KR20150034113A - 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 - Google Patents

포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150034113A
KR20150034113A KR20140127571A KR20140127571A KR20150034113A KR 20150034113 A KR20150034113 A KR 20150034113A KR 20140127571 A KR20140127571 A KR 20140127571A KR 20140127571 A KR20140127571 A KR 20140127571A KR 20150034113 A KR20150034113 A KR 20150034113A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon
film
containing inorganic
inorganic film
resist
Prior art date
Application number
KR20140127571A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101917407B1 (ko
Inventor
유키오 이나즈키
다카시 요시이
도요히사 사쿠라다
아키라 이케다
히데오 가네코
사토시 와타나베
요시오 가와이
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20150034113A publication Critical patent/KR20150034113A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101917407B1 publication Critical patent/KR101917407B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

규소를 함유하는 무기막에 실릴화 처리를 실시하고 나서 레지스트막을 형성하는 포토마스크 블랭크에 관한 것이며, 현상 후, 레지스트 잔사 등에 의한 결함의 발생을 억제할 수 있는 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법을 제공한다.
투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 상기 규소 함유 무기막을 형성한 후, 실릴화 처리를 행하고, 그 후, 도포에 의해 상기 레지스트막을 형성하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.

Description

포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법{PHOTOMASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK}
본 발명은, 반도체 집적회로 등을 제조할 때에 사용하는 포토마스크용의 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 가공에 있어서는, 특히 대규모 집적회로의 고집적화에 의해, 회로 패턴의 미세화가 점점 더 필요해지고 있고, 회로를 구성하는 배선 패턴의 세선화나, 셀을 구성하는 층간의 배선을 위한 콘택트 홀 패턴의 미세화 기술에 대한 요구가 점점 더 높아지고 있다. 그 때문에, 이들 배선 패턴이나 콘택트 홀 패턴을 형성하는 광 리소그래피에서 이용되는, 회로 패턴이 기입된 포토마스크의 제조에 있어서도, 상기 미세화에 수반하여, 보다 미세하고 또한 정확히 회로 패턴을 기입할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
보다 정밀도가 높은 포토마스크 패턴을 포토마스크 기판 위에 형성하기 위해서는, 우선, 포토마스크 블랭크 위에 고정밀도의 레지스트 패턴을 형성하는 것이 필요해진다. 실제의 반도체 기판을 가공할 때의 광 리소그래피는 축소 투영을 행하기 때문에, 포토마스크 패턴은 실제로 필요한 패턴 사이즈의 4배 정도의 크기이지만, 그만큼 정밀도가 완화되는 것은 아니고, 오히려, 원판인 포토마스크에는 노광 후의 패턴 정밀도에 요구되는 것보다도 높은 정밀도가 요구된다.
또, 이미 현재 행해지고 있는 리소그래피에서는, 묘화(描畵)하고자 하고 있는 회로 패턴은 사용하는 광의 파장을 상당히 하회하는 사이즈로 되어 있어, 회로의 형상을 그대로 4배로 한 포토마스크 패턴을 사용하면, 실제의 광 리소그래피를 행할 때에 생기는 광의 간섭 등의 영향으로, 레지스트막에 포토마스크 패턴대로의 형상은 전사되지 않는다. 그래서 이들의 영향을 감소시키기 위해, 포토마스크 패턴은 실제의 회로 패턴보다 복잡한 형상(이른바 OPC: Optical Proximity Correction(광학 근접 효과 보정) 등을 적용한 형상)으로 가공할 필요가 생기는 경우도 있다. 그 때문에, 포토마스크 패턴을 얻기 위한 리소그래피 기술에 있어서도, 현재, 또한 고정밀도인 가공 방법이 요구되고 있다. 리소그래피 성능에 대해서는 한계 해상도로 표현되는 경우가 있지만, 이 해상 한계로서는, 포토마스크를 사용한 반도체 가공 공정에서 사용되는 광 리소그래피에 필요한 해상 한계와 동등한 정도, 또는 그 이상의 한계 해상 정밀도가 포토마스크 가공 공정의 리소그래피 기술에 요구되고 있다.
포토마스크 패턴의 형성에 있어서는, 통상, 투명 기판 위에 차광막을 갖는 포토마스크 블랭크 위에 포토레지스트막을 형성하고, 전자선에 의한 패턴의 묘화를 행하고, 현상을 경유하여 레지스트 패턴을 얻고, 그리고, 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여, 차광막을 에칭하여 차광 패턴으로 가공하지만, 차광 패턴을 미세화하는 경우에 레지스트막의 막 두께를 미세화 전과 동일하게 유지한 채로 가공하고자 하면, 패턴에 대한 막 두께의 비, 이른바 아스펙트비가 커져, 레지스트의 패턴 형상이 열화되어 패턴 전사가 잘 되지 않게 되거나, 경우에 따라서는 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 벗겨짐을 일으키기도 해 버린다. 그 때문에, 미세화에 수반하여 레지스트막 두께를 얇게 할 필요가 있다.
또한, 드라이 에칭 시의 레지스트에 대한 부담을 감소시키기 위해서, 하드 마스크를 사용한다고 하는 방법은 예로부터 시도되고 있고, 예컨대, 특허문헌 1에서는, MoSi2 위에 SiO2막을 형성하고, 이것을, 염소를 포함하는 가스를 이용하여 MoSi2를 드라이 에칭할 때의 에칭 마스크로서 사용하는 것이 보고되어 있으며, 또한, SiO2막이 반사 방지막으로서도 기능할 수 있다는 것이 기술되어 있다. 또한, 위상 시프트막 위에 차광막으로서 크로뮴을 이용하고, 그 위에 SiO2막을 하드 마스크로서 이용하는 것은, 예컨대 특허문헌 2에 기재되어 있다.
일본 특허공개 소63-85553호 공보 일본 특허공개 평7-49558호 공보
전술한 바와 같은 패턴의 미세화에 수반하여, 레지스트의 밀착성이 중요해지고 있다. 그러나, 표면에 Si를 포함하는 막에 있어서는 포토마스크 위에서, 예컨대 50nm 이하와 같은 미세한 패턴을 형성하고자 하면, 레지스트의 밀착성이 나빠, 레지스트 패턴이 현상 중에 박리되어 버린다. 이를 회피하기 위해서 헥사메틸다이실라제인 등에 의한 실릴화 처리를 행하는 것이 유효하다는 것이 알려져 있다.
그러나, 실릴화 처리를 실시하면 표면이 소수성을 띠어 버려, 세정하기 어려워지고, 현상 후의 세정 공정에 레지스트 잔사 등이 다수 남아, 결함이 되어 버린다고 하는 문제가 있다. 세정 능력을 향상시키기 위해서는 IPA 등을 이용하여 젖음성을 개선하면 좋지만, 이들 용제는 레지스트 패턴에 영향을 주기 때문에 바람직하지 않다.
그래서, 본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 규소를 함유하는 무기막에 실릴화 처리를 실시하고 나서 레지스트막을 형성하는 포토마스크 블랭크에 관한 것이며, 현상 후, 레지스트 잔사 등에 의한 결함의 발생을 억제할 수 있는 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 상기 규소 함유 무기막을 형성한 후, 실릴화 처리를 행하고, 그 후, 도포에 의해 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 상기 규소 함유 무기막을 형성한 후, 실릴화 처리를 행하고, 그 후, 도포에 의해 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.
이들과 같이 하면, 실릴화 처리에 의해서, 규소 함유 무기막과 레지스트막의 밀착성을 높일 수 있고, 미세한 패턴을 레지스트막에 형성해도, 해당 레지스트 패턴이 쓰러지거나 벗겨지거나 하는 것을 억제할 수 있다.
더구나, 표면에 있어서 상기 조건을 만족한 규소 함유 무기막을 형성하고 나서 레지스트막을 형성하기 때문에, 종래, 실릴화 처리를 실시한 경우에 생기고 있었던, 현상 후에 있어서의 레지스트 잔사의 발생을 억제할 수 있어, 결함수를 저감하는 것이 가능하다.
또한, 상기 규소 함유 무기막(상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 크다)을 형성할 때, 상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 산소 농도를 55원자% 이상 75원자% 이하로 할 수 있다.
이와 같이 하는 것에 의해, 더한층 확실하게, 결함수를 저감시킬 수 있다.
이때, 상기 실릴화 처리에 있어서, 헥사메틸다이실라제인을 이용하여 처리할 수 있다.
헥사메틸다이실라제인(이하, HMDS로 기재하는 경우가 있다)은 포토마스크 블랭크 등의 반도체 제조 공정에서 상용되고 있어 바람직하다.
또한, 상기 규소 함유 무기막을, 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것으로 할 수 있다.
이와 같이, 규소 함유 무기막으로서 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것을 형성하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 규소 함유 무기막을, SiO막 또는 SiON막으로 할 수 있다.
이와 같이, 규소 함유 무기막으로서는 SiO막 또는 SiON막이 특히 바람직하다.
이때, 상기 규소 함유 무기막을, 상기 투명 기판 위에 규소를 함유하는 무기막을 성막하고 나서 열 처리, 오존 처리, 플라즈마 처리 중의 어느 하나의 처리를 행하는 것에 의해 형성할 수 있다.
또는, 상기 규소 함유 무기막을, 스퍼터링에 의해 상기 투명 기판 위에 성막하여 형성할 수 있다.
이들과 같이 하면, 표면에 있어서 상기 조건을 만족하는 규소 함유 무기막을 간편하게 얻을 수 있다.
또, 본 발명은, 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 실릴화 처리된 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크로서, 상기 규소 함유 무기막은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크를 제공한다.
또한 본 발명은, 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 실릴화 처리된 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크로서, 상기 규소 함유 무기막은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크를 제공한다.
이들과 같은 것이면, 미세한 패턴을 레지스트막에 형성해도, 해당 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 벗겨짐을 억제할 수 있고, 게다가, 레지스트 잔사의 발생을 억제할 수 있어, 결함수를 저감하는 것이 가능한 포토마스크 블랭크가 된다.
또한, 상기 규소 함유 무기막(상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 크다)은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 것으로 할 수 있다.
이와 같은 것이면, 더한층 확실하게, 결함수를 저감시킬 수 있다.
또한, 상기 실릴화 처리는, 헥사메틸다이실라제인을 이용한 처리로 할 수 있다.
HMDS는 포토마스크 블랭크 등의 반도체 제조 공정에서 상용되고 있어 바람직하다.
또한, 상기 규소 함유 무기막은, 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것으로 할 수 있다.
이와 같이, 규소 함유 무기막으로서는, 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 규소 함유 무기막은, SiO막 또는 SiON막으로 할 수 있다.
이와 같이, 규소 함유 무기막으로서는 SiO막 또는 SiON막이 특히 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명의 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법에 의하면, 노광 현상 후, 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 벗겨짐을 억제할 수 있음과 더불어, 레지스트 잔사의 발생을 억제하여 결함수를 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 포토마스크 블랭크의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 포토마스크 블랭크의 제조 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 3은 실시예 1∼2, 비교예에 있어서의 ESCA법(XPS법)에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도와 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 1에 있어서의 현상 후의 결함 분포를 나타내는 관찰도이다.
도 5는 비교예에 있어서의 현상 후의 결함 분포를 나타내는 관찰도이다.
이하, 본 발명에 대하여, 실시 태양의 일례로서, 도면을 참조하면서 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
본 발명자들은 포토마스크 블랭크에 대하여 예의 검토를 거듭하였다. 전술한 바와 같이, 종래에는 규소 함유 무기막에 실릴화 처리를 실시하여 레지스트막을 도포한 경우, 해당 레지스트를 노광 현상한 후, 레지스트 잔사가 다수 발생해 버리고 있었다. 그러나, 규소 함유 무기막의 표면에 있어서의 산소 농도 등의 조정에 의해서, 그 후에 실릴화 처리 및 레지스트의 도포를 행하고, 현상하여 레지스트 패턴을 제작해도 레지스트 잔사 등의 결함을 극적으로 저감할 수 있다는 것을 본 발명자들은 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
도 1에 본 발명의 포토마스크 블랭크의 일례를 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이 본 발명의 포토마스크 블랭크(1)는, 예컨대, 투명 기판(2)의 위에, 위상 시프트막(3), 차광막(4), 규소 함유 무기막(5), 레지스트막(6)이 순차적으로 형성되어 있는 것이다.
포토마스크 블랭크(1)에 이용되는 투명 기판(2)으로서는, 노광 파장에서 투명한 재료이고, 또한 제조에서의 각각의 공정에 있어서의 처리 온도에서 변형량이 작은 것이면, 특별히 제약은 없으며, 그와 같은 것의 일례로서는 석영 기판을 들 수 있다.
다음으로, 투명 기판(2)의 위의 막 구성에 대하여 설명한다.
규소를 함유하는 규소 함유 무기막(5)으로서는, 후술하는 바와 같이 레지스트막(6)과 접하는 면에 있어서 산소 농도 등 소정의 조건을 만족할 필요가 있지만, 막 자체는, 예컨대, 규소 단체, 또는 규소에 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나를 적어도 포함하는 것, 또는 규소와 전이 금속을 포함하는 것, 또는 규소와 전이 금속과 적어도, 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나를 포함하는 것이면 좋다. 이와 같은 것으로서는 규소로 이루어지는 것, 산소와 규소로 이루어지는 것, 질소와 규소로 이루어지는 것, 산소와 질소와 규소로 이루어지는 것, 탄소와 규소로 이루어지는 것, 탄소와 산소와 규소로 이루어지는 것, 탄소와 질소와 규소로 이루어지는 것, 탄소와 산소와 질소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속을 포함하는 것으로서는 전이 금속과 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 규소와 산소로 이루어지는 것, 전이 금속과 질소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 산소와 질소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 탄소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 탄소와 산소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 탄소와 질소와 규소로 이루어지는 것, 전이 금속과 탄소와 산소와 질소와 규소로 이루어지는 것을 들 수 있지만, 특히 규소와 산소와 질소로 이루어지는 것(SiON막), 나아가 규소와 산소로 이루어지는 것(SiO막)이 바람직하다.
전이 금속으로서는 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈럼, 타이타늄, 지르코니아, 하프늄을 들 수 있다. 규소 함유 무기막(5) 중의 전이 금속으로서는 1종에 한하지 않고, 2종 이상의 전이 금속을 포함하고 있어도 좋다.
추가로 수소를 함유하고 있어도 좋다.
또한, 이 규소 함유 무기막(5)은 실릴화 처리된 것이다. 규소 함유 무기막(5)이 실릴화 처리된 것이기 때문에, 그 위에 형성되어 있는 레지스트막(6)과의 밀착성이 높다. 따라서, 레지스트막(6)에 미세한 패턴이 형성된 경우에 있어서도, 레지스트 패턴의 쓰러짐이나 벗겨짐이 생기는 것을 억제할 수 있는 것이다.
한편, 규소 함유 무기막(5)에 실시되는 실릴화 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 반도체 제조 공정에서 상용되고 있는 HMDS를 이용한 처리로 할 수 있다.
또, 규소 함유 무기막(5)은, 레지스트막(6)과 접하는 면(접촉면(7))에 있어서, 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 것이다(제 1 태양).
실릴화 처리를 이용한 종래의 포토마스크 블랭크에서는, 현상 후에 있어서, 레지스트 잔사가 다수 발생하여 결함이 생겨 버리고 있었다. 그러나, 접촉면(7)에 있어서 상기 조건을 만족하고 있는 본 발명의 포토마스크 블랭크(1)에서는, 종래품에 있어서의 레지스트 잔사의 발생을 억제할 수 있고, 결함수를 저감할 수 있다.
규소 함유 무기막(5)의 접촉면(7)에서의 산소 농도에 의한 결함 저감의 이유는 불명이지만, 예컨대, 접촉면(7)에서의 OH의 양이나, 접촉면(7)에서의 원자의 결합 상태의 변화가 고려된다.
또는, 규소 함유 무기막(5)의 접촉면(7)에 있어서, X선 광전자 분광법(XPS법)에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 것이다(제 2 태양).
Si-O 및 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도의 관계가 이와 같은 것이면, 제 1 태양과 마찬가지로, 현상 후의 레지스트 잔사의 억제 및 결함의 저감을 도모할 수 있다.
또는, 상기 양쪽의 조건을 만족하는 것으로 할 수 있다. 이와 같은 것이면, 더한층 확실하게, 결함수를 저감시킬 수 있다.
막 구성으로서는 레지스트막(6) 아래가 규소 함유 무기막(5)이면 좋고, 예컨대, 규소 함유 무기막(5)은, 차광막, 위상 시프트막 등의 광학막이나, 광학막에 패턴을 형성하기 위해서 이용되는 하드 마스크막으로서 기능하는 것이어도 좋다. 또한, 에칭 스토퍼를 갖고 있어도 좋다.
특히 미세한 패턴을 형성할 때, 예컨대 50nm 이하의 패턴을 형성할 때에 본 발명은 유효하며, 규소 함유 무기막(5)을 하드 마스크막으로 하면 그 효과는 크다.
하드 마스크막으로서 이용할 때의 막 두께는 바람직하게는 1∼30nm, 나아가 1∼20nm, 보다 바람직하게는 1∼10nm로 하면 좋다.
여기서는 하드 마스크막으로서의 규소 함유 무기막(5)과 투명 기판(2) 사이에 있어서, 차광막(4), 추가적으로는 차광막(4) 아래에 위상 시프트막(3)을 갖는 구성으로 이루어져 있다. 한편, 이 하드 마스크막으로서의 규소 함유 무기막(5)과 차광막(4)은 에칭 선택성이 있는 편이 바람직하다.
하드 마스크(에칭 마스크)막(규소 함유 무기막(5))은 CF4나 SF6 등의 불소를 포함하는 불소계 에칭 가스로 드라이 에칭하고, 차광막(4) 등의 상기 하드 마스크막 아래에 형성되는 무기막은 불소계 드라이 에칭에서는 내성을 갖고, 염소 또는 염소와 산소를 포함하는 에칭 가스에 의한 염소계 드라이 에칭으로 에칭할 수 있는 재료로 함으로써 가공이 용이하게 될 수 있다. 이와 같은 차광막(4) 등의 상기 하드 마스크막 아래에 형성되는 무기막으로서는 크로뮴을 함유하는 무기막이 바람직하고, 예컨대, 크로뮴 단체나, 크로뮴에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 1종류를 갖는 막으로 할 수 있다. 차광막(4)의 하드 마스크막 측에는 반사 방지층을 형성하거나, 투명 기판 측에도 산소나 질소가 많은 막을 형성하여, 밀착성을 개선하거나, 반사 방지층으로 해도 좋다.
또, 차광막(4)과 투명 기판(2) 사이에 위상 시프트막(3)을 형성할 때에는, 해당 위상 시프트막(3)은 차광막(4)과 에칭 특성이 상이한 편이 바람직하고, 상기한 바와 같이 차광막(4)이 염소와 산소를 포함하는 드라이 에칭으로 에칭되고, 불소계 드라이 에칭에 내성을 갖는 경우는, 위상 시프트막(3)은 염소와 산소를 포함하는 에칭 가스에 의한 드라이 에칭에는 내성을 갖고, 불소를 포함하는 에칭으로 에칭되는 재료로 하면 좋고, 예컨대 규소에 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나를 적어도 포함하는 재료로 하면 좋고, 또는 추가로 전이 금속을 포함하는 재료로 하면 좋다. 전이 금속으로서는 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈럼, 타이타늄, 지르코니아, 하프늄을 들 수 있다. 추가로 수소를 함유하고 있어도 좋다.
한편, 레지스트막(6) 아래가 차광막일 때는 규소를 포함하는 재료로서는 전술한 바와 같은 재료로 하면 좋고, 차광막 전체를 규소 함유 무기막(5)으로 해도 좋다. 또한, 차광막의 표면을 반사 방지층으로 할 때는, 반사 방지층만을 규소 함유 무기막(5)으로 하고, 차광막을 다른 재료, 예컨대 크로뮴을 갖는 막으로 해도 좋다.
또한, 레지스트막(6)의 재료로서는 전자선으로 묘화하기 위한 전자선 레지스트로 해도 좋고, 광으로 묘화하는 포토레지스트로 해도 좋다. 특히 화학 증폭형 레지스트에서 그 효과는 크다. 화학 증폭형 레지스트로서는 포지티브형이어도 네거티브형이어도 좋고, 하이드록시스타이렌계의 수지, 산 발생제를 주성분으로 하는 것, 추가로 가교제를 첨가한 것, ?쳐, 계면 활성제 등 어느 하나 이상을 포함한 것이어도 좋고, 또한, (메트)아크릴산계 수지로 해도 좋다.
다음으로, 도 1에 나타내는 본 발명의 포토마스크 블랭크(1)를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제조 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
우선 투명 기판(2)을 준비한다(도 2(A)). 투명 기판(2)으로서는 전술한 것을 준비할 수 있고, 예컨대 석영 기판으로 할 수 있다.
다음으로, 전술한 바와 같은 재료로 이루어지는 위상 시프트막(3)(도 2(B)) 및 차광막(4)(도 2(C))을 순차적으로 형성한다. 이들 막의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 스퍼터링에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 전술한 바와 같은 재료로 이루어지는 규소 함유 무기막(5)을 형성한다(도 2(D1) 또는 도 2(D2a) 내지 도 2(D2b)). 이 규소 함유 무기막(5)을 형성함에 있어서는, 표면(즉, 후공정에서 형성하는 레지스트막(6)과 접하는 면)에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하가 되도록 한다. 또는, 표면에서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 커지도록 한다. 또는, 상기 양쪽의 조건을 만족하도록 한다.
표면의 산소 농도 등을 상기한 바와 같이 조정하고 나서, 후술하는 실릴화 처리를 행하고, 그 후에 레지스트막을 도포하여 형성하는 것에 의해, 레지스트막(6)에 패턴을 묘화하여 현상했을 때, 종래품에 비하여, 레지스트 잔사가 생기는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 이에 의해 결함수를 대폭 저감시키는 것이 가능하다.
이와 같이 표면에 있어서 산소 농도 등의 조건을 만족한 규소 함유 무기막(5)을 형성하기 위해서는, 예컨대 스퍼터링 등에 있어서, 규소 함유 무기막(5)을 성막할 때의 성막 조건을 조정할 수 있다(도 2(D1)).
또는, 우선 규소를 함유하는 무기막을 성막하고(예비 무기막(8))(도 2(D2a)), 그 후에 열 처리나 오존 처리, 플라즈마 처리 등의 어느 하나를 실시하는 것에 의해 표면에 있어서의 산소 농도 등을 조정하여 규소 함유 무기막(5)을 형성할 수 있다(도 2(D2b)).
이들 방법이면, 상기와 같은 표면을 갖는 규소 함유 무기막(5)을 간편하게 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
한편, 이 규소 함유 무기막(5)이나 예비 무기막(8)의 형성 방법으로서는, 규소를 포함하는 가스, 예컨대, 모노실레인, 다이클로로실레인, 트라이클로로실레인 등을 이용한 CVD에 의한 성막이어도 좋지만, 규소를 함유하는 타겟을 적어도 하나 이용한 스퍼터링에 의한 성막 쪽이 간단하고 제어성 좋게 성막할 수 있기 때문에 바람직하다.
스퍼터링에 의한 성막의 방법으로서는 DC 스퍼터링이나 RF 스퍼터링법 등, 특별히 제약은 없다. 규소를 포함하는 규소 함유 무기막(5)을 성막하기 위해서는, 예컨대 규소와 산소를 포함하는 막으로 할 때는 타겟에 규소를 이용하고, 스퍼터링 가스로서 아르곤과 산소 가스를 이용하는 반응성 스퍼터링을 행하면 좋다. 또한, 산소 대신에 질소를 포함하는 막을 성막할 때는 질소 가스를 산소 가스 대신에 이용하면 좋고, 질소와 산소의 양쪽을 포함하는 막을 성막할 때는 질소 가스와 산소 가스를 동시에 이용해도 좋고, 또한, 일산화질소나 이산화질소 등의 산화질소 가스를 이용해도 좋다. 탄소를 추가로 포함하는 막을 성막할 때는 메테인 가스나 일산화탄소나 이산화탄소 등의 탄소를 포함하는 가스를 이용하면 좋다. 또한, 전이 금속을 추가로 포함하는 막을 성막할 때는 전이 금속과 규소를 함유한 타겟을 이용하거나, 규소 타겟과 전이 금속 타겟의 양쪽을 동시에 이용하여 공스퍼터링을 행해도 좋다.
또, 상기 성막에 의해 형성한 규소를 포함하는 규소 함유 무기막은 Si-Si의 결합을 갖는 상태의 막이면, 이 막을, 산소를 포함하는 열 처리를 행함으로써, 표면의 Si-O의 결합을 열 처리로 제어할 수 있기 때문에 바람직하다.
한편, 성막 조건으로 조정하는 경우, 예컨대 스퍼터링으로 성막할 때는 성막할 때의 분위기 가스 중의 Ar 등의 불활성 가스와 산소나 이산화탄소 등의 산화성 가스의 비율을 조정하는 것에 의해 표면에 있어서의 산소 농도를 조정하면 좋다.
또한, 열 처리로 표면에 있어서의 산소 농도 등을 조정할 때, 열 처리 분위기 중의 산소 농도로서는 특별히 제한은 없고, 예컨대, 1∼100%로 하면 좋다. 열 처리의 방법으로서는 적외선 가열, 저항 가열 등 특별히 제약은 없다.
산소를 포함하는 분위기에서의 열 처리 온도로서는 200℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 400℃ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 오존 처리나 플라즈마 처리 등에 있어서도 조건은 특별히 한정되지 않는다. 표면에 있어서의 산소 농도 등이 상기 조건을 만족하도록, 이들의 처리 조건을 적절히 조정하는 것이 가능하다.
다음으로, 세정을 실시한다(도 2(E)). 포토마스크 블랭크 표면 위에 존재하는 파티클을 제거하기 위한 이 세정은, 초순수, 또는 오존, 수소 등을 포함한 초순수인 기능수(機能水)를 이용하고, 그와 동시에 초음파를 쪼이는 것에 의해 행할 수 있다. 또는 계면 활성제 함유된 초순수로 세정한 후, 초순수로 린스하고, 상기 기능수 세정, UV 광조사, 또는 이들의 조합에 의해 행해진다.
그리고, 포토마스크 블랭크 표면의 표면 에너지를 저감시켜 놓기 위한 실릴화 처리를 행하여, 포토마스크 블랭크 표면을 알킬실릴화한다(도 2(F)). 이와 같은 실릴화 처리를 행하는 것에 의해, 미세 레지스트 패턴의 벗겨짐이나 쓰러짐을 방지할 수 있다.
실릴화제로서는, 전술한 바와 같이 HMDS를 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
실릴화 처리의 방법으로서는 기판의 규소 함유 무기막 위에 직접 도포하는 방법이나, 상기 실릴화제에 기판을 폭로하는 방법이 있다. 폭로 방법으로서는, 기판을 유지한 용기 중에서 상기 실릴화제를 증발시키는 방법, 또는 질소 가스를 버블링하는 것에 의해 상기 실릴화제를 기화시키는 방법 등이 있다. 상기 실릴화제를 반응시키는 온도로서는, 예컨대 40℃ 이상 200℃ 이하로 할 수 있다. 또한 처리 시간으로서는, 예컨대, 미리, 실릴화 처리의 동일 조건에서 물의 접촉각을 측정하여, 기판의 젖음성이 적당한 값이 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
그리고, 실릴화 처리한 규소 함유 무기막(5) 위에, 전술한 바와 같은 레지스트막(6)을 도포하여, 본 발명의 포토마스크 블랭크(1)를 얻을 수 있다(도 2(G)).
한편, 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 종래와 마찬가지의 방법으로 행할 수 있다. 패턴 형상이 양호하게 얻어지도록, 적절히 막 두께 등을 결정할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
본 발명의 제조 방법에 의해 본 발명의 포토마스크 블랭크를 제조했다.
152mm 각, 두께 약 6mm의 석영 기판 위에 위상 시프트막으로서 MoSiON을 스퍼터링법으로 75nm 형성했다. 스퍼터링 가스로서는 산소와 질소와 아르곤을 이용하고, 타겟으로서는 MoSi2와 Si의 2종류를 이용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다.
이 위상 시프트막의 조성을 ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)법(XPS법)(써모피셔사이언티픽주식회사제 K-Alpha)으로 조사한 바, Mo:Si:O:N = 1:4:1:4(원자비)였다.
이 위에, 추가로 차광막으로서 기판 측으로부터 CrN으로 이루어지는 층(30nm)과 CrON으로 이루어지는 층(20nm)을 스퍼터링법으로 형성했다. 스퍼터링 가스로서는, CrN층은 아르곤과 질소 가스를, CrON층은 산소와 질소와 아르곤을 이용하고, 타겟으로서는 금속 크로뮴을 이용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다.
이 차광막의 조성을 ESCA로 조사한 바, CrN층은 Cr:N = 9:1(원자비), CrON층은 Cr:O:N = 4:5:1(원자비)이었다.
이 위에, 규소를 포함하는 에칭 마스크막(하드 마스크)으로서 5nm의 두께의 SiO를 스퍼터링법으로 형성했다. 스퍼터링 가스로서는 산소와 아르곤을 이용하고, 타겟으로서는 Si를 이용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다.
추가로 이것에 열 처리를 행했다. 열 처리 분위기로서는 산소를 포함하는 분위기로 하고, 열 처리 온도는 500℃로 했다.
이 에칭 마스크막의 조성을 ESCA로 조사한 바, 표면의 산소 농도는 61.5원자%였다.
또한, 에칭 마스크막의 표면을 ESCA법으로 조사하여, Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도와 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도를 도 3에 나타낸다.
그 결과, Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도(면적 강도)가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 것이 관찰되었다(도 3 참조).
이것을 HMDS를 이용한 실릴화 처리를 행한 후, 네거티브형 전자선 레지스트(신에츠화학공업주식회사제)를 도포한 후, 수산화테트라메틸암모늄으로 현상하여 레지스트 패턴을 얻고, 그 후, 순수로 린스했다.
이것을 결함 검사 장치 MAGICS 2350(레이저테크사제)으로 검사한 결과, 도 4와 같은 결함수가 극히 적은 양호한 결과가 되었다.
한편, 검출된 0.1㎛ 이상의 결함의 수는 42개였다.
(실시예 2)
열 처리 온도를 300℃로 변화시킨 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 포토마스크 블랭크(열 처리 후의 에칭 마스크막의 표면의 산소 농도는 55.6원자%, Si-O 결합의 검출 강도 > Si-Si 결합의 검출 강도)를 얻었다(도 3 참조).
그 결과, 현상 후의 결함의 수는 1180개였다.
(실시예 3)
SiO를 스퍼터링법으로 형성할 때의 스퍼터링 가스 중의 산소량을 조정한 것, 및 스퍼터링 후의 열 처리를 행하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 포토마스크 블랭크(에칭 마스크막의 표면의 산소 농도는 71.0원자%, Si-O 결합의 검출 강도 > Si-Si 결합의 검출 강도)를 얻었다.
그 결과, 현상 후의 결함의 수는 30개였다.
(비교예)
열 처리를 행하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 포토마스크 블랭크(에칭 마스크막의 표면의 산소 농도는 52.6원자%, Si-O 결합의 검출 강도 < Si-Si 결합의 검출 강도)를 제작했다.
현상 후에 결함 검사한 결과, 도 5와 같은 다수의 레지스트 잔사가 남았다. 검출된 0.1㎛ 이상의 결함의 수는 4704개로 매우 많았다.
한편, 이때의 SiO의 결합 에너지에 상당하는 강도가 Si-Si의 결합의 강도보다도 작았다(도 3 참조).
특히, 실시예 2와 비교예를 비교해서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 2와 같이 에칭 마스크막의 표면의 산소 농도를 55원자% 이상(또는, Si-O 결합의 검출 강도 > Si-Si 결합의 검출 강도)으로 하는 것에 의해, 55원자% 미만(또는, Si-O 결합의 검출 강도 < Si-Si 결합의 검출 강도)인 비교예보다도 결함수를 1/4 이하로 현저히 저감시키고 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1(산소 농도: 61.5원자%, 결함수: 42개)이나 실시예 3(산소 농도: 71.0원자%, 결함수: 30개)으로부터 알 수 있는 바와 같이, 결함수를 억제함에 있어서는, 상기 산소 농도를 75% 정도로까지 조정하면 충분하다고 할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
1: 본 발명의 포토마스크 블랭크 2: 투명 기판
3: 위상 시프트막 4: 차광막
5: 규소 함유 무기막 6: 레지스트막
7: 접촉면 8: 예비 무기막

Claims (14)

  1. 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 상기 규소 함유 무기막을 형성한 후, 실릴화 처리를 행하고, 그 후, 도포에 의해 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  2. 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 상기 규소 함유 무기막을 형성한 후, 실릴화 처리를 행하고, 그 후, 도포에 의해 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막을 성형할 때, 상기 레지스트막과 접하게 되는 표면에 있어서의 산소 농도를 55원자% 이상 75원자% 이하로 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실릴화 처리에 있어서, 헥사메틸다이실라제인을 이용하여 처리하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막을, 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것으로 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막을, SiO막 또는 SiON막으로 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막을, 상기 투명 기판 상에 규소를 함유하는 무기막을 성막하고 나서 열 처리, 오존 처리, 플라즈마 처리 중 어느 하나의 처리를 행하는 것에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막을, 스퍼터링에 의해 상기 투명 기판 위에 성막하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  9. 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 실릴화 처리된 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크로서,
    상기 규소 함유 무기막은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  10. 투명 기판 위에, 적어도, 규소를 함유하는 실릴화 처리된 규소 함유 무기막을 갖고, 해당 규소 함유 무기막 위에 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크로서,
    상기 규소 함유 무기막은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 X선 광전자 분광법에서의 Si-O의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도가 Si-Si의 결합 에너지에 상당하는 검출 강도보다도 큰 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막은, 상기 레지스트막과 접하는 면에 있어서의 산소 농도가 55원자% 이상 75원자% 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실릴화 처리는, 헥사메틸다이실라제인을 이용한 처리인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막은, 산소, 질소 중 어느 하나 이상을 추가로 함유하는 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 규소 함유 무기막은, SiO막 또는 SiON막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
KR1020140127571A 2013-09-25 2014-09-24 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 KR101917407B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013198585 2013-09-25
JPJP-P-2013-198585 2013-09-25
JPJP-P-2014-159610 2014-08-05
JP2014159610 2014-08-05
JP2014164960A JP6258151B2 (ja) 2013-09-25 2014-08-13 フォトマスクブランクおよびその製造方法
JPJP-P-2014-164960 2014-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150034113A true KR20150034113A (ko) 2015-04-02
KR101917407B1 KR101917407B1 (ko) 2018-11-09

Family

ID=51570251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140127571A KR101917407B1 (ko) 2013-09-25 2014-09-24 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9488906B2 (ko)
EP (1) EP2863258B1 (ko)
JP (1) JP6258151B2 (ko)
KR (1) KR101917407B1 (ko)
CN (3) CN108594593A (ko)
TW (1) TWI615671B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135806A (ko) * 2017-06-13 2018-12-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
KR20190013550A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 블랭크의 제조 방법 및 포토마스크의 제조 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016140044A1 (ja) * 2015-03-04 2016-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
JP6601245B2 (ja) 2015-03-04 2019-11-06 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
JP6523873B2 (ja) * 2015-08-27 2019-06-05 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク
JP6713336B2 (ja) * 2016-04-21 2020-06-24 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法
CN106933023A (zh) * 2017-05-09 2017-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种光罩及玻璃基底的制作方法
JP6819546B2 (ja) * 2017-11-13 2021-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
WO2020138855A1 (ko) * 2018-12-26 2020-07-02 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP7313166B2 (ja) * 2019-03-18 2023-07-24 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP6738935B2 (ja) * 2019-04-26 2020-08-12 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク
JP7303077B2 (ja) * 2019-09-10 2023-07-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク
TWI791990B (zh) * 2020-05-15 2023-02-11 力晶積成電子製造股份有限公司 光罩的形成方法及離子植入罩幕的製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385553A (ja) 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法
JPH0749558A (ja) 1993-08-05 1995-02-21 Sony Corp 位相シフトマスクの作製方法
JP3294976B2 (ja) * 1995-09-29 2002-06-24 ホーヤ株式会社 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
JP4054951B2 (ja) 2001-08-06 2008-03-05 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法
SE0201019D0 (sv) 2002-04-04 2002-04-04 Micronic Laser Systems Ab A mask blank and a method for producing the same
US20040159538A1 (en) * 2003-02-13 2004-08-19 Hans Becker Photo mask blank, photo mask, method and apparatus for manufacturing of a photo mask blank
JP2005055597A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
US7371625B2 (en) * 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US20050196710A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
CN101048857B (zh) * 2004-10-27 2010-10-13 国际商业机器公司 用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复
CN100465353C (zh) * 2004-12-24 2009-03-04 中国科学院兰州化学物理研究所 含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜的制备方法
JP4766507B2 (ja) * 2005-03-30 2011-09-07 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4807739B2 (ja) * 2006-03-30 2011-11-02 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及びフォトマスク
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP4936515B2 (ja) * 2006-05-18 2012-05-23 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2009122566A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Dainippon Printing Co Ltd 低反射型フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
WO2009084516A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Ulvac Coating Corporation マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法及びマスクの製造方法
TWI452419B (zh) * 2008-01-28 2014-09-11 Az Electronic Mat Ip Japan Kk 細微圖案光罩及其製造方法、及使用其之細微圖案形成方法
US8663876B2 (en) 2009-02-13 2014-03-04 Hoya Corporation Photomask blank, method of manufacturing the same, photomask, and method of manufacturing the same
CN101660128A (zh) * 2009-09-27 2010-03-03 南京大学 一种栅电介质材料立方相HfO2薄膜及其制备方法
JP5704754B2 (ja) * 2010-01-16 2015-04-22 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
KR101909222B1 (ko) * 2010-12-09 2018-10-17 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 수산기 함유 카바졸 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
TWI588599B (zh) * 2011-04-06 2017-06-21 Ｈｏｙａ股份有限公司 空白光罩之表面處理方法、以及空白光罩之製造方法、以及光罩之製造方法
JP6005530B2 (ja) * 2013-01-15 2016-10-12 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
KR102211544B1 (ko) 2013-01-15 2021-02-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135806A (ko) * 2017-06-13 2018-12-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
KR20190013550A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 블랭크의 제조 방법 및 포토마스크의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN104460221A (zh) 2015-03-25
TW201527868A (zh) 2015-07-16
EP2863258A2 (en) 2015-04-22
US9709885B2 (en) 2017-07-18
US20170023855A1 (en) 2017-01-26
TWI615671B (zh) 2018-02-21
US20150086908A1 (en) 2015-03-26
US9488906B2 (en) 2016-11-08
EP2863258B1 (en) 2021-06-23
EP2863258A3 (en) 2015-06-03
CN108594593A (zh) 2018-09-28
JP6258151B2 (ja) 2018-01-10
CN110609437A (zh) 2019-12-24
KR101917407B1 (ko) 2018-11-09
JP2016035546A (ja) 2016-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101917407B1 (ko) 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
KR101811096B1 (ko) 포토마스크 블랭크의 제조 방법
JP6594742B2 (ja) フォトマスクブランク及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
US11048158B2 (en) Method for extreme ultraviolet lithography mask treatment
US20050208393A1 (en) Photomask and method for creating a protective layer on the same
KR20170121208A (ko) 포토 마스크 블랭크, 포토 마스크의 제조 방법 및 마스크 패턴 형성 방법
JP6740107B2 (ja) マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
KR20190136960A (ko) 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크
CN111902772A (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
WO2016140044A1 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
TWI824153B (zh) 空白光罩、光罩之製造方法及光罩
JP2017194588A (ja) 表面処理方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法
JP7331793B2 (ja) フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク
JP7254470B2 (ja) 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
CN117769682A (zh) 掩模坯料、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法
JP2011221250A (ja) フォトマスク及びフォトマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant