JP6466797B2 - データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 82
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 550
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 104
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 100
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 55
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 84
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 44
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000528 statistical test Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
1a 検査装置
9 基板
9a テスト基板
21,21a データ補正装置
25 実画像記憶部
26 欠陥検出部
35 走査機構
80 プログラム
83 設計パターン
211 設計データ記憶部
212 エッチング特性記憶部
213 異常特性検出部
214 特性置換部
217 データ補正部
331 光源
332 光変調部
L,La エッチングカーブ
Lb 参照エッチングカーブ
P 対象位置
S11〜S22 ステップ
Claims (11)
- 対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
前記対象物上の複数の対象位置に対する複数のエッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部と、
各対象位置のエッチング特性と、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性とを比較する検出処理により、特異なエッチング特性を異常エッチング特性として検出する異常特性検出部と、
前記異常エッチング特性の対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて新たなエッチング特性を求め、前記異常エッチング特性を前記新たなエッチング特性に置き換える特性置換部と、
前記設計データを、前記複数の対象位置に対する複数のエッチング特性に基づいて補正するデータ補正部と、
を備え、
前記検出処理において、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて取得される一のエッチング特性と、前記各対象位置のエッチング特性との間の距離に基づく判定値が求められ、前記判定値が所定の閾値と比較されることを特徴とするデータ補正装置。 - 請求項1に記載のデータ補正装置であって、
前記一のエッチング特性が、前記対象位置群のエッチング特性を用いた補間演算により前記各対象位置に対して取得されることを特徴とするデータ補正装置。 - 請求項1または2に記載のデータ補正装置であって、
前記異常特性検出部が、一の異常エッチング特性を検出する毎に、前記一の異常エッチング特性を除外して、前記検出処理を再度行い、他の一の異常エッチング特性を検出することを特徴とするデータ補正装置。 - 対象物上にパターンを描画する描画装置であって、
請求項1ないし3のいずれかに記載のデータ補正装置と、
光源と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、
前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする描画装置。 - 対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査装置であって、
請求項1ないし3のいずれかに記載のデータ補正装置と、
対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、
前記データ補正装置により補正された設計データと前記検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部と、
を備えることを特徴とする検査装置。 - 対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、
a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
b)前記対象物上の複数の対象位置に対する複数のエッチング特性を準備する工程と、
c)各対象位置のエッチング特性と、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性とを比較する検出処理により、特異なエッチング特性を異常エッチング特性として検出する工程と、
d)前記異常エッチング特性の対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて新たなエッチング特性を求め、前記異常エッチング特性を前記新たなエッチング特性に置き換える工程と、
e)前記設計データを、前記複数の対象位置に対する複数のエッチング特性に基づいて補正する工程と、
を備え、
前記検出処理において、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて取得される一のエッチング特性と、前記各対象位置のエッチング特性との間の距離に基づく判定値が求められ、前記判定値が所定の閾値と比較されることを特徴とするデータ補正方法。 - 請求項6に記載のデータ補正方法であって、
前記一のエッチング特性が、前記対象位置群のエッチング特性を用いた補間演算により前記各対象位置に対して取得されることを特徴とするデータ補正方法。 - 請求項6または7に記載のデータ補正方法であって、
前記c)工程において、一の異常エッチング特性が検出される毎に、前記一の異常エッチング特性を除外して、前記検出処理が再度行われ、他の一の異常エッチング特性が検出されることを特徴とするデータ補正方法。 - 対象物上にパターンを描画する描画方法であって、
請求項6ないし8のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程と、
を備えることを特徴とする描画方法。 - 対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査方法であって、
請求項6ないし8のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データと対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する工程と、
を備えることを特徴とする検査方法。 - 対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、
a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
b)前記対象物上の複数の対象位置に対する複数のエッチング特性を準備する工程と、
c)各対象位置のエッチング特性と、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性とを比較する検出処理により、特異なエッチング特性を異常エッチング特性として検出する工程と、
d)前記異常エッチング特性の対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて新たなエッチング特性を求め、前記異常エッチング特性を前記新たなエッチング特性に置き換える工程と、
e)前記設計データを、前記複数の対象位置に対する複数のエッチング特性に基づいて補正する工程と、
を実行させ、
前記検出処理において、前記各対象位置の周囲に位置する対象位置群のエッチング特性を用いて取得される一のエッチング特性と、前記各対象位置のエッチング特性との間の距離に基づく判定値が求められ、前記判定値が所定の閾値と比較されることを特徴とするプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146511A JP6466797B2 (ja) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
TW105119609A TWI600898B (zh) | 2015-07-24 | 2016-06-22 | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 |
KR1020160089935A KR101863439B1 (ko) | 2015-07-24 | 2016-07-15 | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 검사 장치, 데이터 보정 방법, 묘화 방법, 검사 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146511A JP6466797B2 (ja) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017026880A JP2017026880A (ja) | 2017-02-02 |
JP6466797B2 true JP6466797B2 (ja) | 2019-02-06 |
Family
ID=57946502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015146511A Active JP6466797B2 (ja) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6466797B2 (ja) |
KR (1) | KR101863439B1 (ja) |
TW (1) | TWI600898B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7072844B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-05-23 | 東レエンジニアリング先端半導体Miテクノロジー株式会社 | ウェハパターンのエッジと基準パターンのエッジとの乖離量と基準パターンのスペース幅との関係を示す補正線を生成する方法および装置、並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0374675A (ja) | 1989-03-16 | 1991-03-29 | Nissan Motor Co Ltd | 大容量ロックアップ付流体伝動装置 |
JPH04274784A (ja) | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Toshiba Corp | レーダ画像表示装置 |
JP4510118B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム |
JP4343245B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | パターンデータ生成方法、パターンデータ生成装置、及びパターンデータ生成プログラムを格納した記録媒体 |
JP4131880B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2008-08-13 | 株式会社東芝 | マスクデータ作成方法及びマスクデータ作成装置 |
JP3074675B2 (ja) * | 1997-11-20 | 2000-08-07 | 日本電気株式会社 | 電子線直描方法及び装置 |
JP2002222760A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
JP4274784B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2009-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 配線形成システムおよびその方法 |
JP2004001951A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sumitomo Heavy Industries Construction Crane Co Ltd | 運転室昇降機構を備えた作業機械 |
JP4515184B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造システム、露光装置および露光方法 |
JP4493391B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-06-30 | 新光電気工業株式会社 | パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置 |
JP2006303229A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toray Eng Co Ltd | 回路形成システム |
JP2006318978A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | パターン設計方法 |
JP2008134512A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | パターンデータの補正方法、フォトマスクおよび回路基板 |
TWI409661B (zh) * | 2009-11-18 | 2013-09-21 | Iyun Leu | 物體製造缺陷的應用方法 |
NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
JP5852341B2 (ja) | 2011-06-29 | 2016-02-03 | 株式会社図研 | エッチングパターン作成装置、エッチングパターン作成方法、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体 |
JP5826707B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2014020950A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nuflare Technology Inc | パターン検査装置 |
US9183624B2 (en) * | 2013-06-19 | 2015-11-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer with run time use of design data |
JP6255191B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
-
2015
- 2015-07-24 JP JP2015146511A patent/JP6466797B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-22 TW TW105119609A patent/TWI600898B/zh active
- 2016-07-15 KR KR1020160089935A patent/KR101863439B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101863439B1 (ko) | 2018-05-31 |
TWI600898B (zh) | 2017-10-01 |
JP2017026880A (ja) | 2017-02-02 |
KR20170012048A (ko) | 2017-02-02 |
TW201710673A (zh) | 2017-03-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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