JP3074675B2 - 電子線直描方法及び装置 - Google Patents
電子線直描方法及び装置Info
- Publication number
- JP3074675B2 JP3074675B2 JP09319754A JP31975497A JP3074675B2 JP 3074675 B2 JP3074675 B2 JP 3074675B2 JP 09319754 A JP09319754 A JP 09319754A JP 31975497 A JP31975497 A JP 31975497A JP 3074675 B2 JP3074675 B2 JP 3074675B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electron beam
- pattern
- beam direct
- direct writing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 94
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 40
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
ーンの電子線直描方法及び装置に関し、特に、直描デー
タの変換方法および描画方法に関するものである。
化が進んでおり、微細パターンを半導体ウエハ上に形成
するリソグラフィーにおいては、設計ルールの微細化が
進んでいる。このため、紫外光を用いる光リソグラフィ
ーに変わるリソグラフィー技術として、X線を用いるリ
ソグラフィーや荷電粒子ビームを用いる荷電粒子ビーム
リソグラフィーが次世代のリソグラフィー方法として開
発されている。
かじめ設計データから変換された描画データを基に、ビ
ームを偏向させてパターンをウエハ上に描画する。さら
にステージを移動してこの作業を繰り返すことによりデ
バイスパターンを形成する。或いは、ステージを移動さ
せつつ、ビームを偏向してパターンを描画する。ここ
で、それぞれの描画装置に対応したフォーマットの描画
データは、各種データ変換ソフトを用いてCADデータ
からデータ変換することにより得られる。
示すフローである。図において、ストリームデータ(C
ADデータ)は、EBデータ変換処理において、まず、
前処理により、プログラムが処理しやすい中間データに
変換され、さらに、CAD上の図形の重なりを、OR演
算を行なうことにより除去する。そして、更に、近接効
果の補正処理を行なった後、EB装置用のデータフォー
マットに変換され、EB直描用データとして出力され
る。
ADデータ)通りの寸法になるように、EB直描の際に
発生する電子の散乱による近接効果を、このデータ変換
時に補正処理することは一般的に行われている。尚、基
板上には通常複数のチップが描画されることになるが、
これらの複数のチップは同一パターンの場合すべて同じ
露光量で描画される。このようにして、レジストパター
ンが形成された後、エッチングが行われる。
描により形成されたパターンをエッチングした際に、パ
ターンの疎密や、パターンのサイズによって、エッチン
グ後のパターン寸法が設計パターン寸法と異なってしま
うという問題がある。
にパターンが密につまった部分Aと、孤立ラインパター
ンのようにパターン密度が非常に小さいパターンのエリ
アBが同時に存在する場合、パターン密度の大きなパタ
ーンAではエッチングレートが低く、パターン密度の小
さなパターンBではエッチングレートが高いため、エッ
チングが一様には進行せず、出来上がりの寸法差を引き
起こす。
ーンのエッチングを例に示すが、パターンのサイズが微
小になるとマイクロローディング効果によりエッチング
レートが低下することは一般に良く知られている。この
場合、微細なコンタクトのエッチングに最適な条件でパ
ターン全体を描画した場合には比較的大きなパターンA
ではオーバーエッチングになり、形状の劣化・寸法誤差
を引き起こす。
度の差によりウエハ面内で寸法差が生じる。これを解決
するために、エッチング装置の設計においてはエッチン
グガスの流量や方向、排気設備の位置や、電極の構造な
ど多岐にわたり最適化することが必須となっており開発
期間・コストの増大を招いている。また、パターンの微
細化に伴いエッチング時のプラズマ密度バラツキの影響
も無視できなくなる。
グ後のパターンの寸法精度を向上し、設計データにより
近い寸法のパターンを形成することにある。
決するための手段として、設計データを電子線直描用デ
ータに変換して電子線直描を行う電子線直描方法におい
て、前記電子線直描用データの変換処理に、前記設計デ
ータ上の各パターンに対して、エッチングのパターンサ
イズに基づくエッチング後のマイクロローディング効果
によるパターン寸法変化を補正する処理を含むことを特
徴とする電子線直描方法を提供するものである。
化を補正する処理において、パターン毎に異なる露光量
の設定及び/又はリサイズの設定をして補正することを
特徴とする電子線直描方法でもある。
い領域には、レジスト寸法を設計寸法より大きくするた
め、前記露光量は多く、及び/又は前記リサイズは実際
の設計寸法より大きくし、エッチングのパターンサイズ
が大きい領域には、レジスト寸法を設計寸法より小さく
するため、前記露光量は少なく、及び/又は前記リサイ
ズは実際の設計寸法より小さくすることを特徴とする電
子線直描方法でもある。
勾配に応じて、ウエハ面内に配されるチップ毎の露光量
を変化させて描画を行うことを特徴とする電子線直描方
法でもある。
変換する際に、エッチングのパターンサイズからエッチ
ング後のパターン寸法変化を予測し、該予測結果に応じ
て、露光量補正及び/又はリサイズ処理を行なうことに
よりエッチング補正を行なう処理を含む電子線直描用デ
ータ変換手段と、前記作成された電子線直描用データの
露光量及び/又はリサイズにより電子線直描を行なう手
段と、を有することを特徴とする電子線直描装置でもあ
る。
化の予測は、エッチングシミュレータによりシュミレー
ションした結果を用いることを特徴とする電子線直描装
置でもある。
化の予測は、エッチングのパターンサイズからエッチン
グ後のパターン寸法変化を実験した実験値を予めテーブ
ル化した実験値データテーブルを備え、これと比較する
ことにより予測値を得ることを特徴とする電子線直描装
置でもある。
変換して電子線直描を行う電子線直描方法において、予
め実験により求められた各描画面積密度に対する最適露
光量のパラメーターテーブルが用意されたエッチング補
正処理専用の基板に、前記設計データを空描画させ、描
画面積密度を調査する工程と、前記調査した描画面積密
度と前記パラメーターテーブルに基づき、前記描画パタ
ーン毎に最適露光量で、前記データの描画を行う工程と
からなることを特徴とする電子線直描方法でもある。ま
た、エッチング装置内のプラズマ密度を検知するセンサ
ーと、該検知されたプラズマ密度情報により露光量を制
御する描画制御手段と、該描画制御手段の制御によりエ
ッチング装置内のプラズマ密度の分布に応じてチップ毎
に露光量を変えて描画を行う手段と、を有することを特
徴とする電子線直描装置でもある。
る際に、従来より行われてきた描画時の電子線散乱によ
る近接効果の補正処理に加え、エッチング補正処理を行
う。このエッチング補正を行う場合、描画面積密度の大
小・パターン寸法からエッチング後のパターン寸法変化
をあらかじめ考慮し、これに応じて、1)露光量補正、
2)リサイズ処理などの補正処理を行う。エッチング後
のパターン寸法変化の予測には、エッチングシミュレー
タとの組み合わせや、実験値をあらかじめテーブル化し
て持っておくなどの手段が有効である。
データとして出力し、描画を行う。こうして得られたパ
ターンをエッチングする。
画時にも露光量補正を加える。
のパターンの寸法精度を向上し、設計データにより近い
寸法のパターンを形成できる。
説明する。
B直描用データに変換し、このデータを用いて描画を行
う。描画されるパターンは設計通りの寸法になるよう
に、データ変換の際に電子線の散乱による近接効果の補
正処理が行われている。尚、通常基板上には複数のチッ
プが描画されることになるが、これらの複数のチップは
すべて同一露光量で描画される。このようにして、レジ
ストパターンが形成された後、エッチングが行われる。
パターンをエッチングした際に、パターンの疎密、ある
いはエッチング時のプラズマ密度の差により、エッチン
グ後のパターン寸法が設計パターン寸法と異なってしま
う。
化を予め考慮していないことによる。
換を行う際に、近接効果補正処理に加え、エッチング後
のパターン寸法変化を、予め考慮し、それに応じて露光
量補正やリサイズ等の補正処理を行う。これらの処理を
行ったデータをEBデータとして出力し、描画を行う。
置のプラズマ密度に応じて基板面内に配置されているチ
ップの露光量を変えて描画を行う。
寸法精度を向上し、設計データにより近い寸法のパター
ンを形成できる。
みにとどまらず、エッチング後の形状をも考慮して、エ
ッチング時のパターン変動要因についてもEBデータ変
換の段階から補正する点に特徴を有する。
面を参照して説明する。図1は、本発明の一例であるE
B直描データ作成方法のフローを示している。図1にお
いて、図6の従来例で説明した部分と異なる点は、エッ
チング補正処理が加わった点である。以下、このエッチ
ング補正処理について説明する。
描画密度の異なる2つの領域が存在する。
チング時のイオンがパターンに入りにくいため、エッチ
ングレートが低下する。このパターンデータを変換する
際には、近接効果補正処理に引き続き、エッチング補正
処理を行う。本実施例では、描画面積密度に応じて、各
領域毎に予め実験より求められた最適な露光量の値を適
用することにより、補正されたEB直描用データを作成
する。
域Aはエッチングが進行しにくいため、描画後のパター
ンが設計寸法よりも小さくなるように描画される。
のサイズを、CADデータのものから補正値を見込んだ
サイズにリサイズするリサイズ処理を行い、このリサイ
ズされたパターンで露光を行なうことによっても同様の
効果が得られる。
ン密度が大きい領域には、レジスト寸法を設計寸法より
小さくするため、露光量は少なく、または、リサイズは
実際の設計寸法より小さくする。また、パターン密度が
小さい領域には、レジスト寸法を設計寸法より大きくす
るため、露光量は多く、または、リサイズは実際の設計
寸法より大きくする。
ローも、図1のEB直描データ作成方法のフローと同じ
である。
トホール等のパターンサイズの異なる2つの領域が存在
する。
ング時のマイクロローディング効果のため、エッチング
レートが低下する。このパターンデータを変換する際に
は、近接効果補正処理に引き続き、エッチング補正処理
を行う。本実施例では、パターンサイズに応じて、各領
域毎に予め実験より求められた最適な露光量の値を適用
する。
域Aのパターンは、エッチングレートが向上するよう
に、設計寸法よりも大きく描画される。
を行っても同様の効果が得られる。本実施例では、図3
に示すように、パターンサイズが小さい領域には、レジ
スト寸法を設計寸法より大きくするため、露光量は多
く、または、リサイズは実際の設計寸法より大きくす
る。また、パターンサイズが大きい領域には、レジスト
寸法を設計寸法より小さくするため、露光量は少なく、
または、リサイズは実際の設計寸法より小さくする。
B直描装置および描画方法を示している。
換された直描データは、装置の描画制御部に送られる。
装置にはエッチング補正処理専用の基板10が具備され
ている。
れ、描画面積密度が調査される。エッチング補正処理専
用の基板には、予め実験により求められた各描画面積密
度に対する最適露光量のパラメーターテーブルが用意さ
れており、このテーブル値に基づき、パターン毎に異な
る露光量が適用される。
ータ変換時にエッチング補正を行っていないデータの描
画に際してもエッチングによるパターン寸法変化を補正
できる。
B直描方法を示している。エッチング装置内のプラズマ
密度は、チャンバー19内に取り付けられたセンサー1
3によりモニターされている。この情報は、EB直描装
置の制御部分に送られ、露光時の露光量に対しフィード
バックされる。
されるが、この際にエッチング装置内のプラズマ密度の
分布に応じてチップ毎に露光量を変えて描画を行う。エ
ッチング時のプラズマ密度が小さいところではエッチン
グが進行せず、逆に大きなところではオーバーエッチン
グされる。従ってコンタクトパターンの場合には、図5
に示すように、ウエハ上の位置により、プラズマ密度の
大きい領域では露光量は少なく、プラズマ密度の小さい
領域では露光量は大きくする露光量調整を行い、プラズ
マ密度の小さな部分でコンタクト径が大きくなるように
描画する。
密度の分布に関わりなくエッチングを行うことができ
る。
ン形状を予測し、補正することにより、レジストパター
ン寸法をそれに合わせて形成することができるため、エ
ッチング後のパターンの寸法精度を向上し、設計データ
により近い寸法のパターンを形成できる。
報を、EB直描時にフィードバックすることによりウエ
ハ面内のパターンの寸法精度を向上し、設計データによ
り近い寸法のパターンを形成できる。
を均一にする必要がないため、エッチング装置の開発時
間、コスト等の削減が可能である。
する図。
する図。
Claims (9)
- 【請求項1】 設計データを電子線直描用データに変換
して電子線直描を行う電子線直描方法において、 前記電子線直描用データの変換処理に、前記設計データ
上の各パターンに対して、エッチングのパターンサイズ
に基づくエッチング後のマイクロローディング効果によ
るパターン寸法変化を補正する処理を含むことを特徴と
する電子線直描方法。 - 【請求項2】 前記エッチング後のマイクロローディン
グ効果によるパターン寸法変化を補正する処理におい
て、パターン毎に異なる露光量の設定及び/又はリサイ
ズの設定をして補正することを特徴とする請求項1記載
の電子線直描方法。 - 【請求項3】 エッチングのパターンサイズが小さい領
域には、レジスト寸法を設計寸法より大きくするため、
前記露光量は多く、及び/又は前記リサイズは実際の設
計寸法より大きくし、エッチングのパターンサイズが大
きい領域には、レジスト寸法を設計寸法より小さくする
ため、前記露光量は少なく、及び/又は前記リサイズは
実際の設計寸法より小さくすることを特徴とする請求項
2記載の電子線直描方法。 - 【請求項4】 エッチング装置内のプラズマの密度勾配
に応じて、ウエハ面内に配されるチップ毎の露光量を変
化させて描画を行うことを特徴とする電子線直描方法。 - 【請求項5】 設計データを電子線直描用データに変換
する際に、エッチングのパターンサイズからエッチング
後のパターン寸法変化を予測し、該予測結果に応じて、
露光量補正及び/又はリサイズ処理を行なうことにより
エッチング補正を行なう処理を含む電子線直描用データ
変換手段と、 前記作成された電子線直描用データの露光量及び/又は
リサイズにより電子線直描を行なう手段と、を有するこ
とを特徴とする電子線直描装置。 - 【請求項6】 前記エッチング後のパターン寸法変化の
予測は、エッチングシミュレータによりシュミレーショ
ンした結果を用いることを特徴とする請求項5記載の電
子線直描装置。 - 【請求項7】 前記エッチング後のパターン寸法変化の
予測は、エッチングのパターンサイズからエッチング後
のパターン寸法変化を実験した実験値を予めテーブル化
した実験値データテーブルを備え、これと比較すること
により予測値を得ることを特徴とする請求項5記載の電
子線直描装置。 - 【請求項8】 設計データを電子線直描用データに変換
して電子線直描を行う電子線直描方法において、 予め実験により求められた各描画面積密度に対する最適
露光量のパラメーターテーブルが用意されたエッチング
補正処理専用の基板に、前記設計データを空描画させ、
描画面積密度を調査する工程と、 前記調査した描画面積密度と前記パラメーターテーブル
に基づき、前記描画パターン毎に最適露光量で、前記デ
ータの描画を行う工程とからなることを特徴とする電子
線直描方法。 - 【請求項9】 エッチング装置内のプラズマ密度を検知
するセンサーと、 該検知されたプラズマ密度情報により露光量を制御する
描画制御手段と、 該描画制御手段の制御により前記エッチング装置内のプ
ラズマ密度の分布に応じてチップ毎に露光量を変えて描
画を行う手段と、を有することを特徴とする電子線直描
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09319754A JP3074675B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子線直描方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09319754A JP3074675B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子線直描方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11154635A JPH11154635A (ja) | 1999-06-08 |
JP3074675B2 true JP3074675B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=18113807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09319754A Expired - Fee Related JP3074675B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子線直描方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3074675B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7270921B2 (en) | 2002-02-08 | 2007-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern writing and forming method |
JP2017026880A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
KR101729862B1 (ko) | 2014-11-12 | 2017-04-24 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 검사 장치, 데이터 보정 방법, 묘화 방법, 검사 방법 및 기록 매체 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063993A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体デバイスの製造方法および製造システム |
EP1732107A4 (en) * | 2004-03-30 | 2009-05-13 | Fujitsu Microelectronics Ltd | METHOD FOR CORRECTING EXPOSURE DATA TO AN ELECTRON BEAM |
KR100553713B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 및 이 장치를 이용한 포토 마스크의제조 방법 |
JP4563101B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-13 | 大日本印刷株式会社 | マスクパターンデータ補正方法 |
JP4745089B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-08-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム |
JP4899086B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-03-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法 |
JP5731257B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
EP3153924B1 (en) * | 2015-10-07 | 2021-11-17 | Aselta Nanographics | Method for determining the dose corrections to be applied to an ic manufacturing process by a matching procedure |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP09319754A patent/JP3074675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7270921B2 (en) | 2002-02-08 | 2007-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern writing and forming method |
US7388216B2 (en) | 2002-02-08 | 2008-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern writing and forming method |
KR101729862B1 (ko) | 2014-11-12 | 2017-04-24 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 검사 장치, 데이터 보정 방법, 묘화 방법, 검사 방법 및 기록 매체 |
JP2017026880A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11154635A (ja) | 1999-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5994009A (en) | Interlayer method utilizing CAD for process-induced proximity effect correction | |
JP4282051B2 (ja) | 半導体集積回路製造用マスクパターンデータ生成方法およびその検証方法 | |
JP3074675B2 (ja) | 電子線直描方法及び装置 | |
JP2003315976A (ja) | 露光原版の作成方法 | |
US6689625B2 (en) | Method for correcting a design data of a layout pattern of a photomask, photomask manufactured by said method, and semiconductor device method using said photomask | |
US20080148218A1 (en) | Mask data generation method, mask formation method, pattern formation method | |
JP2002318448A (ja) | 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム | |
US20050271951A1 (en) | Plasma etching apparatus and method of fabricating photomask using the same | |
JP2003322945A (ja) | レイアウトパターンデータの補正装置 | |
JPH07321011A (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
JP2007053166A (ja) | 出来栄え予測装置、出来栄え予測方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001312045A (ja) | マスクの形成方法 | |
JP2001344302A (ja) | 電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装置 | |
JPH10256114A (ja) | フォトレジスト膜のパターン形成方法 | |
JP4416931B2 (ja) | Ebマスクの設計方法及び装置 | |
JP4153678B2 (ja) | マスクデータ生成方法、露光マスク作成方法およびパターン形成方法 | |
JP2000269126A (ja) | 電子線露光方法及び装置 | |
JP3080006B2 (ja) | 電子ビーム露光補正方法 | |
JP3366686B2 (ja) | 光露光用マスクの検査方法 | |
US6733932B2 (en) | Mask lithography data generation method | |
JP4187703B2 (ja) | ブロックマスクを利用した荷電粒子ビーム露光データの生成方法及び荷電粒子ビーム露光方法 | |
JP2002189279A (ja) | フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置およびフォトマスク | |
JPH11307429A (ja) | パターン図形の分割方法 | |
JP2003273001A (ja) | 電子線描画データ作成方法、マスク製造方法および描画装置 | |
JP2009295833A (ja) | 描画装置及び描画用データの処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |