JPH03154330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03154330A JPH03154330A JP29421889A JP29421889A JPH03154330A JP H03154330 A JPH03154330 A JP H03154330A JP 29421889 A JP29421889 A JP 29421889A JP 29421889 A JP29421889 A JP 29421889A JP H03154330 A JPH03154330 A JP H03154330A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体店板の表面に形成されたホトレジスト
パターンの選択的領域を灰化処理する方法を含む半導体
製造方法に関する。
パターンの選択的領域を灰化処理する方法を含む半導体
製造方法に関する。
従来の技術
半導体素子の微細化が進み、パターンの最小寸法がＩａ
ｍ以下になると、コンタクトホールパターンの形成にお
いて、エツチング時のマスクとなるホトレジストパター
ンに発生したいわゆるスカムを無くすことが重要となる
。
ｍ以下になると、コンタクトホールパターンの形成にお
いて、エツチング時のマスクとなるホトレジストパター
ンに発生したいわゆるスカムを無くすことが重要となる
。
スカムを無くす代表的な従来の方法として、短時間での
レジスト灰化処理、いわゆるデスカムが知られている。
レジスト灰化処理、いわゆるデスカムが知られている。
その方法とは、ホトレジストパターン形成後に、数百か
ら千オングストロームのレジスト灰化処理を行い、レジ
ストスカムを無くす方法である。
ら千オングストロームのレジスト灰化処理を行い、レジ
ストスカムを無くす方法である。
発明が解決しようとする課題
この様なデスカム法においては、レジストパターンの後
退がウェハー前面に渡って等方的に生じるため、スカム
の除去と同時に著しいパターン寸法のシフトやレジスト
厚の減少が生じ、正確なパターン形成ができないという
課Ｊがある。
退がウェハー前面に渡って等方的に生じるため、スカム
の除去と同時に著しいパターン寸法のシフトやレジスト
厚の減少が生じ、正確なパターン形成ができないという
課Ｊがある。
本発明は、上記従来の半導体装置の製造方法の課題を解
決し、レジスト厚の減少、パターン寸法のシフト等を生
じさせることなく、ホトレジストパターンのスカムを除
去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
決し、レジスト厚の減少、パターン寸法のシフト等を生
じさせることなく、ホトレジストパターンのスカムを除
去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体基板の上に形成されたホトレジストパ
ターンの選択的領域に、酸素存在下で紫外光を照射する
ことによって、前記ホトレジストパターンの一部を光圧
化処理により除去する工程を備えたことを特徴とし、ま
た、紫外光の波長が４５０ｎｍ以下、１１００ｎ以上で
あることを特徴とし、また、紫外光の照射スポット径が
５μｒｎφ以下である半導体装置の製造方法である。
ターンの選択的領域に、酸素存在下で紫外光を照射する
ことによって、前記ホトレジストパターンの一部を光圧
化処理により除去する工程を備えたことを特徴とし、ま
た、紫外光の波長が４５０ｎｍ以下、１１００ｎ以上で
あることを特徴とし、また、紫外光の照射スポット径が
５μｒｎφ以下である半導体装置の製造方法である。
作用
この本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジスト
スカム発生部分のみを紫外光照射による光圧化処理によ
り除去することが可能となり、ホトレジストパターンの
シフトやレジスト層の減少等が生じず、ｙ＆細パターン
を高精度に形成することができる。
スカム発生部分のみを紫外光照射による光圧化処理によ
り除去することが可能となり、ホトレジストパターンの
シフトやレジスト層の減少等が生じず、ｙ＆細パターン
を高精度に形成することができる。
実施例
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を説
明する。第１図（ａ）〜（Ｃ）は、その実施例における
工程順を示す断面図である。
明する。第１図（ａ）〜（Ｃ）は、その実施例における
工程順を示す断面図である。
第１図（ａ）はＭｏＳトランジスタを形成する場合の、
コンタクトホール形成工程における、ポジ型ホトレジス
トパターン６形成後の様子を示す断面図である。同図に
おいて、シリコン基板ｌにはソース・ドレイン領域２が
形成され、その間にゲート酸化膜３が形成されている。
コンタクトホール形成工程における、ポジ型ホトレジス
トパターン６形成後の様子を示す断面図である。同図に
おいて、シリコン基板ｌにはソース・ドレイン領域２が
形成され、その間にゲート酸化膜３が形成されている。
このゲート酸化膜３の上にはポリシリコンゲート電極４
が形成され、全体が絶縁膜５によって覆われている。そ
の絶縁膜５上にホトレジスト６が選択的に形成されてい
る。ソース・ドレイン領域２の上のホトレジストパター
ン６の抜けが悪く、図に示すようにスカム７の発生した
状態となっている。
が形成され、全体が絶縁膜５によって覆われている。そ
の絶縁膜５上にホトレジスト６が選択的に形成されてい
る。ソース・ドレイン領域２の上のホトレジストパター
ン６の抜けが悪く、図に示すようにスカム７の発生した
状態となっている。
次に、第１図（ｂ）に示すようにこのスカム発生部分７
に、スポット径１μｍφ、波長３２５ ｎｍのＨｅ−Ｃ
ｄレーザ光８ （２０ｍＷ／ ｃ ｍ２）を大気中で約
２０秒照射する。これに伴い、大気中の酸素分子が励起
されて酸素ラジカルが発生し、照射部位付近のみのレジ
ストが分解、灰化される。
に、スポット径１μｍφ、波長３２５ ｎｍのＨｅ−Ｃ
ｄレーザ光８ （２０ｍＷ／ ｃ ｍ２）を大気中で約
２０秒照射する。これに伴い、大気中の酸素分子が励起
されて酸素ラジカルが発生し、照射部位付近のみのレジ
ストが分解、灰化される。
照射終了後は第１図（Ｃ）のように、スカム７の全く無
いコンタクトホールパターンが高精度に形成されている
。この様に、パターン寸法シフト、レジスト膜減りを伴
わずに部分的にスカム７の除去が可能である。
いコンタクトホールパターンが高精度に形成されている
。この様に、パターン寸法シフト、レジスト膜減りを伴
わずに部分的にスカム７の除去が可能である。
上記実施例では、紫外光光源としてＨｅ−Ｃｄレーザを
用いたが、これは他の水銀ランプやキセノンランプでも
よく、光学系により集光させて、光圧化に必要な波長エ
ネルギーを得ることができれば同様な光源でもよい。ま
た照射エネルギーの設定も２０ｍＷとしたが、照射時間
・灰化量等とのかねあいで他の値の設定も可能である。
用いたが、これは他の水銀ランプやキセノンランプでも
よく、光学系により集光させて、光圧化に必要な波長エ
ネルギーを得ることができれば同様な光源でもよい。ま
た照射エネルギーの設定も２０ｍＷとしたが、照射時間
・灰化量等とのかねあいで他の値の設定も可能である。
また、紫外光の波長は４５０ｎｍ以下、１１００ｎ以上
が望ましいが、特にこれに限定されず、更に紫外光の照
射スポット径は５μｍφ以下が望ましいが、これに限定
されない。
が望ましいが、特にこれに限定されず、更に紫外光の照
射スポット径は５μｍφ以下が望ましいが、これに限定
されない。
発明の効果
以上述べたことから明らかなように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、紫外光を利用することによって
、今まで不可能であった部分的な、ホトレジストパター
ンのスカム除去が可能となり、高精度ｙ＆細パターン形
成に非常に有用で価値がある。
置の製造方法によれば、紫外光を利用することによって
、今まで不可能であった部分的な、ホトレジストパター
ンのスカム除去が可能となり、高精度ｙ＆細パターン形
成に非常に有用で価値がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる半導体装置の
製造方法の一実施例を説明するための、工程順を示す断
面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ソース・ドレイン領域
、３・・・ゲート酸化膜、４・・・ポリシリコンゲート
電極、５・・・絶縁膜、６・・・ホトレジスト、７・・
・レジストスカム部分、８・・・Ｈｅ−Ｃｄレーザ光。
製造方法の一実施例を説明するための、工程順を示す断
面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ソース・ドレイン領域
、３・・・ゲート酸化膜、４・・・ポリシリコンゲート
電極、５・・・絶縁膜、６・・・ホトレジスト、７・・
・レジストスカム部分、８・・・Ｈｅ−Ｃｄレーザ光。
Claims (3)
- （１）半導体基板の上に形成されたホトレジストパター
ンの選択的領域に、酸素存在下で紫外光を照射すること
によって、前記ホトレジストパターンの一部を光灰化処
理により除去する工程を備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - （２）紫外光の波長が４５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以上
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。 - （３）紫外光の照射スポット径が５μｍφ以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29421889A JPH03154330A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29421889A JPH03154330A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154330A true JPH03154330A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17804866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29421889A Pending JPH03154330A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03154330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| JP2019062219A (ja) * | 2013-09-04 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導自己組織化用の化学テンプレートを形成するための硬化フォトレジストのｕｖ支援剥離 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272127A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63301519A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29421889A patent/JPH03154330A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272127A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63301519A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| JP2019062219A (ja) * | 2013-09-04 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導自己組織化用の化学テンプレートを形成するための硬化フォトレジストのｕｖ支援剥離 |
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