JP5826707B2 - 基板検査装置および基板検査方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の表面にエッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査を行う基板検査装置および基板検査方法に関する。
従来、プリント基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、太陽電池用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板の表面に、エッチングにより配線パターンが形成される。そして、形成された配線パターンの品質を保証するために、配線パターンの欠陥検査が行われる。欠陥検査においては、例えば、検査用のパターンデータと、基板から読み取られる画像データとを照合し、両データの差分の大きい箇所を欠陥として検出する。このような欠陥検査を行う従来の基板検査装置については、例えば、特許文献1に開示されている。
特開平7−325044号公報
ところで、エッチング工程では、配線パターンの形状や間隔によって、エッチング液による腐食の程度が変わる。これは、各パターンの周囲におけるエッチング液の流れ易さが、パターンの形状や間隔によって、変化するためである。例えば、ラインパターンの線幅や間隔、円形パターンの径などが、腐食の程度に影響する。このため、設計上のパターンデータと、実基板から読み取られる画像データとを、単純に照合しただけでは、エッチングにより形状が変化しやすい箇所において、多くの誤検出が生じてしまう。誤検出が多いと、欠陥の検出処理に時間が掛かるだけではなく、検出された欠陥の確認作業にも時間が掛かる。
そこで、従来では、エッチングにより形状が変化しやすい箇所を検査領域から除外したり、当該箇所における検査感度を低下させたりして、欠陥検査を行っていた。しかしながら、そのような検査方法では、検出すべき欠陥の見逃しが生じる虞がある。
一方、設計上のパターンデータを、エッチングシミュレーションを用いて変換すれば、パターンデータの形状を、実基板上の配線パターンの形状に、近づけることができる。このため、当該パターンデータを使用して、誤検出の少ない欠陥検査を行うことができる。しかしながら、エッチングシミュレーションを行うためには、実基板のエッチングの程度を示すエッチング曲線を測定する必要がある。従来では、このエッチング曲線の測定のために、基板検査装置とは別の装置へ基板を搬送して、パターンの測長を行う必要があった。また、基板の全面に対してエッチングシミュレーションを行うと、エッチングシミュレーション自体が長時間の処理となるため、全体として工程を短縮することが困難となる。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、エッチングシミュレーションを用いて誤検出の少ない欠陥検査を行い、かつ、エッチング情報の測定のために複数の装置の間で基板を移動させる必要のない基板検査装置および基板検査方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板の表面にエッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査を行う基板検査装置であって、基板の表面に形成された測定用パターンからエッチング情報を測定する情報測定手段と、前記エッチング情報を用いて、設計データにエッチングシミュレーションを行うことにより、検査データを生成するシミュレーション手段と、基板の表面に形成された配線パターンを撮影し、得られた画像データと前記検査データとを照合させることにより、欠陥を検出する欠陥検出手段と、を備え、基板の表面に、複数の検査領域が設定され、複数の前記検査領域のそれぞれに、前記測定用パターンが設けられ、前記情報測定手段は、複数の前記測定用パターンのそれぞれについて、エッチング情報を測定し、前記シミュレーション手段は、複数の前記検査領域のそれぞれに含まれる測定用パターンから得られたエッチング情報を用いて、前記検査領域ごとにエッチングシミュレーションを行う
本願の第発明は、第発明の基板検査装置であって、前記検査領域内に、複数の個片パターンが含まれ、前記シミュレーション手段は、一部の個片パターンの設計データに対して、前記エッチングシミュレーションを行うとともに、前記エッチングシミュレーションの結果を多面付けすることにより、前記検査データを生成する。
本願の第発明は、第発明または第発明の基板検査装置であって、ユーザの操作により、複数の前記検査領域を設定する領域設定手段をさらに備える。
本願の第発明は、第1発明から第発明までのいずれかの基板検査装置であって、前記配線パターンと前記測定用パターンとが、単一の基板の表面に形成されている。
本願の第発明は、基板の表面にエッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査を行う基板検査方法であって、基板の表面に、複数の検査領域が設定され、複数の前記検査領域のそれぞれに、測定用パターンが設けられ、a)基板の表面に形成された複数の前記測定用パターンのそれぞれについてエッチング情報を測定する工程と、b)複数の前記検査領域のそれぞれに含まれる前記測定用パターンから得られた前記エッチング情報を用いて、設計データに前記検査領域ごとにエッチングシミュレーションを行うことにより、検査データを生成する工程と、c)基板の表面に形成された配線パターンを撮影し、得られた画像データと前記検査データとを照合させることにより、欠陥を検出する工程と、を単一の装置において行う。
本願の第発明は、第発明の基板検査方法であって、前記工程b)においては、前記配線パターンを構成する複数の個片パターンのうち、一部の個片パターンの設計データに対して、前記エッチングシミュレーションを行うとともに、前記エッチングシミュレーションの結果を多面付けすることにより、前記検査データを生成する。
本願の第1発明によれば、エッチング情報に応じて生成された検査データに基づいて、誤検出の少ない欠陥検査を行うことができる。このとき、検査領域ごとにエッチング情報を得ることにより、各検査領域におけるエッチングの程度をより正確に反映した検査データを作成できる。したがって、各検査領域における誤検出を、より低減できる。また、単一の基板検査装置において、エッチング情報の測定、エッチングシミュレーション、および欠陥の検出が行われる。このため、複数の装置の間で基板を移動させる必要がない。
特に、本願の第発明によれば、エッチングシミュレーションに掛かる時間を短縮できる。このため、単一の基板検査装置においてエッチングシミュレーションと欠陥の検出とを行いつつ、処理全体の長時間化を抑制できる。
特に、本願の第発明によれば、基板検査装置のユーザが、エッチング処理の傾向や検査の状況に応じて、検査領域を設定できる。
特に、本願の第発明によれば、実基板とは別にエッチング情報測定用の基板を用意することなく、実基板に対して、エッチング情報の測定から欠陥の検出までを一貫して行うことができる。
また、本願の第発明によれば、エッチング情報に応じて生成された検査データに基づいて、誤検出の少ない欠陥検査を行うことができる。このとき、検査領域ごとにエッチング情報を得ることにより、各検査領域におけるエッチングの程度をより正確に反映した検査データを作成できる。したがって、各検査領域における誤検出を、より低減できる。また、単一の装置において、エッチング情報の測定、エッチングシミュレーション、および欠陥の検出が行われる。このため、複数の装置の間で基板を移動させる必要がない。
特に、本願の第発明によれば、エッチングシミュレーションに掛かる時間を短縮できる。このため、単一の装置においてエッチングシミュレーションと欠陥の検出とを行いつつ、処理全体の長時間化を抑制できる。
プリント基板の斜視図である。 測定用パターンの例を示した図である。 基板検査システムの構成を示した図である。 基板検査装置の上面図である。 基板検査装置の側面図である。 欠陥検査の手順を示したフローチャートである。 検査データの生成手順を示したフローチャートである。 制御部におけるデータ処理の様子を、概念的に示したブロック図である。 一対のラインパターンにおいて、エッチング曲線の測定に使用されるパラメータの例を示した図である。 エッチング曲線の例を示した図である。 円形パターンにおいて、エッチング曲線の測定に使用されるパラメータの例を示した図である。 エッチング曲線の例を示した図である。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
<1.プリント基板について>
まず、後述する基板検査装置30において検査されるプリント基板について、説明する。図1は、プリント基板9の一例を示した図である。図1に示すように、プリント基板9は、ベース板部91と、ベース板部91の上面に形成された配線パターン92とを有する。ベース板部91は、ガラスエポキシや紙フェノール等の絶縁材料より形成される。配線パターン92は、フォトリソグラフィ工程において、銅箔等の導体をエッチングすることにより、形成される。
図1に示すように、配線パターン92は、格子状に配列された複数(図1の例では24個)の個片パターン921を含んでいる。各個片パターン921は、互いに同一の電子回路を構成する。すなわち、各個片パターン921は、設計上は同一のパターンとなっている。図1に示すプリント基板9は、その後の製造工程において、個片パターン921毎に複数の基板に分割される。
また、後述する基板検査システム1においては、プリント基板9の上面に、複数の検査領域93が設定される。図1の例では、プリント基板9の上面が、4つの検査領域93に分割され、各検査領域93に、6つの個片パターン921が含まれている。また、プリント基板9の上面には、後述するエッチング曲線の測定に用いるための測定用パターン94が、複数(図1の例では4つ)形成されている。測定用パターン94は、各検査領域93に、1つずつ含まれる。なお、測定用パターン94は、銅箔等の導体をエッチングすることにより、配線パターン92と同時に形成される。
図2は、測定用パターン94の例を示した図である。図2の測定用パターン94は、一対のラインパターンにより構成されるパターン組941と、円形パターン942とを、それぞれ複数有している。一対のラインパターンの間隔は、パターン組941ごとに異なる。また、複数の円形パターン942は、互いに異なる径を有している。
なお、測定用パターン94のデザインは、図2の例に限定されるものではない。例えば、パターン組941ごとに、ラインパターンの線幅が変更されていてもよい。また、パターン組941の数や、円形パターン942の数は、図2とは異なる数であってもよい。また、測定用パターン94に、ラインパターンや円形パターン以外のパターンが、含まれていてもよい。また、測定用パターンは、図1のように配線パターン92の周囲に配置されていてもよく、複数の個片パターン921の隙間に配置されていてもよい。
<2.基板検査システムの構成>
続いて、本発明の一実施形態に係る基板検査装置30を備えた基板検査システム1について、説明する。図3は、基板検査システム1の構成を示した図である。この基板検査システム1は、プリント基板9の製造工程において、配線パターン92の欠陥検査を行うためのシステムである。図3に示すように、基板検査システム1は、データサーバ10、CAM編集機20、基板検査装置30、およびベリファイ装置40を備えている。
データサーバ10とCAM編集機20とは、HUB51を介して、電気的に接続されている。また、CAM編集機20、基板検査装置30、およびベリファイ装置40は、HUB52を介して、電気的に接続されている。また、CAM編集機は、HUB53を介して、基板検査システム1の外部に位置する描画装置60にも、電気的に接続されている。各HUB51,52,53を介して接続された複数の装置の間では、種々のデータを送受信することが可能となっている。
データサーバ10には、プリント基板9上に配列される個々の個片パターン921の設計データ(以下、「個片設計データD1」という)が、記憶されている。データサーバ10は、CAM編集機20からの要求に応じて、個片設計データD1をCAM編集機20へ出力する。データサーバ10は、例えば、ハードディスク等の記憶部と、記憶部に対してデータの読み書きを行うCPU等の演算処理部と、を有するコンピュータにより構成される。
CAM編集機20は、プリント基板9全体の設計データ(以下、「全体設計データD2」という)を作成するための装置である。CAM編集機20は、データサーバ10から個片設計データD1を読み出し、読み出された個片設計データD1を配列するとともに、測定用パターン94の設計データを、所定の位置に組み込む。これにより、全体設計データD2が作成される。CAM編集機20は、例えば、CPU等の演算処理部やメモリを有するコンピュータにより構成される。
ここで、測定用パターン94は、プリント基板9上の検査領域93ごとに、例えば1つずつ配置される。検査領域93は、CAM編集機20において設定して全体設計データD2に組み込まれるようになっていてもよく、あるいは、基板検査装置30の制御部35において、設定または変更できるようになっていてもよい。
描画装置60は、プリント基板9の上面に形成されたレジスト膜を、選択的に露光するための装置である。描画装置60は、CAM編集機20から全体設計データD2を受信し、当該全体設計データD2に基づいて、プリント基板9の上面を、選択的に露光(描画)する。描画処理後のプリント基板9は、図示しないエッチング装置へ搬送されて、エッチング処理される。その後、洗浄装置においてレジスト膜が除去されることにより、プリント基板9の上面に、配線パターン92と複数の測定用パターン94とが形成される。
基板検査装置30は、プリント基板9の表面に形成された配線パターン92の欠陥検査を行う装置である。基板検査装置30は、CAM編集機20から受信した全体設計データD2に基づいて、検査データD5(図8参照)を作成する。また、基板検査装置30は、プリント基板9の上面を撮影し、画像データD3(図8参照)を取得する。そして、検査データD5と画像データD3とを照合することにより、配線パターン92の欠陥を検出する。検査結果のデータは、基板検査装置30からベリファイ装置40へ送信される。基板検査装置30のより詳細な構成については、後述する。
ベリファイ装置40は、基板検査装置30が欠陥として検出したプリント基板9上の箇所を、目視により確認するための装置である。ベリファイ装置40は、基板検査装置30から検査結果のデータを受信すると、検査結果において指定された箇所を作業者に示す。作業者は、プリント基板9上の当該箇所を、目視観察により確認する。これにより、誤検出と実欠陥との分類や、欠陥の種類(断線、欠け、突起等)の判定を行う。
<3.基板検査装置の構成>
続いて、基板検査装置30のより詳細な構成について、説明する。
図4は、基板検査装置30の上面図である。図5は、基板検査装置30の側面図である。図4および図5に示すように、基板検査装置30は、ハウジング31、テーブル32、テーブル移動機構33、撮像部34、および制御部35を備えている。なお、図4および図5では、ハウジング31の内部を明示するために、ハウジング31の一部分を破断して示している。
ハウジング31は、基台部311とカバー部312とを有している。基台部311は、工場内の床面に接触して基板検査装置30の全体を支持する複数の脚部313を有する。カバー部312は、基台部311の上部を覆っている。テーブル32、テーブル移動機構33、撮像部34、および制御部35は、基台部311とカバー部312とで構成される筐体状のハウジング31の内部に、収容されている。
テーブル32は、プリント基板9を載置する板状の保持部である。テーブル32は、基台部311の上部開口の付近に、水平姿勢で配置されている。テーブル32は、矩形状の枠部321と、枠部321の内側に嵌め込まれたガラス製の光透過部322と、を有している。枠部321の下面には、後述するボールねじ332に螺合するナット部323が設けられている。プリント基板9は、配線パターン92および測定用パターン94が形成された面が上側となる水平姿勢で、光透過部322の上面に載置される。
テーブル移動機構33は、一対のガイドレール331、ボールねじ332、およびモータ333を有する。一対のガイドレール331とボールねじ332とは、主走査方向に沿って、互いに平行かつ水平に延びている。テーブル32の枠部321は、ガイドレール331に対して、スライド移動可能に取り付けられている。また、ボールねじ332には、テーブル32のナット部323が螺合している。モータ333を駆動させると、ボールねじ332は、その軸芯を中心として回転する。そうすると、ボールねじ332およびガイドレール331に沿って、テーブル32が主走査方向に移動する。
撮像部34は、プリント基板9の上面を撮影するための機構である。撮像部34は、カバー部312の内部に配置されている。図4および図5に示すように、撮像部34は、複数のローラ機構341、複数の光学ヘッド342、ヘッド支持部343、およびヘッド移動機構344を有している。複数のローラ機構341は、光学ヘッド342の主走査方向の前後において、プリント基板9の上面を押圧する。これにより、光学ヘッド342の下方において、プリント基板9の位置ずれと撓みとが、抑制される。
複数の光学ヘッド342は、副走査方向(主走査方向に直交する水平方向)に等間隔に配列されている。各光学ヘッド342には、レンズ等の光学系と、CCDやCMOS等の撮像素子とが搭載されている。また、複数の光学ヘッド342は、ヘッド支持部343に固定されて、一体化されている。ヘッド支持部343に接続されたヘッド移動機構344を駆動させると、ヘッド支持部343とともに複数の光学ヘッド342が、副走査方向に移動する。ヘッド移動機構344は、例えば、テーブル移動機構33と同じように、ガイドレール、ボールねじ、およびモータを有する機構により、実現できる。
また、撮像部34は、図示しない複数の光源を有する。光源は、撮影時のプリント基板9の上方位置および下方位置に、それぞれ配置されている。撮像部34は、これらの光源のON/OFFを切り替えることにより、透過光および反射光によるプリント基板9の撮影を行う。
制御部35は、カバー部312の内部に配置されている。制御部35は、モータ333、ローラ機構341、光学ヘッド342、およびヘッド移動機構344と、電気的に接続されている。制御部35は、例えば、CPU等の演算処理部、ハードディスク等の記憶部、およびデータを一時的に記憶するメモリなどを有するコンピュータにより構成される。制御部35は、ユーザの操作、各種の入力信号、または予め設定されたプログラムに従って、基板検査装置30内の各部を制御するとともに、種々のデータ処理を行う。これにより、基板検査装置30におけるプリント基板9の検査が進行する。
<4.欠陥検査について>
図6は、上述した基板検査装置30における欠陥検査の手順を示したフローチャートである。図7は、図6中のステップS3における検査データの生成手順を示したフローチャートである。図8は、制御部35におけるデータ処理の様子を、概念的に示したブロック図である。以下では、図6〜図8を参照しつつ、基板検査装置30における欠陥検査について、説明する。なお、図8中の画像取得部351、情報測定部352、シミュレーション部353、およびデータ照合部354は、例えば、コンピュータのCPUが、メモリ等に記憶されたデータを参照しつつ動作することにより、実現される。
基板検査装置30において欠陥検査を行うときには、まず、エッチング工程を経て配線パターン92および複数の測定用パターン94が形成されたプリント基板9を、テーブル32の上面に載置する。次に、制御部35へ検査を開始する旨の信号が入力される。すると、制御部35が、モータ333、ローラ機構341、光学ヘッド342、およびヘッド移動機構344を制御することにより、プリント基板9の画像を読み取る処理が行われる(ステップS1)。
ステップS1では、まず、モータ333が順方向に駆動する。これにより、テーブル32およびプリント基板9が、主走査方向へ移動する。また、プリント基板9が撮像部34の下方を通過する際に、複数の光学ヘッド342が、プリント基板9の上面の画像を読み取る。すなわち、往路の主走査スキャンが行われる。
往路の主走査スキャンが完了すると、次に、ヘッド移動機構344が動作する。これにより、ヘッド支持部343および複数の光学ヘッド342が、副走査方向に移動する。ここでの副走査方向の移動量は、光学ヘッド342の間隔の半分とされる。
その後、モータ333が逆方向に駆動する。これにより、テーブル32およびプリント基板9が、往路の主走査スキャンとは逆方向に移動する。また、プリント基板9が撮像部34の下方を通過する際に、複数の光学ヘッド342が、プリント基板9の上面の画像を読み取る。すなわち、復路の主走査スキャンが行われる。
このように、この基板検査装置30では、往路および復路の主走査スキャンにより、複数の光学ヘッド342が、プリント基板9の上面全域に亘る画像を撮影する。複数の光学ヘッド342の出力信号は、画像取得部351において統合されて、デジタル化される。これにより、画像データD3が取得される。この画像データD3には、配線パターン92の画像と、複数の測定用パターン94の画像とが、含まれる。
次に、情報測定部352が、画像データD3に基づいて、エッチングの強弱の度合いを示すエッチング曲線D4を、エッチング情報として測定する(ステップS2)。ここでは、まず、情報測定部352が、画像データD3に含まれる複数の測定用パターン94の画像と、全体設計データD2に含まれる複数の測定用パターン94の画像とのそれぞれについて、エッジ抽出処理を行う。そして、エッジ抽出後の輪郭線の差分に基づいて、エッチング曲線D4を測定する。
エッチング曲線D4は、例えば、ラインパターンの間隔や円形パターンの径と、ラインパターンおよび円形パターンのエッチング量との関係を示すデータとして、算出される。また、エッチング曲線D4は、測定用パターン94ごとに(すなわち検査領域93ごとに)、個別に算出される。
図9は、測定用パターン94内の一対のラインパターン(パターン組941)において、エッチング曲線D4の測定に使用されるパラメータx1,y1の例を示した図である。図9では、全体設計データD2に含まれる設計上のラインパターン941aが破線で示され、画像データD3に含まれるエッチング後のラインパターン941bが実線で示されている。エッチング曲線D4を測定するときには、複数のパターン組941について、設計上のラインパターン941aおよびエッチング後のラインパターン941bの各輪郭線の差分を、エッチング量y1として測定する。そして、設計上の一対のラインパターン941aの間隔x1と、エッチング量y1との関係を示すエッチング曲線D4を算出する。図10は、このようにして得られるエッチング曲線D4の例を示した図である。
図11は、測定用パターン94内の円形パターン942において、エッチング曲線D4の測定に使用されるパラメータx2,y2の例を示した図である。図11では、全体設計データD2に含まれる設計上の円形パターン942aが破線で示され、画像データD3に含まれるエッチング後の円形パターン942aが実線で示されている。エッチング曲線D4を測定するときには、複数の円形パターン942について、設計上の円形パターン942aおよびエッチング後の円形パターン942bの各輪郭線の差分を、エッチング量y2として測定する。そして、設計上の円形パターン942aの直径x2と、エッチング量y2との関係を示すエッチング曲線D4を算出する。図12は、このようにして得られるエッチング曲線D4の例を示した図である。
図6〜図8に戻る。続いて、シミュレーション部353が、エッチング曲線D4を用いて、全体設計データD2から検査データD5を生成する(ステップS3)。
図7に示すように、ステップS3では、まず、全体設計データD2から、各検査領域93の1つの個片設計データD1を抽出する。そして、当該個片設計データD1に対して、エッチングシミュレーションを行う(ステップS31)。エッチングシミュレーションには、当該検査領域93に対応するエッチング曲線(すなわち、当該検査領域93に含まれる測定用パターン94から測定されたエッチング曲線)D4が使用される。そして、当該エッチング曲線D4に応じた強さで、個片設計データD1内のパターンを変形させる。
なお、エッチング情報を用いたエッチングシミュレーションには、例えば、特開2005−202949号公報に記載されたシミュレーション方法を、適用することができる。ただし、本発明のエッチングシミュレーションには、当該公報のシミュレーション方法だけではなく、エッチング量に基づいてシミュレーションを行う他の種々のシミュレーション方法を、適用することが可能である。また、本発明のエッチング情報には、本実施形態のようなエッチング曲線だけではなく、エッチングレートなどのエッチング量を示す情報も含まれる。
次に、シミュレーション部353は、個片設計データD1のエッチングシミュレーションの結果を、全体設計データD2へ戻す(ステップS32)。このとき、検査領域93内の全ての個片設計データD1を、1つの個片設計データD1のエッチングシミュレーションの結果で、置き換える。すなわち、各検査領域93において、1つの個片設計データD1のエッチングシミュレーションの結果を、多面付けする。これにより、エッチングシミュレーションの時間が、大幅に短縮される。当該処理の結果、検査データD5が生成される。
その後、データ照合部354が、画像データD3と検査データD5とを照合することにより、配線パターン92の欠陥を検出する(ステップS4)。ここでは、画像データD3内のパターンと検査データD5内のパターンとの差分が、所定の閾値より大きい箇所を、欠陥として検出する。すなわち、本実施形態では、撮像部34と、制御部35内のデータ照合部354とが、欠陥検出手段を構成している。検査結果は、制御部35に接続された表示部355に表示されるとともに、ベリファイ装置40へ送信される。
このように、この基板検査装置30では、エッチング曲線D4に応じて生成された検査データD5に基づいて、プリント基板9の欠陥検査を行う。これにより、誤検出の少ない欠陥検査を行うことができる。また、上述したステップS1〜S4は、単一の基板検査装置30において行われる。このため、エッチング曲線D4の測定やエッチングミュレーションのために、複数の装置の間で基板9を移動させる必要がない。これにより、プリント基板9の検査を、効率よく行うことができる。
特に、本実施形態では、配線パターン92と測定用パターン94とが、単一のプリント基板9の表面に、形成されている。このため、実基板(製品となるプリント基板9)とは別に、エッチング曲線測定用の基板を用意する必要はない。基板検査装置30は、実基板に対して、ステップS1〜S4の処理を一貫して行うことができる。
また、本実施形態では、各検査領域93内の一部の個片設計データD1に対して、エッチングシミュレーションを行い、当該エッチングシミュレーションの結果を多面付けすることにより、検査データD5が生成される。このようにすれば、エッチングシミュレーションに掛かる時間が短縮される。したがって、単一の基板検査装置30においてステップS1〜S4の処理を行いつつ、処理全体の長時間化が抑制される。
また、本実施形態では、検査領域93ごとに測定されたエッチング曲線D4を用いて、当該検査領域93のエッチングシミュレーションを行う。このようにすれば、各検査領域93におけるエッチングの程度をより正確に反映した検査データD5を作成できる。したがって、各検査領域93における誤検出を、より低減できる。
なお、プリント基板9上の複数の検査領域93は、基板検査装置30の制御部35において、設定または変更できるようになっていてもよい。例えば、制御部35と電気的に接続された入力部356から、各検査領域93の形や大きさ、あるいは、検査領域93の数を、任意に設定できるようになっていてもよい。すなわち、基板検査装置30が、ユーザの操作に基づいて複数の検査領域93を設定する領域設定手段を有していてもよい。このようにすれば、基板検査装置30のユーザが、エッチング処理の傾向や検査の状況に応じて、より適切な検査領域93を設定できる。
<5.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
上記の実施形態では、プリント基板9の上面に、配線パターン92および測定用パターン94が形成されていたが、配線パターン92および測定用パターン94は、プリント基板9の上面および下面の双方に形成されていてもよい。また、基板検査装置30の撮像部34は、プリント基板9の上面および下面の双方を撮影できるように、構成されていてもよい。
また、上記の実施形態では、プリント基板9の各検査領域93に、測定用パターン94が1つずつ配置されていたが、1つの検査領域93に、複数の測定用パターン94が配置されていてもよい。また、図1の例では、プリント基板9に4つの検査領域93が設定されていたが、プリント基板9に設定される検査領域93の数は、1〜3つであってもよく、5つ以上であってもよい。検査領域93の数や形状は、プリント基板9の大きさ、要求される検査精度、エッチング液の流れる向き等に応じて、設定すればよい。
また、配線パターンが形成された実基板とは別に、測定用パターンのみが形成されたエッチング曲線測定用の基板を、用意してもよい。その場合には、まず、基板検査装置30にエッチング曲線測定用の基板をセットして、当該基板の画像データから、エッチング曲線を測定する。その後、基板検査装置30に実基板をセットして、欠陥の検出を行う。この場合にも、エッチング曲線の測定のために、複数の装置の間で基板を移動させる必要はない。
また、上記の基板検査システム1は、基板検査装置30とは別に、ベリファイ装置40を備えていたが、ベリファイ装置40を省略し、基板検査装置30自体に、欠陥を目視で確認できる機能を搭載してもよい。
また、上記の基板検査装置30は、プリント基板9を検査対象としていたが、本発明の基板検査装置および基板検査方法は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を、検査対象とするものであってもよい。
また、基板検査装置の細部の構成については、本願の各図に示された構成と、相違していてもよい。また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
1 基板検査システム
9 プリント基板
10 データサーバ
20 CAM編集機
30 基板検査装置
31 ハウジング
32 テーブル
33 テーブル移動機構
34 撮像部
35 制御部
40 ベリファイ装置
51,52,53 HUB
60 描画装置
91 ベース板部
92 配線パターン
93 検査領域
94 測定用パターン
351 画像取得部
352 情報測定部
353 シミュレーション部
354 データ照合部
355 表示部
356 入力部
921 個片パターン
D1 個片設計データ
D2 全体設計データ
D3 画像データ
D4 エッチング曲線
D5 検査データ

Claims (6)

  1. 基板の表面にエッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査を行う基板検査装置であって、
    基板の表面に形成された測定用パターンからエッチング情報を測定する情報測定手段と、
    前記エッチング情報を用いて、設計データにエッチングシミュレーションを行うことにより、検査データを生成するシミュレーション手段と、
    基板の表面に形成された配線パターンを撮影し、得られた画像データと前記検査データとを照合させることにより、欠陥を検出する欠陥検出手段と、
    を備え
    基板の表面に、複数の検査領域が設定され、
    複数の前記検査領域のそれぞれに、前記測定用パターンが設けられ、
    前記情報測定手段は、複数の前記測定用パターンのそれぞれについて、エッチング情報を測定し、
    前記シミュレーション手段は、複数の前記検査領域のそれぞれに含まれる測定用パターンから得られたエッチング情報を用いて、前記検査領域ごとにエッチングシミュレーションを行う基板検査装置。
  2. 請求項1に記載の基板検査装置であって、
    前記検査領域内に、複数の個片パターンが含まれ、
    前記シミュレーション手段は、一部の個片パターンの設計データに対して、前記エッチングシミュレーションを行うとともに、前記エッチングシミュレーションの結果を多面付けすることにより、前記検査データを生成する基板検査装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の基板検査装置であって、
    ユーザの操作により、複数の前記検査領域を設定する領域設定手段
    をさらに備える基板検査装置。
  4. 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板検査装置であって、
    前記配線パターンと前記測定用パターンとが、単一の基板の表面に形成されている基板検査装置。
  5. 基板の表面にエッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査を行う基板検査方法であって、
    基板の表面に、複数の検査領域が設定され、
    複数の前記検査領域のそれぞれに、測定用パターンが設けられ、
    a)基板の表面に形成された複数の前記測定用パターンのそれぞれについてエッチング情報を測定する工程と、
    b)複数の前記検査領域のそれぞれに含まれる前記測定用パターンから得られた前記エッチング情報を用いて、設計データに前記検査領域ごとにエッチングシミュレーションを行うことにより、検査データを生成する工程と、
    c)基板の表面に形成された配線パターンを撮影し、得られた画像データと前記検査データとを照合させることにより、欠陥を検出する工程と、
    を単一の装置において行う基板検査方法。
  6. 請求項5に記載の基板検査方法であって、
    前記工程b)においては、前記配線パターンを構成する複数の固片パターンのうち、一部の個片パターンの設計データに対して、前記エッチングシミュレーションを行うとともに、前記エッチングシミュレーションの結果を多面付けすることにより、前記検査データを生成する基板検査方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6342738B2 (ja) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP2016070730A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス 画像取得装置および画像取得方法
JP2016072335A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス プロセス監視装置およびプロセス監視方法
JP6342304B2 (ja) * 2014-11-12 2018-06-13 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6496159B2 (ja) * 2015-02-23 2019-04-03 株式会社Screenホールディングス パターン検査装置およびパターン検査方法
CN106019851B (zh) * 2015-03-30 2018-05-25 株式会社思可林集团 基准位置获取方法、基准位置获取装置、图案描绘方法、图案描绘装置、以及记录程序的记录媒体
JP6466797B2 (ja) 2015-07-24 2019-02-06 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6466277B2 (ja) * 2015-07-27 2019-02-06 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
KR102595300B1 (ko) * 2016-07-04 2023-10-31 삼성전자주식회사 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
JP7280068B2 (ja) * 2019-03-12 2023-05-23 株式会社Screenホールディングス 検査装置および検査方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0743252B2 (ja) * 1992-09-30 1995-05-15 松下電器産業株式会社 配線パターン検査装置
JP2942171B2 (ja) * 1995-06-09 1999-08-30 大日本スクリーン製造株式会社 プリント基板のパターン検査装置
TW519746B (en) * 2001-01-26 2003-02-01 Timbre Tech Inc System and method for characterizing macro-grating test patterns in advanced lithography and etch processes
JP4274784B2 (ja) * 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
US7053355B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
JP4570494B2 (ja) * 2005-03-24 2010-10-27 古河電気工業株式会社 エッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置
US7488933B2 (en) * 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
WO2008047422A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Casio Micronics Co., Ltd. Procédé pour inspecter un schéma de câblages et système conçu à cet effet
US8103979B2 (en) * 2008-10-20 2012-01-24 Advanced Micro Devices, Inc. System for generating and optimizing mask assist features based on hybrid (model and rules) methodology
US8479125B2 (en) * 2009-03-31 2013-07-02 Christophe Pierrat Lithography modeling and applications
JP5297930B2 (ja) * 2009-07-29 2013-09-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
JP2011203343A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp パターン検査方法及び半導体装置の製造方法

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