KR20200007623A - 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20200007623A
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Abstract

본 발명에 따른 블랭크 마스크는, 투명 기판 상에 구비된 차광성막 및 상기 차광성막 상에 구비되며, 몰리브데늄크롬(MoCr)을 포함하는 하드마스크막을 포함한다.
이에 따라, 본 발명은 하드마스크막의 에칭 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 플로린(F)계 드라이 에칭에 대한 충분한 에칭 내성을 가지며, 레지스트막에 대한 에칭 부하가 경감되고, 하드마스크막 패턴 및 차광성막 패턴의 LER을 향상시켜 고정밀도의 패턴 전사를 가능한 포토마스크를 형성할 수 있다.

Description

블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법{Blankmask and Photomask and method for fabricating of the same}
본 발명은 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 32㎚급 이하, 특히 14㎚급 이하의 반도체 소자 제작을 위하여 하드마스크막이 구비된 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 대규모 집적회로의 고집적화에 따른 회로패턴의 미세화 요구에 대응하여, 고도의 반도체 미세공정 기술이 매우 중요한 요소로 자리 잡고 있다. 고 집적회로의 경우, 저전력과 고속동작을 위해 회로 배선이 미세화되고 있고, 층간 연결을 위한 컨택홀 패턴(Contact Hall Pattern) 및 집적화에 따른 회로 구성 배치 등에 대한 기술적 요구가 점점 높아지고 있다. 따라서 이러한 요구들을 충족시키기 위해서는 회로 패턴의 원본이 기록되는 포토마스크(Photomask)를 제조함에 있어서도 정밀한 회로 패턴과 함께 고해상도 패턴을 기록할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
상기 고해상도 패턴 구현을 위한 노력의 일환으로 근래에는 하드마스크막을 구비한 블랭크 마스크가 개발되어 적용되고 있다. 상기 하드마스크막을 구비한 블랭크 마스크는 기존의 바이너리 블랭크 마스크, 위상반전 블랭크 마스크와는 달리, 레지스트막과 인접한 하부에 하드마스크막을 구비함으로서 하부 차광성막 패턴 형성을 위한 식각 마스크(Etch Mask)로 레지스트막이 아닌 하드마스크막 패턴을 이용한다.
상기 하드마스크막을 사용하는 블랭크 마스크는 하드마스크막의 두께가 얇아 레지스트막의 박막화가 가능하고 이를 통해 최종적으로 고 해상도(High-Resolution) 구현이 가능하다. 또한, 하드마스크막은 패턴 형성에 필요한 식각 시간이 상대적으로 차광성막 패턴 대비 짧기 때문에 패턴 형성 시 발생하는 로딩 효과(Loading Effect)가 저감되어, 최종적으로 CD 선형성(Linearity)이 향상되는 이점을 가진다.
근래에는 포토마스크의 고해상도 구현뿐만 아니라, 패턴 전사 정확도가 점점 더 부각되고 있다. 이러한 패턴 전사(Printing) 정확도는 포토마스크에 형성된 패턴 가장자리의 거칠기(Line edge Roughness, 이하, LER)에 영향을 받게 되고, 나아가 광학근접 효과 보정(OPC : Optical Proximity Correction)에까지도 영향을 주기 때문에 그 중요성이 점점 더 부각되고 있다.
상기 사항은 하드마스크를 구비한 블랭크 마스크에 있어서도 동일하게 적용되며, 특히, 사용되는 Tech node의 발전, 예를 들어, Logic 14nm Tech에서 Logic 10nm, Logic 7nm 및 이하의 High-tech 적용 시 그 중요성이 점점 더 높아지고 있다.
한편, 최종 패턴의 LER은 노광조건, 레지스트, 박막 물질 및 식각 조건 등 다양한 조건에 영향을 받는다. 그 중, 특히, 최종 패턴의 LER은 최종 패턴의 물질 및 최종 패턴 형성을 위한 상부 식각 마스크의 LER에 많은 영향을 받는다.
종래 하드마스크막을 구비한 바이너리 블랭크 마스크는, 몰리브데늄실리사이드(MoSi)계 차광성막에 크롬(Cr)계 하드마스크막 물질이 적용되고 있다. 이때, 크롬(Cr)계 하드마스크막 물질은 클로린(Cl) 기반의 식각 가스에 식각되며, 식각 속도가 느린 단점을 가진다. 더욱이 크롬(Cr)계의 하드마스크막 물질은 레지스트막의 패턴 모양을 우수하게 하기 위하여 산소(O) 함유량을 감소시키면 식각 속도가 더욱 느려지는 단점을 가진다. 상기와 같은 문제는 최종적으로 크롬(Cr)계 하드마스크 패턴의 LER을 나쁘게 하는 요소로 작용되며, 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 하여 형성되는 차광성막의 LER 또한 나쁘게 하는 요인으로 작용된다. 특히, Low-end Tech에서는 문제가 되지 않지만 High-end Tech, 예를 들어, 7㎚, 5㎚의 공정으로 갈수록 패턴 LER에 따른 전사율 정확도가 감소하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 하드마스크를 구비하는 바이너리 블랭크 마스크에 있어서, 하드마스크막 패턴의 LER을 향상시켜 최종적으로 차광막 패턴의 LER이 우수한 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 32㎚급 이하, 특히 14㎚급 이하의 패턴을 구현할 수 있는 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 블랭크 마스크는, 투명 기판 상에 구비된 차광성막 및 상기 차광성막 상에 구비되며, 크롬(Cr) 및 1종 이상의 금속을 포함하는 하드마스크막 을 포함한다.
상기 금속은 Mo, Ti, Zr, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, Al, Mg, Li, Se 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한다.
상기 하드마스크막은 금속 및 크롬(Cr)의 단독, 금속 및 크롬(Cr)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함한다.
상기 하드마스크막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 단독, 몰리브데늄크롬(MoCr)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함한다.
상기 하드마스크막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟을 이용하여 형성하며, 상기 타겟은 Mo : Cr = 0.1at% : 99.9at% ∼ 30at% : 70at%인 조성비를 갖는다.
상기 하드마스크막에 구비된 금속은 0.1at% ∼ 30at%의 함유량을 갖는다.
상기 하드마스크막은 금속과 크롬(Cr)의 조성 비율(M/Cr)이 1/1000 ∼ 1/5이다.
상기 차광성막은 몰리브데늄실리사이드(MoSi)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 적어도 1종 이상의 물질을 포함하여 이루어진다.
본 발명은 하드마스크를 구비하는 블랭크 마스크에 있어서, 하드마스크막 물질을 몰리브데늄크롬(MoCr)의 단독 또는 몰리브데늄크롬(MoCr) 화합물로 형성한다.
이를 통해, 본 발명은 하드마스크 패턴의 LER을 향상시켜, 최종적으로 차광막 패턴의 LER을 우수하게 할 수 있으며, 이를 통해 제조된 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 전사 시 고정밀도 패턴 전사 정확도를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명은 32㎚급 이하, 특히 14㎚급 이하의 패턴을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102) 상에 순차적으로 구비된 차광성막(108), 하드마스크막(110) 및 레지스트막(112)을 포함한다.
투명 기판(102)은 6inch × 6inch × 0.25inch(가로 × 세로 ×두께)의 크기를 가지며, 200㎚ 이하의 노광 파장에서 90% 이상의 투과율을 갖는다.
차광성막(108) 및 하드마스크막(110)은 물리적 또는 화학적 증착 방법을 이용한 다양한 방법으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, CVD(Chemical Vapor Deposition), DC Sputtering, DC Magnetron Sputtering, RF Sputtering, 이온빔 Sputtering 중에서 선택되는 어느 것을 사용하여도 무방하다. 또한, 스퍼터링 방식으로는 단일 타겟 또는 복수의 타겟을 동시에 장착하여 성막할 수 있다.
차광성막(108)은 단층 또는 2층 이상의 다층 구조로 형성이 가능하며, 2층 구조의 경우, 차광층(104) 및 반사방지층(106)으로 구분할 수 있다.
차광성막(108)을 형성되는 물질은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, Al, Mg, Li, Se 중에서 선택된 1종 이상의 금속과 실리콘(Si)을 포함하는 금속실리사이드 화합물로 이루어지거나, 상기 금속실리사이드 화합물에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 적어도 1종 이상의 물질을 더 포함하여 형성된다.
바람직하게, 차광성막(108)은 몰리브데늄실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어지고, 적어도 질소(N)를 포함한 물질로 구성되는 것이 우수하다. 예를 들어, 차광층(104)은 몰리브데늄 실리사이드 질화물(MoSiN)으로 구성되고, 반사방지층(106)은 몰리브데늄 실리사이드 질화물(MoSiN) 또는 몰리브데늄 실리사이드 산화 질화물(MoSiON)등으로 구성될 수 있다.
차광성막(108)은 30㎚ 내지 70㎚의 두께를 가지며, 바람직하게, 35㎚ 내지 60㎚의 두께를 갖는다. 차광성막(108)은 최종 패턴이 형성되는 부분으로서, 소정의 광학밀도(Optical Density)가 요구된다. 따라서, 차광성막의 두께가 30㎚ 이하일 경우 광학 밀도를 만족하기 어려우며, 70㎚ 이상일 경우 두께에 의해 발생하는 3D 효과 (가로 x 세로 x 두께 ; 두께에 의한 패턴 전사 에러)가 발생하는 문제점이 발생한다.
차광성막(108)은 193㎚의 노광광에 대해 2.5 ∼ 3.5의 광학 밀도를 가지며, 광학 밀도의 균일도가 142mm2 영역에서 0.1 이내의 분포를 갖는다.
차광성막(108)은 스트레스(Stress)를 TIR로 정의할 때, 투명 기판(102) 대비 TIR 변화율은 200㎚이하, 바람직하게는 100㎚ 이하를 가진다.
차광성막(108)은 성막 후, 추가적으로 진공 또는 반응성 산화 가스, 질화 가스 중 선택되는 1종 이상의 이용한 가스 분위기에서 이온 플레이팅(Ion plating), 이온 빔(Ion-beam), 플라즈마 표면처리, 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP) 장치, 진공 핫-플레이트(Vacuum Hot-plate Bake) 장치 및 퍼니스(Furnace)를 이용하여 처리를 수행할 수 있다.
하드마스크막(110)은 블랭크 마스크(100)를 이용한 포토마스크 제조 공정 시 하부에 배치되는 차광성막(108)에 대한 식각 마스크로 사용된다. 이를 위해, 하드마스크막(110)은 차광성막(108)에 대하여 10 이상, 바람직하게는 30 이상의 건식 식각 선택비를 가지며, 2㎚ ∼ 20㎚, 바람직하게는 3㎚ ∼ 10㎚의 두께를 갖는다.
하드마스크막(110)을 구성하는 물질은 Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, Al, Mg, Li, Se 중에서 선택된 1종 이상의 금속과 크롬(Cr)을 포함하는 크롬금속(M)의 단독으로 이루어지거나, 상기 크롬금속(M)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 적어도 1종 이상의 물질을 더 포함하여 형성된다.
하드마스크막(110)은, 바람직하게, 크롬몰리브데늄(CrMo) 또는 MoCrN, MoCrO, MoCrC, MoCrCN, MoCrCO, MoCrON, MoCrCON 등의 크롬몰리브데늄(CrMo) 화합물 중 하나로 이루어진다.
하드마스크막(110)에 포함되는 몰리브데늄(Mo)과 크롬(Cr)의 조성 비율을 Mo/Cr로 나타날 때 그 범위는 1/1000 ∼ 1/5인 것이 바람직하다.
하드마스크막(110)에 포함된 몰리브덴늄(Mo)의 조성비는 0.1at% ∼ 30at%, 바람직하게, 5at% ∼ 20at%의 함유량을 가지며, 0.1at% 미만의 경우, 몰리브데늄(Mo)의 함유량이 낮아 식각 속도의 향상이 어려워 최종적으로 패턴 LER 향상이 낮고, 30at% 초과할 경우 세정 내성 및 하부 차광성막 식각 시 식각 선택비(Selectivity)가 낮아지는 문제점을 가진다.
하드마스크막(110)은 몰리브데늄크롬(MoCr) 단일 타겟 또는 몰리브데늄(Mo)과 크롬(Cr)을 포함하는 복수의 타겟을 이용하여 형성할 수 있으며, 단일 타겟은 Mo : Cr = 0.1at% : 99.9at% 내지 30at% : 70at%인 조성비를 갖는다.
하드마스크막(110)은 단층 구조, 몰리브데늄(Mo) 함량을 조절한 2층 이상의 구조 및 연속막 구조로 설계할 수 있으며, 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 1종 이상의 물질이 상이한 조성을 가지는 2층 이상의 구조 및 연속막 구조를 가질 수도 있다.
하드마스크막(110)은 포토마스크의 제조 공정시, 차광막 패턴의 형성이 완료 된 후 선택적으로 제거될 수 있다.
레지스트막(112)은 화학증폭형 레지스트를 이용하여 스핀 코팅(Spin Coating)하여 형성되며, 40㎚ ∼ 150㎚의 두께를 갖는다.
(실시예)
실시예 : 블랭크 마스크 및 포토마스크 제조
본 실시예는 하드마스크막을 MoCr 화합물로 형성되는 바이너리 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조에 관하여 개시한다.
먼저, 도 1을 참조하여, 6inch × 6inch × 0.25inch(가로 × 세로 ×두께)의 크기를 가지며, 300㎚ 이하의 평탄도(TIR)와 복굴절이 2㎚/6.35㎜로 제어된 투명 기판(102)을 준비하였다.
이후, DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 MoSi[10at% : 90at%] 합성 타겟을 장착하고, 공정 가스로 Ar : N2 = 7sccm : 3sccm 주입하며, 0.7kW의 공정 파워를 인가하여 MoSiN으로 이루어진 차광층(104)을 형성한다. 이후, 공정 가스로 Ar : N2 = 7.0sccm : 6.5sccm 주입하고, 0.6kW의 공정 파워를 인가하여 MoSiN으로 이루어진 반사방지층(106)을 형성하여, 최종적으로 차광성막(108)의 제조를 완료하였다. 여기서, 차광성막(108)에 대한 광학 밀도 및 반사율을 193nm 파장에서 측정한 결과, 2.95의 광학 밀도와 33.5%의 반사율을 나타내었다. 그리고, XRR 장비를 이용한 두께 측정 결과, 차광성막(108)은 47.5nm의 두께를 나타내었다.
이후, 차광성막(108)에 대하여 진공 급속 열처리 장치(Vacuum RTP)를 이용하여 350℃의 온도에서 20분간 열처리를 실시하였다.
이어서, 차광성막(108) 상에 MoCr[5at% : 95at%] 타겟을 이용하고, 공정 가스로 아르곤(Ar) 가스를 8sccm 주입하며, 0.7kW의 공정 파워를 인가하여 4nm 두께의 MoCr 하드마스크막(110)을 성막하였다.
그런 다음, 하드마스크막(110) 상에 화학증폭형 레지스트막(112)을 100nm의 두께로 스핀 코팅하여 최종적으로 바이너리 블랭크 마스크(100)를 제조 완료하였다.
상기와 같이 제조된 블랭크 마스크(100)에 대하여 노광 및 현상을 통하여 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 레지스트막 패턴을 식각 마스크로 하드마스크막을 클로린(Cl) 기반의 가스로 식각하여 하드마스크막 패턴을 형성하였다. 이때, EPD(End Point Detection) 장치를 이용하여 하드마스크막의 식각 속도를 측정한 결과 1.2Å/sec을 나타내었으며, 과도 식각(Over Etching) 100%를 적용하여 하드마스크막 패턴 형성을 완료하였다.
어어서, 상기 레지스트막 패턴을 제거한 후, 하드마스크막 패턴을 식각마스크로 하부 차광성막을 플로린(F) 기반의 가스로 식각하였다. 이때, 상기 차광성막은 측정 결과 15.3Å/sec의 식각 속도를 나타내었으며, 60% 과도 식각을 실시하여 차광성막 패턴 형성을 완료하였다.
이후, 상기 하드마스크 패턴을 제거한 후 최종적으로 포토마스크 제조를 완료하였다.
비교예 : 블랭크 마스크 및 포토마스크 제조
본 비교예에서는 상술한 실시예에 대비하여 하드마스크막 물질로 Cr 박막을 형성하였다.
비교예에 따른 블랭크마스크는 상술한 실시예와 동일하게 MoSiN으로 이루어진 차광성막을 형성한 후, Cr 타겟을 이용하고, 공정 가스로 아르곤(Ar) 가스를 8sccm 주입하며, 0.7kW의 공정 파워를 인가하여 4nm 두께의 Cr 하드마스크막을 성막하였다.
이후, 화학증폭형 레지스트를 100nm의 두께로 스핀코팅하여 최종 블랭크 마스크를 완료하였다.
상기와 같이 제조된 블랭크 마스크(100)에 대하여 노광 및 현상을 통하여 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 레지스트막 패턴을 식각 마스크로 하드마스크막을 클로린(Cl) 기반의 가스로 식각하여 하드마스크막 패턴을 형성하였다. 이때, EPD 장치를 이용하여 하드마스크막의 식각 속도를 측정한 결과 0.7Å/sec을 나타내었다.
이후, 실시예와 동일하게 하드마스크막 패턴을 이용하여 하부 차광성막을 식각한 후 하드마스크막 패턴을 제거하여 포토마스크 제조를 완료하였다.
LER 측정 - I : 차광성막 패턴
상술한 실시예 및 비교예에 따라 형성된 패턴의 LER을 측정하였다. 상기 LER 측정은 하드마스크막 패턴 및 차광성막 패턴에 대하여 7 X 7 Point에 대하여 측정하였으나. 하드마스크막 패턴은 실측이 되지 않아, 차광막에 대하여 측정하였다.
상기 LER 측정 결과, 실시예에 따라 형성된 차광성막 패턴은 LER이 2.1㎚를 나타내었으며, 비교예의 차광성막 패턴은 3.8㎚를 나타내어 실시예에 따른 MoCr 하드마스크막 물질 적용에 따른 차광성막 패턴의 LER이 비교예에 대비하여 약 60% 이상 개선되는 결과를 나타내었다.
LER 측정 - Ⅱ: 하드마스크막 패턴
상술한 LER 측정 - I에서와 같이, 하드마스크막 패턴의 LER 측정이 어려운 점을 고려하여, 실시예 및 비교예의 하드마스크막의 두께를 30nm로 형성한 후, 패터닝 공정을 진행하고 LER을 측정하였다.
상기 LER 측정 결과, 실시예에 따라 형성된 하드마스크막 패턴은 LER이 2.5㎚를 나타내었으며, 비교예의 하드마스크막 패턴은 4.5㎚를 나타내어 실시예에 따른 MoCr 하드마스크막의 LER이 비교예에 대비하여 약 50% 이상 개선되는 결과를 나타내었다.
하드마스크막의 조성별 식각 속도 평가
본 발명에 따른 하드마스크막의 식각 속도를 평가하기 위하여 하드마스크막의 조성을 달리하여 성막하고 평가하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예
타겟 조성
(Mo : Cr)		 5:95 10:90 20:80 0:100
(Only Cr)
조성비 Mo : Cr
3at% : 97at%		 Mo : Cr
8at% : 92at%		 Mo : Cr
16at% : 84at%		 Cr
100at%
식각속도 1.2Å/sec 1.35Å/sec 1.47Å/sec 0.7Å/sec
표 1을 참조하여, 본 실시예 1 내지 3은 MoCr 타겟에 포함된 몰리브데늄(Mo)의 함유량을 증가시켜 하드마스크막에 몰리브데늄(Mo)의 함유량이 증가하도록 형성하였으며, 그 결과, 몰리브데늄(Mo)이 증가할수록 식각 속도가 증가하는 것을 확인할 수 있었다.
이에 반해, 비교예는 크롬(Cr) 막으로 형성하였으며, 식각 속도는 0.7Å/sec을 나타내어, 몰리브데늄크롬(MoCr)으로 이루어진 하드마스크막에 대비하여 상대적으로 식각 속도가 느린 것을 확인하였다.
이상에서와 같이, 본 발명은 하드마스크막을 몰리브데늄크롬(MoCr) 단독 또는 몰리브데늄크롬(MoCr) 화합물로 형성함에 따라, 에칭 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 플로린(F)계 드라이 에칭에 대한 충분한 에칭 내성을 가지며, 이에 따라 레지스트에 대한 에칭 부하가 경감되고, 하드마스크막 패턴 및 차광성막 패턴의 LER을 향상시켜 고정밀도의 패턴 전사를 가능한 포토마스크를 형성할 수 있음을 확인 할 수 있었다.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
100 : 바이너리 블랭크 마스크
102 : 투명기판
108: 차광성막
110 : 하드마스크막
112 : 레지스트막

Claims (11)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 구비된 차광성막; 및
    상기 차광성막 상에 구비되며, 크롬(Cr) 및 1종 이상의 금속을 포함하는 하드마스크막; 을
    포함하는 블랭크 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속은 Mo, Ti, Zr, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, Al, Mg, Li, Se 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 금속 및 크롬(Cr)의 단독, 금속 및 크롬(Cr)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 단독, 몰리브데늄크롬(MoCr)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟을 이용하여 형성하며, 상기 타겟은 Mo : Cr = 0.1at% : 99.9at% ∼ 30at% : 70at%인 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 2nm ∼ 20nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막에 구비된 금속은 0.1at% ∼ 30at%의 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 금속과 크롬(Cr)의 조성 비율(M/Cr)이 1/1000 ∼ 1/5인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드마스크막은 단층 구조, 조성 또는 조성비가 상이한 연속막 구조 또는 2층 이상의 다층막 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광성막은 몰리브데늄실리사이드(MoSi)에 산소(O), 탄소(C), 질소(N) 중 적어도 1종 이상의 물질을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 블랭크 마스크에 의해 제조된 포토 마스크.
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