JP2003533008A - エッチング処理方法 - Google Patents

エッチング処理方法

Info

Publication number
JP2003533008A
JP2003533008A JP2000603083A JP2000603083A JP2003533008A JP 2003533008 A JP2003533008 A JP 2003533008A JP 2000603083 A JP2000603083 A JP 2000603083A JP 2000603083 A JP2000603083 A JP 2000603083A JP 2003533008 A JP2003533008 A JP 2003533008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plasma
wafers
stack
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000603083A
Other languages
English (en)
Inventor
カーダウスカス，マイケル・ジェイ
ピウクジーク，バーンハード・ピー
Original Assignee
エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド filed Critical エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド
Publication of JP2003533008A publication Critical patent/JP2003533008A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 複数のウェハを積重ね体として組み立てることと、大気圧力にて発生された比較的高密度プラズマを使用して前記ウェハの積重ね体に対し、ドライエッチング処理を施すこととを含む、複数の半導体ウェハの新規なエッチング処理方法が提供される。プラズマは磁性的に集束され、また、前記ウェハの連続的な端縁部分を前記プラズマに曝し得るように前記積重ね体を回転させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、半導体ウェハのプラズマエッチング処理、より具体的には、半導体
ウェハの端縁のエッチング処理に関する。
【０００２】
【発明の背景】
その前面、背面及びその端縁から選択した材料を除去するため半導体ウェハを
エッチング処理することは一般的な方法である。このため、シリコンのエッチン
グ処理は、例えば、化学的（ウェット酸）エッチング処理、プラズマエッチング
処理、反応性イオンエッチング処理、イオンビームエッチング処理及び化学支援
型機械式ポリシリング（「ＣＭＰ」）のような、色々な方法で行われている。ま
た、研磨によってウェハから材料を除去することも一般的なことである。
【０００３】 シリコン太陽電池は、一般に、シリコンウェハにて製造される。これらのウェ
ハに対し、その後、太陽電池を製造するため色々な加工ステップが行われ、これ
らステップの１つは、各ウェハの一側部に隣接して光起電力ｐ−ｎ接合部を形成
することを含む。ウェハは、異なる方法にて製造される。これらのウェハは、例
えば、典型的に、ダイヤモンドブレード鋸、又はワイヤー鋸によって大きい単結
晶チョクラルスキー成長のブール又は多結晶ブロックからスライスすることがで
きる。シリコン太陽電池ウェハを製造する別の一般的な方法は、エッジ・ディフ
ァインド・フィルム・フェド・成長（Ｅｄｇｅ−Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ−Ｆ
ｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）（「ＥＦＧ」）法により中空の多結晶体を成長させ、次に
、これらの本体をレーザ切断してウェハにするものである。大きい単結晶ブール
又は多結晶シリコンブロックから切断したウェハは、平坦で且つ平滑（隣接する
ウェハが互いに接着する傾向となるのに十分）な両面であることを特徴とする一
方、ＥＦＧシリコンウェハの相応する面は不均一である。更に、ＥＦＧウェハは
、全体として矩形の形状であり、全体として円形の形状（比較的大きい鋳造した
、多結晶ブロックから切断したウェハもまた全体として矩形である）を有する大
型のシリコン結晶ブールから製造したものと相違する。
【０００４】 レーザ切断ステーションから受け取ったＥＦＧ半導体シリコンウェハは、ミク
ロ割れを有し、材料の再凝固に起因して粗面になり勝ちである端縁を有する。そ
の端縁にミクロ割れを有するＥＦＧウェハは、その後の太陽電池の加工中、破断
し勝ちであることが分かった。しかし、ミクロ割れの無い平滑な端縁を提供すべ
くその端縁部分（縁部）をエッチング処理するならば、ＥＦＧウェハの破断抵抗
性は向上することが分かった。ブール又は鋳造ブロックから切断したシリコンウ
ェハは、また、除去することを必要とする損傷を受けた端縁を有することも認識
すべきである。
【０００５】 上述した他のエッチング処理技術はエッチング処理工程の処理速度が過度に遅
く且つコスト高であるため、満足し得るものではないから、ＥＦＧウェハは、典
型的に、ウェット酸エッチング処理法を使用してエッチング処理される。ＥＦＧ
ウェハのウェット酸エッチング処理は、２つの目的、すなわち、（１）ウェハの
レーザ切断に起因する端縁の損傷（ミクロ割れ）を除去すること、（２）ＥＦＧ
成長工程中にウェハの背面上に形成されるＳｉＯ／ＳｉＣの薄い膜の層を等方性
的に除去することという目的を果たす。エッチング処理溶液は、典型的に、硝酸
及びフッ化水素酸の混合体である。ウェット化学的エッチング処理法を使用する
ならば、ＥＦＧ成長ウェハは、混合した酸溶液の浴中に没入して、所望のエッチ
ング処理を実現するのに十分に長い時間、ウェハを浴中に入れておく。
【０００６】 このことは、ＥＦＧウェハの破断抵抗性を向上させるのに効果的ではあるが、
ウェットエッチング処理法は、その他の直接的な問題点を招来する。エッチング
処理装置及び化学的塵処分施設に対して遥かに広い設置スペースが必要とされる
。また、極めて腐食性の酸混合体を使用することは常時、危険をもたらす。また
、ウェット酸エッチング処理法は、多量の使用済み酸を発生させ、これらの酸は
、処分する前に中和しなければならず、廃棄物を化学的に適法に処分することは
相当なコストを伴うという不利益な点もある。更に、中和した場合でも、政府機
関によって課される、発生する化学的化合物の処分に関する規制のため、依然と
して、環境上の問題点が残る。
【０００７】 本発明以前、接合部の分離を保証すべく、十分な材料を除去する目的のため、
前部及び後部金属接点が設けられた後、シリコン太陽電池の端縁をエッチング処
理すべくプラズマエッチング処理法を使用することが望ましいと考えられていた
。しかし、かかる目的のためプラズマエッチング処理法を使用することは、複数
のウェハを同時にエッチング処理することができ、また、各面から除去すること
を必要とする材料の量が比較的少ないときに限って経済的に実現可能である。接
合部の分離を行うため、各端縁にて除去することを必要とする材料の量は、典型
的に、１ミクロン程度である。本発明以前、複数の太陽電池ウェハを共に、いわ
ゆる「コインの積重ね体」と呼ばれる状態で面同士を合わせて積重ね、次に、部
分真空、すなわち大気圧以下の圧力にてプラズマエッチング処理チャンバ内で行
われるプラズマエッチング処理法をその積重ね体に施すことにより、エッチング
処理生産量を増すことが可能であることも分かった。かかる方法は、典型的に、
積重ね体を包み込む比較的低密度のプラズマとして特徴付けられるものを典型的
に製造する。接合部の分離目的のため、太陽電池のコイン積重ね体を端縁エッチ
ング処理することは、１９７８年６月１８日に、Ｊ．Ｅ．アベリー（Ａｖｅｒｙ
）ら及びチャールズ Ｆ．ガイ（Ｃｈａｒｌｅｓ．Ｆ．Ｇａｙ）に発行された「
太陽電池の製造（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ）」という名
の米国特許第４，１５８，５９１号により開示されている。アベリーらの太陽電
池の製造法において、太陽電池の積重ね体は、接合部の所望の分離を実現するの
に十分な所定の時間、反応性プラズマによって包み込まれる。アベリーらの特許
は、米国特許第３，７９５，５５７号に記載されたプラズマエッチング処理装置
を使用してプラズマエッチング処理を行うことができることを教示している。
【０００８】 ＥＦＧウェハのコインの積重ね体の端縁をエッチング処理するため、アベリー
らにより教示された方法にて反応性プラズマを使用することは、幾つかの理由の
ため満足し得ない。１つのことは、大気圧力よりも低い圧力にて発生されたプラ
ズマは、比較的低密度となり易いため、ウェハ材料の除去量は比較的少量である
。ミクロ割れを除去するために各端縁面にて除去することを必要とする材料の量
は、実質的に１ミクロン以上であるから、この制限は、ＥＦＧウェハを端縁エッ
チング処理する場合、特に厳しい。太陽電池を製造するために現在、使用されて
いるＥＦＧシリコンウェハは、各端縁から１００ミクロンもの再凝固した材料を
除去することを必要とするため、ミクロ割れ又は粗面を有することが多い。
【０００９】 第二の理由は、ＥＦＧウェハの性質による。上述したように、ＥＦＧウェハの
両面は不均一である。より具体的には、ＥＦＧウェハの面は、明確に認識できる
凹凸を有し、その結果、表面の平坦度の偏差は５００ミクロン程にもなる。こう
した凹凸のため、また、再凝固した材料に起因する端縁の粗さのため、ＥＦＧウ
ェハがコイン積重ね体として配置されたならば、それらウェハは互いに接着せず
、その間に小さい空隙が存在し、反応プラズマがこの空隙内に侵入する可能性が
ある。この点に関して、エッチング処理プラズマ中の反応性イオン（例えば、フ
ッ素イオン）の平均自由行程は、そのプラズマの密度及び圧力に依存することを
理解すべきである。エッチング処理チャンバ内で発生された部分圧力の下、ウェ
ハの積重ね体を取り巻くプラズマ中の反応性イオンの平均自由行程は、次のよう
なものである、すなわち、イオンが隣接するＥＦＧウェハの間でミリメートル程
度、移動可能であり、各ウェハの両面を不均一にエッチング処理し、また、同一
のウェハの端縁面を不均一にエッチング処理するようなものとする。
【００１０】
【発明の概要】
本発明の主要な目的は、損傷した端縁部分を除去する目的のため、半導体ブラ
ンクの端縁をエッチング処理する新規な方法を提供することである。
【００１１】 本発明の別の具体的な目的は、エッチング処理を実質的にウェハの端縁に制限
しつつ、端縁の損傷をウェハから除去する仕方にてコイン積重ね体が反応性プラ
ズマに露呈された状態で、共に積重ねられた半導体ウェハの端縁をエッチング処
理する方法を提供することである。
【００１２】 別の目的は、複数の半導体ウェハを１つの積重ね体として支持することと、ウ
ェハの順次の端縁部分が所定の製造許容公差範囲内でエッチング処理されるよう
にその積重ね体を動かすこととを含む新規な方法を提供することを含む。
【００１３】 更に別の目的は、太陽電池又はその他の半導体デバイスの製造に使用される半
導体ウェハの端縁エッチング処理の新規な方法を提供することである。 より具体的な目的は、ミクロ割れを除去するため、ウェハの端縁エッチング処
理する新規な技術を特徴とする、太陽電池の改良された製造方法を提供すること
である。
【００１４】 更に具体的な目的は、損傷した部分を上記ウェハから除去するため、ＥＦＧウ
ェハを端縁エッチング処理する改良された方法を提供することである。 大気圧力又は略大気圧力にて発生された比較的高密度プラズマを使用して、半
導体ウェハに対しドライエッチング処理を行うことを含む１つの方法により上記
及びその他の目的が実現される。より具体的には、本発明は、１９９８年６月１
６日付けでＯ．シニアグナイン（Ｓｉｎｉａｇｎｉｎｅ）に発行された、「プラ
ズマの発生及び材料のプラズマ加工（Ｐｌａｓｍａ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ａ
ｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＯＦ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」と
いう名称の米国特許第５，７６７，６２７号に開示されたプラズマ装置と同様の
又は類似した装置を使用してウェハの積重ね体の端縁をエッチング処理すること
を含む。
【００１５】 本発明のその他の特徴及び有利な点は、添付図面と共に検討すべき以下の詳細
な説明により明らかになる。
【００１６】
【発明の具体的な説明】
本発明は、大気圧力又は略大気圧力にて作動し、米国特許第３，７９５，５５
７号に記載された装置により発生されるプラズマの密度に比べて高密度であるプ
ラズマを発生させる、米国特許第５，７６７，６２７号に記載された型式のプラ
ズマ発生器を使用する着想に基づくものである。しかし、上記の米国特許第５，
７６７，６２７号に記載された型式のプラズマ発生器は、磁性的に狭い範囲のプ
ラズマ流を発生させる。従って、このプラズマ発生器は、その磁性的に狭い範囲
のプラズマ流がエッチング処理すべきウェハの積重ね体中のウェハの端に向けら
れるように位置決めする必要がある。本発明はまた、磁性的に制御されたプラズ
マを１つの所定のウェハ積重ね体中のウェハの全ての端縁に同時に向けることが
できないことも認識している。このため、本発明の方法はまた、ウェハの異なる
端縁（又は円形のウェハの場合異なる端縁部分）をプラズマ流に曝し得るように
コイン積重ね体を回転させることも含む。過熱は望ましくない結果を生じるから
、プラズマ流に対するウェハ端縁の露呈時間をウェハの過熱を防止し得るように
制御する。
【００１７】 先ず、図１乃至図３を参照すると、複数の矩形のウェハ１０が、積重ね体１１
中で面同士を合わせた状態で取り付けられ、その積重ね体はホルダ１２内に配置
され且つ該ホルダ１２により支持される。ウェハの厚さは、図面の便宜上、図１
、図２及び図４乃至図６で誇張して示してあることを認識すべきである。ホルダ
１２は、主要なストラップ部分１４と、ストラップ部分１４の中央に接続された
支持アーム部分１６とを備え、該アーム部分は、ハンガー（図示せず）に取り付
けるために使用されるその上端の穴１８を有し、また、該ホルダは、ストラップ
部分１４の両端に一対のアーム２０を有し、該アーム２０は直角フランジ２２に
て終わるようにすることが好ましい。その結果、図２に図示するように、部材１
４、２０、２２は協働して、ウェハの積重ね体を受け入れるスペースを画成する
。これら２つのアーム２０はウェハの隣接する端縁に係合する。本発明のこの特
別な実施の形態において、アーム２０は、ばね金属で出来ており、また、それら
アームが共にウェハを何ら損傷させることなく、ウェハを所定の位置に保持する
のに丁度十分な締め付け力をウェハに作用させ得るように形成される。ウェハは
、２つの両端縁（図３、図５及び図６に見て垂直方向に伸びる端縁）においての
み保持され、その他の２つの端縁（図３、図５及び図６に見て水平方向に伸びる
端縁）を完全に露出したままにし、以下に説明するように、これら端縁がエッチ
ング処理可能であるようにする。
【００１８】 次に、図４乃至図６を参照すると、本発明に従ってウェハの積重ね体をエッチ
ング処理する装置の１つの形態が図示されている。該装置は、カルーセル（Caro
usel：回転式搬送装置）３２を保持するエッチング処理チャンバを画成するハウ
ジング３０と、全体として参照番号３４で表示したプラズマ発生器とを備えてい
る。カルーセル３２は、ハウジングに固着されたベアリング支持体３７に取り付
けられた回転可能な軸３６により保持されている。軸３６には、プーリー３８が
取り付けられており、該プーリーは、電気モータ４４の出力軸に取り付けられた
第二のプーリー４２にベルト４０により接続されている。該電気モータは、ハウ
ジング３０に固着したモータ支持体４５に取り付けられている。モータ４４の作
動によりプーリー４２、ベルト４０及びプーリー３８は、モータ４４の作動によ
り決定される方向に向けてカルーセルを回転させる。
【００１９】 カルーセル３２は、複数の平坦な小面４６（図４）を備えて、平面図で多角形
の形状をしており、該複数の平坦な小面には、ホルダ１２の穴１８に嵌まり得る
寸法とされたピン４８の形態（図５、図６）のハンガーが設けられている。該小
面及びピン４８は、各々がエッチング処理すべきウェハの積重ね体を支持する複
数のホルダ１２をカルーセルの各小面に１つずつカルーセルに取り付けることを
許容する働きをする。
【００２０】 次に、図６を参照すると、参照番号３４で全体として表示したプラズマ発生器
は、同様に排出ノズルとしても機能する２つの中空の電極装置５２、５４を備え
ており、その内部通路（図示せず）は、管５６、５８によりアルゴンのような少
なくとも１つの不活性ガスの供給源に接続されている。これら２つの電極装置は
その軸線が互いに対し収斂する関係に配置されるように設けられ、その結果、電
極装置により発生されたガス流が上記米国特許第５，７６７，６２７号の図１に
示した方法にて互いに収斂する。プラズマ発生器はまた、参照番号６０、６２で
概略図的に図示した少なくとも一対の電磁石と、電極及び電磁石を電源（図示せ
ず）に接続する電気導線６４、６６とを備え、これに加えて、電気回路を接続し
且つ作動させるその他の関係する構成要素（図示せず）を備え、（ａ）電流が２
つの不活性ガス流を通り且つその間を通り、これにより、プラズマ流を発生させ
得るように電極装置を作動させること、（ｂ）プラズマの形状を設定する磁界を
発生させ得るように電磁石を作動させる。プラズマ発生器のその他の詳細は本明
細書には記載せず、それに代えて、上記米国特許第５，７６７，６２７号の教示
を参考として引用し本明細書の一部に含めてある。この点に関して、大気圧力又
は略大気圧力にて作動するその他の形態のプラズマ発生器、例えば、米国特許第
５，７６７，６２７号に記載された幾つかの特許及び国際出願により開示された
プラズマ発生器を使用して本発明を実施することが可能であることを理解すべき
である。非限定的な一例として、電極装置の電源は、２つの隣接する電極装置の
放電オリフィスの中心間の距離が２０乃至１００ｍｍの範囲にあり、電極装置間
の角度が３０°乃至５０°の範囲にあるとき、１００乃至２００ボルトの範囲の
直流電圧を提供することができる。
【００２１】 このように、更に、非限定的な一例として、２つの電極装置の電源は９０アン
ペア程度のプラズマ電流を発生するようなものとすることができる。該プラズマ
は図６に参照番号７０で示すような火炎の外観を有し、２つの電極装置により発
生された２つのガス流間で電流がアーク放電する領域内で数１０００°程度の最
高温度に達する。
【００２２】 プラズマ発生器はカルーセルの下方に配置され且つガス流をカルーセルの周縁
にて上方に向け得るような位置に配置される。その結果、カルーセルが回転する
とウェハの各積重ね体は発生器３４により発生されたプラズマ火炎の上方を進む
。カルーセル及びプラズマ発生器は、カルーセルに取り付けられた各積重ね体中
のウェハの底端縁が２つの電極装置のガス排出端部の位置の上方に約４５ｃｍだ
け隔てられるような位置に配置される。エッチング処理位置におけるウェハ積重
ね体と２つの電極の排出端部との間のこの空隙は、電極により発生された２つの
ガス流の間で電流がアーク放電する領域たる、遥かに高温度の領域ではなくて、
比較的低温度（５００℃程度）であることを特徴とする下流のプラズマ領域内に
ウェハがあることを保証する。プラズマ発生器とカルーセルにより保持されたウ
ェハとの間のこの分離は、ウェハが過熱されないことを保証するのに役立つ。
【００２３】 所望の反応成分の供給源として作用する選択したガス、すなわちその端縁を化
学的にエッチング処理し得るようにウェハと反応するイオンを電極装置の内部通
路を通じて不活性ガスと共に導入し、電極装置の排出ノズルから放出されたガス
流が不活性ガスと、例えば、フッ化イオンのような所望の反応成分との双方を含
むようにすることができる。これと代替的に又は追加的に、上記米国特許第５，
７６７，６２７号に記載された噴射管２１に相応する噴射管６４を介して、所望
の反応成分の供給源として役立つガスをプラズマ内に直接導入してもよい。上記
米国特許第５，７６７，６２７号（コラム４、１０乃至１５行）により提案され
たように、噴射管は、２つの電極装置の軸線の交点の下方で且つ該交点からある
距離の位置であって、噴射管がプラズマ発生器の作動中、プラズマ熱による熱的
損傷を受ける可能性がない位置に配置される。米国特許第５，７６７，６２７号
は、幾つかの実施の形態において、噴射管の排出端部と２つの電極の軸線の交点
との間の距離を１０乃至５０ｍｍ程度にすることが可能であることを示唆してい
る。
【００２４】 本発明の実施に際し、電極装置を介して導入されたガスは噴射管６４を介して
のみ導入される不活性ガス及び反応成分のみから成ることが好ましい。反応成分
を導入することが好ましい方法である理由は、プラズマがウェハに接触するその
下流のプラズマ領域内で反応成分の濃度を制御することが一層容易であるからで
ある。非限定的な一例として、不活性ガスは、毎分１リットル程度の量にて２つ
の電極の各々を通って流れるアルゴンとすることができる一方、噴射管１２を介
して導入される反応成分は毎分２．５リットル程度の量にて流れるＣＦ4とする
ことができる。
【００２５】 ウェハをエッチング処理する反応成分の供給源として色々な化合物を使用する
ことができる。シリコンウェハの場合、その供給源は、ハロゲンを含む化合物、
好ましくはフッ素を含む化合物である。非限定的な一例として、シリコンをエッ
チング処理するため、反応成分の供給源は、ガス状の形態をした次のものの１つ
又は２つ以上から成るものとする。四フッ化炭素（ＣＦ4）、トリフルオロメタ
ン（ＣＨＦ3）、ジフルオロメタン（ＣＨ2Ｆ2）、フッ素、フルオロフォーム、
ヘキサフルオロエタン、臭化水素、フッ化水素、五フッ化ヨウ素、四フッ化エチ
レン、トリクロロフルオロメタン、五フッ化臭素、三フッ化臭素、ブロモトリフ
ルオロエチレン、ブロモトリフルオロメタン、クロロジフルオロメタン、クロロ
ペンタフルオロエタン、クロロトリフルオロエチレン、クロロトリフルオロメタ
ン、ジブロモジフルオロメタン、１，２−ジブロモテトラフルオロエタン、ジク
ロロジフルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、１，２−ジクロロ−テトラフ
ルオロエタン、１，１−ジフルオロ−１−クロロエタン、１，１−ジフルオロエ
タン、１，１−ジフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、及びトリクロロ
フルオロメタン 電流を保持することのできる任意のその他のガスを使用してプラズマを発生さ
せることができるが、プラズマを発生させるべく電極装置に導入されるガスは、
アルゴン又はヘリウム、又はその混合体のような不活性ガスであることが好まし
く、勿論、かかるガスは、ウェハ又は構成要素、プラズマ発生器の作動又は作動
結果に有害な影響を与えないものであることが条件である。
【００２６】 以下に、図２乃至図６に図示した装置を使用して本発明を実施する方法の特定
の例を説明する。各々が１０．１６ｃｍ（４インチ）×１０．１６ｃｍ（４イン
チ）の寸法であり、約３００ミクロン（３００μｍ）の厚さを有する複数の矩形
のＥＦＧウェハを複数の積重ね体にて面同士が接触する状態に配置し、積重ね体
の各々がホルダ１２内に配置されるようにする。ホルダの各々は、８５のウェハ
から成る積重ね体を支持する。これら積重ね体は、カルーセルの小面４６に取り
付け、ホルダ１２のアーム部分１６がハンガーピン４８から懸架されるようにす
る。カルーセルは、１２の小面を有し、１０００個以上のウェハがその周縁にて
支持されるようにする。ハウジング３０は気密ではなく、従って、ハウジングに
より画成されるチャンバ内の圧力は大気圧力である。ハウジングには、使用済み
のガスの除去を保証し得るよう排気ファン（図示せず）に接続することのできる
排気管３１が設けられている。
【００２７】 アルゴンガスは、毎分約０．８リットルの量にて２つの電極装置に導入され、
ＣＦ4ガスは、毎分２．５リットルの量にて噴射管６４を介して導入される。プ
ラズマ発生器は直流電圧にて作動され、約９０アンペアの電流を提供し、２つの
電極から発生される２つのガス流の間でアーク放電し、フッ素イオンを含むプラ
ズマを発生させる。下流のプラズマ領域、すなわちウェハの底端縁を搬送すると
きに通る比較的低温のプラズマ領域内の流速は３０ｍ／秒以下である。
【００２８】 プラズマ発生器を作動させプラズマを発生させる前又は実質的にこれと同時に
、カルーセルの回転を開始する。カルーセルは、約３０４．８ｃｍ（１２０イン
チ）／秒の線形速度で回転させ、ウェハの各積重ね体はミリ秒程度の時間、プラ
ズマに曝され、これにより、ウェハの過熱を防止するようにする。上記の状態下
にて、エッチング処理速度は５０乃至７５ｃｍ2／秒／μｍの範囲である。カル
ーセル上に位置する全てのウェハの底端縁が所望の程度にエッチング処理される
迄、例えば、その底端縁が約３５μｍだけ後方にエッチング処理される迄カルー
セルは連続的に作動する。次に、カルーセルを停止させ、ガスの流れを停止させ
、プラズマ発生器への電力の流れを遮断する。その後、ウェハが冷却するのを許
容し、次に、チャンバからウェハを除去する。次に、ウェハをホルダ１２内で１
８０゜反転させ、それ以前にウェハの頂端縁であった部分がウェハの底端縁とな
るようにし、ウェハの保持ホルダを再度、カルーセルに取り付ける。次に、ウェ
ハの新たな底端縁をエッチング処理するためエッチング処理過程を繰り返す。そ
の後、この過程を再度停止させ、ウェハホルダをチャンバから除去し、ウェハを
そのホルダ内で９０゜回転させる。次に、ホルダを再度カルーセルに取り付け且
つエッチング処理過程を繰り返す。その後、その過程の３回目の停止を行い、ウ
ェハホルダを除去し、ウェハをホルダ内で１８０゜回転させる。次に、ホルダを
再度、カルーセルに取り付け、ウェハの第四の端縁をエッチング処理すべくその
過程を繰り返す。
【００２９】 上記の例により説明した方法にてエッチング処理したウェハは、その後の太陽
電池の製造ステップの間、破断抵抗性が向上することが分かった。更に、本発明
のこの方法は、ウェハの処理量がウェット酸エッチング処理する場合と同程度又
はそれ以上であるという利点をもたらす。また、塵の処分の問題点も実質的に軽
減され、エッチング処理の全体的なコストはウェット酸エッチング処理の場合よ
りも実質的に少なくて済む。
【００３０】 カルーセルの小面に対し垂直な軸線上で回転可能なウェハホルダであって、ウ
ェハの対向する第一及び第二の端縁にて矩形のウェハの積重ね体を把持する第一
の組みのグリッパと、当該ウェハをその反対側の２つの両端縁にて把持する第二
の組みのグリッパとを有するウェハホルダをカルーセルに設け、該カルーセルに
は、２組みのグリッパを選択的に且つ交互に作動させると共に、ウェハホルダを
９０°又は１８０°の増分量にて回転させ、ウェハの端縁の各々がエッチング処
理プラズマに露呈されるように命令に従って作動可能な手段を更に設けることに
よりこの方法は改変可能であると考えられる。
【００３１】 本発明は、ＥＦＧシリコンウェハのエッチング処理にのみ限定されるものでは
ない。本発明は、鋳造又はその他の方法により製造された単結晶ブール又は多結
晶ブロックから切断されたウェハの端縁をエッチング処理するために使用するこ
ともできる。また、本発明は、矩形の形状のウェハのエッチング処理にのみ限定
されるものではない。一例として、本発明は、円形のウェハの積重ね体の端縁を
エッチング処理するために使用することもでき、この場合、（ａ）その端縁では
なくて、その中央部にて円形のウェハを把持し得るようにされたウェハ保持手段
と、（ｂ）円形のウェハの端縁を順次的な部分がプラズマ火炎に曝されるように
ウェハ保持手段を回転させる手段とを含むようにカルーセルを改変する。
【００３２】 考えられる別の改変は、中心の回転軸線を有する改変したウェハ積重ね体ホル
ダ１２を提供し且つカルーセルに対し、（ａ）改変したホルダを回転可能に且つ
取り外し可能に支持し得るようにその小面の各々に設けられた手段と、（ｂ）ウ
ェハ積重ね体ホルダの各々を選択した回転位置に解放可能に保持する保持手段と
を設けることにより、ウェハホルダ及びカルーセルを改変することである。かか
る装置の場合、ウェハを保持するホルダを９０°の増分量にて回転させることは
、回転テーブルにより保持された手動工具（図示せず）又は手動機構（同様に図
示せず）により行なうことができる。別の可能な改変は、上記の米国特許第５，
７６７，６２７号が提案するように、プラズマ流の形状を設定すべく２つ以上の
電極を使用することである。
【００３３】 また、管６４を介して噴射された、例えば、ＣＦ4ガスのような反応性ガスを
アルゴンのような不活性担体ガスと混合させることが可能であるとも考えられる
。また、所望であるならば、エッチング処理目的のため、反応性ガスの混合体を
プラズマに導入することができる。また、本発明の方法は、シリコン以外の材料
であるウェハのエッチング処理するために使用することができ、この場合、同一
又はその他のガス状エッチャント材料を使用して、本発明を実施することが可能
であることも理解される。
【００３４】 本明細書に記載し且つ特許請求の範囲に記載した端縁エッチング処理方法は、
次の従来のステップを備える、太陽電池の製造過程の一体の部分を構成するもの
と考えられる。（１）ＥＦＧ方法により、例えば、いわゆる「八角形」のような
、中空の多結晶シリコン体を成長させるステップと、（２）複数の矩形のウェハ
を形成し得るように中空体をレーザにて切断するステップと、（３）本明細書に
記載したようにウェハの端縁をエッチング処理するステップと、（４）光起電力
接合部を形成し得るようにウェハに対し拡散被覆を施すステップと、（５）作用
可能な太陽電池を形成し得るようにウェハの前面及び背面に金属接点を形成する
ステップとである。端縁エッチング処理工程を除いて、太陽電池を製造する上記
の過程は、技術分野で従来から行なわれており、従って、本明細書で詳細に説明
する必要のないステップを含む。この点に関して、参考として引用し、本明細書
の一部に含めた次の米国特許、すなわち、ジェイ・アイ・ハノーカ（Ｊ．Ｉ．Ｈ
ａｎｏｋａ）らに対し発行された米国特許第５，４７６，５５３号、エム・ディ
ー・ローゼンブラム（Ｍ．Ｄ．Ｒｏｓｅｎｂｌｕｍ）らに対し発行された米国特
許第５，２７０，２４８号、ディー・エス・ハーベイ（Ｄ．Ｓ．Ｈａｒｖｅｙ）
らに対し発行された米国特許第５，１０２，４９４号及びビー・アール・バセイ
（Ｂ．Ｒ．Ｂａｔｈｅｙ）らに対し発行された米国特許第５，１５６，９７８号
を参照するとよい。
【００３５】 本発明のその更に他の改変例及び適用例は、上記の具体的な説明から当該技術
分野の当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 矩形の半導体ウェハの積重ね体を示す平面図である。
【図２】 クランプ止め型ホルダにより支持された同一のウェハ積重ね体を示す平面図で
ある。
【図３】 図２に図示したウェハホルダの背面図である。
【図４】 複数のウェハ積重ね体をエッチング処理プラズマ内に及び該エッチング処理プ
ラズマ外に搬送するカルーセルの概略図的な平面図である。
【図５】 同一のカルーセルの概略図的な側面図である。
【図６】 図４及び図５のカルーセルと組み合わせた高密度プラズマを発生させ得るよう
にしたプラズマ発生装置を示し且つウェハ積重ね体をエッチング処理プラズマに
作用させる方法を示す概略図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年３月１６日（２００１．３．１６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピウクジーク，バーンハード・ピー アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03045，ダンバートン，ロバート・ロジャ ース・ロード 189 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA20 BB16 BB19 BB21 BB24 BB28 CA05 DA00 DA01 DA15 DA16 DA20 DA23 DB01 EA38

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体ウェハのエッチング処理方法において、前記複
    数のウェハを積重ね体として組み立てることと、前記ウェハの端縁部分をエッチ
    ング処理して除去するのに十分な時間にわたって前記ウェハの積重ね体に対し比
    較的高密度の反応性プラズマを作用させることとを備える方法。
  2. 【請求項２】 前記プラズマが大気圧力又は略大気圧力にて発生される請求
    項１の方法。
  3. 【請求項３】 複数のＥＦＧ半導体ウェハのエッチング処理方法において、
    前記複数のウェハを積重ね体として組み立てることと、大気圧力又は略大気圧力
    にて発生された比較的高密度プラズマを使用して、前記ウェハの積重ね体に対し
    ドライエッチング処理を施すこととを備える方法。
  4. 【請求項４】 請求項３の方法において、 （ａ）互いに収斂する第一及び第二のガス流を発生させるステップ、 （ｂ）プラズマを発生させ得るように前記第一及び第二のガス流を通じて放電
    させるステップ、 （ｃ）ハロゲンを含む化合物を前記プラズマ中に導入し、これにより、前記化
    合物が、前記ウェハと反応するハロゲンイオンを提供し得るようにイオン化され
    、該ウェハの端縁部分をエッチング処理して除去するステップ の少なくとも１つを備える過程により、前記プラズマが生成される方法。
  5. 【請求項５】 前記ウェハが矩形の形状であり、前記ウェハの端縁の各々に
    対し所定の時間にわたって前記プラズマを作用させる請求項３の方法。
  6. 【請求項６】 （ａ）複数の実質的に平坦な部分を有する中空のシリコン体をＥＦＧ法により
    成長させるステップと、 （ｂ）前記平坦な部分を複数の個々のウェハに変換するために、前記複数の実
    質的に平坦な部分を互いに分離させるように、前記中空体を薄切りにするステッ
    プと、 （ｃ）前記ウェハが互いに面同士を合わせた関係となるように、前記ウェハを
    積重ね体に組み立てるステップと、 （ｄ）前記ウェハの端縁部分をエッチング処理して除去し得るように、実質的
    に大気圧力にて生成された反応性プラズマに対して、前記ウェハの端縁部分を一
    時に１つずつ曝すステップと、 （ｅ）その後、前記ウェハを太陽電池に変換するステップと を備える光起電力太陽電池の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項６の製造方法において、ステップ（ｅ）のウェハを太
    陽電池に変換するステップは、ウェハ内に光起電力ｐ−ｎ接合部を形成すること
    と、その後、前記ウェハの両面に接点を取り付けることとを含む方法。
  8. 【請求項８】 前記プラズマがフッ素イオンを含む請求項６の方法。
  9. 【請求項９】 前記ウェハに対しプラズマエッチング処理を施した後、前記
    積重ね体を分解するステップを更に含む請求項６の方法。
  10. 【請求項１０】 前記プラズマは、ハロゲンを含む化合物の存在下にて、不
    活性ガスの２つの収斂する流れに電流を通すことにより生成される請求項６の方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記化合物がＣＦ4である請求項１０の方法。
  12. 【請求項１２】 前記ウェハの積重ね体が、前記プラズマが前記積重ね体に
    対し直角に前記ウェハの端縁に向けられるように方向決めされ、前記ウェハの端
    縁の各々が前記プラズマに直接的に且つ反復的に曝されるように前記積重ね体を
    回転させるステップを更に含む請求項１０の方法。
  13. 【請求項１３】 前記ウェハが矩形の形状であり、その端縁が相互に整合す
    る状態で前記積重ね体として配置され、前記プラズマが前記端縁に向けられるよ
    うに前記積重ね体を配置することを更に含む請求項６の方法。
  14. 【請求項１４】 前記ウェハの異なる端縁が、異なる時点にて前記プラズマ
    に曝されるように前記積重ね体を回転させるステップを更に含む請求項１３の方
    法。
JP2000603083A 1999-03-03 2000-03-01 エッチング処理方法 Pending JP2003533008A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/261,616 US6660643B1 (en) 1999-03-03 1999-03-03 Etching of semiconductor wafer edges
US09/261,616 1999-03-03
PCT/US2000/005334 WO2000052745A1 (en) 1999-03-03 2000-03-01 Etching of semiconductor wafer edges

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003533008A true JP2003533008A (ja) 2003-11-05

Family

ID=22994093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000603083A Pending JP2003533008A (ja) 1999-03-03 2000-03-01 エッチング処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6660643B1 (ja)
EP (1) EP1173884A1 (ja)
JP (1) JP2003533008A (ja)
AU (1) AU767631B2 (ja)
HK (1) HK1045402A1 (ja)
WO (1) WO2000052745A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016004916A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
TWI690586B (zh) * 2017-06-08 2020-04-11 日商昭和電工股份有限公司 蝕刻方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030131939A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Ase Americas, Inc. Apparatus and method for etching the edges of semiconductor wafers
US6682955B2 (en) * 2002-05-08 2004-01-27 Micron Technology, Inc. Stacked die module and techniques for forming a stacked die module
DE102005040596B4 (de) * 2005-06-17 2009-02-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Entfernung einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern
CN1978351A (zh) * 2005-12-02 2007-06-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 一种模仁保护膜的去除装置及方法
US20070188717A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Melcher Charles L Method for producing crystal elements having strategically oriented faces for enhancing performance
US7910484B2 (en) * 2008-01-11 2011-03-22 International Business Machines Corporation Method for preventing backside defects in dielectric layers formed on semiconductor substrates
US9126290B2 (en) * 2009-06-24 2015-09-08 David Buttress Method for joining solar receiver tubes
US8841573B2 (en) * 2009-08-30 2014-09-23 David Buttress Apparatus for field welding solar receiver tubes
TWI497741B (zh) * 2009-09-22 2015-08-21 First Solar Inc 用以自基板之邊緣移除塗層之系統及方法
WO2011037921A1 (en) * 2009-09-22 2011-03-31 First Solar, Inc. System and method for tracking and removing coating from an edge of a substrate
US20120129318A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atmospheric pressure plasma etching apparatus and method for manufacturing soi substrate
US8960657B2 (en) 2011-10-05 2015-02-24 Sunedison, Inc. Systems and methods for connecting an ingot to a wire saw
EP3038169A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-29 Solvay SA Process for the manufacture of solar cells
JP6771427B2 (ja) * 2017-05-19 2020-10-21 三菱電機株式会社 ｐｎ分離方法および太陽電池セルの製造方法
JP7310608B2 (ja) * 2017-11-02 2023-07-19 株式会社レゾナック エッチング方法及び半導体の製造方法
TWI695440B (zh) 2019-02-13 2020-06-01 謝德風 旋動式模組化檢測設備

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3795557A (en) 1972-05-12 1974-03-05 Lfe Corp Process and material for manufacturing semiconductor devices
US4141811A (en) * 1978-04-24 1979-02-27 Atlantic Richfield Company Plasma etching process for the manufacture of solar cells
US4158591A (en) * 1978-04-24 1979-06-19 Atlantic Richfield Company Solar cell manufacture
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
AU570309B2 (en) * 1984-03-26 1988-03-10 Unisearch Limited Buried contact solar cell
US4969416A (en) * 1986-07-03 1990-11-13 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US5156978A (en) * 1988-11-15 1992-10-20 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
GB2271044B (en) 1990-12-26 1995-06-21 Opa Apparatus for plasma-arc machining
GB2271124B (en) 1990-12-26 1995-09-27 Opa Method and apparatus for plasma treatment of a material
JP3210359B2 (ja) * 1991-05-29 2001-09-17 株式会社東芝 ドライエッチング方法
EP0529888A1 (en) * 1991-08-22 1993-03-03 AT&T Corp. Removal of substrate perimeter material
US5877032A (en) * 1995-10-12 1999-03-02 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission
US5738731A (en) * 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
AUPM483494A0 (en) * 1994-03-31 1994-04-28 Pacific Solar Pty Limited Multiple layer thin film solar cells
US5827437A (en) * 1996-05-17 1998-10-27 Lam Research Corporation Multi-step metallization etch
DE69702452T2 (de) * 1996-05-31 2000-11-23 Ipec Prec Inc Verfahren zum behandeln eines scheibens mit einem plasmastrahl
US5667631A (en) * 1996-06-28 1997-09-16 Lam Research Corporation Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor
US5767627A (en) * 1997-01-09 1998-06-16 Trusi Technologies, Llc Plasma generation and plasma processing of materials
JP3523986B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-26 シャープ株式会社 多結晶半導体の製造方法および製造装置
US6139678A (en) * 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016004916A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
TWI690586B (zh) * 2017-06-08 2020-04-11 日商昭和電工股份有限公司 蝕刻方法
US11164751B2 (en) 2017-06-08 2021-11-02 Showa Denko K.K. Etching method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1173884A1 (en) 2002-01-23
WO2000052745A1 (en) 2000-09-08
AU767631B2 (en) 2003-11-20
AU4169300A (en) 2000-09-21
US6660643B1 (en) 2003-12-09
HK1045402A1 (zh) 2002-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003533008A (ja) エッチング処理方法
US6391743B1 (en) Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
KR0177514B1 (ko) 산업용 결정체를 성장시키는 방법
US5507874A (en) Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors
US6858107B2 (en) Method of fabricating substrates, in particular for optics, electronics or optoelectronics
US6410436B2 (en) Method of cleaning porous body, and process for producing porous body, non-porous film or bonded substrate
JP6383411B2 (ja) 多孔性のシリコン層を連続的に製造する装置および方法
JPH0358530B2 (ja)
JPH10313128A (ja) シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法
JPH09102625A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP2003292398A (ja) 単結晶シリコンウェファの製造方法
EP1537258B1 (en) Method of fabricating substrates, in particular for optics, electronics or optoelectronics----------------------------------------
GB1567787A (en) Semiconductors
JPH09141645A (ja) ウエハの製法およびそれに用いる装置
JPS63220525A (ja) ダイヤモンド半導体のエツチング方法
EP0989616A2 (en) Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
JPH09245994A (ja) プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法
JPH09129605A (ja) プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板
Kardauskas et al. Etching Of Semiconductor Wafer Edges
US6759341B1 (en) Wafering method comprising a plasma etch with a gas emitting wafer holder
CN111816593B (zh) 提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置
JP3286563B2 (ja) プラズマエッチングによる平坦加工方法及び加工装置
JPS62177988A (ja) 半導体レ−ザ−装置の製造法
TWM514652U (zh) 用於分離基板的層的設備和用於形成獨立的外延半導體基板的設備
JPH10275802A (ja) プラズマエッチング電極の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040518

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041019