TW201710673A - 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

資料修正裝置21之蝕刻特性記憶部212記憶對於對象物上之複數個對象位置之複數種蝕刻特性。於異常特性檢測部213中，藉由對各對象位置之蝕刻特性、與位於該對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性。於特性置換部214中，使用位於異常蝕刻特性之對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性，將該異常蝕刻特性置換為該新的蝕刻特性。於資料修正部217中，基於對於複數個對象位置之複數種蝕刻特性，而修正設計資料。藉此，可更確實且精度良好地修正設計資料。

Description

資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體
本發明係關於一種修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之技術。
過去以來，於印刷基板之製造步驟中，對以樹脂等絕緣材料形成之基板施加各種處理。例如，藉由於基板之表面上形成銅等之膜，且於該膜上形成抗蝕劑之圖案，進而施加蝕刻，而於基板上形成配線圖案。於蝕刻中，有時因圖案配置之疏密或圖案之大小等，而使形成於基板上之圖案之形狀與設計資料不同。
於日本專利第3074675號公報中，揭示藉由以電子束直描裝置於基板上形成抗蝕劑圖案，並以電漿蝕刻裝置進行蝕刻而形成圖案之技術。又，提出有於根據圖案之設計資料產生電子束直描用資料之處理中，包含修正微負載效應所引起之蝕刻後之圖案尺寸變化之處理。
於日本專利第4274784號公報中，提出有使用蝕刻後之基板之圖像資料與設計資料以獲得所需之蝕刻後基板時，產生顯示需要如何修正設計資料之縮放規則(resizing rule)。
於日本專利特開2008-134512號公報中，揭示於製作光罩時，針對圖案間之每一空間(距離)，指定用以修正過度蝕刻之修正值之方法。又，提出於直線圖案與圓弧圖案對向之情形時，對該對向之部位加以進一步之修正。
於日本專利特開2013-12562號公報中，揭示於根據導體圖案之設計資料一面考慮側面蝕刻一面製成輪廓形狀(導體圖案之外形形狀)時，基於鄰接之輪廓形狀間之距離而設定修正值之技術。
日本專利特開2013-250101號公報係關於藉由蝕刻形成之配線圖案之缺陷檢查者。於該缺陷檢查中，藉由根據形成於基板之表面之測定用圖案測定蝕刻資訊(蝕刻曲線)，並使用該蝕刻曲線對設計資料進行蝕刻模擬而產生檢查資料。然後，藉由對照基板上之配線圖案之圖像資料與檢查資料，而檢測配線圖案之缺陷。
近幾年來，於進行對基板之蝕刻之裝置中，為提高生產性，而對配置有多個相同塊(圖案)之大型基板進行蝕刻。因此，依基板上之位置而蝕刻特性不同，從而即使為對相同塊之蝕刻，亦有蝕刻結果不同之情況。因此，考慮取得對於基板上之複數個位置之複數種蝕刻特性，並基於該等複數種蝕刻特性而修正設計資料。然而，不限於適當地取得所有蝕刻特性，亦有取得異常蝕刻特性之情況。於該情形時，設計資料之修正精度下降。
本發明有關於修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之資料修正裝置，其目的在於更確實且精度良好地修正設計資料。
本發明之資料修正裝置包含：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料；蝕刻特性記憶部，其記憶對於上述對象物上之複數個對象位置之複數種蝕刻特性；異常特性檢測部，其藉由對各對象位置之蝕刻特性、與位於上述各對象位置的周圍 之對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性；特性置換部，其使用位於上述異常蝕刻特性之對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性，將上述異常蝕刻特性置換為上述新的蝕刻特性；及資料修正部，其基於對於上述複數個對象位置之複數種蝕刻特性而修正上述設計資料。
根據本發明，可藉由將異常蝕刻特性置換為新的蝕刻特性，而更確實且精度良好地修正設計資料。
於本發明之一較佳形態中，於上述檢測處理中，求出基於使用位於上述各對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性而取得之一蝕刻特性、與上述各對象位置之蝕刻特性之間之距離之判定值。
於該情形時，較佳為上述一蝕刻特性係藉由使用上述對象位置群之蝕刻特性之內插運算而對上述各對象位置取得。
於本發明之另一較佳形態中，上述異常特性檢測部係每當檢測出一異常蝕刻特性時，排除上述一異常蝕刻特性，且再次進行上述檢測處理，而檢測另一異常蝕刻特性。
本發明亦有關在對象物上描繪圖案之描繪裝置。本發明之描繪裝置包含：上述之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於藉由上述資料修正裝置修正後之設計資料而對來自上述光源之光進行調變；及掃描機構，其於對象物上掃描由上述光調變部調變後之光。
本發明亦有關於檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之檢查裝置。本發明之檢查裝置包含：上述之資料修正裝置；實際圖像記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料；及缺陷檢測部，其藉由對利用上述資料修正裝置修正後之設計資料與上述檢查圖像資料進行比較，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
本發明亦有關於修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計 資料之資料修正方法、於對象物上描繪圖案之描繪方法、檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之檢查方法、及記錄有程式之記錄媒體。
上述之目的及其他目的、特徵、態樣及優點當可藉由參照附加圖式於以下進行之該發明之詳細說明而明瞭。
1‧‧‧描繪裝置
1a‧‧‧檢查裝置
2‧‧‧資料處理裝置
3‧‧‧曝光裝置
8‧‧‧記錄媒體
9‧‧‧基板
9a‧‧‧測試基板
21‧‧‧資料修正裝置
21a‧‧‧資料修正裝置
22‧‧‧資料轉換部
25‧‧‧實際圖像記憶部
26‧‧‧缺陷檢測部
31‧‧‧描繪控制器
32‧‧‧載台
33‧‧‧光出射部
35‧‧‧掃描機構
80‧‧‧程式
83‧‧‧設計圖案
84‧‧‧塊圖案
93‧‧‧測試圖案
95‧‧‧特性取得用圖案
96‧‧‧測定圖案
201‧‧‧CPU
202‧‧‧ROM
203‧‧‧RAM
204‧‧‧硬碟
205‧‧‧顯示器
206a‧‧‧鍵盤
206b‧‧‧滑鼠
207‧‧‧讀取/寫入裝置
208‧‧‧通信部
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性記憶部
213‧‧‧異常特性檢測部
214‧‧‧特性置換部
215‧‧‧特性組取得部
217‧‧‧資料修正部
331‧‧‧光源
332‧‧‧光調變部
951‧‧‧第1圖形要素群
952‧‧‧第1圖形要素
953‧‧‧第2圖形要素群
954‧‧‧第2圖形要素
A1‧‧‧矩形
D1‧‧‧距離
E‧‧‧蝕刻量
G‧‧‧間隙寬度
L‧‧‧蝕刻曲線
La‧‧‧蝕刻曲線
Lb‧‧‧參照蝕刻曲線
P‧‧‧對象位置
S11~S22‧‧‧步驟
x‧‧‧方向
y‧‧‧方向
圖1係顯示第1實施形態之描繪裝置之構成之圖。
圖2係顯示資料處理裝置之構成之圖。
圖3係顯示資料處理裝置之功能之方塊圖。
圖4係顯示描繪裝置之描繪流程之圖。
圖5係測試基板之俯視圖。
圖6係放大顯示特性取得用圖案之一部分之圖。
圖7係放大顯示測定圖案之一部分之圖。
圖8係顯示蝕刻曲線之圖。
圖9係顯示各特性組所包含之對象位置之圖。
圖10係顯示設計圖案之圖。
圖11係顯示第2實施形態之檢查裝置之功能之方塊圖。
圖12係顯示檢查裝置之檢查流程之一部分之圖。
圖1係顯示本發明之第1實施形態之描繪裝置1之構成之圖。描繪裝置1係藉由對設置於基板9表面之感光材料即抗蝕劑膜照射光，而於抗蝕劑膜上直接描繪電路圖案等圖像之直描裝置。基板9係例如由絕緣性材料形成，且於表面設置有銅等導電性材料之膜。基板9係用於製造印刷基板。對藉由描繪裝置1描繪圖案後之基板9，於基板處理裝置等(省略圖示)中實施顯影、蝕刻。藉此，在基板9上形成圖案。對基板9之蝕刻係例如藉由對基板9賦予蝕刻液而進行之濕蝕刻。另，作為對基板9之蝕刻，亦可進行例如利用電漿等之乾蝕刻。
描繪裝置1包含資料處理裝置2及曝光裝置3。資料處理裝置2修正於基板9上描繪之圖案之設計資料，而產生描繪資料。曝光裝置3基於自資料處理裝置2傳送來之描繪資料而進行對基板9之描繪(即曝光)。資料處理裝置2與曝光裝置3只要可進行兩裝置間之資料之授受，則亦可實體上分開，當然，亦可一體地設置。
圖2係顯示資料處理裝置2之構成之圖。資料處理裝置2係成為包含進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)201、記憶基本程式之ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)202、及記憶各種資訊之RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)203之一般電腦系統之構成。資料處理裝置2進而包含：硬碟204，其進行資訊記憶；顯示器205，其進行圖像等各種資訊之顯示；鍵盤206a及滑鼠206b，其等接收來自操作者之輸入；讀取/寫入裝置207，其進行自光碟、磁碟、磁光碟等電腦可讀取之記錄媒體8之資訊之讀取及寫入；及通信部208，其於與描繪裝置1之其他構成等之間收發信號。
於資料處理裝置2中，於事前經由讀取/寫入裝置207自記錄媒體8讀出程式80並記憶至硬碟204。CPU201藉由按照程式80一面利用RAM203或硬碟204一面執行運算處理(即，藉由電腦執行程式)，而實現後述之功能。
圖3係顯示資料處理裝置2之功能之方塊圖。於圖3中，一併顯示連接於資料處理裝置2之曝光裝置3之構成之一部分(描繪控制器31)。資料處理裝置2包含資料修正裝置21與資料轉換部22。資料修正裝置21修正藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之設計資料。資料修正裝置21包含設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、異常特性檢測部213、特性置換部214、特性組取得部215、及資料修正部217。對資料轉換部22，輸入由資料修正裝置21修正後之設計資料(以下，稱為 「已修正資料」)。已修正資料通常為多邊形等矢量資料。資料轉換部22將為矢量資料即已修正資料轉換成為光柵資料即描繪資料。資料處理裝置2之功能既可藉由專用之電性電路實現，亦可部分使用專用之電性電路。
如圖1所示，曝光裝置3包含描繪控制器31、載台32、光出射部33、及掃描機構35。描繪控制器31控制光出射部33及掃描機構35。載台32將基板9保持於光出射部33之下方。光出射部33具備光源331及光調變部332。光源331朝向光調變部332出射雷射光。光調變部332對來自光源331之光進行調變。將藉由光調變部332調變後之光照射於載台32上之基板9。作為光調變部332，例如使用將複數個光調變元件二維排列之DMD(Digital Mirror Device：數位鏡面器件)。光調變部332亦可為將複數個光調變元件一維排列之調變器等。
掃描機構35使載台32於水平方向上移動。具體而言，藉由掃描機構35，使載台32於主掃描方向、及與主掃描方向垂直之副掃描方向移動，藉此，將藉由光調變部332調變後之光於基板9上沿主掃描方向及副掃描方向掃描。於曝光裝置3中，亦可設置使載台32水平地旋轉之旋轉機構。又，亦可設置使光出射部33於上下方向移動之升降機構。掃描機構35只要可於基板9上掃描來自光出射部33之光，則並非必須為使載台32移動之機構。例如，亦可藉由掃描機構35，使光出射部33於載台32之上方沿主掃描方向及副掃描方向移動。
其次，一面參照圖4，一面對描繪裝置1之描繪流程進行說明。首先，對於一主面上形成有抗蝕劑膜之測試用之基板(與後述之步驟S20中進行描繪之基板9相同形狀及大小，以下稱為「測試基板」)，藉由曝光裝置3描繪特定之測試圖案。
圖5係顯示藉由曝光裝置3描繪測試圖案93後之測試基板9a之俯視圖。實際上，測試基板9a上之測試圖案93藉由施以顯影處理而可作為 抗蝕劑圖案被視認。此處，將圖5之測試圖案93之各圖形要素之位置、形狀、大小設為與測試圖案用之設計資料(但是，不進行使用資料修正裝置21之修正)所示之圖案嚴格一致者。即，圖5之測試圖案93係測試圖案用之設計資料所示之圖案本身。圖5之測試基板9a為矩形，且於圖5中，將於測試基板9a上沿著相互正交之2個邊之方向示為x方向及y方向。
測試圖案93包含複數個特性取得用圖案95。於圖5中，以矩形顯示特性取得用圖案95。複數個特性取得用圖案95之各者係用以藉由顯影、蝕刻、抗蝕劑剝離等處理，而形成後述之測定圖案之描繪圖案。於圖5之例中，將複數個特性取得用圖案95於x方向及y方向按一定間距排列。將配置各特性取得用圖案95之位置(例如、該圖案之中央)P稱為「對象位置」，於測試基板9a上設定複數個對象位置P。測試基板9a上之對象位置P之個數為例如4個以上，較佳為9個以上。各特性取得用圖案95包含複數個圖形要素。於圖5中顯示特性取得用圖案95之矩形係包含該等複數個圖形要素全部之大致最小之矩形。
圖6係放大顯示特性取得用圖案95之一部分之圖。於圖6所示之例中，特性取得用圖案95包含複數個第1圖形要素群951。各第1圖形要素群951包含相互平行地大致於y方向延伸之2條大致直線狀之第1圖形要素952。各第1圖形要素群951之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G(即2條第1圖形要素952之與長度方向垂直之x方向之間隙之寬度)與其他第1圖形要素群951之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G不同。
藉由對測試基板9a之顯影處理，而於測試基板9a上形成顯示測試圖案93之抗蝕劑圖案。接著，藉由對測試基板9a，以該抗蝕劑圖案為遮罩實施蝕刻，進而實施抗蝕劑剝離等處理，而於測試基板9a之主面形成顯示複數個特性取得用圖案95之複數個測定圖案。
圖7係放大顯示與特性取得用圖案95對應之測定圖案96之一部分 之圖。測定圖案96包含分別顯示複數個第1圖形要素群951之複數個第2圖形要素群953。於圖7中，放大顯示1個第2圖形要素群953。各第2圖形要素群953包含與2條第1圖形要素952對應之大致直線狀之2條第2圖形要素954。第2圖形要素954係利用抗蝕劑圖案之第1圖形要素952之部位藉由蝕刻形成者。於圖7中，以二點鏈線一併顯示第1圖形要素952之輪廓線。
此處，將各第2圖形要素群953之形成2條第2圖形要素954間之間隙之各第2圖形要素954之邊(輪廓線之部位)、與對應於該邊之第1圖形要素952之邊之間之距離(與形成該間隙之輪廓線之部位垂直之方向之距離)稱為蝕刻量E。蝕刻量E表示該2條第2圖形要素954間之間隙之第2圖形要素954之邊相對於各第1圖形要素952之邊之移動量(輪廓線之單側之變細量)。蝕刻量E依存於與該等2條第2圖像要素954對應之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G而變化。間隙寬度G與蝕刻量E之關係係藉由拍攝測試基板9a而取得測定圖案96之圖像，並比較該圖像、與特性取得用圖案95之設計資料而取得。
圖8係顯示表示間隙寬度G與蝕刻量E之關係之蝕刻曲線之圖。於圖8中，以實線顯示9個蝕刻曲線L(對以粗實線顯示之1條蝕刻曲線標註符號La)。於蝕刻曲線L中，作為整體之傾向係隨著間隙寬度G變小而蝕刻量E亦逐漸變小。又，雖於間隙寬度G某一程度大之範圍內，蝕刻量E與間隙寬度G大致成正比，但若間隙寬度G變小，則相對於間隙寬度G之減少而蝕刻量E急遽減少。換言之，若間隙寬度G變小，則蝕刻曲線L之斜率變大。
於複數個特性取得用圖案95中，因於測試基板9a上之位置(即對象位置P)不同，故蝕刻曲線L之形狀或各間隙寬度G之蝕刻量E之大小相互不同。於本處理例中，自複數個特性取得用圖案95分別取得複數條蝕刻曲線。換言之，對於複數個對象位置P取得複數條蝕刻曲線。 另，於圖8中，藉由將各特性取得用圖案95所包含之複數個第1圖形要素群951之間隙寬度G之蝕刻量E以直線連結而顯示蝕刻曲線L。於本實施形態中，於複數個特性取得用圖案95中，測定蝕刻量E之間隙寬度G之大小或個數不同。
特性取得用圖案95亦可包含矩形以外之各種形狀之圖形要素及各種組合之圖形要素群。例如，亦可於特性取得用圖案95包含直徑不同之複數個圓形圖形要素，而取得表示圓形圖形要素之直徑與蝕刻量之關係之蝕刻曲線。針對此種蝕刻曲線之種類，亦可取得與複數個對象位置P分別對應之複數條蝕刻曲線。於以下之說明中，將對於測試基板9a及基板9上之各對象位置P之1條或複數條蝕刻曲線統稱為「蝕刻特性」。蝕刻特性典型而言，係表示於設計資料所示之圖案中相互鄰接之圖形要素間之間隙(設計間隙)之寬度、與藉由蝕刻形成之圖案之該圖形要素間之間隙(實際間隙)之寬度之關係。
於描繪裝置1中，將對於各對象位置P之1或複數條蝕刻曲線記憶於蝕刻特性記憶部212。即，將對於複數個對象位置P之複數種蝕刻特性記憶於蝕刻特性記憶部212，而針對後述之處理進行準備(步驟S11)。另，複數種蝕刻特性既可於描繪裝置1以外之裝置中取得，亦可於描繪裝置1中取得。於描繪裝置1中進行蝕刻特性之取得之情形時，於描繪裝置1中，設置取得測定圖案96(參照圖7)之圖像的攝像部、及基於測定圖案96之圖像與特性取得用圖案95(參照圖6)之設計資料求出各對象位置P之蝕刻特性之蝕刻特性運算部(於第2實施形態之檢查裝置1a中相同)。
於異常特性檢測部213中，對於各對象位置P求出蝕刻特性之判定值(步驟S12)。例如，於以一對象位置P為注目對象位置P，對注目對象位置P之蝕刻特性之判定值之算出中，首先，特定出位於注目對象位置P的周圍之複數個對象位置P作為參照對象位置群。參照對象位 置群係例如距注目對象位置P之距離最近之特定數量(例如為8~20個，較其他對象位置P之總數足夠小之數量)之對象位置P之集合，且不包含注目對象位置P。參照對象位置群亦可為以注目對象位置P為中心之特定半徑之圓所包含之所有對象位置P之集合、或相對於注目對象位置P於(+x)側、(+y)側、(-x)側及(-y)側之各者相鄰之特定數量之對象位置P之集合等。
接著，基於參照對象位置群之蝕刻特性，推定對於注目對象位置P之蝕刻特性。如已敘述般，雖亦於注目對象位置P由測定圖案96之測定取得蝕刻特性，但此處，對於注目對象位置P，取得僅基於位於注目對象位置P之周圍之參照對象位置群之蝕刻特性而推定之蝕刻特性(於後述之處理所參照之蝕刻特性，以下稱為「參照蝕刻特性」)。於以下之說明中，將參照對象位置群中所含之對象位置P稱為「參照對象位置P」。
參照蝕刻特性係基於注目對象位置P與參照對象位置群中所含之複數個參照對象位置P之位置關係，對於該等複數個參照對象位置P之複數種蝕刻特性進行加權，而基於經進行加權之複數種蝕刻特性求出。又，對該等複數種蝕刻特性之加權係例如將基於與各蝕刻特性對應之參照對象位置P與注目對象位置P之間之距離之加權係數乘以該蝕刻特性而進行。
此處，藉由2維薄板樣條內插，一面進行對參照對象位置P之蝕刻特性之蝕刻曲線之加權，一面求出注目對象位置P之參照蝕刻特性之蝕刻曲線(以下，稱為「參照蝕刻曲線」)。於以下之說明中，為便於理解，對於注目對象位置P，特定出包圍注目對象位置P之4個參照對象位置P(形成於內部包含注目對象位置P之矩形之4個參照對象位置P)，並將該等4個參照對象位置P設為分別位於以注目對象位置P為原點之xy座標平面內之第1至第4象限者。
參照蝕刻曲線之取得，首先，藉由基於注目對象位置P、與該等4個參照對象位置P中之(+y)側之2個參照對象位置P之間之x方向之距離，對(+y)側之2個參照對象位置P之蝕刻曲線進行線性內插，而求出第1內插蝕刻曲線。具體而言，若將上述2個參照對象位置P中之一參照對象位置P與注目對象位置P之間之x方向之距離設為d1，並將另一參照對象位置P與注目對象位置P之間之x方向之距離設為d2，則將(d2/(d1+d2))作為加權係數與該一參照對象位置P之蝕刻曲線(之蝕刻量)相乘。又，將(d1/(d1+d2))作為加權係數與該另一參照對象位置P之蝕刻曲線相乘。然後，藉由將對於2條蝕刻曲線之相乘結果相加，而求出第1內插蝕刻曲線。
同樣，藉由基於上述注目對象位置P、與上述4個參照對象位置P中之(-y)側之2個參照對象位置P之間之x方向之距離，對(-y)側之2個參照對象位置P之蝕刻曲線進行線性內插，而求出第2內插蝕刻曲線。具體而言，若將上述2個參照對象位置P中之一參照對象位置P與注目對象位置P之間之x方向之距離設為d3，並將另一參照對象位置P與注目對象位置P之間之x方向之距離設為d4，則將(d4/(d3+d4))作為加權係數與該一參照對象位置P之蝕刻曲線相乘。又，將(d3/(d3+d4))作為加權係數與該另一參照對象位置P之蝕刻曲線相乘。然後，藉由將對2條蝕刻曲線之相乘結果相加，而求出第2內插蝕刻曲線。
隨後，藉由基於注目對象位置P、與上述4個參照對象位置P中之(-x)側或(+x)側之2個參照對象位置P之間之y方向之距離，對第1內插蝕刻曲線及第2內插蝕刻曲線進行線性內插，而取得參照蝕刻曲線。具體而言，若將上述2個參照對象位置P中之(+y)側之參照對象位置P與注目對象位置P之間之y方向之距離設為d5，並將(-y)側之參照對象位置P與注目對象位置P之間之y方向之距離設為d6，則將(d6/(d5+d6))作為加權係數與第1內插蝕刻曲線相乘。又，將(d5/(d5+d6))作為加權 係數與第2內插蝕刻曲線相乘。然後，藉由將對2條內插蝕刻曲線之相乘結果相加(即，基於經進行上述加權之複數條蝕刻曲線)，而求出參照蝕刻曲線。另，參照蝕刻曲線亦可藉由其他內插運算求出。
若已對注目對象位置P取得參照蝕刻曲線，則求出由對注目對象位置P之測定圖案96之測定所得之蝕刻曲線、與參照蝕刻曲線之間之離散度。例如，於預定之複數個間隙寬度G之各者中，求出由測定所得之蝕刻曲線與參照蝕刻曲線之蝕刻量E之差(絕對值)。然後，將複數個間隙寬度G之該差之最大值作為兩蝕刻曲線之離散度求出。
於圖8之例中，以標註符號La之粗實線顯示之由測定所得之蝕刻曲線、與以標註符號Lb之虛線顯示之參照蝕刻曲線之間之離散度成為以標註符號D1之箭頭所示之距離。另，蝕刻曲線La與其他蝕刻曲線L相比成為歪扭形狀，其原因認為係例如於特性取得用圖案95之描繪時、或測定圖案96之蝕刻時、或測定時之誤差等。
如圖8之例，於由測定得出之蝕刻曲線La包含相對於參照蝕刻曲線Lb離散之蝕刻量E之情形時，上述離散度變大。參照蝕刻曲線Lb係基於參照對象位置群之蝕刻曲線，認為對注目對象位置P而言最合理之蝕刻曲線，包含相對於參照蝕刻曲線Lb離散之蝕刻量E之蝕刻曲線La可說是與參照對象位置群之蝕刻曲線相比而較特異之蝕刻曲線。特異之蝕刻曲線典型而言與參照對象位置群之蝕刻曲線相比具有異常之形狀。亦可將與參照對象位置群之蝕刻曲線相比，整體之蝕刻量E大為不同者設為特異之蝕刻曲線。另，於離散度之算出中，求出上述差之複數個間隙寬度G之個數(樣本數)及值可任意決定，並非必須與測試圖案93之第1圖形要素952間之間隙寬度G一致。於蝕刻曲線中，與第1圖形要素952間之間隙寬度G不同之間隙寬度之蝕刻量可藉由各種內插運算求出。
於蝕刻特性僅包含一種蝕刻曲線之情形時，該離散度成為對於 注目對象位置P之蝕刻特性之判定值。於蝕刻特性包含複數種蝕刻曲線之情形時，針對所有蝕刻曲線之種類，進行與上述相同之處理，而複數種蝕刻曲線之該離散度之和、平均值、最大值等成為上述判定值。
於異常特性檢測部213中，以各對象位置P作為注目對象位置P，反復進行上述處理，而取得對於所有對象位置P之蝕刻特性之判定值。與各對象位置P之周圍之參照對象位置群之蝕刻特性相比，由該對象位置P之測定得出之蝕刻特性之特異性程度越高，該對象位置P之蝕刻特性之判定值越大。
接著，將對於所有對象位置P之蝕刻特性之判定值之中之最大判定值與特定閾值進行比較。於最大判定值大於閾值之情形時(步驟S13)，將最大判定值之蝕刻特性(由測定得出之蝕刻特性)檢測為異常蝕刻特性。如此，上述步驟S12、S13之處理係與參照對象位置群之蝕刻特性比較而檢測出特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性的檢測處理。如已敘述般，於上述步驟S12之處理中，基於與使用各對象位置P之蝕刻特性、與參照對象位置群之蝕刻特性而取得之參照蝕刻特性之差(比較)而取得判定值。因此，可以說於上述檢測處理中，實質上比較各對象位置P之蝕刻特性、與對應於該對象位置P之參照對象位置群之蝕刻特性。
若於異常特性檢測部213中，檢測出異常蝕刻特性，則自檢測處理之處理對象排除異常蝕刻特性(步驟S14)。接著，以與上述處理相同之方式求出當前之處理對象所包含之所有蝕刻特性、即除異常蝕刻特性以外之所有蝕刻特性之判定值(步驟S12)。然後，於最大判定值大於閾值之情形時(步驟S13)，將最大判定值之蝕刻特性檢測為異常蝕刻特性，而自檢測處理之處理對象排除(步驟S14)。如此，於步驟S12~S14中，於檢測處理中，每當檢測出一異常蝕刻特性時，即自處 理對象排除該異常蝕刻特性，且再次進行檢測處理，而檢測另一異常蝕刻特性。
於步驟S13中，於最大判定值為閾值以下之情形時，藉由特性置換部214，對各異常蝕刻特性之對象位置P求出新的蝕刻特性。具體而言，使用位於各異常蝕刻特性之對象位置P周圍之對象位置群之蝕刻特性，藉由與上述參照蝕刻特性之取得相同之內插運算，求出新的蝕刻特性(如後述般，由於為異常蝕刻特性之替代蝕刻特性，故以下，亦稱為「替代蝕刻特性」)。此時，由於異常蝕刻特性之對象位置P未包含於該對象位置群，故於替代蝕刻特性之算出，不使用異常蝕刻特性。另，上述對象位置群之個數係較其他對象位置P之總數足夠小之數量，亦可與取得參照蝕刻特性時之參照對象位置群所包含之對象位置P之個數不同。
若對各異常蝕刻特性之對象位置P求出替代蝕刻特性，則將該異常蝕刻特性置換為該替代蝕刻特性(步驟S15)。如此，將各異常蝕刻特性基於位於該異常蝕刻特性之對象位置P之周圍之對象位置群之蝕刻特性而置換為認為最合理之新的蝕刻特性。於以下之特性組取得部215之處理中，亦將替代蝕刻特性簡稱為「蝕刻特性」。
接著，藉由特性組取得部215，取得複數個特性組(步驟S16)。特性組係僅包含與相互類似之蝕刻特性對應之對象位置P之集合。於特性組之取得處理中，首先，決定特性組之個數(以下，稱為「設定組數」)。設定組數係由操作者藉由輸入等而決定。設定組數亦可預先決定。
接著，隨機地特定出設定組數量之對象位置P，並分別分配給設定組數之特性組。分配給各特性組之對象位置P之蝕刻特性係作為與該特性組相關聯之蝕刻特性(以下，稱為「組蝕刻特性」)處理。然後，求出表示各對象位置P之蝕刻特性與各特性組之組蝕刻特性之類 似度之值(此處，兩者之類似度越高為越小之值，以下，稱為「類似度評估值」)。
例如，於一對象位置P之蝕刻特性與一特性組之組蝕刻特性之類似度評估值之算出中，於兩蝕刻特性分別包含之2條蝕刻曲線中，求出預定之複數個間隙寬度之各者之蝕刻量之差(絕對值)。接著，求出複數個間隙寬度之該差之和作為該等2條蝕刻曲線之間之距離。2條蝕刻曲線間之距離相當於該等2條蝕刻曲線所夾隔之區域之面積。於蝕刻特性僅包含一種蝕刻曲線之情形時，該距離成為上述類似度評估值。於蝕刻特性包含複數種蝕刻曲線之情形時，複數種蝕刻曲線之該距離之和等成為上述類似度評估值。
若對各對象位置P，求出與設定組數之特性組之各者之類似度評估值，則將該對象位置P分配給類似度評估值成為最小之特性組。如此，基於各蝕刻特性與各特性組之組蝕刻特性之類似度評估值，進行將與該蝕刻特性對應之對象位置P包含於設定組數之特性組之任一者之組化處理。藉由組化處理，而於各特性組至少包含1個對象位置P。
於未滿足後述之結束條件之情形時，再次取得各特性組之組蝕刻特性。此時，自藉由之前之組化處理而於各特性組所包含之所有對象位置P之蝕刻特性，求出該特性組之組蝕刻特性。具體而言，關於蝕刻曲線之各種類，針對各特性組所包含之所有對象位置P之蝕刻曲線，取得表示各間隙寬度之蝕刻量之平均值或中央值等代表值之蝕刻曲線作為組蝕刻特性之蝕刻曲線。另，各間隙寬度之蝕刻量之代表值只要為表示蝕刻量之分佈之中央附近之值即可。又，各特性組之組蝕刻特性之蝕刻曲線亦可為表示該特性組所包含之複數個對象位置P之蝕刻曲線之分佈之中央附近之一對象位置P之蝕刻曲線本身。
接著，與上述同樣，求出各蝕刻特性與各特性組之組蝕刻特性之類似度評估值，並基於類似度評估值進行將對象位置P包含於任一 特性組之新的組化處理(對象位置P之重新分配)。換言之，即更新各特性組所包含之對象位置P。於更新後之各特性組所包含之對象位置P與更新前之該特性組所包含之對象位置P不同之情形時，由於未滿足結束條件，故反復進行上述組蝕刻特性之取得及組化處理。於更新後之各特性組所包含之對象位置P與更新前之該特性組所包含之對象位置P一致之情形時，作為滿足結束條件者，而結束上述組蝕刻特性之取得及組化處理之反復。即，特性組之取得處理完成。於以下之說明中，將滿足結束條件時之特性組稱為「決定特性組」。
藉由特性組取得部215之上述處理，將與相互類似之蝕刻特性對應之對象位置P包含於1個決定特性組，而將複數個(所有)對象位置P分成較該複數個對象位置P更少之設定組數之決定特性組。如已敘述般，由於藉由異常特性檢測部213檢測異常蝕刻特性並置換為替代蝕刻特性，故可精度良好地進行對決定特性組之分組(分群)。於圖9中，藉由將對顯示特性取得用圖案95之矩形標註之平行斜線之寬度變更為3種，而顯示3個決定特性組所包含之對象位置P。另，結束條件亦可為上述組蝕刻特性之取得及組化處理之反復次數到達預定次數之情形等。
將最後取得之複數個特性組之組蝕刻特性分別決定為複數個決定特性組之代表蝕刻特性。於後述之處理中，將各決定特性組之代表蝕刻特性作為該決定特性組所包含之對象位置P之蝕刻特性處理。
接著，於描繪裝置1中，藉由將預定於基板9上藉由蝕刻形成之圖案之設計資料輸入於資料修正裝置21、並記憶至設計資料記憶部211予以準備(步驟S17)。
圖10係顯示設計資料所示之設計圖案83之圖。於圖10中，以粗二點鏈線顯示預定描繪設計圖案83之大致矩形之基板9之外形。設計圖案83包含矩陣狀地配置(即，多面標註)之複數塊圖案84。複數塊圖 案84分別為構成設計圖案83之圖案要素，且設計圖案83為複數個圖案要素之集合即圖案要素群。於圖10中，以矩形顯示塊圖案84。
於圖10中顯示各塊圖案84之矩形係包圍該塊圖案84所包含之複數個圖形要素全部之大致最小矩形。於圖10之例中，沿與以二點鏈線顯示之基板9之正交2條邊對應之2方向(於圖10中，與圖5等同樣顯示為x方向及y方向)，二維地排列多個塊圖案84。該等塊圖案84係相互相同之圖案。
由於設計圖案83係預定描繪於基板9上之圖案，故可理解為於設計圖案83中亦設定有複數個對象位置P。同樣，亦可理解為於基板9上，設定有預定描繪各塊圖案84之位置(以下，簡稱為「塊圖案84之位置」。)。
於資料修正部217中，自設計圖案83之設計資料，擷取分別顯示複數個塊圖案84之複數個分割資料(資料區塊)。換言之，將設計圖案83之設計資料分割成分別顯示複數個塊圖案84之複數個分割資料。又，對於各分割資料所示之塊圖案84之位置(例如塊圖案84之中央)特定出最接近之對象位置P。然後，藉由基於該對象位置P之蝕刻特性、即該對象位置P所屬之決定特性組之代表蝕刻特性，修正該分割資料，而求出顯示各塊圖案84之已修正分割資料(步驟S18)。另，於圖9中，以二點鏈線之矩形A1顯示將各對象位置P設為最靠近之對象位置P之區域，於圖10中亦相同。矩形A1係以該對象位置P為中心。
於分割資料之修正中，考慮到於基板9上之各塊圖案84之位置，進行按照蝕刻特性所示之蝕刻量之過度(即，超過所需量)之蝕刻。即，參照與各塊圖案84之位置之蝕刻特性大致等價之決定特性組之代表蝕刻特性，以將蝕刻後之基板9上之圖案之各圖形要素以所需之線寬或大小形成之方式，進行擴寬各分割資料之圖形要素之線寬、或擴大圖形要素之修正。
此處，若將描繪有各塊圖案84之基板9上之區域(塊)稱為分割區域，則於步驟S18中，藉由資料修正部217首先將設計圖案83之設計資料分割成分別與設定於基板9上之複數個分割區域對應之分割資料。然後，將各分割資料基於代表與該分割資料對應之分割區域之最靠近之對象位置P所屬之一決定特性組之蝕刻特性(代表蝕刻特性)而修正。以此方式，藉由進行對各分割資料之蝕刻修正，而取得已修正分割資料。
如上所述，於圖10所示之例中，設計資料之複數個分割資料分別顯示之分割圖案、即塊圖案84係相同。因此，可將使用各決定特性組之代表蝕刻特性而取得之已修正分割資料直接利用作為將該特性組所包含之對象位置P設為最靠近之對象位置之其他分割區域之分割資料。藉此，對分割資料之蝕刻修正之執行次數變少，而於短時間內完成分別對應於複數個分割區域之複數個已修正分割資料之取得(蝕刻修正)。於圖10中，藉由使對顯示塊圖案84之矩形標註之平行斜線之寬度一致，而表現利用相同已修正分割資料之塊圖案84。
於資料修正部217中，藉由統一上述之複數個已修正分割資料，而產生上述已修正資料。將該已修正資料自資料修正裝置21傳送至資料轉換部22。於資料轉換部22中，將矢量資料即已修正資料轉換為光柵資料即描繪資料(步驟S19)。
將該描繪資料自資料轉換部22傳送至曝光裝置3之描繪控制器31。於曝光裝置3中，藉由基於來自資料處理裝置2之描繪資料，利用描繪控制器31控制光出射部33之光調變部332及掃描機構35，而進行對基板9之描繪(步驟S20)。對已進行描繪之基板9，以與測試基板9a相同條件，進行顯影、蝕刻等各種處理。如已敘述般，於基板9之表面設置有銅等導電性材料之膜，且藉由上述處理，於基板9上形成分別顯示塊圖案84之複數個獨立之配線圖案。
實際上，對以相同設計圖案83為描繪對象之複數個基板9，利用相同已修正資料依序進行描繪。又，於變更設計圖案、亦即以新的設計圖案為描繪對象時，一面直接使用複數個決定特性組之代表蝕刻特性，一面使用該新的設計圖案進行步驟S17、S18，而產生已修正資料。然後，基於該已修正資料，進行對基板9之描繪。
然而，於異常特性檢測部213之檢測處理中，於檢測出異常蝕刻特性時，考慮使用一般之統計檢定。於統計檢定中，使用母群之標準偏差等之統計標度。然而，由於蝕刻特性根據基板9上之位置而不同，故難以藉由統計檢定檢測出異常蝕刻特性。
相對於此，於資料修正裝置21中，藉由對各對象位置P之蝕刻特性、與位於該對象位置P周圍之參照對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測出特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性。藉此，可適當地檢測異常蝕刻特性。又，使用位於異常蝕刻特性之對象位置P周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性(替代蝕刻特性)，並將該異常蝕刻特性置換為該新的蝕刻特性。然後，基於對於複數個對象位置P之複數種蝕刻特性，修正設計資料。如此，可藉由將異常蝕刻特性置換為新的蝕刻特性，而更確實且精度良好地修正設計資料。
又，於異常特性檢測部213中，對於各對象位置P，藉由使用參照對象位置群之蝕刻特性之內插運算而取得參照蝕刻特性，並求出基於參照蝕刻特性、與該對象位置P之蝕刻特性之間之距離之判定值。如此，藉由基於參照蝕刻特性群之蝕刻特性使用認為最合理之參照蝕刻特性求出判定值，可精度良好地檢測異常蝕刻特性。
然而，於參照蝕刻特性之取得中，如圖8所示，亦包含自周圍之蝕刻曲線大幅度離散之蝕刻曲線La，作為對一對象位置P之參照對象位置群之蝕刻曲線之1條。於該情形時，該對象位置P之參照蝕刻曲線受到蝕刻曲線La之影響，雖不至於影響蝕刻曲線La之判定值之程度， 但對於該對象位置P之蝕刻特性之判定值亦變得較大。因此，於假設為將判定值大於閾值之複數種蝕刻特性一度自處理對象排除之比較例之處理之情形時，有將對於該對象位置P之蝕刻特性亦與包含蝕刻曲線La之蝕刻特性一起自處理對象排除之情況。於該情形時，操作者將不認為是異常之蝕刻特性作為異常蝕刻特性錯誤排除。
又，假設為每當檢測到一異常蝕刻特性，則於步驟S14中，藉由自位於該異常蝕刻特性之對象位置P之周圍之對象位置群之蝕刻特性取得之替代蝕刻特性，置換該異常蝕刻特性之另一比較例之處理。於該另一比較例之處理中，於在上述對象位置群之蝕刻特性包含特異之蝕刻特性(例如雖非最大之判定值，但成為大於閾值之判定值之蝕刻特性)之情形時，使用上述對象位置群之蝕刻特性求出之替代蝕刻特性受到該特異之蝕刻特性之影響，而有成為稍微歪斜形狀之可能性。
另一方面，於異常特性檢測部213中，每當檢測出一異常蝕刻特性時，即排除該異常蝕刻特性，且再次進行檢測處理，而檢測另一異常蝕刻特性。藉此，可防止或抑制起因於如上述比較例之處理般包含自周圍之蝕刻曲線大幅度離散之蝕刻曲線作為參照對象位置群之蝕刻曲線之1條之異常蝕刻特性之誤檢測。又，於排出所有異常蝕刻特性之後，對異常蝕刻特性之對象位置P，使用位於該對象位置P之周圍之對象位置群之蝕刻特性(未排除之蝕刻特性)取得替代蝕刻特性，並將該異常蝕刻特性置換為該替代蝕刻特性。藉此，不會如上述之另一比較例般受到其他異常蝕刻特性之影響，而可對異常蝕刻特性之對象位置P，取得較佳形狀之替代蝕刻特性。其結果，可實現較設計資料更高精度之修正。另，根據於設計資料之修正所要求之精度，於資料修正裝置21中，亦可採用上述比較例之處理或上述其他比較例之處理。
於資料修正裝置21中，將複數個對象位置P分成特定數之決定特性組。然後，將設計資料之各分割資料基於代表與該分割資料對應之 分割區域之最靠近之對象位置P所屬之一決定特性組之蝕刻特性而修正。藉此，實現高效地進行高精度之蝕刻修正。
此處，假如，於以對於複數個對象位置P之複數種蝕刻特性包含異常蝕刻特性之狀態下，藉由圖4之步驟S16之處理取得決定特性組之情形時，各異常蝕刻特性構成1個決定特性組之可能性變高，從而無法適當地取得特定數之決定特性組。其結果，使用異常蝕刻特性進行修正之分割圖案之修正之精度大幅度降低，且於其他分割資料中修正之精度亦變低。
相對於此，於資料修正裝置21中，藉由將異常蝕刻特性置換為替代蝕刻特性，可適當地取得特定數之決定特性組。其結果，可更確實精度良好、且高效地修正所有分割資料。
根據於資料修正裝置21要求之處理效率，亦可省略圖4之步驟S16，而將與各分割區域對應之分割資料基於該分割區域之最靠近之對象位置P之蝕刻特性予以修正。
又，亦可對於各分割區域個別地求出蝕刻特性。於該情形時，於步驟S16中，不進行特性組之取得處理，而進行例如與上述參照蝕刻特性之取得相同之修正運算。即，基於各分割區域、與該分割區域之周圍之複數個對象位置P之位置關係，對該等複數個對象位置P之複數種蝕刻特性進行加權，而基於進行加權之複數種蝕刻特性求出該分割區域之蝕刻特性。然後，基於該蝕刻特性，修正與該分割區域對應之分割資料。
如以上，於資料修正裝置21中，較佳將最接近與各分割資料對應之分割區域之對象位置P(最靠近之對象位置P)之蝕刻特性設為最接近蝕刻特性，並至少基於最接近蝕刻特性修正該分割資料(於後述之檢查裝置1a中亦相同)。
其次，對本發明之第2實施形態之檢查裝置進行說明。圖11係顯 示檢查裝置1a之功能之方塊圖。檢查裝置1a係檢查描繪設計圖案後藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之裝置。於檢查裝置1a中，進行基板9上之圖案、與經後述之蝕刻修正之設計資料之比較。檢查裝置1a係與圖2所示之資料處理裝置2同樣，成為一般之電腦系統之構成。
檢查裝置1a包含資料修正裝置21a、實際圖像記憶部25、及缺陷檢測部26。資料修正裝置21a與圖3所示之資料修正裝置21同樣，包含設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、異常特性檢測部213、特性置換部214、特性組取得部215、及資料修正部217。實際圖像記憶部25記憶形成於基板9上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料。缺陷檢測部26檢測形成於基板9上之該圖案之缺陷。
其次，一面參照圖12，一面對檢查裝置1a之檢查流程進行說明。於檢查裝置1a之檢查中，進行與圖4之步驟S11~S18同樣之處理。具體而言，基於形成於測試基板9a上之測定圖案，取得複數個對象位置之蝕刻特性，並於蝕刻特性記憶部212予以準備(步驟S11)。接著，求出檢測處理之處理對象所包含之所有蝕刻特性之判定值(步驟S12)。於最大判定值大於閾值之情形時(步驟S13)，一面將最大判定值之蝕刻特性(異常蝕刻特性)自處理對象排除，一面再次求出處理對象所包含之所有蝕刻特性之判定值(步驟S14、S12)。上述步驟S14、S12之處理係反復進行至最大判定值成為閾值以下為止(步驟S13)。若最大判定值成為閾值以下，則對各異常蝕刻特性之對象位置求出替代蝕刻特性，並將該異常蝕刻特性置換為該替代蝕刻特性(步驟S15)。
於特性組取得部215中，取得複數個特性組(步驟S16)。即，直至滿足特定結束條件之前，反復進行各特性組之組蝕刻特性之取得、及基於各對象位置之蝕刻特性與各特性組之組蝕刻特性之間之類似度評估值之組化處理，而決定出決定特性組。又，決定出決定特性組之代表蝕刻特性。
接著，將設計圖案83之設計資料記憶於設計資料記憶部211予以準備(步驟S17)。於資料修正部217中，自設計圖案83之設計資料，擷取分別顯示複數個塊圖案84(參照圖10)之複數個分割資料。換言之，將設計圖案83之設計資料分割成分別與複數個分割區域對應之複數個分割資料。然後，基於代表與各分割資料對應之分割區域之最靠近之對象位置所屬之一決定特性組之蝕刻特性，修正(即、蝕刻修正)該分割資料，而求出各塊圖案84之已修正分割資料(步驟S18)。
此處，檢查裝置1a之蝕刻修正之內容與描繪裝置1之蝕刻修正不同。具體而言，考慮到於基板9之各塊圖案84之位置，於實際蝕刻時進行按照蝕刻特性所示之蝕刻量之過度蝕刻。即，以各塊圖案84所包含之圖形要素成為實際之蝕刻後之線寬或大小之方式，進行縮窄各分割資料之圖形要素之線寬、或縮小圖形要素之修正。換言之，對各分割資料進行與於描繪裝置1中在上述之步驟S18對分割資料進行之修正相反之修正。
於資料修正部217中，藉由統一與複數個塊圖案84對應之複數個已修正分割資料，而產生經修正之設計圖案83之設計資料即已修正資料。將該已修正資料自資料修正裝置21傳送至缺陷檢測部26。
接著，取得基板9上之蝕刻圖案之圖像資料，並將該圖像資料作為檢查圖像資料記憶於實際圖像記憶部25予以準備(步驟S21)。此處，基板9上之蝕刻圖案係藉由將基於修正前之設計圖案83之設計資料描繪於基板9上之抗蝕劑膜之圖案予以顯影而形成抗蝕劑圖案，並利用該抗蝕劑圖案實施蝕刻，而形成於基板9上之圖案。步驟S21既可與步驟S11~S18並行進行，亦可於步驟S11~S18之前進行。該檢查圖像資料既可於檢查裝置1a以外之裝置中取得，亦可於檢查裝置1a中取得。於檢查裝置1a中進行檢查圖像資料之取得時，於檢查裝置1a中，設置取得檢查圖像資料之攝像部。另，於上述步驟S11中，於在 檢查裝置1a中取得測定圖案96之圖像之情形時，檢查圖像資料之取得亦較佳於檢查裝置1a中進行。
將檢查圖像資料自實際圖像記憶部25傳送至缺陷檢測部26。於缺陷檢測部26中，藉由比較該檢查圖像資料、與自資料修正裝置21a傳送來之已修正資料(即，藉由資料修正裝置21a蝕刻修正後之設計資料)，而檢測形成於基板9上之蝕刻圖案之缺陷(步驟S22)。如上所述，由於在該已修正資料中，以各塊圖案84之圖形要素變成實際之蝕刻後之線寬或大小之方式進行修正，故於缺陷檢測部26中，將檢查圖像資料與已修正資料之差異作為基板9上之蝕刻圖案缺陷檢測出。
如以上所說明般，於資料修正裝置21a中，藉由異常特性檢測部213之檢測處理，檢測異常蝕刻特性。然後，使用位於異常蝕刻特性之對象位置周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性(替代蝕刻特性)，並取代異常蝕刻特性作為該對象位置之蝕刻特性加以利用。藉此，可更確實且精度良好地修正設計資料。且，於檢查裝置1a中，假若抑制於比較檢查圖像資料與未經蝕刻修正之設計資料之情形時所檢測出之虛報(起因於過度蝕刻之偽缺陷之檢測)，則可高精度地進行基板9上之蝕刻圖案之檢查。
於上述描繪裝置1及檢查裝置1a中，可進行各種變更。
於檢測處理中判定值之算出所利用之參照蝕刻特性亦可藉由使用參照對象位置群之蝕刻特性之內插運算以外之方法求出。例如，可於參照對象位置群之蝕刻特性所包含之同種之複數條蝕刻曲線中，取得表示各間隙寬度之蝕刻量之平均值或中央值等代表值之蝕刻曲線，作為參照蝕刻特性之蝕刻曲線。即，參照蝕刻特性只要為使用位於各對象位置周圍之對象位置群之蝕刻特性取得者即可。
於上述檢測處理中，雖基於由測定得出之蝕刻曲線、與參照蝕刻曲線之間之離散度求出判定值，但亦可例如將各間隙寬度之兩蝕刻 曲線之間之距離設為α，而求出基於特定間隙寬度之範圍內之α之和(面積)或α2之和等之判定值。如此，藉由求出基於由測定所得出之蝕刻特性、與參照蝕刻特性之間之距離之判定值，可精度良好地檢測異常蝕刻特性。
又，根據蝕刻曲線之形狀，亦可求出其他判定值。例如，於蝕刻曲線中，亦可將表示間隙寬度之變數設為G，將表示蝕刻量之變數設為E，並藉由式1求出蝕刻曲線之全部變動T。
全部變動T係蝕刻曲線之起落之總和，且於異常特性檢測部213中，比較各對象位置之蝕刻曲線之全部變動T與位於該對象位置周圍之參照對象位置群之複數條蝕刻曲線之全部變動T。例如，使用各對象位置之全部變動T與參照對象位置群之全部變動T之平均值之差(絕對值)求出該對象位置之蝕刻特性之判定值。然後，於對所有對象位置之判定值中最大判定值大於閾值之情形時，將成為該最大判定值之蝕刻特性作為異常蝕刻特性而自檢測處理之處理對象排除。
又，亦可將基於由測定得出之蝕刻特性與參照蝕刻特性之間之距離之值、與基於兩蝕刻特性之全部變動T之值合成之值(例如加權和)作為判定值予以處理。進而，亦可求出基於對由測定得出之蝕刻曲線進行微分而得之曲線、與對參照蝕刻曲線進行微分所得之曲線之間之距離之判定值。如此，作為於檢測處理所利用之判定值，可利用各種者。
圖4及圖12之處理順序亦可適當變更。例如，既可並行進行步驟S17、與步驟S11~S16，亦可於步驟S11~S16之前進行步驟S17。
設計圖案83之複數個塊圖案84(基板9上之複數個塊)之配置及數 量並非限定於圖10所示者，可適當變更。測試基板9a上之複數個特性取得用圖案95之配置及數量並非限定於圖5所示者，可適當變更。特性取得用圖案95並非必須按一定間距排列。例如，於基板9上於塊之良率較高之區域較稀疏地配置特性取得用圖案95，於塊之良率較低之區域較密地配置特性取得用圖案95。
於設計圖案83中，既可包含一種塊圖案84、與另一種塊圖案84，亦可為設計圖案83全部為1種塊圖案84。於資料修正部217之設計資料之修正中，使用一蝕刻特性進行修正之分割資料亦可對應於與塊圖案84不同尺寸之區域。
基板9除印刷基板之製造用之基板以外，亦可為半導體基板或玻璃基板等。描繪裝置1亦可利用於對基板9以外之各種對象物上之圖案之描繪。檢查裝置1a亦可利用於檢查藉由蝕刻而於基板9以外之各種對象物上形成之圖案之檢查。資料修正裝置21、21a亦可作為與描繪裝置1及檢查裝置1a獨立之裝置利用。又，資料修正裝置亦可利用於藉由蝕刻在基板9以外之各種對象物上形成之圖案之設計資料之修正。
上述實施形態及各變化例之構成只要不互相矛盾則可加以適當組合。
雖已詳細地描述說明發明，但已敘述之說明僅為例示並非限定者。因此，只要不脫離本發明之範圍，亦可有多種變化或態樣。
2‧‧‧資料處理裝置
21‧‧‧資料修正裝置
22‧‧‧資料轉換部
31‧‧‧描繪控制器
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性記憶部
213‧‧‧異常特性檢測部
214‧‧‧特性置換部
215‧‧‧特性組取得部
217‧‧‧資料修正部

Claims (13)

  1. 一種資料修正裝置，其係修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料者，且包含：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料；蝕刻特性記憶部，其記憶對於上述對象物上之複數個對象位置之複數種蝕刻特性；異常特性檢測部，其藉由對各對象位置之蝕刻特性、與位於上述各對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性；特性置換部，其使用位於上述異常蝕刻特性之對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性，並將上述異常蝕刻特性置換為上述新的蝕刻特性；及資料修正部，其基於對於上述複數個對象位置之複數種蝕刻特性而修正上述設計資料。
  2. 如請求項1之資料修正裝置，其中於上述檢測處理中，求出基於使用位於上述各對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性而取得之一蝕刻特性、與上述各對象位置之蝕刻特性之間之距離之判定值。
  3. 如請求項2之資料修正裝置，其中上述一蝕刻特性係藉由使用上述對象位置群之蝕刻特性之內插運算而對上述各對象位置取得。
  4. 如請求項1之資料修正裝置，其中上述異常特性檢測部係每當檢測出一異常蝕刻特性時，排除上述一異常蝕刻特性，且再次進行上述檢測處理，而檢測另一 異常蝕刻特性。
  5. 一種描繪裝置，其係於對象物上描繪圖案者，且包含：如請求項1至4中任一項之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於藉由上述資料修正裝置修正後之設計資料而對來自上述光源之光進行調變；及掃描機構，其於對象物上掃描藉由上述光調變部調變後之光。
  6. 一種檢查裝置，其係檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案者，且包含：如請求項1至4中任一項之資料修正裝置；實際圖像記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料；及缺陷檢測部，其藉由比較由上述資料修正裝置修正後之設計資料與上述檢查圖像資料，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
  7. 一種資料修正方法，其係修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料者，且包含：a)準備藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之步驟；b)準備對於上述對象物上之複數個對象位置之複數種蝕刻特性之步驟；c)藉由對各對象位置之蝕刻特性、與位於上述各對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測出特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性之步驟；d)使用位於上述異常蝕刻特性之對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性，並將上述異常蝕刻特性置換為 上述新的蝕刻特性之步驟；及e)基於對於上述複數個對象位置之複數種蝕刻特性而修正上述設計資料之步驟。
  8. 如請求項7之資料修正方法，其中於上述檢測處理中，求出基於使用位於上述各對象位置的周圍之對象位置群之蝕刻特性取得之一蝕刻特性、與上述各對象位置之蝕刻特性之間之距離之判定值。
  9. 如請求項8之資料修正方法，其中上述一蝕刻特性係藉由使用上述對象位置群之蝕刻特性之內插運算而對上述各對象位置取得。
  10. 如請求項7之資料修正方法，其中於上述c)步驟中，每當檢測出一異常蝕刻特性時，排除上述一異常蝕刻特性，且再次進行上述檢測處理，而檢測另一異常蝕刻特性。
  11. 一種描繪方法，其係於對象物上描繪圖案者，且包含：藉由如請求項7至10中任一項之資料修正方法而修正設計資料之步驟；及於對象物上掃描基於經修正之上述設計資料而調變後之光之步驟。
  12. 一種檢查方法，其係檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案者，且包含：藉由如請求項7至10中任一項之資料修正方法而修正設計資料之步驟；及藉由對經修正之上述設計資料與藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料進行比較，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷之步驟。
  13. 一種記錄媒體，其係記錄有修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之程式者，且藉由電腦對上述程式之執行係使上述電腦執行如下步驟：a)準備藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之步驟；b)準備對於上述對象物上之複數個對象位置之複數種蝕刻特性之步驟；c)藉由對各對象位置之蝕刻特性、與位於上述各對象位置周圍之對象位置群之蝕刻特性進行比較之檢測處理，而檢測出特異之蝕刻特性作為異常蝕刻特性之步驟；d)使用位於上述異常蝕刻特性之對象位置周圍之對象位置群之蝕刻特性求出新的蝕刻特性，並將上述異常蝕刻特性置換為上述新的蝕刻特性之步驟；及e)將上述設計資料基於對於上述複數個對象位置之複數種蝕刻特性進行修正之步驟。
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