TWI647984B - 資料補正裝置、描繪裝置、資料補正方法、描繪方法及程式產品 - Google Patents

資料補正裝置、描繪裝置、資料補正方法、描繪方法及程式產品 Download PDF

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Abstract

本發明係於資料補正裝置21之輸入受理部213中，受理蝕刻特性之輸入，該蝕刻特性顯示設計資料所示之圖案要素間之間隙寬度、與作為蝕刻補正而將該間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係。於蝕刻特性修正部212中，以蝕刻特性中之各間隙寬度較對應之間隙補正量變大之方式修正蝕刻特性之間隙補正量，取得修正完畢蝕刻特性。於資料補正部217中，根據修正完畢蝕刻特性，對設計資料進行補正。藉此，可於對象物上，防止應被分離形成之圖案要素彼此起因於蝕刻補正而產生結合之情形。

Description

資料補正裝置、描繪裝置、資料補正方法、描繪方法及程式產品
本發明係關於一種對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行補正之技術、及在對象物上描繪圖案之技術。
習知，於印刷電路基板之製造步驟中，對以樹脂等絕緣性材料形成之基板實施有各式各樣之處理。例如，藉由於基板之表面上形成銅等之膜，且於該膜上形成阻劑之圖案，並實施蝕刻，而於基板上形成配線圖案。於蝕刻中，根據圖案配置之粗密等，會產生形成於基板上之圖案之形狀與設計資料不同之情況。
於日本專利第3074675號公報中，揭示有一種藉由以電子線直描裝置在基板上形成阻劑圖案，且以電漿蝕刻裝置進行蝕刻而形成圖案之技術。此外，提出有一種技術方案，其於自圖案之設計資料生成電子線直描用資料之處理中，包含有對因微負載效應(Micro Loading Effect)而引起之蝕刻後之圖案尺寸的變化進行補正之處理。
於日本專利第4274784號公報中，提出有一種技術方案，其使用蝕刻後之基板之圖像資料及設計資料，生成尺寸調整規則，該尺寸調整規則，顯示為了獲得所希望之蝕刻後基板而是否有 如何對設計資料進行補正之需要。
於日本專利特開2008-134512號公報中，揭示有一種於製作光罩時，對圖案間之每一空間(距離)指定用以補正過蝕刻之補正值之方法。此外，提出有一種技術方案，其於直線圖案與圓弧圖案對向之情況下，於該對向之部位加入進一步之補正。
於日本專利特開2013-12562號公報中，揭示有一種在一面根據導體圖案之設計資料而考慮側蝕一面製作輪廓形狀(導體圖案之外形形狀)時，根據鄰接之輪廓形狀間之距離來設定補正值之技術。
於日本專利特開2016-25295號公報中，揭示有一種方法，於該方法中準備分別與基板之複數個基準位置對應之複數個之蝕刻特性，且根據基板上之各分割區域與複數個基準位置之位置關係，求得各分割區域之區域蝕刻特性，藉此，精度良好地進行與各分割區域對應之分割資料之蝕刻補正。
如日本專利特開2016-25295號公報之記載，於使用顯示圖案要素間之間隙寬度與補正量之關係的蝕刻特性而進行設計資料之補正(蝕刻補正)之情況下，需要預先取得該蝕刻特性。於蝕刻特性之取得之一例中，首先，準備形成有遮罩圖案即阻劑圖案之基板。阻劑圖案，包含複數個間隙寬度互不相同之圖案要素群。然後，對該基板實施蝕刻，且測定所形成之圖案上之圖案要素間之寬度等。藉此，可取得蝕刻特性。
然而，於基板上與小間隙寬度對應之部分中，會有不能正確地測定圖案要素間之寬度之情況。該情況下，由於在蝕刻特性中不存在與小的間隙寬度對應之補正量，因此可考慮根據其他之 補正量進行外插(Extrapolation)。然而，根據被外插之補正量之大小不同，藉由蝕刻補正，有可能使得在基板上應被分離形成之圖案要素彼此產生結合(亦可視作為附著)。
本發明係應用於對藉由蝕刻而形成在對象物上之圖案之設計資料進行補正之資料補正裝置，其目的在於防止應被分離形成之圖案要素彼此起因於蝕刻補正而產生結合之情形。
本發明之資料補正裝置；其具備有：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料；輸入受理部，其受理蝕刻特性之輸入，該蝕刻特性顯示上述設計資料所示之圖案要素間之間隙寬度、與作為蝕刻補正而將上述間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係；蝕刻特性修正部，其以上述蝕刻特性中之各間隙寬度較對應之間隙補正量變大之方式修正上述蝕刻特性之間隙補正量，取得修正完畢蝕刻特性；及資料補正部，其根據上述修正完畢蝕刻特性，對上述設計資料進行補正。
根據本發明，可於對象物上，防止應被分離形成之圖案要素彼此起因於蝕刻補正而產生結合之情形。
本發明之一較佳形態中，於藉由蝕刻而於上述對象物上形成圖案之圖案形成系統中，將可形成於上述對象物上之阻劑圖案(resist pattern)之最小間隙寬度，作為最小設定寬度而預先設定，上述修正完畢蝕刻特性中之各間隙寬度、與對應之間隙補正量之差，係為上述最小設定寬度以上。
本發明之另一較佳形態中，將於上述蝕刻特性中藉由上述蝕刻特性修正部而修正間隙補正量之間隙寬度之範圍作為修 正範圍，上述修正完畢蝕刻特性之上述修正範圍係包含各間隙寬度與對應之間隙補正量之差為一定之範圍、或上述差隨著間隙寬度之減少而逐漸減少之範圍。
本發明之又一其他較佳形態中，上述修正完畢蝕刻特性，係在未滿間隙補正量為0之間隙寬度之範圍內，顯示作為蝕刻補正而將上述設計資料中之間隙寬度擴大之間隙補正量。
本發明還可應用於在對象物上描繪圖案之描繪裝置。本發明之描繪裝置；其具備有：上述資料補正裝置；光源；光調變部，其根據藉由上述資料補正裝置而被補正之設計資料，對來自上述光源之光進行調變；及掃描機構，其於對象物上掃描藉由上述光調變部而調變之光。
本發明還可應用於對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行補正之資料補正方法、在對象物上描繪圖案之描繪方法、及程式產品。
上述目的及其他之目的、特徵、態樣及益處，根據以下進行之本發明之詳細之說明，且參照所附加之圖式應可明瞭。
2‧‧‧資料處理裝置
3‧‧‧曝光裝置
8‧‧‧記錄媒體
9‧‧‧基板
9a‧‧‧測試基板
10‧‧‧圖案形成系統
11‧‧‧描繪裝置
12‧‧‧顯影裝置
13‧‧‧蝕刻裝置
14‧‧‧阻劑剝離裝置
15‧‧‧檢查裝置
21‧‧‧資料補正裝置
22‧‧‧資料轉換部
31‧‧‧描繪控制器
32‧‧‧作業台
33‧‧‧光出射部
35‧‧‧掃描機構
80‧‧‧程式
83‧‧‧設計圖案
84‧‧‧單元圖案
93‧‧‧測試圖案
95‧‧‧特性取得用圖案
96‧‧‧測定圖案
201‧‧‧CPU
202‧‧‧ROM
203‧‧‧RAM
204‧‧‧固定碟
205‧‧‧顯示器
206a‧‧‧鍵盤
206b‧‧‧滑鼠
207‧‧‧讀取/寫入裝置
208‧‧‧通信部
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性修正部
213‧‧‧輸入受理部
217‧‧‧資料補正部
331‧‧‧光源
332‧‧‧光調變部
911‧‧‧圖案要素
912‧‧‧圖案要素
951‧‧‧設計圖案要素群
952‧‧‧圖案要素
953‧‧‧實際圖案要素群
954‧‧‧圖案要素
A0a、A0b‧‧‧延長線
A1‧‧‧邊界線
A2b‧‧‧輔助線
B1‧‧‧矩形
C1‧‧‧間隔寬度
c‧‧‧設定值
E‧‧‧蝕刻量
F1‧‧‧除外區域
G‧‧‧測試間隙寬度
L0、L1、L1a、L1b‧‧‧蝕刻特性
L2a、L2b、L3b‧‧‧修正完畢蝕刻特性
P‧‧‧對象位置
S11~S16‧‧‧步驟
X0‧‧‧最小測定間隙寬度
X1‧‧‧目標間隙寬度
X2‧‧‧目標間隙寬度
x‧‧‧目標間隙寬度
Y1‧‧‧補正量
y‧‧‧補正量
圖1為顯示圖案形成系統之構成之方塊圖。
圖2為顯示描繪裝置之構成之圖。
圖3為顯示資料處理裝置之構成之圖。
圖4為顯示資料處理裝置之功能之方塊圖。
圖5為顯示描繪裝置之描繪流程之圖。
圖6為顯示描繪有測試圖案之測試基板之圖。
圖7為放大顯示特性取得用圖案之一部分之圖。
圖8為放大顯示測定圖案之一部分之圖。
圖9為顯示蝕刻特性之圖。
圖10為顯示蝕刻特性之圖。
圖11為顯示蝕刻特性之圖。
圖12為用以說明蝕刻特性之修正之圖。
圖13為顯示修正完畢蝕刻特性之圖。
圖14為顯示修正完畢蝕刻特性之圖。
圖15為顯示設計資料所示之設計圖案之圖。
圖16為顯示補正完畢設計資料所示之圖案之一部分之圖。
圖17為顯示藉由比較例之處理而取得之補正完畢設計資料所示之圖案之一部分之圖。
圖18為顯示修正完畢蝕刻特性之圖。
圖1為顯示本發明之一實施形態之圖案形成系統10之構成之方塊圖。圖案形成系統10，係藉由蝕刻而於基板上形成配線圖案等之圖案之系統。圖案形成系統10，具備描繪裝置11、顯影裝置12、蝕刻裝置13、及阻劑剝離裝置14。關於圖1中以虛線之矩形顯示之檢查裝置15，容待後述。
於圖案形成系統10中，搬入有例如以樹脂等絕緣性材料形成之基板。於基板之表面設置有銅等之導電性材料之膜(以下，稱為「導電膜」)，且於導電膜上設置有感光材料即阻劑膜。描繪裝置11係所謂之直描裝置，且藉由朝基板上之阻劑膜照射光，於阻劑膜上直接描繪電路圖案等之圖像。關於描繪裝置11之詳細 構成，容待後述。
藉由描繪裝置11描繪有圖案之基板，係於顯影裝置12中對阻劑膜進行顯影，而於基板上形成阻劑圖案。接著，於蝕刻裝置13中，對基板上之導電膜實施蝕刻。對基板之蝕刻，例如為藉由對基板供給蝕刻液而進行之濕式蝕刻。於蝕刻裝置13中，也可進行利用電漿等之乾式蝕刻等。於阻劑剝離裝置14中，將殘留在基板上之阻劑除去。藉此，於基板上形成導電性材料之圖案。形成有圖案之基板，例如被使用於印刷電路基板之製造。再者，顯影、蝕刻及阻劑剝離，也可藉由一個基板處理裝置來進行。
圖2為顯示描繪裝置11之構成之圖。描繪裝置11，具備資料處理裝置2、及曝光裝置3。資料處理裝置2，係對被描繪於基板9上之圖案之設計資料進行補正，而生成描繪資料。曝光裝置3，係根據自資料處理裝置2傳送之描繪資料，對基板9進行描繪(亦即曝光)。資料處理裝置2及曝光裝置3，只要可進行兩裝置間之資料之交接，也可被物理性地分離，當然也可一體設置。
圖3為顯示資料處理裝置2之構成之圖。資料處理裝置2，係被構成為普通之電腦系統，其包含進行各種運算處理之CPU201、記憶基本程式之ROM202、及記憶各種資訊之RAM203。資料處理裝置2還包含：固定碟204，其進行資訊記憶；顯示器205，其進行圖像等之各種資訊之顯示；鍵盤206a及滑鼠206b，其受理來自操作者之輸入；讀取/寫入裝置207，其自光碟、磁碟、光磁碟等之電腦可讀取之記錄媒體8，進行資訊之讀取及寫入；及通信部208，其在與描繪裝置11之其它構成等之間進行信號之傳送及接收。
於資料處理裝置2中，事先經由讀取/寫入裝置207， 自程式產品即記錄媒體8讀出程式80，且記憶於固定碟204。CPU201，係根據程式80，一面利用RAM203或固定碟204一面執行運算處理(亦即，藉由電腦執行程式)，而實現後述之功能。
圖4為顯示資料處理裝置2之功能之方塊圖。於圖4中，一併顯示連接於資料處理裝置2之曝光裝置3之構成的一部分(描繪控制器31)。資料處理裝置2，具備資料補正裝置21、及資料轉換部22。資料補正裝置21，係對藉由蝕刻而形成於基板9上之圖案之設計資料進行補正。資料補正裝置21，具備設計資料記憶部211、蝕刻特性修正部212、輸入受理部213及資料補正部217。於資料轉換部22內輸入有藉由資料補正裝置21而被補正之設計資料(以下，稱為「補正完畢設計資料」)。補正完畢設計資料，通常為多角形等之向量資料。資料轉換部22，係將向量資料即補正完畢設計資料轉換為光柵資料即描繪資料。資料處理裝置2之功能，也可藉由專用之電性電路而實現，也可使用局部專用之電性電路。
如圖2所示，曝光裝置3具備描繪控制器31、作業台32、光出射部33、及掃描機構35。描繪控制器31，係控制光出射部33及掃描機構35。作業台32係於光出射部33之下方保持基板9。光出射部33，具備光源331、及光調變部332。光源331係朝光調變部332射出雷射光。光調變部332，係對來自光源331之光進行調變。藉由光調變部332而調變後之光，被照射於作業台32上之基板9。作為光調變部332，例如，利用二維地排列有複數個光調變元件之DMD(數位反射鏡裝置)等。光調變部332，也可為一維地排列有複數個光調變元件之調變器等。
掃描機構35，係沿水平方向移動於作業台32上。具 體而言，藉由掃描機構35，作業台32被移動於主掃描方向、及與主掃描方向垂直之副掃描方向。藉此，藉由光調變部332而被調變後之光，於基板9上沿主掃描方向及副掃描方向進行掃描。於曝光裝置3中，也可設置水平旋轉作業台32之旋轉機構。此外，也可設置沿上下方向移動光出射部33之昇降機構。掃描機構35，只要能於基板9上掃描來自光出射部33之光，不一定要為移動於作業台32之機構。例如，也可藉由掃描機構35，使光出射部33在作業台32之上方沿主掃描方向及副掃描方向移動。
其次，參照圖5，對描繪裝置11之描繪流程進行說明。首先，藉由曝光裝置3對在一主表面上形成有阻劑膜之測試用基板(與後述之步驟S16中之進行描繪之基板9相同之形狀及大小，以下稱為「測試基板」)，描繪既定之測試圖案。
圖6為顯示藉由曝光裝置3描繪有測試圖案93之測試基板9a之圖。實際上，測試基板9a上之測試圖案93，可藉由進行顯影而作為阻劑圖案加以辨識。其中，圖6之測試圖案93之各圖案要素之位置、形狀、大小，係假定為與測試圖案用之設計資料(以下，稱為「測試圖案資料」)所示之圖案嚴格一致。亦即，圖6之測試圖案93，亦是測試圖案資料所示之圖案本身。圖6之測試基板9a係一矩形，於圖6中，將於測試基板9a上沿相互正交之2條邊之方向，顯示為α方向及β方向。
測試圖案93，包含複數個之特性取得用圖案95。於圖6中，以矩形顯示特性取得用圖案95。各特性取得用圖案95，係藉由顯影、蝕刻、阻劑剝離等之處理，而用以形成後述之測定圖案之描繪圖案。於圖6之例中，複數個之特性取得用圖案95，係以 一定之間距排列於α方向及β方向。若將配置有各特性取得用圖案95之位置(例如，該圖案之中央)P稱為「對象位置」，則於測試基板9a上設定有複數個對象位置P。測試基板9a上之對象位置P之個數，例如為4個以上，較佳為9個以上。各特性取得用圖案95，包含複數個之圖案要素。圖6中顯示特性取得用圖案95之矩形，係包含該複數個之圖案要素整體之大約最小之矩形。
圖7為放大顯示特性取得用圖案95之一部分之圖。於圖7所示之例中，特性取得用圖案95，包含複數個之設計圖案要素群951。各設計圖案要素群951，包含相互平行地大約沿β方向延長之2條大致直線狀之設計圖案要素952。各設計圖案要素群951中之2條設計圖案要素952之間的間隙寬度G(亦即，與2條設計圖案要素952之長邊方向垂直之α方向上之間隙的寬度)，係與其他之設計圖案要素群951中之2條設計圖案要素952之間的間隙寬度G不同。以下之說明中，將設計圖案要素群951中之間隙寬度G稱為「測試間隙寬度G」。
藉由顯影裝置12之對測試基板9a之顯影，於測試基板9a上形成顯示測試圖案93之阻劑圖案。接著，將該阻劑圖案作為遮罩，藉由蝕刻裝置13對測試基板9a之導電膜進行蝕刻。然後，藉由阻劑剝離裝置14進行阻劑剝離，於測試基板9a之主表面形成顯示複數個特性取得用圖案95之複數個之測定圖案。
圖8為放大顯示與特性取得用圖案95對應之測定圖案96之一部分之圖。測定圖案96，包含分別顯示複數個設計圖案要素群951之複數個之實際圖案要素群953。於圖8中，將一個實際圖案要素群953放大顯示。各實際圖案要素群953，包含與2條 設計圖案要素952對應之大致直線狀之2條實際圖案要素954。實際圖案要素954，係利用阻劑圖案中之設計圖案要素952之部位，且藉由蝕刻而形成者。圖8中，以二點鏈線一併顯示設計圖案要素952之輪廓線。
在此，將各實際圖案要素群953中之形成2條實際圖案要素954之間的間隙之各實際圖案要素954之邊(輪廓線之部位)、與對應於該邊之設計圖案要素952之邊之間的距離(與形成該間隙之輪廓線之部位垂直之方向之距離)稱為蝕刻量E。蝕刻量E，係顯示該2條實際圖案要素954之間的間隙中之、實際圖案要素954之邊之相對於各設計圖案要素952之邊的移動量(輪廓線之一側之細縮量)。蝕刻量E，係根據與該2條之實際圖案要素954對應之2條設計圖案要素952之間的測試間隙寬度G而變化。
於本處理例中，測試間隙寬度G與蝕刻量E之關係，係藉由圖1之檢查裝置15所取得。具體而言，於檢查裝置15中對測試基板9a進行拍攝，取得測定圖案96之攝影圖像。於檢查裝置15中輸入有測試圖案資料，藉由比較攝影圖像與測試圖案資料，可取得相對於各測試間隙寬度G之蝕刻量E。
圖9為顯示蝕刻特性之圖，該蝕刻特性係顯示測試間隙寬度G與蝕刻量E之關係。於圖9中，藉由以虛線連結複數個之測試間隙寬度G中之蝕刻量E，而顯示蝕刻特性L0。於蝕刻特性L0中，作為整體之趨勢，隨著測試間隙寬度G變小，蝕刻量E也逐漸變小。此外，雖然於測試間隙寬度G為某程度大之範圍內，蝕刻量E與測試間隙寬度G約呈正比例，但若測試間隙寬度G變小，則蝕刻量E會相對於測試間隙寬度G之減少而急遽減少。換言之， 若測試間隙寬度G變小，則蝕刻特性L0之斜率變大。蝕刻特性L0也被稱為蝕刻曲線。再者，於較佳之特性取得用圖案95中，各測試間隙寬度G之設計圖案要素群951，係包含3個以上之設計圖案要素952，當取得蝕刻特性時，可對該測試間隙寬度G，算出多數之蝕刻量E之平均值等。
如後述，蝕刻特性係被利用於設計資料之補正(亦即，蝕刻補正)，該設計資料係顯示應形成在基板9上之圖案。此外，於測試基板9a之蝕刻中，如已述之，藉由使用與測試間隙寬度G之設計圖案要素群951對應之阻劑圖案之部位作為遮罩，形成將蝕刻量E之2倍(間隙寬度之擴大量)加在該測試間隙寬度G上之間隙寬度的實際圖案要素群953。因此，於本處理例中，將實際圖案要素群953之間隙寬度視作為目標間隙寬度，取得顯示目標間隙寬度與對應於目標間隙寬度之補正量之關係之蝕刻特性L1(圖9中以實線顯示)。於蝕刻補正中，目標間隙寬度，係設計資料所示之設計圖案要素間之間隙寬度。
蝕刻特性L1，係藉由對蝕刻特性L0進行轉換而取得。具體而言，將在該蝕刻量E之測試間隙寬度G加上有該蝕刻量E之2倍的值作為目標間隙寬度，而與蝕刻特性L0中之各蝕刻量E建立對應，取得在橫軸上顯示目標間隙寬度之蝕刻特性L1。蝕刻特性L1中之蝕刻量(縱軸之值)，係為了將形成於基板9上之實際圖案要素間之間隙寬度作為目標間隙寬度而使用之補正量，該補正量係顯示設計圖案要素之一側之擴大量、亦即始自目標間隙寬度之一側之細縮量。若將上述補正量之2倍稱為間隙補正量，則可以說蝕刻特性L0、L1，實質上顯示目標間隙寬度、與作為蝕刻補正而將 該目標間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係。蝕刻特性，也可為顯示目標間隙寬度與間隙補正量之關係之表格等。
於複數個之特性取得用圖案95中，由於測試基板9a上之位置(亦即，對象位置P)不同，因此蝕刻特性L1之形狀或各目標間隙寬度之補正量之大小互不相同。本處理例中，自複數個特性取得用圖案95分別取得複數個之蝕刻特性。換言之，對於複數個對象位置P個別地取得蝕刻特性。於複數個之特性取得用圖案95中，測定有蝕刻量E之測試間隙寬度G之大小或個數，也可不同。
較佳之特性取得用圖案95，例如還包含沿α方向平行地延長之設計圖案要素群，且與上述相同地取得蝕刻特性。特性取得用圖案95，也可包含矩形以外之各種各樣之形狀之圖案要素及各種各樣組合之圖案要素群。例如，也可於特性取得用圖案95內包含有複數個之圓形圖案要素，且取得顯示圓形圖案要素間之目標間隙寬度與補正量之關係之蝕刻特性。也可對於圓形圖案要素之複數之直徑之各個，取得此種之蝕刻特性。
相對於各對象位置P之一個或複數個之蝕刻特性，係自檢查裝置15且經由通信部208等被輸入資料補正裝置21，然後藉由輸入受理部213受理該輸入。相對於複數個對象位置P之複數個之蝕刻特性，係被記憶於輸入受理部213，而準備用於後述之處理(步驟S11)。再者，也可僅將檢查裝置15中之測試基板9a之測定結果輸入資料補正裝置21。於該情況下，藉由將測試圖案資料也輸入資料補正裝置21，且利用資料補正裝置21進行蝕刻量之算出、及目標間隙寬度與補正量之對應建立，而生成蝕刻特性，然後以輸入受理部213受理該蝕刻特性之輸入。蝕刻特性或測試基板9a 之測定結果之輸入，也可經由鍵盤206a等而藉由操作者進行。
在此，於圖10及圖11所示之蝕刻特性L1a、L1b中，於目標間隙寬度較X0(圖10及圖11中，約為40μm，以下稱為「最小測定間隙寬度」)小之範圍內，未取得有補正量。因此，例如，目標間隙寬度為20μm之情況之補正量，並不明確。於上述範圍內不能取得補正量之理由，可列舉出在與該範圍對應之測試間隙寬度之範圍內，未適宜地形成有實際圖案要素群953、或該實際圖案要素群953之間隙寬度較檢查裝置15中之攝影圖像之解析度小等。以下，將目標間隙寬度較最小測定間隙寬度X0小之範圍稱為「不能測定範圍」。於複數個之蝕刻特性中，不能測定範圍也可互不相同。
於蝕刻特性L1a、L1b中，會於不能測定範圍內之蝕刻補正產生有障礙。因此，於蝕刻特性修正部212中，對蝕刻特性L1a、L1b進行修正。於蝕刻特性L1a、L1b之修正中，例如，於蝕刻特性L1a、L1b中，與最小測定間隙寬度X0近旁之斜率相同斜率之延長線A0a、A0b，係以最小測定間隙寬度X0之點作為起始點而於不能測定範圍內延長，進而外插不能測定範圍中之部分。於圖10及圖11中，以粗虛線顯示延長線A0a、A0b。
於圖11之蝕刻特性L1b中，延長線A0b之斜率，係較圖10之延長線A0a小。作為其原因，可認為是因為檢查裝置15之攝影時之照明條件、或殘留於基板9上之灰塵或汙垢等之影響，而不能穩定地測定蝕刻量等之因素。如後述，延長線A0a、A0b之斜率越小，則蝕刻特性修正部212之以下之處理變得越重要。因此，於以下之說明中，著眼於圖11之蝕刻特性L1b。
若外插有延長線A0b，則於蝕刻特性修正部212中，設定有在圖12中以一點鏈線顯示之邊界線A1。其中，將補正量設為y，將目標間隙寬度設為x，且將既定之正的設定值設為c，則邊界線A1係以(x=2y+c)表示。關於邊界線A1之涵義，容待後述。接著，將較邊界線A1靠上側之區域F1(附有平行斜線之區域F1)設定為除外區域。
於包含延長線A0b之蝕刻特性L1b中，將除外區域F1所包含之部分(以下，稱為「除外部分」)排除在外，且除外部分被邊界線A1置換。此外，於被置換之部分中，還將補正量成為負值之部分排除在外，且該部分被顯示(y=0)之線置換。藉此，如圖13所示，於蝕刻特性L1b之不能測定範圍內，追加有以粗實線顯示之輔助線A2b，從而取得蝕刻特性L2b(以下，稱為「修正完畢蝕刻特性L2b」)(步驟S12)。於圖13之例中，輔助線A2b包含顯示延長線A0b之一部分、邊界線A1之一部分、及顯示(y=0)之線之一部分。圖10之蝕刻特性L1a，也藉由與上述相同之處理而被修正，並取得圖14所示之修正完畢蝕刻特性L2a。本處理例中，對於各對象位置P，取得一個或複數個之修正完畢蝕刻特性。
如已述之，於蝕刻特性修正部212之上述處理中，於包含延長線A0a、A0b之蝕刻特性L1a、L1b中，較邊界線A1靠上側之除外區域F1所包含之除外部分，係被除外區域F1之下側之邊界線A1置換。上述邊界線A1係以(x=2y+c)表示，(2y)相當於作為蝕刻補正而將目標間隙寬度(x)縮小之量即間隙補正量。因此，於上述處理中，可以說是以蝕刻特性L1a、L1b之除外部分中之各目標間隙寬度(x)較對應之間隙補正量(2y)大(2c)之方式，修正蝕刻特性 L1a、L1b之間隙補正量，進而取得修正完畢蝕刻特性L2a、L2b。再者，在相對於複數個對象位置P之複數個之修正完畢蝕刻特性中，也可按每個對象位置P變更設定值c。
接著，於描繪裝置11中，將藉由蝕刻而形成於基板9上之預定圖案之設計資料輸入資料補正裝置21，且記憶於設計資料記憶部211而進行準備(步驟S13)。
圖15為顯示設計資料所示之設計圖案83之圖。於圖15中，以粗二點鏈線顯示描繪有設計圖案83之預定之大致矩形之基板9之外形。設計圖案83具備被配置為矩陣狀之(亦即，附有多面)之複數個之單元圖案84。各單元圖案84係複數個圖案要素之集合。圖15中，以矩形顯示單元圖案84。
圖15中顯示各單元圖案84之矩形，係包圍該單元圖案84所包含之複數個圖案要素整體之大約最小之矩形。於圖15之例中，沿以二點鏈線所示之與基板9之正交的2條邊對應之2個方向(圖15中，與圖6等相同而顯示為α方向及β方向)，二維地排列有多數之單元圖案84。該等之單元圖案84，係彼此相同之圖案。
設計圖案83，係被描繪於基板9上之預定之圖案，因此，可視作為於設計圖案83中也設定有複數個對象位置P。同樣地，可視作為於基板9上設定有描繪有各單元圖案84之預定位置(以下，簡稱為「單元圖案84之位置」)。
於資料補正部217中，自設計圖案83之設計資料中擷取分別顯示複數個單元圖案84之複數個之分割資料(資料塊)。換言之，設計圖案83之設計資料，被分割為分別顯示複數個單元圖案84之複數個之分割資料。此外，確定最靠近各分割資料所示之 單元圖案84之位置(例如，單元圖案84之中央)之對象位置P。然後，根據該對象位置P之修正完畢蝕刻特性，對該分割資料進行補正，藉以求得顯示各單元圖案84之補正完畢分割資料(步驟S14)。再者，於圖15中，以細的二點鏈線之矩形B1顯示將各對象位置P作為最靠近之對象位置P之區域。矩形B1係將該對象位置P作為中心。
於分割資料之補正中，可考慮於基板9上之各單元圖案84之位置上，進行根據修正完畢蝕刻特性所示之補正量之過剩之(亦即，超過所需量)蝕刻。亦即，參照各單元圖案84之位置之最靠近之對象位置P之修正完畢蝕刻特性，以蝕刻後之基板9上之圖案中之各圖案要素被以所希望之線寬或大小形成之方式，進行使各分割資料之圖案要素之線寬變寬、或增大圖案要素之補正。
在此，若將描繪有各單元圖案84之基板9上之區域(單元)稱為分割區域，則於步驟S14中，藉由資料補正部217，首先將設計圖案83之設計資料，分割為分別與設定在基板9上之複數個分割區域對應之複數個之分割資料。然後，根據與該分割資料對應之分割區域之最靠近之對象位置P之修正完畢蝕刻特性，對各分割資料進行補正。如此，藉由對各分割資料進行蝕刻補正，取得補正完畢分割資料。
如上述，於圖15所示之例中，設計資料之複數個分割資料所分別顯示之分割圖案即單元圖案84，係相同。因此，可將使用各對象位置P之修正完畢蝕刻特性而取得之補正完畢分割資料，直接作為將該對象位置P作為最靠近之對象位置之其他分割區域之補正完畢分割資料，而進行利用。藉此，對分割資料進行之蝕 刻補正之執行次數變少，從而可於短時間內完成分別與複數個分割區域對應之複數個之補正完畢分割資料之取得(蝕刻補正)。
於資料補正部217中，藉由對上述複數個之補正完畢分割資料進行彙總，生成上述補正完畢設計資料。該補正完畢設計資料，自資料補正裝置21被傳送至資料轉換部22。於資料轉換部22中，將向量資料即補正完畢設計資料轉換為光柵資料即描繪資料(步驟S15)。
該描繪資料，自資料轉換部22被傳送至曝光裝置3之描繪控制器31。於曝光裝置3中，根據來自資料處理裝置2之描繪資料，藉由描繪控制器31控制光出射部33之光調變部332及掃描機構35，進行對基板9之描繪(步驟S16)。然後，以與測試基板9a相同之條件，依序對描繪有圖案之基板9進行顯影裝置12之顯影、蝕刻裝置13之蝕刻、阻劑剝離裝置14之阻劑除去，於基板9上形成導電性材料之圖案。該圖案包含分別顯示單元圖案84之複數個獨立之配線圖案。
於圖案形成系統10中，根據阻劑膜之材料、描繪裝置11之解析度、顯影液之種類等，將可形成於基板9上之阻劑圖案之最小之間隙寬度(圖案要素間之間隙寬度)設定作為最小設定寬度。最小設定寬度，例如為20μm以下(1μm以上)。
實際上，利用相同之補正完畢設計資料依序對將相同設計圖案83作為描繪對象之複數之基板9進行描繪。此外，於設計圖案被變更之、亦即將新的設計圖案作為描繪對象時，一面直接利用複數個對象位置P之修正完畢蝕刻特性，一面使用該新的設計圖案進行步驟S14，生成補正完畢設計資料。然後，根據該補正完 畢設計資料，對基板9進行描繪(步驟S15、S16)。
圖16為顯示使用補正完畢蝕刻特性而補正之設計資料(補正完畢設計資料)所示之圖案之一部分之圖。於圖16中，以虛線顯示補正前之設計資料所示之圖案要素911，且以實線顯示補正完畢設計資料所示之圖案要素912(於後述之圖17中相同)。
於圖16中，於補正前之設計資料中，間隔目標間隙寬度X1之間隙而鄰接之2個圖案要素911，係於補正完畢設計資料中，作為間隔寬度C1之間隙而鄰接之2個圖案要素912而被顯示。在此，於修正完畢蝕刻特性中，因於以藉由(x=2y+c)所表示之邊界線A1而置換之範圍內包含有目標間隙寬度X1，因此上述寬度C1成為設定值c。如已述之，於蝕刻特性之修正中，由於較邊界線A1靠上側成為除外區域F1(參照圖12及圖14)，因此設定值c在補正完畢設計資料中，成為確定鄰接之2個圖案要素912之間的最小之間隙寬度者。較佳為，設定值c係圖案形成系統10中之阻劑圖案之最小設定寬度以上。設定值c例如為最小設定寬度之2倍以下。再者，於圖16之例中，與目標間隙寬度X1對應之補正量為Y1。
在此，對使用僅進行延長線A0b之外插之圖11之蝕刻特性L1b而補正設計資料之比較例之處理進行說明。圖17為顯示藉由比較例之處理而取得之補正完畢設計資料所示之圖案之一部分之圖。於圖11之蝕刻特性L1b中，於延長線A0b之斜率小，例如，補正前之設計資料中之2個圖案要素911之間的目標間隙寬度X1為20μm之情況，補正量成為12μm。因此，間隙補正量成為24μm，變得較目標間隙寬度X1大。其結果，該2個圖案要素911， 於補正完畢設計資料中，作為相互結合(附著)之一個圖案要素912而被顯示。亦即，於基板9上，應被分離形成之圖案要素彼此，會因蝕刻補正之原因而引起結合。
再者，根據資料補正部217之補正處理，於補正完畢設計資料所示之補正完畢之圖案中，於圖案要素間之間隙寬度未滿既定值之情況下，追加進行將該圖案要素間之間隙寬度擴大為該既定值之間隙寬度修正處理。然而，於間隙寬度修正處理中，以在補正完畢之圖案中圖案要素彼此並未結合之情況為前提，不能將在已補正完畢之圖案中結合之圖案要素彼此分離。此外，在間隙寬度修正處理中，運算量增多，對反映有間隙寬度修正處理之結果之最終之補正完畢設計資料之取得需要很長時間。
與上述比較例之處理相比，於描繪裝置11之資料補正裝置21中，以蝕刻特性之各目標間隙寬度較對應之間隙補正量大之方式修正該蝕刻特性之間隙補正量，進而取得修正完畢蝕刻特性。藉此，於基板9上，可容易地防止應被分離形成之圖案要素彼此起因於蝕刻補正而產生結合之情形。此外，還可省略資料補正部217中之間隙寬度修正處理，該情況下，可縮短補正完畢設計資料之取得而需要之時間。
此外，修正完畢蝕刻特性中之各目標間隙寬度、與對應之間隙補正量之差，係為在圖案形成系統10中被預先設定之阻劑圖案之最小設定寬度以上。藉此，於形成在基板9上之阻劑圖案中，可防止圖案要素彼此結合，可更確實地防止基板9上之實際圖案要素彼此之結合。再者，於圖13及圖14所示之修正完畢蝕刻特性L2a、L2b中，由於在補正量為0之目標間隙寬度之範圍內，不 進行蝕刻補正，因此實質上該範圍不包含於蝕刻特性中。
並且，若將在蝕刻特性中藉由蝕刻特性修正部212修正間隙補正量之目標間隙寬度之範圍稱為修正範圍，則修正完畢蝕刻特性中之修正範圍，包含以(x=2y+c)表示之邊界線A1之部分。亦即，修正完畢蝕刻特性中之修正範圍，包含各目標間隙寬度(x)、與對應之間隙補正量(2y)之差為一定之範圍。藉此，可容易取得修正完畢蝕刻特性。
於修正完畢蝕刻特性中，也可使用未滿0之補正量。例如，在與圖13之修正完畢蝕刻特性L2b對應之圖18之修正完畢蝕刻特性L3b中，當目標間隙寬度為X2時，補正量成為0，且於目標間隙寬度未滿X2之範圍，補正量成為負值。負值之補正量，顯示圖案要素之一側之細縮量、即目標間隙寬度之一側之擴大量。如此，在未滿間隙補正量為0之目標間隙寬度X2之範圍內，修正完畢蝕刻特性L3b，顯示作為蝕刻補正而將設計資料中之目標間隙寬度擴大之負的間隙補正量。藉此，即使於目標間隙寬度極窄之範圍中，藉由將各目標間隙寬度較對應之間隙補正量增大設定值c，仍可防止圖案要素彼此之結合。
於上述描繪裝置11及資料補正裝置21中，可進行各種各樣之變形。
於修正完畢蝕刻特性中，上述修正範圍，也可包含各目標間隙寬度與對應之間隙補正量之差，隨著目標間隙寬度之減少而逐漸減少之範圍。該情況下，於表示上述邊界線A1之(x=2y+c)中，正的設定值c成為x之增加函數。於此種之修正完畢蝕刻特性中，補正完畢設計資料中之圖案要素間之間隙寬度，變得可維持補 正前之間隙寬度之大小關係。
於上述實施形態中，雖然於蝕刻特性中，除外區域F1所包含之除外部分被邊界線A1置換，但於防止起因於蝕刻補正之圖案要素彼此之結合之觀點上，上述除外部分之間隙補正量，只要以滿足(x≧2y+c)之方式進行修正即可。該情況下，於修正完畢設計資料所示之圖案中，相互鄰接之2個圖案要素中之最小之間隙寬度，原則上也成為設定值c以上。由於設定值c較0大很重要，因此上述關係也可表示為(x>2y)。
於圖10及圖11之蝕刻特性L1a、L1b中，例如，也可藉由連結最小測定間隙寬度X0之點與原點(0,0)，於不能測定範圍內外插延長線。如此，於蝕刻特性L1a、L1b中，只要不能獲得補正量(或間隙補正量)之目標間隙寬度之範圍，係根據最小測定間隙寬度X0近旁之補正量而被外插，也可利用各種之方法。此外，也可不使用測試基板9a，而藉由蝕刻特性修正部212，修正藉由既定之運算而求得之蝕刻特性。
蝕刻特性及修正完畢蝕刻特性，只要為實質上顯示目標間隙寬度與間隙補正量之關係者即可，例如，修正完畢蝕刻特性，也可維持顯示測試間隙寬度與蝕刻量之關係之狀態不變。
圖5中之處理順序也可適宜變更。例如，也可同步進行步驟S13與步驟S11、S12，也可較步驟S11、S12先進行步驟S13。
基板9除了印刷電路基板之製造用之基板外，也可為半導體基板或玻璃基板等。描繪裝置11，也可被利用於朝基板9以外之各式各樣之對象物上之圖案之描繪。於資料補正裝置21中，也可作為自描繪裝置11獨立之裝置而被利用。此外，資料補正裝 置，也可被利用於藉由蝕刻而形成在基板9以外之各式各樣之對象物上之圖案之設計資料之補正。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，也可適宜組合。
雖然對發明詳細地進行了描述及說明，但已述之說明僅為例示而已，並非用以限制者。因此，可以說只要不超出本發明之範圍，即可實施多數之變形或態樣。

Claims (11)

  1. 一種資料補正裝置，係對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行補正者；其具備有：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料；輸入受理部，其受理蝕刻特性之輸入，該蝕刻特性顯示上述設計資料所示之圖案要素間之間隙寬度、與作為蝕刻補正而將上述間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係；蝕刻特性修正部，其以上述蝕刻特性中之各間隙寬度較對應之間隙補正量變大之方式修正上述蝕刻特性之間隙補正量，取得修正完畢蝕刻特性；及資料補正部，其根據上述修正完畢蝕刻特性，對上述設計資料進行補正。
  2. 如請求項1之資料補正裝置，其中，於藉由蝕刻而於上述對象物上形成圖案之圖案形成系統中，將可形成於上述對象物上之阻劑圖案之最小間隙寬度，作為最小設定寬度而預先設定，上述修正完畢蝕刻特性中之各間隙寬度、與對應之間隙補正量之差，係為上述最小設定寬度以上。
  3. 如請求項1之資料補正裝置，其中，將於上述蝕刻特性中藉由上述蝕刻特性修正部而修正間隙補正量之間隙寬度之範圍作為修正範圍，上述修正完畢蝕刻特性之上述修正範圍係包含各間隙寬度與對應之間隙補正量之差為一定之範圍、或上述差隨著間隙寬度之減少而逐漸減少之範圍。
  4. 如請求項1之資料補正裝置，其中，上述修正完畢蝕刻特性， 係在未滿間隙補正量為0之間隙寬度之範圍內，顯示作為蝕刻補正而將上述設計資料中之間隙寬度擴大之間隙補正量。
  5. 一種描繪裝置，係在對象物上描繪圖案者；其具備有：請求項1至4中任一項之資料補正裝置；光源；光調變部，其根據藉由上述資料補正裝置而被補正之設計資料，對來自上述光源之光進行調變；及掃描機構，其於對象物上掃描藉由上述光調變部而調變之光。
  6. 一種資料補正方法，係對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行補正者；其包含以下之步驟：(a)準備藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料之步驟；(b)準備蝕刻特性之步驟，該蝕刻特性顯示上述設計資料所示之圖案要素間之間隙寬度、與作為蝕刻補正而將上述間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係；(c)以上述蝕刻特性中之各間隙寬度較對應之間隙補正量變大之方式修正上述蝕刻特性之間隙補正量，取得修正完畢蝕刻特性之步驟；及(d)根據上述修正完畢蝕刻特性，對上述設計資料進行補正之步驟。
  7. 如請求項6之資料補正方法，其中，於藉由蝕刻而於上述對象物上形成圖案之圖案形成系統中，將可形成於上述對象物上之阻劑圖案之最小間隙寬度，作為最小設定寬度而預先設定，上述修正完畢蝕刻特性中之各間隙寬度、與對應之間隙補正量之差，係為上述最小設定寬度以上。
  8. 如請求項6之資料補正方法，其中，將上述蝕刻特性中在上述(c)步驟修正間隙補正量之間隙寬度之範圍，作為修正範圍，上述修正完畢蝕刻特性之上述修正範圍係包含各間隙寬度與對應之間隙補正量之差為一定之範圍、或上述差隨著間隙寬度之減少而逐漸減少之範圍。
  9. 如請求項6之資料補正方法，其中，上述修正完畢蝕刻特性，係在未滿間隙補正量為0之間隙寬度之範圍內，顯示作為蝕刻補正而將上述設計資料中之間隙寬度擴大之間隙補正量。
  10. 一種描繪方法，係在對象物上描繪圖案者；其具備以下之步驟：藉由請求項6至9中任一項之資料補正方法，對設計資料進行補正之步驟；及於對象物上掃描根據被補正之上述設計資料而被調變之光之步驟。
  11. 一種程式產品，係對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行補正者，上述程式產品所示之程式係藉由電腦執行，係使上述電腦執行以下之步驟：(a)準備藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料之步驟；(b)準備蝕刻特性之步驟，該蝕刻特性顯示上述設計資料所示之圖案要素間之間隙寬度、與作為蝕刻補正而將上述間隙寬度縮小之量即間隙補正量之關係；(c)以上述蝕刻特性中之各間隙寬度較對應之間隙補正量變大之方式修正上述蝕刻特性之間隙補正量，取得修正完畢蝕刻特性之步驟；及 (d)根據上述修正完畢蝕刻特性，對上述設計資料進行補正之步驟。
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