JPH09102625A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法Info
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- JPH09102625A JPH09102625A JP8041617A JP4161796A JPH09102625A JP H09102625 A JPH09102625 A JP H09102625A JP 8041617 A JP8041617 A JP 8041617A JP 4161796 A JP4161796 A JP 4161796A JP H09102625 A JPH09102625 A JP H09102625A
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- gas
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 製造工程の煩雑化と長時間化を解消すると共
に、半導体ウェハの全面を均一にエッチングできるよう
にする。 【解決手段】 半導体基板１をドライエッチング装置内
に搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部１
ｂを形成した後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合
部を形成して半導体基板の表面側と裏面側に電極５，６
を形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記ドラ
イエッチング装置内に半導体基板を搬入した後に、この
ドライエッチング装置内にマスク形成用ガスとエッチン
グガスを同時に導入して上記半導体基板に微小な凹凸部
を形成する。また、それと同時に、あるいはその後に連
続して形状平坦化用ガスを導入することにより、凹凸部
の形状を効率的に最適化する。
に、半導体ウェハの全面を均一にエッチングできるよう
にする。 【解決手段】 半導体基板１をドライエッチング装置内
に搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部１
ｂを形成した後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合
部を形成して半導体基板の表面側と裏面側に電極５，６
を形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記ドラ
イエッチング装置内に半導体基板を搬入した後に、この
ドライエッチング装置内にマスク形成用ガスとエッチン
グガスを同時に導入して上記半導体基板に微小な凹凸部
を形成する。また、それと同時に、あるいはその後に連
続して形状平坦化用ガスを導入することにより、凹凸部
の形状を効率的に最適化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の製造
方法に関し、特に半導体基板の表面側に微小な凹凸部を
有する太陽電池素子の製造方法に関する。
方法に関し、特に半導体基板の表面側に微小な凹凸部を
有する太陽電池素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、太陽電池における半導体基板
での光吸収をよくするために、半導体基板の表面に微小
な凹凸を形成することが行われている。この微小な凹凸
部を形成するには、次のように形成される。
での光吸収をよくするために、半導体基板の表面に微小
な凹凸を形成することが行われている。この微小な凹凸
部を形成するには、次のように形成される。
【０００３】すなわち、まず太陽電池の主要部分を構成
するシリコンなどから成る半導体基板の表面に、ノボラ
ック樹脂を主体とするフォトレジスト膜を厚さ１μｍ程
度に塗布して形成し、次に反応性イオンエッチング装置
の真空槽内のホルダ上に半導体基板を設置して、この真
空槽内を所定の真空度に維持するとともに、塩素系ガス
を導入して高周波電力を印加することでプラズマを発生
させて前記フォトレジスト膜をドライエッチング法で除
去するとともに、受光面に多数の微小な凹凸部を略一様
に形成したり、半導体基板の表面に原料ガスとしてメタ
ン（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）を用いてプラズマＣＶＤ法
で厚さ０．３μｍのハイドロカーボン膜を形成し、この
半導体基板を真空槽内のホルダに設置して、真空槽内を
所定の真空度に維持するとともに、塩素系ガスを導入し
て高周波電力を印加することでプラズマを発生させて前
記ハイドロカーボン膜を除去すると共に、受光面に多数
の微小な凹凸部を略一様に形成する。
するシリコンなどから成る半導体基板の表面に、ノボラ
ック樹脂を主体とするフォトレジスト膜を厚さ１μｍ程
度に塗布して形成し、次に反応性イオンエッチング装置
の真空槽内のホルダ上に半導体基板を設置して、この真
空槽内を所定の真空度に維持するとともに、塩素系ガス
を導入して高周波電力を印加することでプラズマを発生
させて前記フォトレジスト膜をドライエッチング法で除
去するとともに、受光面に多数の微小な凹凸部を略一様
に形成したり、半導体基板の表面に原料ガスとしてメタ
ン（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）を用いてプラズマＣＶＤ法
で厚さ０．３μｍのハイドロカーボン膜を形成し、この
半導体基板を真空槽内のホルダに設置して、真空槽内を
所定の真空度に維持するとともに、塩素系ガスを導入し
て高周波電力を印加することでプラズマを発生させて前
記ハイドロカーボン膜を除去すると共に、受光面に多数
の微小な凹凸部を略一様に形成する。
【０００４】このように半導体基板の表面にフォトレジ
スト膜を塗布してドライエッチング法で除去したり、ハ
イドロカーボン膜を形成してプラズマエッチング法で除
去すると、フォトレジスト膜やハイドロカーボン膜は、
エッチング開始後からその表面が凹凸になるようにエッ
チングされていき、フォトレジスト膜やハイドロカーボ
ン膜が散点状に除去されて半導体基板は部分的に露出
し、露出した部分から半導体基板が順次エッチングされ
て半導体基板の表面にも微小な凹凸部が形成される（例
えば特開平５−７５１５２号公報参照）。
スト膜を塗布してドライエッチング法で除去したり、ハ
イドロカーボン膜を形成してプラズマエッチング法で除
去すると、フォトレジスト膜やハイドロカーボン膜は、
エッチング開始後からその表面が凹凸になるようにエッ
チングされていき、フォトレジスト膜やハイドロカーボ
ン膜が散点状に除去されて半導体基板は部分的に露出
し、露出した部分から半導体基板が順次エッチングされ
て半導体基板の表面にも微小な凹凸部が形成される（例
えば特開平５−７５１５２号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
太陽電池素子の製造方法では、半導体基板の表面にフォ
トレジスト膜やハイドロカーボン膜を形成した後に、塩
素系ガスを導入してレジスト膜やハイドロカーボン膜を
エッチングして半導体基板の表面に微小な凹凸部を形成
することから、フォトレジスト膜やハイドロカーボン膜
を形成する工程とこのフォトレジスト膜やハイドロカー
ボン膜を部分的に除去する工程が２工程になり、製造工
程が煩雑になって、製造に長時間を要するという問題が
あった。
太陽電池素子の製造方法では、半導体基板の表面にフォ
トレジスト膜やハイドロカーボン膜を形成した後に、塩
素系ガスを導入してレジスト膜やハイドロカーボン膜を
エッチングして半導体基板の表面に微小な凹凸部を形成
することから、フォトレジスト膜やハイドロカーボン膜
を形成する工程とこのフォトレジスト膜やハイドロカー
ボン膜を部分的に除去する工程が２工程になり、製造工
程が煩雑になって、製造に長時間を要するという問題が
あった。
【０００６】また、上記のようなドライエッチング法に
よって微小な凹凸部を形成する以外に、テキスチャーエ
ッチングやパターニングしたＳｉＮx 膜をマスクとし
て、ＮａＯＨやＫＯＨなどのアルカリ溶液を用いてエッ
チングを行うことによって半導体基板の表面部に微小な
凹凸部を形成する方法もあるが、このようなアルカリ溶
液を用いる方法では、半導体基板として多結晶の半導体
基板を用いた場合、面方位によってエッチングされる形
状やエッチング速度が異なり、半導体基板の全面を均一
にはエッチングできず、光吸収を効率的には行うことが
できないという問題があった。
よって微小な凹凸部を形成する以外に、テキスチャーエ
ッチングやパターニングしたＳｉＮx 膜をマスクとし
て、ＮａＯＨやＫＯＨなどのアルカリ溶液を用いてエッ
チングを行うことによって半導体基板の表面部に微小な
凹凸部を形成する方法もあるが、このようなアルカリ溶
液を用いる方法では、半導体基板として多結晶の半導体
基板を用いた場合、面方位によってエッチングされる形
状やエッチング速度が異なり、半導体基板の全面を均一
にはエッチングできず、光吸収を効率的には行うことが
できないという問題があった。
【０００７】本発明はこのような従来方法の問題点に鑑
みて発明されたものであり、製造工程の煩雑化と長時間
化を解消すると共に、半導体基板の全面を均一にエッチ
ングできる太陽電池素子の製造方法を提供することを目
的とする。
みて発明されたものであり、製造工程の煩雑化と長時間
化を解消すると共に、半導体基板の全面を均一にエッチ
ングできる太陽電池素子の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る太陽電池素子の製造方法では、半導
体基板をドライエッチング装置内に搬入して、この半導
体基板の表面側に微小な凹凸部を形成した後に、この半
導体基板の表面側にＰＮ接合部を形成して半導体基板の
表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方
法において、前記ドライエッチング装置内に半導体基板
を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマスク
形成用ガスとエッチングガスを同時に導入して前記半導
体基板に前記微小な凹凸部を形成する。
に、請求項１に係る太陽電池素子の製造方法では、半導
体基板をドライエッチング装置内に搬入して、この半導
体基板の表面側に微小な凹凸部を形成した後に、この半
導体基板の表面側にＰＮ接合部を形成して半導体基板の
表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方
法において、前記ドライエッチング装置内に半導体基板
を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマスク
形成用ガスとエッチングガスを同時に導入して前記半導
体基板に前記微小な凹凸部を形成する。
【０００９】このように構成すると、半導体基板の表面
にフォトレジスト膜やハイドロカーボン膜を形成する工
程と、このフォトレジスト膜やハイドロカーボン膜をエ
ッチングして半導体基板の表面に微小な凹凸部を形成す
る工程が一つの工程になり、製造工程を簡略化して短時
間で製造できるようになると共に、半導体基板として多
結晶基板を用いた場合でも、この半導体基板の全面を均
一にエッチングできるようになる。
にフォトレジスト膜やハイドロカーボン膜を形成する工
程と、このフォトレジスト膜やハイドロカーボン膜をエ
ッチングして半導体基板の表面に微小な凹凸部を形成す
る工程が一つの工程になり、製造工程を簡略化して短時
間で製造できるようになると共に、半導体基板として多
結晶基板を用いた場合でも、この半導体基板の全面を均
一にエッチングできるようになる。
【００１０】また、請求項４に係る太陽電池素子の製造
方法では、半導体基板をドライエッチング装置内に搬入
して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部を形成し
た後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合部を形成し
て半導体基板の表面側と裏面側に電極を形成する太陽電
池素子の製造方法において、前記ドライエッチング装置
内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチング
装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを導入して
前記半導体基板に前記微小な凹凸部を形成すると同時も
しくは微小な凹凸部を形成した後に形状平坦化用ガスを
導入する。
方法では、半導体基板をドライエッチング装置内に搬入
して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部を形成し
た後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合部を形成し
て半導体基板の表面側と裏面側に電極を形成する太陽電
池素子の製造方法において、前記ドライエッチング装置
内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチング
装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを導入して
前記半導体基板に前記微小な凹凸部を形成すると同時も
しくは微小な凹凸部を形成した後に形状平坦化用ガスを
導入する。
【００１１】このように構成すると、半導体基板の表面
に形成される微小な凹凸部の先端部が鋭くなりすぎて次
工程でも破損することが有効に防止できると共に、半導
体基板の表面積が増大しすぎて太陽電池の開放電圧（Ｖ
OC）が低下することを防止できる。
に形成される微小な凹凸部の先端部が鋭くなりすぎて次
工程でも破損することが有効に防止できると共に、半導
体基板の表面積が増大しすぎて太陽電池の開放電圧（Ｖ
OC）が低下することを防止できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は請求
項１に係る太陽電池素子の製造工程を示す図である。ま
ず、同図（ａ）に示すように、０．２〜１．０ｍｍ程度
の厚みを有する半導体基板１を用意する。この半導体基
板１は、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、或いは鋳造法など
で形成された単結晶又は多結晶のシリコンをスライスし
て形成され、例えばボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を含有
する。
面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は請求
項１に係る太陽電池素子の製造工程を示す図である。ま
ず、同図（ａ）に示すように、０．２〜１．０ｍｍ程度
の厚みを有する半導体基板１を用意する。この半導体基
板１は、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、或いは鋳造法など
で形成された単結晶又は多結晶のシリコンをスライスし
て形成され、例えばボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を含有
する。
【００１３】次に、同図（ｂ）に示すように、半導体基
板１の表面側に微小な凹凸部１ｂを形成する。この微小
な凹凸部１ｂは、半導体基板１の表面にマスクを散点状
に形成して例えばプラズマエッチング法、スパッタリン
グ法、或いはイオンビームエッチング法などで形成され
る。この場合、マスク形成用ガスとしては、三フッ化メ
タン（ＣＨＦ3 ）などのガスを用いることができ、エッ
チング用ガスとしては塩素（Ｃｌ2 ）などの塩素系ガス
を用いることができる。また、酸素（Ｏ2 ）などの調整
用ガスを用いてもよい。このようなガスを５００ｍＴｏ
ｒｒ以下の圧力に設定したドライエッチング装置内に同
時に導入してＲＦパワー１００Ｗ〜１００００Ｗ程度を
印加する。半導体基板１上に、薄膜形成用ガスでポリマ
ーを形成すると同時に、このポリマーをエッチングガス
で部分的にエッチングし、この部分的にエッチングされ
たポリマーをマスクとして半導体基板１に微小な凹凸部
１ｂができるようにエッチングする。なお、マスク形成
用ガスとして三フッ化メタンを用いる場合は、３．０ｓ
ｃｃｍ程度の流量とし、エッチングガスとして塩素系ガ
スを用いる場合は、１８．０ｓｃｃｍ程度の流量とし、
調整用ガスとして酸素を用いる場合は、２．２５ｓｃｃ
ｍ程度の流量とする。
板１の表面側に微小な凹凸部１ｂを形成する。この微小
な凹凸部１ｂは、半導体基板１の表面にマスクを散点状
に形成して例えばプラズマエッチング法、スパッタリン
グ法、或いはイオンビームエッチング法などで形成され
る。この場合、マスク形成用ガスとしては、三フッ化メ
タン（ＣＨＦ3 ）などのガスを用いることができ、エッ
チング用ガスとしては塩素（Ｃｌ2 ）などの塩素系ガス
を用いることができる。また、酸素（Ｏ2 ）などの調整
用ガスを用いてもよい。このようなガスを５００ｍＴｏ
ｒｒ以下の圧力に設定したドライエッチング装置内に同
時に導入してＲＦパワー１００Ｗ〜１００００Ｗ程度を
印加する。半導体基板１上に、薄膜形成用ガスでポリマ
ーを形成すると同時に、このポリマーをエッチングガス
で部分的にエッチングし、この部分的にエッチングされ
たポリマーをマスクとして半導体基板１に微小な凹凸部
１ｂができるようにエッチングする。なお、マスク形成
用ガスとして三フッ化メタンを用いる場合は、３．０ｓ
ｃｃｍ程度の流量とし、エッチングガスとして塩素系ガ
スを用いる場合は、１８．０ｓｃｃｍ程度の流量とし、
調整用ガスとして酸素を用いる場合は、２．２５ｓｃｃ
ｍ程度の流量とする。
【００１４】マスク形成用ガス、エッチング用ガス、及
び調整用ガスの３種類の全ガス流量は変化してもよい
が、流量比は同じであることが望ましい。ガスの全流量
とＲＦパワーが大きくなればなるほど凹凸部１ｂの形成
速度は早くなる。
び調整用ガスの３種類の全ガス流量は変化してもよい
が、流量比は同じであることが望ましい。ガスの全流量
とＲＦパワーが大きくなればなるほど凹凸部１ｂの形成
速度は早くなる。
【００１５】次に、同図（ｃ）に示すように、半導体基
板１の表面部分にＮ層１ａを設け、ＰＮ接合部を形成す
る。Ｎ層１ａの深さは２０００Å〜１μｍ程度である。
このＮ層１ａはリンを含む気体例えばオキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ3 ）等を用いることにより形成する。
板１の表面部分にＮ層１ａを設け、ＰＮ接合部を形成す
る。Ｎ層１ａの深さは２０００Å〜１μｍ程度である。
このＮ層１ａはリンを含む気体例えばオキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ3 ）等を用いることにより形成する。
【００１６】次に、同図（ｄ）に示すように、半導体基
板１の表面側のＮ層１ａのみを残して他の部分を除去す
る。すなわち、半導体基板１の表面側のみにエッチング
のレジスト膜を塗布し、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ
3 ）の混合液に浸漬して、表面側以外のＮ層１ａを除去
した後にレジスト膜を除去し、半導体基板１を純水で洗
浄する。
板１の表面側のＮ層１ａのみを残して他の部分を除去す
る。すなわち、半導体基板１の表面側のみにエッチング
のレジスト膜を塗布し、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ
3 ）の混合液に浸漬して、表面側以外のＮ層１ａを除去
した後にレジスト膜を除去し、半導体基板１を純水で洗
浄する。
【００１７】次に、同図（ｅ）に示すように、半導体基
板１の裏面側の全面にアルミニウムペースト４を塗布し
て焼き付けることにより、半導体基板１の裏面側にＰ+
領域１ｃを形成する。
板１の裏面側の全面にアルミニウムペースト４を塗布し
て焼き付けることにより、半導体基板１の裏面側にＰ+
領域１ｃを形成する。
【００１８】次に、同図（ｆ）に示すように、半導体基
板１の裏面側に塗布したアルミニウムペースト４をエッ
チング除去した後、半導体基板１の表面側に反射防止膜
２を形成する。この反射防止膜２は半導体基板１に入射
される光を効率よく吸収するための膜であり、その厚み
が５００〜１０００Å、屈折率が１．９０〜２．３０程
度になるように形成される。例えばシランとアンモニア
との混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコン
膜などで形成される。具体的には、プラズマＣＶＤ装置
内で半導体基板１を１５０℃〜４００℃で加熱し、ガス
圧を０．２〜２．０Ｔｏｒｒに維持しながら、高周波電
圧を印加する。この反射防止膜２の材料としては窒化シ
リコン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）などが
ある。
板１の裏面側に塗布したアルミニウムペースト４をエッ
チング除去した後、半導体基板１の表面側に反射防止膜
２を形成する。この反射防止膜２は半導体基板１に入射
される光を効率よく吸収するための膜であり、その厚み
が５００〜１０００Å、屈折率が１．９０〜２．３０程
度になるように形成される。例えばシランとアンモニア
との混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコン
膜などで形成される。具体的には、プラズマＣＶＤ装置
内で半導体基板１を１５０℃〜４００℃で加熱し、ガス
圧を０．２〜２．０Ｔｏｒｒに維持しながら、高周波電
圧を印加する。この反射防止膜２の材料としては窒化シ
リコン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）などが
ある。
【００１９】次に、同図（ｇ）に示すように、半導体基
板１の表面側に形成した反射防止膜２を表面電極５の形
状に応じて除去する。すなわち、表面電極５のパターン
と逆パターンを形づくるように反射防止膜２を除去す
る。
板１の表面側に形成した反射防止膜２を表面電極５の形
状に応じて除去する。すなわち、表面電極５のパターン
と逆パターンを形づくるように反射防止膜２を除去す
る。
【００２０】次に、同図（ｈ）に示すように、半導体基
板１の表面側及び裏面側に表面電極５及び裏面電極６を
形成する。表面電極５及び裏面電極６は、Ａｇ粉末を主
成分とするペーストを半導体基板１の表面及び裏面に厚
膜手法で塗布して加熱焼成することにより形成する。
板１の表面側及び裏面側に表面電極５及び裏面電極６を
形成する。表面電極５及び裏面電極６は、Ａｇ粉末を主
成分とするペーストを半導体基板１の表面及び裏面に厚
膜手法で塗布して加熱焼成することにより形成する。
【００２１】この表面電極２及び裏面電極３上には、必
要に応じて半田層（不図示）などが形成される。なお、
表面電極５及び裏面電極６は、メッキ法や真空蒸着法を
用いて形成してもよい。
要に応じて半田層（不図示）などが形成される。なお、
表面電極５及び裏面電極６は、メッキ法や真空蒸着法を
用いて形成してもよい。
【００２２】請求項４に係る太陽電池素子の製造方法も
基本的な構成は、上記した請求項１に係る太陽電池素子
の製造方法と同一であるが、請求項４に係る太陽電池素
子の製造方法では、ドライエッチング装置内に半導体基
板１を設置してマスク形成用ガスとエッチングガスでこ
の半導体基板１の表面に微小な凹凸部を形成すると同時
もしくはこの微小な凹凸部を形成した後に形状平坦化用
ガスを導入する。この形状平坦化用ガスとしては、例え
ば六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）ガスなどを好適に用いること
ができるが、半導体基板１をエッチングできるガスであ
れば六フッ化硫黄ガスに限らない。
基本的な構成は、上記した請求項１に係る太陽電池素子
の製造方法と同一であるが、請求項４に係る太陽電池素
子の製造方法では、ドライエッチング装置内に半導体基
板１を設置してマスク形成用ガスとエッチングガスでこ
の半導体基板１の表面に微小な凹凸部を形成すると同時
もしくはこの微小な凹凸部を形成した後に形状平坦化用
ガスを導入する。この形状平坦化用ガスとしては、例え
ば六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）ガスなどを好適に用いること
ができるが、半導体基板１をエッチングできるガスであ
れば六フッ化硫黄ガスに限らない。
【００２３】例えば反応性イオンエッチング装置内を５
０ｍＴｏｒｒの真空度に維持すると共に、マスク形成用
ガスとして三フッ化メタンガスを１２．０ｓｃｃｍ、塩
素ガスを７２．０ｓｃｃｍ、酸素ガスを９．０ｓｃｃ
ｍ、六フッ化硫黄ガスを６５．０ｓｃｃｍ流しながら、
ＲＦパワー５００Ｗ程度で２０分間エッチングすること
により微小な凹凸部１ｂを形成する。なお、六フッ化硫
黄ガスは、三フッ化メタンガスや塩素ガスと同時に流す
場合に限らず、後に流してもよい。
０ｍＴｏｒｒの真空度に維持すると共に、マスク形成用
ガスとして三フッ化メタンガスを１２．０ｓｃｃｍ、塩
素ガスを７２．０ｓｃｃｍ、酸素ガスを９．０ｓｃｃ
ｍ、六フッ化硫黄ガスを６５．０ｓｃｃｍ流しながら、
ＲＦパワー５００Ｗ程度で２０分間エッチングすること
により微小な凹凸部１ｂを形成する。なお、六フッ化硫
黄ガスは、三フッ化メタンガスや塩素ガスと同時に流す
場合に限らず、後に流してもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る太陽電池
素子の製造方法では、ドライエッチング装置内に半導体
基板を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマ
スク形成用ガスとエッチング用ガスを同時に導入して前
記半導体基板に微小な凹凸部を形成することから、半導
体基板の表面にエッチングのマスクとなる膜を形成する
工程と、このマスクとなる膜をエッチングして半導体基
板の表面に微小な凹凸部を形成する工程が一つの工程に
なり、製造工程を簡略化して短時間で製造できるように
なると共に、半導体ウェハとして多結晶基板を用いた場
合でも、この半導体基板の全面を均一にエッチングでき
るようになる。
素子の製造方法では、ドライエッチング装置内に半導体
基板を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマ
スク形成用ガスとエッチング用ガスを同時に導入して前
記半導体基板に微小な凹凸部を形成することから、半導
体基板の表面にエッチングのマスクとなる膜を形成する
工程と、このマスクとなる膜をエッチングして半導体基
板の表面に微小な凹凸部を形成する工程が一つの工程に
なり、製造工程を簡略化して短時間で製造できるように
なると共に、半導体ウェハとして多結晶基板を用いた場
合でも、この半導体基板の全面を均一にエッチングでき
るようになる。
【００２５】また、請求項４に係る太陽電池素子の製造
方法では、ドライエッチング装置内に半導体基板を搬入
した後に、このドライエッチング装置内にマスク形成用
ガスとエッチングガスを導入して半導体基板に微小な凹
凸部を形成すると同時もしくは微小な凹凸部を形成した
後に形状平坦化用ガスを導入することから、半導体基板
の表面に形成される微小な凹凸部の先端部が鋭くなりす
ぎて次工程でも破損することが有効に防止できると共
に、半導体基板の表面積が増大しすぎて太陽電池の開放
電圧（ＶOC）が低下することを防止できる。すなわち、
半導体基板が多結晶シリコンであっても面方位に依存せ
ずに凹凸部を均一に形成でき、光吸収が増加して太陽電
池の特性が向上する。
方法では、ドライエッチング装置内に半導体基板を搬入
した後に、このドライエッチング装置内にマスク形成用
ガスとエッチングガスを導入して半導体基板に微小な凹
凸部を形成すると同時もしくは微小な凹凸部を形成した
後に形状平坦化用ガスを導入することから、半導体基板
の表面に形成される微小な凹凸部の先端部が鋭くなりす
ぎて次工程でも破損することが有効に防止できると共
に、半導体基板の表面積が増大しすぎて太陽電池の開放
電圧（ＶOC）が低下することを防止できる。すなわち、
半導体基板が多結晶シリコンであっても面方位に依存せ
ずに凹凸部を均一に形成でき、光吸収が増加して太陽電
池の特性が向上する。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の製造方法の一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
１・・・半導体基板、１ｂ・・・微小な凹凸部、５・・
・表面電極、６・・・裏面電極
・表面電極、６・・・裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白沢 勝彦 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板をドライエッチング装置内に
搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部を形
成した後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合部を形
成して半導体基板の表面側と裏面側に電極を形成する太
陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチング
装置内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチ
ング装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを同時
に導入して前記半導体基板に前記微小な凹凸部を形成す
ることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記マスク形成用ガスがフロロカーボン
系ガスであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電
池素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチングガスが塩素系ガスである
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素子の製造
方法。 - 【請求項４】 半導体基板をドライエッチング装置内に
搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部を形
成した後に、この半導体基板の表面側にＰＮ接合部を形
成して半導体基板の表面側と裏面側に電極を形成する太
陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチング
装置内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチ
ング装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを導入
して前記半導体基板に前記微小な凹凸部を形成すると同
時もしくは微小な凹凸部を形成した後に形状平坦化用ガ
スを導入することを特徴とする太陽電池素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記形状平坦化用ガスが六フッ化硫黄ガ
スであることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041617A JPH09102625A (ja) | 1995-07-28 | 1996-02-28 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-192858 | 1995-07-28 | ||
| JP19285895 | 1995-07-28 | ||
| JP8041617A JPH09102625A (ja) | 1995-07-28 | 1996-02-28 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102625A true JPH09102625A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=26381262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8041617A Pending JPH09102625A (ja) | 1995-07-28 | 1996-02-28 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102625A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307792A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| JP2005108884A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
| US7128975B2 (en) | 2003-01-28 | 2006-10-31 | Kyocera Corporation | Multicrystalline silicon substrate and process for roughening surface thereof |
| WO2007049347A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Shinryo Corporation | 太陽電池用シリコン基板の低反射率加工方法及び太陽電池用シリコン基板 |
| JP2007266649A (ja) * | 2007-07-20 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
| US7459098B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| WO2009054076A1 (ja) | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | 太陽電池の製造方法 |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| JP2011035263A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Ulvac Japan Ltd | 自然酸化膜を利用した太陽電池用テクスチャーの形成方法及び装置 |
| JP4721557B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 太陽電池用基板の粗面化法 |
| US8148194B2 (en) | 2001-10-24 | 2012-04-03 | Kyocera Corporation | Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material |
| RU2476959C2 (ru) * | 2008-01-23 | 2013-02-27 | Солвей Флуор Гмбх | Способ изготовления солнечных элементов |
| KR101254565B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2013-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지용 기판의 텍스처링 방법 및 태양 전지의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-02-28 JP JP8041617A patent/JPH09102625A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307792A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| JP4721557B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 太陽電池用基板の粗面化法 |
| US8148194B2 (en) | 2001-10-24 | 2012-04-03 | Kyocera Corporation | Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| DE10340751B4 (de) * | 2002-08-28 | 2010-07-29 | Kyocera Corp. | Trockenätzvorrichtung, Trockenätzverfahren sowie dabei verwendete Platte |
| US7128975B2 (en) | 2003-01-28 | 2006-10-31 | Kyocera Corporation | Multicrystalline silicon substrate and process for roughening surface thereof |
| JP4623952B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-02-02 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
| JP2005108884A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
| WO2007049347A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Shinryo Corporation | 太陽電池用シリコン基板の低反射率加工方法及び太陽電池用シリコン基板 |
| JP2007266649A (ja) * | 2007-07-20 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
| US8119438B2 (en) | 2007-10-24 | 2012-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing solar cell |
| WO2009054076A1 (ja) | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | 太陽電池の製造方法 |
| RU2476959C2 (ru) * | 2008-01-23 | 2013-02-27 | Солвей Флуор Гмбх | Способ изготовления солнечных элементов |
| US10453986B2 (en) | 2008-01-23 | 2019-10-22 | Solvay Fluor Gmbh | Process for the manufacture of solar cells |
| KR101254565B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2013-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지용 기판의 텍스처링 방법 및 태양 전지의 제조 방법 |
| JP2011035263A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Ulvac Japan Ltd | 自然酸化膜を利用した太陽電池用テクスチャーの形成方法及び装置 |
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