JP2003505876A5

JP2003505876A5 -

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Publication number: JP2003505876A5
Application number: JP2001512586A
Authority: JP
Filing date: 2000-07-10
Publication date: 2006-01-05
Anticipated expiration: 2020-07-10

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】１００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷配線態様の集積回路を製造するための投影リソグラフィー法であって、
遠紫外軟Ｘ線源を備えて、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、
前記遠紫外軟Ｘ線λによって照射された場合に投影されるマスクリソグラフィーパターンを形成するための、前記照射サブシステムによって発生せしめられた前記遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスクステージおよびマスクを提供し、
投影サブシステムを提供し、
ウエーハステージおよび遠紫外軟Ｘ線λに感応するウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハを提供し、
前記投影サブシステムを用いて、前記マスクから投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ表面に投影する各工程を含み、
ここで、前記照射サブシステムおよび前記投影サブシステムが複数の反射リソグラフィーエレメントを備え、該反射リソグラフィーエレメントが、前記放射線および前記リソグラフィーパターンを操作するために、反射多層被膜を備えると共に欠陥のないガラス表面を備えた、Ｔｉをドープされた複数の高純度ＳｉＯ_２ガラス基板を有していることを特徴とする、投影リソグラフィー法。
【請求項２】前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスが、混入異物を含まないガラスであることを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項３】前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラス基板が、５ないし１０重量％のＴｉＯ_２を含み、かつ２０℃において＋３０ｐｐｂから−３０ｐｐｂまでの範囲の熱膨脹係数を有することを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項４】前記基板が２５℃において１．４０ｗ／（ｍ×℃）以下の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項５】前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラス基板が、前記遠紫外軟Ｘ線λによって加熱され、前記集積回路ウエーハ上に投影されたリソグラフィーパターンが前記ガラス基板の加熱に実質的に影響されないリソグラフィーパターンであることを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項６】前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスが前記遠紫外軟Ｘ線λによって動作温度に加熱され、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスが前記動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数を有するようなＴｉドーパントレベルを有することを特徴とする請求項３記載の投影リソグラフィー法。
【請求項７】前記反射多層被膜を備えた、ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスを有してなる反射リソグラフィーエレメントの表面が、該反射リソグラフィーエレメントを照射する遠紫外軟Ｘ線λの少なくとも６５％を反射させることを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項８】前記反射リソグラフィーエレメントが最大動作温度および最大製造温度を有し、前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが前記最大動作温度および前記最大製造温度よりも高い結晶化温度Ｔ_結晶を有することを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項９】前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが１０ｎｍ／ｃｍ未満の複屈折率を有することを特徴とする請求項１記載の投影リソグラフィー法。
【請求項１０】投影リソグラフィー印刷パターンを作成する方法であって、
遠紫外軟Ｘ線源を備えた照射サブシステムを提供し、
反射多層被膜で覆われたガラスマスクウエーハ表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスマスクウエーハから構成された反射マスクを含むマスクステージを提供し、
Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを有してなる複数の反射リソグラフィーエレメントを含む縮小投影サブシステムを提供し、
放射線感応性半導体ウエーハを含むウエーハステージを提供し、
前記照射サブシステム、前記マスクステージ、前記縮小投影サブシステムおよび前記ウエーハステージを整合させる各工程を含み、
遠紫外軟Ｘ線源からの遠紫外軟Ｘ線で前記マスクを照射し、該反射マスクが前記放射線を反射させて、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを有してなる反射リソグラフィーエレメントを備えた前記縮小投影サブシステムによって縮小されかつ前記放射線感応性半導体ウエーハ上に投影される印刷パターンを形成する
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】前記照射サブシステムを提供する工程が、前記遠紫外軟Ｘ線λを方向づけかつ集光させる、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを有してなる複数の反射リソグラフィーエレメントを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】表面形状測定値が実効値で０．２５ｎｍを超えない整形されたガラス表面を備えた反射リソグラフィーエレメントを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】前記投影リソグラフィー印刷パターンを作成する方法を実施中に前記遠紫外軟Ｘ線λにさらされたときの前記反射リソグラフィーエレメントの動作温度を測定する工程をさらに含み、前記反射リソグラフィーエレメントの動作温度においてほぼゼロ中心とされた熱膨脹係数を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを備えた反射リソグラフィーエレメントを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１４】前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが、前記遠紫外軟Ｘ線によって高い温度範囲に加熱され、該Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが前記高い温度範囲に対して１０ｐｐｂ未満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１５】遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィーエレメントを作成する方法であって、
混入異物を含まずかつ実効値で０．２５ｎｍ未満の表面凹凸状態と、実効値で０．２０ｎｍ未満の中間的空間周波数粗さと、実効値で０．１０ｎｍ未満の高い空間周波数粗さとを備えた整形されたエレメントガラス表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラス基板を提供し、
前記整形されたエレメントガラス表面を、実効値で少なくとも０．１％に調節された均一な周期的多層厚を有する反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を有する一様な反射被膜を形成する、
各工程を有してなる方法。
【請求項１６】前記反射リソグラフィーエレメントが、前記遠紫外軟Ｘ線によって高い温度範囲に加熱され、前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが前記高い温度範囲に対して１０ｐｐｂ未満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数と１０ｐｐｂ以下の熱膨脹係数変化とを有することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラス基板を提供する工程が、高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供し、該高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を転化サイトに配送し、前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料をＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラススートに転化させ、該ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラススートを、混入異物を含まない均質なＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスに固結させ、該ガラスをＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラス基板に成形する各工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】前記ガラス基板がＴｉドーパントの重量％レベルを有し、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラス基板を提供する工程が、該ガラス基板が前記反射リソグラフィーエレメントの動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数を有するように前記Ｔｉドーパントの重量％レベルを調整する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１９】実効値で０．２５ｎｍを超える表面凹凸状態の印刷されてしまう虞れがある表面形状欠陥がなく、実効値で０．２０ｎｍ未満の中間的空間周波数粗さと実効値で０．１０ｎｍ未満の高い空間周波数粗さとを備えた表面を有する、エッチングされていない研磨された放射線を操作する形状の表面を備えた、混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを有してなる遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィーエレメント。
【請求項２０】前記ガラスが結晶のないガラスであることを特徴とする請求項１９記載のリソグラフィーエレメント。

技術的背景
遠紫外軟Ｘ線を用いると、より微小な形状寸法が得られるという利点があるが、その放射線の性質から、この波長の放射線の操作および調節が困難であるため、商業生産でのかかる放射線の使用は遅れている。集積回路の製造に現在用いられている光リソグラフィーシステムは、２４８ｎｍから１９３ｎｍ，１５７ｎｍというように、より短波長の光へ向かって進んでいるが、遠紫外軟Ｘ線の商業的利用および採用は阻害されてきた。１５ｎｍ帯のような極めて短い波長の放射線に関するこの遅々とした進歩の理由の一部は、安定かつ高品質のパターン画像を維持しながらこのような放射線の照射に耐え得るミラーエレメントを経済的に製造することができないことに起因する。集積回路の製造に遠紫外軟Ｘ線の利点を利用するためには、ガラス基板の表面に反射被膜を直接堆積させることを好ましくは可能ならしめる安定で高品質なガラスリソグラフィーエレメントを必要とする。

本発明はさらに遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィーエレメントの作成方法を含み、この方法は、混入異物を含まず、かつ０．２５ｎｍ（実効値）未満の表面凹凸状態を有し、中間空間周波数粗さが０．２０ｎｍ（実効値）未満、高空間周波数粗さが０．１０ｎｍ（実効値）未満の整形されたエレメント表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２非結晶化ガラス基板を提供し、上記整形されたエレメントガラス表面を、周期多層厚（実効値）が少なくとも０．１％の均質な多層を備えた反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を有する均一な反射被膜を形成する各工程を含む。

本発明はまた、遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィーエレメントを含み、このリソグラフィーエレメントは、印刷されてしまう虞れがある表面凹凸が表面にない、エッチングされていない、研磨された、放射線を操作し得る整形された表面を有する混入異物を含まない、ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスを備えている。

図１の実施の形態に示されているように、投影リソグラフィー法／システム２０は、回路パターン化された反射マスク２４を含むマスクステージ２２を備えている。図１に示されているように、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥは、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの反射被膜で覆われた欠陥のない表面３０を利用して遠紫外軟Ｘ線λを反射させる。反射被膜で覆われた、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの欠陥のない表面は、ガラス表面３２上に施された反射多層被膜３４を含み、この反射多層被膜３４は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラス表面３２に直接被着されかつ接着されていることが好ましい。図２は、図１の投影リソグラフィー法／システム２０の光軸整合を示す。図３は、ガラス表面３２を覆う反射多層被膜３４を含む、反射被膜で覆われた、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの欠陥のない表面３０を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥを示す。図３の反射リソグラフィーエレメントＥは、本発明では上記照射サブシステムに利用されるのが好ましい。図４は、湾曲面に整形されたガラス表面３２上に反射多層被膜３４を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥを示す。図４の反射リソグラフィーエレメントＥは、本発明では上記投影サブシステムに利用されるのが好ましい。

１００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷形態の集積回路を作成するための投影リソグラフィー法は、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステム３６を提供する工程を含む。この照射サブシステム３６は、遠紫外軟Ｘ線源３８を備えている。好ましい実施の形態においては、照射サブシステム３６が、１．０６４μｍのネオジミウムＹＡＧレーザー４０を備え、このレーザーが、脈動ガスジェットＸｅクラスターからキセノンガスプラズマ４２を生成させ、このプラズマは、集光器４４によって方向づけられる遠紫外軟Ｘ線λを出力する。これに代わり、遠紫外軟Ｘ線源３８は、シンクロトロン、放電でポンピングされたＸ線レーザー、電子ビームで励起された放射線源装置、またはフェムト秒レーザーパルスによる高調波発生に基づく放射線源であってもよい。この照射サブシステム３６は、遠紫外軟Ｘ線源３８を方向づけかつ集光器４４を形成する複数のＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２リソグラフィーエレメントＥを含むことが好ましい。集光器４４のリソグラフィーエレメントＥは、好ましくは平らな反射面を有し、好ましくは放射線源３８から放射される放射線λに対し斜めの反射角を形成するように配置された、リソグラフィエレメントを用いて、漏斗状放射線λパイプを形成する。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２リソグラフィーエレメントＥは、放射線λを集めるため、楕円幾何学状に利用することができる。

この投影リソグラフィー法は、照射サブシステム３６から発せられる遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスクステージ２２を提供する工程を含む。このマスクステージ２２を提供する工程は、遠紫外軟Ｘ線λによって照射されたときに投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マスク２４を提供する工程を含む。反射マスク２４を提供する工程は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの、反射多層被膜で覆われた欠陥のないウエーハ表面３０上に被せられパターン化された吸収テンプレート２８を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスウエーハ２６を提供する工程を含む。

好ましい実施の形態においては、遠紫外軟Ｘ線λの波長は、約５ｎｍから約１５ｎｍまでの範囲内にあり、最も好ましい照射サブシステム３６は、約λの波長は、約５ｎｍから約１５ｎｍまでの範囲内にあり、最も好ましい照射サブシステム３６は、約１３．４ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線を、１３．４ｎｍにおいて少なくとも６５％の反射率を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥを用いて、反射マスク２４に向ける。約１３．４ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線λに対して、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの表面３２はＭｏとＳｉの交互層からなる反射多層被膜３４で覆われる。これに代わり、約１１．３ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線λを用いる場合は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの表面３２がＭｏとＢｅの交互層からなる反射多層被膜３４で覆われることが好ましい。約１１．３ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線λに対しては、反射性のＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥが少なくと７０％の反射率を有する。多層被膜３４は第１元素と第２元素との交互層であることが好ましく、これにより被膜は遠紫外軟Ｘ線λに対して高反射性となる。

提供されたリソグラフィーエレメントＥのＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスは、欠陥を含んでおらず、すなわちガラス体にバルクガラス欠陥がなく、ガラス内に空所およびガス入り泡のような混入異物がなく、そして特に、寸法が８０ｎｍよりも大きい欠陥がないものである。特に好ましい実施の形態においては、ガラス表面３２が、０．２５ｎｍ（実効値）を超える寸法の凹凸形状を有さずかつ少なくとも０．１５ｎｍ（実効値）以下の表面粗さを有する平面状表面となるように研磨のような仕上げ加工が施されて、研磨のような仕上げ加工が施された、エッチングされていないガラス表面である。ＴｉをドープされたＳｉＯ_２ガラスは、実質的に遠紫外軟Ｘ線λに対し不透過性であり、反射被膜で覆われたウエーハ表面３０および極めて低い粗さを有する表面３２は、本発明において、照射放射線の散乱を阻止し、かつ投影リソグラフィー作業中において極めて安定な高品質画像を提供する。提供されたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスは、安定で、均質で、化学的結合に耐性を有し、塩素を含まず、かつアルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる不純物のレベルが１０ｐｐｂ未満であることが好ましい。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスは、５ないし１０重量％のＴｉＯ_２を含み、かつ２０℃における熱膨脹係数が＋３０ｐｐｂから−３０ｐｐｂまでの範囲内にあることが好ましく、２０℃における熱膨脹係数が＋１０ｐｐｂから−１０ｐｐｂまでの範囲内にあることがさらに好ましい。ＴｉＯ_２含有率は６ないし８重量％が好ましく、６．５ないし７．５重量％がより好ましく、７重量％が最も好ましい。リソグラフィーエレメントＥのガラス基板の熱膨脹係数の変動は１５ｐｐｂ以下であることが好ましい。リソグラフィーエレメントのガラスは、２５℃における熱伝導率Ｋが１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下であることが好ましく、１．２５から１．３８までの範囲内にあることがさらに好ましく、約１．３１が最も好ましい。投影リソグラフィーの間、リソグラフィーエレメントＥおよびマスク２４は遠紫外軟Ｘ線λの照射によって加熱されるが、このようにリソグラフィーエレメントＥが照射を受けて加熱された場合でも、パターン化された回路の投影画像の変化が阻止され、投影された画像の品質が維持される。本発明の方法において、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスは、遠紫外軟Ｘ線λの照射によって動作温度にまで熱せられるが、このガラスは、このような動作温度において熱膨脹係数が略ゼロ中心になるようにＴｉドーパントのレベルが調整されるのが好ましく、熱膨脹係数が略ゼロであることは、リソグラフィーエレメントの製造温度およびリソグラフィーエレメントが動作せずに休止している温度をも含むことが好ましい。このような熱伝導率および熱膨脹係数を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスは、適正な動作と安定性とを提供し、かつこのエレメントが経済的に製造できることに加えて、リソグラフィーエレメントの冷却を必要としない極めて信頼性および経済性の高いリソグラフィー法／システムを提供する。好ましい実施の形態においては、リソグラフィーエレメントは積極的には冷却されておらず、循環冷却液、熱電冷却手段、またはその他の温度上昇防止手段のような冷却システムを備えていない。

提供された、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスの欠陥のない表面３２は、表面凹凸測定値（surface figure measurement）が０．２５ｎｍ（実効値）を超えていない。非結晶性ガラスに適した研磨法は、化学的、機械的研磨である。整形された表面ミラーであるリソグラフィーエレメントに対し、非結晶性ガラス基板に適切な大きさに整形された湾曲面が設けられ、仕上げ加工される。リソグラフィーエレメントＥの欠陥のないガラス表面は表面凹凸測定値が０．２５ｎｍ（実効値）を超えず、かつ０．１０ｎｍ以下の高い空間周波数粗さ（周波数約１μｍ^−１において）を有することが好ましい。反射多層被膜で覆われたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラス表面３０は、反射多層被膜を照射する放射線λの少なくとも６５％、より好ましくは少なくとも７０％を反射させることが好ましい。好ましい実施の形態においては、表面３２がエッチングされてなく、かつ中間のバリア層またはリリース層は設けられずに、反射多層被膜３４が直接ウエーハ表面に接着されるようになっている。

本発明はさらに、投影リソグラフィーシステムの作成方法および投影リソグラフィーパターンの投影方法を含み、この方法は、遠紫外軟Ｘ線源３８を備えた照射サブシステム３６を提供し、かつマスクステージ２２を提供する各工程を含み、マスクステージ２２は、マスク受容部材５２およびこのマスク受容部材５２に受容された反射マスク２４を備え、反射マスク２４は、受ける遠紫外軟Ｘ線の少なくとも６５％を反射し得る反射多層被膜３４で覆われたエッチングされていない表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスマスクウエーハを含む。この方法はさらに、複数のＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスリソグラフィーエレメントＥを備えた縮小投影サブシステム４６を提供し、放射線感応性半導体ウエーハ５８を備えたウエーハステージ５６を提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線源３８が遠紫外軟Ｘ線を反射マスク２４に照射し、反射マスク２４が遠紫外軟Ｘ線を反射させて印刷パターンを形成し、この印刷パターンが投映され、縮小されて放射線感応性印刷媒体５８上に合焦されるように、照射サブシステム３６、マスクステージ２２、投影サブシステム４６、およびウエーハステージ５６を整合させる各工程を含む。この方法は、混入異物および放射線感応性印刷媒体５８に印刷されてしまい得る表面欠陥のない、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ _２ガラスマスクウエーハ２６を備えた反射マスク２４を提供することを含む。

この方法のさらなる実施の形態において、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが遠紫外軟Ｘ線により高い温度領域まで加熱され、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスが上記高い温度領域に対し１０ｐｐｂ未満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有する。この方法は、熱伝導率Ｋが１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下、さらに好ましくは１．２５から１．３８までの範囲、最も好ましくは約１．３１の熱絶縁体（熱伝導率が低い）であるＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを提供し、かつ該ガラスおよび反射性エレメントＥを積極的に冷却することなくそのガラスの温度上昇を許容することが好ましい。

上記交互層は、１３．４ｎｍを中心とすることが好ましい、もしくは１１．３ｎｍを中心とする最大遠紫外軟Ｘ線反射率を提供する。このような交互の反射多層被膜は、各境界で反射されるフォトンの構造的干渉に対し理想的な層の厚さと、多数の境界が被膜の反射率に寄与する最小限の吸収とによって、四分の一波長板に類似した機能を有する。リソグラフィーエレメントの表面３２を横切る方向に厚さが約０．１％、表面３２の形状を維持するためには好ましくは０．０１％より良好な一様性を有すべく調節された多層被膜３４に関し、層ごとの厚さの偏差は０．０１ｎｍ以内であることが好ましい。好ましい実施の形態においては、被膜が厚さ約２．８ｎｍのＭｏ層と、厚さ約４．０ｎｍのＳｉ層との交互層からなる。適切な堆積条件をもってすれば、上記のような交互層で１３．４ｎｍにおいて６８％以上の反射率が得られる。Ｍｏ層とＳｉ層とからなる交互層は、通常の大気にさらされたときのＭｏの酸化を防止するために、Ｓｉ層からなることが好ましいキャップ層でカバーされていることが好ましい。

遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィーエレメントを作成する本発明の方法は、１００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷態様の集積回路の大量生産のための、遠紫外軟Ｘ線投影リソグラフィを利用することができる大量のガラス基板の効率的な製造に関して経済的な手段を提供するものである。さらに、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ_２ガラスを作成する本発明の方法は、仕上げられたガラス表面３２を検査しかつ品質認定を行なって、その表面が適正な形状と仕上げ状態と欠陥のないことを保証し、さらにガラスの熱膨脹係数を検査しかつ品質認定を行なうという効果的な工程を含む。