JP4416931B2 - Ebマスクの設計方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板上に所望のパターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるEB(Electron Beam)マスクの設計方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路装置の製造工程では、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子線の集束ビームを利用して集積回路パターンを描画する微細加工技術が実用化されている。例えば、電子ビーム露光装置は、感電子線レジストを塗布したウエハに電子ビームを照射して集積回路パターンを露光するものであり、電子ビームによる描画パターンを得るためにEBマスクが使用される。
【0003】
電子ビームを利用する電子ビーム描画技術には、EBマスクのパターンを縮小投影してメモリセルなどの単位領域をウエハ上に一括して描画する部分一括または全一括露光法が知られている。
【0004】
これらの露光方法では、通常、2枚のマスクを使用し、1枚目のマスクにより電子ビームを矩形状に整形し、整形した電子ビームを2枚目のマスクに照射する。2枚目のマスクには、ウエハ上に照射すべき集積回路パターンの一部を取り出した部分パターンが形成された矩形状の複数のセルアパーチャを有し、このセルアパーチャを電子光学系により数十分の1に縮小してウエハ上に転写することで一括露光を行う。このような部分一括または全一括露光法は、ショット数が減ってスループットが向上するだけでなく、ショットの接続精度、斜めパターンの画質、パターンデータの圧縮性が向上し、微細化がより進んでもウエハ描画時間に直接影響を与えない等の優れた点を有している。
【0005】
ところで、上述した一括露光法で使用されるマスクには、電子ビームを通過させるためのマスク穴が集積回路パターンに応じて形成されたステンシルタイプのEBマスクと、電子ビームを遮蔽するための膜が集積回路パターンに応じて形成されたメンブレンタイプのEBマスクの2種類がある。
【0006】
このうち、ステンシルタイプのEBマスクにおいては、図8(a)に示すように、周囲を全てマスク穴(斜線部)で囲まれる領域は、これを支える部分がなくなるため作成することができないという問題がある(以下、ドーナッツ問題と称す)。また、図8(b)に示すように、僅かな部分を残して周囲がマスク穴(斜線部)で囲まれる領域は、これを支える部分の強度を十分に確保することができないために、支える部分が変形したり、破損してしまう問題が発生する(以下、リーフ問題と称す)。
【0007】
このようなドーナッツ問題やリーフ問題を解決してステンシルタイプのEBマスクを作成するために、従来のEBマスクの設計方法では、集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、ドーナッツ問題やリーフ問題を回避するように2つのEBマスクにそれぞれマスク穴を形成している(例えば、図8(a)に示した集積回路パターンに対して図9(a)のように形成し、図8(b)に示した集積回路パターンに対して図9(b)のように形成する)。そして、相補パターンが形成された2ののEBマスク(以下、相補マスクと称する場合もある)を用いて順に露光することで、集積回路パターンをウエハ上に縮小転写していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述したステンシルタイプのEBマスクに相補パターンを形成する場合、通常、フォトリソグラフィ技術を利用してマスク上に所望のレジストパターンを形成し、エッチングによりマスク穴を形成する。ここで、マスク上にレジストパターンを形成する場合、線幅の極端に広いパターンと狭いパターンとでは、最適な露光量が異なるため、大面積の開口(マスク穴)パターンは可能な限り避けることが望ましい。
【0009】
また、集積回路パターンを2つの相補パターンに分割する際には、ウエハ上に縮小転写するときにクーロン効果による電子ビームのぼけの低減や最適露光量を一定にするため、2つの相補マスクのマスク穴の面積密度をほぼ同等にすることが望ましい。
【0010】
そのため、従来のEBマスクの設計方法では、ドーナッツ問題、リーフ問題を考慮するだけでなく、大面積のマスク穴が存在しないようにしつつ、2つの相補マスクのマスク穴の面積密度を同等にするため、集積回路パターンを所定の長さで区切って分割する手法が採用されている。
【0011】
しかしながら、このような分割方法では、集積回路パターンに大面積のパターンが存在する場合、面積密度が同等になるように2つの相補パターンに分割すると、図10に示すようにマスク穴同士が一点で繋がる点接触パターンが生成されたり、図11に示すように微小寸法のパターンでマスク穴同士が繋がる微小ブリッジパターンが生成されるおそれがある。
【0012】
点接触パターンや微小ブリッジパターンは、機械的な強度が弱く、EBマスクが破損するおそれがあるため、このような相補マスクを作成することはできない(以下、チェッカーフラッグ問題と称す)。
【0013】
従来のEBマスクの設計装置では、点接触パターンや微小ブリッジパターンを検出する機能が無かったため、設計者が目視等で点接触パターンや微小ブリッジパターンを検出し、点接触パターンや微小ブリッジパターンがある場合は、相補パターンの形状を変更してチェッカーフラッグ問題に対処していた。
【0014】
しかし、このように人が点接触パターンや微小ブリッジパターンを検出して相補パターンを修正していたのでは膨大な設計工数とコストが掛かり、TATも長くなってしまう。また、点接触パターンや微小ブリッジパターンの見落としによりチェッカーフラッグ問題の発生を完全に無くすことができない。
【0015】
本発明は上記したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、点接触パターンや微小ブリッジパターンを確実に検出して、チェッカーフラッグ問題に対処することが可能なEBマスクの設計方法及び装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明のEBマスクの設計方法は、半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、
前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、前記パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、
最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、
前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設ける方法である。
【0017】
このとき、前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンに前記補助パターンを設けた場合は、他方の相補パターンから該補助パターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにすることが望ましい。
【0018】
または、半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、
前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、任意のパターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、
最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、
前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように前記相補パターンの一部を所定の方向に移動させる方法である。
【0019】
このとき、前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンの一部を所定の方向に移動させた場合は、他方の相補パターンから該移動させたパターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにすることが望ましい。
【0020】
なお、前記隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、前記走査線の発生を前記隣接するパターンに到達する前に打ち切るようにしてもよい。
【0021】
一方、本発明のEBマスクの設計装置は、半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計装置であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、前記パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に求め、前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設ける処理装置と、
前記最小距離を前記パターンの各辺毎に記録するための記憶装置と、
を有する構成である。
【0022】
このとき、前記処理装置は、
前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンに前記補助パターンを設けた場合は、他方の相補パターンから該補助パターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにすることが望ましい。
【0023】
または、半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計装置であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、任意のパターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に求め、前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように前記相補パターンの一部を所定の方向に移動させる処理装置と、
前記最小距離を前記パターンの各辺毎に記録するための記憶装置と、
を有する構成である。
【0024】
このとき、前記処理装置は、
前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンの一部を所定の方向に移動させた場合は、他方の相補パターンから該移動させたパターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにすることが望ましい。
【0025】
なお、前記処理装置は、
前記隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、前記走査線の発生を前記隣接するパターンに到達する前に打ち切るようにしてもよい。
【0026】
上記のようなEBマスクの設計方法及び装置では、相補パターンを構成する全てのパターンについて、パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、最小距離がステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設けること、あるいは該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように相補パターンの一部を所定の方向に移動させることで、ドーナッツ問題やリーフ問題だけでなく、チェッカーフラッグ問題も解決したステンシルタイプのEBマスクを得ることができる。
【0027】
また、隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、走査線の発生を隣接するパターンに到達する前に打ち切ることで、隣接するパターンとの距離を求めるための計算時間を短縮できる。
【0028】
【発明の実施の形態】
次に本発明について図面を参照して説明する。
【0029】
図1は本発明のEBマスクの設計装置の一構成例を示すブロック図であり、図2はEBマスクの一構成例を示す側断面図である。
【0030】
本発明のEBマスクの設計装置は、ワークステーション等のコンピュータによって構成され、図1に示すように、プログラムにしたがって所定の処理を実行する処理装置10と、処理装置10に対してコマンドや情報等を入力するための入力装置20と、処理装置10による処理結果を表示または出力するための出力装置30とを有する構成である。
【0031】
処理装置10は、CPU11と、CPU11の処理に必要な情報を一時的に記憶する主記憶装置12と、CPU11に所定の処理を実行させるためのプログラムが記録される記録媒体13と、EBマスクのパターンデータ等が記録されるデータ蓄積装置14と、主記憶装置12、記録媒体13、及びデータ蓄積装置14とのデータ転送を制御するメモリ制御インタフェース部15と、入力装置20及び出力装置30とのインタフェース装置であるI/Oインタフェース部16とを備え、それらがバス18を介して接続された構成である。
【0032】
処理装置10は、記録媒体13に記録された分割処理プログラムにしたがって以下に記載するEBマスクのパターン分割処理を実行する。なお、記録媒体13は、磁気ディスク、半導体メモリ、光ディスクあるいはその他の記録媒体であってもよい。
【0033】
なお、ステンシルタイプのEBマスクは、例えば、図2に示すように、支柱となる第1のシリコン薄膜1上に、シリコン酸化膜(SiO2膜)2を挟んでマスク穴4が形成される第2のシリコン薄膜3が積層された構造である。
【0034】
本発明のEBマスクの設計装置によって設計されたEBマスクのデータは、光や電子ビーム等を用いる周知の描画装置に転送され、該データにしたがってレジストが塗布された第2のシリコン薄膜3上に相補パターンが描画される。そして、第2のシリコン薄膜3を所望の形状でエッチング除去することでマスク穴4が形成される。なお、図2に示したEBマスクの場合、第2のシリコン薄膜3と同様に、第1のシリコン薄膜1上に支柱を形成するためのレジストパターンが描画され、第1のシリコン薄膜1及びSiO2膜2を所望の形状でそれぞれエッチング除去することで支柱が形成される。
【0035】
次に、本発明のEBマスクの設計手順について図面を参照して説明する。
【0036】
図3は本発明のEBマスクの設計方法の手順を示すフローチャートであり、図4は本発明のEBマスクの設計方法による点接触パターン及び微小ブリッジパターンの検出手順を示す模式図である。また、図5〜図7は本発明のEBマスク設計方法によるEBマスクのパターン分割例を示す模式図である。
【0037】
図3において、処理装置10は、まず、従来のEBマスクの設計方法と同様に、ドーナッツ問題、リーフ問題を考慮して集積回路パターンを2つの相補パターンに分割すると共に、大面積のマスク穴が存在しないように設計する。また、2つの相補マスクのマスク穴の面積密度が同等になるように、集積回路パターンを所定の長さ毎に区切って分割する(ステップS1)。
【0038】
集積回路パターンを2つの相補パターンに分割した後、処理装置10は、図4に示すように、任意のパターンについて、辺と垂直な方向に走査線を発生させる。このとき、各走査線は隣接するパターンに到達するまで発生させ、その長さをバッファ(主記憶装置12)に記録する。なお、隣接するパターンとの距離が、パターン間を支持するのに十分な長さとして予め設定された所定のしきい値を超えるときは、走査線の発生を隣接するパターンに到達する前に打ち切ってもよい。その場合、隣接するパターンとの距離を求めるための計算時間を短縮できる。
【0039】
走査線は、パターンを1周するまで所定の間隔毎に繰り返し発生させ、バッファに記録する値はパターンの各辺毎に最小の値が計測される度に更新し、隣接パターンと最も近い位置の座標データ及びその距離(最小距離)をそれぞれ保存する(ステップS2)。なお、パターンの各頂点では、頂点を中心に走査線を回転させて発生させる。
【0040】
そして、パターンの各辺毎に、バッファに保存された最小距離が予め設定された所定のしきい値以下であるか否かを判定し(ステップS3)、最小距離がしきい値以下である場合はその座標データ及び距離のデータをそのままバッファに保存し、ステップS4の処理に移行する。また、パターンの各辺毎に得られる全ての最小距離がしきい値より大きい場合は対応する座標データ及び距離のデータをそれぞれ消去して処理を終了する。なお、しきい値は、変形や破損が生じない、ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な最小寸法と同程度の値に設定する。
【0041】
ステップS3の処理の結果、最小距離がしきい値以下であると判定された位置では、隣接パターンとの間に点接触パターンあるいは微小ブリッジパターンが発生していると考えられる。
【0042】
処理装置10は、上記ステップS1〜S3の処理によってしきい値以下の最小距離を持つ隣接パターンを検出した場合、点接触パターンあるいは微小ブリッジパターンの発生部位を支える補強処理として、例えば、ステップS1で生成した相補パターンに加えて図5及び図6に示すような補助パターン5を生成する(ステップS4)。なお、図5及び図6は、図10に示した点接触パターンに対応して生成する補助パターンの一例をそれぞれ示している。
【0043】
図5に示した相補マスクでは、一方の相補マスクの点接触部位に矩形状の補助パターン5をそれぞれ生成し、その生成した矩形状の補助パターン5と同様形状のパターンを他方の相補マスクから削除している。同様に、他方の相補マスクの点接触部位に矩形状の補助パターン5をそれぞれ生成し、その生成した矩形状の補助パターン5と同様形状のパターンを一方の相補マスクから削除している。
【0044】
また、図6に示した相補マスクでは、一方の相補マスクの点接触部位に三角形状の補助パターン5を生成し、その生成した三角形状の補助パターン5と同様形状のパターンを他方の相補マスクから削除している。同様に、他方の相補マスクの点接触部位に三角形状の補助パターン5をそれぞれ生成し、その生成した矩形状の補助パターン5と同様形状のパターンを一方の相補マスクから削除している。このようにすることで、一方の相補マスクと他方の相補マスクの相補パターンの面積密度が等しくなるようにする。なお、補助パターン5は、図5及び図6に示した形状に限定されるものではなく、点接触パターンあるいは微小ブリッジパターンの発生部位を支えるのに十分な面積を有する形状であればどうような形状であってもよい。
【0045】
次に、処理装置10は、ステップS4で生成した補助パターン5を含む相補パターンに対して、上記ステップS2、S3の処理を繰り返し、各辺毎に隣接パターンとの距離を測定して点接触パターンあるいは微小ブリッジパターンが発生していないことを確認する。
【0046】
以上説明したステップS1〜S4の処理を、相補パターンを構成する全てのパターンに対してそれぞれ行うことで、点接触パターンや微小ブリッジパターンの無い相補マスクが設計される。
【0047】
したがって、本発明のEBマスクの設計方法によれば、走査線により隣接パターン間の距離を測定して微小ブリッジパターンや点接触パターンの発生部位を検出し、検出した微小ブリッジパターン及び点接触パターンの発生部位に、それを支える補助パターン5をそれぞれ生成するため、ドーナッツ問題やリーフ問題だけでなく、チェッカーフラッグ問題も解決したステンシルタイプのEBマスクを得ることができる。特に、設計者による点接触パターン及び微小ブリッジパターンの検出や相補パターンの修正が不要になるため、点接触パターン及び微小ブリッジパターンが確実に検出されて、点接触パターン及び微小ブリッジパターンの見落としによるチェッカーフラッグ問題の発生を無くすことができる。
【0048】
なお、上記ステップS4の点接触パターン及び微小ブリッジパターンの補強処理として、図5及び図6に示した補助パターンを設ける代わりに、図7に示すように、一方の相補マスクの一部の相補パターンを所定の距離Lだけ移動(シフト)させ、他方の相補マスクの一部の相補パターンを同様に所定の距離Lだけ移動(シフト)させて、点接触パターン及び微小ブリッジパターンの発生部位をそれを支えるのに十分なパターン面積を有するように変更する処理が考えられる。但し、この場合も一方の相補マスクと他方の相補マスクの相補パターンの面積密度が等しくなるようにする。このように相補パターンの一部をシフトさせても点接触パターンや微小ブリッジパターンを無くすことができるため、補助パターン5を設ける場合と同様の効果を得ることができる。
【0049】
【発明の効果】
本発明は以上説明したように構成されているので、以下に記載する効果を奏する。
【0050】
相補パターンを構成する全てのパターンについて、パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、最小距離がステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離であるしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設けること、あるいは該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように相補パターンの一部を所定の方向に移動させることで、ドーナッツ問題やリーフ問題だけでなく、チェッカーフラッグ問題も解決したステンシルタイプのEBマスクを得ることができる。特に、設計者による点接触パターン及び微小ブリッジパターンの検出や相補パターンの修正が不要になるため、点接触パターン及び微小ブリッジパターンが確実に検出されて、点接触パターン及び微小ブリッジパターンの見落としによるチェッカーフラッグ問題の発生を無くすことができる。
【0051】
また、隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、走査線の発生を隣接するパターンに到達する前に打ち切ることで、隣接するパターンとの距離を求めるための計算時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のEBマスクの設計装置の一構成例を示すブロック図である。
【図2】EBマスクの一構成例を示す側断面図である。
【図3】本発明のEBマスクの設計方法の手順を示すフローチャートである。
【図4】本発明のEBマスクの設計方法による点接触パターン及び微小ブリッジパターンの検出手順を示す模式図である。
【図5】本発明のEBマスク設計方法によるEBマスクのパターン分割例を示す模式図である。
【図6】本発明のEBマスク設計方法によるEBマスクのパターン分割例を示す模式図である。
【図7】本発明のEBマスク設計方法によるEBマスクのパターン分割例を示す模式図である。
【図8】設計不可なEBマスクの一例を示す図であり、同図(a)はドーナッツ問題の発生例を示す平面図、同図(b)はリーフ問題の発生例を示す平面図である。
【図9】相補マスクの一例を示す図であり、同図(a)は図8(a)に示したドーナッツ問題の解決例を示す平面図、同図(b)は図8(b)に示したリーフ問題の解決例を示す平面図である。
【図10】従来のEBマスクの設計方法の問題点を示す図であり、点接触パターンの発生例を示すEBマスクの平面図である。
【図11】従来のEBマスクの設計方法の問題点を示す図であり、微小ブリッジパターンの発生例を示すEBマスクの平面図である。
【符号の説明】
1 第1のシリコン薄膜
2 SiO2膜
3 第2のシリコン薄膜
4 マスク穴
5 補助パターン
10 処理装置
11 CPU
12 主記憶装置
13 記録媒体
14 データ蓄積装置
15 メモリ制御インタフェース部
16 I/Oインタフェース部
18 バス
20 入力装置
30 出力装置
Claims (12)
- 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、
前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、前記パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、
最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、
前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設けるEBマスクの設計方法。 - 前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンに前記補助パターンを設けた場合は、他方の相補パターンから該補助パターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにする請求項1記載のEBマスクの設計方法。
- 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、
前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、任意のパターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、
最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、
前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように前記相補パターンの一部を所定の方向に移動させるEBマスクの設計方法。 - 前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンの一部を所定の方向に移動させた場合は、他方の相補パターンから該移動させたパターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにする請求項3記載のEBマスクの設計方法。
- 前記隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、前記走査線の発生を前記隣接するパターンに到達する前に打ち切る請求項1乃至4のいずれか1項記載のEBマスクの設計方法。
- 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計装置であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、前記パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に求め、前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設ける処理装置と、
前記最小距離を前記パターンの各辺毎に記録するための記憶装置と、
を有するEBマスクの設計装置。 - 前記処理装置は、
前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンに前記補助パターンを設けた場合は、他方の相補パターンから該補助パターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにする請求項6記載のEBマスクの設計装置。 - 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計装置であって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、任意のパターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に求め、前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように前記相補パターンの一部を所定の方向に移動させる処理装置と、
前記最小距離を前記パターンの各辺毎に記録するための記憶装置と、
を有するEBマスクの設計装置。 - 前記処理装置は、
前記2つの相補パターンのうち、一方の相補パターンの一部を所定の方向に移動させた場合は、他方の相補パターンから該移動させたパターンと同様形状のパターンを削除し、前記2つの相補パターンのマスク穴の面積密度が同等になるようにする請求項8記載のEBマスクの設計装置。 - 前記処理装置は、
前記隣接するパターンとの距離が、該パターンとの隣接部位を支えるのに十分な長さである第2のしきい値を超えるときは、前記走査線の発生を前記隣接するパターンに到達する前に打ち切る請求項6乃至9のいずれか1項記載のEBマスクの設計装置。 - 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクであって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを分割した2つの相補パターンのうちのいずれか一方が形成され、
前記相補パターンを構成するパターンのうち、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離であるしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンが設けられたEBマスク。 - 半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクであって、
所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを分割した2つの相補パターンのうちのいずれか一方が形成され、
前記相補パターンを構成するパターンのうち、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離であるしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位が該隣接部位を支えるのに十分な面積を有するように前記相補パターンの一部を所定の方向に移動させたEBマスク。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000288752A JP4416931B2 (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Ebマスクの設計方法及び装置 |
KR1020010055842A KR20020023640A (ko) | 2000-09-22 | 2001-09-11 | 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치 |
EP01122121A EP1191399B1 (en) | 2000-09-22 | 2001-09-14 | Method of and apparatus for designing an electron beam mask |
DE60115355T DE60115355T2 (de) | 2000-09-22 | 2001-09-14 | Verfahren zum Gestalten einer Elektronenstrahlmaske |
US09/956,143 US6638665B2 (en) | 2000-09-22 | 2001-09-20 | Method and apparatus for designing EB mask |
CNB011422548A CN1214285C (zh) | 2000-09-22 | 2001-09-20 | 设计电子束掩模的方法和装置 |
TW090123660A TW497009B (en) | 2000-09-22 | 2001-09-20 | Method of and apparatus for designing EB mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000288752A JP4416931B2 (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Ebマスクの設計方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002099075A JP2002099075A (ja) | 2002-04-05 |
JP4416931B2 true JP4416931B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=18772282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000288752A Expired - Fee Related JP4416931B2 (ja) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Ebマスクの設計方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6638665B2 (ja) |
EP (1) | EP1191399B1 (ja) |
JP (1) | JP4416931B2 (ja) |
KR (1) | KR20020023640A (ja) |
CN (1) | CN1214285C (ja) |
DE (1) | DE60115355T2 (ja) |
TW (1) | TW497009B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6855467B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-02-15 | Hoya Corporation | Transfer mask, method of dividing pattern or transfer mask, and method of manufacturing transfer mask |
WO2003098722A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active material of positive electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery and process for producing the same |
JP4020248B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2007-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光描画装置および光描画方法 |
US9009633B2 (en) * | 2013-05-06 | 2015-04-14 | United Microelectronics Corp. | Method of correcting assist feature |
DE102013216857A1 (de) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten und/oder zum Beobachten eines Objekts sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129544A (ja) | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写方法 |
JP3757341B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2006-03-22 | 富士通株式会社 | 露光パターンの補正方法 |
JP2785811B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用マスク |
JPH10284394A (ja) | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 |
US6057063A (en) * | 1997-04-14 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Phase shifted mask design system, phase shifted mask and VLSI circuit devices manufactured therewith |
JP2888228B2 (ja) * | 1997-04-25 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 荷電粒子線用部分一括マスクの構造 |
JPH1140475A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Nec Corp | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 |
JPH11237728A (ja) | 1998-02-24 | 1999-08-31 | Toshiba Corp | 描画方法及び描画装置 |
JP2000112113A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 図形パターン生成方法 |
JP3751762B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2006-03-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および原板 |
-
2000
- 2000-09-22 JP JP2000288752A patent/JP4416931B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-11 KR KR1020010055842A patent/KR20020023640A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-14 DE DE60115355T patent/DE60115355T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-14 EP EP01122121A patent/EP1191399B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-20 US US09/956,143 patent/US6638665B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-20 CN CNB011422548A patent/CN1214285C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-20 TW TW090123660A patent/TW497009B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1191399B1 (en) | 2005-11-30 |
EP1191399A2 (en) | 2002-03-27 |
EP1191399A3 (en) | 2004-01-07 |
CN1214285C (zh) | 2005-08-10 |
US20020037459A1 (en) | 2002-03-28 |
TW497009B (en) | 2002-08-01 |
DE60115355D1 (de) | 2006-01-05 |
JP2002099075A (ja) | 2002-04-05 |
DE60115355T2 (de) | 2006-08-24 |
US6638665B2 (en) | 2003-10-28 |
CN1347012A (zh) | 2002-05-01 |
KR20020023640A (ko) | 2002-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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