KR102082583B1 - 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 배선 패턴 형성 시스템, 검사 장치, 데이터 보정 방법 및 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

데이터 보정 장치, 묘화 장치, 배선 패턴 형성 시스템, 검사 장치, 데이터 보정 방법 및 배선 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기판 (9) 의 막 (8) 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 (710) 사이의 폭을 마스크 갭 폭 (G) 으로 하여, 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 막에 형성되는 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 사이의 상면 갭 폭 (GT) 과, 하면 사이의 하면 갭 폭 (GB) 의 관계를 나타내는 참조 정보가, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 준비된다. 복수의 마스크 갭 폭이 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭이 실시된 처리가 끝난 기판에 있어서, 각 패턴 요소 페어의 상면 갭 폭의 측정치가 취득된다. 당해 측정치를 사용하여 참조 정보를 참조함으로써, 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 하면 갭 폭의 값이 취득되고, 당해 값에 기초하여 막의 패턴의 설계 데이터가 보정된다. 이로써, 막의 패턴의 하면을 기준으로 하는 설계 데이터의 보정이 용이하게 실현된다.

Description

데이터 보정 장치, 묘화 장치, 배선 패턴 형성 시스템, 검사 장치, 데이터 보정 방법 및 배선 기판의 제조 방법
본 발명은, 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 배선 패턴 형성 시스템, 검사 장치, 데이터 보정 방법 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 프린트 기판 (이하, 간단히 「기판」이라고 한다) 의 제조 공정에서는, 기판에 대해 여러 가지 처리가 실시된다. 예를 들어, 구리 등의 도체막이 형성된 기판의 표면 상에 레지스트의 패턴을 형성하고, 에칭을 실시함으로써, 기판 상에 당해 도체막의 패턴 (배선 패턴) 이 형성된다. 에칭에서는, 패턴 요소의 배치의 조밀 (粗密) 등에 의해서, 기판 상에 형성된 패턴의 형상이 설계 데이터와 상이한 경우가 있다. 그래서, 일본 공개특허공보 2001-230323호 및 일본 공개특허공보 2005-202949호에서는, 수치 시뮬레이션에 의해, 배선의 마무리폭을 산출하여, 설계 데이터의 보정을 실시하는 수법이 개시되어 있다.
그런데, 기판 상에 형성되는 도체막의 패턴 요소에서는, 그 단면 형상이 사다리꼴이 되는 것이 알려져 있다. 패턴 요소의 상면의 화상은 용이하게 취득할 수 있기 때문에, 당해 상면의 형상도 당해 화상을 사용하여 용이하게 측정하는 것이 가능하다. 한편, 패턴 요소의 끝부분으로부터 얻어지는 광 (조명광의 반사광) 의 양은 충분하지 않기 때문에, 패턴 요소의 하면의 형상의 측정은 용이하지는 않다. 따라서, 도체막의 패턴의 하면을 기준으로 하는 설계 데이터의 보정이나, 도체막의 패턴의 하면을 기준으로 하는 검사를 실시하는 것이 곤란하게 되어 있다.
본 발명은, 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성되는 패턴의 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정 장치에 관한 것이다.
본 발명에 관련된 데이터 보정 장치는, 도체막이 형성된 기판 상에 소정 조건의 에칭에 의해 형성되는 상기 도체막의 패턴의 설계 데이터를 기억하는 설계 데이터 기억부와, 기판의 도체막 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 사이의 간극의 폭을 마스크 갭 폭으로 하여, 상기 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 상기 도체막에 형성되는 패턴 요소 페어의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭과, 상기 패턴 요소 페어의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭의 관계를 나타내는 참조 정보를, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 기억하는 참조 정보 기억부와, 상기 복수의 마스크 갭 폭이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 상기 소정 조건의 에칭이 실시된 처리가 끝난 기판에 있어서, 상기 복수의 마스크 요소 페어에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 각각의 상면 갭 폭의 측정치가 취득되어 있고, 상기 측정치를 사용하여 상기 참조 정보를 참조함으로써, 상기 처리가 끝난 기판에 대해, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값을 취득하는 하면 갭 폭 취득부와, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정부를 구비하고, 상기 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 관하여, 상기 도체막이 상기 기판의 표면까지 에칭된 상태로부터, 상기 도체막이 상기 표면을 따라 에칭될 때의 패턴 요소 페어의 형상의 변화를 시간의 다항식으로 정식화하고, 상기 다항식의 계수를, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정함으로써, 상기 참조 정보가 취득된다.
상기 데이터 보정 장치에서는, 도체막의 패턴의 하면을 기준으로 하는 설계 데이터의 보정을 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 상기 처리가 끝난 기판 상의 복수의 대상 위치의 각각에 있어서, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어가 형성되어 있고, 상기 하면 갭 폭 취득부가, 각 마스크 갭 폭에 관하여, 동일한 참조 정보를 참조함으로써, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값을 취득하고, 상기 데이터 보정부가, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터를 보정한다.
본 발명은, 기판 상에 패턴을 묘화하는 묘화 장치에 관한 것이기도 하다. 본 발명에 관련된 묘화 장치는, 상기 데이터 보정 장치와, 광원과, 상기 데이터 보정 장치에 의해 보정된 설계 데이터에 기초하여 상기 광원으로부터의 광을 변조하는 광변조부와, 상기 광변조부에 의해 변조된 광을 기판 상에서 주사하는 주사 기구를 구비한다.
본 발명은, 배선 패턴 형성 시스템에 관한 것이기도 하다. 본 발명에 관련된 배선 패턴 형성 시스템은, 상기 데이터 보정 장치와, 상기 데이터 보정 장치에 의해 보정된 설계 데이터에 기초하여, 기판 상에 배선 패턴을 형성하는 배선 패턴 형성 수단을 구비한다.
본 발명은, 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성된 패턴을 검사하는 검사 장치에 관한 것이기도 하다. 본 발명에 관련된 검사 장치는, 도체막이 형성된 기판 상에 에칭에 의해 형성되는 상기 도체막의 패턴의 설계 데이터를 기억하는 설계 데이터 기억부와, 기판의 도체막 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 사이의 간극의 폭을 마스크 갭 폭으로 하여, 상기 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 상기 도체막에 형성되는 패턴 요소 페어의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭과, 상기 패턴 요소 페어의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭의 관계를 나타내는 참조 정보를, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 기억하는 참조 정보 기억부와, 상기 설계 데이터에 기초하여 형성된 마스크 패턴을 사용한 에칭에 의해, 대상 기판 상에 형성된 패턴의 상면의 화상 데이터인 검사 화상 데이터를 기억하는 실화상 기억부와, 상기 대상 기판에 있어서, 상기 복수의 마스크 갭 폭이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 복수의 패턴 요소 페어가 형성되어 있고, 상기 검사 화상 데이터에 기초하여, 상기 복수의 패턴 요소 페어 각각의 상면 갭 폭의 측정치를 취득하는 상면 갭 폭 취득부와, 상기 대상 기판 상의 패턴의 각 패턴 요소에 대해, 상기 설계 데이터로부터 특정되는 마스크 갭 폭의 상기 참조 정보를, 상기 마스크 갭 폭에 대한 상기 측정치를 사용하여 참조함으로써, 상기 검사 화상 데이터가 나타내는 패턴으로부터 상기 대상 기판 상의 상기 패턴의 하면의 형상을 취득하는 데이터 보정부와, 상기 데이터 보정부에 의해 취득된 상기 패턴의 하면의 형상에 기초하여, 상기 대상 기판 상의 상기 패턴의 결함을 검출하는 결함 검출부를 구비하고, 상기 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 관하여, 상기 도체막이 상기 기판의 표면까지 에칭된 상태로부터, 상기 도체막이 상기 표면을 따라 에칭될 때의 패턴 요소 페어의 형상의 변화를 시간의 다항식으로 정식화하고, 상기 다항식의 계수를, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정함으로써, 상기 참조 정보가 취득된다.
상기 검사 장치에서는, 도체막의 패턴의 하면을 기준으로 하는 검사를 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명은, 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성되는 패턴의 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정 방법, 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이기도 하다.
상기 서술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 실시하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 분명해진다.
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 배선 패턴 형성 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2 는 배선 기판을 제조하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 3 은 묘화 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는 데이터 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5 는 데이터 처리 장치의 기능을 나타내는 블록도이다.
도 6a 는 기판에 대한 에칭을 설명하기 위한 도면이다.
도 6b 는 기판에 대한 에칭을 설명하기 위한 도면이다.
도 6c 는 기판에 대한 에칭을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은 묘화 장치에 의한 묘화의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 8 은 처리가 끝난 기판의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이다.
도 9 는 처리가 끝난 기판 상의 패턴 요소 페어를 나타내는 단면도이다.
도 10 은 참조 정보를 나타내는 도면이다.
도 11 은 처리가 끝난 기판 상의 복수의 대상 위치를 나타내는 도면이다.
도 12 는 제 2 실시형태에 관련된 검사 장치의 기능을 나타내는 블록도이다.
도 13 은 검사 장치에 의한 검사의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 배선 패턴 형성 시스템 (10) 의 구성을 나타내는 블록도이다. 배선 패턴 형성 시스템 (10) 은, 기판에 배선 패턴을 형성하여 배선 기판을 제조하는 것이다. 배선 패턴 형성 시스템 (10) 은 묘화 데이터 작성 수단 (11) 과, 묘화 수단 (12) 과, 현상 수단 (13) 과, 배선 패턴 형성 수단 (14) 과, 검사 수단 (15) 과, 보정 수단 (16) 을 구비한다. 도 1 에서는, 배선 패턴 형성 시스템 (10) 의 외부에 형성되는 설계 데이터 작성 수단 (19) 도 도시하고 있다.
도 2 는, 배선 패턴 형성 시스템 (10) 이 배선 기판을 제조하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 배선 기판의 제조에서는, 원하는 배선 패턴을 나타내는 설계 데이터 (CAD 데이터) 가, 설계 데이터 작성 수단 (19) 에 의해 작성되고 (스텝 S1), 묘화 데이터 작성 수단 (11) 에 출력된다. 묘화 데이터 작성 수단 (11) 은, 예를 들어, 컴퓨터에 의해 실현되고, 벡터 데이터인 설계 데이터가 래스터 데이터인 묘화 데이터로 변환된다. 즉, 묘화 데이터가 작성된다 (스텝 S2).
묘화 수단 (12) 은, 마스크를 이용하지 않고 노광 패턴을 직접적으로 형성하는 다이렉트 노광 장치 (묘화 장치) 이며, 배선 기판이 될 예정인 기판이 유지되어 있다. 기판의 절연층 표면에는, 배선 형성용의 도체막이 형성되고, 당해 도체막 상에는 레지스트막이 형성되어 있다. 묘화 수단 (12) 에서는, 묘화 데이터에 기초하여, 감광성의 레지스트막에 자외선 등을 조사함으로써, 당해 레지스트막에 패턴이 묘화 (노광) 된다 (스텝 S3).
패턴의 묘화가 완료되면, 기판은, 현상 장치인 현상 수단 (13) 으로 반송된다. 현상 수단 (13) 에서는, 노광 후의 레지스트막에 현상액을 분사하는 현상 공정이 실시된다 (스텝 S4). 현상 공정에 의해, 레지스트막의 불요 영역이 제거되고, 레지스트의 패턴 (현상 패턴) 이 형성된다. 에칭 장치인 배선 패턴 형성 수단 (14) 에서는, 현상 공정 후의 기판에 대해 에칭이 실시된다. 이로써, 레지스트의 패턴에 덮여 있지 않은, 즉, 레지스트의 패턴으로부터 노출되는 도체막의 부분이 제거된다 (깎인다). 그 후, 레지스트 박리를 실시함으로써, 레지스트의 패턴이 제거된다. 이와 같이 하여, 도체막의 패턴인 배선 패턴이 기판 상에 형성된다 (스텝 S5).
배선 패턴이 형성된 기판, 즉, 배선 기판은, 검사 장치인 검사 수단 (15) 으로 반송되어, 배선 패턴이 검사된다 (스텝 S6). 실제로는, 설계 데이터가 나타내는 패턴은, 배선 패턴 이외에, 소정의 테스트 패턴을 포함하고 있어, 기판 상에 형성된 테스트 패턴의 검사 결과가, 보정 수단 (16) 에 출력된다. 보정 수단 (16) 은, 예를 들어, 컴퓨터에 의해 실현되며, 기판 상의 테스트 패턴의 검사 결과와, 설계 데이터가 나타내는 테스트 패턴의 차이 등에 기초하여, 설계 데이터가 보정된다 (스텝 S7). 이 때, 설계 데이터에 있어서 배선 패턴의 형상은 보정되고, 테스트 패턴의 형상은 보정되지 않는다. 보정된 설계 데이터는, 다음 기판에 묘화해야 하는 패턴을 나타내는 것으로 하여, 묘화 데이터 작성 수단 (11) 에 출력된다.
묘화 데이터 작성 수단 (11) 에서는, 보정된 설계 데이터로부터 묘화 데이터가 작성되고 (스텝 S2), 상기와 동일한 조건에서, 묘화 공정, 현상 공정 및 배선 패턴 형성 공정이 실시된다 (스텝 S3 ∼ S5). 즉, 보정된 설계 데이터에 기초하여, 기판 상에 배선 패턴이 형성된다. 이로써, 설계 데이터 작성 수단 (19) 에 의해 작성된 설계 데이터, 즉, 원래의 설계 데이터 (보정되지 않은 설계 데이터) 가 나타내는 배선 패턴에 근사한 배선 패턴을 갖는 배선 기판이 제조된다. 배선 패턴 형성 시스템 (10) 에서는, 배선 기판이 제조될 때마다, 검사 공정 및 검사 결과에 기초하는 설계 데이터의 보정 (원래의 설계 데이터에 대한 보정) 이 실시되고 (스텝 S6, S7), 보정된 설계 데이터가, 다음 기판에 대한 배선 패턴의 형성에 이용된다 (스텝 S2 ∼ S5). 또한, 설계 데이터의 보정은, 소정 수의 배선 기판의 제조마다, 미리 정해진 기간마다 등, 임의로 결정된 간격으로 실시되어도 된다.
도 3 은, 상기 묘화 데이터 작성 수단 (11), 묘화 수단 (12) 및 보정 수단 (16) 의 일례를 포함하는 묘화 장치 (1) 의 구성을 나타내는 도면이다. 묘화 장치 (1) 는, 기판 (9) 의 표면에 형성된 감광 재료인 레지스트막에 광을 조사함으로써, 레지스트막 상에 패턴의 화상을 직접적으로 묘화하는 직묘 장치이다. 묘화 장치 (1) 에 의해 패턴이 묘화된 기판 (9) 에는, 각종 장치에서 현상, 에칭이 실시된다 (도 1 참조). 이로써, 기판 (9) 상에 패턴이 형성된다. 기판 (9) 에 대한 에칭은, 예를 들어, 기판 (9) 에 대해 에칭액을 부여함으로써 실시되는 웨트 에칭이다.
묘화 장치 (1) 는 데이터 처리 장치 (2) 와, 노광 장치 (3) 를 구비한다. 데이터 처리 장치 (2) 는, 기판 (9) 상에 묘화되는 패턴의 설계 데이터를 보정하고, 묘화 데이터를 생성한다. 노광 장치 (3) 는, 데이터 처리 장치 (2) 로부터 보내어진 묘화 데이터에 기초하여 기판 (9) 에 대한 묘화 (즉, 노광) 를 실시한다. 데이터 처리 장치 (2) 와 노광 장치 (3) 는, 양 장치 간의 데이터의 수수가 가능하면, 물리적으로 이간되어 있어도 되고, 물론 일체적으로 형성되어도 된다.
도 4 는, 데이터 처리 장치 (2) 의 구성을 나타내는 도면이다. 데이터 처리 장치 (2) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU (201) 와, 기본 프로그램을 기억하는 ROM (202) 과, 각종 정보를 기억하는 RAM (203) 을 포함하는 일반적인 컴퓨터 시스템의 구성으로 되어 있다. 데이터 처리 장치 (2) 는, 정보 기억을 실시하는 고정 디스크 (204) 와, 화상 등의 각종 정보의 표시를 실시하는 디스플레이 (205) 와, 조작자로부터의 입력을 받아들이는 키보드 (206a) 및 마우스 (206b) 와, 광 디스크, 자기 디스크, 광자기 디스크 등의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 (R1) 로부터 정보의 판독 및 기록을 실시하는 판독/기록 장치 (207) 와, 묘화 장치 (1) 의 다른 구성 등과의 사이에서 신호를 송수신하는 통신부 (208) 를 추가로 포함한다.
데이터 처리 장치 (2) 에서는, 사전에 판독/기록 장치 (207) 를 통하여 기록 매체 (R1) 로부터 프로그램 (R2) 이 판독 출력되어 고정 디스크 (204) 에 기억되어 있다. CPU (201) 는, 프로그램 (R2) 에 따라 RAM (203) 이나 고정 디스크 (204) 를 이용하면서 연산 처리를 실행함으로써 (즉, 컴퓨터가 프로그램을 실행함으로써), 후술하는 기능을 실현한다.
도 5 는, 데이터 처리 장치 (2) 의 기능을 나타내는 블록도이다. 도 5 에서는, 데이터 처리 장치 (2) 에 접속되는 노광 장치 (3) 의 구성의 일부 (묘화 컨트롤러 (31)), 및 외부의 검사 장치 (4) 를 아울러 나타낸다. 데이터 처리 장치 (2) 는 데이터 보정 장치 (21) 와, 데이터 변환부 (22) 를 구비한다. 데이터 보정 장치 (21) 는, 기판 (9) 상에 에칭에 의해 형성되는 패턴의 설계 데이터를 보정한다. 데이터 보정 장치 (21) 는 설계 데이터 기억부 (211) 와, 참조 정보 생성부 (212) 와, 참조 정보 기억부 (213) 와, 하면 에칭량 취득부 (214) 와, 데이터 보정부 (216) 를 구비한다. 데이터 변환부 (22) 에는, 데이터 보정 장치 (21) 에 의해 보정된 설계 데이터 (이하, 「보정이 끝난 데이터」라고 한다) 가 입력된다. 보정이 끝난 데이터는, 통상적으로, 폴리곤 등의 벡터 데이터이다. 데이터 변환부 (22) 는, 벡터 데이터인 보정이 끝난 데이터를 래스터 데이터인 묘화 데이터로 변환한다. 데이터 처리 장치 (2) 의 기능은 전용의 전기적 회로에 의해 실현되어도 되고, 부분적으로 전용의 전기적 회로가 사용되어도 된다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 노광 장치 (3) 는 묘화 컨트롤러 (31) 와, 스테이지 (32) 와, 광출사부 (33) 와, 주사 기구 (35) 를 구비한다. 묘화 컨트롤러 (31) 는, 광출사부 (33) 및 주사 기구 (35) 를 제어한다. 스테이지 (32) 는, 광출사부 (33) 의 하방에서 기판 (9) 을 유지한다. 광출사부 (33) 는 광원 (331) 과, 광변조부 (332) 를 구비한다. 광원 (331) 은, 광변조부 (332) 를 향하여 레이저광을 출사한다. 광변조부 (332) 는, 광원 (331) 으로부터의 광을 변조한다. 광변조부 (332) 에 의해 변조된 광은, 스테이지 (32) 상의 기판 (9) 에 조사된다. 광변조부 (332) 로는, 예를 들어, 복수의 광변조 소자가 2 차원으로 배열된 DMD (디지털 미러 디바이스) 가 이용된다. 광변조부 (332) 는, 복수의 광변조 소자가 1 차원으로 배열된 변조기 등이어도 된다.
주사 기구 (35) 는, 스테이지 (32) 를 수평 방향으로 이동시킨다. 구체적으로는, 주사 기구 (35) 에 의해, 스테이지 (32) 가 주(主)주사 방향, 및 주주사 방향에 수직인 부(副)주사 방향으로 이동된다. 이로써, 광변조부 (332) 에 의해 변조된 광이, 기판 (9) 상에서 주주사 방향 및 부주사 방향으로 주사된다. 노광 장치 (3) 에서는, 스테이지 (32) 를 수평으로 회전시키는 회전 기구가 형성되어도 된다. 또, 광출사부 (33) 를 상하 방향으로 이동시키는 승강 기구가 형성되어도 된다. 주사 기구 (35) 는, 광출사부 (33) 로부터의 광을 기판 (9) 상에서 주사할 수 있는 것이라면, 반드시 스테이지 (32) 를 이동시키는 기구일 필요는 없다. 예를 들어, 주사 기구 (35) 에 의해, 광출사부 (33) 가 스테이지 (32) 의 상방에서 주주사 방향 및 부주사 방향으로 이동되어도 된다.
여기에서, 기판 (9) 에 대한 에칭에 대하여 설명한다. 도 6a 내지 도 6c 는, 기판 (9) 에 대한 에칭을 설명하기 위한 도면이며, 기판 (9) 의 단면도이다. 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 기판 (9) 에 대한 에칭을 실시할 때에는, 사전에, 금속 (예를 들어 구리) 등의 도전성 재료로 형성된 도체막 (8) 이 기판 (9) 의 주면에 형성되고, 레지스트 재료에 의한 마스크 패턴 (71) 이 도체막 (8) 상에 형성된다. 기판 (9) 의 주면은, 예를 들어 기판 (9) 에 형성된 절연층 (기판 (9) 자체여도 된다) 의 표면이다. 도체막 (8) 및 마스크 패턴 (71) 의 두께는 미리 결정된다. 마스크 패턴 (71) 은, 복수의 마스크 요소 (711) 의 집합이다.
계속해서, 기판 (9) 에 대해, 에칭액을 이용하는 웨트 에칭이 실시된다. 이 때, 기판 (9) (의 절연층) 및 마스크 패턴 (71) 은 에칭액에 의해 에칭되지 않는다. 따라서, 도 6b 에 나타내는 바와 같이, 마스크 요소 (711) 에 의해 덮여 있지 않은 도체막 (8) 의 상면의 영역이 에칭에 의해 제거된다.
에칭액에 의한 도체막 (8) 의 제거는, 마스크 요소 (711) 에 의해 덮여 있지 않은 도체막 (8) 의 상면의 영역에서부터, 대략 등방적으로 진행되며, 도 6c 에 나타내는 바와 같이, 마스크 요소 (711) 와 기판 (9) 사이의 영역에까지 이른다. 그 결과, 각 마스크 요소 (711) 를 사용하여 도체막 (8) 에 형성되는 패턴 요소 (811) 에서는, 당해 마스크 요소 (711) 에 접하는 상면의 폭이, 기판 (9) 에 접하는 하면의 폭보다 좁아진다. 즉, 패턴 요소 (811) 의 단면 형상이 사다리꼴이 된다. 도 6c 에서는, 단면 형상이 사다리꼴이 되는 각 패턴 요소 (811) 의 편측의 측벽 근방만을 나타내고 있다. 마스크 패턴 (71) 에 포함되는 복수의 마스크 요소 (711) 에 대응하는 복수의 패턴 요소 (811) 는 서로 분리되어 있으며, 복수의 패턴 요소 (811) 의 집합이 도체막 (8) 의 패턴이 된다.
다음으로, 도 7 을 참조하면서, 묘화 장치 (1) 에 의한 묘화의 흐름에 대하여 설명한다. 먼저, 데이터 보정 장치 (21) 에서는, 후술하는 처리에서 이용되는 참조 정보가 참조 정보 기억부 (213) 에 기억됨으로써 준비된다 (스텝 S11). 참조 정보의 상세한 내용에 대해서는 후술한다. 또, 기판 (9) 상에 에칭에 의해 형성될 예정인 패턴의 설계 데이터가, 데이터 보정 장치 (21) 에 입력되고, 설계 데이터 기억부 (211) 에 기억됨으로써 준비된다 (스텝 S12).
계속해서, 노광 장치 (3) 에 의해 설계 데이터가 나타내는 패턴이 레지스트막에 묘화되고, 추가로, 현상, 에칭, 레지스트 박리 등의 처리가 실시된 기판 (9) (이하, 「처리가 끝난 기판 (9)」이라고 한다) 이 준비된다. 처리가 끝난 기판 (9) 은, 후술하는 스텝 S17 에 있어서의 묘화가 실시되는 기판 (9) 과 동일한 형상 및 크기이다. 설계 데이터가 나타내는 패턴은, 기판 (9) 상에 형성해야 하는 배선 패턴 이외에, 테스트 패턴을 포함한다.
도 8 은, 처리가 끝난 기판 (9) 의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이며, 테스트 패턴의 영역을 나타내고 있다. 테스트 패턴을 나타내는 복수의 패턴 요소 (811) 의 각각은, 일 방향으로 신장되는 대략 직선상이다. 도 8 에 나타내는 복수의 패턴 요소 (811) 중 서로 인접하는 2 개의 패턴 요소 (811) 를 패턴 요소 페어 (810) 로 하여, 처리가 끝난 기판 (9) 에서는, 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 형성된다.
도 9 는, 처리가 끝난 기판 (9) 상의 하나의 패턴 요소 페어 (810) 를 나타내는 도면이며, 패턴 요소 (811) 의 길이 방향에 수직인 단면을 나타내고 있다. 또, 도 9 에서는, 패턴 요소 페어 (810) 의 2 개의 패턴 요소 (811) 의 형성에 사용되는 2 개의 마스크 요소 (711) 를 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 이하의 설명에서는, 각 패턴 요소 페어 (810) 에 대응하는 2 개의 마스크 요소 (711) 를 「마스크 요소 페어 (710)」라고 부른다.
처리가 끝난 기판 (9) 에 있어서의 복수의 패턴 요소 페어 (810) 는, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 를 각각 사용하여 에칭에 의해 형성된다. 구체적으로는, 먼저, 노광 장치 (3) 에 의한 레지스트막에 대한 묘화, 및 레지스트막의 현상에 의해, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 가 형성된다. 각 마스크 요소 페어 (710) 에 포함되는 2 개의 마스크 요소 (711) 는, 도체막 (8) 상에서 서로 인접한다. 마스크 요소 페어 (710) 의 2 개의 마스크 요소 (711) 사이의 간극의 폭 (G) 을 마스크 갭 폭 (G) 으로 하면, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 에서는, 서로 상이한 복수의 마스크 갭 폭 (G) 이 각각 설정된다. 그리고, 에칭액의 종류, 농도, 온도나, 처리 시간 등을 소정의 설정 조건으로 한 에칭에 의해, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 를 사용하여, 도체막 (8) 의 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 형성된다. 처리가 끝난 기판 (9) 에서는, 레지스트 박리에 의해 복수의 마스크 요소 (711) 는 제거되어 있다.
이미 서술한 바와 같이, 각 마스크 요소 (711) 를 사용하여 도체막 (8) 에 형성되는 패턴 요소 (811) 에서는, 당해 마스크 요소 (711) 에 접하는 상면의 폭이, 기판 (9) 에 접하는 하면의 폭보다 좁아진다. 이하의 설명에서는, 마스크 요소 페어 (710) 에 포함되는 각 마스크 요소 (711) 에 있어서, 마스크 갭 폭 (G) 을 규정하는 에지에서부터, 당해 마스크 요소 (711) 에 대응하는 패턴 요소 (811) 의 상면의 에지까지의 거리 (패턴 요소 (811) 의 길이 방향에 수직이면서 또한 기판 (9) 의 주면을 따르는 방향의 거리) 를 「상면 에칭량 (ET)」이라고 부르고, 패턴 요소 (811) 의 하면의 에지까지의 거리를 「하면 에칭량 (EB)」이라고 부른다. 상면 에칭량 (ET) 및 하면 에칭량 (EB) 은, 마스크 갭 폭 (G) 에 따라 변화한다.
묘화 장치 (1) 의 외부에 형성되는 검사 장치 (4) 에서는, 처리가 끝난 기판 (9) 의 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 상면의 화상이 취득되고, 당해 화상에 기초하여, 각 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭 (GT) 이 측정된다. 또한, 검사 장치 (4) 는, 묘화 장치 (1) 에 설치되어도 된다. 각 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치는, 하면 에칭량 취득부 (214) 에 입력된다.
하면 에칭량 취득부 (214) 에서는, 처리가 끝난 기판 (9) 의 패턴의 묘화에 사용한 설계 데이터로부터, 각 패턴 요소 페어 (810) 의 형성에 사용되는 마스크 요소 페어 (710) 의 마스크 갭 폭 (G) 이 특정된다. 그리고, 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치에서 당해 마스크 갭 폭 (G) 을 빼어 얻은 값의 절반이, 상면 에칭량 (ET) 의 측정치로서 취득된다 (스텝 S13). 본 실시형태에서는, 마스크 패턴 (71) 의 각 마스크 요소 (711) 의 위치, 형상, 크기가, 설계 데이터가 나타내는 패턴과 엄밀하게 일치하는 것으로 하고 있다.
여기에서, 스텝 S11 에서 준비되는 이미 서술한 참조 정보에 대하여 설명한다. 도 10 은, 참조 정보의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10 에서는, 에칭에 있어서의 상면 에칭량 (ET) 의 시간의 경과에 따른 변화를 선 L1 로 나타내고, 하면 에칭량 (EB) 의 시간의 경과에 따른 변화를 선 L2 로 나타내고 있다. 참조 정보는, 마스크 요소 페어 (710) 를 사용하여 에칭에 의해 도체막 (8) 에 형성되는 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 에칭량 (ET) 과 하면 에칭량 (EB) 의 관계를 실질적으로 나타낸다. 상면 에칭량 (ET) 은 에칭 개시 시각으로부터 처리 시간의 경과에 따라 점차 증대된다. 에칭 개시 시각으로부터 소정 시간 경과한 시각에 있어서 에칭액이 기판 (9) 의 표면에 도달하고 (도 6b 중에서 이점 쇄선으로 나타내는 도체막 (8) 의 형상 E2 참조), 하면 에칭량 (EB) 이 당해 시각으로부터 처리 시간의 경과에 따라 점차 증대된다. 또한, 도 9 의 좌우 방향에 관하여, 패턴 요소 (811) 의 하면의 에지가 마스크 요소 페어 (710) 사이에 위치하는 경우에 하면 에칭량 (EB) 은 부 (負) 의 값이 되고, 당해 에지가 마스크 요소 (711) 의 하방에 위치하는 경우에 하면 에칭량 (EB) 은 정 (正) 의 값이 된다. 참조 정보는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 대해 생성된다. 참조 정보를 생성하는 처리에 대해서는 후술한다.
하면 에칭량 취득부 (214) 에서는, 예를 들어, 하나의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치가 D1 인 경우, 도 10 중에서 상면 에칭량 (ET) 의 변화를 나타내는 선 L1 이 거리 D1 이 되는 처리 시간 T1 이 특정된다. 그리고, 하면 에칭량 (EB) 의 변화를 나타내는 선 L2 에 있어서 처리 시간 T1 에 있어서의 거리 D2 가 하면 에칭량 (EB) 의 값으로서 취득된다. 이와 같이 하여, 각 마스크 갭 폭 (G) 의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치를 사용하여 참조 정보를 참조함으로써, 처리가 끝난 기판 (9) 에 대해, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득된다 (스텝 S14). 마스크 갭 폭 (G) 과 하면 에칭량 (EB) 의 관계에서는, 전형적으로는, 마스크 갭 폭 (G) 이 작아짐에 따라 하면 에칭량 (EB) 은 점차 작아지고, 변화율은 점차 증대된다.
데이터 보정부 (216) 에서는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값에 기초하여, 설계 데이터 기억부 (211) 에 기억되는 설계 데이터가 보정되어, 보정이 끝난 데이터가 생성된다 (스텝 S15). 설계 데이터의 보정에서는, 기판 (9) 상의 도체막 (8) 에 대해, 하면 에칭량 (EB) 에 따른 과잉의 (즉, 소망량을 초과하는) 에칭이 실시되는 것이 고려된다. 즉, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값을 참조하여, 에칭 후의 기판 (9) 상의 패턴에 있어서의 각 패턴 요소 (811) 의 하면이 원하는 선폭이나 크기로 형성되도록, 설계 데이터의 배선 패턴에 포함되는 패턴 요소의 선폭이나, 크기를 변경하는 보정이 실시된다. 실제로는, 상기 복수의 마스크 갭 폭 (G) 과는 상이한 갭 폭 (마스크 요소 (711) 의 갭 폭) 의 하면 에칭량 (EB) 의 값은, 각종 보간 연산에 의해 구해져, 갭 폭과 하면 에칭량 (EB) 의 관계를 나타내는 에칭 곡선이 설계 데이터의 보정에 이용된다. 또한, 설계 데이터의 테스트 패턴에 포함되는 패턴 요소의 형상은 변경 (보정) 되지 않는다.
보정이 끝난 데이터는, 데이터 보정부 (216) 에서 데이터 변환부 (22) 로 보내진다. 데이터 변환부 (22) 에서는, 벡터 데이터인 보정이 끝난 데이터가 래스터 데이터인 묘화 데이터로 변환된다 (스텝 S16). 당해 묘화 데이터는, 데이터 변환부 (22) 에서 노광 장치 (3) 의 묘화 컨트롤러 (31) 로 보내진다. 노광 장치 (3) 에서는, 묘화 데이터에 기초하여, 묘화 컨트롤러 (31) 에 의해 광출사부 (33) 의 광변조부 (332) 및 주사 기구 (35) 가 제어됨으로써, 기판 (9) 에 대한 묘화가 실시된다 (스텝 S17). 묘화가 실시된 기판 (9) 에 대해, 현상, 에칭 등의 처리가 실시됨으로써, 배선 패턴 (및 테스트 패턴) 을 나타내는 복수의 패턴 요소 (811) 가 기판 (9) 상에 형성된다.
본 실시형태에서는, 도 7 의 스텝 S13 은, 도 2 의 스텝 S6 의 검사 공정에 대응하고, 스텝 S14, S15 는, 스텝 S7 의 설계 데이터 보정 공정에 대응한다. 또, 스텝 S16 은, 스텝 S2 의 묘화 데이터 작성 공정에 대응하고, 스텝 S17 은, 스텝 S3 의 묘화 공정에 대응한다. 따라서, 도 2 의 스텝 S2 ∼ S7 의 반복에 있어서, 도 7 의 스텝 S13 ∼ S17 이 반복된다. 이 때, 스텝 S17 에서 패턴이 묘화되고, 스텝 S4, S5 를 거쳐 배선 패턴이 형성된 기판 (9) 을 처리가 끝난 기판 (9) 으로 하여, 다른 기판 (9) 에 대한 스텝 S13 ∼ S17 이 실시된다. 또한, 도 7 의 스텝 S11, S12 는, 도 2 의 스텝 S1 에 포함된다.
다음으로, 참조 정보의 생성에 대하여 서술한다. 도체막 (8) 의 에칭에서는, 도체막 (8) 에 있어서 에칭액과 접하는 면인 에칭 계면이, 도 6b 중에 부호 E1 을 붙이는 형상, 부호 E2 를 붙이는 형상을 거쳐, 도 6c 중의 부호 E3 을 붙이는 형상이 된다. 여기에서, 에칭의 개시 (도 6a 참조) 에서부터, 에칭 계면이 기판 (9) 의 표면에 도달한 시점에서의 형상 E2 가 될 때까지의 과정에서는, 에칭이 거의 등방적으로 일정 속도로 진행되고, 에칭 계면이 형상 E2 로부터 형상 E3 이 될 때까지의 과정에서는, 에칭 계면의 형상을 시간에 관한 다항식으로 표현할 수 있다고 가정한다. 이와 같은 가정하에서는, 에칭의 개시에서부터 에칭 계면이 형상 E2 가 될 때까지 필요로 하는 시간은, 실험 등에 의해 미리 구해져 있는 에칭 속도 (즉, 단위 시간당 에칭이 진행되는 거리이며, 에칭 레이트라고도 불린다) 와, 도체막 (8) 의 두께로부터 구해진다. 또, 에칭 계면이 형상 E2 로부터 형상 E3 이 될 때까지의 과정에 있어서의, 상면 에칭량 (ET) 의 시간 변화 ET(t), 및 하면 에칭량 (EB) 의 시간 변화 EB(t) 는, 각각 수학식 1 및 수학식 2 에 의해 표현된다. 수학식 1 및 수학식 2 에 있어서, t 는 에칭 계면이 기판 (9) 의 표면에 도달한 시각으로부터의 시간이다.
(수학식 1)
ET(t) ＝ a0 ＋ a1 * t ＋ a2 * t2 ＋ a3 * t3 ＋ …
(수학식 2)
EB(t) ＝ b0 ＋ b1 * t ＋ b2 * t2 ＋ b3 * t3 ＋ …
에칭 계면이 형상 E2 로부터 형상 E3 이 되는 과정에서는, 에칭에 특이적인 변화는 없다고 생각되기 때문에, 수학식 1 및 수학식 2 에 있어서 시간 t 의 3 차항 이후를 무시하여, 상면 에칭량 (ET) 의 시간 변화 ET(t), 및 하면 에칭량 (EB) 의 시간 변화 EB(t) 를 수학식 3 및 수학식 4 와 같이 모델화 (정식화) 할 수 있다.
(수학식 3)
ET(t) ＝ a0 ＋ a1 * t ＋ a2 * t2
(수학식 4)
EB(t) ＝ b0 ＋ b1 * t ＋ b2 * t2
수학식 3 및 수학식 4 는, 실질적으로는, 에칭에 있어서의 패턴 요소 페어 (810) 의 형상의 변화 (형상 E2 로부터의 변화) 를 정식화한 다항식이다. 참조 정보 생성부 (212) 에서는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 관하여, 수학식 3 및 수학식 4 에 있어서의 계수 a0, a1, a2, b0, b1, b2 가 결정된다. 구체적으로는, 수학식 3 및 수학식 4 에 있어서의 계수 a0, b0 은, t 가 0 인, 즉, 에칭 계면이 기판 (9) 의 표면에 도달한 시점에 있어서의 상면 에칭량 (ET) 및 하면 에칭량 (EB) 이다. t ＝ 0 에 있어서의 상면 에칭량 (ET) (즉, 계수 a0) 은, 이미 서술한 에칭 속도를 사용하여 취득 가능하고, t ＝ 0 에 있어서의 하면 에칭량 (EB) (즉, 계수 b0) 은, (-G/2) 이다. 또, 수학식 3 및 수학식 4 에 있어서의 계수 a1, b1 은, t ＝ 0 에 있어서의 상면 에칭량 (ET) 의 변화량 (ET'(0)), 및 t ＝ 0 에 있어서의 하면 에칭량 (EB) 의 변화량 (EB'(0)) 으로, 여기에서는, 에칭 속도와 동일한 것으로 한다.
수학식 3 및 수학식 4 에 있어서의 계수 a2, b2 는, 에칭이 실시된 테스트 기판을 사용하여 결정된다. 구체적으로는, 테스트 기판의 도체막 (8) 상에는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어 (710) 가 형성되고, 당해 복수의 마스크 요소 페어 (710) 를 사용하여, 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 에칭에 의해 형성된다. 테스트 기판은, 상기 서술한 기판 (9) 과 형상 및 사이즈가 동일한 것이 바람직하다. 에칭에 있어서의 에칭액의 종류, 농도, 온도나, 처리 시간은, 상기 서술한 처리가 끝난 기판 (9) 에 대한 처리와 동일하다. 테스트 기판의 에칭의 처리 시간은, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 적절히 형성되는 범위 내에서 변경되어도 된다.
그 후, 검사 장치 (4) 에 있어서 테스트 기판 상의 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) (도 9 참조) 이 측정된다. 또, 각 패턴 요소 페어 (810) 의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭 (GB) 도 측정된다. 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) 및 하면 갭 폭 (GB) 의 측정치, 즉, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 상면 갭 폭 (GT) 및 하면 갭 폭 (GB) 의 측정치는, 테스트 기판의 에칭의 처리 시간과 함께 참조 정보 생성부 (212) 에 입력된다. 또한, 하면 갭 폭 (GB) (및 상면 갭 폭 (GT)) 은, 현미경 등을 이용하여 측정되어도 된다.
이미 서술한 바와 같이, 에칭의 개시에서부터 에칭 계면이 기판 (9) 의 표면에 도달할 때까지의 시간 (에칭 계면이 형상 E2 가 될 때까지의 시간) 을 Tm 으로 하면, 수학식 3 및 수학식 4 는, 에칭의 개시에서부터 시간 Tm 이 경과한 후에 있어서의 상면 에칭량 (ET) 의 시간 변화 ET(t), 및 하면 에칭량 (EB) 의 시간 변화 EB(t) 를 나타낸다. 또, 시간 Tm 은, 에칭 속도와 도체막 (8) 의 두께로부터 구해진다. 또한, 참조 정보 생성부 (212) 에서는, 각 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 상면 갭 폭 (GT) 및 하면 갭 폭 (GB) 의 측정치로부터, 상면 에칭량 (ET) 및 하면 에칭량 (EB) 의 값 (측정치) 이 구해진다. 따라서, 계수 a0, a1 이 결정된 수학식 3 에 있어서, 테스트 기판의 에칭의 처리 시간에서 시간 Tm 을 빼어 얻어지는 값을 t 에, 상면 에칭량 (ET) 의 측정치를 ET(t) 에 각각 대입함으로써, 계수 a2 가 구해진다. 마찬가지로, 계수 b0, b1 이 결정된 수학식 4 에 있어서, 테스트 기판의 에칭의 처리 시간에서 시간 Tm 을 빼어 얻어지는 값을 t 에, 하면 에칭량 (EB) 의 측정치를 EB(t) 에 각각 대입함으로써, 계수 b2 가 구해진다.
참조 정보 생성부 (212) 에서는, 각 마스크 갭 폭 (G) 에 대해, 수학식 3 및 수학식 4 에 있어서의 계수 a0, a1, a2, b0, b1, b2 를 결정함으로써, 에칭에 있어서의 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 에칭량 (ET) 의 시간의 경과에 따른 변화와, 하면 에칭량 (EB) 의 시간의 경과에 따른 변화를 나타내는 참조 정보 (도 10 참조) 가 취득된다. 참조 정보는, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 에칭량 (ET) 과 하면 에칭량 (EB) 의 관계를 실질적으로 나타낸다. 참조 정보는, 데이터 보정 장치 (21) 의 외부의 컴퓨터에서 생성되어 참조 정보 기억부 (213) 에 입력되어도 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 데이터 보정 장치 (21) 에서는, 참조 정보 기억부 (213) 에 있어서, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 에칭량 (ET) 과, 하면 에칭량 (EB) 의 관계를 나타내는 참조 정보가, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 대해 기억된다. 또, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어 (710) 를 사용하여 에칭이 실시된 처리가 끝난 기판 (9) 에 있어서, 복수의 마스크 요소 페어 (710) 에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 각각의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치가 취득된다. 그리고, 당해 측정치를 사용하여 참조 정보를 참조함으로써, 처리가 끝난 기판 (9) 에 대해 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득되어, 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값에 기초하여 설계 데이터가 보정된다. 이로써, 도체막 (8) 의 패턴의 하면을 기준으로 하는 설계 데이터의 보정을 용이하게 실시할 수 있다.
또, 참조 정보를 취득할 때에는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 관하여, 도체막 (8) 이 기판 (9) 의 표면까지 에칭된 상태 (즉, 에칭 계면이 기판 (9) 의 표면에 도달한 시점의 상태) 로부터, 도체막 (8) 이 당해 표면을 따라 에칭될 때의 패턴 요소 페어 (810) 의 형상의 변화가 시간의 다항식으로 정식화된다. 그리고, 당해 다항식의 계수가, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어 (810) 의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정된다. 이로써, 참조 정보를 용이하게 취득할 수 있다. 또한, 설계 데이터에 기초하여 패턴이 형성된 처리가 끝난 기판 (9) 이, 테스트 기판으로서 취급되어도 된다.
이미 서술한 바와 같이, 도 2 의 스텝 S2 ∼ S7 의 반복에서는, 원칙적으로 동일한 조건의 처리가 각 공정에서 실시된다. 그러나, 에칭 장치에 있어서의 에칭 조건 (예를 들어, 에칭액의 온도 등) 이 약간 변화하는 경우가 있다. 이 때, 처리가 끝난 기판 (9) 에 있어서의 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치가 변동된다.
이 경우에도, 하면 에칭량 취득부 (214) 에서는, 도 10 의 참조 정보에 있어서 상면 에칭량 (ET) 의 측정치에 대응하는 처리 시간이 특정되어, 당해 처리 시간에 대응하는 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득된다. 즉, 에칭 조건의 약간의 변화에 의한 상면 에칭량 (ET) 의 측정치의 변동이, 에칭의 처리 시간의 변동으로 실질적으로 환산되어, 하면 에칭량 (EB) 의 값이 양호한 정밀도로 취득된다. 이로써, 도체막 (8) 의 패턴의 하면을 기준으로 하는 설계 데이터의 보정 (원래의 설계 데이터에 대한 보정) 을 양호한 정밀도로 실시할 수 있다.
그런데, 기판 (9) 에 대한 에칭에서는, 기판 (9) 상의 위치에 따라 에칭량 (상면 에칭량 (ET) 및 하면 에칭량 (EB)) 이 상이한 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 처리가 끝난 기판 (9) 상에 있어서, 복수의 위치 (P) (이하, 「대상 위치 (P)」라고 한다) 에 테스트 패턴이 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 복수의 대상 위치 (P) 의 각각에 있어서, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 형성된다.
도 11 의 처리가 끝난 기판 (9) 을 사용한 도 7 의 처리에서는, 각 대상 위치 (P) 에 있어서 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치가 취득된다 (스텝 S13). 계속해서, 각 마스크 갭 폭 (G) 의 참조 정보 (도 10 참조) 에 있어서, 각 대상 위치 (P) 에 있어서의 당해 마스크 갭 폭 (G) 의 상면 에칭량 (ET) 의 측정치에 대응하는 처리 시간이 특정되어, 당해 처리 시간에 대응하는 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득된다 (스텝 S14). 즉, 기판 (9) 상의 위치에 따른 에칭량의 상이 (상면 에칭량 (ET) 의 측정치의 상이) 가, 동일한 참조 정보를 사용하여 에칭의 처리 시간의 상이로 실질적으로 환산되어, 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득된다.
데이터 보정부 (216) 에서는, 복수의 대상 위치 (P) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값에 기초하여 설계 데이터가 보정되어, 보정이 끝난 데이터가 생성된다 (스텝 S15). 이 때, 설계 데이터가 나타내는 기판 (9) 상의 각 위치의 패턴 요소의 보정에서는, 예를 들어, 당해 위치에 가장 가까운 대상 위치 (P) 에 있어서의 하면 에칭량 (EB) 의 값이 참조된다. 이로써, 기판 (9) 상의 위치에 따른 에칭량의 상이를 고려하여, 설계 데이터가 보정된다. 보정이 끝난 데이터는 묘화 데이터로 변환되고 (스텝 S16), 당해 묘화 데이터에 기초하여, 기판 (9) 에 대한 묘화가 실시된다 (스텝 S17).
이상과 같이, 데이터 보정 장치 (21) 에서는, 처리가 끝난 기판 (9) 상의 복수의 대상 위치 (P) 의 각각에 테스트 패턴이 배치되는 경우에, 각 마스크 갭 폭 (G) 에 관하여, 동일한 참조 정보를 참조함으로써, 복수의 대상 위치 (P) 에 있어서의 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값이 취득된다. 이로써, 당해 복수의 하면 에칭량 (EB) 의 값에 기초하여, 설계 데이터의 고정밀도의 보정을 용이하게 실시하는 것이 실현된다.
도 9 로부터 분명한 바와 같이, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭 (GT) 은, 상면 에칭량 (ET) 의 2 배로 마스크 갭 폭 (G) 을 가산한 값이다. 따라서, 각 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서, 상면 갭 폭 (GT) 과 상면 에칭량 (ET) 을 등가인 것으로서 취급하는 것이 가능하다. 마찬가지로, 패턴 요소 페어 (810) 의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭 (GB) 은, 하면 에칭량 (EB) 의 2 배로 마스크 갭 폭 (G) 을 가산한 값이다. 따라서, 각 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서, 하면 갭 폭 (GB) 과 하면 에칭량 (EB) 을 등가인 것으로서 취급하는 것이 가능하다.
따라서, 데이터 보정 장치 (21) 의 참조 정보 기억부 (213) 에서는, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) 과 하면 갭 폭 (GB) 의 관계를 실질적으로 나타내는 참조 정보가, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 대해 기억되어 있다. 또, 하면 에칭량 취득부 (214) 는, 처리가 끝난 기판 (9) 에 있어서의 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치를 사용하여 참조 정보를 참조함으로써, 처리가 끝난 기판 (9) 에 대해, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 갭 폭 (GB) 의 값을 취득하는 하면 갭 폭 취득부로서 파악할 수 있다. 그리고, 데이터 보정부 (216) 에서는, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 있어서의 복수의 하면 갭 폭 (GB) 의 값에 기초하는 설계 데이터의 보정이 실질적으로 실시되고 있다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 검사 장치에 대하여 설명한다. 도 12 는, 검사 장치 (4a) 의 기능을 나타내는 블록도이다. 검사 장치 (4a) 는, 설계 데이터에 기초하는 묘화 후의 에칭에 의해 기판 (9) 상에 형성된 패턴을 검사하는 장치이다. 검사 장치 (4a) 는, 도 2 에 나타내는 데이터 처리 장치 (2) 와 마찬가지로, 일반적인 컴퓨터 시스템의 구성으로 되어 있다.
검사 장치 (4a) 는 설계 데이터 기억부 (41) 와, 참조 정보 기억부 (42) 와, 실화상 기억부 (43) 와, 상면 갭 폭 취득부 (44) 와, 데이터 보정부 (45) 와, 결함 검출부 (46) 를 구비한다. 설계 데이터 기억부 (41) 및 참조 정보 기억부 (42) 는, 도 5 의 설계 데이터 기억부 (211) 및 참조 정보 기억부 (213) 와 동일하다. 실화상 기억부 (43) 는, 검사 대상인 기판 (9) (이하, 「대상 기판 (9)」이라고 한다) 상에 형성된 도체막 (8) 의 패턴의 상면을 나타내는 화상 데이터를 검사 화상 데이터로서 기억한다. 상면 갭 폭 취득부 (44) 는, 검사 화상 데이터에 기초하여 테스트 패턴에 포함되는 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) (도 9 참조) 의 측정치를 취득한다. 데이터 보정부 (45) 는, 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치를 사용하여, 검사 화상 데이터가 나타내는 도체막 (8) 의 패턴으로부터, 대상 기판 (9) 상의 당해 패턴의 하면의 형상을 취득한다. 결함 검출부 (46) 는, 도체막 (8) 의 패턴의 하면의 형상에 기초하여 당해 패턴의 결함을 검출한다.
다음으로, 도 13 을 참조하면서, 검사 장치 (4a) 에 의한 검사의 흐름에 대하여 설명한다. 검사 장치 (4a) 에 의한 검사에서는, 먼저, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 관하여, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) 과 하면 갭 폭 (GB) 의 관계를 나타내는 참조 정보가, 참조 정보 기억부 (42) 에 기억됨으로써 준비된다 (스텝 S21). 참조 정보는, 외부의 컴퓨터 또는 검사 장치 (4a) 에 형성되는 참조 정보 생성부에서 생성된다. 또, 대상 기판 (9) 상에 도체막 (8) 의 패턴을 형성할 때에 이용된 설계 데이터가, 설계 데이터 기억부 (41) 에 기억 됨으로써 준비된다 (스텝 S22).
계속해서, 대상 기판 (9) 상에 형성된 도체막 (8) 의 패턴의 상면을 나타내는 화상 데이터가 취득되고, 당해 화상 데이터가 검사 화상 데이터로서 실화상 기억부 (43) 에 기억된다 (스텝 S23). 여기에서, 대상 기판 (9) 상의 도체막 (8) 의 패턴은, 설계 데이터에 기초하여 기판 (9) 상의 레지스트막에 묘화된 패턴을 현상하여 레지스트막의 마스크 패턴 (71) 을 형성하고, 당해 마스크 패턴 (71) 을 사용하여 에칭을 실시함으로써, 대상 기판 (9) 상에 형성되는 패턴이다. 도 7 을 참조하여 설명한 처리와 마찬가지로, 설계 데이터가 나타내는 패턴은, 배선 패턴 이외에, 테스트 패턴을 포함한다. 따라서, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어 (710) 를 사용하여, 대상 기판 (9) 상에 복수의 패턴 요소 페어 (810) 가 형성되어 있다. 또한, 검사 화상 데이터는, 검사 장치 (4a) 의 외부 또는 검사 장치 (4a) 에 형성되는 촬상부에서 취득된다.
상면 갭 폭 취득부 (44) 에서는, 검사 화상 데이터에 기초하여, 테스트 패턴에 포함되는 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 각각의 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치가 취득된다 (스텝 S24). 즉, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 에 각각 대응하는 복수의 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치가 취득된다.
데이터 보정부 (45) 에서는, 대상 기판 (9) 상의 하나의 패턴 요소 (811) 를 주목 패턴 요소 (811) 로 하여, 주목 패턴 요소 (811) 의 형성에 사용된 마스크 요소 (711) 와, 당해 마스크 요소 (711) 에 인접하는 마스크 요소 (711) 사이의 간극의 폭이, 마스크 요소 (711) 의 갭 폭으로서 설계 데이터에 기초하여 특정된다. 계속해서, 당해 갭 폭에 근사 또는 일치하는 마스크 갭 폭 (G) 의 참조 정보를, 당해 마스크 갭 폭 (G) 에 대응하는 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치를 사용하여 참조함으로써, 하면 갭 폭 (GB) 의 값이 취득된다. 그리고, 검사 화상 데이터가 나타내는 화상에 있어서, 주목 패턴 요소 (811) 의 영역의 선폭이나 크기를, 예를 들어, 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치와 하면 갭 폭 (GB) 의 값의 차 (정확하게는, 도 9 의 상면 에칭량 (ET) 과 하면 에칭량 (EB) 의 차) 에 기초하여 변경함으로써, 대상 기판 (9) 상의 주목 패턴 요소 (811) 의 하면의 형상이 취득된다.
도 5 의 데이터 보정부 (216) 와 마찬가지로, 상기 마스크 갭 폭 (G) 과는 상이한 갭 폭에 있어서의 상기 차가 각종 보간 연산에 의해 구해지고, 상기 차와 갭 폭의 관계를 나타내는 곡선이 생성되어도 된다. 이 경우, 주목 패턴 요소 (811) 에 대한 마스크 요소 (711) 의 갭 폭에 대응하는 상기 차가 당해 곡선으로부터 취득되어, 주목 패턴 요소 (811) 의 영역의 선폭이나 크기의 변경에 이용된다. 당해 곡선을 이용하는 처리도, 실질적으로는, 주목 패턴 요소 (811) 에 대해 설계 데이터로부터 특정되는 마스크 갭 폭 (G) 의 참조 정보를, 당해 마스크 갭 폭 (G) 의 측정치를 사용하여 참조하고 있다고 파악할 수 있다.
데이터 보정부 (45) 에서는, 대상 기판 (9) 상에 있어서 배선 패턴에 포함되는 모든 패턴 요소 (811) 의 각각을 주목 패턴 요소 (811) 로 하여 상기 처리를 실시함으로써, 검사 화상 데이터가 나타내는 패턴으로부터, 대상 기판 (9) 상에 형성된 도체막 (8) 의 패턴의 하면의 형상이 취득된다 (스텝 S25). 결함 검출부 (46) 에서는, 데이터 보정부 (45) 에 의해 취득된 패턴의 하면의 형상에 기초하여, 대상 기판 (9) 상의 도체막 (8) 의 패턴의 결함이 검출된다 (스텝 S26). 예를 들어, 각 패턴 요소 (811) 의 하면의 에지와, 당해 패턴 요소 (811) 에 인접하는 패턴 요소 (811) 의 하면의 에지 사이의 거리가 구해지고, 당해 거리가 소정의 임계값 이하인 경우에, 양 패턴 요소 (811) 가 결함으로서 검출된다. 결함의 검출은 여러 가지 수법으로 실시되어도 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 검사 장치 (4a) 에서는, 패턴 요소 페어 (810) 의 상면 갭 폭 (GT) 과 하면 갭 폭 (GB) 의 관계를 나타내는 참조 정보가, 복수의 마스크 갭 폭 (G) 의 각각에 대해 준비된다. 또, 대상 기판 (9) 상에 형성된 패턴의 상면의 화상 데이터인 검사 화상 데이터가 준비되고, 당해 검사 화상 데이터에 기초하여, 복수의 패턴 요소 페어 (810) 의 각각의 상면 갭 폭 (GT) 의 측정치가 취득된다. 그리고, 대상 기판 (9) 상의 패턴의 각 패턴 요소 (811) 에 대해, 설계 데이터로부터 특정되는 마스크 갭 폭 (G) 의 참조 정보를, 당해 마스크 갭 폭 (G) 에 대한 측정치를 사용하여 참조함으로써, 검사 화상 데이터가 나타내는 패턴으로부터 대상 기판 (9) 상의 패턴의 하면의 형상이 취득된다. 이로써, 도체막 (8) 의 패턴의 하면을 기준으로 하는 검사를 용이하게 실시하는 것이 실현된다.
상기 데이터 보정 장치 (21), 묘화 장치 (1), 배선 패턴 형성 시스템 (10) 및 검사 장치 (4a) 에서는, 여러 가지 변경이 가능하다.
도 7 및 도 13 에 있어서의 처리의 순서는 적절히 변경되어도 된다. 예를 들어, 도 7 의 처리에 있어서 스텝 S11 과 스텝 S12 의 순서를 바꿔 넣어도 된다 (도 13 의 스텝 S21, S22 에서 동일).
기판 (9) 은, 프린트 기판 이외에, 반도체 기판이나 유리 기판 등이어도 된다. 데이터 보정 장치 (21) 는, 묘화 장치 (1) 로부터 독립적으로 이용되어도 된다.
상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.
발명을 상세하게 묘사하여 설명하였지만, 이미 서술한 설명은 예시적인 것으로서 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.
1 : 묘화 장치
4, 4a : 검사 장치
8 : 도체막
9 : 기판
10 : 배선 패턴 형성 시스템
14 : 배선 패턴 형성 수단
21 : 데이터 보정 장치
35 : 주사 기구
41, 211 : 설계 데이터 기억부
42, 213 : 참조 정보 기억부
43 : 실화상 기억부
44 : 상면 갭 폭 취득부
45, 216 : 데이터 보정부
46 : 결함 검출부
214 : 하면 에칭량 취득부
331 : 광원
332 : 광변조부
710 : 마스크 요소 페어
810 : 패턴 요소 페어
811 : 패턴 요소
G : 마스크 갭 폭
GB : 하면 갭 폭
GT : 상면 갭 폭
P : 대상 위치
S1 ∼ S7, S11 ∼ S17, S21 ∼ S26 : 스텝

Claims (8)

  1. 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성되는 패턴의 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정 장치로서,
    도체막이 형성된 기판 상에 소정 조건의 에칭에 의해 형성되는 상기 도체막의 패턴의 설계 데이터를 기억하는 설계 데이터 기억부와,
    기판의 도체막 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 사이의 간극의 폭을 마스크 갭 폭으로 하여, 상기 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 상기 도체막에 형성되는 패턴 요소 페어의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭과, 상기 패턴 요소 페어의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭의 관계를 나타내는 참조 정보를, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 기억하는 참조 정보 기억부와,
    상기 복수의 마스크 갭 폭이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 상기 소정 조건의 에칭이 실시된 처리가 끝난 기판에 있어서, 상기 복수의 마스크 요소 페어에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 각각의 상면 갭 폭의 측정치가 취득되어 있고, 상기 측정치를 사용하여 상기 참조 정보를 참조함으로써, 상기 처리가 끝난 기판에 대해, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값을 취득하는 하면 갭 폭 취득부와,
    상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정부
    를 구비하고,
    상기 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 관하여, 상기 도체막이 상기 기판의 표면까지 에칭된 상태로부터, 상기 도체막이 상기 표면을 따라 에칭될 때의 상면 갭 폭 및 하면 갭 폭의 변화를 각각 시간의 다항식으로 정식화하고, 상기 다항식의 계수를, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정함으로써, 상기 참조 정보가 취득되는, 데이터 보정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리가 끝난 기판 상의 복수의 대상 위치의 각각에 있어서, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어가 형성되어 있고,
    상기 하면 갭 폭 취득부가, 각 마스크 갭 폭에 관하여, 동일한 참조 정보를 참조함으로써, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값을 취득하고,
    상기 데이터 보정부가, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터를 보정하는, 데이터 보정 장치.
  3. 기판 상에 패턴을 묘화하는 묘화 장치로서,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 데이터 보정 장치와,
    광원과,
    상기 데이터 보정 장치에 의해 보정된 설계 데이터에 기초하여 상기 광원으로부터의 광을 변조하는 광변조부와,
    상기 광변조부에 의해 변조된 광을 기판 상에서 주사하는 주사 기구
    를 구비하는, 묘화 장치.
  4. 배선 패턴 형성 시스템으로서,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 데이터 보정 장치와,
    상기 데이터 보정 장치에 의해 보정된 설계 데이터에 기초하여, 기판 상에 배선 패턴을 형성하는 배선 패턴 형성 수단
    을 구비하는, 배선 패턴 형성 시스템.
  5. 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성된 패턴을 검사하는 검사 장치로서,
    도체막이 형성된 기판 상에 에칭에 의해 형성되는 상기 도체막의 패턴의 설계 데이터를 기억하는 설계 데이터 기억부와,
    기판의 도체막 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 사이의 간극의 폭을 마스크 갭 폭으로 하여, 상기 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 상기 도체막에 형성되는 패턴 요소 페어의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭과, 상기 패턴 요소 페어의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭의 관계를 나타내는 참조 정보를, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 기억하는 참조 정보 기억부와,
    상기 설계 데이터에 기초하여 형성된 마스크 패턴을 사용한 에칭에 의해, 대상 기판 상에 형성된 패턴의 상면의 화상 데이터인 검사 화상 데이터를 기억하는 실화상 기억부와,
    상기 대상 기판에 있어서, 상기 복수의 마스크 갭 폭이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 복수의 패턴 요소 페어가 형성되어 있고, 상기 검사 화상 데이터에 기초하여, 상기 복수의 패턴 요소 페어 각각의 상면 갭 폭의 측정치를 취득하는 상면 갭 폭 취득부와,
    상기 대상 기판 상의 패턴의 각 패턴 요소에 대해, 상기 설계 데이터로부터 특정되는 마스크 갭 폭의 상기 참조 정보를, 상기 마스크 갭 폭에 대한 상기 측정치를 사용하여 참조함으로써, 상기 검사 화상 데이터가 나타내는 패턴으로부터 상기 대상 기판 상의 상기 패턴의 하면의 형상을 취득하는 데이터 보정부와,
    상기 데이터 보정부에 의해 취득된 상기 패턴의 하면의 형상에 기초하여, 상기 대상 기판 상의 상기 패턴의 결함을 검출하는 결함 검출부
    를 구비하고,
    상기 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 관하여, 상기 도체막이 상기 기판의 표면까지 에칭된 상태로부터, 상기 도체막이 상기 표면을 따라 에칭될 때의 상면 갭 폭 및 하면 갭 폭의 변화를 각각 시간의 다항식으로 정식화하고, 상기 다항식의 계수를, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정함으로써, 상기 참조 정보가 취득되는, 검사 장치.
  6. 기판의 표면에 형성된 도체막을 에칭액에 의해 에칭하여 형성되는 패턴의 설계 데이터를 보정하는 데이터 보정 방법으로서,
    a) 도체막이 형성된 기판 상에 소정 조건의 에칭에 의해 형성되는 상기 도체막의 패턴의 설계 데이터를 준비하는 공정과,
    b) 기판의 도체막 상에 서로 인접하여 형성되는 마스크 요소 페어 사이의 간극의 폭을 마스크 갭 폭으로 하여, 상기 마스크 요소 페어를 사용하여 에칭에 의해 상기 도체막에 형성되는 패턴 요소 페어의 상면 사이의 간극의 폭인 상면 갭 폭과, 상기 패턴 요소 페어의 하면 사이의 간극의 폭인 하면 갭 폭의 관계를 나타내는 참조 정보를, 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 대해 준비하는 공정과,
    c) 상기 복수의 마스크 갭 폭이 각각 설정된 복수의 마스크 요소 페어를 사용하여 상기 소정 조건의 에칭이 실시된 처리가 끝난 기판에 있어서, 상기 복수의 마스크 요소 페어에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어 각각의 상면 갭 폭의 측정치를 취득하는 공정과,
    d) 상기 측정치를 사용하여 상기 참조 정보를 참조함으로써, 상기 처리가 끝난 기판에 대해, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값을 취득하는 공정과,
    e) 상기 복수의 마스크 갭 폭에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터를 보정하는 공정
    을 구비하고,
    상기 복수의 마스크 갭 폭의 각각에 관하여, 상기 도체막이 상기 기판의 표면까지 에칭된 상태로부터, 상기 도체막이 상기 표면을 따라 에칭될 때의 상면 갭 폭 및 하면 갭 폭의 변화를 각각 시간의 다항식으로 정식화하고, 상기 다항식의 계수를, 소정 시간의 에칭이 실시된 테스트 기판에 있어서의 패턴 요소 페어의 형상의 측정치를 사용한 피팅으로 결정함으로써, 상기 참조 정보가 취득되는, 데이터 보정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리가 끝난 기판 상의 복수의 대상 위치의 각각에 있어서, 상기 복수의 마스크 갭 폭에 대응하는 복수의 패턴 요소 페어가 형성되어 있고,
    상기 d) 공정에 있어서, 각 마스크 갭 폭에 관하여, 동일한 참조 정보를 참조함으로써, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 복수의 하면 갭 폭의 값이 취득되고,
    상기 e) 공정에 있어서, 상기 복수의 대상 위치에 있어서의 상기 복수의 하면 갭 폭의 값에 기초하여, 상기 설계 데이터가 보정되는, 데이터 보정 방법.
  8. 배선 기판의 제조 방법으로서,
    제 6 항 또는 제 7 항에 기재된 데이터 보정 방법에 의해 설계 데이터를 보정하는 공정과,
    보정된 설계 데이터에 기초하여, 기판 상에 배선 패턴을 형성하는 공정
    을 구비하는, 배선 기판의 제조 방법.
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