JP2001023971A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ネガ型のシリル化プロセスを実現
するパターン形成方法を得る。 【解決手段】 化学増幅型のポジ型レジストと水酸基を
有する化合物を含むレジスト膜２を基板１上に形成する
第１の工程と、前記第１の工程で形成したレジスト膜２
に露光部９に応じたパターン形状を持つマスク３を介し
てエネルギービーム４を照射して露光処理を実行する第
２の工程と、前記第２の工程の露光処理後のレジスト膜
２を所定条件で加熱する第３の工程と、前記第３の工程
の加熱処理後のレジスト膜２にシリル化を行って当該レ
ジスト膜２の露光部９の表面にシリコンを導入する第４
の工程と、前記第４の工程でシリコンを導入した露光部
９をマスク３として前記レジスト膜２に対してドライエ
ッチングを行って所望のレジストパターン２Ａを形成す
る第５の工程を有する。
するパターン形成方法を得る。 【解決手段】 化学増幅型のポジ型レジストと水酸基を
有する化合物を含むレジスト膜２を基板１上に形成する
第１の工程と、前記第１の工程で形成したレジスト膜２
に露光部９に応じたパターン形状を持つマスク３を介し
てエネルギービーム４を照射して露光処理を実行する第
２の工程と、前記第２の工程の露光処理後のレジスト膜
２を所定条件で加熱する第３の工程と、前記第３の工程
の加熱処理後のレジスト膜２にシリル化を行って当該レ
ジスト膜２の露光部９の表面にシリコンを導入する第４
の工程と、前記第４の工程でシリコンを導入した露光部
９をマスク３として前記レジスト膜２に対してドライエ
ッチングを行って所望のレジストパターン２Ａを形成す
る第５の工程を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造等に
おけるパターン形成技術に係り、特にネガ型のシリル化
プロセスを実現するパターン形成方法に関するものであ
る。
おけるパターン形成技術に係り、特にネガ型のシリル化
プロセスを実現するパターン形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体等の製造においては、紫外
線を用いたフォトリソグラフィによるパターン形成方法
が用いられるようになっているが、半導体素子の微細化
に伴って紫外線よりもさらに短波長の光源を使用するパ
ターン形成方法の開発が進められている。このような短
波長光源を使用する場合、焦点深度を高め、また実用解
像度を向上させるために、近年、ドライ現像を用いた表
面解像プロセスの開発が進められてきている。
線を用いたフォトリソグラフィによるパターン形成方法
が用いられるようになっているが、半導体素子の微細化
に伴って紫外線よりもさらに短波長の光源を使用するパ
ターン形成方法の開発が進められている。このような短
波長光源を使用する場合、焦点深度を高め、また実用解
像度を向上させるために、近年、ドライ現像を用いた表
面解像プロセスの開発が進められてきている。
【０００３】このような表面解像プロセスとしては、例
えば、論文集Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ（Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇ．）， Ｖｏｌ．３３３３，
ｐ．１８８（１９９８）に開示されているように、化学
増幅型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセ
スが提案されている。化学増幅型のポジ型レジストを用
いたネガ型シリル化プロセスでは、露光によって引き起
こされるレジスト中の酸発生剤からの酸発生を用いてレ
ジストのポリマーであるポリ（ｔ−ブチルフェノール）
を構成する酸不安定基であるｔ−ブチル基を脱保護さ
せ、シリル化を用いて脱保護してポリ（ビニールフェノ
ール）となった後の露光部のレジストにのみ選択的にＳ
ｉ（シリコン）を導入する。その後、Ｓｉの導入されて
いない未露光部を酸素プラズマエッチングを用いて選択
的に除去してネガ型のパターンを形成している。
えば、論文集Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ（Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇ．）， Ｖｏｌ．３３３３，
ｐ．１８８（１９９８）に開示されているように、化学
増幅型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセ
スが提案されている。化学増幅型のポジ型レジストを用
いたネガ型シリル化プロセスでは、露光によって引き起
こされるレジスト中の酸発生剤からの酸発生を用いてレ
ジストのポリマーであるポリ（ｔ−ブチルフェノール）
を構成する酸不安定基であるｔ−ブチル基を脱保護さ
せ、シリル化を用いて脱保護してポリ（ビニールフェノ
ール）となった後の露光部のレジストにのみ選択的にＳ
ｉ（シリコン）を導入する。その後、Ｓｉの導入されて
いない未露光部を酸素プラズマエッチングを用いて選択
的に除去してネガ型のパターンを形成している。
【０００４】以下、このような従来のパターン形成方法
を、図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図２（ａ）
〜（ｅ）は従来のパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。図２において、１’は基板、２’はレジスト
膜、２’Ａはレジストパターン、３’はマスク、４’は
ＡｒＦエキシマレーザ光、６’はシリル化剤の相、７’
はシリル化層、８’はドライエッチングガス、９’は露
光部を示している。
を、図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図２（ａ）
〜（ｅ）は従来のパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。図２において、１’は基板、２’はレジスト
膜、２’Ａはレジストパターン、３’はマスク、４’は
ＡｒＦエキシマレーザ光、６’はシリル化剤の相、７’
はシリル化層、８’はドライエッチングガス、９’は露
光部を示している。
【０００５】化学増幅型のポジ型レジストを用いたネガ
型シリル化プロセスにかかる従来のパターン形成方法で
は、シリル化用のレジストとして、以下の組成のレジス
トを用いていた。
型シリル化プロセスにかかる従来のパターン形成方法で
は、シリル化用のレジストとして、以下の組成のレジス
トを用いていた。
【０００６】 ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ ジフェニルジスルフォン ［酸発生剤］・・・・・０．３ｇ ジグライム ［溶媒］・・・・・４０ｇ
【０００７】図２を参照すると、まず、基板１’上に上
記レジストを塗布し、約９０℃の温度で約６０秒間のプ
リベークを行って約０．４μｍ厚のレジスト膜２’を得
る（図２（ａ））。次いで、所望のパターンを描いたマ
スク３’を介してＡｒＦエキシマレーザ光４’にて露光
を行う（図２（ｂ））。この後約９０℃の温度で約９０
秒の加熱処理を実行してレジスト膜２’のｔ−ブチル基
の脱保護を促進させる（図２（ｃ））。次いで、ジメチ
ルシリルジメチルアミンを用いてシリル化剤の相６’を
形成し、レジスト膜２’の露光部９’にＳｉを導入して
シリル化層７’を形成する（図２（ｄ））。その後、シ
リル化層７’をマスクとしてレジスト膜２’に対して酸
素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチングガス８’を
用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実行して幅約
０．１２μｍのパターン２’Ａを形成する。このとき、
パターン２’Ａは形状が崩れた不良パターンであった
（図２（ｅ））。
記レジストを塗布し、約９０℃の温度で約６０秒間のプ
リベークを行って約０．４μｍ厚のレジスト膜２’を得
る（図２（ａ））。次いで、所望のパターンを描いたマ
スク３’を介してＡｒＦエキシマレーザ光４’にて露光
を行う（図２（ｂ））。この後約９０℃の温度で約９０
秒の加熱処理を実行してレジスト膜２’のｔ−ブチル基
の脱保護を促進させる（図２（ｃ））。次いで、ジメチ
ルシリルジメチルアミンを用いてシリル化剤の相６’を
形成し、レジスト膜２’の露光部９’にＳｉを導入して
シリル化層７’を形成する（図２（ｄ））。その後、シ
リル化層７’をマスクとしてレジスト膜２’に対して酸
素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチングガス８’を
用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実行して幅約
０．１２μｍのパターン２’Ａを形成する。このとき、
パターン２’Ａは形状が崩れた不良パターンであった
（図２（ｅ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような化学増幅
型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセスに
かかる従来のパターン形成方法では、（図２（ｅ））に
示すように、パターン２’Ａは形状が崩れた不良パター
ンとなりやすいため、解像性が悪いという問題点があっ
た。
型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセスに
かかる従来のパターン形成方法では、（図２（ｅ））に
示すように、パターン２’Ａは形状が崩れた不良パター
ンとなりやすいため、解像性が悪いという問題点があっ
た。
【０００９】このような不良パターンの原因としては、
露光部９’のｔ−ブチル基の脱保護が十分でないため
に、後のシリル化によるシリル化層７’が薄くなってし
まい、Ｓｉの含有量が少なくなる結果、ドライエッチン
グに十分に耐えなかったものと考えられる。このような
不良パターンは後工程の不良につながり、ひいては半導
体素子製造の歩留まり低下の原因となり非常に大きな課
題と考えられる。
露光部９’のｔ−ブチル基の脱保護が十分でないため
に、後のシリル化によるシリル化層７’が薄くなってし
まい、Ｓｉの含有量が少なくなる結果、ドライエッチン
グに十分に耐えなかったものと考えられる。このような
不良パターンは後工程の不良につながり、ひいては半導
体素子製造の歩留まり低下の原因となり非常に大きな課
題と考えられる。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ネガ型のシリル化プロセスを実
現するパターン形成方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ネガ型のシリル化プロセスを実
現するパターン形成方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるパターン形成方法は、ネガ型のシリル化
プロセスを実現するパターン形成方法であって、化学増
幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の化合物
を含有するレジスト膜に対して所定のエネルギービーム
を照射して露光処理を実行して露光部を形成するととも
に、当該露光部に対して前記レジストの酸不安定基の脱
保護を実行する工程と、前記脱保護後のレジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の露光部の表面にシリコ
ンを導入する工程と、前記露光部の脱保護した部分の水
酸基に対する前記シリル化を、水酸基を有する化合物を
用いて増幅する工程と、前記シリコンを導入した露光部
をマスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチン
グを行って所望のレジストパターンを形成する工程を有
するものである。
の発明にかかるパターン形成方法は、ネガ型のシリル化
プロセスを実現するパターン形成方法であって、化学増
幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の化合物
を含有するレジスト膜に対して所定のエネルギービーム
を照射して露光処理を実行して露光部を形成するととも
に、当該露光部に対して前記レジストの酸不安定基の脱
保護を実行する工程と、前記脱保護後のレジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の露光部の表面にシリコ
ンを導入する工程と、前記露光部の脱保護した部分の水
酸基に対する前記シリル化を、水酸基を有する化合物を
用いて増幅する工程と、前記シリコンを導入した露光部
をマスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチン
グを行って所望のレジストパターンを形成する工程を有
するものである。
【００１２】請求項２記載の発明にかかるパターン形成
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量の化合物を含有するレジスト膜を基板
上に形成する第１の工程と、前記第１の工程で形成した
前記レジスト膜に露光部に応じたパターン形状を持つマ
スクを介して所定のエネルギービームを照射して露光処
理を実行する第２の工程と、前記第２の工程の露光処理
後の前記レジスト膜を所定条件で加熱する第３の工程
と、前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシ
リコンを導入する第４の工程と、前記第４の工程でシリ
コンを導入した前記露光部を前記マスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する第５の工程を有するものである。
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量の化合物を含有するレジスト膜を基板
上に形成する第１の工程と、前記第１の工程で形成した
前記レジスト膜に露光部に応じたパターン形状を持つマ
スクを介して所定のエネルギービームを照射して露光処
理を実行する第２の工程と、前記第２の工程の露光処理
後の前記レジスト膜を所定条件で加熱する第３の工程
と、前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシ
リコンを導入する第４の工程と、前記第４の工程でシリ
コンを導入した前記露光部を前記マスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する第５の工程を有するものである。
【００１３】請求項３記載の発明にかかるパターン形成
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量のポリマーを含有するレジスト膜に対
して所定のエネルギービームを照射して露光処理を実行
して露光部を形成するとともに、当該露光部に対して前
記レジストの酸不安定基の脱保護を実行する工程と、前
記脱保護後の前記レジスト膜にシリル化を行って当該レ
ジスト膜の露光部の表面にシリコンを導入する工程と、
前記露光部の脱保護した部分の水酸基に対する前記シリ
ル化を、水酸基を有するポリマーを用いて増幅する工程
と、前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記
レジスト膜に対してドライエッチングを行って所望のレ
ジストパターンを形成する工程を有するものである。
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量のポリマーを含有するレジスト膜に対
して所定のエネルギービームを照射して露光処理を実行
して露光部を形成するとともに、当該露光部に対して前
記レジストの酸不安定基の脱保護を実行する工程と、前
記脱保護後の前記レジスト膜にシリル化を行って当該レ
ジスト膜の露光部の表面にシリコンを導入する工程と、
前記露光部の脱保護した部分の水酸基に対する前記シリ
ル化を、水酸基を有するポリマーを用いて増幅する工程
と、前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記
レジスト膜に対してドライエッチングを行って所望のレ
ジストパターンを形成する工程を有するものである。
【００１４】請求項４記載の発明にかかるパターン形成
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量のポリマーを含有するレジスト膜を基
板上に形成する第１の工程と、前記第１の工程で形成し
た前記レジスト膜に露光部に応じたパターン形状を持つ
マスクを介して所定のエネルギービームを照射して露光
処理を実行する第２の工程と、前記第２の工程の露光処
理後の前記レジスト膜を所定条件で加熱する第３の工程
と、前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシ
リコンを導入する第４の工程と、前記第４の工程でシリ
コンを導入した前記露光部を前記マスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する第５の工程を有するものである。
方法は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン
形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸
基を有する所定量のポリマーを含有するレジスト膜を基
板上に形成する第１の工程と、前記第１の工程で形成し
た前記レジスト膜に露光部に応じたパターン形状を持つ
マスクを介して所定のエネルギービームを照射して露光
処理を実行する第２の工程と、前記第２の工程の露光処
理後の前記レジスト膜を所定条件で加熱する第３の工程
と、前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシ
リル化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシ
リコンを導入する第４の工程と、前記第４の工程でシリ
コンを導入した前記露光部を前記マスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する第５の工程を有するものである。
【００１５】請求項５記載の発明にかかるパターン形成
方法は、上記請求項１，２，３または４に記載の発明に
おいて、前記化学増幅型のポジ型レジストのポリマー
が、酸不安定基のホモポリマーを有するものである。
方法は、上記請求項１，２，３または４に記載の発明に
おいて、前記化学増幅型のポジ型レジストのポリマー
が、酸不安定基のホモポリマーを有するものである。
【００１６】請求項６記載の発明にかかるパターン形成
方法は、上記請求項１または２に記載の発明において、
前記水酸基を有する所定量の化合物は、ビスフェノール
Ａまたはピロガロールを主材とするものである。
方法は、上記請求項１または２に記載の発明において、
前記水酸基を有する所定量の化合物は、ビスフェノール
Ａまたはピロガロールを主材とするものである。
【００１７】請求項７記載の発明にかかるパターン形成
方法は、上記請求項３または４に記載の発明において、
前記水酸基を有する所定量のポリマーは、ポリビニール
フェノール、ノボラック樹脂、ポリアクリル酸、または
ポリメタクリル酸のうちいずれかを主材とするものであ
る。
方法は、上記請求項３または４に記載の発明において、
前記水酸基を有する所定量のポリマーは、ポリビニール
フェノール、ノボラック樹脂、ポリアクリル酸、または
ポリメタクリル酸のうちいずれかを主材とするものであ
る。
【００１８】請求項８記載の発明にかかるパターン形成
方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発
明において、前記エネルギービームは、電子ビームであ
る。
方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発
明において、前記エネルギービームは、電子ビームであ
る。
【００１９】請求項９記載の発明にかかるパターン形成
方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発
明において、前記エネルギービームは、Ｘ線である。
方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発
明において、前記エネルギービームは、Ｘ線である。
【００２０】請求項１０記載の発明にかかるパターン形
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記エネルギービームは、略５乃至略１
８０ｎｍの波長の光ビームである。
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記エネルギービームは、略５乃至略１
８０ｎｍの波長の光ビームである。
【００２１】請求項１１記載の発明にかかるパターン形
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記露光部の脱保護した部分の水酸基に
対する前記シリル化を気相で行ってシリル化層を形成す
る工程を有するものである。
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記露光部の脱保護した部分の水酸基に
対する前記シリル化を気相で行ってシリル化層を形成す
る工程を有するものである。
【００２２】請求項１２記載の発明にかかるパターン形
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記露光部の脱保護した部分の水酸基に
対する前記シリル化を液相で行ってシリル化層を形成す
る工程を有するものである。
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記露光部の脱保護した部分の水酸基に
対する前記シリル化を液相で行ってシリル化層を形成す
る工程を有するものである。
【００２３】請求項１３記載の発明にかかるパターン形
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記シリル化に用いるシリル化剤は、ジ
メチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチル
アミン、またはジメチルアミノジメチルジシランのうち
いずれかを主材とするものである。
成方法は、上記請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
発明において、前記シリル化に用いるシリル化剤は、ジ
メチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチル
アミン、またはジメチルアミノジメチルジシランのうち
いずれかを主材とするものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を参
照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態１
に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
図１において、１は基板、２はレジスト膜、２Ａはレジ
ストパターン、３はマスク、４はエネルギービーム（Ａ
ｒＦエキシマレーザ光）、６はシリル化剤の相、７はシ
リル化層、８はドライエッチングガス、９は露光部を示
している。
実施の形態１を図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を参
照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態１
に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
図１において、１は基板、２はレジスト膜、２Ａはレジ
ストパターン、３はマスク、４はエネルギービーム（Ａ
ｒＦエキシマレーザ光）、６はシリル化剤の相、７はシ
リル化層、８はドライエッチングガス、９は露光部を示
している。
【００２５】以下、本実施の形態のパターン形成方法
を、図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を参照して説明
する。図１を参照すると、本実施の形態では、水酸基を
有する化合物が、露光部９の脱保護した部分の水酸基と
相まってシリル化を助長（シリル化反応を増幅）すると
いう本発明者が見出した新規な物理現象を応用し、化学
増幅型のポジ型レジストと水酸基を有する化合物を含む
レジスト膜２を基板１上に形成する第１の工程と、前記
第１の工程で形成したレジスト膜２に露光部９に応じた
パターン形状を持つマスク３を介してエネルギービーム
４を照射して露光処理を実行する第２の工程と、前記第
２の工程の露光処理後のレジスト膜２を所定条件で加熱
する第３の工程と、前記第３の工程の加熱処理後のレジ
スト膜２にシリル化を行って当該レジスト膜２の露光部
９の表面にシリコンを導入する第４の工程と、前記第４
の工程でシリコンを導入した露光部９をマスク３として
前記レジスト膜２に対してドライエッチングを行って所
望のレジストパターン２Ａを形成する第５の工程を実行
する。
を、図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を参照して説明
する。図１を参照すると、本実施の形態では、水酸基を
有する化合物が、露光部９の脱保護した部分の水酸基と
相まってシリル化を助長（シリル化反応を増幅）すると
いう本発明者が見出した新規な物理現象を応用し、化学
増幅型のポジ型レジストと水酸基を有する化合物を含む
レジスト膜２を基板１上に形成する第１の工程と、前記
第１の工程で形成したレジスト膜２に露光部９に応じた
パターン形状を持つマスク３を介してエネルギービーム
４を照射して露光処理を実行する第２の工程と、前記第
２の工程の露光処理後のレジスト膜２を所定条件で加熱
する第３の工程と、前記第３の工程の加熱処理後のレジ
スト膜２にシリル化を行って当該レジスト膜２の露光部
９の表面にシリコンを導入する第４の工程と、前記第４
の工程でシリコンを導入した露光部９をマスク３として
前記レジスト膜２に対してドライエッチングを行って所
望のレジストパターン２Ａを形成する第５の工程を実行
する。
【００２６】このとき、露光部９は第４の工程でのシリ
ル化によるＳｉとより結びつきやすくなるため、第４の
工程でのシリル化によるＳｉの導入が従来のパターン形
成方法に比べて多くなり（すなわち、シリル化層７が厚
くなり）、第４の工程後の第５の工程でのドライエッチ
ングに十分に耐えるマスク３となるため、従来のパター
ン形成方法に比べて形状の良好なレジストパターン２Ａ
を形成できるようになる。なお、未露光部９について
は、レジスト（レジスト膜２）の疎水性が強いために、
水酸基を有する化合物によるシリル化は非常に起こりに
くく、第４の工程でのシリル化のコントラストが低下す
ることはない。
ル化によるＳｉとより結びつきやすくなるため、第４の
工程でのシリル化によるＳｉの導入が従来のパターン形
成方法に比べて多くなり（すなわち、シリル化層７が厚
くなり）、第４の工程後の第５の工程でのドライエッチ
ングに十分に耐えるマスク３となるため、従来のパター
ン形成方法に比べて形状の良好なレジストパターン２Ａ
を形成できるようになる。なお、未露光部９について
は、レジスト（レジスト膜２）の疎水性が強いために、
水酸基を有する化合物によるシリル化は非常に起こりに
くく、第４の工程でのシリル化のコントラストが低下す
ることはない。
【００２７】水酸基を有する本実施の形態の化合物とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ピロガロールなどが
挙げられるが、これに特に限定されない。また、水酸基
を有する本実施の形態の化合物のレジスト（レジスト膜
２）に対する添加量は、過剰となりすぎて未露光部９の
シリル化が起こることがない程度であればよい。例え
ば、通常レジストに対して５０ｗｔ％以下であることが
挙げられるが、これに特に限定されない。
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ピロガロールなどが
挙げられるが、これに特に限定されない。また、水酸基
を有する本実施の形態の化合物のレジスト（レジスト膜
２）に対する添加量は、過剰となりすぎて未露光部９の
シリル化が起こることがない程度であればよい。例え
ば、通常レジストに対して５０ｗｔ％以下であることが
挙げられるが、これに特に限定されない。
【００２８】さらに詳しく、本実施の形態を説明する。
本実施の形態では、シリル化用のレジスト（水酸基を有
する本実施の形態の化合物のレジスト）として以下の組
成のレジストを用いている。
本実施の形態では、シリル化用のレジスト（水酸基を有
する本実施の形態の化合物のレジスト）として以下の組
成のレジストを用いている。
【００２９】 ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ ビスフェノールＡ・・・・・１ｇ ジフェニルジスルフォン ［酸発生剤］・・・・・０．３ｇ ジグライム ［溶媒］・・・・・４０ｇ
【００３０】図１を参照すると、本実施の形態では、ま
ず、基板１上にシリル化用のレジスト（化学増幅型のポ
ジ型レジストと水酸基を有する化合物のレジスト）を塗
布し、約９０℃の温度で６０秒のプリベークを行い０．
４μｍ厚のレジスト膜２を得る（図１（ａ））。次い
で、所望のパターンを描いたマスク３を介してＡｒＦエ
キシマレーザ光（エネルギービーム４）にて露光を行う
（図１（ｂ））。エネルギービーム４としては、ＡｒＦ
（弗化アルゴン）エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を
用いたが、これに代えて、ＫｒＦ（弗化クリプトン）エ
キシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、５〜１８０ｎｍの波
長の光、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ：電子ビー
ム）またはＸ線等を用いてもよい。その後、約９０℃の
温度で約９０秒の加熱を行い、レジストの酸不安定基で
あるｔ−ブチル基の脱保護を促進させる（図１
（ｃ））。次いで、ジメチルシリルジメチルアミンを用
いてシリル化剤の相６を生成した後に、露光部９にＳｉ
を導入してシリル化層７を形成する（図１（ｄ））。本
実施の形態におけるシリル化は、気相、または、液相等
を用いて行ってよい。また、シリル化に用いるシリル化
剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリル
ジエチルアミン、または、ジメチルアミノジメチルジシ
ラン等を用いてもよく、これらに限定されない。その
後、シリル化層７をマスク３としてレジスト膜２に対し
て酸素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチングガス８
を用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実行し、パタ
ーン幅が約０．１２μｍのレジストパターン２Ａを形成
する。このとき、シリル化層７は十分に厚くドライエッ
チングに十分に耐えることができたために、レジストパ
ターン２Ａは形状が矩形の良好なパターンとなる（図１
（ｅ））。
ず、基板１上にシリル化用のレジスト（化学増幅型のポ
ジ型レジストと水酸基を有する化合物のレジスト）を塗
布し、約９０℃の温度で６０秒のプリベークを行い０．
４μｍ厚のレジスト膜２を得る（図１（ａ））。次い
で、所望のパターンを描いたマスク３を介してＡｒＦエ
キシマレーザ光（エネルギービーム４）にて露光を行う
（図１（ｂ））。エネルギービーム４としては、ＡｒＦ
（弗化アルゴン）エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を
用いたが、これに代えて、ＫｒＦ（弗化クリプトン）エ
キシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、５〜１８０ｎｍの波
長の光、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ：電子ビー
ム）またはＸ線等を用いてもよい。その後、約９０℃の
温度で約９０秒の加熱を行い、レジストの酸不安定基で
あるｔ−ブチル基の脱保護を促進させる（図１
（ｃ））。次いで、ジメチルシリルジメチルアミンを用
いてシリル化剤の相６を生成した後に、露光部９にＳｉ
を導入してシリル化層７を形成する（図１（ｄ））。本
実施の形態におけるシリル化は、気相、または、液相等
を用いて行ってよい。また、シリル化に用いるシリル化
剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリル
ジエチルアミン、または、ジメチルアミノジメチルジシ
ラン等を用いてもよく、これらに限定されない。その
後、シリル化層７をマスク３としてレジスト膜２に対し
て酸素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチングガス８
を用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実行し、パタ
ーン幅が約０．１２μｍのレジストパターン２Ａを形成
する。このとき、シリル化層７は十分に厚くドライエッ
チングに十分に耐えることができたために、レジストパ
ターン２Ａは形状が矩形の良好なパターンとなる（図１
（ｅ））。
【００３１】以上説明したように実施の形態１によれ
ば、半導体製造等に用いられるレジストパターン２Ａ等
のパターンを高精度で形成できるようになるといった効
果を奏する。
ば、半導体製造等に用いられるレジストパターン２Ａ等
のパターンを高精度で形成できるようになるといった効
果を奏する。
【００３２】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を、図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を援用して
説明する。図１を参照すると、本実施の形態では、水酸
基を有するポリマーが、露光部９の脱保護した部分の水
酸基と相まってシリル化を助長（シリル化反応を増幅）
するという本発明者が見出した新規な物理現象を応用
し、化学増幅型のポジ型レジストと水酸基を有するポリ
マーを含むレジスト膜２を基板１上に形成する第１の工
程と、前記第１の工程で形成したレジスト膜２に露光部
９に応じたパターン形状を持つマスク３を介してエネル
ギービーム４を照射して露光処理を実行する第２の工程
と、前記第２の工程の露光処理後のレジスト膜２を所定
条件で加熱する第３の工程と、前記第３の工程の加熱処
理後のレジスト膜２にシリル化を行って当該レジスト膜
２の露光部９の表面にシリコンを導入する第４の工程
と、前記第４の工程でシリコンを導入した露光部９をマ
スク３として前記レジスト膜２に対してドライエッチン
グを行って所望のレジストパターン２Ａを形成する第５
の工程を実行する。
態２を、図１（ａ）〜（ｆ）に示す各断面図を援用して
説明する。図１を参照すると、本実施の形態では、水酸
基を有するポリマーが、露光部９の脱保護した部分の水
酸基と相まってシリル化を助長（シリル化反応を増幅）
するという本発明者が見出した新規な物理現象を応用
し、化学増幅型のポジ型レジストと水酸基を有するポリ
マーを含むレジスト膜２を基板１上に形成する第１の工
程と、前記第１の工程で形成したレジスト膜２に露光部
９に応じたパターン形状を持つマスク３を介してエネル
ギービーム４を照射して露光処理を実行する第２の工程
と、前記第２の工程の露光処理後のレジスト膜２を所定
条件で加熱する第３の工程と、前記第３の工程の加熱処
理後のレジスト膜２にシリル化を行って当該レジスト膜
２の露光部９の表面にシリコンを導入する第４の工程
と、前記第４の工程でシリコンを導入した露光部９をマ
スク３として前記レジスト膜２に対してドライエッチン
グを行って所望のレジストパターン２Ａを形成する第５
の工程を実行する。
【００３３】このとき、露光部９は第４の工程でのシリ
ル化によるＳｉとより結びつきやすくなるため、第４の
工程でのシリル化によるＳｉの導入が従来のパターン形
成方法に比べて多くなり（すなわち、シリル化層７が厚
くなり）、第４の工程後の第５の工程でのドライエッチ
ングに十分に耐えるマスク３となるため、従来のパター
ン形成方法に比べて形状の良好なレジストパターン２Ａ
を形成できるようになる。なお、未露光部９について
は、レジスト（レジスト膜２）の疎水性が強いために、
水酸基を有するポリマーによるシリル化は非常に起こり
にくく、第４の工程でのシリル化のコントラストが低下
することはない。
ル化によるＳｉとより結びつきやすくなるため、第４の
工程でのシリル化によるＳｉの導入が従来のパターン形
成方法に比べて多くなり（すなわち、シリル化層７が厚
くなり）、第４の工程後の第５の工程でのドライエッチ
ングに十分に耐えるマスク３となるため、従来のパター
ン形成方法に比べて形状の良好なレジストパターン２Ａ
を形成できるようになる。なお、未露光部９について
は、レジスト（レジスト膜２）の疎水性が強いために、
水酸基を有するポリマーによるシリル化は非常に起こり
にくく、第４の工程でのシリル化のコントラストが低下
することはない。
【００３４】水酸基を有する本実施の形態のポリマーと
しては、例えば、ポリビニールフェノール、ノボラック
樹脂、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸などが挙げら
れるが、これに特に限定されない。また、水酸基を有す
る本実施の形態のポリマーのレジスト（レジスト膜２）
に対する添加量は、過剰となりすぎて未露光部９のシリ
ル化が起こることがない程度であればよい。例えば、通
常レジストに対して５０ｗｔ％以下であることが挙げら
れるが、これに特に限定されない。
しては、例えば、ポリビニールフェノール、ノボラック
樹脂、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸などが挙げら
れるが、これに特に限定されない。また、水酸基を有す
る本実施の形態のポリマーのレジスト（レジスト膜２）
に対する添加量は、過剰となりすぎて未露光部９のシリ
ル化が起こることがない程度であればよい。例えば、通
常レジストに対して５０ｗｔ％以下であることが挙げら
れるが、これに特に限定されない。
【００３５】さらに詳しく、本実施の形態を説明する。
本実施の形態では、シリル化用のレジスト（水酸基を有
する本実施の形態のポリマーのレジスト）として以下の
組成のレジストを用いている。
本実施の形態では、シリル化用のレジスト（水酸基を有
する本実施の形態のポリマーのレジスト）として以下の
組成のレジストを用いている。
【００３６】 ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ ポリビニールフェノール・・・・・０．５ｇ ジフェニルジスルフォン ［酸発生剤］・・・・・０．３ｇ ジグライム ［溶媒］・・・・・４０ｇ
【００３７】図１を参照すると、本実施の形態では、ま
ず、基板１上にシリル化用のレジスト（化学増幅型のポ
ジ型レジストと水酸基を有するポリマーのレジスト）を
塗布し、約９０℃の温度で６０秒のプリベークを行い
０．４μｍ厚のレジスト膜２を得る（図１（ａ））。本
実施の形態における化学増幅型のポジ型レジストのポリ
マーは、例えば、酸不安定基のホモポリマーであること
が挙げられるが、本実施の形態はこれに限らない。次い
で、所望のパターンを描いたマスク３を介してＡｒＦエ
キシマレーザ光（エネルギービーム４）にて露光を行う
（図１（ｂ））。エネルギービーム４としては、ＡｒＦ
エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いたが、これに
代えて、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、５
〜１８０ｎｍの波長の光、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂ
ｅａｍ：電子ビーム）またはＸ線等を用いてもよい。そ
の後、約９０℃の温度で約９０秒の加熱を行い、レジス
トの酸不安定基であるｔ−ブチル基の脱保護を促進させ
る（図１（ｃ））。次いで、ジメチルシリルジメチルア
ミンを用いてシリル化剤の相６を生成した後に、露光部
９にＳｉを導入してシリル化層７を形成する（図１
（ｄ））。本実施の形態におけるシリル化は、気相、ま
たは、液相等を用いて行ってよい。また、シリル化に用
いるシリル化剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジ
メチルシリルジエチルアミン、または、ジメチルアミノ
ジメチルジシラン等を用いてもよく、これらに限定され
ない。その後、シリル化層７をマスク３としてレジスト
膜２に対して酸素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチ
ングガス８を用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実
行し、パターン幅が約０．１２μｍのレジストパターン
２Ａを形成する。このとき、シリル化層７は十分に厚く
ドライエッチングに十分に耐えることができたために、
レジストパターン２Ａは形状が矩形の良好なパターンと
なる（図１（ｅ））。
ず、基板１上にシリル化用のレジスト（化学増幅型のポ
ジ型レジストと水酸基を有するポリマーのレジスト）を
塗布し、約９０℃の温度で６０秒のプリベークを行い
０．４μｍ厚のレジスト膜２を得る（図１（ａ））。本
実施の形態における化学増幅型のポジ型レジストのポリ
マーは、例えば、酸不安定基のホモポリマーであること
が挙げられるが、本実施の形態はこれに限らない。次い
で、所望のパターンを描いたマスク３を介してＡｒＦエ
キシマレーザ光（エネルギービーム４）にて露光を行う
（図１（ｂ））。エネルギービーム４としては、ＡｒＦ
エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いたが、これに
代えて、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、５
〜１８０ｎｍの波長の光、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂ
ｅａｍ：電子ビーム）またはＸ線等を用いてもよい。そ
の後、約９０℃の温度で約９０秒の加熱を行い、レジス
トの酸不安定基であるｔ−ブチル基の脱保護を促進させ
る（図１（ｃ））。次いで、ジメチルシリルジメチルア
ミンを用いてシリル化剤の相６を生成した後に、露光部
９にＳｉを導入してシリル化層７を形成する（図１
（ｄ））。本実施の形態におけるシリル化は、気相、ま
たは、液相等を用いて行ってよい。また、シリル化に用
いるシリル化剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジ
メチルシリルジエチルアミン、または、ジメチルアミノ
ジメチルジシラン等を用いてもよく、これらに限定され
ない。その後、シリル化層７をマスク３としてレジスト
膜２に対して酸素とＳＯ2を主ガスとするドライエッチ
ングガス８を用いたＴＣＰ方式のドライエッチングを実
行し、パターン幅が約０．１２μｍのレジストパターン
２Ａを形成する。このとき、シリル化層７は十分に厚く
ドライエッチングに十分に耐えることができたために、
レジストパターン２Ａは形状が矩形の良好なパターンと
なる（図１（ｅ））。
【００３８】以上説明したように実施の形態２によれ
ば、半導体製造等に用いられるレジストパターン２Ａ等
のパターンを高精度で形成できるようになるといった効
果を奏する。
ば、半導体製造等に用いられるレジストパターン２Ａ等
のパターンを高精度で形成できるようになるといった効
果を奏する。
【００３９】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
【００４０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、半導体製造等に用いられるレジストパターン等のパ
ターンを高精度で形成できるようになるといった効果を
奏する。
で、半導体製造等に用いられるレジストパターン等のパ
ターンを高精度で形成できるようになるといった効果を
奏する。
【図１】 本発明の実施の形態１に係るパターン形成方
法の各工程を示す断面図である。
法の各工程を示す断面図である。
【図２】 従来のパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。
図である。
１，１’ 基板、 ２，２’ レジスト膜、 ２Ａ，
２’Ａ レジストパターン、 ３，３’ マスク、 ４
エネルギービーム（ＡｒＦエキシマレーザ光）、４’
ＡｒＦエキシマレーザ光、 ５ 加熱、 ６，６’
シリル化剤の相、７，７’ シリル化層、 ８，８’
ドライエッチングガス、 ９，９’ 露光部。
２’Ａ レジストパターン、 ３，３’ マスク、 ４
エネルギービーム（ＡｒＦエキシマレーザ光）、４’
ＡｒＦエキシマレーザ光、 ５ 加熱、 ６，６’
シリル化剤の相、７，７’ シリル化層、 ８，８’
ドライエッチングガス、 ９，９’ 露光部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AA09 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB13 CB17 CB29 CB41 CB43 CB45 CC20 FA12 FA28 FA39 FA41 2H096 AA25 BA09 FA01 FA04 FA10 HA23 5F004 AA04 BA20 BB11 DA00 DA26 DB26 DB27 EA02 FA08
Claims (13)
- 【請求項１】 ネガ型のシリル化プロセスを実現するパ
ターン形成方法であって、 化学増幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の
化合物を含有するレジスト膜に対して所定のエネルギー
ビームを照射して露光処理を実行して露光部を形成する
とともに、当該露光部に対して前記レジストの酸不安定
基の脱保護を実行する工程と、 前記脱保護後のレジスト膜にシリル化を行って当該レジ
スト膜の露光部の表面にシリコンを導入する工程と、 前記露光部の脱保護した部分の水酸基に対する前記シリ
ル化を、水酸基を有する化合物を用いて増幅する工程
と、 前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する工程を有することを特徴とするパ
ターン形成方法。 - 【請求項２】 ネガ型のシリル化プロセスを実現するパ
ターン形成方法であって、 化学増幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の
化合物を含有するレジスト膜を基板上に形成する第１の
工程と、 前記第１の工程で形成した前記レジスト膜に露光部に応
じたパターン形状を持つマスクを介して所定のエネルギ
ービームを照射して露光処理を実行する第２の工程と、 前記第２の工程の露光処理後の前記レジスト膜を所定条
件で加熱する第３の工程と、 前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシリル
化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシリコ
ンを導入する第４の工程と、 前記第４の工程でシリコンを導入した前記露光部を前記
マスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチング
を行って所望のレジストパターンを形成する第５の工程
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項３】 ネガ型のシリル化プロセスを実現するパ
ターン形成方法であって、 化学増幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の
ポリマーを含有するレジスト膜に対して所定のエネルギ
ービームを照射して露光処理を実行して露光部を形成す
るとともに、当該露光部に対して前記レジストの酸不安
定基の脱保護を実行する工程と、 前記脱保護後の前記レジスト膜にシリル化を行って当該
レジスト膜の露光部の表面にシリコンを導入する工程
と、 前記露光部の脱保護した部分の水酸基に対する前記シリ
ル化を、水酸基を有するポリマーを用いて増幅する工程
と、 前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジス
トパターンを形成する工程を有することを特徴とするパ
ターン形成方法。 - 【請求項４】 ネガ型のシリル化プロセスを実現するパ
ターン形成方法であって、 化学増幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の
ポリマーを含有するレジスト膜を基板上に形成する第１
の工程と、 前記第１の工程で形成した前記レジスト膜に露光部に応
じたパターン形状を持つマスクを介して所定のエネルギ
ービームを照射して露光処理を実行する第２の工程と、 前記第２の工程の露光処理後の前記レジスト膜を所定条
件で加熱する第３の工程と、 前記第３の工程の加熱処理後の前記レジスト膜にシリル
化を行って当該レジスト膜の前記露光部の表面にシリコ
ンを導入する第４の工程と、 前記第４の工程でシリコンを導入した前記露光部を前記
マスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチング
を行って所望のレジストパターンを形成する第５の工程
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項５】 前記化学増幅型のポジ型レジストのポリ
マーが、酸不安定基のホモポリマーを有することを特徴
とする請求項１，２，３または４に記載のパターン形成
方法。 - 【請求項６】 前記水酸基を有する所定量の化合物は、
ビスフェノールＡまたはピロガロールを主材とすること
を特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項７】 前記水酸基を有する所定量のポリマー
は、ポリビニールフェノール、ノボラック樹脂、ポリア
クリル酸、またはポリメタクリル酸のうちいずれかを主
材とすることを特徴とする請求項３または４に記載のパ
ターン形成方法。 - 【請求項８】 前記エネルギービームは、電子ビームで
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に
記載のパターン形成方法。 - 【請求項９】 前記エネルギービームは、Ｘ線であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
パターン形成方法。 - 【請求項１０】 前記エネルギービームは、略５乃至略
１８０ｎｍの波長の光ビームであることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか一項に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項１１】 前記露光部の脱保護した部分の水酸基
に対する前記シリル化を気相で行ってシリル化層を形成
する工程を有することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 【請求項１２】 前記露光部の脱保護した部分の水酸基
に対する前記シリル化を液相で行ってシリル化層を形成
する工程を有することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 【請求項１３】 前記シリル化に用いるシリル化剤は、
ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチ
ルアミン、またはジメチルアミノジメチルジシランのう
ちいずれかを主材とすることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19907499A JP3627137B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19907499A JP3627137B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023971A true JP2001023971A (ja) | 2001-01-26 |
| JP3627137B2 JP3627137B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=16401683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19907499A Expired - Fee Related JP3627137B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3627137B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008001679A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Jsr Corporation | procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ |
-
1999
- 1999-07-13 JP JP19907499A patent/JP3627137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008001679A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Jsr Corporation | procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ |
| JPWO2008001679A1 (ja) * | 2006-06-27 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物 |
| US8173348B2 (en) | 2006-06-27 | 2012-05-08 | Jsr Corporation | Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3627137B2 (ja) | 2005-03-09 |
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