JP5525739B2 - パターン検査装置及びパターン検査方法 - Google Patents
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Description
光源と、
パターンが形成された基板を配置するステージと、
レーザを用いてステージの位置を測定する第1のレーザ測長部と、
光源からの光が基板に形成されたパターンに照射されて得られるパターン像を撮像するセンサと、
センサにパターン像を結像させる光学系と、
レーザを用いて光学系の位置を測定する第2のレーザ測長部と、
ステージの位置と光学系の位置との差分を用いて、撮像されたパターン像を補正する補正部と、
補正後のパターン像を用いて、パターンの欠陥の有無を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とする。
レーザを用いて、パターンが形成された基板を配置するステージの位置を測定する第1の測定工程と、
光源からの光が基板に形成されたパターンに照射されて得られるパターン像をセンサで撮像する撮像工程と、
レーザを用いて、センサにパターン像を結像させる光学系の位置を測定する第2の測定工程と、
ステージの位置と光学系の位置との差分を用いて、撮像されたパターン像を補正する補正工程と、
補正後のパターン像を用いて、パターンの欠陥の有無を検査する検査工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図1において、試料、例えばマスクの欠陥を検査するパターン検査装置100は、光学画像取得部150と制御系回路160を備えている。光学画像取得部150は、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、ラインセンサ105、センサ回路106、レーザ測長システム122,124、及びオートローダ130を備えている。制御系回路160では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、補正回路140、比較回路108、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、ストライプパターンメモリ123に接続され、ストライプパターンメモリ123は、補正回路140に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
実施の形態1では、XYθテーブル102の位置Xと拡大光学系104の位置Zとの差分(X−Z)を用いて、撮像されたパターン像を画素単位で補正したが、実施の形態2では、さらに、画素より小さいサブ画素単位での補正を行なう構成について説明する。
図14は、図13に示す画像の強度プロファイルの状況をわかりやすく示すために、画像のx軸上の理想的な強度分布を示すグラフである。しかしながら、実際にセンサ回路196から出力されるデータは図14に示すような理想的なグラフにはなっていない。
14,16 座標系
20 検査ストライプ
22 被検査領域
30 基台
32,33,34,35 反射ミラー
36,38,40 支持部材
42 モータ
50,52,54,56 レーザ干渉計
60 画像位置演算部
62 減算器
70 受光素子
100 検査装置
101 フォトマスク
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 ラインセンサ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122,124 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
130 オートローダ
140 補正回路
142 画素単位補正部
144 サブ画素単位補正部
150 光学画像取得部
160 制御系回路
170 照明光学系
205 2次元センサ
206 ラインセンサ
Claims (10)
- 光源と、
パターンが形成された基板を配置するステージと、
レーザを用いて前記ステージの位置を測定する第1のレーザ測長部と、
前記光源からの光が前記基板に形成されたパターンに照射されて得られるパターン像を撮像するセンサと、
前記センサに前記パターン像を結像させる光学系と、
レーザを用いて前記光学系の位置を測定する第2のレーザ測長部と、
前記ステージの位置と前記光学系の位置との差分を用いて、撮像されたパターン像を補正する補正部と、
補正後のパターン像を用いて、パターンの欠陥の有無を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - 前記光学系の光学中心から径方向へと延びる方向に形成された反射面を有し、前記第2のレーザ測長部により照射されるレーザを前記反射面で反射する反射ミラーをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
- 前記補正部は、画素単位で前記パターン像を補正することを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査装置。
- 前記補正部は、さらに、ナイキスト(Nyquist)条件により得られるサンプリング間隔を用いたホイッタカー・シャノン(Whittaker−Shannon)の公式を用いて、撮像された前記パターン像をサブ画素単位で補正することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のパターン検査装置。
- 前記サンプリング間隔Lは、前記光学系における前記基板側の最大開口角NAと前記光源からの光の波長λと前記光学系の倍率Mとを用いて、以下の式
L≦λ/(4NA)・M
から得られることを特徴とする請求項4記載のパターン検査装置。 - 前記補正部は、画素単位で前記パターン像を補正した後に、さらに、サブ画素単位で前記パターン像を補正することを特徴とする請求項4又は5記載のパターン検査装置。
- 前記センサは、複数の受光素子を有し、
前記複数の受光素子は、ナイキスト(Nyquist)条件により得られるサンプリング間隔をピッチとして配置されることを特徴とする請求項1〜6いずれか記載のパターン検査装置。 - レーザを用いて、パターンが形成された基板を配置するステージの位置を測定する第1の測定工程と、
光源からの光が前記基板に形成されたパターンに照射されて得られるパターン像をセンサで撮像する撮像工程と、
レーザを用いて、前記センサに前記パターン像を結像させる光学系の位置を測定する第2の測定工程と、
前記ステージの位置と前記光学系の位置との差分を用いて、撮像されたパターン像を補正する補正工程と、
補正後のパターン像を用いて、パターンの欠陥の有無を検査する検査工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 前記パターン像は、画素単位で補正されることを特徴とする請求項8記載のパターン検査方法。
- 前記パターン像を補正する際、さらに、ナイキスト(Nyquist)条件により得られるサンプリング周期を用いたホイッタカー・シャノン(Whittaker−Shannon)の公式を用いて、前記パターン像がサブ画素単位で補正されることを特徴とする請求項8又は9記載のパターン検査方法。
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