JP2017063131A - データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 - Google Patents
データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017063131A JP2017063131A JP2015187980A JP2015187980A JP2017063131A JP 2017063131 A JP2017063131 A JP 2017063131A JP 2015187980 A JP2015187980 A JP 2015187980A JP 2015187980 A JP2015187980 A JP 2015187980A JP 2017063131 A JP2017063131 A JP 2017063131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- substrate
- gap width
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 188
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 180
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 100
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 74
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
ET(t)=a0+a1*t+a2*t2+a3*t3+・・・
EB(t)=b0+b1*t+b2*t2+b3*t3+・・・
ET(t)=a0+a1*t+a2*t2
EB(t)=b0+b1*t+b2*t2
4,4a 検査装置
8 導体膜
9 基板
10 配線パターン形成システム
14 配線パターン形成手段
21 データ補正装置
35 走査機構
41,211 設計データ記憶部
42,213 参照情報記憶部
43 実画像記憶部
44 上面ギャップ幅取得部
45,216 データ補正部
46 欠陥検出部
214 下面エッチング量取得部
331 光源
332 光変調部
710 マスク要素ペア
810 パターン要素ペア
811 パターン要素
G マスクギャップ幅
GB 下面ギャップ幅
GT 上面ギャップ幅
P 対象位置
S1〜S7,S11〜S17,S21〜S26 ステップ
Claims (8)
- 基板の表面に形成された導体膜をエッチング液によりエッチングして形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、
導体膜が形成された基板上に所定条件のエッチングにより形成される前記導体膜のパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
基板の導体膜上に互いに隣接して形成されるマスク要素ペアの間の隙間の幅をマスクギャップ幅として、前記マスク要素ペアを用いてエッチングにより前記導体膜に形成されるパターン要素ペアの上面間の隙間の幅である上面ギャップ幅と、前記パターン要素ペアの下面間の隙間の幅である下面ギャップ幅との関係を示す参照情報を、複数のマスクギャップ幅のそれぞれに対して記憶する参照情報記憶部と、
前記複数のマスクギャップ幅がそれぞれ設定された複数のマスク要素ペアを用いて前記所定条件のエッチングが行われた処理済み基板において、前記複数のマスク要素ペアに対応する複数のパターン要素ペアのそれぞれの上面ギャップ幅の測定値が取得されており、前記測定値を用いて前記参照情報を参照することにより、前記処理済み基板に対して、前記複数のマスクギャップ幅における複数の下面ギャップ幅の値を取得する下面ギャップ幅取得部と、
前記複数のマスクギャップ幅における前記複数の下面ギャップ幅の値に基づいて、前記設計データを補正するデータ補正部と、
を備え、
前記複数のマスクギャップ幅のそれぞれに関して、前記導体膜が前記基板の表面までエッチングされた状態から、前記導体膜が前記表面に沿ってエッチングされる際のパターン要素ペアの形状の変化を時間の多項式で定式化し、前記多項式の係数を、所定時間のエッチングが行われたテスト基板におけるパターン要素ペアの形状の測定値を用いたフィッティングにて決定することにより、前記参照情報が取得されることを特徴とするデータ補正装置。 - 請求項1に記載のデータ補正装置であって、
前記処理済み基板上の複数の対象位置のそれぞれにおいて、前記複数のマスクギャップ幅に対応する複数のパターン要素ペアが形成されており、
前記下面ギャップ幅取得部が、各マスクギャップ幅に関して、同一の参照情報を参照することにより、前記複数の対象位置における複数の下面ギャップ幅の値を取得し、
前記データ補正部が、前記複数の対象位置における前記複数の下面ギャップ幅の値に基づいて、前記設計データを補正することを特徴とするデータ補正装置。 - 基板上にパターンを描画する描画装置であって、
請求項1または2に記載のデータ補正装置と、
光源と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、
前記光変調部により変調された光を基板上にて走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする描画装置。 - 配線パターン形成システムであって、
請求項1または2に記載のデータ補正装置と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて、基板上に配線パターンを形成する配線パターン形成手段と、
を備えることを特徴とする配線パターン形成システム。 - 基板の表面に形成された導体膜をエッチング液によりエッチングして形成されたパターンを検査する検査装置であって、
導体膜が形成された基板上にエッチングにより形成される前記導体膜のパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
基板の導体膜上に互いに隣接して形成されるマスク要素ペアの間の隙間の幅をマスクギャップ幅として、前記マスク要素ペアを用いてエッチングにより前記導体膜に形成されるパターン要素ペアの上面間の隙間の幅である上面ギャップ幅と、前記パターン要素ペアの下面間の隙間の幅である下面ギャップ幅との関係を示す参照情報を、複数のマスクギャップ幅のそれぞれに対して記憶する参照情報記憶部と、
前記設計データに基づいて形成されたマスクパターンを用いたエッチングにより、対象基板上に形成されたパターンの上面の画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、
前記対象基板において、前記複数のマスクギャップ幅がそれぞれ設定された複数のマスク要素ペアを用いて複数のパターン要素ペアが形成されており、前記検査画像データに基づいて、前記複数のパターン要素ペアのそれぞれの上面ギャップ幅の測定値を取得する上面ギャップ幅取得部と、
前記対象基板上のパターンの各パターン要素に対して、前記設計データから特定されるマスクギャップ幅の前記参照情報を、前記マスクギャップ幅に対する前記測定値を用いて参照することにより、前記検査画像データが示すパターンから前記対象基板上の前記パターンの下面の形状を取得するデータ補正部と、
前記データ補正部により取得された前記パターンの下面の形状に基づいて、前記対象基板上の前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部と、
を備え、
前記複数のマスクギャップ幅のそれぞれに関して、前記導体膜が前記基板の表面までエッチングされた状態から、前記導体膜が前記表面に沿ってエッチングされる際のパターン要素ペアの形状の変化を時間の多項式で定式化し、前記多項式の係数を、所定時間のエッチングが行われたテスト基板におけるパターン要素ペアの形状の測定値を用いたフィッティングにて決定することにより、前記参照情報が取得されることを特徴とする検査装置。 - 基板の表面に形成された導体膜をエッチング液によりエッチングして形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、
a)導体膜が形成された基板上に所定条件のエッチングにより形成される前記導体膜のパターンの設計データを準備する工程と、
b)基板の導体膜上に互いに隣接して形成されるマスク要素ペアの間の隙間の幅をマスクギャップ幅として、前記マスク要素ペアを用いてエッチングにより前記導体膜に形成されるパターン要素ペアの上面間の隙間の幅である上面ギャップ幅と、前記パターン要素ペアの下面間の隙間の幅である下面ギャップ幅との関係を示す参照情報を、複数のマスクギャップ幅のそれぞれに対して準備する工程と、
c)前記複数のマスクギャップ幅がそれぞれ設定された複数のマスク要素ペアを用いて前記所定条件のエッチングが行われた処理済み基板において、前記複数のマスク要素ペアに対応する複数のパターン要素ペアのそれぞれの上面ギャップ幅の測定値を取得する工程と、
d)前記測定値を用いて前記参照情報を参照することにより、前記処理済み基板に対して、前記複数のマスクギャップ幅における複数の下面ギャップ幅の値を取得する工程と、
e)前記複数のマスクギャップ幅における前記複数の下面ギャップ幅の値に基づいて、前記設計データを補正する工程と、
を備え、
前記複数のマスクギャップ幅のそれぞれに関して、前記導体膜が前記基板の表面までエッチングされた状態から、前記導体膜が前記表面に沿ってエッチングされる際のパターン要素ペアの形状の変化を時間の多項式で定式化し、前記多項式の係数を、所定時間のエッチングが行われたテスト基板におけるパターン要素ペアの形状の測定値を用いたフィッティングにて決定することにより、前記参照情報が取得されることを特徴とするデータ補正方法。 - 請求項6に記載のデータ補正方法であって、
前記処理済み基板上の複数の対象位置のそれぞれにおいて、前記複数のマスクギャップ幅に対応する複数のパターン要素ペアが形成されており、
前記d)工程において、各マスクギャップ幅に関して、同一の参照情報を参照することにより、前記複数の対象位置における複数の下面ギャップ幅の値が取得され、
前記e)工程において、前記複数の対象位置における前記複数の下面ギャップ幅の値に基づいて、前記設計データが補正されることを特徴とするデータ補正方法。 - 配線基板の製造方法であって、
請求項1または2に記載のデータ補正装置により設計データを補正する工程と、
補正された設計データに基づいて、基板上に配線パターンを形成する工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015187980A JP6663672B2 (ja) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 |
PCT/JP2016/071306 WO2017051599A1 (ja) | 2015-09-25 | 2016-07-20 | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 |
CN201680055055.XA CN108029196B (zh) | 2015-09-25 | 2016-07-20 | 数据修正装置、描绘装置、配线图案形成系统、检查装置、数据修正方法及配线基板的制造方法 |
KR1020187006007A KR102082583B1 (ko) | 2015-09-25 | 2016-07-20 | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 배선 패턴 형성 시스템, 검사 장치, 데이터 보정 방법 및 배선 기판의 제조 방법 |
TW105123797A TWI617934B (zh) | 2015-09-25 | 2016-07-27 | 資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015187980A JP6663672B2 (ja) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017063131A true JP2017063131A (ja) | 2017-03-30 |
JP2017063131A5 JP2017063131A5 (ja) | 2018-08-09 |
JP6663672B2 JP6663672B2 (ja) | 2020-03-13 |
Family
ID=58385958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015187980A Expired - Fee Related JP6663672B2 (ja) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6663672B2 (ja) |
KR (1) | KR102082583B1 (ja) |
CN (1) | CN108029196B (ja) |
TW (1) | TWI617934B (ja) |
WO (1) | WO2017051599A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047263A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Fujitsu Ltd | エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法 |
JP2004207611A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | プリント配線板製造装置およびプリント配線板製造方法エッチング装置 |
JP2005116942A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 製造支援システムおよびプログラム |
JP6491974B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-03-27 | 日立化成株式会社 | 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07302824A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Sony Corp | パターン層の位置測定方法並びにテストパターン層及びその形成方法 |
US6768958B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-07-27 | Lsi Logic Corporation | Automatic calibration of a masking process simulator |
TW200811684A (en) * | 2006-02-17 | 2008-03-01 | Mentor Graphics Corp | Gate modeling for semiconductor fabrication process effects |
KR101678070B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2016-11-22 | 삼성전자 주식회사 | 마스크리스 노광장치 및 그 제어방법 |
JP5503992B2 (ja) | 2010-02-08 | 2014-05-28 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
-
2015
- 2015-09-25 JP JP2015187980A patent/JP6663672B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-20 CN CN201680055055.XA patent/CN108029196B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2016-07-20 KR KR1020187006007A patent/KR102082583B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-20 WO PCT/JP2016/071306 patent/WO2017051599A1/ja active Application Filing
- 2016-07-27 TW TW105123797A patent/TWI617934B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047263A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Fujitsu Ltd | エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法 |
JP2004207611A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | プリント配線板製造装置およびプリント配線板製造方法エッチング装置 |
JP2005116942A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 製造支援システムおよびプログラム |
JP6491974B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-03-27 | 日立化成株式会社 | 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6663672B2 (ja) | 2020-03-13 |
TWI617934B (zh) | 2018-03-11 |
KR102082583B1 (ko) | 2020-02-27 |
CN108029196B (zh) | 2020-07-28 |
KR20180031776A (ko) | 2018-03-28 |
CN108029196A (zh) | 2018-05-11 |
TW201717076A (zh) | 2017-05-16 |
WO2017051599A1 (ja) | 2017-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5289343B2 (ja) | 露光量決定方法、半導体装置の製造方法、露光量決定プログラムおよび露光量決定装置 | |
TWI447527B (zh) | 用於預測光阻圖案形狀之方法,儲存用於預測光阻圖案形狀之程式的電腦可讀取媒體,以及用於預測光阻圖案形狀之電腦 | |
KR101689964B1 (ko) | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 검사 장치, 데이터 보정 방법, 묘화 방법, 검사 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
JP6342304B2 (ja) | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム | |
TWI421908B (zh) | 光學鄰近校正模型的建立方法 | |
JP2015184315A (ja) | データ補正装置、描画装置、データ補正方法および描画方法 | |
JP2009042275A (ja) | プロセスモデル作成方法、プロセスモデル作成プログラム及びパターン補正方法 | |
JP7339826B2 (ja) | マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置 | |
JP2006261436A (ja) | 信号処理方法及びその装置 | |
JP6663672B2 (ja) | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 | |
TWI612296B (zh) | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 | |
JP2006154245A (ja) | パタンデータ検証方法、パタンデータ作成方法、露光用マスクの製造方法およびプログラム | |
JP6466797B2 (ja) | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム | |
JP2005003996A (ja) | フォトマスクとフォトマスクの製造方法及びマスクデータ生成方法 | |
TWI647984B (zh) | 資料補正裝置、描繪裝置、資料補正方法、描繪方法及程式產品 | |
JP5684168B2 (ja) | フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置 | |
US8336004B2 (en) | Dimension assurance of mask using plurality of types of pattern ambient environment | |
JP2017083622A (ja) | フォトマスクの作製方法、フォトマスクデータ処理装置及びプログラム | |
JP2007033765A (ja) | パターン製造システム、露光装置、及び露光方法 | |
JP2020148615A (ja) | 参照画像生成方法およびパターン検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20151127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6663672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |