JPH0442533A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH0442533A JPH0442533A JP2151044A JP15104490A JPH0442533A JP H0442533 A JPH0442533 A JP H0442533A JP 2151044 A JP2151044 A JP 2151044A JP 15104490 A JP15104490 A JP 15104490A JP H0442533 A JPH0442533 A JP H0442533A
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Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体デバイス若しくはＸ線マスクの製造等
に用いられる金属の微細パターンの形成方法に関する。
に用いられる金属の微細パターンの形成方法に関する。
（従来の技術）
従来は一般に５ｉ０２膜に所望のパターンを形成し、そ
の開口部に選択的にタングステンを堆積して前記５ｉ０
２パターンと相補の関係にあるタングステンパターンを
形成していた。
の開口部に選択的にタングステンを堆積して前記５ｉ０
２パターンと相補の関係にあるタングステンパターンを
形成していた。
（発明が解決しようとする課題）
ところが５ｉ０２パターンをマスクにした従来の選択Ｃ
ＶＤによるタングステンパターン形成に於ては、製造工
程が長い、５ｉ０２のパターン形成工程において下地の
表面を損傷し易い、タングステンパターン形成後に不用
となった５ｉ０２パターンを除去する際に下地を損傷し
易いなどの欠点があった。
ＶＤによるタングステンパターン形成に於ては、製造工
程が長い、５ｉ０２のパターン形成工程において下地の
表面を損傷し易い、タングステンパターン形成後に不用
となった５ｉ０２パターンを除去する際に下地を損傷し
易いなどの欠点があった。
レジストパターンから直接タングステンの相補パターン
を形成できることが望ましいがそのような方法は存在し
なかった。
を形成できることが望ましいがそのような方法は存在し
なかった。
本発明の目的はレジストパターンから直接金属の微細な
相補パターンを得る方法を提供することにある。
相補パターンを得る方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明では、まずレジストパターンを電子線リングラフ
ィやＳＲ（シンクロトロン軌道放射光りソグラフィ停で
形成し、このレジストパターンにシンクロトロン軌道放
射光を照射して硬化させた後、レジストパターンの開口
部に金属をＣＶＤ法等で選択的に堆積することで上述の
問題を解決している。
ィやＳＲ（シンクロトロン軌道放射光りソグラフィ停で
形成し、このレジストパターンにシンクロトロン軌道放
射光を照射して硬化させた後、レジストパターンの開口
部に金属をＣＶＤ法等で選択的に堆積することで上述の
問題を解決している。
（作用）
本発明においては、レジストパターンにＳＲ光を照射す
ることにより、このレジストパターンの初期の形状を維
持しつつ耐熱性を改善し、このレジストパターンをマス
クにタングステンを選択的に堆積することにより、大幅
に簡素化されたプロセスにより微細タングステンパター
ン形成が可能になる。
ることにより、このレジストパターンの初期の形状を維
持しつつ耐熱性を改善し、このレジストパターンをマス
クにタングステンを選択的に堆積することにより、大幅
に簡素化されたプロセスにより微細タングステンパター
ン形成が可能になる。
（実施例）
ここでは本発明をＸ線マスクの製造プロセスへ応用した
例を第１図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず第１
図（ａ）に示すようにＳｉ単結晶基板１２の両面にＳｉ
Ｎ膜１１ａ、ｌｌｂをプラズマＣＶＤ等で形成し、その
あと第１図（ｂ）に示すように片側のＳｉＮ膜１１ｂを
パターニングして基板１２をエツチングするときのマス
クとする。次にＳｉＮ膜１１ａ上に厚さ１０００人のｐ
ｏｌｙ Ｓｉ膜１３を形成する（第１図（Ｃ））。この
膜はタングステンの選択ＣＶＤのための下敷の膜となる
。次いでノボラック樹脂をベースとした電子線レジスト
である５ＡＬ６０１ＥＲ７の膜を形成し、ＳＲリソグラ
フィ技術でパターン１４を形成する。このあと波長５〜
１０人のＳＲＲ２Ｏ３全面に照射する。照射量はＩＯＪ
／ａｍ２である。
例を第１図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず第１
図（ａ）に示すようにＳｉ単結晶基板１２の両面にＳｉ
Ｎ膜１１ａ、ｌｌｂをプラズマＣＶＤ等で形成し、その
あと第１図（ｂ）に示すように片側のＳｉＮ膜１１ｂを
パターニングして基板１２をエツチングするときのマス
クとする。次にＳｉＮ膜１１ａ上に厚さ１０００人のｐ
ｏｌｙ Ｓｉ膜１３を形成する（第１図（Ｃ））。この
膜はタングステンの選択ＣＶＤのための下敷の膜となる
。次いでノボラック樹脂をベースとした電子線レジスト
である５ＡＬ６０１ＥＲ７の膜を形成し、ＳＲリソグラ
フィ技術でパターン１４を形成する。このあと波長５〜
１０人のＳＲＲ２Ｏ３全面に照射する。照射量はＩＯＪ
／ａｍ２である。
この照射量はりソグラフイで用いる照射量よりずっと多
い。リソグラフィでは照射量は数十〜１００ｍＪ／ａｍ
２（波長同じ）程度である。このようにＳＲ光を多量に
照射するとレジスト中で三次元的に架橋反応が生じてレ
ジストが硬化する。本実施例で用いたレジストの場合架
橋反応で揮発性反応生成物（この例ではアルコール）が
生じるため、照射後３０００Ｃ程度で熱処理を行ってア
ルコールをレジストから追い出す。反応生成物が水素の
ように自然にレジスト外へ出てしまうものである場合は
熱処理は不要である。このようにしてレジストパターン
１４は最初の形状を保ったまま３００〜３５０℃程度の
耐熱性をもつようになる。次に六フッ化タングステン（
ＷＦ６）を原料ガス、Ｈ２をキャリアガスとして、ｐｏ
ｌｙ Ｓｉ膜１３が露出した部分すなわちレジストパタ
ーン１４の開口部にＣＶＤ法で選択的にタングステンを
堆積すればレジストパターンとは相補のタングステンパ
ターン１５が得られる（第１図（ｅ））。Ｈ２の代わり
にモノシラン（ＳｉＨ４）を使えば下地のｐｏｌｙ Ｓ
ｉ膜１３がＣＶＤ反応のとき減少しなくてすむ。次にレ
ジストパターン１４を除去し、ＳｉＮ膜１１ｂを保護膜
に基板１２を異方性エツチングしてＸ線マスクとする（
第１図（０）。
い。リソグラフィでは照射量は数十〜１００ｍＪ／ａｍ
２（波長同じ）程度である。このようにＳＲ光を多量に
照射するとレジスト中で三次元的に架橋反応が生じてレ
ジストが硬化する。本実施例で用いたレジストの場合架
橋反応で揮発性反応生成物（この例ではアルコール）が
生じるため、照射後３０００Ｃ程度で熱処理を行ってア
ルコールをレジストから追い出す。反応生成物が水素の
ように自然にレジスト外へ出てしまうものである場合は
熱処理は不要である。このようにしてレジストパターン
１４は最初の形状を保ったまま３００〜３５０℃程度の
耐熱性をもつようになる。次に六フッ化タングステン（
ＷＦ６）を原料ガス、Ｈ２をキャリアガスとして、ｐｏ
ｌｙ Ｓｉ膜１３が露出した部分すなわちレジストパタ
ーン１４の開口部にＣＶＤ法で選択的にタングステンを
堆積すればレジストパターンとは相補のタングステンパ
ターン１５が得られる（第１図（ｅ））。Ｈ２の代わり
にモノシラン（ＳｉＨ４）を使えば下地のｐｏｌｙ Ｓ
ｉ膜１３がＣＶＤ反応のとき減少しなくてすむ。次にレ
ジストパターン１４を除去し、ＳｉＮ膜１１ｂを保護膜
に基板１２を異方性エツチングしてＸ線マスクとする（
第１図（０）。
（発明の効果）
本発明によれば、レジストパターンから直接その相補の
金属パターンを得ることができるので、製造工程が短く
なり、下地を損傷することもなくなる。
金属パターンを得ることができるので、製造工程が短く
なり、下地を損傷することもなくなる。
なお実施例ではＸ線マスクの製造に応用した例を述べた
が、これに限らず、ＬＳＩの配線パターンの形成等にも
用いることができる。またタングステンに限らず、アル
ミニウムやモリブデン、シリサイド等の材料でもよい。
が、これに限らず、ＬＳＩの配線パターンの形成等にも
用いることができる。またタングステンに限らず、アル
ミニウムやモリブデン、シリサイド等の材料でもよい。
第１図（ａ）〜（０は本発明の詳細な説明するための概
略断面図である。 図中の番号は以下のものを示す。 １４・・・レジストパターン、１５・・・タングステン
パターン、２０・・・ＳＲ光
略断面図である。 図中の番号は以下のものを示す。 １４・・・レジストパターン、１５・・・タングステン
パターン、２０・・・ＳＲ光
Claims (1)
- レジストパターンを形成し、このレジストパターンに
シンクロトロン軌道放射光を照射し硬化させた後、該レ
ジストパターンの開口部に金属を選択的に堆積すること
を特徴とする微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151044A JPH0442533A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151044A JPH0442533A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442533A true JPH0442533A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15510074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151044A Pending JPH0442533A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442533A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2151044A patent/JPH0442533A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
| US7572573B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7573561B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
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