難い薄膜が
得られる。
後、あるいはその最終段階で、窒素富化処理が膜表面に
対しておこなわれる。即ち、この処理においては、レー
ザーで励起可能でＮ源となる処理ガスが基板の膜形成面
の近傍に供給され、基板近傍の雰囲気がＮ源過剰な状態
とされる。そして、レーザー照射手段により、この処理
ガスが励起され膜に注入される。結果、この状態で処理
された膜は、その膜最表面の組成比がＮについて充分に
本来の化学量論比に近いものとなる。従って、成膜後、
大気中に長期間放置した場合にも酸化の進み難い薄膜が
得られる。
【０００６】
【発明の効果】上記の方法によって形成される薄膜は耐
酸化性に優れているため、例えば、基板としてプラスチ
ック性のものを採用し、レーザーＣＶＤ装置で膜形成を
１５０℃以下の低温でおこなった場合（この場合、化学
量論比に対してＮが不足した状態の薄膜が形成されやす
い。）にも、大気中で酸化し、変性することが無い薄膜
を形成することが可能となった。
酸化性に優れているため、例えば、基板としてプラスチ
ック性のものを採用し、レーザーＣＶＤ装置で膜形成を
１５０℃以下の低温でおこなった場合（この場合、化学
量論比に対してＮが不足した状態の薄膜が形成されやす
い。）にも、大気中で酸化し、変性することが無い薄膜
を形成することが可能となった。
【０００７】
【実施例】本願の実施例を図面に基づいて説明する。図
１に基板保持台７を備えたＣＶＤ薄膜形成装置１の構成
が示されている。このＣＶＤ薄膜形成装置１は、所謂レ
ーザーＣＶＤ薄膜形成装置であり、加熱体により供給さ
れる熱エネルギーと、レーザー光によって供給される光
エネルギーにより材料ガスの分解・励起・膜形成をおこ
なうものである。このレーザーＣＶＤ薄膜形成装置は、
従来の単純なＣＶＤ薄膜形成装置より低温で薄膜形成を
おこなうことが可能であるため、基板等に熱的ダメージ
を与えることが少なく、良好な膜形成が行える利点を備
えている。以下に、半導体（ＩＣ、ＬＳＩ等）基板４上
に、ＳｉＮ膜である薄膜層６を形成する場合を、例に採
って説明する。ここで、基板４はシリコン基板を例にと
るものとし、この基板４上に絶縁膜あるいは保護膜であ
るＳｉＮの薄膜６を形成するものとする。
１に基板保持台７を備えたＣＶＤ薄膜形成装置１の構成
が示されている。このＣＶＤ薄膜形成装置１は、所謂レ
ーザーＣＶＤ薄膜形成装置であり、加熱体により供給さ
れる熱エネルギーと、レーザー光によって供給される光
エネルギーにより材料ガスの分解・励起・膜形成をおこ
なうものである。このレーザーＣＶＤ薄膜形成装置は、
従来の単純なＣＶＤ薄膜形成装置より低温で薄膜形成を
おこなうことが可能であるため、基板等に熱的ダメージ
を与えることが少なく、良好な膜形成が行える利点を備
えている。以下に、半導体（ＩＣ、ＬＳＩ等）基板４上
に、ＳｉＮ膜である薄膜層６を形成する場合を、例に採
って説明する。ここで、基板４はシリコン基板を例にと
るものとし、この基板４上に絶縁膜あるいは保護膜であ
るＳｉＮの薄膜６を形成するものとする。
【０００８】先ずこの装置１の構成について説明する。
この装置１は、装置内に、その内圧を調節可能な薄膜形
成室１ａを備えたものであり、材料ガス供給路２及び材
料ガス排出路３を備えている。さらに、薄膜形成室１ａ
の中央部１ｃに、薄膜形成の対象となる基板４が載置さ
れる基板保持台７が備えられている。この基板保持台７
の内部には、膜形成に必要な熱を供給するヒータ７ａが
備えられている。また、基板上の材料ガスｇを励起する
レーザー光９が薄膜形成室内に導入されるレーザー光照
射用窓１０が設けられるとともに、このレーザー光９を
発振するレーザー照射手段であるエキシマレーザー１１
が装置１の側部に備えられている。また、レーザー光９
が、薄膜形成室１ａ外へ導出されるレーザー光出口窓１
２も備えられている。
この装置１は、装置内に、その内圧を調節可能な薄膜形
成室１ａを備えたものであり、材料ガス供給路２及び材
料ガス排出路３を備えている。さらに、薄膜形成室１ａ
の中央部１ｃに、薄膜形成の対象となる基板４が載置さ
れる基板保持台７が備えられている。この基板保持台７
の内部には、膜形成に必要な熱を供給するヒータ７ａが
備えられている。また、基板上の材料ガスｇを励起する
レーザー光９が薄膜形成室内に導入されるレーザー光照
射用窓１０が設けられるとともに、このレーザー光９を
発振するレーザー照射手段であるエキシマレーザー１１
が装置１の側部に備えられている。また、レーザー光９
が、薄膜形成室１ａ外へ導出されるレーザー光出口窓１
２も備えられている。
【０００９】以下、本願の装置１を使用して、基板４上
に薄膜６を形成する場合について説明する。基板近傍部
（特に上部域）は基板保持台７に備えられているヒータ
７ａにより加熱されて約３５０℃程度の温度域に保持さ
れ、材料ガス供給路２より材料ガスｇとしてのＳｉ2Ｈ6
（これは薄膜におけるＳｉ源となるものであり、第一材
料ガスｇ１と称する。）及びＮＨ3 （これは薄膜におけ
るＮ源となるものであり、第二材料ガスｇ２と称す
る。）が供給される。この材料ガスｇは基板上部域に拡
散供給される。ここで、材料ガスｇ（ｇ１，ｇ２）は、
前述のヒータ７ａによる加熱と、レーザー光９よる光エ
ネルギーの供給により、分解・励起され、結果基板４上
にＳｉＮ膜となって成長する。このようにして基板４上
における膜生成がおこなわれる。具体的なＳｉＮ膜の成
膜条件を、以下に示す。 （ＳｉＮ膜合成条件） 第一材料ガス（ｇ１）供給量 Ｓｉ2Ｈ6＝１．５ｃｃ／ｍｉｎ 第二材料ガス（ｇ２）供給量 ＮＨ3＝３０ｃｃ／ｍｉｎ 補助ガス供給量 Ｎ2＝４０ｃｃ／ｍｉｎ 基板温度 ３５０℃ 反応圧力 １０ｔｏｒｒ レーザー ４０ｍＪ×１００Ｈｚ
に薄膜６を形成する場合について説明する。基板近傍部
（特に上部域）は基板保持台７に備えられているヒータ
７ａにより加熱されて約３５０℃程度の温度域に保持さ
れ、材料ガス供給路２より材料ガスｇとしてのＳｉ2Ｈ6
（これは薄膜におけるＳｉ源となるものであり、第一材
料ガスｇ１と称する。）及びＮＨ3 （これは薄膜におけ
るＮ源となるものであり、第二材料ガスｇ２と称す
る。）が供給される。この材料ガスｇは基板上部域に拡
散供給される。ここで、材料ガスｇ（ｇ１，ｇ２）は、
前述のヒータ７ａによる加熱と、レーザー光９よる光エ
ネルギーの供給により、分解・励起され、結果基板４上
にＳｉＮ膜となって成長する。このようにして基板４上
における膜生成がおこなわれる。具体的なＳｉＮ膜の成
膜条件を、以下に示す。 （ＳｉＮ膜合成条件） 第一材料ガス（ｇ１）供給量 Ｓｉ2Ｈ6＝１．５ｃｃ／ｍｉｎ 第二材料ガス（ｇ２）供給量 ＮＨ3＝３０ｃｃ／ｍｉｎ 補助ガス供給量 Ｎ2＝４０ｃｃ／ｍｉｎ 基板温度 ３５０℃ 反応圧力 １０ｔｏｒｒ レーザー ４０ｍＪ×１００Ｈｚ
【００１０】さらに上記の膜合成にひき続いて、本願の
ＳｉＮ膜の形成方法においては、窒素富化処理がおこな
われる。この処理は、薄膜形成室１ａにレーザーで励起
可能で、Ｎ源となる処理ガス（ｇｔ）を供給して基板付
近の雰囲気をＮ源過多なものとし、このＮ源を利用し
て、薄膜表面における組成比を、Ｎの割合の高いものと
することにある。具体的には処理ガス（ｇｔ）として第
二材料ガス（ｇ２）であるアンモニアが供給される。こ
の処理条件を、以下に示す。
ＳｉＮ膜の形成方法においては、窒素富化処理がおこな
われる。この処理は、薄膜形成室１ａにレーザーで励起
可能で、Ｎ源となる処理ガス（ｇｔ）を供給して基板付
近の雰囲気をＮ源過多なものとし、このＮ源を利用し
て、薄膜表面における組成比を、Ｎの割合の高いものと
することにある。具体的には処理ガス（ｇｔ）として第
二材料ガス（ｇ２）であるアンモニアが供給される。こ
の処理条件を、以下に示す。
【００１１】 （窒素富化処理条件） 第一材料ガス（ｇ１）供給量 Ｓｉ2Ｈ6＝０ｃｃ／ｍｉｎ 第二材料ガス（ｇ２）供給量 ＮＨ3＝３０ｃｃ／ｍｉｎ 補助ガス供給量 Ｎ2＝４０ｃｃ／ｍｉｎ 基板温度 ３５０℃ 反応圧力 ４０ｔｏｒｒ レーザー ４０ｍＪ×１００Ｈｚ この処理をおこなうことにより、表面層数１０Å程度
に、Ｎが注入され、前述の不足分を補充し、化学量論組
成に近づき、安定した膜が得られる。表１に上記の窒素
富化処理をしたものと、そうでないものとの経時変化に
おける比較結果を示す。
に、Ｎが注入され、前述の不足分を補充し、化学量論組
成に近づき、安定した膜が得られる。表１に上記の窒素
富化処理をしたものと、そうでないものとの経時変化に
おける比較結果を示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】結果表から、膜最表面の組成は反応直後で
処理品と未処理品で大きく異なっており、窒素富化処理
品ではＮの量が未処理品と比較して約１．８倍多く存在
しており、また膜内部においても窒素富化処理品の方が
Ｎの存在が多い。また、大気中に２４０時間放置後の膜
組成は、未処理品では、反応直後の組成と比べてＮが減
少し、Ｏが増加しているが、処理品ではわずかにＮが減
少しているもののＯの量は変化しなかった。この結果、
窒素富化処理により、膜中に取りまれたＮはＳｉと結合
して安定なＳｉＮ構造をとり、耐酸化性を向上させてい
ることがわかる。
処理品と未処理品で大きく異なっており、窒素富化処理
品ではＮの量が未処理品と比較して約１．８倍多く存在
しており、また膜内部においても窒素富化処理品の方が
Ｎの存在が多い。また、大気中に２４０時間放置後の膜
組成は、未処理品では、反応直後の組成と比べてＮが減
少し、Ｏが増加しているが、処理品ではわずかにＮが減
少しているもののＯの量は変化しなかった。この結果、
窒素富化処理により、膜中に取りまれたＮはＳｉと結合
して安定なＳｉＮ構造をとり、耐酸化性を向上させてい
ることがわかる。
【００１４】〔別実施例〕本願の別実施例について以下
に箇条書きする。 （イ）上記の実施例においては、レーザー光９を材料ガ
スの分解・励起手段として使用するレーザーＣＶＤ装置
に、本願発明の方法を採用する例を示したが、本願の発
明は、薄膜形成の条件を問うものではなく、材料ガス等
の励起をおこなって薄膜を形成するものに対しては、い
かなるものに対しても適応することができる。即ち、膜
形成の終了後もしくは、その終了段階でのこの処理をお
こなえばよい。また、単なる熱ＣＶＤ装置を使用した成
膜に対しても、本願の方法は採用可能である。 （ロ）さらに上記の実施例においては、アンモニアを第
二材料ガスとして使用する場合に、窒素富化処理におい
て、このアンモニアを使用する例を示したが、アンモニ
アの他に、ヒドラジン等も採用することが可能であり、
レーザーで励起可能でＮ源となる処理ガスであればいか
なるものでもよい。
に箇条書きする。 （イ）上記の実施例においては、レーザー光９を材料ガ
スの分解・励起手段として使用するレーザーＣＶＤ装置
に、本願発明の方法を採用する例を示したが、本願の発
明は、薄膜形成の条件を問うものではなく、材料ガス等
の励起をおこなって薄膜を形成するものに対しては、い
かなるものに対しても適応することができる。即ち、膜
形成の終了後もしくは、その終了段階でのこの処理をお
こなえばよい。また、単なる熱ＣＶＤ装置を使用した成
膜に対しても、本願の方法は採用可能である。 （ロ）さらに上記の実施例においては、アンモニアを第
二材料ガスとして使用する場合に、窒素富化処理におい
て、このアンモニアを使用する例を示したが、アンモニ
アの他に、ヒドラジン等も採用することが可能であり、
レーザーで励起可能でＮ源となる処理ガスであればいか
なるものでもよい。
【００１５】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
【図１】本願のＣＶＤ薄膜形成装置の構成を示す図
４ 基板 ６ ＳｉＮ膜 １１ レーザー照射手段 ｇ１ 第一材料ガス ｇ２ 第二材料ガス ｇｔ 処理ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森川 茂 京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式 会社関西新技術研究所内 (72)発明者 小林 孝 京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式 会社関西新技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−215042（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−107465（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31 - 21/32
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉ源となる第一材料ガス（ｇ１）とＮ
源となる第二材料ガス（ｇ２）とを、薄膜形成室（１
ａ）に混合状態で供給し、前記薄膜形成室（１ａ）内の
基板（４）上にＳｉＮ膜（６）を形成するＣＶＤ装置
（１）におけるＳｉＮ膜の形成方法であって、 レーザー照射手段（１１）を備え、 膜形成の最終段階において、レーザーで励起可能でＮ源
となる処理ガス（ｇｔ）を供給して、前段階の成膜工程
よりもＮ成分の過剰な雰囲気ガスに前記レーザー照射手
段（１１）からのレーザー光を照射して成膜する窒素富
化処理工程を備えたＳｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記処理ガス（ｇｔ）が、前記第二材料
ガス（ｇ２）である請求項１記載のＳｉＮ膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00363192A JP3171630B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | ＳｉＮ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00363192A JP3171630B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | ＳｉＮ膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05186871A JPH05186871A (ja) | 1993-07-27 |
| JP3171630B2 true JP3171630B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=11562842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00363192A Expired - Fee Related JP3171630B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | ＳｉＮ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171630B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7008844B2 (ja) | 2018-12-05 | 2022-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP00363192A patent/JP3171630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7008844B2 (ja) | 2018-12-05 | 2022-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05186871A (ja) | 1993-07-27 |
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