JPH05119465A - リソグラフイ用マスク及び製造方法 - Google Patents
リソグラフイ用マスク及び製造方法Info
- Publication number
- JPH05119465A JPH05119465A JP28476491A JP28476491A JPH05119465A JP H05119465 A JPH05119465 A JP H05119465A JP 28476491 A JP28476491 A JP 28476491A JP 28476491 A JP28476491 A JP 28476491A JP H05119465 A JPH05119465 A JP H05119465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- thin film
- metal oxide
- glass substrate
- lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】極めて簡単に、寸法精度及び解像度の優れたリ
ソグラフィ用マスク及び製造方法を提供することが目的
である。 【構成】透明石英ガラス板１上に厚さ０．２μｍのＳｎ
Ｏ2 薄膜２を形成する。該ＳｎＯ2 薄膜２に電子ビ−ム
３を２０μＣ／ｃｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット
（ビ−ム径）の条件で選択的に照射する。このとき、還
元反応（ＳｎＯ2→Ｓｎ＋Ｏ2 ）が進み、上記電子ビ−
ム３が照射された部分は遮蔽性を有する還元物（Ｓｎ）
４に変化し、リソグラフィ用マスクとなる。
ソグラフィ用マスク及び製造方法を提供することが目的
である。 【構成】透明石英ガラス板１上に厚さ０．２μｍのＳｎ
Ｏ2 薄膜２を形成する。該ＳｎＯ2 薄膜２に電子ビ−ム
３を２０μＣ／ｃｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット
（ビ−ム径）の条件で選択的に照射する。このとき、還
元反応（ＳｎＯ2→Ｓｎ＋Ｏ2 ）が進み、上記電子ビ−
ム３が照射された部分は遮蔽性を有する還元物（Ｓｎ）
４に変化し、リソグラフィ用マスクとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィ用マスク
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、高集積化及び微細化
の一途を辿っている。その半導体集積回路の製造に関
し、リソグラフィ技術は加工の要として特に重要であ
る。リソグラフィに使用される従来のリソグラフィ用マ
スクは、次のような方法により製造されている。
の一途を辿っている。その半導体集積回路の製造に関
し、リソグラフィ技術は加工の要として特に重要であ
る。リソグラフィに使用される従来のリソグラフィ用マ
スクは、次のような方法により製造されている。
【０００３】例えば、Ｃｒマスクを製造するには、図３
に示すように、Ｃｒスパッタ工程、レジスト塗布工程、
プリベ−ク・冷却工程、ＥＢ描画、現像・リンス工程、
プラズマディスカム工程、エッチング工程、レジスト剥
離工程及び基板洗浄工程からなる９工程が必要である。
に示すように、Ｃｒスパッタ工程、レジスト塗布工程、
プリベ−ク・冷却工程、ＥＢ描画、現像・リンス工程、
プラズマディスカム工程、エッチング工程、レジスト剥
離工程及び基板洗浄工程からなる９工程が必要である。
【０００４】このような工程を更に詳細に説明する。先
ず、図４（ａ）に示すように、透明石英ガラス板１１に
スパッタ法により遮蔽性を有するＣｒ薄膜１２を被覆す
る。このＣｒ薄膜１２上にレジスト膜１３を回転塗布法
や浸漬法により形成する。続いてレジスト膜１３が形成
された透明石英ガラス基板１１を所定温度でベ−キング
する。
ず、図４（ａ）に示すように、透明石英ガラス板１１に
スパッタ法により遮蔽性を有するＣｒ薄膜１２を被覆す
る。このＣｒ薄膜１２上にレジスト膜１３を回転塗布法
や浸漬法により形成する。続いてレジスト膜１３が形成
された透明石英ガラス基板１１を所定温度でベ−キング
する。
【０００５】次に図４（ｂ）に示すように、選択的に電
子線１４をレジスト膜１３上に照射する。さらに、有機
溶剤等の溶媒を用いてレジストパタ−ンを現像し、その
後リンス処理を施す（図４（ｃ））。
子線１４をレジスト膜１３上に照射する。さらに、有機
溶剤等の溶媒を用いてレジストパタ−ンを現像し、その
後リンス処理を施す（図４（ｃ））。
【０００６】次いで、プラズマディスカムをした後、パ
タ−ンが形成されたレジスト膜１３をマスクとして、上
記Ｃｒ膜１２を選択的にエッチングをする（図４
（ｄ））。レジスト膜１３を剥離し、洗浄する（図４
（ｅ））。
タ−ンが形成されたレジスト膜１３をマスクとして、上
記Ｃｒ膜１２を選択的にエッチングをする（図４
（ｄ））。レジスト膜１３を剥離し、洗浄する（図４
（ｅ））。
【０００７】上述のように、リソグラフィ用マスクの製
造には、多数の工程が必要なため、高精度に寸法を制御
するのが難しい。特に、現像やエッチングは寸法制御の
不安定要因であり、レジストプロセス中で発生しやすい
Ｃｒ残りやピンホ−ルといった欠陥が要因となる問題も
ある。
造には、多数の工程が必要なため、高精度に寸法を制御
するのが難しい。特に、現像やエッチングは寸法制御の
不安定要因であり、レジストプロセス中で発生しやすい
Ｃｒ残りやピンホ−ルといった欠陥が要因となる問題も
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来、リソグラフィ用
マスクを製造するには、レジストパタ−ンの寸法精度や
解像度を改善するために、新しいレジスト材料の開発や
レジストに適応した露光装置等の半導体製造装置の開発
が必要となり、多大な費用と時間がかかる問題があっ
た。
マスクを製造するには、レジストパタ−ンの寸法精度や
解像度を改善するために、新しいレジスト材料の開発や
レジストに適応した露光装置等の半導体製造装置の開発
が必要となり、多大な費用と時間がかかる問題があっ
た。
【０００９】それ故、本発明は上述したような欠点を解
決するためになされたもので、極めて簡単な工程で、寸
法精度及び解像度の優れたリソグラフィ用マスク及び製
造方法を提供するものである。
決するためになされたもので、極めて簡単な工程で、寸
法精度及び解像度の優れたリソグラフィ用マスク及び製
造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ガラス基板上に、ＳｎＯ
2 、ＺｎＯ2 またはＩｎ2 Ｏ3 からなる光透過性の酸化
金属薄膜を形成する。その酸化金属薄膜に高エネルギ−
線を選択的に射照し、酸化金属を選択的に還元し遮光部
を形成しマスクパタ−ンを得る。
2 、ＺｎＯ2 またはＩｎ2 Ｏ3 からなる光透過性の酸化
金属薄膜を形成する。その酸化金属薄膜に高エネルギ−
線を選択的に射照し、酸化金属を選択的に還元し遮光部
を形成しマスクパタ−ンを得る。
【００１１】また、ガラス基板の表面にカ−ボン（Ｃ）
膜を形成する。Ｃ膜に高エネルギ−線をＯ2 雰囲気中で
選択的に照射して、Ｃ膜を選択的に除去することでマス
クパタ−ンを形成する。
膜を形成する。Ｃ膜に高エネルギ−線をＯ2 雰囲気中で
選択的に照射して、Ｃ膜を選択的に除去することでマス
クパタ−ンを形成する。
【００１２】高エネルギ−ビ−ムとしては、例えば電子
線、レ−ザビ−ム、遠紫外線等を挙げることができる。
電子線やレ−ザビ−ムでの選択的な照射工程はそれらビ
−ムを走査させることにより行うことが可能である。こ
れに対し、遠紫外線では走査することができないため該
遠紫外線による選択的な照射は所望のマスクを通して行
う必要がある。
線、レ−ザビ−ム、遠紫外線等を挙げることができる。
電子線やレ−ザビ−ムでの選択的な照射工程はそれらビ
−ムを走査させることにより行うことが可能である。こ
れに対し、遠紫外線では走査することができないため該
遠紫外線による選択的な照射は所望のマスクを通して行
う必要がある。
【００１３】
【作用】ガラス基板上に形成された酸化金属薄膜は、光
透過性である。酸化金属薄膜に高エネルギ−線を選択的
に照射することにより、酸化金属が還元される。そのた
め、光透過性である酸化金属薄膜は、選択的に遮蔽性の
金属薄膜に変化する。従って、遮蔽性の金属薄膜がマス
クパタ−ンとなる。
透過性である。酸化金属薄膜に高エネルギ−線を選択的
に照射することにより、酸化金属が還元される。そのた
め、光透過性である酸化金属薄膜は、選択的に遮蔽性の
金属薄膜に変化する。従って、遮蔽性の金属薄膜がマス
クパタ−ンとなる。
【００１４】また、ガラス基板上に形成されたＣ膜は、
遮蔽性である。Ｃ膜に高エネルギ−線をＯ2 雰囲気中で
選択的に照射することにより、照射された部分のＣ膜は
酸化されＣＯ2 ガスとなり除去される。従って、非照射
部分のＣ膜がマスクパタ−ンとなる。
遮蔽性である。Ｃ膜に高エネルギ−線をＯ2 雰囲気中で
選択的に照射することにより、照射された部分のＣ膜は
酸化されＣＯ2 ガスとなり除去される。従って、非照射
部分のＣ膜がマスクパタ−ンとなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。第一実施例を説明する。図１（ａ）に示す
ように、先ず透明石英ガラス板１上にスパッタ法によ
り、酸化金属薄膜、例えば厚さ０．２μｍのＳｎＯ2 薄
膜２を形成する。ただし、このＳｎＯ2 はウェハへのパ
タ−ン転写の際に一般的に使用される水銀ランプのｇ線
（波長：４３６ｎｍ，エネルギ−換算：２．８ｅＶ）ま
たはｉ線（波長：３６５ｎｍ，エネルギ−換算：３．４
ｅＶ）を十分透過するものである。
に説明する。第一実施例を説明する。図１（ａ）に示す
ように、先ず透明石英ガラス板１上にスパッタ法によ
り、酸化金属薄膜、例えば厚さ０．２μｍのＳｎＯ2 薄
膜２を形成する。ただし、このＳｎＯ2 はウェハへのパ
タ−ン転写の際に一般的に使用される水銀ランプのｇ線
（波長：４３６ｎｍ，エネルギ−換算：２．８ｅＶ）ま
たはｉ線（波長：３６５ｎｍ，エネルギ−換算：３．４
ｅＶ）を十分透過するものである。
【００１６】次に、図１（ｂ）のように、透明石英基板
１上のＳｎＯ2 薄膜２に、電子ビ−ム３を２０μＣ／ｃ
ｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット（ビ−ム径）の条
件で選択的に照射する。このとき、還元反応（ＳｎＯ2
→Ｓｎ＋Ｏ2 ）が進む。図１（ｃ）に示すように、電子
ビ−ム３が照射された部分は遮蔽性を有する還元物（Ｓ
ｎ）４に変化し、リソグラフィ用マスクとなる。
１上のＳｎＯ2 薄膜２に、電子ビ−ム３を２０μＣ／ｃ
ｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット（ビ−ム径）の条
件で選択的に照射する。このとき、還元反応（ＳｎＯ2
→Ｓｎ＋Ｏ2 ）が進む。図１（ｃ）に示すように、電子
ビ−ム３が照射された部分は遮蔽性を有する還元物（Ｓ
ｎ）４に変化し、リソグラフィ用マスクとなる。
【００１７】ところで、ガラス基板上に形成される酸化
金属薄膜は、特定の光に対して十分に透過性があるこ
と、かつ還元反応により特定の光を遮蔽する還元物に変
換されなければならない。例えば、ＳｎＯ2 薄膜，Ｚｎ
Ｏ2薄膜，Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜を挙げることができる。ま
た、酸化金属薄膜は寸法精度及び解像度を高めるため、
５０００オングストロ−ム以下の厚さのものを用いるこ
とが望ましく、下限については特定の光を遮蔽させるた
めに、２０００オングストロ−ムとすることが望まし
い。
金属薄膜は、特定の光に対して十分に透過性があるこ
と、かつ還元反応により特定の光を遮蔽する還元物に変
換されなければならない。例えば、ＳｎＯ2 薄膜，Ｚｎ
Ｏ2薄膜，Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜を挙げることができる。ま
た、酸化金属薄膜は寸法精度及び解像度を高めるため、
５０００オングストロ−ム以下の厚さのものを用いるこ
とが望ましく、下限については特定の光を遮蔽させるた
めに、２０００オングストロ−ムとすることが望まし
い。
【００１８】次に、第二実施例を示す。図２（ａ）に示
すように、透明石英ガラス板１上にスパッタ法により厚
さ０．１μｍのカ−ボン（Ｃ）薄膜５を形成する。その
後、Ｏ2 雰囲気中で電子ビ−ムを選択的に照射する。つ
まり、図２（ｂ）に示すようにＯ- を含む電子ビ−ム６
を、４０μＣ／ｃｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット
（ビ−ム径）の条件で照射する。それにより、照射され
た部分のＣ膜５は酸化し、ＣＯ2 ガスとなり除去され
る。従って、照射されずに残ったＣ膜５が、図２（ｃ）
に示すようにリソグラフィ用マスクとなる。
すように、透明石英ガラス板１上にスパッタ法により厚
さ０．１μｍのカ−ボン（Ｃ）薄膜５を形成する。その
後、Ｏ2 雰囲気中で電子ビ−ムを選択的に照射する。つ
まり、図２（ｂ）に示すようにＯ- を含む電子ビ−ム６
を、４０μＣ／ｃｍ2 、０．５μｍのアドレスユニット
（ビ−ム径）の条件で照射する。それにより、照射され
た部分のＣ膜５は酸化し、ＣＯ2 ガスとなり除去され
る。従って、照射されずに残ったＣ膜５が、図２（ｃ）
に示すようにリソグラフィ用マスクとなる。
【００１９】第一及び第二実施例によれば、基板にマス
クとなる薄膜を形成した後、所定のパタ−ンを電子ビ−
ムにより描画する、２工程のみでリソグラフィ用マスク
を製造することができる。従って、現像やエッチングで
の寸法制御の不安定要因といった工程が削除されるた
め、従来問題となっていた、レジストを形成する工程で
発生しやすいＣｒ残りやピンホ−ルが要因となる欠陥が
なくなった。
クとなる薄膜を形成した後、所定のパタ−ンを電子ビ−
ムにより描画する、２工程のみでリソグラフィ用マスク
を製造することができる。従って、現像やエッチングで
の寸法制御の不安定要因といった工程が削除されるた
め、従来問題となっていた、レジストを形成する工程で
発生しやすいＣｒ残りやピンホ−ルが要因となる欠陥が
なくなった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、極めて簡単な工程、例
えば従来のＣｒマスクの製造法に比べて７工程分短縮と
なる。そのうえ、寸法制御の難しい現像やエッチングな
どの工程がなくなったため、寸法精度及び解像度に優
れ、かつｇ線またはｉ線等の露光に使用し得るリソグラ
フィ用マスク及びその製造方法を提供できる。
えば従来のＣｒマスクの製造法に比べて７工程分短縮と
なる。そのうえ、寸法制御の難しい現像やエッチングな
どの工程がなくなったため、寸法精度及び解像度に優
れ、かつｇ線またはｉ線等の露光に使用し得るリソグラ
フィ用マスク及びその製造方法を提供できる。
【図１】本発明の第一実施例の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の第二実施例の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の製造工程の流れを示す流れ図である。
【図４】従来の製造工程を示す図である。
１…透明石英ガラス基板，２…ＳｎＯ2 薄膜，３…電子
ビ−ム ４…還元物（Ｓｎ），５…Ｃ薄膜，６…Ｏ- を含む電子
ビ−ム
ビ−ム ４…還元物（Ｓｎ），５…Ｃ薄膜，６…Ｏ- を含む電子
ビ−ム
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板と、上記ガラス基板上に形成
された光透過性を有する酸化金属薄膜からなる透過部
と、上記透過部を除く上記酸化金属薄膜部分を高エネル
ギ−線により還元することによって形成された遮蔽性を
有する遮光部とからなるリソグラフィ用マスク。 - 【請求項２】 上記酸化金属は、ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ2 又
はＩｎ2 Ｏ3 からなることを特徴とする請求項１記載の
リソグラフィ用マスク。 - 【請求項３】 ガラス基板の表面に光透過性を有する酸
化金属薄膜を形成する工程と、上記酸化金属薄膜に高エ
ネルギ−線を選択的に照射して該酸化金属を還元して上
記遮光部を形成すると共に及び上記透過部を選択的に残
存させる工程からなるリソグラフィ用マスクの製造方
法。 - 【請求項４】 ガラス基板と、上記ガラス基板の表面に
選択的に形成されたカ−ボン膜からなるリソグラフィ用
マスク。 - 【請求項５】 ガラス基板の表面にカ−ボン膜を形成す
る工程と、上記カ−ボン膜上に高エネルギ−線をＯ2 雰
囲気中で選択的に照射することにより上記カ−ボン膜を
酸化し選択的に除去する工程からなるリソグラフィ用マ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28476491A JPH05119465A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | リソグラフイ用マスク及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28476491A JPH05119465A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | リソグラフイ用マスク及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119465A true JPH05119465A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17682711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28476491A Pending JPH05119465A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | リソグラフイ用マスク及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022219977A1 (ja) * | 2021-04-14 | 2022-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28476491A patent/JPH05119465A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022219977A1 (ja) * | 2021-04-14 | 2022-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
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