DE112006003221T5

DE112006003221T5 - Glassubstrat für eine Maskenvorform und Polierverfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE112006003221T5
Application number: DE112006003221T
Authority: DE
Inventors: Masabumi Ito; Hiroshi Kojima
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2005-12-22
Filing date: 2006-12-14
Publication date: 2008-10-23
Also published as: KR20080077379A; JP4858154B2; US7923178B2; KR101257133B1; WO2007072890A1; US20080311487A1; JP2007213020A

Abstract

Glassubstrat für eine Maskenvorform, das ein Glassubstrat ist, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt und eine polierte Hauptoberfläche aufweist, wobei konkave Defekte und konvexe Defekte auf der Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder kleiner bzw. eine Höhe von 2 nm oder kleiner und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder kleiner aufweisen, so daß die konkaven Defekte und/oder die konvexen Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn das Glassubstrat zur Herstellung einer Belichtungsmaske verwendet wird und die Maske verwendet wird.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Glassubstrat für eine Maskenvorform und ein Polierverfahren zur Herstellung des Glassubstrats. Genauer gesagt betrifft die Erfindung ein Glassubstrat, das zur Verwendung bei der Herstellung einer reflektierenden Maske oder dergleichen zur Verwendung in der EUV-(extrem UV-)Lithographie in einem Produktionsschritt für eine Halbleitervorrichtung geeignet ist, und ein Polierverfahren zur Herstellung des Substrats.
Stand der Technik
In Lithographietechniken sind zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises umfassend Belichtungsapparate zur Übertragung eines feinen Schaltkreismusters auf einen Wafer verwendet worden. Mit dem Trend zu höheren Integrationsgraden, höheren Geschwindigkeiten und höheren Funktionen in integrierten Schaltkreisen schreitet auch die Verkleinerung integrierter Schaltkreise fort. Belichtungsapparate sind zur Bildung eines Schaltkreismusterbildes mit hoher Auflösung auf einer Waferoberfläche bei einer großen Schärfentiefe erforderlich, und die Wellenlängen werden bei der Belichtung weiter verringert. Neben g-Linien-(Wellenlänge 436 nm), i-Linien-(Wellenlänge 365 nm) und KrF-Excimer-Lasern (Wellenlänge 248 nm), die als Lichtquellen verwendet worden sind, werden nunmehr auch ArF-Excimer-Laser (Wellenlänge 193 nm) als Lichtquellen mit einer noch kürzeren Wellenlänge eingesetzt. Ferner wird auch die Verwendung eines F2-Lasers (Wellenlänge 157 nm), der auf integrierte Schaltkreisen der nächsten Generation mit einer Schaltkreislinienbreite von 100 nm oder kleiner abzielt, als wirksam betrachtet. Aber auch diese Technik kann nur bis zu der Generation mit einer Linienbreite von 70 nm mithalten.
Unter diesen technischen Umständen zieht eine Lithographietechnik, die EUV-Licht (extrem UV-Licht) einsetzt, Aufmerksamkeit als Belichtungslicht der nächsten Generation, anwendbar auf die 45-nm- und nachfolgende Generationen, auf sich. Unter dem Ausdruck „EUV-Licht" ist Licht mit einer Wellenlänge in der Region bzw. Bereich weicher Röntgenstrahlen oder der Vakuum-UV-Region, genauer gesagt Licht mit einer Wellenlänge von etwa 0,2–100 nm, zu verstehen. Derzeit wird die Verwendung einer lithographischen Lichtquelle von 13,5 nm untersucht. Das Belichtungsprinzip der EUV-Lithographie (nachstehend mit „EUVL" abgekürzt) gleicht dem der herkömmlichen Lithographie dahingehend, daß ein Maskenmuster mit einem optischen Projektionssystem übertragen wird. Ein lichtbrechendes optisches System kann jedoch nicht verwendet werden, da es kein Material gibt, das in der EUV-Lichtenergieregion lichtdurchlässig ist, und daher sollte ein reflektierendes optisches System verwendet werden (siehe Patentdokument 1).
Die Maske zur Verwendung in der EUVL setzt sich grundsätzlich aus (1) einem Substrat, (2) einem reflektierenden Mehrschichtfilm, der auf dem Substrat gebildet ist, und (3) einer Absorberschicht, die auf dem reflektierenden Mehrschichtfilm gebildet ist, zusammen. Als der reflektierende Mehrschichtfilm wird ein Film mit einer Struktur, aufgebaut aus zwei oder mehr Materialien, die bei der Wellenlänge des Belichtungslichtes einen anderen Brechungsindex haben und im Nanometerbereich periodisch übereinander angeordnet sind, verwendet. Typische bekannte Materialien sind Molybdän und Silicium. Für die Absorberschicht wird die Verwendung von Tantal und Chrom untersucht. Was das Substrat angeht, muß sein Material einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben, damit es sich bei der Bestrahlung mit EUV-Licht nicht verformt, und es wird die Verwendung eines Glases oder kristallisierten Glases mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten untersucht. Das Substrat wird durch sehr genaues Polieren eines Rohmaterials, das ein solches Glas oder kristallisiertes Glas ist, und Waschen des polierten Materials hergestellt.
Verfahren zum Polieren eines Substrats für magnetische Aufzeichnungsmedien, eines Substrats für Halbleiter oder dergleichen, damit diese glatt werden, sind allgemein bekannt. Beispielsweise offenbart Patentdokument 2 das Fertigpolieren einer Speicherfestplatte und das Polieren eines Substrats für Halbleiterelemente. Speziell offenbart es ein Polierverfahren zum Erhalt eines polierten Erzeugnisses mit einer verringerten Oberflächenrauheit und in dem Oberflächendefekte wie winzige Vorsprünge (kleine Beulen und kleine Teilchen) und Polierschäden (Gruben und Kratzer) vermindert wurden. Dieses Verfahren umfaßt das Polieren eines Rohsubstrats mit einer flüssigen Polierzusammensetzung, die Wasser, ein Abriebmaterial und eine Säureverbindung umfaßt und einen pH im sauren Bereich und eine Konzentration an Abriebmaterial von weniger als 10 Gew.-% aufweist. Das Patentdokument spezifiziert Aluminiumoxid, Siliciumdioxid, Ceroxid, Zirkoniumoxid und dergleichen als Beispiele für das Abriebmaterial und Salpetersäure, Schwefelsäure, Salzsäure, organische Säuren und dergleichen als Beispiele für eine Säure zur Verwendung bei der pH-Einstellung auf einen Wert im sauren Bereich.
Ferner offenbart Patentdokument 3 ein Glassubstrat für eine Maskenvorform, das eine Oberfläche ohne winzige hervorstehende Oberflächendefekte aufweist, und ein Polierverfahren zur Herstellung dieses Substrats. In diesem Glassubstrat ist die Höhe der hervorstehenden Oberflächendefekte auf einen solchen Wert reguliert worden (z. B. kleiner als 2 nm), daß die Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn eine Belichtungsmaske, erzeugt aus diesem Glassubstrat, verwendet wird. Das Polierverfahren umfaßt das Spiegelpolieren einer Hauptoberfläche eines Glassubstrats mit einem Polierkissen, während eine Siliciumdioxid-enthaltende Aufschlämmung zugeführt wird, und die zu verwendende Aufschlämmung ist eine, aus der grobe Teilchen mit einem Teilchendurchmesser von 1.000 nm oder größer, gebildet durch Siliciumdioxidaggregation, entfernt wurden. In diesem Patentdokument wird dargelegt, daß die Aufschlämmung bevorzugt alkalisch ist.

Patentdokument 1: JP T 2003 505891
Patentdokument 2: JP A 2003211351
Patentdokument 3: JP A 2005 275388

Gemäß dem in Patentdokument 2 offenbarten Polierverfahren wird, wenn Siliciumdioxidteilchen als das Abriebmaterial verwendet werden, deren Teilchendurchmesser in einem breiten Bereich von 1–60.0 nm, besonders bevorzugt im Bereich von 20–200 nm, reguliert, um so die Polierrate zu verbessern. Aus Sicht der Reduktion win ziger Vorsprünge und der Wirtschaftlichkeit wird die Konzentration an Siliciumdioxidteilchen auf unter 10 Gew.-%, am stärksten bevorzugt 7 Gew.-% oder geringer reguliert. Genauer gesagt wird angenommen, daß in Patentdokument 2 die Konzentration an Siliciumdioxidteilchen auf dieses Niveau reduziert wird, da eine Erhöhung der Konzentration an Siliciumdioxidteilchen zu einer Erhöhung der Menge winziger Vorsprünge führt, und daß der Durchmesser der Siliciumdioxidteilchen auf 1–600 nm reguliert wird, um so die verringerte Konzentration auszugleichen und die gewünschte Polierrate zu erhalten. Im Ergebnis ist die Oberflächenglätte des Substrats zur Verwendung einer Magnetplatte, erhalten durch das Polieren mit diesem Abriebmaterial, eingeschränkt, obgleich winzige Vorsprünge vermindert wurden. Genauer gesagt, betragen die Oberflächenrauheiten (Ra) in den Beispielen 0,2–0,3 nm. In einem Wort beträgt der durch das in Patentdokument 2 offenbarte Polierverfahren erhältliche Poliergrad gerade mal etwa 0,2–0,3 nm hinsichtlich der Oberflächenrauheit (Ra).
Ein Glassubstrat mit einer Oberflächenglätte von 0,2–0,3 nm hinsichtlich der Oberflächenrauheit (Ra) kann nur schwer als ein Glassubstrat für reflektierende Masken zur Verwendung in der EUVL, insbesondere als ein Glassubstrat, das über eine außerst hohe Oberflächengenauigkeit und -glätte verfügen muß, wie bei reflektierenden Masken zur Verwendung in einem optischen System eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen, verwendet werden.
Auf der anderen Seite haben die konvexen Defekte in dem in Patentdokument 3 offenbarten Glassubstrat eine spezielle Höhe. Wird jedoch eine Hauptoberfläche eines Glassubstrats mit einem Polierkissen poliert, während eine Siliciumdioxidaufschlämmung zugeführt wird, werden aufgrund feiner Siliciumdioxidteilchen und winziger Fremdstoffe auch konkave Defekte in der polierten Hauptoberfläche gebildet. In Patentdokument 3 soll die Poliertechnik nur die konvexen Defekte, die sich wahrscheinlich entwickeln, da die Aufschlämmung hinsichtlich der Siliciumdioxidstabilität alkalisch gemacht wurde, vermindern. So lange das Polieren jedoch mit einer Siliciumdioxid-enthaltenden Aufschlämmung durchgeführt wird, kann die Entwicklung konkaver Defekte jedoch nur schwer verhindert werden. In einem Glassubstrat für eine Maskenvorform können solche konkaven Defekte mit einer Tiefe, die einen vorgegebenen Wert überschreitet, eine Ursache für Phasendefekte wie konvexe Defekte sein, wenn eine Maske zur Belichtung, die aus diesem Glassubstrat hergestellt wurde, verwendet wird.
Neben der Höhe und der Tiefe solcher konvexen und konkaven Defekte, die sich auf der Hauptoberfläche eines Glassubstrats entwickelten, können die Größen der Defekte in den ebenen Richtungen (Flächen) ein ernstes Problem darstellen, wenn das Substrat als eine Belichtungsmaske verwendet wird. Dieser Einfluß wird größer, wenn die Wellenlänge des Belichtungslichtes kürzer wird. Die Größen konvexer Defekte und konkaver Defekte korrelieren zu einem gewissen Grad mit der Höhe der konvexen Defekte und der Tiefe der konkaven Defekte. Da solche Defekte jedoch verschiedene Formen haben, können ihre Größen nicht uneingeschränkt bestimmt werden. Dies trifft insbesondere für konkave Defekte zu, die sich von konvexen Defekten in bezug auf den Grund der Entwicklung unterscheiden. Demzufolge kann das Glassubstrat aus Patentdokument 3, in dem nur die Höhe der konvexen Defekte spezifiziert wird und weder konkave Defekte noch die Größen der Defekte berücksichtigt werden, kein vollständig zufriedenstellendes Substrat für Masken zur Verwendung mit Belichtungslicht mit einer kurzen Wellenlänge wie EUV-Licht sein.
Offenbarung der Erfindung
Die Erfindung ist im Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme angestrebt worden. Eine Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Glassubstrats, das über eine Oberfläche verfügen muß, die mit äußerst hoher Genauigkeit poliert wurde, wie bei Glassubstraten für reflektierende Masken zur Verwendung in der EUVL. Eine andere Aufgabe ist die Bereitstellung eines Polierverfahrens zur Herstellung des Glassubstrats.
Andere Aufgaben und Wirkungen der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung ersichtlich.
Die betreffenden Erfinder untersuchten intensiv das Polieren zum Erhalt eines Glassubstrats für eine reflektierende Maske, das in dem optischen System eines Belich tungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen verwendbar ist. Im Ergebnis fanden sie heraus, daß, wenn der pH einer Aufschlämmung, die kolloides Siliciumdioxid mit einem kleinen Teilchendurchmesser und Wasser umfaßt, so reguliert wird, daß er im sauren Bereich liegt, und ein Polierkissen mit einer Noppenschicht mit einer hohen Kompressibilität und einem hohen Kompressionsmodul zum Polieren einer Hauptoberfläche eines Glassubstrats verwendet wird, dann die Tiefe bzw. Höhe und Größe der konkaven Defekte und konvexen Defekte, die sich auf der Hauptoberfläche entwickeln, verringert werden kann. Die Erfindung ist so erzielt worden.
Genauer gesagt, liefert die Erfindung das folgende Glassubstrat mit einer präzise polierten Hauptoberfläche, das folgende Polierverfahren zur Herstellung des Substrats usw.

(1) Ein Glassubstrat für eine Maskenvorform, das ein Glassubstrat ist, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt und eine polierte Hauptoberfläche aufweist, wobei konkave Defekte und konvexe Defekte auf der Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder kleiner bzw. eine Höhe von 2 nm oder kleiner und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder kleiner aufweisen, so daß die konkaven Defekte und/oder die konvexen Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn das Glassubstrat zur Herstellung einer Belichtungsmaske verwendet wird und die Maske verwendet wird.
(2) Das Glassubstrat für eine Maskenvorform aus (1) oben, wobei die Hauptoberfläche eine Oberflächenrauheit Rms, bestimmt mit einem Rasterkraftmikroskop, von 0,15 nm oder weniger hat.
(3) Das Glassubstrat für eine Maskenvorform aus (1) oder (2) oben, das ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem ArF-Excimer-Laser, ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem F2-Excimer-Laser oder ein Glassubstrat für eine reflektierende Maskenvorform ist.
(4) Ein Polierverfahren zur Herstellung eines Glassubstrats für eine Maskenvorform, welches das Zuführen einer Polieraufschlämmung, umfassend kolloides Siliciumdioxid mit einem durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser von 60 nm oder kleiner und Wasser, in einen Spalt zwischen einem Glassubstrat, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt, und einer Noppenschicht eines Polierkissens und das Polieren der Hauptoberfläche des Glassubstrates mit der Noppenschicht umfaßt, wobei die Noppenschicht des Polierkissens eine Kompressibilität von 10% oder mehr und einen Kompressionsmodul von 85% oder mehr aufweist, um dadurch die Hauptoberfläche so zu polieren, daß konkave Defekte und konvexe Defekte auf der polierten Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder kleiner bzw. eine Höhe von 2 nm oder kleiner und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder kleiner haben.
(5) Das Polierverfahren aus (4) oben, wobei die Polieraufschlämmung einen pH im Bereich von 0,5–4 hat.
(6) Das Polierverfahren aus (4) oder (5) oben, wobei das Polierkissen eine Auflage umfaßt, an der die Noppenschicht angebracht ist.
(7) Das Polierverfahren aus (4), (5) oder (6) oben, wobei das kolloide Siliciumdioxid einen durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser von kleiner als 20 nm hat.
(8) Das Polierverfahren aus einem von (4) bis (7) oben, wobei die Polieraufschlämmung ferner eine Säure umfaßt und einen Gehalt an kolloidem Siliciumdioxid von 10–30 Masse-% aufweist.
(9) Das Polierverfahren aus einem von (4) bis (8) oben, wobei das Wasser reines Wasser oder ultrareines Wasser ist, worin jeweils die Anzahl an Feinteilchen mit einem maximalen Durchmesser von 0,1 μm oder größer, gezählt durch ein Lichtstreuungsverfahren unter Einsatz von Laserlicht, im wesentlichen 1 oder weniger pro ml beträgt.
(10) Das Polierverfahren aus einem von (4) bis (9) oben, ferner umfassend das Waschen des polierten Glassubstrats mit einer Lösung aus einem grenzflächenaktiven Mittel nach dem Polierschritt mit der Polieraufschlämmung.
(11) Das Polierverfahren aus einem von (4) bis (10) oben, ferner umfassend vorhergehendes Polieren der Oberfläche des Glassubstrats vor dem Polierschritt mit der Polieraufschlämmung.
(12) Eine Maskenvorform, umfassend das Glassubstrat für eine Maskenvorform aus einem von (1) bis (3) oben.
(13) Eine Belichtungsmaske, hergestellt aus der Maskenvorform aus (12) oben.

Gemäß der Erfindung kann ein präzise poliertes Glassubstrat erhalten werden, bei dem die Tiefe bzw. Höhe und die Größe der konkaven Defekte und konvexen Defekte der polierten Hauptoberfläche derart verringert wurden, daß diese Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn eine aus diesem Substrat hergestellte Belichtungsmaske verwendet wird. Dieses Glassubstrat kann daher zur Herstellung einer reflektierenden Maske oder dergleichen daraus, die in Belichtungsapparaten zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen erforderlicht ist, verwendet werden.
Ferner kann gemäß der Erfindung eine Hauptoberfläche eines Glassubstrats durch die Verwendung einer Polieraufschlämmung, die kolloides Siliciumdioxid mit einem kleinen Teilchendurchmesser und Wasser umfaßt, und durch die Verwendung eines Polierkissens mit einer Noppenschicht mit einem hohen Kompressionsmodul und einer hohen Kompressibilität industriell präzise poliert werden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Teils eines polierten Glassubstrats.
2 ist ein grafisches Schnittbild entlang der Linie A–A in 1.
3 ist ein grafisches Schnittbild, das den in 2 gezeigten konkaven Defekt veranschaulicht.
4 ist eine Seitenansicht eines bevorzugten Wildleder-Polierkissens zur Verwendung in der Erfindung.
Beste Weise zur Durchführung der Erfindung
Das zur Herstellung des Glassubstrats in der Erfindung zu polierende Glas ist bevorzugt ein Glas mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und verringerter Abweichung des Koeffizienten, um so ein Glassubstrat für eine Maskenvorform zu erhalten, das beispielsweise eine reflektierende Maske für die EUVL ergeben kann, mit der die Forderung nach höheren Integrationsgraden und höherer Feinheit in integrierten Schaltkreisen erfüllt werden kann. Genauer gesagt, ist ein Glas mit geringer Ausdehnung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bei 20°C von 0 ± 30 ppb/°C bevorzugt, und ein Glas mit extrem geringer Ausdehnung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bei 20°C von 0 ± 10 ppb/°C ist besonders bevorzugt. Stärker bevorzugt ist ein Glas mit extrem geringer Ausdehnung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bei 20°C von 0 ± 5 ppb/°C. So lange die reflektierende Maske oder dergleichen ein Glas mit einem so niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten umfaßt, hält es den Temperaturänderungen in Produktionsschritten für Halbleitervorrichtungen ausreichend stand und kann zufriedenstellend ein Schaltkreismuster mit hoher Auflösung übertragen.
Als das Glas mit geringer Ausdehnung und das Glas mit extrem geringer Ausdehnung kann ein Glas, das SiO₂ als die Hauptkomponente umfaßt, verwendet werden. Typischerweise kann ein Quarzglas verwendet werden. Beispiele hierfür umfassen Gläser mit geringer Ausdehnung oder kristalline Gläser mit geringer Ausdehnung wie ein synthetisches Quarzglas, das SiO₂ als die Hauptkomponente umfaßt und TiO₂ enthält, ULE (eingetragener Markenname; Corning-Code 7972) und ZERODUR (eingetragener Markenname der Schott AG, Deutschland). Obgleich das Glassubstrat für gewöhnlich in Form einer quadratischen Platte poliert wird, ist seine Form nicht darauf beschränkt.
In der Erfindung wird eine Hauptoberfläche des Glassubstrats mit einem Polierkissen fertig poliert, während eine Polieraufschlämmung (nachstehend als Aufschlämmung bezeichnet), die kolloides Siliciumdioxid und Wasser umfaßt und einen pH von 0,5–4 hat, zugeführt wird. Durch dieses Polieren wird die Hauptoberfläche des Glassubstrats unter Erhalt einer Spiegeloberfläche poliert. Die so polierte Hauptoberfläche weist oftmals jedoch ultrafeine konkave Defekte und konvexe Defekte auf, die während des Polierens gebildet wurden. Diese Defekte werden als nächstes erläutert.
1 zeigt grafisch einen Teil der Oberfläche eines Glassubstrats für eine Maskenvorform (nachstehend oft als Glassubstrat bezeichnet), die mit der Aufschlämmung fertigpoliert und dann gewaschen und beispielsweise mit dem Oberflächeninspektionsapparat M1350 (hergestellt von Lasertec Corp.) geprüft wurde. 2 ist ein grafisches Schnittbild entlang der Linie A–A von 1. Wie in den 1 und 2 gezeigt, weist die Oberfläche des Glassubstrats 3, die poliert und gewaschen worden ist, neben der allgemeinen Oberflächenrauheit Rms einen konkaven Defekt 1 und einen konvexen Defekt 2 auf. In 2 kennzeichnet d die Tiefe des konkaven Defekts 1 und h die Höhe des konvexen Defekts 2.
Die konkaven Defekte 1 werden hauptsächlich durch Siliciumdioxidteilchen im Verlauf des Polierens durch Siliciumdioxidteilchen, die in der Aufschlämmung enthalten sind, mit einem Polierkissen gebildet. Genauer gesagt, wird angenommen, daß, wenn die Aufschlämmung beispielsweise Siliciumdioxidteilchen mit einem großen Teilchendurchmesser oder Aggregate aus feinen Siliciumdioxidteilchen enthält, und der Polierdruck, der durch das Polierkissen auf diese Siliciumdioxidteilchen ausgeübt wird, nicht ausreichend in der Noppenschicht verteilt werden kann, dann der Polierdruck unter Bildung konkaver Defekte 1 konzentriert wird. Folglich wird die Entwicklung konkaver Defekte 1 durch die Teilchengröße und den Gehalt an Siliciumdioxid teilchen in der Aufschlämmung, die Eigenschaften der Noppenschicht des zu verwendenden Polierkissens usw. geregelt. Bezüglich der Siliciumdioxidteilchen gibt es eine Tendenz dahingehend, daß je größer die Siliciumdioxidteilchen, um so tiefer und größer (hinsichtlich der Fläche) und mehr werden die konkaven Defekte 1. Da die konkaven Defekte 1 in dem Glassubstrat 3 gebildet worden sind, sind sie dauerhafte Defekte, die durch Waschen nicht entfernt werden können. Es besteht die Möglichkeit, daß konkave Defekte mit einer Tiefe und Größe nicht kleiner als die vorgegebenen Werte möglicherweise zu einer erhöhten Phasenwinkeländerung führen und so Phasendefekte verursachen, wenn eine Belichtungsmaske, die aus diesem Glassubstrat hergestellt wurde, speziell mit Belichtungslicht mit einer kurzen Wellenlänge, verwendet wird.
Auf der anderen Seite ist der konvexe Defekt 2 ein Vorsprung, der durch die zähe Haftung eines Siliciumdioxidteilchens oder einer Verunreinigung (Fremdstoff) oder dergleichen, die in der Aufschlämmung enthalten ist, an der Hauptoberfläche des Glassubstrats gebildet wurde. Anders als der konkave Defekt 1 kann der konvexe Defekt 2 zu einem gewissen Grad entfernt werden, indem das Waschverfahren geändert oder die Hauptoberfläche mit Waschwasser, aus dem Fremdstoffe ausreichend entfernt worden sind, gewaschen wird. Ferner kann durch Ansäuern der Aufschlämmung, die Siliciumdioxidteilchen enthält, wie nachstehend beschrieben wird, die Entwicklung der konvexen Defekte 2 selbst vermindert werden. Haften die Siliciumdioxidteilchen jedoch erst einmal an der Glasoberfläche, ist eine vollständige Entfernung dieser durch Waschen schwierig, da die Siliciumdioxidteilchen stark haften. Ein Teil dieser Siliciumdioxidteilchen bleibt als Defekte zurück.
In dem Glassubstrat für eine Maskenvorform der Erfindung betragen die Tiefe d des konkaven Defekts 1 und die Höhe h des konvexen Defekts 2 jeweils 2 nm oder weniger, bevorzugt 1 nm oder weniger. Selbstverständlich gilt, je kleiner die Werte für d und h, um so stärker ist das Glassubstrat bevorzugt. So lange die Werte für d und h jedoch 2 nm oder weniger betragen, kann dies in Verbindung mit der Defektgröße, die später beschrieben wird, die Erzeugung von Phasendefekten im wesentlichen verhindern, wenn eine Belichtungsmaske, hergestellt aus diesem Glassubstrat, selbst bei der Belichtung mit einem EUV-Licht mit einer Wellenlänge von beispiels weise etwa 0,2–100 nm verwendet wird. Im übrigen können die Tiefe d des konkaven Defekts 1 und die Höhe h des konvexen Defekts 2 mit einem Rasterkraftmikroskop (nachstehend als AFM bezeichnet), z. B. SPA 400, hergestellt von Seiko Instrument Inc., gemessen werden.
Ferner sollten in dem Glassubstrat für eine Maskenvorform der Erfindung die Größe in der Ebenenrichtung des konkaven Defekts 1 und des konvexen Defekts 2 im Hinblick auf die Halbwertsbreite 60 nm oder weniger betragen. Bevorzugt beträgt die Halbwertsbreite 30 nm oder weniger. In der Erfindung bedeutet der Ausdruck „Größe der konkaven Defekte 1 und der konvexen Defekte 2'' diese Größe in der Ebenenrichtung, sofern nicht etwas anderes angezeigt ist. Der Grund, warum die Größe der konkaven Defekte 1 und der konvexen Defekte 2 im Hinblick auf die Halbwertsbreite spezifiziert wird, ist der, daß die konkaven Defekte 1 und die konvexen Defekte 2 in der Erfindung anhand von Tiefe bzw. Höhe spezifiziert wurden, und die Verwendung der Halbwertsbreite ist besser, da mit der Halbwertsbreite die Größe dieser Defekte in bezug auf die Tiefe oder Höhe spezifiziert werden kann.
Als nächstes wird die Halbwertsbreite des konkaven Defekts 1 anhand von 3 ausführlich erläutert. 3 ist ein grafisches vergrößertes Schnittbild des konkaven Defekts 1, gezeigt in 2. Im allgemeinen ist der konkave Defekt 1, der in der Hauptoberfläche des Glassubstrats 3 gebildet wird, eine ungefähr halbrunde Aushöhlung und daher ist ihre Ebenenform nahezu kreisförmig. Folglich wird eine parabolische Kurve p aus dem Durchmesser w eines angenäherten Kreises, erhalten aus dieser Ebenenform des konkaven Defekts 1, und aus der Tiefe d des konkaven Defekts 1 bestimmt. Werden die Schnittpunkte dieser parabolischen Kurve p und einer Geraden t, die sich entlang der halben Tiefe erstreckt, d. h., d/2, als a und b ausgedrückt, dann kann die Halbwertsbreite r des konkaven Defekts 1 als der Abstand zwischen a und b erhalten werden. Die Spezifizierung der Größe des konkaven Defekts 1 hinsichtlich der Halbwertsbreite r durch das oben beschriebene Verfahren ist bevorzugt, da die Ebenenform des konkaven Defekts 1 vorteilhaft mit dessen Schnittform in Verbindung gebracht werden kann. Ist die Halbwertsbreite r größer als 60 nm, übt der konkave Defekt 1 einen stärkeren Einfluß aus, wenn dieses Glassub strat als eine Belichtungsmaske verwendet wird, was zum Auftreten eines Phasendefekts führen kann.
Auch die Größe des konvexen Defekts 2 kann hinsichtlich der Halbwertsbreite spezifiziert werden, obgleich dies in der Figur nicht gezeigt ist. Genauer gesagt, kann die Ebenenform des konvexen Defekts 2 als eine Projektionsfigur bestimmt werden, und daher wird die Schnittform des konvexen Defekts 2 ähnlich als eine parabolische Kurve aus dem Durchmesser des projizierten angenäherten Kreises und der Höhe h bestimmt. So wird die Halbwertsbreite des konvexen Defekts 2 als der Abstand zwischen den Schnittpunkten dieser Parabel und einer Geraden, die sich entlang der halben Höhe erstreckt, d. h., h/2, erhalten.
In dem Glassubstrat der Erfindung variiert das Verhältnis der konkaven Defekte 1 zu den konvexen Defekten 2 in einem breiten Bereich insbesondere in Abhängigkeit davon, ob die Aufschlämmung, die Siliciumdioxidteilchen enthält, sauer oder alkalisch ist. Genauer gesagt, werden im Falle, daß eine Aufschlämmung, die durch die Zugabe einer Säure zum Erhalt eines pH-Wertes von beispielsweise 4 oder weniger angesäuert wurde, zum Polieren verwendet wird, selbst wenn Siliciumdioxidteilchen an dem Glassubstrat haften, die Siliciumdioxidteilchen, die anhaften, durch die mechanochemische Polierwirkung der Aufschlämmung entfernt. Überdies wird das Anhaften der Siliciumdioxidteilchen durch die Säure abgeschwächt, und so können die Siliciumdioxidteilchen in den Polier- und Waschschritten entfernt werden. Wenn daher das Glassubstrat mit der Aufschlämmung poliert wird, die eine Säure enthält, kann das Verhältnis der konvexen Defekte 2 zu den konkaven Defekten 1 extrem klein gehalten werden. Wenn im Gegensatz dazu die Aufschlämmung alkalisch oder neutral ist, erhöht sich der Anteil konvexer Defekte 2. In der Erfindung ist das Verhältnis der konvexen Defekte 2 zu den konkaven Defekten 1 bevorzugt so klein wie möglich. Das liegt daran, daß die konvexen Defekte 2 einen größeren Einfluß auf Phasendefekte haben, wenn eine Belichtungsmaske verwendet wird.
Das Glassubstrat ist zufriedenstellend, wenn seine Hauptoberfläche im wesentlichen keine konkaven Defekte 1 mit einer Tiefe d, die 2 nm übersteigt, und keine konvexen Defekte 2 mit einer Höhe h, die 2 nm übersteigt, aufweist. Wenn beispielsweise die Anzahl solcher Defekte bis zu etwa 3 pro einem Bereich von 142 mm × 142 mm beträgt, kann dieses Glassubstrat in einigen Fällen praktisch zulässig sein.
Ferner ist das Glassubstrat der Erfindung bevorzugt eines, in dem die Oberflächenrauheit Rms der Hauptoberfläche, bestimmt mit einem Rasterkraftmikroskop (nachstehend als AFM bezeichnet), 0,15 nm oder weniger beträgt. Die Rms beträgt stärker bevorzugt 0,10 nm oder weniger. Hierin wird SPA 400, hergestellt von Seiko Instrument Inc., als das AFM verwendet. Ist die Oberflächenrauheit Rms des Glassubstrats höher als 0,15 nm, könnte das Glassubstrat möglicherweise nicht über ausreichende Funktionen verfügen, wenn es als ein Teil des optischen Systems eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen verwendet wird, für die höhere Integrationsgrade und bessere Feinheit überaus wünschenswert sind.
Wie oben erwähnt, kann ein Glassubstrat mit einer feinspiegelpolierten Hauptoberfläche zufriedenstellend als ein Teil des optischen Systems eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen verwendet werden. Das Glassubstrat ist besonders erstklassig als ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem ArF-Excimer-Laser, ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem F2-Excimer-Laser, ein Glassubstrat für eine reflektierende Maskenvorform oder dergleichen.
Als nächstes wird das Verfahren zum Polieren des Glassubstrats der Erfindung erläutert. Ein Glassubstrat wird mit einer Polieraufschlämmung poliert, die kolloides Siliciumdioxid (Siliciumdioxidteilchen) und Wasser umfaßt und einen pH, reguliert auf einen Wert bevorzugt im Bereich von 0,5–4, stärker bevorzugt 1–4, hat. Genauer gesagt, wird in der Erfindung ein Glassubstrat mit einer Polieraufschlämmung poliert, die kolloides Siliciumdioxid als ein Abriebmaterial, eine Säure zur pH-Regulierung und Wasser zum Aufschlämmen umfaßt. Der durchschnittliche Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids beträgt 60 nm oder weniger und ist bevorzugt kleiner als 20 nm, stärker bevorzugt kleiner als 15 nm. Obgleich es für den durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids keine beson dere unter Grenze gibt, beträgt sein durchschnittlicher Primärteilchendurchmesser im Hinblick auf eine Verbesserung der Polierleistung bevorzugt 5 nm oder mehr, stärker bevorzugt 10 nm oder mehr. Übersteigt der durchschnittliche Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids 60 nm, werden während des Polierens wahrscheinlich konkave Defekte mit einer Tiefe von mehr als 2 nm erzeugt, und das Glassubstrat kann nur schwer auf die gewünschte Oberflächerauheit poliert werden. So kann nur schwer ein Glassubstrat erhalten werden, das beispielsweise zur Verwendung als ein Teil des optischen Systems eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen geeignet ist. Eine Verringerung des Teilchendurchmessers des kolloiden Siliciumdioxids führt zu einer Verminderung der Polierleistung. Es gilt jedoch, je kleiner der Teilchendurchmesser, um so wirksamer verringert das kolloide Siliciumdioxid die Größe und Anzahl konkaver Defekte und die Oberflächenrauheit Rms.
Im Hinblick auf eine genaue Regulierung des Teilchendurchmessers ist das kolloide Siliciumdioxid bevorzugt eines, in dem der Gehalt an Sekundärteilchen, die durch die Aggregation der Primärteilchen gebildet werden, so gering wie möglicht ist. Umfaßt das kolloide Siliciumdioxid Sekundärteilchen, beträgt der durchschnittliche Teilchendurchmesser dieser Teilchen bevorzugt 70 nm oder weniger. Der Teilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids in der Erfindung ist einer, der durch eine Überprüfung von Bildern mit einer Vergrößerung von (15 bis 105) × 10³-Durchmessern, erhalten mit einem REM (Rasterelektronenmikroskop), erhalten wurde.
In der Polieraufschlämmung beträgt der Gehalt an kolloidem Siliciumdioxid bevorzugt 10–30 Masse-%, stärker bevorzugt 18–25 Masse-%, besonders bevorzugt 18–22 Masse-%. Gehalte an kolloidem Siliciumdioxid von weniger als 10 Masse-% sind nicht wünschenswert, da die Polierleistung gemindert wird und dies zu einer längeren Polierzeit führt. Speziell führen in der Erfindung aufgrund dessen, daß kolloides Siliciumdioxid mit einem kleinen durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser als ein Abriebmaterial wie oben erwähnt verwendet wird, Gehalte an kolloidem Siliciumdioxid von weniger als 10 Masse-% zu einer beeinträchtigten Polierleistung und dies kann ökonomisches Polieren unmöglich machen. Wenn andererseits der Gehalt an kolloidem Siliciumdioxid 30 Masse-% übersteigt, werden wahrscheinlich nicht nur die Siliciumdioxidteilchen während des Polierens ungleichmäßig verteilt sondern auch die Menge des zu verwendenden kolloiden Siliciumdioxids notwendigerweise erhöht, obgleich eine Verbesserung der Polierleistung erreicht wird. Folglich sind diese zu hohen Gehalte an kolloidem Siliciumdioxid aus Sicht der Rentabilität, Waschbarkeit usw. unerwünscht.
Wie oben erwähnt, ist der pH der Polieraufschlämmung in der Erfindung mit einer Säure auf bevorzugt 0,5–4, stärker bevorzugt 1–4, noch stärker bevorzugt 1–3, besonders bevorzugt 1,8–2,5, reguliert worden. Der Zweck einer solchen pH-Regulierung der Polieraufschlämmung ist im wesentlichen derselbe wie der des herkömmlichen Säurepolierens. Durch eine solche Regulierung der Polieraufschlämmung auf sauer, kann die Oberfläche des Glassubstrats chemisch und mechanisch poliert werden. Genauer gesagt, werden beim mechanischen Polieren mit einer sauren Polieraufschlämmung vorstehende Teile der Glasoberfläche durch die in der Polieraufschlämmung enthaltene Säure weich gemacht und können so leicht durch das mechanische Polieren entfernt werden. Im Ergebnis verbessert sich nicht nur die Polierleistung sondern kann auch verhindert werden, daß die durch das Polieren entfernten Glasteilchen oder Glasbruchstücke erneut Fehler bilden, da derartige Glasbruchstücke und dergleichen weich gemacht worden sind. Überdies kann verhindert werden, daß Siliciumdioxidteilchen haften bleiben und so konvexe Defekte bilden. Folglich ist das Verfahren, in dem der pH der Polieraufschlämmung im sauren Bereich reguliert worden ist, ein effektives Verfahren zum wirksamen Spiegelpolieren eines Glassubstrats ohne Entwicklung von Defekten. Insbesondere für das Spiegelpolieren eines Glassubstrats, das in einer Maske zur Belichtung mit kurzer Wellenlänge, die in Belichtungsapparaten zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen erforderlich ist, verwendet werden soll, ist diese Technik des Säurepolierens dahingehend besser, daß die Erzeugung konvexer Defekte verhindert und Feinspiegelpolieren erreicht werden kann.
Bezüglich der pH-Regulierung der Polieraufschlämmung ist der Säuregrad im Falle eines pH-Wertes von kleiner als 0,5 zu hoch und dies kann ein Problem hinsichtlich der Poliermaschinenkorrosion aufwerfen. Ist der pH kleiner als 1,0 wird die Polieraufschlämmung wahrscheinlich schlecht handhabbar sein, obgleich solche pH-Werte auf einem Niveau liegen, bei welchem das Problem hinsichtlich der Poliermaschinenkorrosion nicht entsteht. Folglich beträgt der pH der Polieraufschlämmung aus Sicht der praktischen Verwendung bevorzugt 1 oder mehr. Andererseits sind pH-Werte höher als 4 nicht wünschenswert, da diese zu einer Verringerung der Wirkung des chemischen Polierens von Gläsern wie oben beschrieben und zu einer Verstärkung konvexer Defekte, die aufgrund der Siliciumdioxid-Anhaftung erzeugt werden, führen.
In der Erfindung kann die pH-Regulierung der Polieraufschlämmung unter Verwendung einer Säure oder einer Kombination von zwei oder mehr Säuren, ausgewählt aus anorganischen Säuren oder organischen Säuren, durchgeführt werden. Günstigerweise können eine oder mehrere Säuren, die geeigneterweise aus vielen anorganischen Säuren oder organischen Säuren ausgewählt sind, die als pH-Regulatoren zum Polieren von Aufschlämmungen zum Säurepolieren bekannt sind, verwendet werden. Beispiele für die anorganischen Säuren umfassen Salpetersäure, Schwefelsäure, Salzsaure, Perchlorsäure und Phosphorsäure. Von diesen ist Salpetersäure aus Sicht der Handhabbarkeit bevorzugt. Säuren, die Glas stark korrodieren, wie Fluorwasserstoffsäure, können nicht verwendet werden, da diese Säuren Schäden verursachen. Beispiele für organische Säuren umfassen Oxalsäure und Zitronensäure.
Das Wasser, das in der Erfindung zur Regulierung der Konzentration oder zum Aufschlämmen des kolloiden Siliciumdioxids verwendet werden soll, ist bevorzugt reines Wasser oder ultrareines Wasser, aus dem Fremdstoffe entfernt worden sind. Genauer gesagt, werden Fremdstoffe (Feinteilchen) ungeachtet ihres Materials oder ihrer Form entfernt, und bevorzugt wird reines Wasser oder ultrareines Wasser verwendet, in dem jeweils die Anzahl an Feinteilchen mit einem maximalen Durchmesser von 0,1 μm oder größer, gezählt durch ein Lichtstreuungsverfahren, das Laserlicht oder dergleichen einsetzt, im wesentlichen 1 oder weniger pro ml beträgt. Ist die Anzahl an Fremdteilchen von 0,1 μm oder größer im Wasser größer als 1 pro ml, fungieren diese Fremdteilchen als eine Art Abriebmaterial während des Polierens und verursachen Oberflächendefekte wie Kratzer und Gruben auf der Glasoberfläche, die poliert wird, und so kann nur schwer eine hochqualitative spiegelpolierte Oberfläche erhalten werden. Der Durchmesser solcher Fremdstoffe, die in dem Wasser zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung vorliegen können, beträgt höchstens 10 μm. Die Fremdstoffe im Wasser können beispielsweise durch Filtration oder Ultrafiltration mit einem Membranfilter entfernt werden. Die Verfahren zur Entfernung sind jedoch nicht auf diese beschränkt.
Das Polieren eines Glassubstrats in der Erfindung kann während der Zufuhr einer Polieraufschlämmung, in der der durchschnittliche Primärteilchendurchmesser und die Konzentration des kolloiden Siliciumdioxids und der pH reguliert worden sind, in einen Polierapparat durchgeführt werden. Als dieser Polierapparat kann ein bekannter verwendet werden, auch wenn er nicht als ein Bild gezeigt ist.
Beispielsweise wird das Glassubstrat unter einer vorgegebenen Last zwischen Polierplatten mit jeweils einem daran angebrachten Polierkissen geschoben und die Polierplatten werden bezogen auf das Glassubstrat gedreht, während jedem Polierkissen eine vorgegebene Menge der Polieraufschlämmung zugeführt wird, wodurch das Glassubstrat poliert werden kann. In diesem Fall werden die zuzuführende Menge an Polieraufschlämmung, die Polierlast, die Rotationsgeschwindigkeit jeder Polierplatte usw. geeigneterweise unter Berücksichtigung der Polierrate, der Genauigkeit des Polierfinishs usw. bestimmt.
Das Polierverfahren der Erfindung ist speziell als das endgültige Fertigpolieren beim Polieren eines Glassubstrats durch zwei oder mehr Polierschritte geeignet. Folglich sollte das Glassubstrat, bevor es durch das Verfahren der Erfindung poliert wird, bevorzugt einem Grobpolieren auf eine vorgegebene Dicke, Kantenpolieren und Anfasen und ferner vorhergehendem Polieren zur Verringerung der Oberflächenrauheit der Hauptoberfläche auf einen vorgegebenen Wert oder darunter unterzogen werden. Dieses vorhergehende Polieren kann in einem oder mehreren Polierschritten durchgeführt werden. Die Polierverfahren sind nicht besonders eingeschränkt. Beispielsweise werden zwei oder mehr Beidseiten-Reibschleifmaschinen nacheinander angeordnet und ein Glassubstrat nacheinander mit diesen Reibschleifmaschinen poliert, während das Abriebmaterial und die Polierbedingungen verändert werden, wodurch das Glassubstrat vorbereitend auf eine vorgegebene Dicke und vorgegebe ne Oberflächenrauheit poliert werden kann. Die durch das vorhergehende Polieren zu erhaltende Oberflächenrauheit (Rms) beträgt beispielsweise bevorzugt 3 nm oder weniger, stärker bevorzugt 1,0 nm oder weniger, noch stärker bevorzugt 0,5 nm oder weniger.
4 veranschaulicht ein bevorzugtes Polierkissen zur Verwendung in dem Polierverfahren der Erfindung. Dieses Polierkissen umfaßt eine Auflage 4 und eine daran angebrachte Noppenschicht 5. Die Auflage 4 umfaßt beispielsweise ein Strukturmaterial aus Faservlies, lagenförmigem Harz oder dergleichen. Das Polierkissen, das aus der Auflage 4 und einer Noppenschicht 5 besteht, wird mittels der Auflage 4 an der Polierplatte eines Polierapparats angebracht. So kann das Polierkissen leicht angebracht und entfernt werden. Es ist jedoch möglich, die Noppenschicht 5 direkt an der Polierplatte eines Polierapparats anzubringen. In diesem Fall kann die Auflage 4 weggelassen werden. Obgleich die Noppenschicht 5 beispielsweise mit einem chemikalienresistenten Haftmittel im allgemeinen direkt an der Auflage 4 angebracht wird, kann zwischen die Noppenschicht 5 und die Auflage 4 ein anderes Element geschoben werden.
Die Noppenschicht 5 ist ein Polierelement, das mit einer Hauptoberfläche eines Glassubstrats bei einem vorgegebenen Polierdruck in Kontakt kommt, und die Hauptoberfläche des Glassubstrats wird, wenn das Polierkissen bezogen auf das Glassubstrat gedreht wird (Drehung und Rotation unterzogen wird), während einem Spalt zwischen der Noppenschicht 5 und dem Glassubstrat eine Aufschlämmung zugeführt wird, fertigpoliert. Das Kissen mit einer Noppenschicht 5 wird als ein Wildlederkissen klassifiziert. Die Dicke der Noppenschicht 5 variiert in Abhängigkeit ihres Materials usw. und ist nicht eingeschränkt. Ihre Dicke in Wildlederkissen beträgt aus Sicht der praktischen Verwendung bevorzugt jedoch etwa 0,3–1,0 mm. Die Noppenschicht 5 umfaßt einen flexiblen Harzschaum mit mittlerer Elastizität. Bevorzugt werden beispielsweise Harzschäume vom Ether-, Ester- oder Carbonat-Typ oder dergleichen verwendet.
In der Erfindung verfügt die Noppenschicht 5 über eine Kompressibilität von 10% oder mehr, bevorzugt 15–60%, stärker bevorzugt 30–60%, und einen Kompressi onsmodul von 85% oder mehr, bevorzugt 90–100%, stärker bevorzugt 95–100%. Die Ausdrücke Kompressibilität und Kompressionsmodul bezeichnen hierin die Eigenschaften, die mit den folgenden Prüfungsverfahren bestimmt wurden.
Eine Testprobe von etwa 10 cm × 10 cm wird aus der Noppenschicht ausgeschnitten. Ein Dickenmeßgerät vom Schopper-Typ wird zum Anlegen eines Druckes von 100 g/cm² an die Testprobe für 30 Sekunden durch eine Druckfläche mit einem Durchmesser von 1 cm und zum Messen der Dicke t₀ der Testprobe nach 30 Sekunden Drücken verwendet. Danach wird ein Druck von 1.120 g/cm² an denselben Teil der Testprobe für 300 Sekunden angelegt und die Dicke t₁ der Testprobe nach 300 Sekunden Drücken gemessen. Danach bleibt die Testprobe 300 Sekunden stehen ohne gedrückt zu werden, ein Druck von 100 g/cm² wird an denselben Teil der Testprobe für 30 Sekunden angelegt, und die Dicke t₀' der Testprobe wird nach 30 Sekunden Drücken gemessen. Die Kompressibilität und der Kompressionsmodul der Noppenschicht werden aus t₀, t₁ und t₀' unter Verwendung der folgenden Ausdrücke 1 und 2 bestimmt. Kompressibilität (%) = (t0 – t1)/t0 × 100 (1) Kompressionsmodul (%) = (t0' – t1)/(t0 – t1) × 100 (2)
Ist die Kompressibilität der Noppenschicht geringer als 10%, ist diese Noppenschicht steif und schwer verformbar und hat daher den folgenden Nachteil. Wenn gleichzeitig Siliciumdioxidteilchen mit einem großen Teilchendurchmesser in der Aufschlämmung existieren oder die Siliciumdioxidteilchen ungleichmäßig verteilt sind, wenn eine Hauptoberfläche eines Glassubstrat unter Zufuhr der Aufschlämmung poliert wird, wird der auf diese Siliciumdioxidteilchen ausgeübte Polierdruck nicht verteilt sondern konzentriert und so werden möglicherweise konkave Defekte erzeugt. Beim Einsatz einer Noppenschicht mit einer Kompressibilität von 10% oder mehr kann verhindert werden, daß diese Siliciumdioxidteilchen konkave Defekte bilden. Das liegt daran, daß sich beim Ausüben eines Polierdruckes auf die Siliciumdioxidteilchen die Teile der Noppenschicht, die die Siliciumdioxidteilchen umgeben, elastisch verformen und so den Polierdruck verteilen und absorbieren.
Andererseits sind Kompressibilitäten der Noppenschicht, die 60% übersteigen, nicht wünschenswert, da die Noppenschicht während des Polierens übermäßig komprimiert und verformt wird, was ein gleichmäßiges Polieren schwierig macht und möglicherweise zu Polierunebenheit führt. Überdies wird bei solchen Noppenschichten möglicherweise die Ebenheit der Polierseite beeinträchtigt.
Ist der Kompressionsmodul der Noppenschicht kleiner als 85%, bleiben Siliciumdioxidteilchen und dergleichen mit einem großen Durchmesser, die aufgrund der elastischen Verformung der flexiblen Noppenschicht von der Polierseite aus, die mit dem Glassubstrat in Kontakt steht, in die Noppenschicht eingeführt wurden, selbst nach Abbau des Polierdruckes aufgrund der schlechten Rückbildungseigenschaften der Noppenschicht möglicherweise in der Noppenschicht zurück. Überdies kommt die Noppenschicht bei einem hohen Druck möglicherweise lokal mit dem Glassubstrat in Kontakt, wodurch das Glassubstrat möglicherweise konkave Defekte entwickelt. Da sich ferner die Eigenschaften und die Ebenheit der Polierseite einer solchen Noppenschicht im Verlauf des Polierens verschlechtern, weist auch das so polierte Glassubstrat eine beeinträchtigte Ebenheit auf. So lange der Kompressionsmodul der Noppenschicht 85% oder mehr beträgt, kann die Noppenschicht leicht komprimiert und ohne weiteres zurückgebildet werden. Aus diesem Grund bleiben weniger wahrscheinlich Siliciumdioxidteilchen mit einem großen Teilchendurchmesser und dergleichen in der Schicht zurück, und der auf die in die Schicht eingeführten Siliciumdioxidteilchen ausgeübte Druck kann verteilt werden. Folglich kann die Erzeugung konkaver Defekte vermindert oder verhindert werden. So kann ein Glassubstrat mit einer polierten Oberfläche mit zufriedenstellender Ebenheit erhalten werden.
In der Erfindung können die Kompressibilität und der Kompressionsmodul der Noppenschicht, die einen Harzschaum in dem Wildlederkissen umfaßt, durch Veränderung der Art des Harzes, des Durchmessers offener Poren, der Porosität, der Dichte, des Durchmessers geschäumter Poren, der Dicke usw. geeignet reguliert werden. Im Falle einer Noppenschicht, die aus einem einheitlichen Material besteht, d. h., einer Noppenschicht, deren Material und Eigenschaften durch die Noppenschicht hindurch homogen sind, sind die Kompressibilität und der Kompressionsmodul dieser Noppenschicht über die gesamte Noppenschicht konstant. Im Falle einer Nop penschicht, die aus unterschiedlichen Materialien besteht, die in Dickenrichtung übereinander angeordnet sind, kennzeichnen die Kompressibilität und der Kompressionsmodul dieser Noppenschicht die des äußersten Teils der Noppenschicht, der während des Polierens mit dem Glassubstrat in Kontakt kommt.
Das durch das Polierverfahren der Erfindung fertig polierte Glassubstrat wird schließlich gewaschen.
Durch dieses Waschen werden das Abriebmaterial, Glasbruchstücke, die aus dem Polieren resultieren, andere Fremdstoffe und dergleichen, die an der polierten Oberfläche des Glassubstrats haften, zur Säuberung des Glassubstrats entfernt. Überdies kann die Oberfläche des Glassubstrats durch Waschen neutralisiert werden. Das Waschen ist daher beim Polieren ein wichtiger Schritt. Wird nicht ausreichend gewaschen, sind in einer anschließenden Inspektion nicht nur Defekte erkennbar, sondern kann auch die für das Glassubstrat erforderliche Qualität nicht erhalten werden. Ein bevorzugtes Verfahren zum Waschen ist das Waschen mit einer Lösung aus einem grenzflächenaktiven Mittel. Die Waschverfahren sind jedoch nicht eingeschränkt, und es können andere Verfahren verwendet werden.
BEISPIELE
Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele ausführlicher veranschaulicht, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
(Referenzbeispiel)
Ein Block aus einem synthetischen Quarzglas, enthaltend 7 Masse-% TiO₂ und hergestellt durch das Flammenhydrolyseverfahren, wurde mit einer Innendurchmesser-Sägeschneidmaschine in eine Tafelform mit Ausmaßen von 153,0 mm (Breite) × 153,0 mm (Länge) × 6,75 mm (Dicke) geschnitten, um so sechzig tafelförmige Proben aus dem synthetischen Quarzglas (nachstehend als „Probensubstrate" bezeichnet) herzustellen. Anschließend wurden diese Probensubstrate mit einer herkömmlichen NC-Abfasmaschine und Diamantrollen #120 abgefast, um so die Formausmaße von 152 mm (Breite) mal 152 mm (Länge) und eine Abfasbreite von 0,2–0,4 mm zu erhalten.
Diese Probensubstrate wurden vorhergehend durch das folgende Verfahren poliert. Unter Verwendung einer 206-Beidseiten-Reibschleifmaschine, hergestellt von Speedfam Co., Ltd., und einer Aufschlämmung, hergestellt durch Suspendieren von 18–20 Masse-% GC #400 (hergestellt von Fujimi Inc.), im wesentlichen bestehend aus SiC als Abriebmaterial, in filtriertem Wasser, wurden die Hauptoberflächen der Probensubstrate so lange poliert, bis die Dicke jedes Substrats 6,63 mm betrug.
Ferner wurde eine andere 20B-Beidseiten-Reibschleifmaschine zum Läppen der Probensubstrate mit einer Aufschlämmung, hergestellt durch Suspendieren von 18–20 Masse-%Abriebmaterial, das FO #1000 (hergestellt von Fujimi Inc.) war, umfassend Al₂O₃ als Hauptkomponente, verwendet, bis die Dicke jedes Probensubstrats 6,51 mm betrug. Danach wurden eine Aufschlämmung, die hauptsächlich Ceroxid umfaßt, und ein Büffetleder zum Polieren der Peripherie jedes Probensubstrats in einem Ausmaß von 30 μm verwendet und ihre Kanten auf eine Oberflächenrauheit (Ra) von 0,05 μm spiegelpoliert.
Anschließend wurden diese Probensubstrate einem ersten Polieren unterzogen, bei dem eine 20B-Beidseiten-Poliermaschine, hergestellt von Speedfam Co., Ltd., zusammen mit LP66 (Markenname; hergestellt von Rhodes) als ein Poliertuch und eine Aufschlämmung, enthaltend 10–12 Masse-% suspendiertes Mirek 801A (Markenname; hergestellt von Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) als Abriebmaterial zum Polieren jedes Probensubstrats in einer Menge von 50 μm auf beiden Seiten verwendet wurde.
Ferner wurde bei einem zweiten Polieren eine 20B-Beidseiten-Poliermaschine zusammen mit Siegal 7355 (Markenname; hergestellt von Toray Coatex Co., Ltd.) als Poliertuch und Mirek 801A, oben beschrieben, als Abriebmaterial zum Polieren jedes Probensubstrats in einer Menge von 10 μm auf beiden Seiten verwendet. Danach wurde einfaches Waschen durchgeführt. Die Probensubstrate, die einem solchen vorhergehenden Polieren unterzogen wurden, hatten eine (Rms) von etwa 0,8 nm.
Anschließend wurden sechzig Probensubstrate, die vorher poliert worden sind, in drei Gruppen aus jeweils zwanzig Substraten eingeteilt und folgendermaßen fertigpoliert. Für die erste Gruppe wurde eine Polieraufschlämmung, umfassend kolloides Siliciumdioxid mit dem bisher verwendeten durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser und Wasser, verwendet. Für die zweite Gruppe wurde eine Polieraufschlämmung, die durch Zugabe von Salpetersäure zu einer Polieraufschlämmung, die dasselbe kolloide Siliciumdioxid wie in der ersten Gruppe und Wasser umfaßt, hergestellt wurde, um so ihren pH auf 2 zu regulieren, verwendet. Für die dritte Gruppe wurde eine Polieraufschlämmung, die durch Zugabe von Salpetersäure zu einer Polieraufschlämmung, umfassend kolloides Siliciumdioxid mit einem durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser gemäß der Erfindung und Wasser, hergestellt wurde, um so ihren pH auf denselben Wert wie in der zweiten Gruppe zu regulieren, verwendet.
Die zur Herstellung der Polieraufschlämmungen für die jeweiligen Gruppen verwendeten Verfahren sind in Tabelle 1 gezeigt. Außer bei den Herstellungsverfahren für die Polieraufschlämmungen wurden für alle Gruppen dieselben Fertigpolierbedingungen verwendet. Die Bedingungen waren folgende.
Polierbedingungen:

Poliertestmaschine: 24B-Beidseiten-Poliermaschine, hergestellt von Hamai Co., Ltd.
Polierkissen: Belatrix K7512, hergestellt von Kanebo Ltd.
Rotationsgeschwindigkeit der Polierplatte: 35 U/min
Polierzeit: 50 min
Polierlast: 80 g/cm²
Wassern zum Verdünnen: reines Wasser (spezifischer Widerstand 4,2 MΩ·cm; Fremdteilchen von 0,2 μm und größer wurden abfiltriert)
Aufschlämmungsflußrate: 10 l/min

Tabelle 1

	erste Gruppe	zweite Gruppe	dritte Gruppe
pH	10,2	2,0	2,0
Gehalt kolloiden Siliciumdioxids in der Polieraufschlämmung	20 Masse-%	20 Masse-%	20 Masse-%
durchschn. Primärteilchendurchmesser	62–82 nm	62–82 nm	10–20 nm

Nachdem die Probensubstrate unter den oben gezeigten Bedingungen fertig poliert worden sind, wurden sie mit einer automatischen Mehrstufen-Waschmaschine, einschließlich eines ersten Tanks, der ein Waschtank war, der eine grenzflächenaktive Lösung enthält, und nachfolgender Tanks, bestehend aus einem Spültank, der ultrareines Wasser enthält, und einem Trockentank, der IPA enthält, gewaschen. Die so gewaschenen Probensubstrate wurden mit einem Inspektionsapparat für Oberflächendefekte für Photomasken, hergestellt von Lasertec Corp., inspiziert, um so die Anzahl an Defekten in einer Fläche von 142 mm × 142 mm zu zählen. Gleichzeitig wurde jeder Defekt als konkav oder konvex beurteilt. Beim Zählen der Anzahl an Defekten wurden die Defekte hinsichtlich der Größe von Standard PSL-Teilchen (Polystyrollatex-Teilchen) in Defekte von 60–150 nm und Defekte größer als 150 nm eingeteilt.
Ferner wurden die Substrate hinsichtlich der Oberflächenrauheit mit einem Rasterkraftmikroskop SPA 400, hergestellt von Seiko Instrument Inc., überprüft. Diese Messung der Oberflächenrauheit mit dem Rasterkraftmikroskop wurde mittels Überprüfung einer beliebigen Fläche (ein Bereich von 10 μm × 10 μm) vorgenommen. Die Ergebnisse dieser Überprüfungen sind in Tabelle 2 gezeigt.
Folgendes ist aus Tabelle 2 ersichtlich. Die Probensubstrate der ersten Gruppe, die mit einer Polieraufschlämmung mit einem durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids von 62–80 nm und einem nicht regulierten pH poliert worden sind, wiesen eine enorm hohe Anzahl konkaver Defekte und konvexer Defekte von nicht kleiner als 60 nm auf und hatten im Durchschnitt eine Oberflächenrauheit Rms von 0,130 nm. Andererseits wiesen die Probensubstrate der zweiten Gruppe, die mit der Polieraufschlämmung für die erste Gruppe nach einer PH-Regulierung auf 2 poliert worden sind, eine beträchtlich verringerte Anzahl konvexer Defekte auf, obgleich die Verringerung der Anzahl an konkaven Defekten von nicht kleiner als 60 nm nicht so groß war. Der Mittelwert der Oberflächenrauheit Rms war jedoch im wesentlichen derselbe wie bei der ersten Gruppe, da der durchschnittliche Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids derselbe war.
Im Gegensatz dazu wiesen die Probensubstrate der dritten Gruppe, die mit dem Polierverfahren der Erfindung poliert worden sind, eine verringerte Anzahl konvexer Defekte wie in der zweiten Gruppe und eine überaus verringerte Anzahl konkaver Defekte anders als die Probensubstrate der zweiten Gruppe auf, da die Polieraufschlämmung mit einem durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser des kolloiden Siliciumdioxids von 10–20 nm und einem auf 2 regulierten pH verwendet wurde. Überdies war der Mittelwert der Oberflächenrauheit Rms überaus gering.
(Beispiele)

Neunzig Probensubstrate, die dieselben waren wie im Referenzbeispiel, wurden hergestellt. Diese Probensubstrate wurden demselben vorhergehenden Polieren wie im Referenzbeispiel unterzogen und dann mit derselben Polieraufschlämmung wie für die dritte Gruppe, gezeigt in Tabelle 1, fertig poliert. Bei diesem Fertigpolieren wurden Wildlederkissen, umfassend eine 0,8 mm dicke Faservliesauflage und eine Noppenschicht (siehe 4) jeweils für Gruppen von 30 Substraten verwendet. Als die Wildlederkissen wurden die drei Polierkissen von Beispiel 1 bis Beispiel 3, gezeigt in Tabelle 3, verwendet. Die so polierten Probensubstrate wurden wie im Referenzbeispiel gewaschen. Danach wurde eine automatische Mehrstufen-Waschmaschine zum weiteren Waschen der Kanten und Oberflächen jedes Substrats mit einer grenz flächenaktiven Lösung und funktionalem Wasser und mit funktionalem Wasser unter Anwendung von Ultraschall verwendet. Durch das Waschen wurden konvexe Defekte, die an den Substraten hafteten, entfernt. Im Ergebnis konnten Substrate ohne konvexe Defekte mit einer Halbwertsbreite von 60 nm oder mehr und einer Höhe von 2 nm oder mehr erhalten werden. In Tabelle 3 wurden die Werte für die Kompressibilität und den Kompressionsmodul der Noppenschicht jedes Polierkissens jeweils mit Ausdruck 1 und Ausdruck 2, die hierin vorstehend angeben sind, bestimmt. In Tabelle 3 sind Beispiel 1 und Beispiel 2 Beispiele gemäß der Erfindung, und Beispiel 3 ist ein Vergleichsbeispiel. Die mit den Polierkissen aus Beispiel 1 bis Beispiel 3 fertigpolierten Probensubstrate werden entsprechend als Beispiel 1 bis Beispiel 3 bezeichnet. Tabelle 3

	Einheit	Beispiel 1	Beispiel 2	Beispiel 3	Bewertungsverfahren
Dicke	μm	550	550	550	Dickenmeßgerät vom Schopper-Typ
Dichte	g/cm³	0,24	0,22	0,23	Elektrowaage
Kompressibilität	%	30	50	5	Dickenmeßgerät vom Schopper-Typ
Kompressionsmodul	%	95	98	80	Dickenmeßgerät vom Schopper-Typ

Jeweils dreißig Probensubstrate (Beispiele 1 bis 3), die jeweils mit den Polierkissen fertigpoliert worden sind, wurden mit dem Maskenvorform-Defektinspektionsapparat M1350 (hergestellt von Lasertec Corp.) für konkave Defekte inspiziert. Bezüglich jedes Probensubstrats wurden zehn konkave Defekte in der Reihenfolge der Detektion ausgewählt. Der Bequemlichkeit halber wurden den zehn ausgewählten konkaven Defekten die Zahlen von 1 bis 10 zugewiesen. Die Breite (w in 2) und die Tiefe (nm) jedes Defekts wurden mit einem Rasterkraftmikroskop SPA 400 (hergestellt von Seiko Instrument Inc.) gemessen, um so die Halbwertsbreite (nm) zu bestimmen. Da konvexe Defekte selten in jedem Probensubstrat vorkamen, wurden nur die konkaven Defekte geprüft.
Anschließend wurde jedes der Probensubstrate der Beispiele 1 bis 3 hinsichtlich der Oberflächenrauheit Rms mit einem Rasterkraftmikroskop SPA 400, hergestellt von Seiko Instrument Inc., überprüft. Ferner wurden die Probensubstrate der Beispiele 1 bis 3 folgendermaßen auf konkave Defekte untersucht. In jedem Beispiel wurden die Anzahl von Defekten mit einer Halbwertsbreite von 60–150 (nm) und die Anzahl von Defekten mit einer Halbwertsbreite größer als 150 (nm) separat für jedes der dreißig Probensubstrate gezählt und die Durchschnittszahl pro Substrat berechnet.
Jedes Beispiel wurde ausgehend von der durchschnittlichen Anzahl pro Substrat und der Oberflächenrauheit Rms, oben bestimmt, umfassend hinsichtlich konkaver Defekte bewertet. Diese Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. In der umfassenden Bewertung in Tabelle 4 zeigt Symbol AA an, daß eine Verminderung konkaver Defekte deutlich zu erkennen war; A zeigt an, daß eine Verminderung konkaver Defekte zu erkennen war und CC zeigt an, daß eine enorm hohe Anzahl an konkaven Defekten vorlag.

Aus Tabelle 4 ist folgendes ersichtlich. Die Beispiele der Erfindung (Beispiel 1 und Beispiel 2), die mit den Polierkissen, die eine Noppenschicht mit einer Kompressibilität von 10% oder mehr und einem Kompressionsmodul von 85% oder mehr einsetzen, poliert worden sind, wiesen im Vergleich zum Vergleichsbeispiel (Beispiel 3) merklich weniger konkave Defekte und kleine Werte bezüglich der Halbwertsbreite und der Tiefe der konkaven Defekte auf. Genauer gesagt, zeigten diese Beispiele im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel eine Verbesserung. Es ist ersichtlich, daß ein Substrat ohne konkave Defekte mit einer Halbwertsbreite von 60 nm oder mehr und einer Tiefe von 2 nm oder mehr erhalten werden kann. Tabelle 4

	Beispiel 1		Beispiel 2		Beispiel 3
Halbwertsbreite (nm)	60–150	> 150	60–150	> 150	60–150	> 150
Anzahl konkave Defekte mit einer Tiefe von 2 nm oder mehr (pro Substrat)	0,47	0,1	0,30	0	306	80
Oberflächenrauheit Rms (nm)	0,085		0,066		0,182
umfassende Bewertung	A		AA		CC

Industrielle Anwendbarkeit
Gemäß der Erfindung kann ein Glassubstrat so poliert werden, daß es über eine hochqualitative Oberfläche verfügt, die weniger konkave Defekte und konvexe Defekte aufweist und eine enorm geringe Oberflächenrauheit hat. Die Erfindung ist daher zum Polieren zur Herstellung eines Glassubstrats zur Verwendung beispielsweise als eine reflektierende Maske oder ein Spiegel, die als ein Teil im optischen System eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen der 45-nm- und nachfolgenden Generationen verwendet werden soll, geeignet.
Während die vorliegende Erfindung ausführlich und anhand ihrer speziellen Ausführungsformen beschrieben worden ist, wird ein Fachmann erkennen, daß verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Sinn und Umfang dieser abzuweichen.
Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2005 370659 , eingereicht am 22. Dezember 2005, und deren Inhalte sind hierin durch Verweis aufgenommen.
ZUSAMMENFASSUNG
Die vorliegende Erfindung strebt die Bereitstellung eines Glassubstrats, das eine präzise polierte Oberfläche haben muß, wie Glassubstrate für reflektierende Masken zur Verwendung in der EUVL; und eines Polierverfahrens zur Herstellung des Glassubstrats an. Die vorliegende Erfindung liefert ein Glassubstrat für eine Maskenvorform, das ein Glassubstrat ist, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt und eine polierte Hauptoberfläche aufweist, wobei konkave Defekte und konvexe Defekte auf der Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder weniger bzw. eine Höhe von 2 nm oder weniger und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder weniger haben, so daß die konkaven Defekte und/oder die konvexen Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn das Glassubstrat zur Herstellung einer Belichtungsmaske verwendet wird und die Maske verwendet wird. Auch offenbart werden ein Polierverfahren zur Herstellung des Glassubstrats und eine Maskenvorform und eine Belichtungsmaske unter Verwendung des Glassubstrats.

1: Konkaver Defekt
2: Konvexer Defekt
3: Glassubstrat
4: Auflage
5: Noppenschicht

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2003505891 [0006]
- JP 2003211351 A [0006]
- JP 2005275388 A [0006]
- JP 2005370659 [0075]

Claims

Glassubstrat für eine Maskenvorform, das ein Glassubstrat ist, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt und eine polierte Hauptoberfläche aufweist, wobei konkave Defekte und konvexe Defekte auf der Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder kleiner bzw. eine Höhe von 2 nm oder kleiner und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder kleiner aufweisen, so daß die konkaven Defekte und/oder die konvexen Defekte keine Phasendefekte verursachen, wenn das Glassubstrat zur Herstellung einer Belichtungsmaske verwendet wird und die Maske verwendet wird.
Glassubstrat für eine Maskenvorform nach Anspruch 1, wobei die Hauptoberfläche eine Oberflächenrauheit Rms, bestimmt mit einem Rasterkraftmikroskop, von 0,15 nm oder weniger hat.
Glassubstrat für eine Maskenvorform nach Anspruch 1 oder 2, das ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem ArF-Excimer-Laser, ein Glassubstrat für eine Phasenschieber-Maskenvorform zur Belichtung mit einem F2-Excimer-Laser oder ein Glassubstrat für eine reflektierende Maskenvorform ist.
Polierverfahren zur Herstellung eines Glassubstrats für eine Maskenvorform, welches das Zuführen einer Polieraufschlämmung, umfassend kolloides Siliciumdioxid mit einem durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser von 60 nm oder kleiner und Wasser, in einen Spalt zwischen einem Glassubstrat, das SiO₂ als Hauptkomponente umfaßt, und einer Noppenschicht eines Polierkissens und das Polieren der Hauptoberfläche des Glassubstrates mit der Noppenschicht umfaßt, wobei die Noppenschicht des Polierkissens eine Kompressibilität von 10% oder mehr und einen Kompressionsmodul von 85% oder mehr aufweist, um dadurch die Hauptoberfläche so zu polieren, daß konkave Defekte und konvexe Defekte auf der polierten Hauptoberfläche eine Tiefe von 2 nm oder kleiner bzw. eine Höhe von 2 nm oder kleiner und eine Halbwertsbreite von 60 nm oder kleiner haben.
Polierverfahren nach Anspruch 4, wobei die Polieraufschlämmung einen pH im Bereich von 0,5–4 hat.
Polierverfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Polierkissen eine Auflage umfaßt, an der die Noppenschicht angebracht ist.
Polierverfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, wobei das kolloide Siliciumdioxid einen durchschnittlichen Primärteilchendurchmesser von kleiner als 20 nm hat.
Polierverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei die Polieraufschlämmung ferner eine Säure umfaßt und einen Gehalt an kolloidem Siliciumdioxid von 10–30 Masse-% aufweist.
Polierverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei das Wasser reines Wasser oder ultrareines Wasser ist, worin jeweils die Anzahl an Feinteilchen mit einem maximalen Durchmesser von 0,1 μm oder größer, gezählt durch ein Lichtstreuungsverfahren unter Einsatz von Laserlicht, im wesentlichen 1 oder weniger pro ml beträgt.
Polierverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, ferner umfassend das Waschen des polierten Glassubstrats mit einer Lösung aus einem grenzflächenaktiven Mittel nach dem Polierschritt mit der Polieraufschlämmung.
Polierverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, ferner umfassend vorhergehendes Polieren der Oberfläche des Glassubstrats vor dem Polierschritt mit der Polieraufschlämmung.
Maskenvorform, umfassend das Glassubstrat für eine Maskenvorform nach einem der Ansprüche 1 bis 3.
Belichtungsmaske, hergestellt aus der Maskenvorform nach Anspruch 12.