JPS6063373A - 薄膜形成法 - Google Patents
薄膜形成法Info
- Publication number
- JPS6063373A JPS6063373A JP16937983A JP16937983A JPS6063373A JP S6063373 A JPS6063373 A JP S6063373A JP 16937983 A JP16937983 A JP 16937983A JP 16937983 A JP16937983 A JP 16937983A JP S6063373 A JPS6063373 A JP S6063373A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- thin film
- mask
- selectively
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、ホトリン工程を必要とせずに、簿膜′９タ
ーンの形成が可能な、薄膜形成法に関する。
ーンの形成が可能な、薄膜形成法に関する。
（従来技術）
従来の薄膜形成法は第１図（ａ）〜第１図（ｄ）に示さ
れている。まず、第１図（ａ）に示すようにＣＶＤ法や
スパッタ法で半導体基板１上に薄膜２を形成した後第１
図（ｂ）に示すように、ホトリン工程を行ない、前記薄
膜２上にレジスト３のパターンを形成する。
れている。まず、第１図（ａ）に示すようにＣＶＤ法や
スパッタ法で半導体基板１上に薄膜２を形成した後第１
図（ｂ）に示すように、ホトリン工程を行ない、前記薄
膜２上にレジスト３のパターンを形成する。
次に、このレジスト３のノ（ターンをマスクとし、エツ
チングを行ない、第１図（Ｃ）に示すように薄膜２のパ
ターン２′を形成する。この薄膜のノくターン２′の形
成後、第１図（ｄ）に示すように、レジスト３を除去す
る。
チングを行ない、第１図（Ｃ）に示すように薄膜２のパ
ターン２′を形成する。この薄膜のノくターン２′の形
成後、第１図（ｄ）に示すように、レジスト３を除去す
る。
このように、薄膜２のノ（ターン２′を形成するために
、薄膜成長ホトリソ、エツチングの三つの工程が必要で
あった・ （発明の目的〕 この発明は、上記従来の欠点を除去するために ４なさ
れたもので、ホトリソ工程を行なうことなく、薄膜パタ
ーンが形成でき、工程の簡略化を期する、ことができる
薄膜形成法を提供することを目白りとする０ （発明の構成） この発明の薄膜形成法は、半導体基板上にガス雰囲気を
供給し、半導体基板と平行に光を選択的に透過させるマ
スクを置いて半導体基板上に光を選択的に照射させて半
導体基板上に薄膜を形成するようにしたものである。
、薄膜成長ホトリソ、エツチングの三つの工程が必要で
あった・ （発明の目的〕 この発明は、上記従来の欠点を除去するために ４なさ
れたもので、ホトリソ工程を行なうことなく、薄膜パタ
ーンが形成でき、工程の簡略化を期する、ことができる
薄膜形成法を提供することを目白りとする０ （発明の構成） この発明の薄膜形成法は、半導体基板上にガス雰囲気を
供給し、半導体基板と平行に光を選択的に透過させるマ
スクを置いて半導体基板上に光を選択的に照射させて半
導体基板上に薄膜を形成するようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明の薄膜形成法の″Ｊ、施例について図１
ｆ１１に基づき説明する。第２図はその一実施例の工程
１悦明図である。
ｆ１１に基づき説明する。第２図はその一実施例の工程
１悦明図である。
この第２図において、２１は薄）聴を形成したい基板（
シリコン、ＧａＡｓあるいはガラス基板など）、２２は
マスク基板、２３はマスクの基板２２上の光を透過させ
ないｔｆｌＸ分（たとえｉｌ−，１ニクロム酸化鉄など
）、２４は反応ガス雰囲気（たとえばシラン、Ｎ２０ｆ
！、どの混合ガス）、２５はランプ光佇（水銀ランプ）
、２６は基板２１上に選択的に形成された薄膜（たとえ
ばアモルファスシリコン、５ｉｏｚ）パターンである。
シリコン、ＧａＡｓあるいはガラス基板など）、２２は
マスク基板、２３はマスクの基板２２上の光を透過させ
ないｔｆｌＸ分（たとえｉｌ−，１ニクロム酸化鉄など
）、２４は反応ガス雰囲気（たとえばシラン、Ｎ２０ｆ
！、どの混合ガス）、２５はランプ光佇（水銀ランプ）
、２６は基板２１上に選択的に形成された薄膜（たとえ
ばアモルファスシリコン、５ｉｏｚ）パターンである。
次に、この発明の薄膜形成法の工程順序について説明す
る。まず薄膜を形成したい基板２１を反応ガス雰囲気２
４中に置く。次にその上に、形成したいパターンの部分
だけ光を透過するようにしたマスク２２を置く。
る。まず薄膜を形成したい基板２１を反応ガス雰囲気２
４中に置く。次にその上に、形成したいパターンの部分
だけ光を透過するようにしたマスク２２を置く。
さらに、その上、！：９ランプ光源２５にょシ光を照射
する。光はマスク２２上の光を透過させない領域２３の
部分では反射され、他の部分ではマスク２２を透過し、
反応ガス雰囲気２４や基板２１に透過し、光化学反応に
よシ選択的に薄膜パターン２６が形成される。
する。光はマスク２２上の光を透過させない領域２３の
部分では反射され、他の部分ではマスク２２を透過し、
反応ガス雰囲気２４や基板２１に透過し、光化学反応に
よシ選択的に薄膜パターン２６が形成される。
具体的には、第３図に示すように、まずガラス基板２１
を準備する。このガラス基板は通常のものでよい。ガラ
ス基板２１に対して、マスク２２を１ｃｒｎ程度離して
、ガラス基板２１に対して平行にセットする。これを石
英などの反応管４１内にｉｈり。
を準備する。このガラス基板は通常のものでよい。ガラ
ス基板２１に対して、マスク２２を１ｃｒｎ程度離して
、ガラス基板２１に対して平行にセットする。これを石
英などの反応管４１内にｉｈり。
次に、反応管４１内に５％シランガス（ＳｉＩ（、）を
ガスボンベ４２ａ、４２ｂからバルブ４３ａ。
ガスボンベ４２ａ、４２ｂからバルブ４３ａ。
状態で入れる。そして、反応管４１の外側上部に水銀ラ
ンプを設け、ランプ光源２５よりマスク２２を通して、
ガラス基板２１を光で照射する。水銀ランプは数Ｗのも
のでよく、反応管４１の透明ガラスマスクを介して、ガ
ラス基板２１に１ｏｒＩｎ程度離しておく。
ンプを設け、ランプ光源２５よりマスク２２を通して、
ガラス基板２１を光で照射する。水銀ランプは数Ｗのも
のでよく、反応管４１の透明ガラスマスクを介して、ガ
ラス基板２１に１ｏｒＩｎ程度離しておく。
水銀ランプを点灯すると、水銀ランプより生ずる紫外線
のうち、波長２０００人程度０光がシランガスと反応し
、シランガス（ＳｉＨ４）が分解して、アモルファスシ
リコンが、ガラス基板上に薄膜パターン２６として堆積
する。なお、４６はガラス基板２１を支持するサセプタ
、４６は反応管４１内のシランガスを通すバルブ、４８
はこのシランガスを排気するロークリポンプである。
のうち、波長２０００人程度０光がシランガスと反応し
、シランガス（ＳｉＨ４）が分解して、アモルファスシ
リコンが、ガラス基板上に薄膜パターン２６として堆積
する。なお、４６はガラス基板２１を支持するサセプタ
、４６は反応管４１内のシランガスを通すバルブ、４８
はこのシランガスを排気するロークリポンプである。
このようにすることにより、ガラス基板上２１のマスク
によシ、マスクのパターンに対応して光を透過する部分
ではシランガスの光反応が進行し、光を透過しない１１
１（分ではう”自反応によるシランガスの分解は生じな
い。
によシ、マスクのパターンに対応して光を透過する部分
ではシランガスの光反応が進行し、光を透過しない１１
１（分ではう”自反応によるシランガスの分解は生じな
い。
すなわち、マスクパターンに対応したアモルファスシリ
コンのパターンケガラス基板上２１に形成することがで
きる。
コンのパターンケガラス基板上２１に形成することがで
きる。
アモルファスシリコンの成長速度※Ｊ１、前述の条件で
１００〜１５０ Ａ、窃・のレートが得られる。したが
って、１０００人程度０膜成長は５〜１０分程反で行う
ことができる。
１００〜１５０ Ａ、窃・のレートが得られる。したが
って、１０００人程度０膜成長は５〜１０分程反で行う
ことができる。
以上ハ、アモルファスシリコンの選択成長について説明
したがＳ＋＋ Ｏｘ ＋ Ｓｂ Ｎ４などの選択成長も
同様に可能である。５ｉ０２の成長には、ガス雰囲気を
５％シラン（ＳｉＨ４）と亜酸化チッンガス（Ｎ２０）
を数Ｔｏｒｒの減圧下で前述の光照射を行うことによっ
て、成長速度２００ ｊＶｌ＋が得られる。
したがＳ＋＋ Ｏｘ ＋ Ｓｂ Ｎ４などの選択成長も
同様に可能である。５ｉ０２の成長には、ガス雰囲気を
５％シラン（ＳｉＨ４）と亜酸化チッンガス（Ｎ２０）
を数Ｔｏｒｒの減圧下で前述の光照射を行うことによっ
て、成長速度２００ ｊＶｌ＋が得られる。
８１ｓＮ４膜の成長には、ガス万囲気を、５％シラン（
ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＩ（３）を混合比１：
５程度にして、同様に数Ｔｏｒｒの減圧下で光照射によ
シ成長速度１００ Ａ７ｇ程度が得られる。
ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＩ（３）を混合比１：
５程度にして、同様に数Ｔｏｒｒの減圧下で光照射によ
シ成長速度１００ Ａ７ｇ程度が得られる。
しかしながら、選択成長は、光の当るか否かによる雰囲
気ガスの光反応を利用するため、マスクに対する光の才
わり込みによって、成長部分はマスクの透明部分よシ広
くなる傾向がある。
気ガスの光反応を利用するため、マスクに対する光の才
わり込みによって、成長部分はマスクの透明部分よシ広
くなる傾向がある。
第１の実施例として、ランプ光源２５を使用して薄膜２
６の形成を行なう場合を示したが、第４図に示すように
、ランプ光源２５の代わシに、電子ビームまたはレーザ
光源３５を使用し、それをスキャンすることにより薄）
Ｂ３６を形成することによっても同様の光反応の効果が
生じ、かつ光のまわり込みの問題がなくなるので、マス
クに対して高鞘度の選択成長が可能である。
６の形成を行なう場合を示したが、第４図に示すように
、ランプ光源２５の代わシに、電子ビームまたはレーザ
光源３５を使用し、それをスキャンすることにより薄）
Ｂ３６を形成することによっても同様の光反応の効果が
生じ、かつ光のまわり込みの問題がなくなるので、マス
クに対して高鞘度の選択成長が可能である。
なお、この第４図において、その他の部分の第２図と同
一部分には同一符号を伺してその説明を省略する。
一部分には同一符号を伺してその説明を省略する。
（発明の効果）
以上のように、この発ＢＪＪの薄膜形成法によれば、半
導体基板上にガス雰囲気を供給し、半導体基板と平行に
光を選択的に透過させるマスクを配置して半導体基板上
に光を選択的に照射させて半導体基板」二に薄ｊ便を形
成するようにし／（ので、ｆｔ、’）巣な工程で薄膜を
選択的に形成でき、したかつて、太陽電池や液晶ディス
プレイセルの製造にイーｕ用できる。
導体基板上にガス雰囲気を供給し、半導体基板と平行に
光を選択的に透過させるマスクを配置して半導体基板上
に光を選択的に照射させて半導体基板」二に薄ｊ便を形
成するようにし／（ので、ｆｔ、’）巣な工程で薄膜を
選択的に形成でき、したかつて、太陽電池や液晶ディス
プレイセルの製造にイーｕ用できる。
第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）はそれぞれ従来の薄ｊ
模形成法の工程説明図、第２図はこの発明の薄膜形成法
の一実施例の工程説明図、第３図はこの発明の薄膜形成
法に適用される薄膜形成装置の概略的構成を示す図、第
４図はこの発り］の薄ｊ反形成法の他の実施例の工程説
明図である。 ２１・・・基板、２２・・・マスク、２３・・・基板上
に光を透過さぜない部分、２４・・・反応ガス雰囲気、
２５・・・ランプ光源、２６・・・薄膜パターン、３５
・・・電子ビームまたはレーザ光源。 第１図 第２図 ５
模形成法の工程説明図、第２図はこの発明の薄膜形成法
の一実施例の工程説明図、第３図はこの発明の薄膜形成
法に適用される薄膜形成装置の概略的構成を示す図、第
４図はこの発り］の薄ｊ反形成法の他の実施例の工程説
明図である。 ２１・・・基板、２２・・・マスク、２３・・・基板上
に光を透過さぜない部分、２４・・・反応ガス雰囲気、
２５・・・ランプ光源、２６・・・薄膜パターン、３５
・・・電子ビームまたはレーザ光源。 第１図 第２図 ５
Claims (1)
- 基板上に、ガス雰囲気を供給し、前記基板と平行に光を
選択的に透過させるマスクを置き、基板上に光が照射さ
れる領域とされない領域を形成することにより上記基板
上に選択的に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16937983A JPS6063373A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16937983A JPS6063373A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063373A true JPS6063373A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15885501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16937983A Pending JPS6063373A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005113134A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 物質の酸化方法およびその酸化装置 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP16937983A patent/JPS6063373A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005113134A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 物質の酸化方法およびその酸化装置 |
| US7892404B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for oxidizing substance and oxidation apparatus therefor |
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