JP2009260273A - 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板10は、基板12と、基板12上に配置された導電膜14と、導電膜14上に選択的に配置され、導電膜14よりも反射率の大きい導電膜16と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、電子の帯電やコントラストの低下を回避することができる。その結果、かかる較正用基板を用いて高精度な位置補正を行なうことができる。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置の動作を以下に説明する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という(例えば、特許文献1参照)。
酸化シリコン(SiO2)材よりも低熱膨張材を用いた基板本体と、
前記基板上に配置された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に選択的に配置され、前記第1の導電膜よりも反射率の大きい第2の導電膜と、
を備えた荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板であって、
前記較正用基板の裏面は、前記低熱膨張材が露出していることを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板上を走査して、前記較正用基板から反射された反射電子を検出し、
検出された結果を用いて、前記荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正し、
照射位置が較正された前記荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画することを特徴とする。
図1は、実施の形態1における電子ビーム描画装置の較正用基板の構成を示す概念図である。図2は、図1の電子ビーム描画装置の較正用基板の断面を示す概念図である。電子ビーム描画装置の較正用基板10は、基板本体12と導電膜14,16を備えている。基板本体12上に導電膜14(第1の導電膜)が配置されている。そして、導電膜14上に導電膜16(第2の導電膜)が選択的に配置される。導電膜16には、規則的に配置された導電膜14まで貫通する複数の開口部20が形成される。複数の開口部20は、基板表面に偏在しないように全体に略均一に配置されると好適である。かかる複数の開口部20がパターンとなって各位置を測定することで電子ビーム描画装置のステージ位置の補正を行なうことができる。各開口部20の底面は、導電膜14となるため、電子線を照射しても電子の帯電を回避することができる。そのため、電子の帯電による予期せぬ誤差が生じることがない。例えば、地絡させたピンを較正用基板10の上面側から導電膜14或いは導電膜16に接触させることで、較正用基板10とアース部材とを接続すればよい。
(1) ΔXij=A0+A1・Xij+A2・Yij+A3・Xij 2
+A4・Xij・Yij+A5・Yij 2+A6・Xij 3
+A7・Xij 2・Yij+A7・Xij・Yij 2+A9・Yij 3
(2) ΔYij=B0+B1・Xij+B2・Yij+B3・Xij 2
+B4・Xij・Yij+B5・Yij 2+B6・Xij 3
+B7・Xij 2・Yij+B7・Xij・Yij 2+B9・Yij 3
9とのそれぞれの差分を演算する。そして、演算された係数の差分dA0〜dA9とdB0〜dB9を偏向制御回路120に送信する。そして、偏向制御回路120は、描画対象基板に描画する際に、描画位置の各座標について式(1)と式(2)の各係数に対応する差分dA0〜dA9とdB0〜dB9を加算することで補正した係数を式(1)と式(2)に適用する。このように係数が補正された式(1)と式(2)で求まるX方向の位置誤差ΔXijとY方向の位置誤差ΔYijを補正した位置に電子ビーム200を偏向するように制御する。これにより、時間経過により変化したミラー210の歪等によるグローバルな位置誤差を補正することができる。このように、前回と今回の「差分」をとることで、仮に、製作した較正用基板10上のパターン位置が、デザイン座標グリッドどおりに整然と配置されていない場合や、基板本体12の種類が通常の描画対象基板と異なることによる支持たわみなどの差異が、パターンの位置誤差に異なる影響を及ぼす場合でも、これらの系統誤差分をキャンセルすることができる。よって、時間が経った変化分の較正には特に好適である。
12 基板
14,16 導電膜
20 開口部
100 描画装置
340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 描画データ処理部
120 偏向制御回路
122 DAC
124,140 アンプ
130 制御計算機
132 レーザ測長装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
209 検出器
210 ミラー
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (10)
- 酸化シリコン(SiO2)材よりも低熱膨張材を用いた基板本体と、
前記基板上に配置された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に選択的に配置され、前記第1の導電膜よりも反射率の大きい第2の導電膜と、
を備えた荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板であって、
前記較正用基板の裏面は、前記低熱膨張材が露出していることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板。 - 前記第1の導電膜は、クロム(Cr)とチタン(Ti)とバナジウム(V)との内の1つを含有することを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記第2の導電膜は、タンタル(Ta)とタングステン(W)とプラチナ(Pt)との内の1つを含有することを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記第2の導電膜には、規則的に配置された、前記第1の導電膜まで貫通する複数の開口部が形成されることを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記反射率は、電子線の反射率であることを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記第2の導電膜は、前記第1の導電膜よりも原子番号の大きい原子を材料に用いることを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記基板本体には、チタン(Ti)がドーピングされていることを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 前記第1の導電膜の材料として、クロム(Cr)が用いられ、前記第2の導電膜の材料として、タンタル(Ta)が用いられたことを特徴とする請求項1記載の較正用基板。
- 荷電粒子ビームを用いて、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板上を走査して、前記較正用基板から反射された反射電子を検出し、
検出された結果を用いて、前記荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正し、
照射位置が較正された前記荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画することを特徴とする描画方法。 - 描画を行なう描画装置の立ち上げの際に、前記反射電子を検出することと前記荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正することが行なわれ、
ダミー基板の描画に基づいて前記荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正することなく、実描画が行なわれることを特徴とする請求項9記載の描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009035289A JP5301312B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-02-18 | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008073538 | 2008-03-21 | ||
JP2008073538 | 2008-03-21 | ||
JP2009035289A JP5301312B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-02-18 | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009260273A true JP2009260273A (ja) | 2009-11-05 |
JP5301312B2 JP5301312B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=41115689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009035289A Active JP5301312B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-02-18 | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8183544B2 (ja) |
JP (1) | JP5301312B2 (ja) |
KR (1) | KR101076527B1 (ja) |
TW (1) | TWI386977B (ja) |
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KR20090101117A (ko) | 2009-09-24 |
TWI386977B (zh) | 2013-02-21 |
JP5301312B2 (ja) | 2013-09-25 |
US20090242807A1 (en) | 2009-10-01 |
US8183544B2 (en) | 2012-05-22 |
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