KR101579843B1 - 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 블랭크 마스크를 구성하는 차광성막의 일정 차광성을 확보함과 동시에 식각 시간이 짧아지도록 구성하여 레지스트막의 두께를 박막화 할 수 있는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 레지스트막의 두께를 박막화하여 패턴 붕괴를 방지할 수 있고, 32㎚급 이하, 특히, 14㎚급, 10㎚급 이하의 미세 패턴의 구현이 가능하여 우수한 해상도를 갖는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제조할 수 있다.

Description

위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크{Phase shift blank mask and Photomask}
본 발명은 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 32㎚급 이하, 특히, 14㎚급 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚급 이하의 미세패턴 구현이 가능한 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것이다.
오늘날 대규모 집적회로의 고집적화에 수반하는 회로패턴의 미세화 요구에 맞춰, 고도의 반도체 미세공정 기술이 매우 중요한 요소로 자리 잡고 있다. 고집적회로의 경우 저전력, 고속동작을 위해 회로 배선이 미세화되고 있고, 층간 연결을 위한 컨택트 홀 패턴(Contact Hall Pattern) 및 집적화에 따른 회로 구성 배치 등에 대한 기술적 요구가 점점 높아지고 있다. 따라서 이러한 요구들을 충족시키기 위해서는 리소그래피 기술의 한 분야인 포토마스크의 제조에 있어서도, 상기 미세화를 수반하고, 보다 정밀한 회로 패턴을 기록할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
이러한 리소그래피 기술은 반도체 회로 패턴의 해상도 향상을 위해 차광성막을 이용한 바이너리 블랭크 마스크 (Binary Intensity Blankmask), 위상반전막을 이용한 위상반전 블랭크 마스크 (Phase Shifting Blankmask)가 상용화되었으며, 하드 필름과 차광성막을 가지는 하드 마스크용 바이너리 블랭크 마스크 (Hardmask Binary Blankmask)가 개발되었다.
이 중, 위상반전 블랭크 마스크는 투명 기판과 위상반전부를 투과하는 노광광 사이에 소정의 위상 차(예를 들면, 170° 내지 190°)를 발생시켜 광의 간섭 작용을 이용하는 마스크로써, 전사 패턴의 해상도를 향상시킬 수 있어 반도체 디바이스의 제조에 적용 가능한 기술로 주목받고 있다.
종래 위상반전 블랭크 마스크는 투명 기판 상에 위상반전막, 차광층 및 반사방지층으로 구성된 차광성막과 레지스트막이 적층된 구조로 형성되었다. 차광성막 중 차광층은 일정 차광성 확보를 위하여 질화크롬(CrN)으로 형성되며, 반사방지층은 막의 표면 반사율을 낮추기 위해 산화질화크롬(CrON)으로 형성되어 전체 차광성막은 약 550Å ∼ 650Å의 두께를 갖는다. 레지스트막은 상기 차광성막의 식각 마스크 역할을 위하여 2000Å ∼ 3000Å의 두께로 형성되었다.
상기와 같이 두꺼운 두께로 형성된 레지스트막은 패턴 형성 시 로딩 효과(Loading Effect)에 의해 임계 치수(Critical Dimension) 편차를 발생시키고, 최종적으로 패턴 결함의 요인으로 작용하며, 상기 로딩 효과를 효과적으로 억제하기 위해서는 레지스트막의 박막화가 필요하다. 상기 레지스트막을 박막화 하는 방법으로는 하부에 위치한 식각 대상막(차광성막)의 두께를 얇게 하거나, 또는, 식각 대상막(차광성막)의 식각 속도를 빠르게 하는 방법이 있다. 그러나, 종래 위상반전 블랭크 마스크에서 레지스트막의 박막화를 위하여 차광성막의 두께를 얇게 형성하는 경우, 차광성막에 필요한 차광성을 확보하기 어려워 박막화가 어렵다.
본 발명은 차광성막의 식각 속도를 향상시킬 수 있는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 발명은 레지스트막의 두께를 박막화하여 레지스트 패턴의 붕괴를 방지할 수 있고, 미세 패턴의 구현이 가능하여 우수한 패턴 정확도를 확보할 수 있는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다.
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크는 투명 기판 상에 위상반전막 및 차광성막을 구비하고, 상기 차광성막은 제1차광층 및 제2차광층으로 구성되며, 그 중 상기 제1차광층은 전체 차광성막 두께의 50% ∼ 95%를 차지한다.
상기 차광성막은 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는, 상기 물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어진다.
상기 제1차광층 및 제2차광층은 조성 또는 조성비를 상이하게 갖는다.
상기 차광성막은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 더 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어지며, 상기 제1차광층은 산소(O)를 필수적으로 포함하며, 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 5at% ∼ 50at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖고, 상기 제2차광층은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖는다.
또한, 상기 차광성막은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 더 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어지며, 상기 제1차광층 및 제2차광층은 산소(O)를 필수적으로 포함하며, 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 1at% ∼ 50at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖는다.
상기 제1차광층 및 제2차광층이 산소(O)를 필수적으로 포함하는 경우, 상기 제1차광층은 상기 제2차광층과 4at% ∼ 49at%의 산소(O) 함유량 차이를 갖는다.
상기 차광성막은 400Å ∼ 650Å의 두께를 갖는다.
상기 위상반전막은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어지며, 상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)이 1at% ∼ 10at%, 실리콘(Si)이 30at% ∼ 70at%, 붕소(B)가 0 ∼ 5at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%의 함유량을 갖는다.
상기 위상반전막은 300Å ∼ 700Å의 두께를 갖는다.
상기 위상반전막은 193㎚ 또는 248㎚의 노광광에 대하여 3% ∼ 10%의 투과율을 갖고, 20% ∼ 30%의 반사율을 갖는다.
상기 위상반전막 및 차광성막의 적층 구조에서 193㎚ 또는 248㎚의 노광 파장에 대하여 2.5 ∼ 3.5의 광학 밀도를 갖고, 20% ∼ 40%의 표면 반사율을 갖는다.
상기 차광성막 상에 구비된 하드 필름을 더 포함하며, 상기 하드 필름은 크롬(Cr), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나 또는 상기 1종 이상의 물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어진다.
상기 하드 필름은 2㎚ ∼ 10㎚의 두께를 갖는다.
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 위상반전 포토 마스크를 제조할 수 있다.
본 발명은 차광성막의 차광성을 확보함과 동시에 식각 속도를 향상시켜 레지스트막의 두께를 박막화 할 수 있는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 레지스트막의 두께를 박막화하여 패턴 붕괴를 방지할 수 있고, 32㎚급 이하, 특히, 14㎚급, 10㎚급 이하의 미세 패턴의 구현이 가능하여 우수한 해상도를 갖는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102), 투명 기판(102) 상에 순차적으로 적층된 위상반전막(104), 차광성막(110) 및 레지스트막(114)을 포함한다.
투명 기판(102)은 석영유리, 합성 석영유리, 불소 도핑 석영유리로 구성된다. 투명 기판(102)의 평탄도는 상부에 형성되는 어느 하나의 박막, 예를 들어, 위상반전막(104), 차광성막(110)등의 평탄도에 영향을 미치게 됨에 따라 성막되는 면의 평탄도를 TIR(Total Indicated Reading) 값으로 정의할 때 그 값이 142㎟ 영역에서 300㎚ 이하, 바람직하게는 200㎚ 이하로 제어된다.
위상반전막(104)은 광학 특성을 유지함과 동시에 두께의 박막화를 위하여 높은 굴절률 및 소멸 계수를 갖는 물질로 형성된다.
이를 위해, 위상반전막(104)은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어지며, 예를 들어, MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiC, MoSiB, MoSiH, MoSiON, MoSiCN, MoSiBN, MoSiNH, MoSiBO, MoSiCO, MoSiOH, MoSiBC, MoSiCH, MoSiBH, MoSiCON, MoSiBON, MoSiNOH, MoSiBCN, MoSiBOC, MoSiBCH, MoSiBOH, MoSiCOH, MoSiBNH, MoSiCNH, MoSiBCON, MoSiBCNH, MoSiBCOH, MoSiBNOH, MoSiCNOH, MoSiBCNOH 중 하나로 이루어진다.
위상반전막(104)은 요구되는 투과율 및 위상반전량을 만족시키기 위하여 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si) 및 이에 포함되는 상기 경원소의 조성비를 조절하여 형성하며, 위상반전막(104)은 몰리브데늄(Mo)이 1at% ∼ 10at%, 실리콘(Si)이 30at% ∼ 70at%, 붕소(B)가 0 ∼ 5at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%의 함유량을 갖는다.
위상반전막(104)은 193㎚ 또는 248㎚의 노광 파장에 대하여 3% ∼ 10%의 투과율을 갖고, 170° ∼ 190°의 위상반전량을 가지며, 20% ∼ 30%의 반사율을 갖는다. 위상반전막(104)은 300Å ∼ 700Å의 두께를 갖고, 바람직하게 500Å ∼ 650Å의 두께를 갖는다.
위상반전막(104)은 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 타겟 또는 몰리브데늄 실리사이드 보론(MoSiB) 타겟을 이용하여 형성된다. 이때, 상기 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 타겟은 Mo : Si = 1at% ∼ 10at% : 90at% ∼ 99at%의 조성비를 가지며, 바람직하게는, Mo : Si = 1at% ∼ 6at% : 94at% ∼ 99at%의 조성비를 갖는다. 몰리브데늄 실리사이드 보론(MoSiB) 타겟을 이용하는 경우, 상기 타겟은 Mo : Si : B = 1at% ∼ 10at% : 80at% ∼ 98at% : 1at% ∼ 10at%의 조성비를 갖는다.
위상반전막(104)은 단층 또는 2층 이상의 다층막 구조로 형성할 수 있으며, 위상반전막(104)은 단일막, 조성비가 상이한 다층막 또는 조성비가 연속적으로 변화되는 연속막의 형태로 형성할 수 있다. 위상반전막(104)은 예를 들어, 약 600Å 두께의 질화 몰리브데늄 실리사이드(MoSiN) 막 상에 약 50Å 두께의 산화 질화 몰리브데늄 실리사이드(MoSiON) 막을 순차적으로 적층하여 2층 막으로 형성할 수 있으며, 또한, 질화 몰리브데늄 실리사이드(MoSiN)를 600Å 또는 550Å의 두께로 적층한 단일막 구조로 형성 가능하다.
위상반전막(104)은 선택적으로 100℃ ∼ 500℃로 열처리하여 내약품성 및 평탄도를 조절할 수 있다.
차광성막(110)은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 경원소 물질을 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어지며, 차광성을 유지하면서 식각 속도를 빠르게 하기 위하여 상기 크롬(Cr) 및 경원소 물질의 함유량을 조절할 수 있다.
차광성막(110)은 제1차광층(106) 및 제2차광층(108)의 2층 구조를 갖는다. 제1차광층(106)은 주로 광학 밀도(OD; Optical Density)를 조절하기 위한 역할로 사용되고, 제2차광층(108)은 광학 밀도를 보강하는 역할을 한다. 즉, 제1차광층(106) 만으로 광학 밀도를 조절하는 경우, 차광성막(110)에 요구되는 광학 특성을 맞추기 위하여 두께가 두꺼워지는 문제점이 발생하므로, 제2차광층(108)을 형성하여 제1차광층에 필요한 광학 밀도를 보충할 수 있도록 한다.
차광성막(110)은 450Å ∼ 700Å의 두께를 갖고, 바람직하게, 500Å ∼ 650Å의 두께를 가지며, 제1차광층(106)은 광학 밀도 조절을 위하여 전체 차광성막(110) 두께의 50% ∼ 95%에 해당하는 두께를 갖고, 바람직하게는, 70% ∼ 90%에 해당하는 두께를 갖는다.
제1차광층(106)은 차광성막(110) 전체 두께 중 대부분의 두께를 차지함에 따라 양호한 단면 경사의 패턴을 형성하기 위하여 제2차광층(116)보다 빠른 식각 속도를 가져야하며, 이를 위해, 제1차광층(106)은 산소(O)를 필수적으로 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어진다. 이때, 제1차광층(106)은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 5at% ∼ 50at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 가지며, 상기 산소(O)는, 바람직하게, 10at% ∼ 50at%의 함유량을 가지며, 더욱 바람직하게, 10at% ∼ 20at%의 함유량을 갖는다. 제1차광층(106)은, 바람직하게, CrO, CrON, CrCN, CrCON 중 하나로 이루어진다.
제2차광층(108)은 박막화 및 차광성 확보를 위해 산소(O)를 포함하지 않도록 구성될 수 있으나, 차광성 확보 및 식각 속도의 개선을 위하여 산소(O)를 소량 포함하여 구성될 수 있다. 즉, 제2차광층(108)이 산소(O)를 포함하는 경우, 일정 차광성 확보를 위하여 산소(O)를 포함하지 않는 경우에 비해 막의 두께가 두꺼워질 수 있으나, 식각 속도가 빨라지므로 식각 시간 및 레지스트막 두께의 박막화에 있어서는 유사한 효과가 발생한다.
제2차광층(108)은 산소(O)를 포함하지 않도록 구성되는 경우, 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 가지며, 상기 크롬(Cr)은, 바람직하게, 30at% ∼ 60at%의 함유량을 가지며, 더욱 바람직하게, 40at% ∼ 50at%의 함유량을 갖는다.
또한, 제2차광층(108)이 산소(O)를 포함하도록 구성되는 경우, 제2차광층(108)은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 1at% ∼ 20at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 가지며, 상기 크롬(Cr)은, 바람직하게, 30at% ∼ 60at%의 함유량을 가지며, 더욱 바람직하게, 40at% ∼ 50at%의 함유량을 갖는다. 이때, 제1차광층(106)은 제2차광층(108)과 4at% ∼ 49at%의 산소(O) 함유량 차이를 갖는다. 여기서, 제2차광층(108)의 산소(O) 함유량이 20at%를 초과하는 경우, 위상반전막(104)의 식각에 사용되는 불소(F)계 식각 가스에 대한 내성이 약화되어, 위상반전막(104) 식각 시 제2차광층(108)이 손상(Damage)되어 광학 밀도가 저하되는 문제가 발생한다.
제1차광층(106) 및 제2차광층(108)은 각각 경원소의 함유량이 다른 2층 이상의 다층막 구조 또는 조성비가 연속적으로 변화하는 연속막의 형태를 가질 수 있다.
차광성막(110)은 선택적으로 표면 열처리를 실시할 수 있으며, 이때 열처리 온도는 하부의 위상반전막(104)의 열처리 온도와 대비하여 동등하거나 낮은 조건에서 실시할 수 있다.
위상반전막(104) 및 차광성막(110)이 순차적으로 적층된 막의 광학 밀도는 193㎚ 또는 248㎚의 노광 파장에 대하여 2.5 ∼ 3.5의 값을 가지며, 바람직하게는 2.7 ∼ 3.5의 광학 밀도 값을 갖는다.
위상반전막(104) 및 차광성막(110)이 순차적으로 적층된 막의 표면 반사율은 20% ∼ 40%이며, 바람직하게는 25% ∼ 35%의 표면 반사율을 나타낸다.
레지스트막(114)은 화학증폭형 레지스트(CAR; Chemically Amplified Resist)가 사용되며, 레지스트막(114)은 40㎚ ∼ 150㎚의 두께를 갖고, 바람직하게는, 40㎚ ∼ 120㎚의 두께를 갖는다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크(200)는 투명 기판(202), 투명 기판(202) 상에 순차적으로 적층된 위상반전막(204), 차광성막(210), 하드 필름(212) 및 레지스트막(214)을 포함한다. 여기서, 위상반전막(204), 차광성막(210) 및 레지스트막(214)은 상술한 제 1 실시예와 광학적, 화학적, 물리적 특성을 동일하게 갖는다.
하드 필름(212)은 크롬(Cr), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나 또는 상기 1종 이상의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 선택되는 1종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어진다. 하드 필름(212)은, 예를 들어, 크롬(Cr) 및 이에 경원소가 더 포함된 크롬(Cr)화합물, 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 및 이에 경원소가 더 포함된 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물 또는 실리사이드 산질화물(SiON)과 같은 실리콘(Si) 화합물로 이루어진다.
하드 필름(212)은 차광성막(210)의 식각 마스크 역할을 수행하기 위하여 차광성막(210)의 식각 조건에 대하여 10 이상의 식각 선택비를 갖는다. 따라서, 차광성막(210)이 크롬(Cr) 화합물로 구성되는 경우, 하드 필름(212)은 염소(Cl)계 가스와 식각 성질이 다른 물질로 구성할 수 있다. 하드 필름(212)은, 예를 들어, 불소(F)계 가스로 식각 가능한 물질로 구성할 수 있으며, 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 및 이에 경원소가 더 포함된 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물 또는 실리사이드 산질화물(SiON)과 같은 실리콘(Si) 화합물로 구성 가능하다.
한편, 하드 필름(212)이 크롬(Cr) 및 이에 경원소가 더 포함된 크롬(Cr) 화합물로 구성되는 경우, 차광성막(210) 및 하드 필름(212) 사이에 2㎚ ∼ 3㎚ 두께의 식각저지막을 형성할 수 있다. 상기 식각저지막은 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 및 이에 경원소가 더 포함된 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물, 실리사이드(Si) 화합물 또는 탄탈(Ta) 화합물로 구성 가능하며, 하드 필름(212)과 차광성막(210) 사이의 식각 선택비를 확보하는 역할을 한다.
하드 필름(212)은 레지스트막(214)의 박막화를 위하여 두께가 얇고 식각 속도가 빨라야 하며, 이를 위해, 하드 필름(212)은 2㎚ ∼ 10㎚의 두께를 갖는다. 하드 필름(212)이 10㎚ 이상의 두께를 갖는 경우, 레지스트막(214)을 식각 마스크로 하여 하드 필름(212)을 식각 시 로딩 효과(Loading Effect)에 의해 임계 치수의 편차가 높아질 수 있으며, 2㎚ 이하의 두께를 갖는 경우, 차광성막(210)에 대한 식각 선택비가 낮아져서 식각 마스크로서의 역할 수행이 어렵다.
아울러, 제 2 실시예의 하드 필름 표면은 그의 상부에 배치되는 레지스트막과의 접착력 향상을 위하여 표면 개질 또는 표면 처리 중 하나가 적용되어 처리될 수 있다. 하드 필름의 표면 개질은 산소(O), 질소(N), 수소(H), 탄소(C), 불소(F) 중 하나 이상의 가스를 이용한 열처리 또는 플라즈마 처리를 통한 방법으로 수행된다. 상기 열처리 및 플라즈마 처리는 진공 급속 열처리 장치(Vaccum Rapid Thermal Treatment)를 이용한 방법 및 상압 플라즈마를 이용한 방법을 포함하여 그 처리에 제한이 없다. 상기 표면 개질을 통해 하드 필름의 표면은 15°∼ 50°의 접촉각(Contact Angle)을 가지며, 바람직하게, 20°∼ 45°의 접촉각을 갖는다. 상기 접촉각이 15°도 이하이면 레지스트막의 코팅 시 부분 코팅 또는 언코팅 문제가 발생하고, 50° 이상일 경우 표면 에너지가 높아져 코팅 시 높은 RPM 또는 레지스트막의 두께 균일도가 나빠지게 된다.
또한, 상기 표면 처리는 실리콘을 포함한 고분자화합물을 도포하여 수행할 수 있다. 상기 실리콘을 포함한 고분자화합물은 헥사메틸디실란(Hexamethyldisilane), 트리메틸실릴디에틸아민(Trimethylsilyldiethyl-amine), O-트리메틸실릴아세테이트 (O-trimethylsilylacetate), O-트리메틸실릴프로프리오네이트 (O-trimethylsilyl-proprionate), O-트리메틸실릴부티레이트 (O-trimethylsilylbutyrate), 트리메틸실릴트리플루오로아세테이트 (Trimethylsilyl -trifluoroacetate), 트리메틸메톡시실란(Trimethylmethoxysilane), N-메틸-N-트리메틸실릴트리플루오로아세트아마이드(N-methyl-Ntrimethylsilyltrifluoroacetate), O-트리메틸실릴아세틸아세톤(O-trimethylsilyacetylacetone), 아이소프로페녹시트리메틸실란(Isopropenoxy-trimethylsilane), 트리메틸실릴트리플루오로아세트아마이드(Trimethylsilyl-trifluoroacetamide), 메틸트리메틸실릴디메틸케톤아세테이트 (Methyltrimethyl-Silyldimethylketoneacetate), 트리메틸에톡시실란(Trimethyl -ethoxysilane) 중 하나 이상일 수 있다.
상술한 제1 및 제2실시예의 위상반전막(104) 및 차광성막(110)은 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는, 상기 물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 상세히 설명하도록 한다.
(실시예)
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 제조 Ⅰ
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 제조를 위하여, 기판은 6 inch x 6inch x 0.25inch의 크기를 가지며, 복굴절률이 1.3㎚/6.3㎜로 제어되고, 평탄도(TIR: Total Indicated Reading)가 0.2㎛로 제어된 합성 석영 유리 기판을 준비하였다.
상기 합성 석영 유리 기판 상에 DC 마그네트론 스퍼터링 장비(DC Magnetron Reactive Sputter)를 이용하여 위상반전막을 형성하였다. 상기 위상반전막은 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 타겟(조성비 Mo : Si = 2at% : 98at%)을 이용하고, 공정 가스로 Ar : N2 = 7sccm : 7.7sccm 주입하며, 공정 파워는 0.7㎾를 사용하고, 460초 동안 성막하여 질화 몰리브데늄 실리사이드(MoSiN)막을 형성하였다. 이후, 진공 급속 열처리 장비(RTP; Rapid Thermal Process)를 이용하여 350℃에서 30분간 열처리를 실시하였으며, n&k analyzer 3700RT 장비를 이용하여 위상반전막의 투과율 및 위상반전량을 측정한 결과 위상반전막은 투과율 5.8%, 위상반전량은 183°를 나타내었다. 또한, 위상반전막의 두께를 X-ray를 이용한 XRR(X-ray Reflectometer) 장비를 통해 측정하였고, 측정 결과 55.3㎚의 두께를 나타내었다. 위상반전막의 조성비 분석을 위하여 오제이 전자 분광기(AES; Auger Electron Spectroscopy)를 이용하였으며, 측정한 결과 몰리브데늄(Mo)이 1.6%, 실리콘(Si)이 72.2%, 질소(N)가 26.2%의 조성비를 나타내었다. 위상반전막에 의한 평탄도 변화량을 비교하기 위하여 Ultra-Flat 장비를 이용하여 위상반전막의 평탄도를 측정한 결과 0.23㎛를 나타내었으며, 투명기판의 평탄도(0.2㎛)에 대하여 0.03㎛의 평탄도 변화량을 가지므로, 차후 포토마스크 및 Wafer Printing 시 패턴 정렬도 및 DoF Margin에 우수함을 간접적으로 확인할 수 있었다.
상기 위상반전막 상에 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 설비를 이용하여 제1차광층 및 제2차광층으로 구성된 차광성막을 형성하였다. 상기 차광성막은 모두 크롬(Cr) 타겟을 이용하였으며, 제1차광층은 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 10sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워는 1.0㎾를 사용하며, 368초 동안 성막하여 산화질화 크롬(CrON)막을 형성하였다. 상기 제2차광층은 제1차광층의 형성 후에 성막 하였으며, 공정 가스로 Ar : N2 = 3sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워는 0.8㎾를 사용하며, 60초 동안 성막하여 질화 크롬(CrN)막을 형성하였다. 성막 후 상술한 위상반전막과 동일한 방법으로 막의 두께를 측정하였으며, 측정 결과 제1차광층은 48㎚, 제2차광층은 5㎚의 두께를 나타내었다. 조성비 역시 상술한 위상반전막과 동일한 방법을 사용하였으며, 제1차광층은 크롬(Cr)이 48at%, 질소(N)가 30at%, 산소(O)가 22at%의 조성비를 갖고, 제2차광층은 크롬(Cr)이 58at%, 질소(N)가 42at%의 조성비를 나타내었다. 또한, 상기 위상반전막 및 상기 차광성막이 적층된 막의 광학 밀도(OD; Optical Density)를 측정한 결과 193㎚의 노광광에서 2.95의 값을 나타냈으며, 33%의 반사율을 나타내었다.
이후, 상기 차광성막 상에 화학증폭형 레지스트를 100㎚ 두께로 스핀 코팅(Spin Coating)하여 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 완성하였다.
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 제조 Ⅱ
앞에서 상술한 위상반전 블랭크 마스크의 제조 Ⅰ을 참조하여, 제2차광층의 조성비를 다르게 한 위상반전 블랭크 마스크를 제조하였다. 제2차광층을 제외한 기판 및 금속막들의 물리적, 화학적, 광학적 특성은 모두 동일하게 형성되었다.
제2차광층의 형성을 위하여 크롬(Cr) 타겟을 이용하였으며, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 10sccm : 2sccm 주입하고, 공정 파워는 0.8㎾를 사용하며, 75초 동안 성막하여 산화질화 크롬(CrON)막을 형성하였다.
성막 후 X-ray를 이용한 XRR(X-ray Reflectometer) 장비를 이용하여 막의 두께를 측정하였으며, 측정 결과 제2차광층은 7.5㎚의 두께를 나타내었다. 조성비 분석을 위하여 오제이 전자 분광기(AES; Auger Electron Spectroscopy)를 이용하였으며, 크롬(Cr)이 54at%, 산소(O)가 7at%, 질소(N)가 39at%의 조성비를 나타내었다. 또한, 상기 위상반전막 및 상기 차광성막이 적층된 막의 광학 밀도(OD; Optical Density)를 측정한 결과 193㎚의 노광광에서 2.92의 값을 나타냈으며, 31%의 반사율을 나타내었다.
이후, 상기 차광성막 상에 화학증폭형 레지스트를 100㎚ 두께로 스핀 코팅(Spin Coating)하여 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 완성하였다.
차광성막의 구성 물질에 대한 특성 평가
차광성막의 구성 물질 및 함유량을 특정하기 위하여 경원소 및 함유량을 각각 다르게 갖는 크롬(Cr) 화합물에 대한 식각 속도 및 막 특성을 평가하였다.
표 1은 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 금속막 중 함유된 경원소의 종류에 따른 식각 속도를 나타내고 있다.
막의 구성물질 CrC Cr CrN CrON
공정 가스 Ar : CH4
= 5sccm : 3sccm		 Ar = 8sccm Ar : N2
= 5sccm : 3sccm		 Ar : N2 : NO
= 5sccm : 3sccm : 3sccm
공정 파워 0.7㎾ 0.7㎾ 0.7㎾ 0.7㎾
식각 속도 0.4Å/sec 0.9Å/sec 1.3Å/sec 1.8Å/sec
표 1을 참조하면, 상기 크롬(Cr) 화합물들의 식각 속도는 탄화크롬(CrC), 크롬(Cr), 질화크롬(CrN), 산화질화크롬(CrON) 순의 식각 속도를 가져, 상기 크롬(Cr) 화합물로 구성된 막 중 질소(N) 또는 산소(O)를 포함하는 경우 식각 속도가 증가함을 알게 되었다.
표 2는 산소(O) 및 질소(N)의 함유량에 따른 크롬(Cr) 화합물 금속막의 식각 속도 및 광학 밀도 평가 결과를 나타내고 있다.
구성 물질 CrON CrON CrON CrON
공정 가스
(sccm)		 Ar : N2 : NO
= 5 : 3 : 3		 Ar : N2 : NO
= 5 : 3 : 5		 Ar : N2 : NO
= 5 : 5 : 5		 Ar : N2 : NO
= 5 : 10 : 5
공정 파워 0.7㎾ 0.7㎾ 0.7㎾ 0.7㎾
막 두께 462Å 465Å 460Å 464Å
식각 속도 1.8Å/sec 2.0Å/sec 2.2Å/sec 2.5Å/sec
OD @193㎚ 2.63 2.52 2.48 2.41
표 2를 참조하면, 크롬(Cr)에 산소(O) 및 질소(N)의 함유량이 많아질수록 식각 속도는 증가하지만, 광학 밀도가 낮아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 차광성막을 산화질화크롬(CrON) 단일막으로 형성하는 경우, 요구되는 광학 특성을 맞추기 위하여 두께가 두꺼워질 수 있으므로, 별도의 광학 밀도 확보를 위한 막이 필요함을 알 수 있다.
표 3은 산화질화크롬(CrON)막의 산소(O) 함유량에 따른 불소(F)계 식각 가스에 대한 두께 및 광학 밀도의 변화량을 측정하여 금속막의 내성을 평가하였다.
막 구성 물질 CrON CrON CrON CrON
산소 함유량 10at% 20at% 25at% 30at%
식각 가스 불소(F)계 가스
두께 변화량 3Å 15Å 25Å 35Å
OD 변화량(@193㎚) 0.01 0.08 0.15 0.35
표 3을 참조하면, 크롬(Cr)에 산소(O)의 함유량이 많아질수록 불소계(F)가스에 대한 내성이 약화되어, 두께 변화량 및 광학 밀도 변화량이 증가하는 것을 알 수 있다. 특히, 산소 함유량이 20at%를 초과하는 경우, 두께는 15Å 이상, 광학 밀도의 경우 0.1 이상 변화하여 차광성막의 차광 기능이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 차광성막을 2층 이상으로 형성하는 경우, 최상부층은 산소 함유량을 20at% 이하로 제어하여 불소계(F) 식각 가스에 대한 내성을 강화하는 것이 바람직하다.
차광성막의 구성에 따른 특성 평가
차광성막의 구성 물질 및 막의 두께에 따른 식각 속도 및 광학 밀도를 종래 위상반전 블랭크 마스크와 비교하였다. 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 모두 위상반전막으로 질화 몰리브데늄 실리사이드(MoSiN) 막으로 동일하게 형성하였다.
실시예 1은 제1차광층을 형성하기 위하여, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 5sccm : 5sccm 주입하였고, 공정 파워는 0.7㎾를 사용하여 480Å의 산화질화 크롬(CrON) 층을 형성하였다. 이후, 제1차광층 상에 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 0.65㎾를 사용하여 68Å의 질화크롬(CrN)으로 구성된 제2차광층을 형성하였다.
실시예 2는 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 10sccm : 5sccm 주입하였고, 공정 파워는 0.7㎾를 사용하여 494Å의 산화질화크롬(CrON)으로 구성된 제1차광층을 형성하였으며, 이후, 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 0.65㎾를 사용하여 55Å의 질화크롬(CrN)으로 구성된 제2차광층을 형성하였다.
실시예 3은 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 10sccm : 5sccm 주입하였고, 공정 파워는 0.7㎾를 사용하여 494Å의 산화질화크롬(CrON)으로 구성된 제1차광층을 형성하였으며, 이후, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 10sccm : 2sccm 주입하고, 공정 파워는 0.8㎾를 사용하여 75Å의 산화질화크롬(CrON)으로 구성된 산소(O)를 소량 함유하고 있는 제2차광층을 형성하였다.
비교예는 종래 위상반전 블랭크 마스크에 쓰이는 차광성막의 구성과 동일하게, 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 0.7㎾를 사용하여 410Å의 질화크롬(CrN)으로 구성된 차광층을 형성한 뒤, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 0.65㎾를 사용하여 120Å의 산화질화크롬(CrON)으로 구성된 반사방지층을 형성하였다.
표 4는 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예의 차광성막 구성에 따른 식각 속도 및 광학 밀도의 평가 결과를 나타내고 있다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예
위상
반전막		 구성물질 MoSiN
투과율 6.1%


하층막

 구성물질 CrON CrON CrON CrN
공정가스
(sccm)		 Ar:N2:NO
= 5:5:5		 Ar:N2:NO
= 5:10:5		 Ar:N2:NO
= 5:10:5		 Ar:N2
= 5:3
막 두께 480Å 484Å 484Å 410Å
식각 속도 2.2Å/sec 2.5Å/sec 2.5Å/sec 1.3Å/sec
OD @193㎚ 2.48 2.41 2.41 2.8


상층막

 구성물질 CrN CrN CrON CrON
공정가스
(sccm)		 Ar:N2
= 5:3		 Ar:N2
= 5:3		 Ar:N2:NO
= 5:10:2		 Ar:N2:NO
= 5:5:3
막 두께 68Å 65Å 75Å 120Å
식각 속도 1.3Å/sec 1.3Å/sec 2.1Å/sec 1.8Å/sec
OD @193㎚ 2.92 2.95 2.92 3.05
평균 식각 속도 2.0Å/sec 2.1Å/sec 2.3Å/sec 1.36Å/sec
레지
스트막		 막 두께 100㎚
식각후 잔류 27㎚ 28㎚ 37㎚ 0
표 4의 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예를 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3은 2.92 ∼ 2.95의 광학 밀도 값을 가져 비교예의 3.05와 큰 차이가 없는 반면, 식각 속도의 경우 2.0Å/sec ∼ 2.3Å/sec의 값을 가져 비교예의 1.36Å/sec에 비해 40%정도 뛰어난 것을 확인하였다. 또한, 실시예 1 내지 실시예 4의 경우 식각 공정 후 레지스트막이 27㎚ ∼ 37㎚ 잔류하여 레지스트막의 박막화가 가능하지만, 비교예의 경우 잔류 레지스트막이 없어 박막화 불가능하다.
하드 필름의 구성 물질에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 제조 및 평가
상술한 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 차광성막 상에 하드 필름을 추가적으로 형성하였다. 실시예 4 내지 실시예 6은 상기 하드 필름의 구성 물질에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 특성을 평가하였으며, 상기 차광성막을 구성하는 제1차광층 및 제2차광층과 위상반전막은 처음에 상술한 위상반전 블랭크 마스크와 동일하게 형성되었다.
실시예 4의 하드 필름은 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 타겟(조성비 Mo : Si = 5at% : 95at%)을 이용하고, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 8sccm : 2sccm : 5sccm 주입하며, 공정 파워는 0.6㎾를 사용하여 4㎚ 두께의 산화질화몰리브데늄실리사이드(MoSiON) 층을 형성하였다.
실시예 5는 탄탈(Ta) 타겟을 이용하고, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 3sccm : 5sccm 주입하고 공정 파워는 0.7㎾를 사용하여 7㎚ 두께의 산화질화탄탈(TaON) 층으로 이루어진 하드 필름을 형성하였다.
또한, 실시예 6은 붕소(B)가 도핑(Doping)된 실리콘(Si) 타겟을 이용하여 형성하였고, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 7sccm : 2sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 0.4㎾를 사용하여 3㎚ 두께의 산화질화실리콘붕소(SiBON) 층을 형성하였다.
표 5는 상술한 하드 필름이 형성된 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 하드 필름을 패터닝한 뒤 레지스트막의 잔여 두께 및 차광성막의 두께 변화를 나타내고 있다.
실시예 4 실시예 5 실시예 6
하드 필름
 물질 MoSiON TaON SiBON
두께 4㎚ 7㎚ 3㎚
레지스트막
 두께 100㎚ 100㎚ 100㎚
하드 필름 식각 후 잔여 두께 53㎚ 42㎚ 60㎚
차광성막 두께 변화 0.5㎚ 1.5㎚ 0.2㎚
표 5를 참조하면, 하드 필름 식각 후 레지스트막이 42㎚ ∼ 60㎚ 잔류하여 레지스트막을 더욱 박막화하여 형성 가능하고, 차광성막은 0.2㎚ ∼ 1.5㎚의 두께 변화를 나타내어 상기 하드 필름(MoSiON, TaON, SiBON)이 차광성막과 충분한 식각 선택비를 가지고 있음을 알 수 있다.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
100, 200 : 위상반전 블랭크 마스크
102, 202 : 투명 기판
104, 204 : 위상반전막
106, 206 : 제1차광층
108, 208 : 제2차광층
110, 210 : 차광성막
212 : 하드 필름
114, 214 : 레지스트막

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 투명 기판 상에 위상반전막 및 차광성막이 구비된 위상반전 블랭크 마스크에 있어서,
    상기 차광성막은 제1차광층 및 제2차광층이 적층된 구조를 가지며,
    상기 제1차광층은 전체 차광성막 두께의 50% ∼ 95%를 차지하며,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어지고,
    상기 제1차광층은 산소(O)를 필수적으로 포함하며, 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 5at% ∼ 50at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖고,
    상기 제2차광층은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  3. 투명 기판 상에 위상반전막 및 차광성막이 구비된 위상반전 블랭크 마스크에 있어서,
    상기 차광성막은 제1차광층 및 제2차광층이 적층된 구조를 가지며,
    상기 제1차광층은 전체 차광성막 두께의 50% ∼ 95%를 차지하며,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 산소(O)를 필수적으로 포함하며, 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 더 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 이루어지고,
    상기 제1차광층은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 5at% ∼ 50at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖고,
    상기 제2차광층은 크롬(Cr)이 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 30at%, 산소(O)가 1at% ∼ 20at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 붕소(B)가 0 ∼ 30at%, 수소(H)가 0 ∼ 30at%인 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 조성이 상이하게 구성되거나 또는 동일한 조성을 가지되 조성비가 상이한 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 차광성막은 400Å ∼ 650Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 2층 이상의 다층막으로 이루어지고, 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어지며, 최상층이 산소(O)를 필수적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 위상반전막 및 차광성막의 적층 구조에서 193㎚ 또는 248㎚의 노광 파장에 대하여 2.5 ∼ 3.5의 광학 밀도를 갖고, 20% ∼ 40%의 표면 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 위상반전막 상부의 차광성막 상에 구비된 하드 필름 및 상기 차광성막과 하드 필름 사이에 구비된 식각저지막 중 적어도 하나의 막을 더 포함하며,
    상기 차광성막, 위상반전막, 하드 필름 및 식각저지막은 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는, 상기 물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  9. 삭제
  10. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 차광성막 상에 구비된 하드 필름을 더 포함하며,
    상기 하드 필름은 2㎚ ∼ 10㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크.
  11. 제 2 항 또는 제 3 항의 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 제조된 위상반전 포토 마스크.
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