JPH09141645A - ウエハの製法およびそれに用いる装置 - Google Patents
ウエハの製法およびそれに用いる装置Info
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Abstract
く、しかも衛生的で煩雑な手間もかからない、優れたウ
エハの製法およびそれに用いる装置を提供する。 【解決手段】結晶インゴット3の切断予定部にエッチン
グガスを供給するとともにこのガス成分をレーザ照射も
しくは光子照射によって励起し、上記結晶インゴット3
の構成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応させ
て結晶インゴット3の切断予定部を小面積ずつ揮発除去
することを場所を移動しながら連続的に行い、最終的に
切断予定部全面を揮発除去してウエハ10を切り出すよ
うにした。
Description
びそれに用いる装置に関するものである。
ウエハは、一般に、Si,GaAs等の結晶インゴット
を、所定間隔で切断して板状体とし、その表面を鏡面研
磨することによって得られる。
ら、金属切削に用いられるダイヤモンドブレードソーや
ワイヤーソーが用いられており、インゴット表面に、高
速回転するダイヤモンドブレードや、高速振動するワイ
ヤーを圧接し、その衝撃によって物理的にインゴットを
切断していくようになっている。
断方法では、ダイヤモンドブレードやワイヤーがインゴ
ットに食い込んだ部分のみが切除されるのではなく、そ
の周囲までも変形・破壊されるため、切りしろとしてか
なりの厚さを無駄にしなければならず、経済的でない、
という問題がある。より具体的にいうと、上記切断方法
において、1枚のウエハを切り出すには、その切りしろ
として、例えば約500μmの厚さ分が無駄になるので
あり、500μmの厚さのウエハを切り出す場合、なん
とインゴットの約50%が切りしろとして無駄になって
しまう。
返すと工具に刃こぼれや焼付が生じて切れ味が悪くなる
ため定期的にダイヤモンドブレードやワイヤー等を交換
しなければならず、手間を要するという問題もある。
効果と潤滑効果を与えるために切削液を投射するが、こ
の液および切削時に生じる切り屑が周囲に飛び散って作
業環境を汚染するという問題もある。しかも、上記切り
屑の混じった切削液は、回収して再利用に供するにして
も、廃棄除去するにしても、切り屑と切削液の分離が不
可欠であり、その作業が煩雑であるという問題もある。
もので、ウエハの切断に際し、材料無駄が極力少なく、
しかも衛生的で煩雑な手間もかからない、優れたウエハ
の製法およびそれに用いる装置の提供をその目的とす
る。
め、本発明は、結晶インゴットからウエハを得る方法で
あって、上記結晶インゴットの切断予定部にエッチング
ガスを供給するとともにこのガス成分をレーザ照射もし
くは光子照射によって励起し、上記結晶インゴットの構
成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて結
晶インゴットの切断予定部を小面積ずつ揮発除去するこ
とを場所を移動しながら連続的に行い、最終的に切断予
定部全面を揮発除去してウエハを切り出すようにしたウ
エハの製法を第1の要旨とする。
得る際に用いられるウエハの製造装置であって、上記イ
ンゴット装着部と、上記装着部に装着されたインゴット
を周方向に回転させ、もしくは軸方向に移動させるイン
ゴット移動手段と、上記インゴットから切り出されたウ
エハを保持するウエハ保持手段とを備えた密閉式のチャ
ンバーと、上記チャンバー内にエッチングガスを供給す
るエッチングガス供給手段と、上記チャンバー内から排
ガスを取り出すガス取り出し手段とを設け、かつ上記装
着されたインゴットに対し、チャンバー外からレーザ照
射もしくは光子照射を行うエッチングガス励起手段を設
けたウエハの製造装置を第2の要旨とする。
を得る際に用いられるウエハの製造装置であって、上記
インゴット装着部と、上記装着部に装着されたインゴッ
トを同一平面上でX−Y方向に移動させるインゴット移
動手段と、上記インゴットから切り出されたウエハを保
持するウエハ保持手段とを備えた密閉式のチャンバー
と、上記チャンバー内にエッチングガスを供給するエッ
チングガス供給手段と、上記チャンバー内から排ガスを
取り出すガス取り出し手段とを設け、かつ上記装着され
たインゴットに対し、チャンバー外からレーザ照射もし
くは光子照射を行うエッチングガス励起手段を設けたウ
エハの製造装置を第3の要旨とする。
ンゴットとしては、従来から、ウエハ材料として用いら
れている各種のものをあげることができる。例えば、S
i,GaAs,SiO2 ,Si3 N4 ,Al2 O3 等の
単結晶または多結晶によって形成されている結晶インゴ
ットがあげられる。そして、インゴットの形状も、特に
限定されるものではないが、通常、円柱状もしくは角柱
状に成形されている。
るエッチングガスとしては、上記インゴットの構成成分
と反応して揮発性物質を生成する物性を有するものが最
適であり、このようなガスとしては、NF3 ,CCl2
F2 ,CF4 ,C2 F6 ,C 3 F8 ,CHF3 ,CCl
4 ,SF6 ,CCl3 F,ClF3 ,HCl等があげら
れる。これらのガスは、単一で用いても2種以上の混合
ガスとして用いてもよい。
0.1〜10μmの領域のレーザ光を用いるのが好適で
あり、このようなレーザ光を発振しうる発振源として
は、YAG,Ar等があげられる。そして、その出力は
通常1〜100w程度に設定される。また、上記光子照
射では、通常0.1〜10kwのHg,Xe等を光源と
して用いるのが好適である。そして、これらの照射によ
り、インゴット表面が300〜600℃に加熱されるよ
う設定することが好ましい。すなわち、上記加熱が30
0℃未満ではエッチングガスに対する励起効果が不充分
となり反応が進行しにくく、逆に上記加熱が600℃を
超えると、得られるウエハの品質が熱によって変化する
おそれかあるからである。
は、これらがインゴット表面で拡散せず、限定されたご
く狭い範囲を集中的に照射するよう、凸レンズ等の集光
手段を通すことが好ましい。そして、上記レーザ照射も
しくは光子照射により300℃以上になるインゴット表
面のスポット径が100μm以下になるよう設定するこ
とが好適である。
にレーザ照射してウエハを得る方法に適用した装置の一
実施例を示している。この装置は、密閉式のチャンバー
1内の中央に、上方から垂下するシャフト2が設けら
れ、このシャフト2の下端部に、円柱形の結晶インゴッ
ト(以下「インゴット」という)3がシャフト2と同軸
的に取り付けられるようになっている。なお、上記シャ
フト2には、チャンバー1の外側から回転駆動および上
下動が与えられるようになっており、それに伴いインゴ
ット3が、矢印Aで示すように周方向に回転し、あるい
は矢印Bで示すように軸方向に上下動するようになって
いる。
ガラスからなる透明な窓4が設けられており、この窓4
の対面に、集光用の凸レンズ5を介してレーザ発振装置
6が配置され、インゴット3表面に、レーザ照射が行わ
れるようになっている。
インゴット3切断用のエッチングガスを導入するための
エッチングガス供給配管7が接続され、チャンバー1の
底面には、排ガス取り出し配管8が接続されている。
ウエハ10を載置してその厚み分ずつ下降するウエハ保
持ステージで、このステージ9上に所定量だけウエハ1
0が溜まると、チャンバー1の下部側方に連結されてい
るウエハ取り出し手段(図示せず)が作動して、ステー
ジ9上のウエハ10をチャンバー1外に取り出すように
なっている。そして、ウエハ10が取り出されて空にな
ると、ステージ9は初期位置まで上昇し、再び切り出さ
れたウエハ10を溜めていくようになっている。
ウエハ10の切り出しを行うことができる。すなわち、
まずSi単結晶からなる円柱状のインゴット3をシャフ
ト2に取り付け、チャンバー1内に装着する。つぎに、
排ガス取り出し配管8から真空引きを行い、チャンバー
1内を10-3Torr程度の真空にしたのち、エッチン
グガス供給配管7から、NF3 ガスを導入する。
2(a)に示すように、レーザ光Pを、インゴット3表
面の切断予定部(斜線部Q)の一箇所に集光させる。こ
のとき、インゴット3表面の受光部のスポット径が10
0μm以下になるよう集光具合を調整するとともに、こ
のスポット径内において、インゴット3の温度が300
〜600℃となるようにする。この状態で、インゴット
3表面近傍においてNF3 が励起され、インゴット3の
構成成分であるSiとNF3 ガスが、下記のように反応
してインゴット3がエッチングされる。
性物質)+2N2 (ガス)
を介してゆっくり回転させると、図2(b)に示すよう
に、レーザ光Pの照射された部分が周方向に徐々に移動
しながら溝となって削れていき、最終的に、図2(c)
に示すように、切断予定部全面がエッチング除去されて
ウエハ10を切り出すことができる。切り出されたウエ
ハ10は前記ステージ9(図1参照)の上に落下する。
を、ウエハ10の厚み分(例えば500μm)+切りし
ろ分(例えば100μm)だけ下降させ、つぎの切断予
定部がレーザ光を受光する位置にインゴット3を位置決
めする。そして、レーザ照射を開始し、上記と同様にし
て、つぎのウエハ10を切り出す。これを繰り返すこと
により、一定の間隔でつぎつぎとウエハ10を得ること
ができる。なお、ステージ9上に溜まったウエハ10
は、前述のとおり定期的にウエハ取り出し手段によりチ
ャンバー1の外に取り出される。
光を集光してスポット径を絞り(例えば100μm以
下)、その範囲内でエッチングガス(NF3 )を励起し
てインゴット3表面を揮発除去させることができるた
め、従来の方法に比べて大幅に切りしろを薄くすること
ができ、切断時の無駄を最小限に抑えることができる。
また、従来のように、切削液や切り屑の飛散がないため
作業環境がクリーンで衛生的である。しかも、工具交換
の必要がないため作業性がよい。
励起を、レーザ照射のみによって行っているが、励起を
より短時間で行うために、チャンバー1内に導入された
エッチングガス自体の加熱を併せて行うようにしてもよ
い。上記加熱方法は、適宜に設定されるが、例えば図3
に示すように、エッチングガス供給配管7の下流端7a
を、レーザ光の受光部近傍まで延ばし、この下流端部の
周囲にヒータのコイル11を巻回して、この部分を通過
するエッチングガスを高温に加熱し、その状態でインゴ
ット3の表面に吹き付けるようにすることが好適であ
る。エッチングガスの加熱温度は、レーザ光による加熱
と同様、300〜600℃程度に設定することが好まし
い。
柱状であり、シャフト2に取り付けてこれに回転動作あ
るいは昇降動作を与えて切断予定部を小面積ずつ移動さ
せるようにしているが、インゴット3が角柱状の場合に
は、図4に示すように、インゴット3をX−Yステージ
12上に載置し、図示のようにレーザ光Pを照射してX
−Yステージ12を介してインゴット3を紙面左右方向
および紙面垂直方向に移動させることにより、切断予定
部を揮発除去するようにする。なお、図において、13
はX−Yステージ12を支受する基台である。
く、一つのチャンバー1に対し複数台、異なる配置で設
け、複数のレーザ光をインゴット3に同時に照射するこ
とにより、切断効率を向上させることができる。
ザ発振装置6に代えてHgランプ等の発光装置を用い、
エッチングガスの励起を光子照射によって行うようにし
ても差し支えはない。
切削加工によってインゴットからウエハを切り出してい
たのに対し、エッチングガスをレーザ照射もしくは光子
照射により励起してガス成分とインゴット構成成分との
間に化学反応を生起させ、それによってインゴットの切
断予定部を揮発除去させてウエハの切り出しを行うよう
にしたものである。したがって、本発明の方法によれ
ば、レーザ照射もしくは光子照射の受光部を小面積に絞
り(例えばスポット径100μm以下)、その範囲内の
みのインゴットを揮発除去させることができるため、従
来に比べて大幅に切りしろを薄くすることができ、切断
時の無駄を最小限に抑えることができる。また、従来の
ように、切削液や切り屑の飛散がないため作業環境がク
リーンで衛生的である。しかも、工具交換の必要がない
ため作業性がよいという利点を有する。さらに、得られ
たウエハの切断面が、従来の切削による切断とは異な
り、平滑性に優れているため、表面研磨が不要か、ある
いはごく短時間の研磨作業ですむという利点も有する。
そして、本発明の装置によれば、上記方法を効率よく実
施することができる。
第1段階の説明図であり、(b)はその第2段階の説明
図であり、(c)はその第3段階の説明図である。
る。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 結晶インゴットからウエハを得る方法で
あって、上記結晶インゴットの切断予定部にエッチング
ガスを供給するとともにこのガス成分をレーザ照射もし
くは光子照射によって励起し、上記結晶インゴットの構
成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて結
晶インゴットの切断予定部を小面積ずつ揮発除去するこ
とを場所を移動しながら連続的に行い、最終的に切断予
定部全面を揮発除去してウエハを切り出すようにしたこ
とを特徴とするウエハの製法。 - 【請求項2】 上記エッチングガスが、NF3 ,CCl
2 F2 ,CF4 ,C 2 F6 ,C3 F8 ,CHF3 ,CC
l4 ,SF6 ,CCl3 F,ClF3 およびHClから
なる群から選ばれた少なくとも一つの成分からなる請求
項1記載のウエハの製法。 - 【請求項3】 上記エッチングガスを供給する際、エッ
チングガス自体を高温加熱して結晶インゴットの切断予
定部に吹き付けるようにした請求項1または2に記載の
ウエハの製法。 - 【請求項4】 円柱状結晶インゴットからウエハを得る
際に用いられるウエハの製造装置であって、上記インゴ
ット装着部と、上記装着部に装着されたインゴットを周
方向に回転させ、もしくは軸方向に移動させるインゴッ
ト移動手段と、上記インゴットから切り出されたウエハ
を保持するウエハ保持手段とを備えた密閉式のチャンバ
ーと、上記チャンバー内にエッチングガスを供給するエ
ッチングガス供給手段と、上記チャンバー内から排ガス
を取り出すガス取り出し手段とを設け、かつ上記装着さ
れたインゴットに対し、チャンバー外からレーザ照射も
しくは光子照射を行うエッチングガス励起手段を設けた
ことを特徴とするウエハの製造装置。 - 【請求項5】 角柱状結晶インゴットからウエハを得る
際に用いられるウエハの製造装置であって、上記インゴ
ット装着部と、上記装着部に装着されたインゴットを同
一平面上でX−Y方向に移動させるインゴット移動手段
と、上記インゴットから切り出されたウエハを保持する
ウエハ保持手段とを備えた密閉式のチャンバーと、上記
チャンバー内にエッチングガスを供給するエッチングガ
ス供給手段と、上記チャンバー内から排ガスを取り出す
ガス取り出し手段とを設け、かつ上記装着されたインゴ
ットに対し、チャンバー外からレーザ照射もしくは光子
照射を行うエッチングガス励起手段を設けたことを特徴
とするウエハの製造装置。 - 【請求項6】 上記エッチングガス供給手段の下流端
が、装着されたインゴットの、レーザ照射もしくは光子
照射を受ける部分近傍まで延びており、その下流端部に
加熱手段が設けられている請求項4または5に記載のウ
エハの製造装置。
Priority Applications (6)
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JP30274995A JP3485136B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
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