JP4899086B2 - 荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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パターンデータを有する設計データから変換され,露光パターンデータと露光量データとを有する露光データにしたがって,レジスト膜を露光する前記荷電粒子ビーム露光工程と,
前記荷電粒子ビーム露光工程で露光され現像された前記レジストパターンをマスクにして被エッチング膜をエッチングするエッチング工程と,
前記エッチング工程で形成された被エッチング膜のパターン寸法を測定して,製造ロット毎,エッチング装置毎,パターン密度毎,被エッチング膜の下の段差の上下毎,パターン毎のいずれか一つまたは複数に対応した測定パターン寸法データを有するパターン寸法データベースを構築する工程と,
前記パターン寸法データベースに基づいて,前記露光データの露光パターンデータまたは露光量データを前記エッチング工程によるパターン変動を吸収するように補正する露光データのエッチング補正工程とを有することを特徴とする。
パターンデータを有する設計データから変換され,露光パターンデータと露光量データとを有する露光データにしたがって,レジスト膜を露光する前記荷電粒子ビーム露光工程と,
前記荷電粒子ビーム露光工程で露光され現像された前記レジストパターンをマスクにして被エッチング膜をエッチングするエッチング工程と,
前記エッチング工程で形成された被エッチング膜のパターン寸法を測定して,製造ロット毎,エッチング装置毎,パターン密度毎,被エッチング膜の下の段差の上下毎,パターン毎のいずれか一つまたは複数に対応した測定パターン寸法データを有するパターン寸法データベースを構築する工程と,
前記パターン寸法データベースに基づいて,前記露光データの露光パターンデータまたは露光量データを前記エッチング工程によるパターン変動を吸収するように補正する露光データのエッチング補正工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記線幅データベースは,第1のパターン密度のパターンと,前記第1のパターン密度より疎な第2のパターン密度のパターンとに対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記線幅データベースは,複数のエッチング装置に対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記線幅データベースは,被エッチング膜の下の段差の上下に対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記線幅データベースは,複数の露光パターンをそれぞれ有するパターングループまたは個別の露光パターンに対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記露光データ補正工程に加えて,さらに,前記露光データの露光パターンデータまたは露光量データを,露光,現像工程での近接効果に基づくパターン変動を吸収するように補正する露光データの近接効果補正工程とを有する特徴とする半導体装置の製造方法。
前記露光データのエッチング補正工程では,
前記エッチング工程によるパターン変動で測定パターンが太くなる場合は,前記露光データの露光パターンを細くまたは露光量を減少するように前記補正を行い,
前記エッチング工程によるパターン変動で測定パターンが細くなる場合は,前記露光データの露光パターンを太くまたは露光量を増加するように前記補正を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
S12:近接効果補正処理 S14:エッチング補正処理
ED:露光データ S16:荷電粒子ビーム露光・現像処理
DBa,DBb:パターン寸法データベース
Claims (4)
- 荷電粒子ビーム露光工程と当該露光工程により生成されたレジストパターンを利用したエッチング工程とを有する半導体装置の製造方法において,
パターンデータを有する設計データから変換され,露光パターンデータと露光量データとを有する露光データにしたがって,レジスト膜を露光する前記荷電粒子ビーム露光工程と,
前記荷電粒子ビーム露光工程で露光され現像された前記レジストパターンをマスクにして被エッチング膜をエッチングする前記エッチング工程と,
前記エッチング工程で形成された被エッチング膜のパターン寸法を測定して,前記測定したパターン寸法を,製造ロット毎,エッチング装置毎,およびパターン密度毎に対応した測定パターン寸法データまたは製造ロット毎,エッチング装置毎,および被エッチング膜の下の段差の上下毎に対応した測定パターン寸法データとしてパターン寸法データベースに蓄積する工程と,
前記測定したパターン寸法が蓄積された前記パターン寸法データベースに基づいて,前記露光データの露光パターンデータまたは露光量データを前記エッチング工程によるパターン変動を吸収するように補正する露光データのエッチング補正工程とを有し,
前記エッチング補正工程で補正された前記露光データは, 次の前記半導体装置の製造方法で前記露光データとして用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において,
前記パターン寸法データベースは,第1のパターン密度のパターンと,前記第1のパターン密度より疎な第2のパターン密度のパターンとに対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において,
前記パターン寸法データベースは,複数のエッチング装置に対応して前記測定パターン寸法データを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において,
前記露光データのエッチング補正工程では,
前記エッチング工程によるパターン変動で測定パターンが太くなる場合は,前記露光データの露光パターンを細くまたは露光量を減少するように前記補正を行い,
前記エッチング工程によるパターン変動で測定パターンが細くなる場合は,前記露光データの露光パターンを太くまたは露光量を増加するように前記補正を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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