JP2003505891A - 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置 - Google Patents
遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置Info
- Publication number
- JP2003505891A JP2003505891A JP2001512998A JP2001512998A JP2003505891A JP 2003505891 A JP2003505891 A JP 2003505891A JP 2001512998 A JP2001512998 A JP 2001512998A JP 2001512998 A JP2001512998 A JP 2001512998A JP 2003505891 A JP2003505891 A JP 2003505891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mask
- wafer
- preform
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 181
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 116
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 66
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 53
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 41
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 17
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 17
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 12
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 2
- 239000006219 crystal-free glass Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 107
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- -1 polymethylsiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100252165 Mus musculus Rnd2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100030153 Opalin Human genes 0.000 description 1
- 101710063924 Opalin Proteins 0.000 description 1
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 1
- 241000736032 Sabia <angiosperm> Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002419 bulk glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/947—Subphotolithographic processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/974—Substrate surface preparation
Abstract
(57)【要約】
本発明は、遠紫外軟Ｘ線フォトンを反射させて、集積回路の製造および極小寸法のパターンの形成のために遠紫外軟Ｘ線投影リソグラフィーシステムの使用を可能にした反射マスクおよびそれらの使用に関するものである。投影リソグラフィー法は、遠紫外軟Ｘ線源から遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線源から発生した遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供する各工程を含み、このマスク・サブシステムを提供することは、遠紫外軟Ｘ線λによって照射された場合に、投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マスクを提供することを含む。パターン化された反射マスクの提供は、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面を覆う反射多層被膜上に被されたパターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハを提供する工程を含む。この方法は、投影サブシステムと、放射線感応性ウエーハ表面を備えた印刷媒体を付されたウエーハとを提供する工程を含み、上記投影サブシステムは、パターン化された反射マスクから投影されるマスクパターンを上記放射線感応性ウエーハ表面に投影する。
Description
【０００１】発 明 の 背 景
本願は、１９９９年７月２２日付けでClaude L.Davis，Robert Sabia，Harrie
J.Stevensによって提出された米国仮特許出願第６０／１４５０５７号「遠紫外
軟Ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置」、および１９９９年８月１９日
付けでClaude L.Davis，Kenneth E. Hrdina，Robert Sabia，Harrie J.Stevens
によって提出された米国仮特許出願第６０／１４９８４０号「遠紫外軟Ｘ線投影
リソグラフィー法およびマスク装置」の優先権を主張した出願である。
J.Stevensによって提出された米国仮特許出願第６０／１４５０５７号「遠紫外
軟Ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置」、および１９９９年８月１９日
付けでClaude L.Davis，Kenneth E. Hrdina，Robert Sabia，Harrie J.Stevens
によって提出された米国仮特許出願第６０／１４９８４０号「遠紫外軟Ｘ線投影
リソグラフィー法およびマスク装置」の優先権を主張した出願である。
【０００２】
発明の分野
本発明は、一般的には、集積回路を製造し、かつ極小の形状寸法を有するパタ
ーンを形成するための投影リソグラフィー法およびシステムに関するものである
。特に本発明は、遠紫外軟Ｘ線を反射させて回路パターンを作成するのに用いら
れるパターン画像を形成する、遠紫外軟Ｘ線を用いたリソグラフィーおよび反射
マスクに関するものである。本発明は、遠紫外軟Ｘ線フォトンを反射させて、現
今の光リソグラフィーの回路形成特性を超えるリソグラフィーのために遠紫外軟
Ｘ線を使用することを可能にする反射マスクおよびその使用法に関するものであ
る。
ーンを形成するための投影リソグラフィー法およびシステムに関するものである
。特に本発明は、遠紫外軟Ｘ線を反射させて回路パターンを作成するのに用いら
れるパターン画像を形成する、遠紫外軟Ｘ線を用いたリソグラフィーおよび反射
マスクに関するものである。本発明は、遠紫外軟Ｘ線フォトンを反射させて、現
今の光リソグラフィーの回路形成特性を超えるリソグラフィーのために遠紫外軟
Ｘ線を使用することを可能にする反射マスクおよびその使用法に関するものであ
る。
【０００３】
技術的背景
遠紫外軟Ｘ線を用いると、より微小な形状寸法が得られるという利点があるが
、その放射線の性質から、この波長の放射線の操作および調節が困難であるため
、かかる放射線の商業生産での使用は遅々としたものである。集積回路の製造に
現在用いられている光リソグラフィーシステムは、２４８ｎｍから１９３ｎｍ，
１５７ｎｍというように、より短波長の光へ向かって進んでいるが、遠紫外軟Ｘ
線の商業的利用および採用は阻害されてきた。１５ｎｍ帯のような極めて短い波
長の放射線に関するこの遅々とした進歩の理由の一つは、安定かつ高品質のパタ
ーン画像を維持しながらこのような放射線の照射に耐え得る反射マスクウエーハ
を経済的に製造することができないことに起因する。集積回路の製造に遠紫外軟
Ｘ線を利用するためには、ガラスウエーハの表面に反射被膜を直接堆積させるこ
とが可能な安定なガラスウエーハを必要とする。
、その放射線の性質から、この波長の放射線の操作および調節が困難であるため
、かかる放射線の商業生産での使用は遅々としたものである。集積回路の製造に
現在用いられている光リソグラフィーシステムは、２４８ｎｍから１９３ｎｍ，
１５７ｎｍというように、より短波長の光へ向かって進んでいるが、遠紫外軟Ｘ
線の商業的利用および採用は阻害されてきた。１５ｎｍ帯のような極めて短い波
長の放射線に関するこの遅々とした進歩の理由の一つは、安定かつ高品質のパタ
ーン画像を維持しながらこのような放射線の照射に耐え得る反射マスクウエーハ
を経済的に製造することができないことに起因する。集積回路の製造に遠紫外軟
Ｘ線を利用するためには、ガラスウエーハの表面に反射被膜を直接堆積させるこ
とが可能な安定なガラスウエーハを必要とする。
【０００４】
米国特許第５,６９８,１１３号に言及されているように、現在の遠紫外軟Ｘ線
リソグラフィーシステムは極めて高価である。米国特許第５,６９８,１１３号で
は、たとえエッチングが基板表面を劣化させるとしても、溶融シリカおよびＺＥ
ＲＯＤＵＲタイプのアルミノシリケートガラスセラミックからなる基板表面から
多層被膜をエッチングで取り除くことによって、多層被膜で覆われた基板の表面
を復元させることにより、上記のような高価格を打破しようとする試みが行われ
た。
リソグラフィーシステムは極めて高価である。米国特許第５,６９８,１１３号で
は、たとえエッチングが基板表面を劣化させるとしても、溶融シリカおよびＺＥ
ＲＯＤＵＲタイプのアルミノシリケートガラスセラミックからなる基板表面から
多層被膜をエッチングで取り除くことによって、多層被膜で覆われた基板の表面
を復元させることにより、上記のような高価格を打破しようとする試みが行われ
た。
【０００５】
本発明は、安定で、直接コーティングが可能でかつ反射多層被膜を受容するこ
とが可能な、経済的に製造されたマスクウエーハを提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線を
用いた優れた投影リソグラフィー法／システムを提供するものである。本発明は
、マスクとしての特性および反射性が劣るとされたマスクウエーハ表面の再利用
を必要とすることなしに優れたマスクウエーハ特性および安定性を経済的に提供
するものである。本発明は、仕上げ加工されたガラス表面上に直接堆積された反
射多層被膜を備えた安定な高性能反射マスクを提供し、かつ費用がかかる繁雑な
製造工程と、ガラス基板表面と反射多層被膜との間に中間層を設けることとを回
避したものである。
とが可能な、経済的に製造されたマスクウエーハを提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線を
用いた優れた投影リソグラフィー法／システムを提供するものである。本発明は
、マスクとしての特性および反射性が劣るとされたマスクウエーハ表面の再利用
を必要とすることなしに優れたマスクウエーハ特性および安定性を経済的に提供
するものである。本発明は、仕上げ加工されたガラス表面上に直接堆積された反
射多層被膜を備えた安定な高性能反射マスクを提供し、かつ費用がかかる繁雑な
製造工程と、ガラス基板表面と反射多層被膜との間に中間層を設けることとを回
避したものである。
【０００６】発 明 の 概 要
本発明の一つの態様は、１００ｎｍ未満の寸法を有する印刷配線態様の集積回
路を作成するための投影リソグラフィー法／システムであって、遠紫外軟Ｘ線源
から遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供す
る工程を含む方法／システムである。この方法はさらに、上記照射サブシステム
から発生する遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供す
る工程を含み、このマスク・サブシステムを提供する工程は、遠紫外軟Ｘ線λに
よって照射された場合に投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化
された反射マスクを提供する工程を含む。このパターン化された反射マスクを提
供する工程は、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされたＳｉＯ ２ ガラスの欠陥のない表面を覆う遠紫外軟Ｘ線λ反射多層被膜上に被せられた
パターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラ
スウエーハを提供する工程を含む。この方法はさらに、投影サブシステムと、放
射線に感応し得るウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハとを提供する工程を含
み、上記投影サブシステムは、上記パターン化された反射マスクパターンから投
影されるマスクリソグラフィーパターンを上記放射線感応性ウエーハ表面に投影
する工程を含む。
路を作成するための投影リソグラフィー法／システムであって、遠紫外軟Ｘ線源
から遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供す
る工程を含む方法／システムである。この方法はさらに、上記照射サブシステム
から発生する遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供す
る工程を含み、このマスク・サブシステムを提供する工程は、遠紫外軟Ｘ線λに
よって照射された場合に投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化
された反射マスクを提供する工程を含む。このパターン化された反射マスクを提
供する工程は、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされたＳｉＯ ２ ガラスの欠陥のない表面を覆う遠紫外軟Ｘ線λ反射多層被膜上に被せられた
パターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラ
スウエーハを提供する工程を含む。この方法はさらに、投影サブシステムと、放
射線に感応し得るウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハとを提供する工程を含
み、上記投影サブシステムは、上記パターン化された反射マスクパターンから投
影されるマスクリソグラフィーパターンを上記放射線感応性ウエーハ表面に投影
する工程を含む。
【０００７】
他の態様では、本発明は、投影リソグラフシステムの作成方法および投影リソ
グラフィー法を含み、この方法は、遠紫外軟Ｘ線源を備えた照射サブシステムを
提供する工程と、マスク・サブシステムを提供する工程とを含み、このマスク・
サブシステムは、マスク受容部材とこのマスク受容部材に受容される反射マスク
とを備え、この反射マスクは、エッチングされていないガラスの表面が遠紫外軟
Ｘ線に対して少なくとも６５％の反射率を有する反射多層被膜で覆われた、Ｔｉ
をドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハを備えている。この方法
はさらに、１μｍ以上の焦点深度と０．１以下の開口数ＮＡを備えたカメラを含
む投影サブシステムを提供し、放射線感応印刷媒体を備えた放射線感応印刷サブ
システムを提供し、上記照射サブシステム、上記マスク・サブシステム、上記投
影サブシステムおよび上記放射線感応印刷サブシステムを整合させる各工程を含
み、ここで、上記遠紫外軟Ｘ線源が上記反射マスクを遠紫外軟Ｘ線で照射し、上
記投影サブシステムのカメラによって上記放射線感応印刷媒体上に投影される印
刷パターンを形成している。
グラフィー法を含み、この方法は、遠紫外軟Ｘ線源を備えた照射サブシステムを
提供する工程と、マスク・サブシステムを提供する工程とを含み、このマスク・
サブシステムは、マスク受容部材とこのマスク受容部材に受容される反射マスク
とを備え、この反射マスクは、エッチングされていないガラスの表面が遠紫外軟
Ｘ線に対して少なくとも６５％の反射率を有する反射多層被膜で覆われた、Ｔｉ
をドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハを備えている。この方法
はさらに、１μｍ以上の焦点深度と０．１以下の開口数ＮＡを備えたカメラを含
む投影サブシステムを提供し、放射線感応印刷媒体を備えた放射線感応印刷サブ
システムを提供し、上記照射サブシステム、上記マスク・サブシステム、上記投
影サブシステムおよび上記放射線感応印刷サブシステムを整合させる各工程を含
み、ここで、上記遠紫外軟Ｘ線源が上記反射マスクを遠紫外軟Ｘ線で照射し、上
記投影サブシステムのカメラによって上記放射線感応印刷媒体上に投影される印
刷パターンを形成している。
【０００８】
本発明はさらに遠紫外軟Ｘ線反射マスクの作成方法を含み、この方法は、プリ
フォームの表面を備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ ２ ガラスプリフォームを提供し、上記プリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下
のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に仕上加工し、この仕上げ加工さ
れた平面状マスクウエーハ表面を反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少
なくとも６５％の反射率を有する反射マスク表面を形成する各工程を含む。
フォームの表面を備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ ２ ガラスプリフォームを提供し、上記プリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下
のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に仕上加工し、この仕上げ加工さ
れた平面状マスクウエーハ表面を反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少
なくとも６５％の反射率を有する反射マスク表面を形成する各工程を含む。
【０００９】
本発明は、エッチングされていない第１の研磨された表面と反対側の第２の研
磨された平面状表面とを備えた混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハを含む遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法を含
み、上記第１表面が、８０ｎｍよりも大きい寸法を有する印刷可能な表面欠陥を
有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する。
磨された平面状表面とを備えた混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハを含む遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法を含
み、上記第１表面が、８０ｎｍよりも大きい寸法を有する印刷可能な表面欠陥を
有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する。
【００１０】
本発明はさらに、遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法を含み、この方
法は、第１のプリフォーム表面と第２のプリフォーム表面とを備えかつ混入異物
を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、上記第
１のプリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウ
ェーファ表面に仕上げる各工程からなる。
法は、第１のプリフォーム表面と第２のプリフォーム表面とを備えかつ混入異物
を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、上記第
１のプリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウ
ェーファ表面に仕上げる各工程からなる。
【００１１】
本発明のさらなる特徴および利点は下記の説明に記載されており、下記の詳細
な説明、請求の範囲および添付図面を含む記載内容から、当業者であれば容易に
理解されるであろう。
な説明、請求の範囲および添付図面を含む記載内容から、当業者であれば容易に
理解されるであろう。
【００１２】
上述の概要説明および後述の詳細説明はともに、本発明を例示したにとどまり
、請求の範囲に記載された本発明の特性および特質を理解するための全体像の提
供を意図したものである。添付図面は本発明のさらなる理解のために添付したも
のであり、本明細書の一部を構成するものである。図面は本発明の種々の実施の
形態を示し、記述内容とともに本発明の原理および動作の説明に資するものであ
る。
、請求の範囲に記載された本発明の特性および特質を理解するための全体像の提
供を意図したものである。添付図面は本発明のさらなる理解のために添付したも
のであり、本明細書の一部を構成するものである。図面は本発明の種々の実施の
形態を示し、記述内容とともに本発明の原理および動作の説明に資するものであ
る。
【００１３】発明の実施の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明に
よる投影リソグラフィー法／システムの実施の形態が図１に全体として符号２０
で示されている。
よる投影リソグラフィー法／システムの実施の形態が図１に全体として符号２０
で示されている。
【００１４】
本発明によれば、投影リソグラフィー法に関する発明は、照射サブシステムか
ら発せられる遠紫外軟Ｘ線λで照射されるマスク・サブシステムを備えており、
このマスク・サブシステムは、遠紫外軟Ｘ線λによって照射されたときに投影さ
れるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マスクを含み、この
パターン化された反射マスクは、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの
０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する欠陥のない表面を覆う反射多層被膜上に被
せられたパターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラスウエーハを含む。
ら発せられる遠紫外軟Ｘ線λで照射されるマスク・サブシステムを備えており、
このマスク・サブシステムは、遠紫外軟Ｘ線λによって照射されたときに投影さ
れるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マスクを含み、この
パターン化された反射マスクは、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの
０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する欠陥のない表面を覆う反射多層被膜上に被
せられたパターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラスウエーハを含む。
【００１５】
図１の実施の形態に示されているように、投影リソグラフィー法／システム２
０は、パターン化された反射マスク２４を含むマスク・サブシステム２２を備え
ている。図２および図３に示されているように、パターン化された反射マスク２
４は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３
０を覆う反射多層被膜上に被せられたパターン化された吸収テンプレート２８を
備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６を含む。反射多
層被膜で覆われた、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウ
エーハ表面３０は、ウエーハ表面３２を覆う反射多層被膜３４を備え、この反射
多層被膜３４は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面３
２に直接被着されていることが好ましい。図４は投影リソグラフィー法／システ
ム２０の光学的配置を示す。
０は、パターン化された反射マスク２４を含むマスク・サブシステム２２を備え
ている。図２および図３に示されているように、パターン化された反射マスク２
４は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３
０を覆う反射多層被膜上に被せられたパターン化された吸収テンプレート２８を
備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６を含む。反射多
層被膜で覆われた、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウ
エーハ表面３０は、ウエーハ表面３２を覆う反射多層被膜３４を備え、この反射
多層被膜３４は、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面３
２に直接被着されていることが好ましい。図４は投影リソグラフィー法／システ
ム２０の光学的配置を示す。
【００１６】
１００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷形態の集積回路を作成するための投影
リソグラフィー法は、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブ
システム３６を提供する工程を含む。この照射サブシステム３６は、遠紫外軟Ｘ
線源３８を備えている。好ましい実施の形態においては、照射サブシステム３６
が、集光器４４によって方向づけられる遠紫外軟Ｘ線λを出力するキセノンガス
プラズマを生成させる１．０６４μｍのネオジミウムＹＡＧレーザー４０を備え
ている。これに代わり、遠紫外軟Ｘ線源３８は、シンクロトロン、放電でポンピ
ングされたＸ線レーザー、電子ビームで励起された放射線源装置、またはフェム
ト秒レーザーパルスによる高調波発生に基づく放射線源であってもよい。
リソグラフィー法は、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブ
システム３６を提供する工程を含む。この照射サブシステム３６は、遠紫外軟Ｘ
線源３８を備えている。好ましい実施の形態においては、照射サブシステム３６
が、集光器４４によって方向づけられる遠紫外軟Ｘ線λを出力するキセノンガス
プラズマを生成させる１．０６４μｍのネオジミウムＹＡＧレーザー４０を備え
ている。これに代わり、遠紫外軟Ｘ線源３８は、シンクロトロン、放電でポンピ
ングされたＸ線レーザー、電子ビームで励起された放射線源装置、またはフェム
ト秒レーザーパルスによる高調波発生に基づく放射線源であってもよい。
【００１７】
この投影リソグラフィー法は、照射サブシステム３６から発せられる遠紫外軟
Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステム２２を提供する工程を含む。こ
のマスク・サブシステム２２を提供する工程は、遠紫外軟Ｘ線λによって照射さ
れたときに投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マ
スク２４を提供する工程を含む。反射マスク２４を提供することは、Ｔｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３０を覆う反射多層
被膜上に被せられパターン化された吸収テンプレート２８を備えたＴｉをドープ
された高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６を提供する工程を含む。Ｔｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３０は０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有する。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ
２６は、欠陥を含んでおらず、Ｒａ粗さが０．１５ｎｍ以下の平滑な平面状の表
面を有し、マスクによって反射される遠紫外軟Ｘ線λの散乱を阻止する。このよ
うなＲａ粗さは、本発明によって表面を仕上げ、かつ原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
を用いて測定することによって得られる。図５Ａ，５Ｂは、ＡＦＭ測定によって
測定された、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハの表面のＡＦＭ顕微鏡写真である。
Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステム２２を提供する工程を含む。こ
のマスク・サブシステム２２を提供する工程は、遠紫外軟Ｘ線λによって照射さ
れたときに投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マ
スク２４を提供する工程を含む。反射マスク２４を提供することは、Ｔｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３０を覆う反射多層
被膜上に被せられパターン化された吸収テンプレート２８を備えたＴｉをドープ
された高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６を提供する工程を含む。Ｔｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面３０は０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有する。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ
２６は、欠陥を含んでおらず、Ｒａ粗さが０．１５ｎｍ以下の平滑な平面状の表
面を有し、マスクによって反射される遠紫外軟Ｘ線λの散乱を阻止する。このよ
うなＲａ粗さは、本発明によって表面を仕上げ、かつ原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
を用いて測定することによって得られる。図５Ａ，５Ｂは、ＡＦＭ測定によって
測定された、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハの表面のＡＦＭ顕微鏡写真である。
【００１８】
本発明の方法は、投影サブシステム４６と、放射線に感応し得るウエーハ表面
５０を備えた集積回路ウエーハ４８とを提供する工程を含み、上記投影サブシス
テム４６は、マスク２４から投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ
表面５０に投影する。この投影サブシステム４６は、図１および図４に示されて
いるような４枚の直列ミラーであることが好ましく、これらミラーＭ１〜Ｍ４に
より、マスクパターンのサイズが縮小され、この縮小されたパターンが１／４の
縮小率をもってウエーハ表面５０に投影される。
５０を備えた集積回路ウエーハ４８とを提供する工程を含み、上記投影サブシス
テム４６は、マスク２４から投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ
表面５０に投影する。この投影サブシステム４６は、図１および図４に示されて
いるような４枚の直列ミラーであることが好ましく、これらミラーＭ１〜Ｍ４に
より、マスクパターンのサイズが縮小され、この縮小されたパターンが１／４の
縮小率をもってウエーハ表面５０に投影される。
【００１９】
好ましい実施の形態においては、遠紫外軟Ｘ線λの波長は、約５ｎｍから約１
５ｎｍまでの範囲内にあり、最も好ましい照射サブシステム３６は、約１３．４
ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線を、１３．４ｎｍにおいて少なくとも６５％の反
射率を有する反射マスク２４に向ける。
５ｎｍまでの範囲内にあり、最も好ましい照射サブシステム３６は、約１３．４
ｎｍを中心とする遠紫外軟Ｘ線を、１３．４ｎｍにおいて少なくとも６５％の反
射率を有する反射マスク２４に向ける。
【００２０】
提供された、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６は、欠
陥を含んでおらず、すなわちガラス体にバルクガラス欠陥がなく、ガラス内に空
所およびガス入り空所のような混入異物がなく、そして特に、寸法が８０ｎｍよ
りも大きい欠陥がないものである。特に好ましい実施の形態においては、ガラス
ウエーハ表面３２が０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状表面となるよう
に研磨による仕上げ加工が施された、エッチングされていないガラス表面である
。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスからなるウエーハ２６は、実質的に遠紫
外軟Ｘ線λに対し不透過性であり、反射性被膜で覆われたウエーハ表面３０およ
び極めて低い粗さを有するウエーハ表面３２は、本発明において、照射放射線の
散乱を阻止し、かつ投影リソグラフィー工程中において極めて安定な高品質画像
をウエーハ表面５０上に提供する。提供されたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ ２ ガラスは、塩素を含まないことが好ましく、かつアルカリ金属およびアルカ
リ土類金属からなる不純物のレベルが１０ｐｐｂ未満であることが好ましい。Ｔ
ｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスは、５ないし１０重量％のＴｉＯ２ を
含み、かつ２０℃における熱膨脹係数が＋３０ｐｐｂから−３０ｐｐｂまでの範
囲内にあることが好ましく、２０℃における熱膨脹係数が＋１０ｐｐｂから−１
０ｐｐｂまでの範囲内にあることがさらに好ましい。ウエーハ２６は、２５℃に
おける熱伝導率Ｋが１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下であることが好ましく、１．２
５から１．３８までの範囲内にあることがさらに好ましく、約１．３１が最も好
ましい。
陥を含んでおらず、すなわちガラス体にバルクガラス欠陥がなく、ガラス内に空
所およびガス入り空所のような混入異物がなく、そして特に、寸法が８０ｎｍよ
りも大きい欠陥がないものである。特に好ましい実施の形態においては、ガラス
ウエーハ表面３２が０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状表面となるよう
に研磨による仕上げ加工が施された、エッチングされていないガラス表面である
。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスからなるウエーハ２６は、実質的に遠紫
外軟Ｘ線λに対し不透過性であり、反射性被膜で覆われたウエーハ表面３０およ
び極めて低い粗さを有するウエーハ表面３２は、本発明において、照射放射線の
散乱を阻止し、かつ投影リソグラフィー工程中において極めて安定な高品質画像
をウエーハ表面５０上に提供する。提供されたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ ２ ガラスは、塩素を含まないことが好ましく、かつアルカリ金属およびアルカ
リ土類金属からなる不純物のレベルが１０ｐｐｂ未満であることが好ましい。Ｔ
ｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスは、５ないし１０重量％のＴｉＯ２ を
含み、かつ２０℃における熱膨脹係数が＋３０ｐｐｂから−３０ｐｐｂまでの範
囲内にあることが好ましく、２０℃における熱膨脹係数が＋１０ｐｐｂから−１
０ｐｐｂまでの範囲内にあることがさらに好ましい。ウエーハ２６は、２５℃に
おける熱伝導率Ｋが１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下であることが好ましく、１．２
５から１．３８までの範囲内にあることがさらに好ましく、約１．３１が最も好
ましい。
【００２１】
投影リソグラフィーの間、ウエーハ２６は遠紫外軟Ｘ線λの照射によって加熱
されるが、このようにウエーハが加熱された場合でも、パターン化された吸収テ
ンプレートの寸法は実質的に影響を受けず、投影された画像の変動が阻止されて
投影された画像の品質が維持される。本発明の方法において、Ｔｉをドープされ
た高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６は、遠紫外軟Ｘ線λの照射によって動作
温度にまで熱せられるが、ガラスウエーハは、このような動作温度において熱膨
脹係数が略ゼロ中心になるようにＴｉドーパントのレベルが調整されることが好
ましい。このような熱伝導率および熱膨脹係数を備えたウエーハ２６は、適正な
動作と安定性とを提供し、かつマスク・サブシステム２２の冷却を必要としない
極めて信頼性および経済性の高いリソグラフィー法／システムを提供する。好ま
しい実施の形態においては、マスク２４およびウエーハ２６は積極的には冷却さ
れておらず、循環冷却液、熱電冷却手段、またはその他の温度上昇防止手段のよ
うな冷却システムを備えていない。
されるが、このようにウエーハが加熱された場合でも、パターン化された吸収テ
ンプレートの寸法は実質的に影響を受けず、投影された画像の変動が阻止されて
投影された画像の品質が維持される。本発明の方法において、Ｔｉをドープされ
た高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハ２６は、遠紫外軟Ｘ線λの照射によって動作
温度にまで熱せられるが、ガラスウエーハは、このような動作温度において熱膨
脹係数が略ゼロ中心になるようにＴｉドーパントのレベルが調整されることが好
ましい。このような熱伝導率および熱膨脹係数を備えたウエーハ２６は、適正な
動作と安定性とを提供し、かつマスク・サブシステム２２の冷却を必要としない
極めて信頼性および経済性の高いリソグラフィー法／システムを提供する。好ま
しい実施の形態においては、マスク２４およびウエーハ２６は積極的には冷却さ
れておらず、循環冷却液、熱電冷却手段、またはその他の温度上昇防止手段のよ
うな冷却システムを備えていない。
【００２２】
提供された、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエー
ハ表面３２は、８０ｎｍを超える寸法を有する印刷可能な表面欠陥のない仕上げ
加工された平面状表面を備えた仕上げ加工された平面状表面を有する。この仕上
げ加工された平面状表面は、マスクの仕上げられた表面がウエーハ表面５０上に
印刷される画像を汚染しないように、ウエーハ表面５０上の最小印刷寸法の１／
５よりも大きい寸法の印刷可能な表面欠陥を有しないことが好ましい。Ｔｉをド
ープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの表面３０に施された反射多層被膜は、この
反射多層被膜を照射する遠紫外軟Ｘ線λの少なくとも６５％を反射させるのが好
ましく、少なくとも７０％を反射させるのがさらに好ましい。好ましい実施の形
態においては、ウエーハ表面３２がエッチングされてなく、かつ中間のバリア層
またはリリース層は設けられずに、反射多層被膜３４が直接ウエーハ表面に接着
されるようになっている。
ハ表面３２は、８０ｎｍを超える寸法を有する印刷可能な表面欠陥のない仕上げ
加工された平面状表面を備えた仕上げ加工された平面状表面を有する。この仕上
げ加工された平面状表面は、マスクの仕上げられた表面がウエーハ表面５０上に
印刷される画像を汚染しないように、ウエーハ表面５０上の最小印刷寸法の１／
５よりも大きい寸法の印刷可能な表面欠陥を有しないことが好ましい。Ｔｉをド
ープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの表面３０に施された反射多層被膜は、この
反射多層被膜を照射する遠紫外軟Ｘ線λの少なくとも６５％を反射させるのが好
ましく、少なくとも７０％を反射させるのがさらに好ましい。好ましい実施の形
態においては、ウエーハ表面３２がエッチングされてなく、かつ中間のバリア層
またはリリース層は設けられずに、反射多層被膜３４が直接ウエーハ表面に接着
されるようになっている。
【００２３】
本発明はさらに、投影リソグラフィーシステムの作成方法および投影リソグラ
フィーパターンの投影方法を含み、この方法は、遠紫外軟Ｘ線源３８を備えた照
射サブシステム３６を提供し、かつマスク・サブシステム２２を提供する各工程
を含み、マスク・サブシステム２２は、マスク受容体５２およびこのマスク受容
体５２に受容された反射マスク２４を備え、反射マスク２４は、受ける遠紫外軟
Ｘ線の少なくとも６５％を反射し得る反射多層被膜３４で覆われた０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有するエッチングされていないガラスマスクウエーハ表面３２
を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハ２６を含む
。この方法はさらに、焦点深度が１μｍ以上で開口数ＮＡが０．１以下のカメラ
５４を備えた投影サブシステム４６を提供し、放射線感応性印刷媒体５８を備え
た放射線感応性印刷サブシステム５６を提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線源３８からの
遠紫外軟Ｘ線が反射マスク２４を照射し、反射マスク２４が遠紫外軟Ｘ線を反射
してテンプレート２８の印刷パターンを形成し、この印刷パターンが投影サブシ
ステムのカメラ５４によって縮小されて放射線感応性印刷媒体５８上に投影され
るように、照射サブシステム３６、マスク・サブシステム２２、投影サブシステ
ム４６、および放射線感応性印刷サブシステム５６を整合させる各工程を含む。
フィーパターンの投影方法を含み、この方法は、遠紫外軟Ｘ線源３８を備えた照
射サブシステム３６を提供し、かつマスク・サブシステム２２を提供する各工程
を含み、マスク・サブシステム２２は、マスク受容体５２およびこのマスク受容
体５２に受容された反射マスク２４を備え、反射マスク２４は、受ける遠紫外軟
Ｘ線の少なくとも６５％を反射し得る反射多層被膜３４で覆われた０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有するエッチングされていないガラスマスクウエーハ表面３２
を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハ２６を含む
。この方法はさらに、焦点深度が１μｍ以上で開口数ＮＡが０．１以下のカメラ
５４を備えた投影サブシステム４６を提供し、放射線感応性印刷媒体５８を備え
た放射線感応性印刷サブシステム５６を提供し、かつ遠紫外軟Ｘ線源３８からの
遠紫外軟Ｘ線が反射マスク２４を照射し、反射マスク２４が遠紫外軟Ｘ線を反射
してテンプレート２８の印刷パターンを形成し、この印刷パターンが投影サブシ
ステムのカメラ５４によって縮小されて放射線感応性印刷媒体５８上に投影され
るように、照射サブシステム３６、マスク・サブシステム２２、投影サブシステ
ム４６、および放射線感応性印刷サブシステム５６を整合させる各工程を含む。
【００２４】
この方法はさらに、放射線感応性印刷媒体５８上に印刷され得る混入異物や表
面欠陥のない表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウ
エーハ２６を備えた反射マスク２４を提供する工程を含む。この反射マスク２４
を提供する工程は、プリフォーム表面を備えかつ混入異物のないＴｉをドープさ
れた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハプリフォームを提供し、かつこのプ
リフォーム表面を、本発明に従って０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状
マスクウエーハ表面に仕上げる各工程を含む。
面欠陥のない表面を備えたＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウ
エーハ２６を備えた反射マスク２４を提供する工程を含む。この反射マスク２４
を提供する工程は、プリフォーム表面を備えかつ混入異物のないＴｉをドープさ
れた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハプリフォームを提供し、かつこのプ
リフォーム表面を、本発明に従って０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状
マスクウエーハ表面に仕上げる各工程を含む。
【００２５】
この方法は、システム２０の動作中に照射サブシステム３６から照射を受けた
ときの反射マスク２４の動作温度を測定する工程と、測定された動作温度におい
て略ゼロを中心とする熱膨脹係数を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２
ガラスマスクウエーハを提供する工程とを含むことが好ましい。このような熱膨
脹係数の調整は、０ないし９．０重量％のＴｉＯ２ を含む高純度ＳｉＯ２ ガラ
スの熱膨脹特性を示す図８に示されているように、ＳｉＯ２ 中のＴｉドーパン
トの含有率の変化を調節することによってなされる。
ときの反射マスク２４の動作温度を測定する工程と、測定された動作温度におい
て略ゼロを中心とする熱膨脹係数を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２
ガラスマスクウエーハを提供する工程とを含むことが好ましい。このような熱膨
脹係数の調整は、０ないし９．０重量％のＴｉＯ２ を含む高純度ＳｉＯ２ ガラ
スの熱膨脹特性を示す図８に示されているように、ＳｉＯ２ 中のＴｉドーパン
トの含有率の変化を調節することによってなされる。
【００２６】
この方法のさらなる実施の形態において、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２
ガラスマスクウエーハが遠紫外軟Ｘ線により高い温度領域まで加熱され、Ｔｉ
をドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスが上記高い温度領域に対し１０ｐｐｂ未
満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有する。この方法は、熱伝導率Ｋが
１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下、さらに好ましくは１．２５から１．３８までの範
囲、最も好ましくは約１．３１の熱絶縁体（熱伝導率が低い）であるマスク２４
およびウエーハ２６を提供し、かつウエーハ２６を積極的に冷却することなくウ
エーハ２６の温度上昇を許容する各工程を含むことが好ましい。
をドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスが上記高い温度領域に対し１０ｐｐｂ未
満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有する。この方法は、熱伝導率Ｋが
１．４０ｗ／（ｍ．℃）以下、さらに好ましくは１．２５から１．３８までの範
囲、最も好ましくは約１．３１の熱絶縁体（熱伝導率が低い）であるマスク２４
およびウエーハ２６を提供し、かつウエーハ２６を積極的に冷却することなくウ
エーハ２６の温度上昇を許容する各工程を含むことが好ましい。
【００２７】
本発明はさらに、プリフォーム表面を備えかつ混入異物のないＴｉをドープさ
れた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、このプリフォームの表面を
０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスク表面３２に仕上加工し、この
仕上げ加工された０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスク表面を反射
多層被膜３４で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を備えた
反射マスク表面３０を形成する各工程を含む遠紫外軟Ｘ線反射投影リソグラフィ
ーマスク２４の作成方法を含む。この方法はさらに、パターン化された吸収テン
プレート２８を反射マスク表面３０上に形成する工程を含む。反射多層被膜で覆
う工程は、Ｍｏ／ＳｉまたはＭｏ／Ｂｅのような第１素子および第２素子からな
る平滑な薄層（厚さ４ｎｍ以下）を交互に形成する工程を含むことが好ましい。
れた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、このプリフォームの表面を
０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスク表面３２に仕上加工し、この
仕上げ加工された０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスク表面を反射
多層被膜３４で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を備えた
反射マスク表面３０を形成する各工程を含む遠紫外軟Ｘ線反射投影リソグラフィ
ーマスク２４の作成方法を含む。この方法はさらに、パターン化された吸収テン
プレート２８を反射マスク表面３０上に形成する工程を含む。反射多層被膜で覆
う工程は、Ｍｏ／ＳｉまたはＭｏ／Ｂｅのような第１素子および第２素子からな
る平滑な薄層（厚さ４ｎｍ以下）を交互に形成する工程を含むことが好ましい。
【００２８】
上記交互層は、１３．４ｎｍを中心とすることが好ましい最大遠紫外軟Ｘ線反
射率を提供する。このような交互の反射多層被膜は、各境界で反射されるフォト
ンの構造的干渉に対し理想的な層の厚さと、多数の境界が被膜の反射率に寄与す
る最小の吸収とによって、四分の一波長板に類似した機能を有する。層間の厚さ
の偏差は０．０１ｎｍ以内であることが好ましい。好ましい実施の形態において
は、被膜が厚さ約２．８ｎｍのＭｏ層と、厚さ約４．０ｎｍのＳｉ層との８１層
の交互層からなる。適切な堆積条件をもってすれば、上記のような交互層で１３
．４ｎｍにおいて６８％以上の反射率が得られる。Ｍｏ層とＳｉ層とからなる８
１層の交互層は、通常の大気にさらされたときのＭｏの酸化を防止するために、
厚さ４ｎｍのＳｉ層からなることが好ましいキャップ層でカバーされていること
が好ましい。マスク２４の反射性被膜３４は、次に反射性被膜の上面に堆積され
た吸収層のパターンを形成するウエーハ処理工程を用いてパターン化される。
射率を提供する。このような交互の反射多層被膜は、各境界で反射されるフォト
ンの構造的干渉に対し理想的な層の厚さと、多数の境界が被膜の反射率に寄与す
る最小の吸収とによって、四分の一波長板に類似した機能を有する。層間の厚さ
の偏差は０．０１ｎｍ以内であることが好ましい。好ましい実施の形態において
は、被膜が厚さ約２．８ｎｍのＭｏ層と、厚さ約４．０ｎｍのＳｉ層との８１層
の交互層からなる。適切な堆積条件をもってすれば、上記のような交互層で１３
．４ｎｍにおいて６８％以上の反射率が得られる。Ｍｏ層とＳｉ層とからなる８
１層の交互層は、通常の大気にさらされたときのＭｏの酸化を防止するために、
厚さ４ｎｍのＳｉ層からなることが好ましいキャップ層でカバーされていること
が好ましい。マスク２４の反射性被膜３４は、次に反射性被膜の上面に堆積され
た吸収層のパターンを形成するウエーハ処理工程を用いてパターン化される。
【００２９】
上記吸収層は、Ａｌ，Ｔｉまたはその他の遠紫外軟Ｘ線吸収元素のような遠紫
外軟Ｘ線吸収元素からなり、露光工程または電子ビーム直接書込み工程のような
ウエーハ処理工程によってパターン化された吸収層２８を形成する。好ましい実
施の形態においては、反射多層被膜による被覆およびパターン化されたテンプレ
ートの形成は、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面への多層被膜の堆積と、次の反射多層被膜の上
面へのバッファ層の堆積と、次のバッファ層の上面への吸収体の堆積と、次のパ
ターン生成リソグラフィーと、次の上記吸収体へのパターンの転写と、次のバッ
ファ層のエッチングによる除去とにより、パターン化された反射被膜を得ること
を含み、この反射被膜は遠紫外軟Ｘ線に対し好ましくは１３．４ｎｍを中心とし
て少なくとも６５％の反射率を有する。
外軟Ｘ線吸収元素からなり、露光工程または電子ビーム直接書込み工程のような
ウエーハ処理工程によってパターン化された吸収層２８を形成する。好ましい実
施の形態においては、反射多層被膜による被覆およびパターン化されたテンプレ
ートの形成は、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面への多層被膜の堆積と、次の反射多層被膜の上
面へのバッファ層の堆積と、次のバッファ層の上面への吸収体の堆積と、次のパ
ターン生成リソグラフィーと、次の上記吸収体へのパターンの転写と、次のバッ
ファ層のエッチングによる除去とにより、パターン化された反射被膜を得ること
を含み、この反射被膜は遠紫外軟Ｘ線に対し好ましくは１３．４ｎｍを中心とし
て少なくとも６５％の反射率を有する。
【００３０】
好ましい実施の形態においては、上記反射多層被膜は、Ｔｉをドープされた高
純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面に直接堆積される。仕上げ加工された表面
とＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの特性とによって、ガラス表面と
反射多層被膜との間の直接的堆積と接着とが、間接的被膜付けの複雑さを伴うこ
となしに、かつガラス・セラミック結晶を含む基板材料に用いられる被膜平滑化
処理のような基板表面の付加的処理を必要とすることなしに提供され、ガラス表
面と反射多層被膜との間の中間層が必要なくなる。仕上げ加工されたＴｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面と反射多層被膜との間での直接
的接着による接触により、優れたかつ安定な反射マスクを得ることができる。
純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面に直接堆積される。仕上げ加工された表面
とＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスの特性とによって、ガラス表面と
反射多層被膜との間の直接的堆積と接着とが、間接的被膜付けの複雑さを伴うこ
となしに、かつガラス・セラミック結晶を含む基板材料に用いられる被膜平滑化
処理のような基板表面の付加的処理を必要とすることなしに提供され、ガラス表
面と反射多層被膜との間の中間層が必要なくなる。仕上げ加工されたＴｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面と反射多層被膜との間での直接
的接着による接触により、優れたかつ安定な反射マスクを得ることができる。
【００３１】
図６に示されているようなＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフ
ォームを提供する工程は、高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む
原料１２６を提供し、高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む原料
１２６を転化サイト１００に配送し、これら配送された原料をＴｉをドープされ
たＳｉＯ２ スート１０１に転化させ、このスート１０１を、耐火性ジルコン炉
内で回転するジルコン製採集カップ１４２内の高温のＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラス体１４４の上部ガラス表面上に堆積し、スートの堆積と同時に
、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ スートを固結させて、混入異物を含まない均質
なＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラス体１４４を得る各工程を含むこと
が好ましい。高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む原料１２６を
提供する工程は、塩素を含まない高純度Ｓｉ含有原料を提供し、かつ塩素を含ま
ない高純度Ｔｉ含有原料を提供し、これら塩素を含まない高純度原料を塩素を含
まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ スートに転化させ、このスートをＴ
ｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことが好ま
しい。Ｓｉ原料として好ましいのはポリメチルシロキサン、より好ましいのはポ
リメチルシクロシロキサン、最も好ましいのは高純度オクタメチルシクロテトラ
シロキサン（少なくとも９９％のオクタメチルシクロテトラシロキサンからなる
Ｓｉ原料）のようなシロキサンが好ましい。Ｔｉ原料としてはチタニウムアルコ
キシドが好ましく、チタニウムイソプロポキシド［Ｔｉ（ＯＰｒｉ）４］がより
好ましく、少なくとも９９％のチタニウムイソプロポキシドからなるＴｉ原料が
好ましい。窒素からなる不活性キャリアガス１１６がＳｉ原料およびＴｉ原料中
に気泡として注入され、飽和を防止すべく、窒素からなる不活性キャリアガス１
１８が、Ｓｉ蒸気とキャリアガスとの混合ガスおよびＴｉ蒸気とキャリアガスと
の混合ガスに添加されて、配送システム１２０およびマニフォルド１２２を通じ
た原料の転化サイト１００への配送を容易にしている。Ｓｉ原料はマニフォルド
１２２内でＴｉ原料と混合されて、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ の均質なガス
状の先駆混合物を形成することが好ましく、このガス状の先駆混合物は、炉１４
０の上部１３８に取り付けられて転化サイトバーナー火炎１３７を生成させる転
化サイトバーナー１３６に導管１３４を通じて配送され、原料混合物がＴｉをド
ープされたＳｉＯ２ スートに転化され、次いで均質なＴｉをドープされたＳｉ
Ｏ２ ガラスに転化される。ＳｉＯ２ 中のＴｉＯ２ 含有量の重量％は、スート
１０１およびガラス１４４内に混入させる転化サイト１００に配送されるＴｉ原
料の量を変えることによって調整される。好ましい方法では、ガラス１４４およ
びプリフォーム６０のＴｉドーパントの重量％レベルは、マスクを備えたウエー
ハ２６の動作温度における熱膨脹係数がゼロに近付くように調整される。図８に
よれば、高純度ＳｉＯ２ ガラス中のＴｉＯ２ の重量％の調整により、得られた
ガラスウエーハの熱膨脹特性が調整される。ガラスのＴｉドーパントの重量％は
、好ましくは約６重量％のＴｉＯ２ から約９重量％のＴｉＯ２ までの範囲内、
最も好ましいのは７から８重量％までの範囲内に調節される。転化サイトバーナ
ー火炎１３７は、約１６００℃以上の温度において原料を燃焼させ、酸化させて
スートに転化させ、かつスートをガラス１４４に固結させるための燃料／酸素混
合物（天然ガスおよび／またはＨ２ と酸素）で形成される。原料およびスート
１０１の流れを阻害しかつガラス１４４の製造工程を複雑にする可能性のある火
炎１３７に達する以前での反応を阻止すべく、導管１３４および導管中を流れる
原料の温度が調節され監視されることが好ましい。炉１４０および特にジルコン
カップおよび上方部分１３８は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属、および
炉から拡散してガラス１４４を汚染するおそれのあるその他の不純物を含まない
高純度耐火煉瓦で造られていることが好ましい。このような高純度煉瓦は、高純
度材料を用いかつ煉瓦を焼成して不純物を取り除くことによって得られる。
ォームを提供する工程は、高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む
原料１２６を提供し、高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む原料
１２６を転化サイト１００に配送し、これら配送された原料をＴｉをドープされ
たＳｉＯ２ スート１０１に転化させ、このスート１０１を、耐火性ジルコン炉
内で回転するジルコン製採集カップ１４２内の高温のＴｉをドープされた高純度
ＳｉＯ２ ガラス体１４４の上部ガラス表面上に堆積し、スートの堆積と同時に
、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ スートを固結させて、混入異物を含まない均質
なＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラス体１４４を得る各工程を含むこと
が好ましい。高純度Ｓｉを含む原料１１４および高純度Ｔｉを含む原料１２６を
提供する工程は、塩素を含まない高純度Ｓｉ含有原料を提供し、かつ塩素を含ま
ない高純度Ｔｉ含有原料を提供し、これら塩素を含まない高純度原料を塩素を含
まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ スートに転化させ、このスートをＴ
ｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことが好ま
しい。Ｓｉ原料として好ましいのはポリメチルシロキサン、より好ましいのはポ
リメチルシクロシロキサン、最も好ましいのは高純度オクタメチルシクロテトラ
シロキサン（少なくとも９９％のオクタメチルシクロテトラシロキサンからなる
Ｓｉ原料）のようなシロキサンが好ましい。Ｔｉ原料としてはチタニウムアルコ
キシドが好ましく、チタニウムイソプロポキシド［Ｔｉ（ＯＰｒｉ）４］がより
好ましく、少なくとも９９％のチタニウムイソプロポキシドからなるＴｉ原料が
好ましい。窒素からなる不活性キャリアガス１１６がＳｉ原料およびＴｉ原料中
に気泡として注入され、飽和を防止すべく、窒素からなる不活性キャリアガス１
１８が、Ｓｉ蒸気とキャリアガスとの混合ガスおよびＴｉ蒸気とキャリアガスと
の混合ガスに添加されて、配送システム１２０およびマニフォルド１２２を通じ
た原料の転化サイト１００への配送を容易にしている。Ｓｉ原料はマニフォルド
１２２内でＴｉ原料と混合されて、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ の均質なガス
状の先駆混合物を形成することが好ましく、このガス状の先駆混合物は、炉１４
０の上部１３８に取り付けられて転化サイトバーナー火炎１３７を生成させる転
化サイトバーナー１３６に導管１３４を通じて配送され、原料混合物がＴｉをド
ープされたＳｉＯ２ スートに転化され、次いで均質なＴｉをドープされたＳｉ
Ｏ２ ガラスに転化される。ＳｉＯ２ 中のＴｉＯ２ 含有量の重量％は、スート
１０１およびガラス１４４内に混入させる転化サイト１００に配送されるＴｉ原
料の量を変えることによって調整される。好ましい方法では、ガラス１４４およ
びプリフォーム６０のＴｉドーパントの重量％レベルは、マスクを備えたウエー
ハ２６の動作温度における熱膨脹係数がゼロに近付くように調整される。図８に
よれば、高純度ＳｉＯ２ ガラス中のＴｉＯ２ の重量％の調整により、得られた
ガラスウエーハの熱膨脹特性が調整される。ガラスのＴｉドーパントの重量％は
、好ましくは約６重量％のＴｉＯ２ から約９重量％のＴｉＯ２ までの範囲内、
最も好ましいのは７から８重量％までの範囲内に調節される。転化サイトバーナ
ー火炎１３７は、約１６００℃以上の温度において原料を燃焼させ、酸化させて
スートに転化させ、かつスートをガラス１４４に固結させるための燃料／酸素混
合物（天然ガスおよび／またはＨ２ と酸素）で形成される。原料およびスート
１０１の流れを阻害しかつガラス１４４の製造工程を複雑にする可能性のある火
炎１３７に達する以前での反応を阻止すべく、導管１３４および導管中を流れる
原料の温度が調節され監視されることが好ましい。炉１４０および特にジルコン
カップおよび上方部分１３８は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属、および
炉から拡散してガラス１４４を汚染するおそれのあるその他の不純物を含まない
高純度耐火煉瓦で造られていることが好ましい。このような高純度煉瓦は、高純
度材料を用いかつ煉瓦を焼成して不純物を取り除くことによって得られる。
【００３２】
カップ１４２は、ガラス体１４４が少なくとも０．５ｍ、好ましくは１ｍの直
径、少なくとも８ｃｍ、好ましくは少なくとも１０ｃｍの高さを有する円柱体で
あって、好ましい高さが１２ないし１６ｃｍの範囲内にある円柱体となるように
、直径少なくとも０．５ｍ、より好ましくは少なくとも１ｍの円形体であること
が好ましい。ガラス体１４４をＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリ
フォーム６０に形成するためには、混入異物のようなガラス欠陥の存否を検査し
、図７Ａに示すように、ガラス体１４４の部分６２のような欠陥のない部分を精
選し、図７Ｂに示すように、欠陥のない部分６２を切り出す作業を含むことが好
ましい。次に図７Ｃに示すように、切り出された欠陥のない部分６２から複数枚
のプリフォーム６０が形成される。プリフォーム６０は、ガラス体１４４の中心
部分の孔開けで部分６２を切り出し、この切り出された部分６２を、平面状上面
６４と平面状底面６６とを備えた複数枚の適当なサイズの平板状プリフォーム６
０に切断し、この平板状プリフォーム６０を、０．１５ｎｍ以下の粗さを有する
平面状マスクウエーハ表面を備えたマスクウエーハに仕上げるのを可能にする。
平板状プリフォーム６０は、図７Ｅに示すように、プリフォーム６０の面を研磨
することによって仕上げられる。プリフォーム６０の上面と底面との双方が研磨
ホイール６８によって研磨されてウエーハ２６にされるのが好ましい。プリフォ
ーム６０を研磨してウエーハ２６にするには少なくとも二つの研磨工程を経るこ
とが好ましい、プリフォーム６０は、先ず粗さ約０．６ないし１．０ｎｍの範囲
のプリフォーム表面を有するように研磨され、次いでこのプリフォーム表面が粗
さ０．１５ｎｍ以下のマスクウエーハ表面を有するように研磨されるのが好まし
い。この研磨は、液状媒体（溶液）内にこの溶液が澄まないように粒子が精細に
分布されたコロイド粒子で研磨することを含むことが好ましい。全ての粒子の粒
径が０．５μｍ未満で、全粒子が粒径分布は０．５μｍ未満であり、かつ球形で
１００ｎｍ未満、好ましくは２０ないし５０ｎｍの範囲の粒径を有することが好
ましい。上記コロイド粒子としては、シリカ、チタニア、アルミナまたはセリア
が好ましい。本発明は、コロイドシリカ、好ましくはチタンをドープされたコロ
イドシリカで研磨することを含むのが最も好ましい。
径、少なくとも８ｃｍ、好ましくは少なくとも１０ｃｍの高さを有する円柱体で
あって、好ましい高さが１２ないし１６ｃｍの範囲内にある円柱体となるように
、直径少なくとも０．５ｍ、より好ましくは少なくとも１ｍの円形体であること
が好ましい。ガラス体１４４をＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリ
フォーム６０に形成するためには、混入異物のようなガラス欠陥の存否を検査し
、図７Ａに示すように、ガラス体１４４の部分６２のような欠陥のない部分を精
選し、図７Ｂに示すように、欠陥のない部分６２を切り出す作業を含むことが好
ましい。次に図７Ｃに示すように、切り出された欠陥のない部分６２から複数枚
のプリフォーム６０が形成される。プリフォーム６０は、ガラス体１４４の中心
部分の孔開けで部分６２を切り出し、この切り出された部分６２を、平面状上面
６４と平面状底面６６とを備えた複数枚の適当なサイズの平板状プリフォーム６
０に切断し、この平板状プリフォーム６０を、０．１５ｎｍ以下の粗さを有する
平面状マスクウエーハ表面を備えたマスクウエーハに仕上げるのを可能にする。
平板状プリフォーム６０は、図７Ｅに示すように、プリフォーム６０の面を研磨
することによって仕上げられる。プリフォーム６０の上面と底面との双方が研磨
ホイール６８によって研磨されてウエーハ２６にされるのが好ましい。プリフォ
ーム６０を研磨してウエーハ２６にするには少なくとも二つの研磨工程を経るこ
とが好ましい、プリフォーム６０は、先ず粗さ約０．６ないし１．０ｎｍの範囲
のプリフォーム表面を有するように研磨され、次いでこのプリフォーム表面が粗
さ０．１５ｎｍ以下のマスクウエーハ表面を有するように研磨されるのが好まし
い。この研磨は、液状媒体（溶液）内にこの溶液が澄まないように粒子が精細に
分布されたコロイド粒子で研磨することを含むことが好ましい。全ての粒子の粒
径が０．５μｍ未満で、全粒子が粒径分布は０．５μｍ未満であり、かつ球形で
１００ｎｍ未満、好ましくは２０ないし５０ｎｍの範囲の粒径を有することが好
ましい。上記コロイド粒子としては、シリカ、チタニア、アルミナまたはセリア
が好ましい。本発明は、コロイドシリカ、好ましくはチタンをドープされたコロ
イドシリカで研磨することを含むのが最も好ましい。
【００３３】
図７Ｅに示すように、本発明の研磨工程は、上面６４と反対側の底面６６とを
同時に研磨することよりなる。研磨ホイール６８は、合成ポリマーで形成された
研磨ホイールパッドを備えているのが好ましく、この研磨ホイール表面および研
磨剤の回転運動により、プリフォーム表面６４および６６の部分が化学的および
物理的機械的の組合せで取り除かれて、反射多層被膜が堆積される仕上げられた
平滑な表面が提供される。この仕上げ加工は、酸化セリウム研磨剤と硬質ポリウ
レタンパッドを用いてプリフォーム表面を研磨し、次いで酸化セリウム研磨剤と
起毛軟質ポリウレタンパッドを用いて研磨し、次いでコロイドシリカと軟質ポリ
ウレタンパッドを用いて研磨することを含むことが好ましい。好ましい他の実施
の形態では、コロイドシリカにチタンがドープされている。仕上げ加工は、少な
くとも一種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、次いでコロイドシリカのアルカリ
水溶液で研磨することを含むことが好ましい。このような研磨剤で研磨された後
、プリフォーム表面は洗浄されて研磨剤が除かれ、清浄にされたウエーハ２６が
提供される。コロイドシリカのアルカリ水性溶液は、ｐＨが８ないし１２の範囲
内、好ましくは１０ないし１２の範囲内、最も好ましいのは１１ないし１２の範
囲内となるように緩衝液で調製されることが好ましい。アルカリ水溶液中のコロ
イドシリカは、アルカリ水溶液による表面腐食を物理的作用を通じて取り除き、
かつＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラス上に頻繁に形成される水和層を取り除
く。
同時に研磨することよりなる。研磨ホイール６８は、合成ポリマーで形成された
研磨ホイールパッドを備えているのが好ましく、この研磨ホイール表面および研
磨剤の回転運動により、プリフォーム表面６４および６６の部分が化学的および
物理的機械的の組合せで取り除かれて、反射多層被膜が堆積される仕上げられた
平滑な表面が提供される。この仕上げ加工は、酸化セリウム研磨剤と硬質ポリウ
レタンパッドを用いてプリフォーム表面を研磨し、次いで酸化セリウム研磨剤と
起毛軟質ポリウレタンパッドを用いて研磨し、次いでコロイドシリカと軟質ポリ
ウレタンパッドを用いて研磨することを含むことが好ましい。好ましい他の実施
の形態では、コロイドシリカにチタンがドープされている。仕上げ加工は、少な
くとも一種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、次いでコロイドシリカのアルカリ
水溶液で研磨することを含むことが好ましい。このような研磨剤で研磨された後
、プリフォーム表面は洗浄されて研磨剤が除かれ、清浄にされたウエーハ２６が
提供される。コロイドシリカのアルカリ水性溶液は、ｐＨが８ないし１２の範囲
内、好ましくは１０ないし１２の範囲内、最も好ましいのは１１ないし１２の範
囲内となるように緩衝液で調製されることが好ましい。アルカリ水溶液中のコロ
イドシリカは、アルカリ水溶液による表面腐食を物理的作用を通じて取り除き、
かつＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラス上に頻繁に形成される水和層を取り除
く。
【００３４】
本発明はさらに、遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハ２６を含む。ウエーハは、
エッチングされていない研磨された平面状第１表面３２と反対側の研磨された平
面状第２表面３１とを備え、第１表面が８０ｎｍよりも大きい寸法の印刷可能な
表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する混入異物を含まない
ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハからなる。図５Ａおよび図５Ｂは
、このような研磨された、混入異物を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガ
ラスウエーハ表面を示す。反対側の第２表面３１もまた、８０ｎｍよりも大きい
寸法の印刷可能な表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するこ
とが好ましい。第１表面と第２表面との間の厚さ寸法は少なくとも１ｍｍ、より
好ましくは少なくとも５ｍｍ、最も好ましいのは６ないし１２ｍｍ、さらに好ま
しいのは６ないし８ｍｍである。混入異物を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ ２ ガラスマスクウエーハは塩素を含まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金
属からなる不純物レベルが１０ｐｐｂ未満であることが好ましい。
エッチングされていない研磨された平面状第１表面３２と反対側の研磨された平
面状第２表面３１とを備え、第１表面が８０ｎｍよりも大きい寸法の印刷可能な
表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する混入異物を含まない
ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハからなる。図５Ａおよび図５Ｂは
、このような研磨された、混入異物を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガ
ラスウエーハ表面を示す。反対側の第２表面３１もまた、８０ｎｍよりも大きい
寸法の印刷可能な表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するこ
とが好ましい。第１表面と第２表面との間の厚さ寸法は少なくとも１ｍｍ、より
好ましくは少なくとも５ｍｍ、最も好ましいのは６ないし１２ｍｍ、さらに好ま
しいのは６ないし８ｍｍである。混入異物を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ ２ ガラスマスクウエーハは塩素を含まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金
属からなる不純物レベルが１０ｐｐｂ未満であることが好ましい。
【００３５】
本発明はまた、遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法を含み、この方法
は、第１プリフォーム表面６４および第２プリフォーム表面６６を備えた混入異
物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム６０を提
供し、プリフォーム表面６４を０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マス
クウエーハ表面に仕上げることからなる。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２
ガラスプリフォームを提供することは、高純度Ｓｉを含有する原料１１４および
高純度Ｔｉを含有する原料１２６を提供し、原料１１４および１２６を転化サイ
ト１００に配送し、原料１１４および１２６をＴｉをドープされたＳｉＯ２ ス
ート１０１に転化させ、スート１０１を混入異物を含まない均質なＴｉをドープ
された高純度ＳｉＯ２ ガラスに固結させ、このガラスをＴｉをドープされた高
純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム６０に形成することを含むことが好ましい。
スート１０１およびガラス１４４を塩素を含まないものにするために、Ｓｉ原料
１１４およびＴｉ原料１２６は塩素を含んでいないことが好ましい。第１プリフ
ォーム表面６４を平面状マスクウエーハ表面に仕上げることは、表面６４を０．
６ｎｍから１．０ｎｍまでの範囲の表面Ｒａ粗さを有する第１の研磨されたプリ
フォーム表面に研磨し、次いで上記研磨されたプリフォーム表面を０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に研磨することを含むことが
好ましい。上記研磨工程はコロイドシリカで研磨することを含むことが好ましい
。好ましい実施の形態においては、コロイドシリカが、４ないし１０重量％の濃
度のチタニアをドープされていることが好ましい。最も好ましい実施の形態にお
いては、この方法は、反対側の第２プリフォーム表面６６も第１プリフォーム表
面６４の研磨と同時に研磨することを含む。仕上げ加工は、プリフォーム表面を
少なくとも一種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、かつコロイドシリカのアルカ
リ溶液で表面を研磨することを含む。プリフォーム６０の表面は、先ず酸化セリ
ウム研磨剤と発泡硬質ポリウレタン合成ポリマーパッドとにより研磨され、次い
で、酸化セリウム研磨剤と起毛軟質ポリウレタン合成ポリマーパッドとにより研
磨されることが好ましい。好ましい実施の形態においては、コロイドシリカには
チタンがドープされている。プリフォームは、８ｍｍを超える厚さを有し、この
プリフォームが仕上げられて、６ｍｍを超える厚さを有するウエーハ２６が提供
されることが好ましい。仕上げ工程では、研磨材によるプリフォーム表面の研磨
に加えて、プリフォーム表面を清掃して研磨材を取り除き、反射多層被膜を接触
させるための清浄な平滑表面が提供される。プリフォームを提供する工程は、遠
紫外軟Ｘ線反射マスクの動作温度においてマスクウエーハがほぼゼロ中心の熱膨
脹係数を有するように、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォー
ムのＴｉドーパントの重量％のレベルを調整する工程を含むことが好ましい。
は、第１プリフォーム表面６４および第２プリフォーム表面６６を備えた混入異
物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム６０を提
供し、プリフォーム表面６４を０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マス
クウエーハ表面に仕上げることからなる。Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２
ガラスプリフォームを提供することは、高純度Ｓｉを含有する原料１１４および
高純度Ｔｉを含有する原料１２６を提供し、原料１１４および１２６を転化サイ
ト１００に配送し、原料１１４および１２６をＴｉをドープされたＳｉＯ２ ス
ート１０１に転化させ、スート１０１を混入異物を含まない均質なＴｉをドープ
された高純度ＳｉＯ２ ガラスに固結させ、このガラスをＴｉをドープされた高
純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム６０に形成することを含むことが好ましい。
スート１０１およびガラス１４４を塩素を含まないものにするために、Ｓｉ原料
１１４およびＴｉ原料１２６は塩素を含んでいないことが好ましい。第１プリフ
ォーム表面６４を平面状マスクウエーハ表面に仕上げることは、表面６４を０．
６ｎｍから１．０ｎｍまでの範囲の表面Ｒａ粗さを有する第１の研磨されたプリ
フォーム表面に研磨し、次いで上記研磨されたプリフォーム表面を０．１５ｎｍ
以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に研磨することを含むことが
好ましい。上記研磨工程はコロイドシリカで研磨することを含むことが好ましい
。好ましい実施の形態においては、コロイドシリカが、４ないし１０重量％の濃
度のチタニアをドープされていることが好ましい。最も好ましい実施の形態にお
いては、この方法は、反対側の第２プリフォーム表面６６も第１プリフォーム表
面６４の研磨と同時に研磨することを含む。仕上げ加工は、プリフォーム表面を
少なくとも一種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、かつコロイドシリカのアルカ
リ溶液で表面を研磨することを含む。プリフォーム６０の表面は、先ず酸化セリ
ウム研磨剤と発泡硬質ポリウレタン合成ポリマーパッドとにより研磨され、次い
で、酸化セリウム研磨剤と起毛軟質ポリウレタン合成ポリマーパッドとにより研
磨されることが好ましい。好ましい実施の形態においては、コロイドシリカには
チタンがドープされている。プリフォームは、８ｍｍを超える厚さを有し、この
プリフォームが仕上げられて、６ｍｍを超える厚さを有するウエーハ２６が提供
されることが好ましい。仕上げ工程では、研磨材によるプリフォーム表面の研磨
に加えて、プリフォーム表面を清掃して研磨材を取り除き、反射多層被膜を接触
させるための清浄な平滑表面が提供される。プリフォームを提供する工程は、遠
紫外軟Ｘ線反射マスクの動作温度においてマスクウエーハがほぼゼロ中心の熱膨
脹係数を有するように、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォー
ムのＴｉドーパントの重量％のレベルを調整する工程を含むことが好ましい。
【００３６】
遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハを作成する本発明の方法は、１００ｎｍ未満
の形状寸法を有する印刷態様の集積回路の大量生産のための、遠紫外軟Ｘ線投影
リソグラフィを利用することができる大量のマスクウエーハの効率的な製造に関
して経済的な手段を提供するものである。さらに、Ｔｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハ２６を作成する本発明の方法は、上側の仕上げられたウ
エーハ表面３２を検査しかつ品質認定を行なって、その表面が適正な粗さを有し
かつ欠陥のないことを保証し、加えて、下側の仕上げられたウエーハ表面３１を
検査しかつ認定して、反対側のガラスウエーハ表面の粗さと欠陥のない性質を決
定するという効果的な工程を提供する。このような検査と品質認定にはＡＦＭが
用いられることが好ましい。このことは、被膜付け、および遠紫外軟Ｘ線投影リ
ソグラフィのためのマスクシステムの一部分として利用するためのマスクウエー
ハの精選および生産量を増大させる。
の形状寸法を有する印刷態様の集積回路の大量生産のための、遠紫外軟Ｘ線投影
リソグラフィを利用することができる大量のマスクウエーハの効率的な製造に関
して経済的な手段を提供するものである。さらに、Ｔｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスウエーハ２６を作成する本発明の方法は、上側の仕上げられたウ
エーハ表面３２を検査しかつ品質認定を行なって、その表面が適正な粗さを有し
かつ欠陥のないことを保証し、加えて、下側の仕上げられたウエーハ表面３１を
検査しかつ認定して、反対側のガラスウエーハ表面の粗さと欠陥のない性質を決
定するという効果的な工程を提供する。このような検査と品質認定にはＡＦＭが
用いられることが好ましい。このことは、被膜付け、および遠紫外軟Ｘ線投影リ
ソグラフィのためのマスクシステムの一部分として利用するためのマスクウエー
ハの精選および生産量を増大させる。
【００３７】
パターン化された遠紫外軟Ｘ線反射マスクの使用中において、Ｔｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラスウエーハはリソグラフィー動作温度にさらされる。Ｔｉを
ドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの動作温度には、最大動作温度が設定さ
れている。パターン化された遠紫外軟Ｘ線反射マスクの作成中、Ｔｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラスは製造処理温度になっている。この製造処理温度は、切出
し、機械加工、仕上げ、および被膜付け間の高められた温度を含む。製造処理温
度は最大製造温度を含む。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハは耐結
晶化特性を有し、結晶化が誘起される結晶化温度Ｔ結晶を有し、Ｔ結晶は最大動
作温度および最大製造温度よりも実質的に高い。Ｔ結晶は最大動作温度および最
大製造温度よりも少なくとも４００℃高いことが好ましく。好ましくは少なくと
も７００℃高く、少なくとも８００℃高いことが最も好ましい。最大動作温度お
よび最大製造温度は５００℃を超えることはないが、Ｔ結晶は１３００℃以上で
あることが好ましい。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスでは、ガラスの結晶
化がマスクの製造時および使用時に経験する高温においても結晶化が阻止される
。したがって、ガラスウエーハは、それが高い結晶化温度特性を有する点で有利
である。
れたＳｉＯ２ ガラスウエーハはリソグラフィー動作温度にさらされる。Ｔｉを
ドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの動作温度には、最大動作温度が設定さ
れている。パターン化された遠紫外軟Ｘ線反射マスクの作成中、Ｔｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラスは製造処理温度になっている。この製造処理温度は、切出
し、機械加工、仕上げ、および被膜付け間の高められた温度を含む。製造処理温
度は最大製造温度を含む。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハは耐結
晶化特性を有し、結晶化が誘起される結晶化温度Ｔ結晶を有し、Ｔ結晶は最大動
作温度および最大製造温度よりも実質的に高い。Ｔ結晶は最大動作温度および最
大製造温度よりも少なくとも４００℃高いことが好ましく。好ましくは少なくと
も７００℃高く、少なくとも８００℃高いことが最も好ましい。最大動作温度お
よび最大製造温度は５００℃を超えることはないが、Ｔ結晶は１３００℃以上で
あることが好ましい。ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスでは、ガラスの結晶
化がマスクの製造時および使用時に経験する高温においても結晶化が阻止される
。したがって、ガラスウエーハは、それが高い結晶化温度特性を有する点で有利
である。
【００３８】
さらに、製造処理温度およびリソグラフィー動作温度を考慮して、Ｔｉをドー
プされたＳｉＯ２ ガラスは、熱循環にさらされたときにその物理的寸法を維持
するようになっている。低い方の温度と高い方の温度との間の熱循環が反復され
るＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの反射マスクの使用および製造
において、ガラスウエーハの物理的寸法は実質的に不変である。Ｔｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラスは熱循環ヒステリシスに対し抵抗力を有していることが好
ましく、最低リソグラフィー動作温度から最高リソグラフィー動作温度まで熱循
環が反復（１００回を超える）された場合にも熱循環ヒステリシスがないことが
最も好ましい。０℃に近い低温から３００℃に近い高温まで３００℃未満の熱循
環が反復された場合、ガラスウエーハの物理的寸法の測定可能な変化がないこと
が最も好ましい。
プされたＳｉＯ２ ガラスは、熱循環にさらされたときにその物理的寸法を維持
するようになっている。低い方の温度と高い方の温度との間の熱循環が反復され
るＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの反射マスクの使用および製造
において、ガラスウエーハの物理的寸法は実質的に不変である。Ｔｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラスは熱循環ヒステリシスに対し抵抗力を有していることが好
ましく、最低リソグラフィー動作温度から最高リソグラフィー動作温度まで熱循
環が反復（１００回を超える）された場合にも熱循環ヒステリシスがないことが
最も好ましい。０℃に近い低温から３００℃に近い高温まで３００℃未満の熱循
環が反復された場合、ガラスウエーハの物理的寸法の測定可能な変化がないこと
が最も好ましい。
【００３９】
好ましい実施の形態においては、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスは、ガ
ラス内の永久歪みに起因する１０ｎｍ／ｃｍ未満の、好ましくは２ｎｍ／ｃｍ未
満の複屈折率を有する。２ｎｍ／ｃｍ未満の複屈折率は、２０℃における熱膨脹
率が＋１０ｐｐｂから−１０ｐｐｂまでの範囲内、熱膨脹率の変動が１０ｐｐｂ
未満、最も好ましくは５ｐｐｂ未満となるように、ＳｉＯ２ 中にＴｉドーパン
トを均質に分布させることにより達成される。さらに、ＴｉをドープされたＳｉ
Ｏ２ ガラスをアニールすることによって複屈折率を低下させることができる。
ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスは、このガラスが機械加工のような応力を
受けた後に少なくとも９００℃の温度で、さらに好ましくは少なくとも１０００
℃で、最も好ましくは１０３０℃でアニールされることが好ましい。
ラス内の永久歪みに起因する１０ｎｍ／ｃｍ未満の、好ましくは２ｎｍ／ｃｍ未
満の複屈折率を有する。２ｎｍ／ｃｍ未満の複屈折率は、２０℃における熱膨脹
率が＋１０ｐｐｂから−１０ｐｐｂまでの範囲内、熱膨脹率の変動が１０ｐｐｂ
未満、最も好ましくは５ｐｐｂ未満となるように、ＳｉＯ２ 中にＴｉドーパン
トを均質に分布させることにより達成される。さらに、ＴｉをドープされたＳｉ
Ｏ２ ガラスをアニールすることによって複屈折率を低下させることができる。
ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスは、このガラスが機械加工のような応力を
受けた後に少なくとも９００℃の温度で、さらに好ましくは少なくとも１０００
℃で、最も好ましくは１０３０℃でアニールされることが好ましい。
【００４０】
上記のような低い複屈折率レベルの保証は、超音波をガラスに伝播させ、ガラ
スを通る超音波の通過時間を測定することにより、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの熱膨脹を監視して、超音波の速度と、超音波にさらされたガラスの膨
脹係数を決定することによって達成されることが好ましい。このようなＴｉをド
ープされたＳｉＯ２ ガラスの測定および監視は、マスク製造工程中に行なわれ
ることが好ましい。このような超音波測定は、品質調節、検査および精選に利用
されることが好ましい。このような測定は、Ｔｉドーパントが均質に分布された
ガラス体１４４の製造を保証することに利用されるのが好ましい。さらに、この
ような測定は、ガラス体１４４の検査と、ガラス体１４４から切り出される部分
６２の精選に用いられることが好ましい。さらにこのような測定は、仕上げ加工
のような後の方の製造工程中に過度の歪みがガラス内に形成されないことを保証
するのに利用され、またガラスのさらなるアニーリングが必要か否かを決定する
ファクターとして用いられることが好ましい。
スを通る超音波の通過時間を測定することにより、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの熱膨脹を監視して、超音波の速度と、超音波にさらされたガラスの膨
脹係数を決定することによって達成されることが好ましい。このようなＴｉをド
ープされたＳｉＯ２ ガラスの測定および監視は、マスク製造工程中に行なわれ
ることが好ましい。このような超音波測定は、品質調節、検査および精選に利用
されることが好ましい。このような測定は、Ｔｉドーパントが均質に分布された
ガラス体１４４の製造を保証することに利用されるのが好ましい。さらに、この
ような測定は、ガラス体１４４の検査と、ガラス体１４４から切り出される部分
６２の精選に用いられることが好ましい。さらにこのような測定は、仕上げ加工
のような後の方の製造工程中に過度の歪みがガラス内に形成されないことを保証
するのに利用され、またガラスのさらなるアニーリングが必要か否かを決定する
ファクターとして用いられることが好ましい。
【００４１】
実施例
図５Ａ，図５Ｂは、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハの表
面のＡＦＭ顕微鏡写真を示す。図５Ａ，図５Ｂは、同一ウエーハサンプルの仕上
げ加工の施された表面上の離れた二つの部位を撮影したものである。混入異物を
含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームに仕上げ加工
を施すことによってマスクウエーハのサンプルを得た。プリフォームは、二辺が
約７．６ｃｍの正方形で厚さが約０．６４ｃｍであった。直径約１５２ｃｍ、厚
さ（高さ）１４ｃｍのＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラス円柱の混入異
物を含まない領域からプリフォームを切り出すことによって、正方形のプリフォ
ームを得た。図６にしたがって、オクタメチルシクロテトラシロキサン原料およ
びチタニウム・イソプロポキシド原料から、約７．５重量％のＴｉＯ２ を含む
高純度ＳｉＯ２ ガラスからなる上記円柱を作成した。正方形のプリフォームを
、両面ラップ研磨盤を用いて平板状マスクウエーハに仕上げた。最初に７μｍの
アルミナ研磨剤を用いて鋳鉄板上でプリフォームの厚さ約２０／１０００インチ
（０．０５０８ｃｍ）を取り除いた。次に酸化セリウム（コネチカット州、シェ
ルトン、エンタープライズドライブ３所在のローディア社製のＲｏｄｉａ（Rhon
e-Poulence）Ｏｐａｌｉｎブランドの酸化セリウム）を用いて、発泡合成ポリウ
レタン製硬質パッド（アリゾナ州フェニックス、ワトキンズストリート、３８０
４Ｅ．所在のローデル社製のＲｏｄｅｌ ＭＨＣ−１４Ｂブランドの発泡ポリウ
レタンパッド）上でプリフォームを１．５ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃｍ２
）と５０ｒｐｍで１時間研磨した。次に、酸化セリウム（ニューヨーク州ヒック
スビル、ジョンストリート、４９５Ｗ．所在のユニバーサルフォトニックス社製
のＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｈａｓｔｅｌｉｔｅ ９１９ブラ
ンドの酸化セリウム）を用いて、起毛合成ポリウレタン軟質パッド（Ｒｏｄｅｌ
２０４Ｐａｄブランドの起毛ポリウレタンパッド）上でプリフォームを１．５
ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃｍ２ ）と５０ｒｐｍで２０分研磨した。次に、
コロイドシリカ（マサチューセッツ州ボストン、ステートストリート７５所在の
キャボット社製のＣａｂｏｔ Ａ２０９５ブランドのコロイドシリカ）を用いて
、起毛合成ポリウレタン軟質パッド（Ｒｏｄｅｌ ２０４Ｐａｄブランドの起毛
ポリウレタンパッド）上でプリフォームを１．５ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃ
ｍ２ ）と５０ｒｐｍで５ないし１０分間研磨した。次に、図５Ａ，図５ＢのＡ
ＦＭ顕微鏡写真を用いて、得られた平板状マスクウエーハを分析し、測定し、品
質認定を行なった。仕上げられたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハ
の表面のＲａ粗さは０．１５ｎｍ以下であった。好ましい実施の形態においては
、本発明のＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面には欠陥がなく
、Ｒａ粗さは０．１０以下、より好ましくは０．０９ｎｍ、最も好ましいＲａ粗
さは０．０８６ｎｍ以下であった。さらに、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラ
スウエーハの表面のＲＭＳ粗さは０．１５ｎｍ以下であることが好ましく、最大
０．９ｎｍ以下の範囲の平均高さは０．５ｎｍ以下であった。
面のＡＦＭ顕微鏡写真を示す。図５Ａ，図５Ｂは、同一ウエーハサンプルの仕上
げ加工の施された表面上の離れた二つの部位を撮影したものである。混入異物を
含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームに仕上げ加工
を施すことによってマスクウエーハのサンプルを得た。プリフォームは、二辺が
約７．６ｃｍの正方形で厚さが約０．６４ｃｍであった。直径約１５２ｃｍ、厚
さ（高さ）１４ｃｍのＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラス円柱の混入異
物を含まない領域からプリフォームを切り出すことによって、正方形のプリフォ
ームを得た。図６にしたがって、オクタメチルシクロテトラシロキサン原料およ
びチタニウム・イソプロポキシド原料から、約７．５重量％のＴｉＯ２ を含む
高純度ＳｉＯ２ ガラスからなる上記円柱を作成した。正方形のプリフォームを
、両面ラップ研磨盤を用いて平板状マスクウエーハに仕上げた。最初に７μｍの
アルミナ研磨剤を用いて鋳鉄板上でプリフォームの厚さ約２０／１０００インチ
（０．０５０８ｃｍ）を取り除いた。次に酸化セリウム（コネチカット州、シェ
ルトン、エンタープライズドライブ３所在のローディア社製のＲｏｄｉａ（Rhon
e-Poulence）Ｏｐａｌｉｎブランドの酸化セリウム）を用いて、発泡合成ポリウ
レタン製硬質パッド（アリゾナ州フェニックス、ワトキンズストリート、３８０
４Ｅ．所在のローデル社製のＲｏｄｅｌ ＭＨＣ−１４Ｂブランドの発泡ポリウ
レタンパッド）上でプリフォームを１．５ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃｍ２
）と５０ｒｐｍで１時間研磨した。次に、酸化セリウム（ニューヨーク州ヒック
スビル、ジョンストリート、４９５Ｗ．所在のユニバーサルフォトニックス社製
のＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｈａｓｔｅｌｉｔｅ ９１９ブラ
ンドの酸化セリウム）を用いて、起毛合成ポリウレタン軟質パッド（Ｒｏｄｅｌ
２０４Ｐａｄブランドの起毛ポリウレタンパッド）上でプリフォームを１．５
ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃｍ２ ）と５０ｒｐｍで２０分研磨した。次に、
コロイドシリカ（マサチューセッツ州ボストン、ステートストリート７５所在の
キャボット社製のＣａｂｏｔ Ａ２０９５ブランドのコロイドシリカ）を用いて
、起毛合成ポリウレタン軟質パッド（Ｒｏｄｅｌ ２０４Ｐａｄブランドの起毛
ポリウレタンパッド）上でプリフォームを１．５ｐｓｉ（０．１０５５ｋｇ／ｃ
ｍ２ ）と５０ｒｐｍで５ないし１０分間研磨した。次に、図５Ａ，図５ＢのＡ
ＦＭ顕微鏡写真を用いて、得られた平板状マスクウエーハを分析し、測定し、品
質認定を行なった。仕上げられたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハ
の表面のＲａ粗さは０．１５ｎｍ以下であった。好ましい実施の形態においては
、本発明のＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面には欠陥がなく
、Ｒａ粗さは０．１０以下、より好ましくは０．０９ｎｍ、最も好ましいＲａ粗
さは０．０８６ｎｍ以下であった。さらに、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラ
スウエーハの表面のＲＭＳ粗さは０．１５ｎｍ以下であることが好ましく、最大
０．９ｎｍ以下の範囲の平均高さは０．５ｎｍ以下であった。
【００４２】
本発明の精神と範囲から離れることなしに種々の変形、変更が可能であること
は、当業者には明白であろう。したがって、本発明は、添付の請求項およびそれ
らの等価物の範囲内で提供される種々の変形、変更を含むことを意図するもので
ある。
は、当業者には明白であろう。したがって、本発明は、添付の請求項およびそれ
らの等価物の範囲内で提供される種々の変形、変更を含むことを意図するもので
ある。
【図１】
本発明の一実施の形態の概略図
【図２】
本発明の一実施の形態の側断面図
【図３】
本発明の一実施の形態の平面図
【図４】
本発明の一実施の形態の概略図
【図５Ａ】
本発明の一実施の形態のＡＦＭ顕微鏡写真
【図５Ｂ】
本発明の一実施の形態のＡＦＭ顕微鏡写真
【図６】
本発明の一実施の形態の概略図
【図７】
図７Ａ〜図７Ｆは本発明の一実施の形態の製造工程図
【図８】
ＳｉＯ２中のＴｉＯ２の重量％に関する温度（Ｘ軸）対熱膨脹率（Ｙ軸）を示
すグラフ
すグラフ
２０ 投影リソグラフィーシステム
２２ マスク・サブシステム
２４ 反射マスク
２６ ガラスウエーハ
２８ 吸収テンプレート
３６ 照射サブシステム
３８ 遠紫外軟Ｘ線源
４６ 投影サブシステム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＥ，ＡＬ，Ａ
Ｍ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ
，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，
ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，Ｈ
Ｒ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ
，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，
ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，Ｎ
Ｏ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ
，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，
ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 サビア，ロバート
アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14814
ビッグ フラッツ オルコット ロード
133
Ｆターム(参考） 2H095 BC24 BC27
2H097 CA15 GB00 LA10
5F046 GA03 GD10
【要約の続き】
ハとを提供する工程を含み、上記投影サブシステムは、
パターン化された反射マスクから投影されるマスクパタ
ーンを上記放射線感応性ウエーハ表面に投影する。
Claims (62)
- 【請求項１】 １００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷配線態様の集積回路
を製造するための投影リソグラフィー法であって、 遠紫外軟Ｘ線源を備えて、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照
射サブシステムを提供し、 該照射サブシステムによって発生せしめられた前記遠紫外軟Ｘ線λによって照
射されるマスク・サブシステムを提供し、 前記遠紫外軟Ｘ線λによって照射された場合に投影されるマスクリソグラフィ
ーパターンを形成するための反射リソグラフィーマスクとしてパターン化された
マスク・サブシステムを提供し、ここで、前記パターン化された反射マスクは、
０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの欠
陥のない表面を覆う遠紫外軟Ｘ線λを反射し得る多層被膜上に被せられたパター
ン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエ
ーハを含み、 投影サブシステムを提供し、 遠紫外軟Ｘ線λに感応するウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハを提供し、 前記投影サブシステムを用いて、前記パターン化された反射マスクから投影さ
れるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ表面に投影する、 各工程を含むことを特徴とする前記方法。 - 【請求項２】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが混入異
物を含んでいないガラスウエーハであることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面が
エッチングされていないガラス表面であることを特徴とする請求項１記載の方法
。 - 【請求項４】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが前記遠
紫外軟Ｘ線λに対し実質的に不透過性であることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項５】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが塩素を
含んでいないガラスウエーハであることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、塩素
については１０ｐｐｍ未満、アルカリ金属およびアルカリ土金属については１０
ｐｐｍ未満の不純物のレベルを有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、５な
いし１０重量％のＴｉＯ２ を含み、かつ２０℃において＋３０ｐｐｂから−３
０ｐｐｂまでの範囲の熱膨脹係数を有することを特徴とする請求項１記載の方法
。 - 【請求項８】 前記熱膨脹係数が２０℃において＋１０ｐｐｂから−１０ｐ
ｐｂまでの範囲であることを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記ウエーハの熱膨脹係数の変化が１５ｐｐｂ以下であるこ
とを特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記ウエーハが２５℃において１．４０ｗ／（ｍ×℃）以
下の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、前
記遠紫外軟Ｘ線λによって加熱され、前記パターン化された吸収テンプレートが
前記ガラスウエーハの加熱に実質的に影響されない吸収テンプレートであること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウ
エーハ表面が仕上げ加工された平面状表面であることを特徴とする請求項２記載
の方法。 - 【請求項１３】 前記仕上加工された平面状表面が８０ｎｍよりも大きい寸
法の印刷可能な欠陥を備えていない表面であることを特徴とする請求項１２記載
の方法。 - 【請求項１４】 前記仕上加工された平面状表面が、印刷される回路寸法の
１／５よりも大きい寸法の印刷可能な表面欠陥を備えていない表面であることを
特徴とする請求項１２記載の方法。 - 【請求項１５】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが前記
遠紫外軟Ｘ線λによって動作温度にまで加熱され、前記ＴｉをドープされたＳｉ
Ｏ２ ガラスウエーハが前記動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数を
有するようなＴｉドーパントレベルを有することを特徴とする請求項７記載の方
法。 - 【請求項１６】 ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面を覆
う前記反射多層被膜が、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面を
該う前記反射多層被膜を照射する遠紫外軟Ｘ線λの少なくとも６５％を反射させ
ることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１７】 ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面を覆
う前記反射多層被膜が、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハの表面を
該う前記反射多層被膜を照射する遠紫外軟Ｘ線λの少なくとも７０％を反射させ
ることを特徴とする請求項１６記載の方法。 - 【請求項１８】 前記反射多層被膜が前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガ
ラスウエーハの表面上に直接施されていることを特徴とする請求項１６記載の方
法。 - 【請求項１９】 前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが１２
００ｐｐｍ未満のＯＨを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２０】 前記反射リソグラフィーマスク素子が最大動作温度および
最大製造温度を有し、前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスが前記最
大動作温度および前記最大製造温度よりも高い結晶化温度Ｔ結晶を有することを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２１】 前記結晶化温度Ｔ結晶が前記最大動作温度および前記最大
製造温度よりも少なくとも４００℃高いことを特徴とする請求項２０記載の方法
。 - 【請求項２２】 前記結晶化温度Ｔ結晶が１１００℃よりも高いことを特徴
とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 前記反射リソグラフィーマスクが、最低リソグラフィー動
作温度および最高リソグラフィー動作温度を有し、前記Ｔｉをドープされた高純
度ＳｉＯ２ ガラスは、最低リソグラフィー動作温度から最高リソグラフィー動
作温度まで少なくとも百回反復された場合でも熱サイクルヒステリシスを生じな
いガラスであることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２４】 前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスが１０ｎ
ｍ／ｃｍ未満の複屈折率を有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２５】 投影リソグラフィー印刷パターンの作成方法であって、 遠紫外軟Ｘ線源を備えた照射サブシステムを提供し、 マスク受容部材と、該マスク受容部材に受容された、Ｔｉをドープされた高純
度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハとを備えた反射マスクを含むマスク・サブシ
ステムを提供し、ここで、前記ガラスマスクウエーハは、遠紫外軟Ｘ線に対し少
なくとも６５％の反射率を備えた反射多層被膜で覆われたエッチングされていな
いガラスマスクウエーハ表面を有し、 １μｍ以上の焦点深度と０．１以下の開口数ＮＡとを備えたカメラを含む投影
サブシステムを提供し、 放射線感応印刷媒体を備えた放射線感応印刷サブシステムを提供し、 前記照射サブシステム、前記マスク・サブシステム、前記投影サブシステムお
よび前記放射線感応印刷サブシステムを整合させ、遠紫外軟Ｘ線源からの遠紫外
軟Ｘ線で前記反射マスクを照射し、該反射マスクが前記放射線を反射させて、前
記投影サブシステムのカメラによって前記放射線感応印刷媒体上に投影される印
刷パターンを形成する、 各工程を含むことを特徴とする前記方法。 - 【請求項２６】 反射マスクを含む前記マスク・サブシステムを提供する工
程が、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するウエーハ表面を備えた反射マスクを
提供する工程を含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。 - 【請求項２７】 反射マスクを含む前記マスク・サブシステムを提供する工
程が、前記放射線感応印刷媒体上に印刷可能なウエーハ表面欠陥のないＴｉをド
ープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハを備えた反射マスクを提供す
る工程を含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。 - 【請求項２８】 反射マスクを含む前記マスク・サブシステムを提供する工
程が、プリフォーム表面を備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされた高純
度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハプリフォームを提供し、かつ該プリフォーム
の表面を０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に仕上
げる各工程を含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。 - 【請求項２９】 前記投影リソグラフィーサブシステムの動作中に前記照射
サブシステムによって照射されたときの前記反射マスクの動作温度を測定する工
程をさらに含み、反射マスクを備えたマスク・サブシステムを提供する工程が、
前記反射マスクの動作温度においてほぼゼロ中心とされた熱膨脹係数を有するＴ
ｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハを提供する工程を含む
ことを特徴とする請求項２５記載の方法。 - 【請求項３０】 前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウ
エーハが、前記遠紫外軟Ｘ線によって高い温度範囲に加熱され、前記Ｔｉをドー
プされた高純度ＳｉＯ２ ガラスが前記高い温度範囲に対して１０ｐｐｂ未満で
−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有することを特徴とする請求項２５記載
の方法。 - 【請求項３１】 前記ガラスの熱膨脹係数の変化が１０ｐｐｂ以下であるこ
とを特徴とする請求項３０記載の方法。 - 【請求項３２】 前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクが
２５℃において１．４０ｗ／（ｍ×℃）以下の熱伝導率Ｋを有することを特徴と
する請求項２５記載の方法。 - 【請求項３３】 遠紫外軟Ｘ線反射マスクの作成方法であって、 プリフォーム表面を備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度Ｓ
ｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、 前記プリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスク
ウエーハ表面に仕上げ加工し、 該０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する仕上げられた平面状マスクウエーハ表
面を反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を有
する反射マスク表面を形成する、 各工程を含むことを特徴とする前記方法。 - 【請求項３４】 前記反射マスク表面上にパターン化された吸収テンプレー
トを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項３５】 Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム
を提供する工程がさらに、高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を
提供し、該高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を転化サイトに配
送し、前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料をＴｉをドープさ
れたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラス
スートを、混入異物を含まない均質なＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固
結させ、該ガラスをＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームに成形す
る各工程を含むことを特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項３６】 高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供
する工程が、塩素を含まない高純度Ｓｉを含む原料および塩素を含まない高純度
Ｔｉを含む原料を提供し、該塩素を含まない原料を、塩素を含まないＴｉをドー
プされたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該スートを塩素を含まないＴｉを
ドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことを特徴とする請求
項３５記載の方法。 - 【請求項３７】 前記プリフォーム表面を平面状マスクウエーハ表面に仕上
げる工程が、前記プリフォーム表面を研磨して約０．６ないし１．０ｎｍの範囲
のＲａ表面粗さを有する第１の研磨されたプリフォーム面にし、該研磨されたプ
リフォーム面をさらに研磨して、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する前記平面
状マスクウエーハ表面にする各工程を含むことを特徴とする請求項３３記載の方
法。 - 【請求項３８】 前記さらなる研磨が、コロイド粒子で研磨する工程を含む
ことを特徴とする請求項３７記載の方法。 - 【請求項３９】 前記プリフォームが反対側の第２のプリフォーム表面を備
え、前記プリフォーム表面を仕上げる工程が、前記反対側の第２のプリフォーム
表面の研磨を前記第１のプリフォーム表面の研磨と同時に行なう工程を含むこと
を特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項４０】 前記仕上げ加工が、前記プリフォーム表面を合成ポリマー
パッドでさらに研磨する工程を含むことを特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項４１】 前記仕上げ加工が、前記プリフォーム表面を酸化セリウム
研磨剤と硬質ポリウレタンパッドで研磨し、次いで酸化セリウム研磨剤と軟質ポ
リウレタンパッドで研磨し、次いでコロイドシリカと軟質ポリウレタンパッドで
研磨する各工程をさらに含むことを特徴とする請求項３９記載の方法。 - 【請求項４２】 前記仕上げ加工が、前記プリフォーム表面を少なくとも一
種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、次いで前記プリフォーム表面をコロイドシ
リカのアルカリ水溶液で研磨する各工程をさらに含むことを特徴とする請求項３
３記載の方法。 - 【請求項４３】 前記プリフォーム表面を仕上げる工程が、該プリフォーム
表面を研磨剤で研磨し、次いで該プリフォーム表面を洗浄して前記研磨剤を取り
除く各工程を含むことを特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項４４】 前記ガラスプリフォームが、重量％レベルのＴｉドーパン
トを含み、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供する工
程が、前記マスクが該マスクの動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数
を有するように前記Ｔｉドーパントの重量％レベルを調整する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項３３記載の方法。 - 【請求項４５】 エッチングされていない研磨された第１表面と反対側の研
磨された平面状第２表面とを備えた混入異物を含まないＴｉをドープされた高純
度ＳｉＯ２ ガラスウエーハを含み、前記第１表面が、８０ｎｍよりも大きい寸
法を有する印刷可能な表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有す
ることを特徴とする遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハ。 - 【請求項４６】 前記ガラスは結晶を含まないガラスであることを特徴とす
る請求項４５記載のマスクウエーハ。 - 【請求項４７】 前記ガラスウエーハがシリコン、チタンおよび酸素からな
ることを特徴とする請求項４５記載のマスクウエーハ。 - 【請求項４８】 前記ウエーハの前記第１表面と前記第２表面との間の厚さ
寸法が少なくとも約１ｃｍであることを特徴とする請求項４５記載のマスクウエ
ーハ。 - 【請求項４９】 前記ガラスウエーハが塩素を含んでいないガラスウエーハ
であることを特徴とする請求項４５記載のマスクウエーハ。 - 【請求項５０】 前記ガラスウエーハの不純物レベルが、アルカリ金属およ
びアルカリ土類金属に関し１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項４５記
載のマスクウエーハ。 - 【請求項５１】 遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法であって、 第１のプリフォーム表面と第２のプリフォーム表面とを備えかつ混入異物を含
まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、 前記第１のプリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状
マスクウエーハ表面に仕上加工する各工程を含むことを特徴とする前記方法。 - 【請求項５２】 前記マスクウエーハが、前記遠紫外軟Ｘ線によって高い温
度範囲に加熱され、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスが前記高い温度範
囲に対して１０ｐｐｂ未満で−１０ｐｐｂよりも大きい熱膨脹係数を有し、かつ
熱膨脹係数の変化が１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項５１記載の方
法。 - 【請求項５３】 Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォーム
を提供する工程が、高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供し
、該高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を転化サイトに配送し、
前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料をＴｉをドープされたＳ
ｉＯ２ ガラススートに転化させ、該ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススート
を、混入異物を含まない均質なＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させ
、該ガラスをＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームに成形する各工
程をさらに含むことを特徴とする請求項５１記載の方法。 - 【請求項５４】 高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供
する工程が、塩素を含まない高純度Ｓｉを含む原料および塩素を含まない高純度
Ｔｉを含む原料を提供し、該塩素を含まない原料を塩素を含まないＴｉをドープ
されたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該スートを塩素を含まないＴｉをド
ープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことを特徴とする請求項
５３記載の方法。 - 【請求項５５】 前記プリフォーム表面を平面状マスクウエーハ表面に仕上
げる工程が、前記プリフォーム表面を研磨して約０．６ないし１．０ｎｍの範囲
のＲａ表面粗さを有する第１の研磨されたプリフォーム面にし、該研磨されたプ
リフォーム面をさらに研磨して、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する前記平面
状マスクウエーハ表面にする各工程を含むことを特徴とする請求項５１記載の方
法。 - 【請求項５６】 前記さらなる研磨が、コロイド粒子で研磨する工程を含む
ことを特徴とする請求項３７記載の方法。 - 【請求項５７】 前記プリフォーム表面の仕上加工が、前記反対側の第２の
プリフォーム表面の研磨を前記第１のプリフォーム表面の研磨と同時に行なう工
程をさらに含むことを特徴とする請求項５１記載の方法。 - 【請求項５８】 前記第１のプリフォーム表面の仕上げ加工が、前記プリフ
ォーム表面を酸化セリウム研磨剤と硬質ポリウレタンパッドで研磨し、次いで酸
化セリウム研磨剤と軟質ポリウレタンパッドで研磨し、次いでコロイドシリカと
軟質ポリウレタンパッドで研磨する各工程をさらに含むことを特徴とする請求項
５１記載の方法。 - 【請求項５９】 前記仕上げ加工が、前記プリフォーム表面を少なくとも一
種類の金属酸化物の水溶液で研磨し、次いで前記プリフォーム表面をコロイドシ
リカのアルカリ水溶液で研磨する各工程をさらに含むことを特徴とする請求項５
１記載の方法。 - 【請求項６０】 前記プリフォーム表面の仕上げ加工が、該プリフォーム表
面を研磨剤で研磨し、次いで該プリフォーム表面を洗浄して前記研磨剤を取り除
く各工程を含むことを特徴とする請求項５１記載の方法。 - 【請求項６１】 前記ガラスプリフォームが、重量％レベルのＴｉドーパン
トを含み、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供する工
程が、前記マスクが該マスクの動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数
を有するように前記Ｔｉドーパントの重量％レベルを調整する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項５１記載の方法。 - 【請求項６２】 前記ガラスプリフォームがシリコン、チタンおよび酸素か
らなることを特徴とする請求項５１記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14505799P | 1999-07-22 | 1999-07-22 | |
| US60/145,057 | 1999-07-22 | ||
| US14984099P | 1999-08-19 | 1999-08-19 | |
| US60/149,840 | 1999-08-19 | ||
| PCT/US2000/019060 WO2001007967A1 (en) | 1999-07-22 | 2000-07-13 | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003505891A true JP2003505891A (ja) | 2003-02-12 |
| JP2003505891A5 JP2003505891A5 (ja) | 2006-01-05 |
| JP3770542B2 JP3770542B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=26842619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001512998A Expired - Lifetime JP3770542B2 (ja) | 1999-07-22 | 2000-07-13 | 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6465272B1 (ja) |
| EP (1) | EP1218796A4 (ja) |
| JP (1) | JP3770542B2 (ja) |
| KR (1) | KR100647968B1 (ja) |
| AU (1) | AU5932500A (ja) |
| WO (1) | WO2001007967A1 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
| JP2007213020A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-23 | Asahi Glass Co Ltd | マスクブランクス用ガラス基板およびその研磨方法 |
| JP2009260273A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
| US7622050B2 (en) | 2004-06-22 | 2009-11-24 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
| US7629089B2 (en) | 2004-04-22 | 2009-12-08 | Asahi Glass Company, Limited | Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask |
| WO2010071086A1 (ja) | 2008-12-17 | 2010-06-24 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスク用低膨張ガラス基板およびその加工方法 |
| US7771603B2 (en) | 2005-02-02 | 2010-08-10 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
| US7803280B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-09-28 | Asahi Glass Company, Limited | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
| JP2010275189A (ja) * | 2003-04-03 | 2010-12-09 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| US8070557B2 (en) | 2007-06-05 | 2011-12-06 | Asahi Glass Company, Limited | Method of polishing glass substrate |
| US8182708B2 (en) | 2005-06-14 | 2012-05-22 | Asahi Glass Company, Limited | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
| US8518613B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-08-27 | Asahi Glass Company, Limited | Optical member base material for EUV lithography, and method for producing same |
| JP2013224261A (ja) * | 2003-04-03 | 2013-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造法 |
| JP2013227225A (ja) * | 2003-04-03 | 2013-11-07 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラス |
| KR20140095422A (ko) | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 실리카티타니아 유리, 실리카티타니아 유리의 제조방법 및 실리카티타니아 유리의 선별방법 |
| JP2016016505A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-01 | 旭硝子株式会社 | 研磨パッドの洗浄方法 |
| JP2017506363A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ミラー素子を製造する方法 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7364072B1 (en) | 1996-01-02 | 2008-04-29 | Steven Jerome Moore | Apparatus and method for security |
| US6396067B1 (en) * | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
| JP3766802B2 (ja) | 1999-07-22 | 2006-04-19 | コーニング インコーポレイテッド | 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法システムおよびリソグラフィーエレメント |
| US6776006B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-08-17 | Corning Incorporated | Method to avoid striae in EUV lithography mirrors |
| US8047023B2 (en) | 2001-04-27 | 2011-11-01 | Corning Incorporated | Method for producing titania-doped fused silica glass |
| US20030064161A1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-03 | Malinowski Michael E. | Method for reducing carbon contamination of multilayer mirrors |
| DE10139188A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-03-06 | Schott Glas | Glaskeramik für röntgenoptische Komponenten |
| US6818357B2 (en) * | 2001-10-03 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Photolithographic mask fabrication |
| US6988377B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-01-24 | Corning Incorporated | Method for making extreme ultraviolet lithography structures |
| US6997015B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | EUV lithography glass structures formed by extrusion consolidation process |
| CN1282039C (zh) * | 2001-12-04 | 2006-10-25 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置，器件制造方法和光学元件的制造方法 |
| US6829908B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-12-14 | Corning Incorporated | Fabrication of inclusion free homogeneous glasses |
| US6832493B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Corning Incorporated | High purity glass bodies formed by zero shrinkage casting |
| US7053017B2 (en) | 2002-03-05 | 2006-05-30 | Corning Incorporated | Reduced striae extreme ultraviolet elements |
| US7129010B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-10-31 | Schott Ag | Substrates for in particular microlithography |
| US6975385B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and exposure apparatus |
| US6885015B2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-04-26 | Intel Corporation | Thermionic-cathode for pre-ionization of an extreme ultraviolet (EUV) source supply |
| US6953532B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-10-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a lanthanide substrate |
| US7691279B2 (en) * | 2003-03-27 | 2010-04-06 | Hoya Corporation | Method of producing a glass substrate for a mask blank and method of producing a mask blank |
| JP5367204B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2013-12-11 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| JP4792705B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2011-10-12 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造法 |
| JP4792706B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2011-10-12 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造方法 |
| AU2003229725A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-11-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
| DE10319596A1 (de) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Degussa Ag | Mehrkomponentenglas |
| AU2003293308A1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-04-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Masks, lithography device and semiconductor component |
| JP2005109158A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Canon Inc | 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法 |
| DE10359102A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Komponente umfassend ein Material mit einer vorbestimmten Homogenität der thermischen Längsausdehnung |
| JP4492123B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2010-06-30 | 旭硝子株式会社 | シリカガラス |
| US7164200B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-01-16 | Agere Systems Inc. | Techniques for reducing bowing in power transistor devices |
| US7230695B2 (en) * | 2004-07-08 | 2007-06-12 | Asahi Glass Company, Ltd. | Defect repair device and defect repair method |
| US7586059B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-09-08 | Infineon Technologies Ag | Lithography mask substrate labeling system |
| US20060179879A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-08-17 | Ellison Adam J G | Adjusting expansivity in doped silica glasses |
| SG124407A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus |
| US20100154474A1 (en) * | 2005-12-21 | 2010-06-24 | Lorrie Foley Beall | Reduced striae low expansion glass and elements, and a method for making same |
| US20070263281A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-11-15 | Maxon John E | Reduced striae low expansion glass and elements, and a method for making same |
| US9399000B2 (en) | 2006-06-20 | 2016-07-26 | Momentive Performance Materials, Inc. | Fused quartz tubing for pharmaceutical packaging |
| WO2009070223A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Corning Incorporated | Low expansion glass material having low expansivity gradient |
| JP5369640B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-12-18 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖｌ用光学部材、およびその平滑化方法 |
| KR20100116639A (ko) * | 2008-02-26 | 2010-11-01 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | ＴｉＯ₂ 함유 실리카 유리, 고에너지 밀도를 사용한 ＥＵＶ 리소그래피용 광학 부재 및 특수 온도 제어된 ＴｉＯ₂ 함유 실리카 유리의 제조 방법 |
| DE102008002403A1 (de) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagen-Beschichtung, optisches Element und optische Anordnung |
| JP2010135732A (ja) | 2008-08-01 | 2010-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖマスクブランクス用基板 |
| US9997357B2 (en) * | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
| US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
| DE102011003077A1 (de) * | 2011-01-25 | 2012-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für ein reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
| US9382151B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-07-05 | Corning Incorporated | Low expansion silica-titania articles with a Tzc gradient by compositional variation |
| US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
| US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
Family Cites Families (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2272342A (en) | 1934-08-27 | 1942-02-10 | Corning Glass Works | Method of making a transparent article of silica |
| US2239551A (en) | 1939-04-22 | 1941-04-22 | Corning Glass Works | Method of making sealing glasses and seals for quartz lamps |
| BE438752A (ja) | 1939-04-22 | |||
| US4002512A (en) * | 1974-09-16 | 1977-01-11 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming silicon dioxide |
| JPS54127284A (en) | 1978-03-27 | 1979-10-03 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming reflective pattern |
| US4184078A (en) | 1978-08-15 | 1980-01-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pulsed X-ray lithography |
| US4344816A (en) | 1980-12-19 | 1982-08-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Selectively etched bodies |
| JPS57106031A (en) | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Toshiba Corp | Transferring device for fine pattern |
| JPS60173551A (ja) | 1984-02-20 | 1985-09-06 | Hideki Matsumura | Ｘ線など光線の反射投影によるパタ−ン転写法 |
| US5016265A (en) | 1985-08-15 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Variable magnification variable dispersion glancing incidence imaging x-ray spectroscopic telescope |
| US5146482A (en) | 1985-08-15 | 1992-09-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multispectral variable magnification glancing incidence x-ray telescope |
| WO1987006028A2 (en) | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Shimadzu Corporation | X-ray reflective mask and system for image formation with use of the same |
| EP0252734B1 (en) | 1986-07-11 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| US5165954A (en) | 1986-09-02 | 1992-11-24 | Microbeam, Inc. | Method for repairing semiconductor masks & reticles |
| JPS63142302A (ja) | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Nikon Corp | レ−ザ−耐力の高い光学薄膜 |
| JPS63142301A (ja) | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Nikon Corp | 塁積効果の少ない光学薄膜 |
| DE3856054T2 (de) | 1987-02-18 | 1998-03-19 | Canon Kk | Reflexionsmaske |
| US4776696A (en) | 1987-03-20 | 1988-10-11 | Michael C. Hettrick | Optical system for high resolution spectrometer/monochromator |
| FR2626082B1 (fr) * | 1988-01-14 | 1991-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'optique integree permettant de separer les composantes polarisees d'un champ electromagnetique guide et procede de realisation du dispositif |
| US5003567A (en) | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| US5051326A (en) | 1989-05-26 | 1991-09-24 | At&T Bell Laboratories | X-Ray lithography mask and devices made therewith |
| US5146518A (en) * | 1990-03-30 | 1992-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical directional coupler device and a method of driving same |
| US5152819A (en) * | 1990-08-16 | 1992-10-06 | Corning Incorporated | Method of making fused silica |
| US5043002A (en) | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
| JP3153230B2 (ja) | 1990-09-10 | 2001-04-03 | 株式会社日立製作所 | パタン形成方法 |
| US5315629A (en) * | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
| US5203977A (en) | 1991-03-11 | 1993-04-20 | Regents Of The University Of California | Magnetron sputtered boron films and TI/B multilayer structures |
| US5154744A (en) * | 1991-08-26 | 1992-10-13 | Corning Incorporated | Method of making titania-doped fused silica |
| US5173930A (en) | 1991-11-22 | 1992-12-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | X-ray monochromator |
| US5304437A (en) | 1992-04-03 | 1994-04-19 | At&T Bell Laboratories | Mask for x-ray pattern delineation |
| US5220590A (en) | 1992-05-05 | 1993-06-15 | General Signal Corporation | X-ray projection lithography camera |
| US5353322A (en) | 1992-05-05 | 1994-10-04 | Tropel Corporation | Lens system for X-ray projection lithography camera |
| US5395738A (en) * | 1992-12-29 | 1995-03-07 | Brandes; George R. | Electron lithography using a photocathode |
| US5356662A (en) * | 1993-01-05 | 1994-10-18 | At&T Bell Laboratories | Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating |
| US5265143A (en) * | 1993-01-05 | 1993-11-23 | At&T Bell Laboratories | X-ray optical element including a multilayer coating |
| US5332702A (en) | 1993-04-16 | 1994-07-26 | Corning Incorporated | Low sodium zircon refractory and fused silica process |
| JP3513236B2 (ja) * | 1993-11-19 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体、ｘ線マスク構造体の製造方法、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置及びｘ線露光方法、並びに該ｘ線露光方法を用いて製造される半導体装置 |
| US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2569426B2 (ja) | 1994-03-24 | 1997-01-08 | 工業技術院長 | 超格子多層膜の製造方法 |
| US5605490A (en) * | 1994-09-26 | 1997-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of polishing langasite |
| US5521031A (en) | 1994-10-20 | 1996-05-28 | At&T Corp. | Pattern delineating apparatus for use in the EUV spectrum |
| US5510230A (en) | 1994-10-20 | 1996-04-23 | At&T Corp. | Device fabrication using DUV/EUV pattern delineation |
| US5868605A (en) * | 1995-06-02 | 1999-02-09 | Speedfam Corporation | In-situ polishing pad flatness control |
| US5637962A (en) | 1995-06-09 | 1997-06-10 | The Regents Of The University Of California Office Of Technology Transfer | Plasma wake field XUV radiation source |
| US6007963A (en) * | 1995-09-21 | 1999-12-28 | Sandia Corporation | Method for extreme ultraviolet lithography |
| JP3359479B2 (ja) * | 1995-11-07 | 2002-12-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材、その製造方法及び研磨方法 |
| US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
| US5698113A (en) | 1996-02-22 | 1997-12-16 | The Regents Of The University Of California | Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates |
| JPH09252100A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造される結合ウェーハ |
| US5737137A (en) | 1996-04-01 | 1998-04-07 | The Regents Of The University Of California | Critical illumination condenser for x-ray lithography |
| DE19616922A1 (de) | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Zeiss Carl Fa | Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv |
| US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
| US6133577A (en) | 1997-02-04 | 2000-10-17 | Advanced Energy Systems, Inc. | Method and apparatus for producing extreme ultra-violet light for use in photolithography |
| US6093484A (en) * | 1997-04-04 | 2000-07-25 | Hoya Corporation | Method for the production of glass product |
| US5956192A (en) | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
| JPH11221742A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-08-17 | Hoya Corp | 研磨方法及び研磨装置並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
| US6199991B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-03-13 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
| US6118577A (en) | 1998-08-06 | 2000-09-12 | Euv, L.L.C | Diffractive element in extreme-UV lithography condenser |
| US5970751A (en) | 1998-09-22 | 1999-10-26 | Corning Incorporated | Fused SiO2 -TiO2 glass method |
| US6048652A (en) | 1998-12-04 | 2000-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Backside polish EUV mask and method of manufacture |
| US6013399A (en) | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
| US6319634B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-11-20 | Corning Incorporated | Projection lithography photomasks and methods of making |
| WO2002029492A1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Corning Incorporated | Photolithography methods and systems |
-
2000
- 2000-07-13 JP JP2001512998A patent/JP3770542B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-13 AU AU59325/00A patent/AU5932500A/en not_active Abandoned
- 2000-07-13 US US09/615,621 patent/US6465272B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-13 EP EP00945368A patent/EP1218796A4/en not_active Ceased
- 2000-07-13 WO PCT/US2000/019060 patent/WO2001007967A1/en active Application Filing
- 2000-07-13 KR KR1020027000878A patent/KR100647968B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-09-13 US US10/242,911 patent/US6576380B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010275189A (ja) * | 2003-04-03 | 2010-12-09 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| JP2013227225A (ja) * | 2003-04-03 | 2013-11-07 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラス |
| JP2013224261A (ja) * | 2003-04-03 | 2013-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造法 |
| JP2013079191A (ja) * | 2003-04-03 | 2013-05-02 | Asahi Glass Co Ltd | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| US7629089B2 (en) | 2004-04-22 | 2009-12-08 | Asahi Glass Company, Limited | Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask |
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
| US7622050B2 (en) | 2004-06-22 | 2009-11-24 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
| US7771603B2 (en) | 2005-02-02 | 2010-08-10 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
| US8182708B2 (en) | 2005-06-14 | 2012-05-22 | Asahi Glass Company, Limited | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
| JP2007213020A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-23 | Asahi Glass Co Ltd | マスクブランクス用ガラス基板およびその研磨方法 |
| DE112006003221T5 (de) | 2005-12-22 | 2008-10-23 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glassubstrat für eine Maskenvorform und Polierverfahren zur Herstellung desselben |
| US7923178B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-04-12 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate for mask blank and method of polishing for producing the same |
| KR101257133B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-22 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 글라스 기판 및 이것을 제조하기 위한연마 방법 |
| US7803280B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-09-28 | Asahi Glass Company, Limited | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
| US7998645B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-08-16 | Asahi Glass Company, Limited | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
| US8460843B2 (en) | 2006-12-01 | 2013-06-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
| US8070557B2 (en) | 2007-06-05 | 2011-12-06 | Asahi Glass Company, Limited | Method of polishing glass substrate |
| JP2009260273A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
| WO2010071086A1 (ja) | 2008-12-17 | 2010-06-24 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスク用低膨張ガラス基板およびその加工方法 |
| US8524422B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-09-03 | Asahi Glass Company, Limited | Low expansion glass substrate for reflection type mask and method for processing same |
| US8518613B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-08-27 | Asahi Glass Company, Limited | Optical member base material for EUV lithography, and method for producing same |
| KR20140095422A (ko) | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 실리카티타니아 유리, 실리카티타니아 유리의 제조방법 및 실리카티타니아 유리의 선별방법 |
| JP2017506363A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ミラー素子を製造する方法 |
| US10423073B2 (en) | 2014-01-30 | 2019-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for producing a mirror element |
| JP2016016505A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-01 | 旭硝子株式会社 | 研磨パッドの洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1218796A4 (en) | 2006-08-23 |
| KR100647968B1 (ko) | 2006-11-17 |
| KR20020010945A (ko) | 2002-02-06 |
| US20030017402A1 (en) | 2003-01-23 |
| EP1218796A1 (en) | 2002-07-03 |
| WO2001007967A1 (en) | 2001-02-01 |
| US6576380B2 (en) | 2003-06-10 |
| AU5932500A (en) | 2001-02-13 |
| US6465272B1 (en) | 2002-10-15 |
| JP3770542B2 (ja) | 2006-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003505891A (ja) | 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法およびマスク装置 | |
| JP3766802B2 (ja) | 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法システムおよびリソグラフィーエレメント | |
| EP1795506B1 (en) | Titania-doped quartz glass and making method, euv lithographic member and photomask substrate | |
| KR101257133B1 (ko) | 마스크 블랭크용 글라스 기판 및 이것을 제조하기 위한연마 방법 | |
| JP2003505876A5 (ja) | ||
| JP5090633B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
| JP2011240483A (ja) | ガラス基板の研磨方法およびガラス基板 | |
| US8182708B2 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
| KR20070097090A (ko) | 유리 기판의 연마 방법 | |
| KR20010111498A (ko) | 투영 리소그라피 포토마스크 블랭크, 예형 및 이의 제조방법 | |
| JP3827446B2 (ja) | 光学用合成石英ガラスの製造方法 | |
| JP5050458B2 (ja) | シリカガラスおよび光学部材 | |
| KR101167869B1 (ko) | 유리 기판의 연마 방법 및 유리 기판 | |
| JP2010163289A (ja) | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの成型方法およびそれによって成型されたＥＵＶリソグラフィ用光学部材 | |
| JP2011219358A (ja) | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050928 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050928 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050928 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20051025 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060117 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060203 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3770542 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110217 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120217 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140217 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |