JPS5963725A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
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- JPS5963725A JPS5963725A JP57173980A JP17398082A JPS5963725A JP S5963725 A JPS5963725 A JP S5963725A JP 57173980 A JP57173980 A JP 57173980A JP 17398082 A JP17398082 A JP 17398082A JP S5963725 A JPS5963725 A JP S5963725A
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- measurement
- circuit
- mask
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する抜歯分野〕
この発明は、 ＬＳＩ製造に使用されるフ１トマスクの
パターンを検査する装置に関する。
パターンを検査する装置に関する。
従来、マスクパターンの測定ラータを設創データと比較
し−Ｃパターン検査を行う装置では、設計Ｆ−夕を測定
単位と同じ画素サイズのドットデータに変換し、また、
測定値を２値化してドツト単位で比較を行なっていた。
し−Ｃパターン検査を行う装置では、設計Ｆ−夕を測定
単位と同じ画素サイズのドットデータに変換し、また、
測定値を２値化してドツト単位で比較を行なっていた。
このような装置、では、測屋位（σ、のすれがドツト単
位でしか表現できず、徒だ、Ｍｌｌ定値を２値化してい
るため中間的な測定１１にはどちらかに丸められている
ので、測定上のエラー全見込んで２′または３ドツト以
上差異が連続した場合にパターンエラーであるという判
定を行なう上りにしている。そのため、このような装置
では画素サイズの２〜３倍以上の欠陥しか検出できない
欠点があった。また、測定画素とパターンデータの画素
のサイズを同一にしているため、種々スケーリングされ
たマスク個々に対してパターンデータの変換を再度行な
わなくてはいけないという欠点がある。このような装置
で欠陥検出精度を向上さぜるためには測定画素を小さく
しなくてはいけないが、この場合は同じ測定速度を得る
ためにはパターンの測定機構、ならびに欠陥検出機構を
測定画素サイズの２乗に比例して高速に動かさなくては
いけないという困難な問題が生じてくる。
位でしか表現できず、徒だ、Ｍｌｌ定値を２値化してい
るため中間的な測定１１にはどちらかに丸められている
ので、測定上のエラー全見込んで２′または３ドツト以
上差異が連続した場合にパターンエラーであるという判
定を行なう上りにしている。そのため、このような装置
では画素サイズの２〜３倍以上の欠陥しか検出できない
欠点があった。また、測定画素とパターンデータの画素
のサイズを同一にしているため、種々スケーリングされ
たマスク個々に対してパターンデータの変換を再度行な
わなくてはいけないという欠点がある。このような装置
で欠陥検出精度を向上さぜるためには測定画素を小さく
しなくてはいけないが、この場合は同じ測定速度を得る
ためにはパターンの測定機構、ならびに欠陥検出機構を
測定画素サイズの２乗に比例して高速に動かさなくては
いけないという困難な問題が生じてくる。
本発明は上記従来技術の問題点を考慮してなされたもの
であり、マスクパターンの測定ｉｉ！＋ｉ累サイズ全サ
イズことなく微細な欠陥の検出を可能とし、合わせて種
々スケーリングされたマスクパターンの測定をデータ変
換を再度行なうことなしに実行できるパターン横歪装置
を提供することを目的とする。
であり、マスクパターンの測定ｉｉ！＋ｉ累サイズ全サ
イズことなく微細な欠陥の検出を可能とし、合わせて種
々スケーリングされたマスクパターンの測定をデータ変
換を再度行なうことなしに実行できるパターン横歪装置
を提供することを目的とする。
〔発明の概要」
本発明では、前記従来技術の問題点を解決するために、
パターンの測定画素とパターンデータの画素サイズの異
なったものが扱える構造とし、また、４１す定データを
多値で表現することによシ測定画素の途中まで被測定パ
ターンがある状態を表現し、基準データについても同様
に多値の表現を行ない、実効的に測定セルよシ小さな欠
陥の検出を可能とした。また、上記構造のため、神々ス
ケーリングされたすなわち、パターンデータの画素サイ
ズを袈えたパターンに対して測定画素に合わせるだめの
ｉ−一夕変換処理を行わないでも、位置計算の７こめの
パラメータを変更するのもで検査を可能とした。
パターンの測定画素とパターンデータの画素サイズの異
なったものが扱える構造とし、また、４１す定データを
多値で表現することによシ測定画素の途中まで被測定パ
ターンがある状態を表現し、基準データについても同様
に多値の表現を行ない、実効的に測定セルよシ小さな欠
陥の検出を可能とした。また、上記構造のため、神々ス
ケーリングされたすなわち、パターンデータの画素サイ
ズを袈えたパターンに対して測定画素に合わせるだめの
ｉ−一夕変換処理を行わないでも、位置計算の７こめの
パラメータを変更するのもで検査を可能とした。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図である。
同図において、光源１より出た光は照明レンズ２で集束
されマスク３を照明している。マスクを透過した光は対
物レンズ４により集束され、マスクパターンをタイ寸−
ドラインセンサ５上に結像する。ダイオードラインセン
サ５はマスクパターンをＸ方向に測定するように設置さ
れ、直軸上に配量、されたフォトダイオードセンサを電
気的に走査してＸ方向各位置での光の強ＦＷを測定しア
ナログ信号として出力する。マスクパターンの１測定１
−１１、制御用計算機６で制御されるテーブル制御回路
７によりテーブル８をＹ方向に連続移動させながらタイ
オードセンサ５でマスクパターンを測定するという方法
で行う。第２図に示すように１回のＹ方向移動でセンサ
の測定中と同じＸ方向の巾でＹ方向に長い一つの領域２
−１が測定される。その後、Ｘ方向にテーブル８をＸ方
向測定中まだはそれより少し小さい距離を移動して、同
様にＹ方向（前回とは逆方向）に連続移動してマスクパ
ターンを測定すると隣接した領域２−２が測定される。
されマスク３を照明している。マスクを透過した光は対
物レンズ４により集束され、マスクパターンをタイ寸−
ドラインセンサ５上に結像する。ダイオードラインセン
サ５はマスクパターンをＸ方向に測定するように設置さ
れ、直軸上に配量、されたフォトダイオードセンサを電
気的に走査してＸ方向各位置での光の強ＦＷを測定しア
ナログ信号として出力する。マスクパターンの１測定１
−１１、制御用計算機６で制御されるテーブル制御回路
７によりテーブル８をＹ方向に連続移動させながらタイ
オードセンサ５でマスクパターンを測定するという方法
で行う。第２図に示すように１回のＹ方向移動でセンサ
の測定中と同じＸ方向の巾でＹ方向に長い一つの領域２
−１が測定される。その後、Ｘ方向にテーブル８をＸ方
向測定中まだはそれより少し小さい距離を移動して、同
様にＹ方向（前回とは逆方向）に連続移動してマスクパ
ターンを測定すると隣接した領域２−２が測定される。
これケくり返してマスクパターン全面の測定を行う。
ＡＤ俊換回路９は、本装置の基準クロックに同期してグ
イメートセンサ５を電気的に走査してア、ナログ測定信
号を出力させるとともに、走査開始の同期係号を位置計
算回路１０に出力し、壕だ、アナログ測定信号をＡｌ）
変換しディジタル４１１１定データとして比較判定回路
１１に出力する。位置針環回路１０は、テーブル８の位
置を測定しているレーザ測長針１２から前記走査開始時
の同期係号に同期してテーブル位置を取り込み、制御用
計算（幾６から与えられている計算パラメータを用いて
ダイオードラインセンサ５の各素子によって測定された
パターン上の測定位置を割算する。基準データ計算回路
１３は、制御用計算機６から被測定マスクパターンを表
わす設泪パターンデータを入力Ｌ、上記センサ各素子の
測定位置で概設計パターンを？）！：Ｉ ＞？、 ｌ、
た場合に得られるはずの測定値をセンーリの感度特性デ
ータを基にして計ｖ４シ、こｉｔを基Ｃ１八データとし
て出力する。比較判定回路１１は、この、１．ｌｉｉｊ
−夕と前記測定データの差を計算し、その差がある指定
値よ勺大きい場合に欠陥として判定する。
イメートセンサ５を電気的に走査してア、ナログ測定信
号を出力させるとともに、走査開始の同期係号を位置計
算回路１０に出力し、壕だ、アナログ測定信号をＡｌ）
変換しディジタル４１１１定データとして比較判定回路
１１に出力する。位置針環回路１０は、テーブル８の位
置を測定しているレーザ測長針１２から前記走査開始時
の同期係号に同期してテーブル位置を取り込み、制御用
計算（幾６から与えられている計算パラメータを用いて
ダイオードラインセンサ５の各素子によって測定された
パターン上の測定位置を割算する。基準データ計算回路
１３は、制御用計算機６から被測定マスクパターンを表
わす設泪パターンデータを入力Ｌ、上記センサ各素子の
測定位置で概設計パターンを？）！：Ｉ ＞？、 ｌ、
た場合に得られるはずの測定値をセンーリの感度特性デ
ータを基にして計ｖ４シ、こｉｔを基Ｃ１八データとし
て出力する。比較判定回路１１は、この、１．ｌｉｉｊ
−夕と前記測定データの差を計算し、その差がある指定
値よ勺大きい場合に欠陥として判定する。
１ノ、下、さらに基準データ＊−１算回路Ｊ３の：ｉり
３作について詳しく説明する。基準データ計算回路１３
てｔま、設ｈ１°データで六わされているパターンを位
置割算回路１０で求められた測定位置で測定した場合に
測定データとして得られるはずの値を計算する。この時
、この計算は第３図に示すようなセンサ素子の感度特性
データを使用して計算する。
３作について詳しく説明する。基準データ計算回路１３
てｔま、設ｈ１°データで六わされているパターンを位
置割算回路１０で求められた測定位置で測定した場合に
測定データとして得られるはずの値を計算する。この時
、この計算は第３図に示すようなセンサ素子の感度特性
データを使用して計算する。
第３図において、３１はセンサ１素子の物理的な形状、
３２はセンサの中心からＸ方向にずれた位置での感度を
表わすＸ方向の感度特性、３３は同様にＸ方向の感度特
性である。一般にセンサの感度特性は光の散乱等によ抄
曲線３２．３３で示す様な形状となる。なお本実施例の
装置で使用しているセンサ１１ま、センサへの入力照度
を走査時間で積分した値を出力する形式のものであり、
ブー−プルがＸ方向に連続移動しているだめ、Ｘ方向の
測定特性は相対的に３４で示す様なＸ方向に伸張した曲
線となる。これを式で表わすと下記のようになる。
３２はセンサの中心からＸ方向にずれた位置での感度を
表わすＸ方向の感度特性、３３は同様にＸ方向の感度特
性である。一般にセンサの感度特性は光の散乱等によ抄
曲線３２．３３で示す様な形状となる。なお本実施例の
装置で使用しているセンサ１１ま、センサへの入力照度
を走査時間で積分した値を出力する形式のものであり、
ブー−プルがＸ方向に連続移動しているだめ、Ｘ方向の
測定特性は相対的に３４で示す様なＸ方向に伸張した曲
線となる。これを式で表わすと下記のようになる。
ここで、ｇ’（ｙ）は３４の曲線を漱わす関数、ｇ （
ｙ）は３３の曲線を表わす関数、捷たＶはテーブル速度
、Ｔは走査時間であり、 ｖＴは走査時間中の移動距
離になる。
ｙ）は３３の曲線を表わす関数、捷たＶはテーブル速度
、Ｔは走査時間であり、 ｖＴは走査時間中の移動距
離になる。
第４図（ａ）は基準データ計算回路１３における処理を
説明した図である。図中Ａで示す点は位置計算回路ＩＯ
で計算されたマスク上の測定位置を示す。また同心円で
示したものはセンサの測定特性を等高純で示したもので
あり、本装置ではこの特性をＦ’ （ｘ 、 ’ｌ ）
＝ｆ（ｘ）・ｇ′役）と仮定している。また、図中Ｂで
示したものは設計データで表わされだノ々ターンであり
、ここでは同一座標上でこの一々ターンイＣ表わす関数
としてＰ（ｘ、ｙ）を仮定し７て説明すりことりこする
。とのＰ （ｘ ＋ ｙ ）は光の透過する部分で°”
ｌｐｒ唐１のしない部分で′”（ｌ”となるＩｌｌ数で
ある。
説明した図である。図中Ａで示す点は位置計算回路ＩＯ
で計算されたマスク上の測定位置を示す。また同心円で
示したものはセンサの測定特性を等高純で示したもので
あり、本装置ではこの特性をＦ’ （ｘ 、 ’ｌ ）
＝ｆ（ｘ）・ｇ′役）と仮定している。また、図中Ｂで
示したものは設計データで表わされだノ々ターンであり
、ここでは同一座標上でこの一々ターンイＣ表わす関数
としてＰ（ｘ、ｙ）を仮定し７て説明すりことりこする
。とのＰ （ｘ ＋ ｙ ）は光の透過する部分で°”
ｌｐｒ唐１のしない部分で′”（ｌ”となるＩｌｌ数で
ある。
上記関数を用いてセンサの４（（ｉ定植として得られる
となる。ｋは実際の測定値と合わせるだめの係数−ごあ
る。上式が基準データ計算回路１３で行っている計算で
あるが、本実施例の装置では回路をより１ｖ１〕県にす
る７七め−に次の様にしている。説明のために、ここで
は第４図（ａ）を第４図（ｂ）のように、積分範囲〒有
効な範囲に限定し５×５ドツトのノ（ターン上で考える
。ここで、例えばパターンの１ドツトの各辺ａを１μｍ
％ ｘ ＋ Ｖの値を０１μｎ１単位で衣わすことにす
る。測定位置を含むパターンの画素をＰ （０、０）と
し、Ｐ（０，０）の左上の点より見た測定位置を（’
ｘｏ ＊ ｙｏ ）とすると、Ｐ（０，０）のみが１で
あシ、これを回路上では近似して次のようにしている。
となる。ｋは実際の測定値と合わせるだめの係数−ごあ
る。上式が基準データ計算回路１３で行っている計算で
あるが、本実施例の装置では回路をより１ｖ１〕県にす
る７七め−に次の様にしている。説明のために、ここで
は第４図（ａ）を第４図（ｂ）のように、積分範囲〒有
効な範囲に限定し５×５ドツトのノ（ターン上で考える
。ここで、例えばパターンの１ドツトの各辺ａを１μｍ
％ ｘ ＋ Ｖの値を０１μｎ１単位で衣わすことにす
る。測定位置を含むパターンの画素をＰ （０、０）と
し、Ｐ（０，０）の左上の点より見た測定位置を（’
ｘｏ ＊ ｙｏ ）とすると、Ｐ（０，０）のみが１で
あシ、これを回路上では近似して次のようにしている。
ここで、一般にＰ（ｉｊ）のみが１のときに得られる出
力は であり、基準データ計３’！−回路の出力としては各Ｐ
（ｉｊ ）による出力を総和して ｙｏ＋−”＞ ０ となる。本実施例の基準データ計算回路では、上式のう
ち について１＝−２、から＋２まで５個のメモリーで計算
を代用、すなわちＰ（ｉ＋ｊ） ｓ ＸＯ＋ｙＯをア
ドレスとして入力し、その出力が上式になるようにデー
タをＹｌき込み、５個のメモリーの出力を加算すること
で基準データを得ている。
力は であり、基準データ計３’！−回路の出力としては各Ｐ
（ｉｊ ）による出力を総和して ｙｏ＋−”＞ ０ となる。本実施例の基準データ計算回路では、上式のう
ち について１＝−２、から＋２まで５個のメモリーで計算
を代用、すなわちＰ（ｉ＋ｊ） ｓ ＸＯ＋ｙＯをア
ドレスとして入力し、その出力が上式になるようにデー
タをＹｌき込み、５個のメモリーの出力を加算すること
で基準データを得ている。
第５図は本装置で処理される各部のデータの例、を示し
たものである。第５図（ａ）に於いてＤで示す欠陥を有
するパターンについて図中破線矢印で示す部分を走査し
て測定した場合、 ＡＤ変換回路９の出力には測定デー
タとして同図（ｂ）で示す様な信号が得られる。また、
基準データ計算回路１３の出力には、設計データにはＤ
で示すような欠陥が含まれないため基準データとして図
中（ｃ）で示す様な信号が出力される。比較判定回路１
１において、上記測定データと基準データの差をとると
図中（ｄ）で示す様な（ｉ’＋号が得られる。Ｓで示し
た破線は基準レベルを表わすものであるがこれは測定信
号のノイズレベルに応じて誤検出のない、かつ精度良く
欠陥が検出できる値に設定される。図中（ｅ）は基準レ
ベルを越えた部分すなわち欠陥部分を示す信号である。
たものである。第５図（ａ）に於いてＤで示す欠陥を有
するパターンについて図中破線矢印で示す部分を走査し
て測定した場合、 ＡＤ変換回路９の出力には測定デー
タとして同図（ｂ）で示す様な信号が得られる。また、
基準データ計算回路１３の出力には、設計データにはＤ
で示すような欠陥が含まれないため基準データとして図
中（ｃ）で示す様な信号が出力される。比較判定回路１
１において、上記測定データと基準データの差をとると
図中（ｄ）で示す様な（ｉ’＋号が得られる。Ｓで示し
た破線は基準レベルを表わすものであるがこれは測定信
号のノイズレベルに応じて誤検出のない、かつ精度良く
欠陥が検出できる値に設定される。図中（ｅ）は基準レ
ベルを越えた部分すなわち欠陥部分を示す信号である。
これは比較判定回路ｌｌ内のバッファメモリー按格納さ
れ欠陥部分を抽出した欠陥パターンデータとして制御用
計算機６に送られる。
れ欠陥部分を抽出した欠陥パターンデータとして制御用
計算機６に送られる。
上記説明した本発明によるパターン検査装置では、Ｘ方
向の走査位置による照度変化、また、ダイオードライン
センサ各素子による感度のばらつきは欠陥検出能力を低
下させる原因となる。そのため、本実施例の装置ではＡ
Ｄ変換回路９を第６図に示すような宿造としている。即
ち、ＡＤ変換器６１は基準クロックに同期して測定信号
Ｓｔをディジタルデータに変換する。このディジタルデ
ータは引算回路６２にょシオフセットレジスタ６５に格
納されているオフセット値が剣舞され、ゼロクリップ回
路６３により負のデータは０に丸められる。その後乗算
器６４により係数乗算されて補正された測定データＳｏ
として出力される。
向の走査位置による照度変化、また、ダイオードライン
センサ各素子による感度のばらつきは欠陥検出能力を低
下させる原因となる。そのため、本実施例の装置ではＡ
Ｄ変換回路９を第６図に示すような宿造としている。即
ち、ＡＤ変換器６１は基準クロックに同期して測定信号
Ｓｔをディジタルデータに変換する。このディジタルデ
ータは引算回路６２にょシオフセットレジスタ６５に格
納されているオフセット値が剣舞され、ゼロクリップ回
路６３により負のデータは０に丸められる。その後乗算
器６４により係数乗算されて補正された測定データＳｏ
として出力される。
係数メモリ６６には走査位置に対応した乗算係数が制御
用側算機から入力され、Ｘ方向走査位置に対応した係数
を乗算器６４に出力するようになっていも。ゼロクリッ
プ回路６３は測定信号のノイズにより負のデータの発生
を防ぐ／ζめのものであゐ。壕だ、引算回路６２は乗算
器６４と絹合わせて使用することによりアナログ回路部
分の継時変化を制御用計算機から補正できるようにした
もの゛である。
用側算機から入力され、Ｘ方向走査位置に対応した係数
を乗算器６４に出力するようになっていも。ゼロクリッ
プ回路６３は測定信号のノイズにより負のデータの発生
を防ぐ／ζめのものであゐ。壕だ、引算回路６２は乗算
器６４と絹合わせて使用することによりアナログ回路部
分の継時変化を制御用計算機から補正できるようにした
もの゛である。
ヰた、本発明による装置では、そのパターンの測定機構
においてパターンの走査方向（Ｘ方向）を一定とするの
が通常であるが、テーブルがＸ方向に連続的に移動して
いるため走査開始位置と走査終了位置では第７図に示ず
ようにＸ方向にｖＴだけずれだ位置を測定していること
になる。ここでＶはテーブルの移動速度、Ｔは走査時間
である。
においてパターンの走査方向（Ｘ方向）を一定とするの
が通常であるが、テーブルがＸ方向に連続的に移動して
いるため走査開始位置と走査終了位置では第７図に示ず
ようにＸ方向にｖＴだけずれだ位置を測定していること
になる。ここでＶはテーブルの移動速度、Ｔは走査時間
である。
この角度を補正するために走査方向をテーブル速厩に応
じて変えれば良いのであるが、これは機械精度上非常に
難しい問題が生じてくる。そのため、本実施例の装置で
は、その位置計算回路１０において走査位置の移動にし
たがってそのＸ方向の測定位置を走査開始位置から一定
値ずつ加算または減算（テーブルの移動方向により異な
る）することによりテーブルの移動速度による位置ずれ
の補正を行っている。位置計算回路１０においてこの補
正を行うための回路部分を第８図に示す。同図において
、レジスタ８１には制御用計算機からテーブル移動速度
に応じた一定値が入力される。この値は通常、テーブル
の移動方向によって正負逆のデータが指定される。セレ
クタ８２は、走査開始時はＸ方向走査開始位置を初期値
として位置レジスタ８３に入力し、それ以後は加算器８
４の出力を位置レジスタ８３に入力するように動作する
。
じて変えれば良いのであるが、これは機械精度上非常に
難しい問題が生じてくる。そのため、本実施例の装置で
は、その位置計算回路１０において走査位置の移動にし
たがってそのＸ方向の測定位置を走査開始位置から一定
値ずつ加算または減算（テーブルの移動方向により異な
る）することによりテーブルの移動速度による位置ずれ
の補正を行っている。位置計算回路１０においてこの補
正を行うための回路部分を第８図に示す。同図において
、レジスタ８１には制御用計算機からテーブル移動速度
に応じた一定値が入力される。この値は通常、テーブル
の移動方向によって正負逆のデータが指定される。セレ
クタ８２は、走査開始時はＸ方向走査開始位置を初期値
として位置レジスタ８３に入力し、それ以後は加算器８
４の出力を位置レジスタ８３に入力するように動作する
。
位置レジスタ８３は基準クロックに同期し内容を変更す
るように動作するので、その出力は初期値としてｙ方向
走査開始位置Ｐｉを出力し、以後はレジスタ８１の内容
だけ加算器８４によって順次加算された値がそのｙ方向
測定位置Ｐ。とじて出力される。
るように動作するので、その出力は初期値としてｙ方向
走査開始位置Ｐｉを出力し、以後はレジスタ８１の内容
だけ加算器８４によって順次加算された値がそのｙ方向
測定位置Ｐ。とじて出力される。
上ｉ己で説明した実施例はマスクパターンの測定４◇：
第１Ｉ′＋としてダイオードラインセンサを用いている
が、本発明はレーザスポットを走査してその透過光を測
定する構造のものについても適用できる。
第１Ｉ′＋としてダイオードラインセンサを用いている
が、本発明はレーザスポットを走査してその透過光を測
定する構造のものについても適用できる。
この場合、 ｎ＋＋１定機構におけるハターンーヒ微小
領域での感度特性１：［、マスクパターン上でのレーザ
スポットの形状および光量分布ということになる。
領域での感度特性１：［、マスクパターン上でのレーザ
スポットの形状および光量分布ということになる。
１だ、上記実施例で示した基準−データの計算方法、欠
陥の検出方法は一例であり、装置の要求性能に合わせて
より高度な方法、あるいは単純な方法が仲々考えられる
。すなわち、本発明は上記実施例に限らず、その主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して使用することができる。
陥の検出方法は一例であり、装置の要求性能に合わせて
より高度な方法、あるいは単純な方法が仲々考えられる
。すなわち、本発明は上記実施例に限らず、その主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して使用することができる。
〔発明の効果〕
以上、本発明による装置では、パターンデータのｍｉ１
素と測定データの画素の大きさについては制限が無く、
捷た測定画素よりも小さな欠陥について高１４７度の検
出ができる。このように、本発明によって神々スケーリ
ングされたすなわちパターンデータの画素の大きさが異
るものについてもデータ変換を行うことなく検査を行う
ことができ、かつ、測定画素を微小にしなくても欠陥検
出精度を大きく向上させることができる。
素と測定データの画素の大きさについては制限が無く、
捷た測定画素よりも小さな欠陥について高１４７度の検
出ができる。このように、本発明によって神々スケーリ
ングされたすなわちパターンデータの画素の大きさが異
るものについてもデータ変換を行うことなく検査を行う
ことができ、かつ、測定画素を微小にしなくても欠陥検
出精度を大きく向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は第１
図の装置によって実際に測定する手順を説明した説明図
、第３図はセンサ素子と感度特性の関係を示す説明図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は基準ノゞ−タ引算回路に於
ける処理を説明するための説明図、第５図は欠陥が検出
される原理を説明する為の特性図、第６図はＡＤ変換回
路の具体的構成例を示す回路図、第７図はテーブルの移
動速度による位置ずれを説明する説明図、第８図はデー
プルの移動速度による位置ずれを補正する回路の具体例
を示す伸］路図である。 ５・・・ダイオードラインセンサ、８・・・テーブル、
９・・・ＡＤ変換回路、１０・・・位置計算回路、１１
・・・比較利足回路、１３・・・基準データ計算回路、
６１・・・ＡＤ変換器、６４・・・乗菊器、６６・・・
係数メモリ、８４・・・加算器。 第２図 第３図 第４図 第５図 ｔｅ） 第６図 第７図
図の装置によって実際に測定する手順を説明した説明図
、第３図はセンサ素子と感度特性の関係を示す説明図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は基準ノゞ−タ引算回路に於
ける処理を説明するための説明図、第５図は欠陥が検出
される原理を説明する為の特性図、第６図はＡＤ変換回
路の具体的構成例を示す回路図、第７図はテーブルの移
動速度による位置ずれを説明する説明図、第８図はデー
プルの移動速度による位置ずれを補正する回路の具体例
を示す伸］路図である。 ５・・・ダイオードラインセンサ、８・・・テーブル、
９・・・ＡＤ変換回路、１０・・・位置計算回路、１１
・・・比較利足回路、１３・・・基準データ計算回路、
６１・・・ＡＤ変換器、６４・・・乗菊器、６６・・・
係数メモリ、８４・・・加算器。 第２図 第３図 第４図 第５図 ｔｅ） 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）マスクをのせたテーブルを連続的に移動し、該テ
ーブルの移動方向とほぼ直角方向にパターンを走査して
前記マスクのパターンを測定する測定機構と、測定され
たアナログ信号を基準クロックに同期してディジタル値
の測定）−夕に変換するＡＤ変換回路と、テーブルの位
置を測定し、前記測定データのマスク面上の測定位置を
決定−ケる位置計算回路と、設計パターンデータと前ｉ
′１１シ叫′７１工位ＩＦ（および測定機構における被
測定パターン上の微小領域における感度特性を表わすデ
ータから）・（準データを計算する基準データ泪３う回
路と、前記測定データと基７１４ ｆ−夕を比較してマ
スクパターンの異常を判定する比較判定回路を設けたこ
とを特徴とするパターン検査装置。 （２）マスクパターンのｔ相定＋幾構をダイオードライ
ンセンサを１１Ｌ気的に走査する構造のものとし、上記
基準データ計算回路で使用する感度特性をテーブルの移
ψｂ方向へその移動速度に応じて伸張したものとした上
記特許請求の範囲第１項記載のパターン検査装置。 ＋３） ＡＤ変換回路は、入力アナログ（１号をＡＤ変
換し、その後走査位１−：に対応した係数を乗じて出力
値とする構造とした上記特許請求の範囲第１項記載のパ
ターン検査装置。 （４）位置計算回路において、テーブル移動方向の測定
位置は、走査開始時のテーブル位置から請出された走査
開始位置に対して走査位置の移動にしたがってテーブル
の移動速度に対応した一定値ずつ加算または減算するも
のとした上記特許請求の範囲第１項記載のパターン検査
装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP57173980A JPS5963725A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | パタ−ン検査装置 |
| DE8383305534T DE3368349D1 (en) | 1982-10-05 | 1983-09-20 | Apparatus for inspecting a circuit pattern drawn on a photomask used in manufacturing large scale integrated circuits |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP57173980A JPS5963725A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | パタ−ン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=15970570
Family Applications (1)
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