WO2020138855A1 - 블랭크 마스크 및 포토마스크 - Google Patents

블랭크 마스크 및 포토마스크 Download PDF

Info

Publication number
WO2020138855A1
WO2020138855A1 PCT/KR2019/018175 KR2019018175W WO2020138855A1 WO 2020138855 A1 WO2020138855 A1 WO 2020138855A1 KR 2019018175 W KR2019018175 W KR 2019018175W WO 2020138855 A1 WO2020138855 A1 WO 2020138855A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
light
blank mask
silicon
hard film
Prior art date
Application number
PCT/KR2019/018175
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
신철
이종화
양철규
최민기
신승협
공길우
Original Assignee
주식회사 에스앤에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190026066A external-priority patent/KR102169572B1/ko
Application filed by 주식회사 에스앤에스텍 filed Critical 주식회사 에스앤에스텍
Priority to US17/418,467 priority Critical patent/US20220075258A1/en
Priority to CN201980085968.XA priority patent/CN113227898B/zh
Publication of WO2020138855A1 publication Critical patent/WO2020138855A1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Definitions

  • the present invention relates to a blank mask and a photomask, and more particularly, to a blank mask and a photomask capable of realizing a fine pattern of 32 nm or less, especially 14 nm or less and equipped with a hard film.
  • the blank mask for a hard mask provided with a hard film has the following advantages.
  • the hard film reduces the loading effect that occurs when the hard film pattern is formed due to the thin thickness, and also uses the hard film as an etch mask to load the effect that occurs when the light shielding film pattern is formed thereunder ( Loading Effect) is significantly reduced, and finally, when manufacturing a mask, CD (Critical Dimension) characteristics are improved.
  • the hard film employed in the blank mask is made of chromium (Cr) or chromium compound or made of silicon (Si) or silicon compound.
  • a chromium (Cr) or chromium compound is employed as a hard film material in the binary blank mask, and a silicon (Si) or silicon compound is used as a hard film material in the phase-reverse blank mask. All of the above materials have a characteristic that the etch selectivity to the light-shielding film thereunder is excellent.
  • the silicon (Si)-based hard film has a characteristic that the etching rate is fast when using fluorine (F)-based etching gas (Gas). Due to this, the process window margin is low when forming a hard film pattern. Specifically, due to the fast etching speed, the end point detection (EPD) of the etch end point, the pattern profile, the CD accuracy control There is a problem that the back is difficult.
  • F fluorine
  • Gas fluorine-based etching gas
  • the present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the resolution of a photo mask through appropriate control of a material and a material composition ratio of a hard film, as well as a CD (Critical Dimension) characteristic and process window to be implemented. This is to provide a blank mask and a photomask with improved process window margins. Through this, it is intended to provide a blank mask and a photomask having excellent quality when implementing a pattern of 32 nm or less, particularly 14 nm or less.
  • the blank mask according to the present invention includes a transparent substrate, a light-shielding film formed on the transparent substrate, and a hard film formed on the light-shielding film, wherein the hard film is a silicon compound containing at least one of oxygen, nitrogen, and carbon in silicon. It is characterized by being formed of.
  • the hard film has a silicon content of 50 at% or less and a light element content of 50 at% or more.
  • the hard film has a silicon content of 30 at% or less and a light element content of 70 at% or more.
  • the hard film has an oxygen content of at least 40 at%, preferably the hard film has an oxygen content of at least 50 at%.
  • the hard film has a thickness of 2nm to 20nm.
  • the light-shielding film is composed of chromium, a compound containing chromium and a light element, a compound containing chromium and a metal, or a compound containing chromium and a metal and a light element.
  • the light-shielding film is composed of two or more multilayer films.
  • the light shielding film when the resist film is a positive resist, the light shielding film is configured such that at least one layer of the lower layer compared to the uppermost layer has a faster etch rate than the uppermost layer, and when the resist film is a negative resist, the light shielding film is At least one layer of the lower layer compared to the uppermost layer is configured to have an etch rate slower than that of the uppermost layer.
  • the etch rate of each layer of the light-shielding film is controlled by controlling the content of light elements of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) contained in each layer.
  • a phase inversion film is formed on the transparent substrate.
  • the phase inversion film is composed of a silicon compound or a compound containing silicon and molybdenum.
  • the phase inversion film has a transmittance of 5% to 50% or less with respect to an exposure wavelength of 193 nm, and a phase amount of 170 degrees to 190 degrees.
  • a photomask manufactured using a blank mask having such a configuration is provided.
  • a blank mask and a photomask with improved resolution and improved CD (Critical Dimension) characteristics and Process Window Margin. Accordingly, it is possible to manufacture a blank mask and a photomask having excellent quality when implementing a pattern of 32 nm or less, particularly 14 nm or less.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a phase inverted blank mask according to the present invention.
  • the blank mask according to the present invention is a blank mask provided with a hard film made of silicon or a silicone compound.
  • the hard film of this material is mainly applied to the phase inversion blank mask.
  • the blank mask 200 includes a phase inversion film 104, a light blocking film 106, a hard film 108, and a resist film 112 sequentially stacked on the transparent substrate 102.
  • the hard film 108 is disposed between the light shielding film 106 and the resist film 112 and functions as an etch mask for forming a pattern of the light shielding film 106.
  • the content of silicon in the hard film 108 is preferably 50 at% or less, and more preferably 30 at% or less.
  • the content of the light element is 50at% or more, preferably 70at% or more, and particularly, among the light elements included in the hard film 108, the content of oxygen (O) is 40at% or more, preferably 50at% or more.
  • the hard film 108 is preferably formed of a material having an etch selectivity to the lower light-shielding film 106. Since silicon (Si) has a high etch rate for fluorine-based gas and a slow etch rate for chlorine-based gas, silicon (Si) included in the hard film 108 has 5 at% of etching selectivity for the light-blocking film 106 or more. The content is preferably 10 at% or more.
  • the content of silicon is 50 at% or less, preferably 30 at% or less. Accordingly, the total content of light elements, for example, oxygen, nitrogen, and carbon contained in the hard film 108 is preferably 50 at% to 70 at% or less. In particular, oxygen in the light element is preferably controlled as follows.
  • the hard film 108 should have excellent adhesion to the upper resist film 110, and its importance is increasing as the size of the pattern to be implemented is further refined.
  • the content of oxygen in the hard film 108 made of a silicon compound is 40 at% or less, it exhibits a relatively hydrophilic property, and thus there is a problem in that adhesion to the upper resist film is reduced. Therefore, the content of oxygen contained in the hard film 108 is 40at% or more, preferably 50at% or more, and improves adhesion to the upper resist film.
  • the hard film 108 made of a silicon compound has a characteristic that the etching rate is significantly fast in a fluorine (F)-based gas.
  • the hard film is composed of a thin film of 20 nm or less, preferably 15 nm or less, an end point detection (EPD) of etching has a difficult problem. Therefore, a method of slowing the etching rate when etching the silicon (Si)-based hard film 108 with a fluorine (F)-based gas is required.
  • the present invention proposes a method of slowing the etch rate by lowering the content of silicon (Si) and increasing the content of oxygen (O). Therefore, the content of silicon contained in the hard film 108 is preferably 50 at% or less, and more preferably 30 at% or less. Accordingly, process control can be effectively performed.
  • the hard film 108 configured as described above has a thickness of 2 nm to 20 nm, preferably 5 nm to 15 nm.
  • the thickness is 2 nm or less, it is difficult to control etching when etching, and when it is 20 nm or more, it is possible to control the etching speed, but it is relatively difficult to control the CD due to an increase in loading effect.
  • the hard film 108 may be composed of a single layer or a multilayer of two or more layers, and may have a form of a continuous film or a single film.
  • the hard film 108 is formed through at least one of a physical vapor deposition method (PVD), a chemical vapor deposition method (CVD), and an atomic layer deposition method (ALD), and preferably formed through a sputtering method.
  • PVD physical vapor deposition method
  • CVD chemical vapor deposition method
  • ALD atomic layer deposition method
  • the light-blocking film 106 under the hard film 108 has an optical density of 2.5 to 3.5 at an exposure wavelength of 193 nm.
  • the light-shielding film 106 includes chromium (Cr), silicon (Si), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), zirconium (Zr), and niobium (Nb) ), palladium (Pd), zinc (Zn), chromium (Cr), aluminum (Al), manganese (Mn), cadmium (Cd), tin (Sn), magnesium (Mg), lithium (Li), selenium (Se) ), copper (Cu), hafnium (Hf), tungsten (W) is selected from one or more materials, or is composed of a compound containing at least one light element of oxygen, nitrogen, carbon.
  • the light-shielding film 106 is composed of chromium, a compound containing chromium and a light element, a compound containing chromium and a metal, or a compound containing a chromium and a metal and a light element.
  • the light shielding film 106 may be composed of a single layer or a multilayer of two or more layers, and has a thickness of 30 nm to 70 nm.
  • the light-shielding film 106 is preferably designed as follows, depending on the type of the resist applied to the uppermost part, for example, whether it is a positive resist or a negative resist.
  • one or more layers of the lower layer compared to the uppermost layer are designed to have a faster etching rate than the uppermost layer. Through this, footing can be improved.
  • one or more layers of the lower layer compared to the uppermost layer is designed to have a slow etching rate compared to the uppermost layer. Through this, the undercut can be improved.
  • the etch rate of each layer of the light-shielding film 106 for this purpose can be controlled by controlling the content of light elements of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) contained in each layer.
  • the phase inversion film 104 includes chromium (Cr), silicon (Si), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), zirconium (Zr), and niobium (Nb), palladium (Pd), zinc (Zn), chromium (Cr), aluminum (Al), manganese (Mn), cadmium (Cd), tin (Sn), magnesium (Mg), lithium (Li), selenium It includes one or more materials selected from (Se), copper (Cu), hafnium (Hf), and tungsten (W), or is composed of a compound containing at least one light element among oxygen, nitrogen, and carbon. Preferably, it is composed of a compound containing at least one light element among oxygen, nitrogen, and carbon. Preferably, it is composed of a compound containing at least one light element among oxygen, nitrogen, and carbon. Preferably, it is composed of a compound containing at least one light
  • the phase inversion film 104 has a transmittance of 5% to 50% for an exposure wavelength of 193 nm, and a phase inversion amount of 170 degrees to 190 degrees.
  • the phase inversion film 104 may be manufactured to have a transmittance of 6%, 12%, 18%, 24%, 30%, etc. according to the purpose to be produced.
  • the 175 degrees, 180 degrees, 185 degrees, 190 degrees, etc. it is possible to control the thin film phase amount in consideration of the etch over amount.
  • the phase-reverse blank mask in which the hard film 108 is constituted as described above has a transmittance within 6% to 30%.
  • Example 1 Method of manufacturing a phase inverted blank with a hard film
  • the first embodiment describes a method of manufacturing a phase inverted blank mask and a photomask provided with a hard film.
  • a phase inversion film, a light shielding film, a hard film, and a resist film are sequentially formed on a transparent substrate.
  • the transparent substrate has a concave shape, and when the flatness is defined by TIR (Total Indicated Reading), one having a value of -82 nm was used.
  • the phase inversion film was prepared using a single crystal method.
  • the center value of transmittance was 68% and the center value of phase amount was 205° for 193nm wavelength, and the flatness was measured.
  • the power was applied to form a lower layer film made of a CrCN film having a thickness of 43 nm.
  • Ar:N 2 :NO 3 sccm:10 sccm:5.7 sccm was injected into the process gas, and a process power of 0.62 kW was applied to form an upper layer film made of a CrON film having a thickness of 16 nm, and a light shielding film having a two-layer structure Formed.
  • a SiON film having a thickness of 10 nm was formed.
  • a negative chemical amplification resist was formed to a thickness of 100 nm using a spin coating facility, and finally, a phase-reverse blank mask was produced.
  • PEB Post Exposure Bake
  • F fluorine-based
  • the light shielding film was etched using the hard film pattern as an etch mask to form a light shielding film pattern. Meanwhile, the light shielding film may be etched using a resist film and a hard film as an etch mask.
  • the hard film pattern and the light-shielding film pattern were etched as an etch mask, followed by dry etching of the lower phase inversion film with a fluorine-based (F) gas to form a phase inversion film pattern.
  • F fluorine-based
  • the light-shielding film pattern of the exposed main area excluding the outer circumferential area was removed to finally manufacture the phase inversion photomask.
  • the pure transmittance and phase amount of the phase inversion film pattern of the phase inversion photomask prepared as described above were measured using MPM-193 equipment. As a result, the transmittance at 793 nm wavelength was 72.3%, and the phase amount was 215°. In addition, as a result of observing the pattern profile using TEM, 86° was shown.
  • Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 evaluated the etching rate and chemical resistance while changing the film composition ratio of the hard film in the phase inversion blank mask provided with the hard film, and the results are shown in Table 1 below.
  • Example 2 Example 3 Example 4 Example 5 Comparative Example 1 Comparative Example 2 Sputter Target Si Si Si Si Si Si Si Composition ratio (Si:O:N) 21: 75: 4 23: 74: 3 28: 69: 3 42: 48: 10 53: 0: 47 65: 0: 34 Etch rate when etching fluorine 9.09 ⁇ /sec 9.23 ⁇ /sec 9.52 ⁇ /sec 11.3 ⁇ /sec 15.6 ⁇ /sec 13.5 ⁇ /sec Thickness damage when etching chlorine -4.3 ⁇ -4.8 ⁇ -5.2 ⁇ -8.2 ⁇ -1.2 ⁇ -0.9 ⁇
  • Table 1 shows the etch rate for fluorine-based gas and the thickness damage evaluation for chlorine-based gas according to the composition ratio of the hard film formed on the phase-inversion film blank mask.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

블랭크마스크는 투명기판 상에 형성된 차광막과 하드필름을 구비한다. 하드필름은 실리콘에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 실리콘 화합물로 형성된다. 해상도가 향상되고 구현하고자 하는 CD(Critical Dimension) 특성 및 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)이 향상된 블랭크 마스크 및 포토마스크가 제공된다. 이에 따라 32nm 이하 특히 14nm 이하의 패턴 구현 시 우수한 품질을 가지는 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제작이 가능하게 된다.

Description

블랭크 마스크 및 포토마스크
본 발명은 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 32㎚ 이하, 특히 14㎚ 이하의 미세 패턴 구현이 가능하고 하드필름이 구비된 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것이다.
오늘날 대규모 집적회로의 고집적화에 따라, 회로패턴의 미세화 요구가 끊임없이 이루어지고 있다. 블랭크 마스크의 경우 근래에는 하드 필름(Hard film)이 구비된 하드마스크용 블랭크 마스크가 개발되어 사용되고 있다.
하드필름이 구비된 하드마스크용 블랭크 마스크는 하기와 같은 장점을 가진다. 먼저, 하드필름이 구비됨으로써 그 상부의 레지스트막의 박막화가 가능하고, 이는 해상도(Resolution) 향상에 유효한 역할을 한다. 구체적으로, 레지스트막의 박막화에 따라 전자빔(e-beam) 노광 시 전자(Electron)의 산란(Scattering)이 감소되어, 최종적으로 해상도 향상 및 그 제어가 용이하다. 또한, 하드필름은 얇은 두께로 인해 하드필름 패턴 형성 시 발생하는 로딩 효과(Loading Effect)를 감소시키고 또한 하드필름을 식각 마스크(Etch Mask)로 사용하여 그 하부의 차광막 패턴 형성 시 발생하는 로딩 효과(Loading Effect)를 현저히 감소시켜, 최종적으로 마스크 제조 시 CD(Critical Dimension) 특성이 향상되는 효과를 가져온다.
이러한 블랭크 마스크에 채용되는 하드필름은 크롬(Cr) 또는 크롬 화합물로 제작되거나 실리콘(Si) 또는 실리콘 화합물로 제작된다. 일반적으로, 바이너리 블랭크 마스크에는 크롬(Cr) 또는 크롬 화합물이 하드필름 물질로서 채용되고 있으며, 위상반전 블랭크 마스크에는 실리콘(Si) 또는 실리콘 화합물이 하드필름 물질로서 채용되고 있다. 상기 물질 모두 그 하부의 차광막에 대한 식각 선택비(Etch Selectivity)가 우수하다는 특성을 가진다.
한편, 반도체 기술 발전에 따라, 최근에는 32nm 이하, 14nm 이하, 특히 7nm 이하의 반도체 소자 공정으로 발전하고 있다. 이에 따라 기존에는 고려되지 않았던 다양한 문제점이 제기되고 있다. 예를 들어, 해상도(Resolution)뿐만 아니라, 포토마스크의 품질(Quality), 상세하게는 CD Linearity, LER, CD 제어(Control)를 위한 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)의 확대 등이 요구된다. 이러한 요구 사항과 관련하여, 기존의 하드필름을 적용한 블랭크 마스크, 특히 실리콘 또는 실리콘 화합물로 제작된 하드필름을 적용한 블랭크 마스크는 하기와 같은 문제점을 가진다.
실리콘(Si)계 하드필름은 불소(F)계 식각 가스(Gas) 사용 시 식각 속도가 빠르다는 특성을 가지고 있다. 이로 인해 하드필름 패턴 형성 시 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)이 낮으며, 구체적으로는 빠른 식각 속도로 인해 식각 종점의 확인(EPD : End Point Detection), 패턴 모양(Profile)의 확인, CD 정확도 제어 등이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 하드필름의 물질 및 물질 조성비의 적절한 제어를 통해 포토 마스크의 해상도 향상뿐만 아니라 구현하고자 하는 CD(Critical Dimension) 특성 및 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)이 향상된 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공하는 것이다. 이를 통하여 32nm 이하 특히 14nm 이하의 패턴 구현 시 우수한 품질을 가지는 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 블랭크 마스크는 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성된 차광막, 및 상기 차광막 상에 형성된 하드필름을 포함하며, 상기 하드필름은 실리콘에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 실리콘 화합물로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 하드필름은 실리콘의 함유량이 50at% 이하이고 상기 경원소의 함유량이 50at% 이상이다. 바람직하게는 상기 하드필름은 실리콘의 함유량이 30at% 이하이고 상기 경원소의 함유량이 70at% 이상이다.
상기 하드필름은 산소의 함유량이 40at% 이상이며, 바람직하게는 상기 하드필름은 산소의 함유량이 50at% 이상이다.
상기 하드필름은 2nm 내지 20nm 의 두께를 갖는다.
상기 차광막은 크롬, 크롬과 경원소를 포함하는 화합물, 크롬과 금속을 포함하는 화합물, 또는 크롬과 금속과 경원소를 포함하는 화합물로 구성된다.
상기 차광막은 2층 이상의 다층막으로 구성된다. 이때 상기 레지스트막이 포지티브(Positive) 레지스트인 경우 상기 차광막은 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 상기 최상부층에 비하여 식각 속도가 빠르도록 구성되고, 상기 레지스트막이 네거티브(Negative) 레지스트인 경우 상기 차광막은 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 상기 최상부층에 비하여 식각 속도가 느리도록 구성된다.
상기 차광막의 각 층의 식각 속도는 각 층에 함유된 산소(O), 질소(N), 탄소(C)의 경원소 물질 함량 조절을 통해 제어된다.
상기 투명기판상에는 위상반전막이 형성된다.
상기 위상반전막은 실리콘 화합물 또는 실리콘과 몰리브데늄을 포함하는 화합물로 구성된다.
상기 위상반전막은 193nm의 노광파장에 대하여 5% 내지 50% 이하의 투과율을 가지며, 170도 내지 190도의 위상량을 갖는다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 이러한 구성의 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크가 제공된다.
본 발명에 따르면, 해상도가 향상되고 구현하고자 하는 CD(Critical Dimension) 특성 및 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)이 향상된 블랭크 마스크 및 포토마스크가 제공된다. 이에 따라 32nm 이하 특히 14nm 이하 패턴 구현 시 우수한 품질을 가지는 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제작이 가능하게 된다.
도 1 은 본 발명에 따른 위상 반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 따른 블랭크 마스크는 실리콘 또는 실리콘 화합물로 제작된 하드필름이 구비된 블랭크 마스크이다. 이러한 재질의 하드필름은 주로 위상반전 블랭크 마스크에 적용된다.
블랭크마스크(200)는 투명기판(102)에 순차 적층되는 위상반전막(104), 차광막(106), 하드필름(108) 및 레지스트막(112)을 포함한다. 하드필름(108)은 차광막(106)과 레지스트막(112) 사이에 배치되어, 차광막(106)의 패턴을 형성하기 위한 식각마스크로서 기능한다.
하드필름(108)은 실리콘(Si)에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 하나 이상의 경원소를 포함하는 실리콘 화합물로 구성된다.
특히, 하드필름(108) 내의 실리콘의 함유량은 50at% 이하인 것이 바람직하고, 30at% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 경원소의 함유량은 50at% 이상, 바람직하게는 70at% 이상이며, 특히 하드필름(108)에 포함된 경원소 중에서는 산소(O)의 함유량이 40at% 이상, 바람직하게는 50at% 이상이다.
하드필름(108)은 하부 차광막(106)에 대한 식각 선택비(Selectivity)를 가지는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 실리콘(Si)은 불소계 가스에 식각속도가 빠르고 염소계 가스에 식각속도가 느리므로, 하드필름(108)에 포함되는 실리콘(Si)은 차광막(106)에 대해 10 이상의 식각 선택비를 가지기 위해서 5at% 이상 바람직하게는 10at% 이상의 함유량을 가진다.
한편 실리콘의 함유량이 높으면 식각 속도가 빨라지게 되어, 식각 시 식각 종점을 확인하기 어려운 문제점을 가진다. 따라서, 실리콘의 함유량은 50at% 이하, 바람직하게는 30at% 이하이다. 이에 따라 하드필름(108)에 포함되는 경원소 예를 들어 산소, 질소, 탄소의 총 함유량은 50at% 내지 70at% 이하인 것이 바람직하다. 특히, 상기 경원소 중 산소는 하기와 같이 제어되는 것이 바람직하다.
하드필름(108)은 상부 레지스트막(110)과의 접착력(Adhesion)이 우수해야 하며, 이는 구현하고자 하는 패턴의 크기가 더욱 더 미세화됨에 따라 그 중요성이 높아지고 있다. 실리콘 화합물로 구성되는 하드필름(108)에서 산소의 함유량이 40at% 이하일 경우 상대적으로 친수성 특성을 나타내어 상부 레지스트막과의 접착력이 감소하는 문제점이 있다. 따라서, 하드필름(108)에 포함되는 산소의 함유량은 40at% 이상 바람직하게는 50at% 이상으로 구성되어, 상부 레지스트막과의 접착력을 향상시킨다.
한편, 실리콘 화합물로 구성되는 하드필름(108)은 불소(F)계 가스에 식각 속도가 현저히 빠른 특성을 가진다. 더욱이, 하드필름은 20nm 이하 바람직하게는 15nm 이하의 박막으로 구성됨에 따라 식각 종점 확인(EPD : End Point Detection)이 어려운 문제점을 가진다. 따라서, 실리콘(Si)계 하드필름(108)을 불소(F)계 가스로 식각 할 때 식각 속도를 늦추는 방안이 요구된다. 이를 위하여 본 발명은 실리콘(Si)의 함유량을 낮게 하고 산소(O)의 함유량을 높게 함으로써 식각속도를 느려지게 하는 방안을 제시한다. 따라서, 하드필름(108)에 포함되는 실리콘의 함유량은 50at% 이하가 되도록 하는 것이 바람직하고, 30at% 이하가 되도록 하는 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라 공정 제어(Process Control)가 효과적으로 이루어질 수 있다.
상기와 같이 구성된 하드필름(108)은 2nm 내지 20nm, 바람직하게는 5nm 내지 15nm 의 두께를 가진다. 두께가 2nm 이하일 경우 식각 시 식각 제어가 어려우며, 20nm 이상일 경우 식각 속도 제어는 가능하나 상대적으로 로딩 효과(Loading Effect)가 증가하여 CD 제어가 어려운 문제점을 가진다.
하드필름(108)은 단층 또는 2층 이상의 다층으로 구성할 수 있으며, 연속막 또는 단일막의 형태를 가질 수 있다. 하드필름(108)은 물리적 증착 방법(PVD), 화학적 증착방법(CVD), 원자층 증착방법(ALD) 중 1종 이상의 방법을 통해 형성되며, 바람직하게는 스퍼터링(Sputtering) 방법을 통해 형성할 수 있다.
하드필름(108) 하부의 차광막(106)은 193nm 의 노광 파장에서 2.5 내지 3.5의 광학밀도를 가진다.
차광막(106)은 크롬(Cr), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함되거나, 이 물질에 산소, 질소, 탄소 중 하나 이상의 경원소를 포함하는 화합물로 구성된다. 바람직하게는, 차광막(106)은 크롬, 크롬과 경원소를 포함하는 화합물, 크롬과 금속을 포함하는 화합물, 또는 크롬과 금속과 경원소를 포함하는 화합물로 구성된다.
차광막(106)은 단층 또는 2층 이상의 다층으로 구성할 수 있으며, 30nm 내지 70nm 의 두께를 갖는다.
차광막(106)은 최상부에 적용되는 레지스트의 종류에 따라, 예컨대 포지티브(Positive) 레지스트인지 네가티브(Negative) 레지스트인지 여부에 따라, 그 구성은 하기와 같이 설계하는 것이 바람직하다.
먼저 포지티브(Positive) 레지스트를 이용하여 제작 시 차광막(106)의 패턴 모양을 우수하게 하기 위하여 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 최상부층에 비하여 식각 속도가 빠르도록 설계한다. 이를 통하여 풋팅(Footing)을 개선할 수 있다.
한편, 네가티브 레지스트를 이용하여 제작 시 차광막(106) 패턴 모양을 우수하게 하기 위하여 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 최상부층에 비하여 식각 속도가 느리도록 설계한다. 이를 통하여 언더컷(Undercut)을 개선할 수 있다.
이를 위한 차광막(106)의 각 층의 식각 속도는, 각 층에 함유된 산소(O), 질소(N), 탄소(C)의 경원소 물질 함량 조절을 통해 제어될 수 있다.
위상반전막(104)은 크롬(Cr), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함되거나, 이 물질에 산소, 질소, 탄소 중 하나 이상의 경원소를 포함한 화합물로 구성된다. 바람직하게는, 실리콘 또는 몰리브데늄 실리콘에 산소, 질소, 탄소 등의 경원소를 포함한 화합물로 구성된다.
위상반전막(104)은 193nm 의 노광파장에 대하여 5% 내지 50% 의 투과율을 가지며, 170도 내지 190도의 위상반전량을 가진다. 구체적으로는, 위상반전막(104)은 제작하고자 하는 목적에 따라 그 투과율이 6%, 12%, 18%, 24%, 30% 등이 되도록 제작할 수 있으며, 이에 따른 위상 반전량은 170도, 175도, 180도, 185도, 190도 등으로, 식각 오버량을 고려하여 박막 위상량을 제어할 수 있다. 특히, 상기와 같이 하드필름(108)이 구성되는 위상반전 블랭크 마스크는 6% 내지 30% 이내의 투과율을 가지는 것이 바람직하다.
실시예 1 : 하드필름이 구비된 위상반전 블랭크 제조방법
본 실시예 1은 하드필름이 구비된 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조 방법을 설명한다.
투명 기판 상에 순차적으로 위상반전막, 차광막, 하드필름 및 레지스트막을 형성한다. 투명 기판은 오목한 형태를 갖고, 평탄도를 TIR(Total Indicated Reading)로 정의할 때 그 값이 -82㎚을 갖는 것을 이용하였다.
위상반전막은 단결정 공법을 이용하여 제조하였다. 순도가 7N 이며 보론(B)이 도핑된 실리콘(Si) 타겟을 장착한 매엽식 구조의 DC 마그네트론 스퍼터링(Sputtering) 장치에 공정 가스를 Ar : N2: NO = 5sccm : 5 sccm : 5.3sccm 주입하고, 1.0kW 의 공정 파워를 인가하여 125㎚ 두께를 갖는 SiON 막을 형성하였다. 이와 같이 형성된 위상반전막의 투과율 및 위상량을 n&k Analyzer 3700RT 장비를 이용하여 측정한 결과, 193㎚ 파장에 대하여 투과율 중심값은 68%, 위상량 중심값은 205˚를 나타내었으며, 평탄도를 측정한 결과 볼록한 형태로 +80㎚를 나타내었다. 또한, 위상반전막의 조성비를 AES 장비를 이용하여 분석한 결과, 실리콘 (Si) : 질소(N) : 산소(O) = 16.3at% : 15.6at% : 68.1at% 를 나타내었다.
이후, 진공 급속 열처리 장치를 이용하여 500℃ 의 온도에서 40분 동안 위상반전막에 평탄도 개선을 위한 열처리를 실시하였다. 위상반전막의 스트레스를 측정한 결과 볼록한 형태의 +30㎚ 를 나타내었고, 전체 위상반전막의 스트레스 변화량(Delta Stress)은 +112nm 를 나타내었으며, 열처리 과정을 통해 스트레스 풀림 현상을 확인할 수 있었다.
차광막을 형성하기 위하여, 먼저 크롬(Cr) 타겟을 장착한 매엽식 구조의 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 공정 가스를 Ar : N2 : CH4 = 5 sccm : 12 sccm : 0.8sccm 주입하고, 1.4kW 의 공정 파워를 인가하여 43㎚ 두께를 갖는 CrCN 막으로 이루어진 하층막을 형성하였다. 이후, 공정 가스를 Ar : N2 : NO = 3 sccm : 10 sccm : 5.7sccm 주입하고, 0.62kW의 공정 파워를 인가하여 16㎚ 두께를 갖는 CrON 막으로 이루어진 상층막을 형성하여, 2층 구조의 차광막을 형성하였다.
이후, 차광막에 대하여 광학 밀도 및 반사율을 측정한 결과, 193㎚ 파장의 노광광에 대하여 광학 밀도는 3.10 를 나타내었고, 반사율은 29.6%를 나타내어 차광막으로 사용하기에 문제가 없음을 확인하였다.
하드필름을 형성하기 위하여, 실리콘(Si) 타겟을 장착한 매엽식 구조의 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 공정 가스를 Ar : N2: NO = 7 sccm : 7 sccm : 5sccm 주입하고, 0.7kW의 공정 파워를 인가하여 10㎚ 두께를 갖는 SiON 막을 형성하였다.
그런 다음, 하드필름 상에 HMDS 공정을 실시한 후, 네가티브(Negative) 화학증폭형 레지스트를 스핀 코팅 설비를 이용하여 100㎚ 두께로 형성하여 최종적으로 위상반전 블랭크 마스크 제조를 완료하였다.
상기와 같이 제조된 블랭크 마스크에 노광 공정을 실시한 후, PEB(Post Exposure Bake)를 100도의 온도로 10분 동안 실시하고, 현상하여 레지스트막 패턴을 형성하였다. 이후, 레지스트막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 하부의 하드플름을 불소계(F) 가스로 건식 식각하여 하드필름 패턴을 형성하였다. 이때, 상기 하드필름의 식각 종점을 EPD(End Point Detection) 시스템을 이용하여 측정한 결과 17초를 나타내었다.
상기 레지스트막 패턴을 제거한 후, 하드필름 패턴을 식각 마스크로 하부의 차광막을 식각하여 차광막 패턴을 형성하였다. 한편 차광막은 레지스트막 및 하드 필름을 함께 식각 마스크로 사용하여 식각하여도 무방하다.
하드필름 패턴 및 차광막 패턴을 식각마스크로 하부의 위상반전막을 불소계(F) 가스로 건식 식각하여 위상반전막 패턴을 형성하였다.
이때, 위상반전막 패턴은 EPD 시스템을 이용하여 식각 종점을 분석한 결과, 하부 투명 기판에 대비하여 질소(N) 피크(Peak)를 이용함으로써 식각 종점 구별이 가능함을 확인하였다. 여기서, 하드필름 패턴은 위상반전막 패턴 형성을 위한 식각 시 모두 제거되었다.
위상반전막 패턴이 형성된 투명 기판 상에 2차 레지스트막 패턴을 형성한 후, 외주 영역을 제외한 노출된 메인 영역(Main Area)의 차광막 패턴을 제거하여 최종적으로 위상반전 포토마스크 제조를 완료하였다.
상기와 같이 제조된 위상반전 포토마스크에 대하여 위상반전막 패턴의 순수한 투과율 및 위상량을 MPM-193 장비를 이용하여 측정하였다. 그 결과, 193㎚ 파장에서 투과율은 72.3% 를 나타내었으며, 위상량은 215°를 나타내었다. 또한, 패턴 프로파일을 TEM 을 이용하여 관찰한 결과 86°를 나타내었다.
실시예 2 ~ 5 / 비교예 1, 2 : 하드필름 조성비별 식각속도 평가 결과
실시예 2 ~ 5 및 비교예 1, 2 는 하드필름이 구비된 위상반전 블랭크 마스크에서 하드필름의 막 조성비를 변경하며 식각 속도 및 내약품성을 평가한 것으로서, 그 결과는 하기 표 1 과 같다.
실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 비교예 1 비교예 2
Sputter Target Si Si Si Si Si Si
조성비 (Si:O:N) 21 : 75 : 4 23 : 74 : 3 28 : 69 : 3 42 : 48 : 10 53 : 0 : 47 65 : 0 : 34
불소계 식각 시 식각속도 9.09Å/sec 9.23 Å/sec 9.52 Å/sec 11.3Å/sec 15.6 Å/sec 13.5Å/sec
염소계 식각 시 두께 Damage -4.3 Å -4.8 Å -5.2 Å -8.2 Å -1.2 Å -0.9 Å
표 1 은 위상반전막 블랭크 마스크에 형성되는 하드필름의 조성비에 따른 불소계 가스에 대한 식각속도 및 염소계 가스에 대한 두께 데미지(Damage) 평가 결과를 나타내고 있다.그 결과 먼저, 하드필름에 포함된 산소의 함유량이 낮을수록 식각속도가 증가하는 경향을 나타내었다. 비교예 1, 2의 경우 하드필름 두께가 10nm 일 때 식각 시간이 6초 내지 8초로서, Over Etching 시간을 초 단위로 결정 시 10% 이상의 변화를 나타내어 식각 제어가 어려운 문제점을 나타낸다.

Claims (14)

  1. 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성된 차광막, 및 상기 차광막 상에 형성된 하드필름을 포함하며,
    상기 하드필름은 실리콘에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 실리콘 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드필름은 실리콘의 함유량이 50at% 이하이고 상기 경원소의 함유량이 50at% 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크마스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드필름은 실리콘의 함유량이 30at% 이하이고 상기 경원소의 함유량이 70at% 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크마스크.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 하드필름은 산소의 함유량이 40at% 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 하드필름은 산소의 함유량이 50at% 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드필름은 2nm 내지 20nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 크롬, 크롬과 경원소를 포함하는 화합물, 크롬과 금속을 포함하는 화합물, 또는 크롬과 금속과 경원소를 포함하는 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 2층 이상의 다층막으로 구성되며,
    상기 레지스트막이 포지티브(Positive) 레지스트인 경우 상기 차광막은 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 상기 최상부층에 비하여 식각 속도가 빠르도록 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 2층 이상의 다층막으로 구성되며,
    상기 레지스트막이 네거티브(Negative) 레지스트인 경우 상기 차광막은 최상부층 대비 하부층의 어느 한 층 이상이 상기 최상부층에 비하여 식각 속도가 느리도록 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 차광막의 각 층의 식각 속도는 각 층에 함유된 산소(O), 질소(N), 탄소(C)의 경원소 물질 함량 조절을 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명기판상에 형성되는 위상반전막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 실리콘 화합물 또는 실리콘과 몰리브데늄을 포함하는 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 193nm의 노광파장에 대하여 5% 내지 50% 의 투과율을 가지며, 170도 내지 190도의 위상량을 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  14. 제 1 항에 따른 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크.
PCT/KR2019/018175 2018-12-26 2019-12-20 블랭크 마스크 및 포토마스크 WO2020138855A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/418,467 US20220075258A1 (en) 2018-12-26 2019-12-20 Blankmask and photomask
CN201980085968.XA CN113227898B (zh) 2018-12-26 2019-12-20 空白罩幕以及光罩

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0168941 2018-12-26
KR20180168941 2018-12-26
KR10-2019-0026066 2019-03-07
KR1020190026066A KR102169572B1 (ko) 2018-12-26 2019-03-07 블랭크 마스크 및 포토마스크

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020138855A1 true WO2020138855A1 (ko) 2020-07-02

Family

ID=71129163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/018175 WO2020138855A1 (ko) 2018-12-26 2019-12-20 블랭크 마스크 및 포토마스크

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220075258A1 (ko)
WO (1) WO2020138855A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101617727B1 (ko) * 2015-07-24 2016-05-03 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR20170043858A (ko) * 2015-10-14 2017-04-24 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
KR20170049898A (ko) * 2015-10-29 2017-05-11 주식회사 에스앤에스텍 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP2018005102A (ja) * 2016-07-07 2018-01-11 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
KR20180126810A (ko) * 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0101752B1 (de) * 1982-08-25 1986-08-27 Ibm Deutschland Gmbh Umkehrprozess zum Herstellen von Chrommasken
JP5323526B2 (ja) * 2008-04-02 2013-10-23 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
US20100081006A1 (en) * 2008-05-12 2010-04-01 Main Steel Polishing Company, Inc. Faux stainless steel finish on bare carbon steel substrate and method of making
JP4989800B2 (ja) * 2008-09-27 2012-08-01 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
KR20120068998A (ko) * 2010-10-20 2012-06-28 삼성전자주식회사 포토마스크 및 그 제조 방법
JP6258151B2 (ja) * 2013-09-25 2018-01-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびその製造方法
JP6455979B2 (ja) * 2014-03-18 2019-01-23 Hoya株式会社 レジスト層付ブランク、その製造方法、マスクブランクおよびインプリント用モールドブランク、ならびに転写用マスク、インプリント用モールドおよびそれらの製造方法
KR101504557B1 (ko) * 2014-03-23 2015-03-20 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
KR101670348B1 (ko) * 2016-04-25 2016-10-31 주식회사 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제작되는 포토마스크
JP6900873B2 (ja) * 2016-12-26 2021-07-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6780550B2 (ja) * 2017-03-10 2020-11-04 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP6716629B2 (ja) * 2017-05-18 2020-07-01 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
US20180335692A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-22 S&S Tech Co., Ltd. Phase-shift blankmask and phase-shift photomask
JP6791031B2 (ja) * 2017-06-13 2020-11-25 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6819546B2 (ja) * 2017-11-13 2021-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101617727B1 (ko) * 2015-07-24 2016-05-03 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR20170043858A (ko) * 2015-10-14 2017-04-24 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
KR20170049898A (ko) * 2015-10-29 2017-05-11 주식회사 에스앤에스텍 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP2018005102A (ja) * 2016-07-07 2018-01-11 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
KR20180126810A (ko) * 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20220075258A1 (en) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101688774B1 (ko) 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법
KR101772943B1 (ko) 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR101579848B1 (ko) 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101617727B1 (ko) 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US20180335692A1 (en) Phase-shift blankmask and phase-shift photomask
US11467485B2 (en) Blankmask and photomask for extreme ultraviolet lithography
US20200379337A1 (en) Blankmask and photomask
KR101506888B1 (ko) 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20170043858A (ko) 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
KR20200113553A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101934860B1 (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200137938A (ko) 블랭크마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
WO2020138855A1 (ko) 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200121044A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20170021193A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법
KR101579843B1 (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR102169572B1 (ko) 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101567058B1 (ko) 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101439877B1 (ko) 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크
KR101670348B1 (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제작되는 포토마스크
KR20210147391A (ko) 블랭크마스크 및 포토마스크
KR20170021192A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20130112647A (ko) 블랭크마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
KR101473162B1 (ko) 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200007623A (ko) 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19904869

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19904869

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1