JP2005209850A - 半導体装置の設計システムと製造システム - Google Patents

半導体装置の設計システムと製造システム Download PDF

Info

Publication number
JP2005209850A
JP2005209850A JP2004014209A JP2004014209A JP2005209850A JP 2005209850 A JP2005209850 A JP 2005209850A JP 2004014209 A JP2004014209 A JP 2004014209A JP 2004014209 A JP2004014209 A JP 2004014209A JP 2005209850 A JP2005209850 A JP 2005209850A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
eb
data
semiconductor device
writing
writing data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004014209A
Other languages
English (en)
Inventor
Takema Ito
Hiroyuki Morinaga
武馬 伊藤
裕之 森永
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management and control, including software
    • G03F7/70508Data handling, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. addressable masks
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management and control, including software
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control, prediction of failure
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

Abstract

【課題】半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の製造システムを提供する。
【解決手段】装置を設計する設計部16にネットワークを介して接続し、EB直描データを用いるEB直描により装置を製造する装置製造システムにおいて、設計仲介部31はネットワークを介して設計部16からEB直描データに変換可能な回路データまたはレイアウトデータを受信する。EBデータ変換部33はEB直描データを生成する。EBデータ中央記憶部36はEB直描データを記録する。工場仲介部37はネットワークを介してEB直描データを配信する。EBデータコントロール部41はネットワークを介して工場仲介部37からEB直描データを受信する。EBデータ工場記憶部42はEB直描データを記録する。EB直描装置47はEB直描データを用いてEB直描を行い装置を製造する。
【選択図】図9

Description

本発明は、半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の設計と製造のシステムに関する。

半導体装置の製造では、半導体装置のパターニングが繰り返し行われる。半導体装置のパターニングのためには、フォトマスクを用いて露光する方法と、電子ビーム(EB)で直描する方法がある。パターニングで形成されるパターンは半導体装置の製品毎に固有のパターンであるので、製造の現場に存在するパターンの数は膨大になる。そこで、半導体装置の製造を整然と実施するために、フォトマスクを用いて露光する方法に関して、フォトマスクを描画するためのマスク描画データの管理方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。

一方、EBで直描する方法に関して、EB直描に必要なEB直描データの管理方法は提案されていない。EBで直描する方法は、半導体装置が少量製品であったり、試作製品である場合に使用され、緊急を有する場合に使用される。しかし、EB直描データは、手作業でハンドリングされている。EB直描データの管理方法の提案が待たれている。
特開2002−351931号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の設計システムを提供することにある。

また、本発明の目的は、半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の製造システムを提供することにある。

上記問題点を解決するための本発明の第1の特徴は、EB直描により半導体装置を製造する工場にネットワークを介して接続する半導体装置設計システムにおいて、EB直描に用いるEB直描データを生成するEBデータ変換部と、EB直描データを記録するEBデータ中央記憶部と、ネットワークを介してEB直描データを工場に配信し、工場からのダウンロード要求に応じてEB直描データを工場に再度配信する工場仲介部とを有する半導体装置設計システムにある。

本発明の第2の特徴は、半導体装置を設計する設計部に第1のネットワークを介して接続しEB直描データを用いるEB直描により半導体装置を製造する半導体装置製造システムにおいて、第1のネットワークを介して設計部からEB直描データに変換可能な回路データまたはレイアウトデータを受信する設計仲介部と、EB直描データを生成するEBデータ変換部と、EB直描データを記録するEBデータ中央記憶部と、第2のネットワークを介してEB直描データを配信する工場仲介部と、第2のネットワークを介して工場仲介部からEB直描データを受信するEBデータコントロール部と、EB直描データを記録するEBデータ工場記憶部と、EB直描データを用いてEB直描を行い半導体装置を製造するEB直描装置を有する半導体装置製造システムにある。

本発明の第3の特徴は、半導体装置を製造する際のEB直描に用いるEB直描データを記録する半導体装置設計システムにネットワークを介して接続する半導体装置製造システムにおいて、ネットワークを介して半導体装置設計システムからEB直描データを受信するEBデータコントロール部と、EB直描データを記録するEBデータ工場記憶部と、EB直描データを用いてEB直描を行い半導体装置を製造するEB直描装置とを有し、EBデータ工場記憶部はEB直描データを用いたEB直描が行われていない場合はEB直描データを消去し、EBデータコントロール部はEB直描データがEBデータ工場記憶部に記憶されているか検索し記憶されていない場合は半導体装置設計システムにEB直描データをダウンロード要求して半導体装置設計システムからEB直描データを再度受信する半導体装置製造システムにある。

以上説明したように、本発明によれば、半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の設計システムを提供できる。

また、本発明によれば、半導体装置の製造においてEB直描に用いるEB直描データを管理する半導体装置の製造システムを提供できる。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。

図1に示すように、設計部8乃至10、16、保管システム11、14、18、21、工場15、17、19、20、マスク設計システム12とマスク製造システム13は、インターネット1やローカルエリアネットワーク(LAN)2乃至4に接続し、ネットワークを構成している。設計部8、10、16は互いに同じ構造を有している。保管システム11、14、18、21は互いに同じ構造を有している。工場15、17、19、20は互いに同じ構造を有している。

実施例1の半導体装置設計製造システム5は、少なくとも1つの設計部8乃至10、16、少なくとも1つの保管システム11、14、18、21、少なくとも1つの工場15、17、19、20を有している。例えば、半導体装置設計製造システム5は、LAN2に接続する設計部16、保管システム18と工場17で構成することができる。あるいは、半導体装置設計製造システム5は、インターネット1に接続する設計部8、保管システム21と工場20で構成してもよい。

実施例1の半導体装置設計システム6は、少なくとも1つの設計部8乃至10、16と少なくとも1つの保管システム11、14、18、21を有している。例えば、半導体装置設計システム6は、LAN3に接続する設計部10と保管システム11で構成することができる。あるいは、半導体装置設計システム6は、インターネット1に接続する設計部8と保管システム21で構成してもよい。

実施例1の半導体装置製造システム7は、少なくとも1つの工場15、17、19、20を有しており、さらに少なくとも1つの保管システム11、14、18、21を有することができる。例えば、半導体装置製造システム7は、LAN4に接続する保管システム14と工場15で構成することができる。あるいは、半導体装置製造システム7は、インターネット1に接続する保管システム21と工場20で構成してもよく、インターネット1に接続する工場19のみで構成してもよい。

図2に示すように、半導体装置設計製造システム5は、設計部16、保管システム18と工場17を有している。保管システム18は、設計仲介部31、レイアウト設計部32、EBデータ変換部33、EBデータ検証部34、EBデータ圧縮部35、EBデータ中央記憶部36、工場仲介部37、EBデータ表示部38、ディスプレイ39と利用履歴記憶部40を有している。EBデータ中央記憶部36は、EBデータベースを有している。工場仲介部37は、暗号化部を有している。

工場17は、EB直描データ要求システム46とEB直描装置47を有している。EB直描データ要求システム46は、EBデータコントロール部41、EBデータ工場記憶部42、EBロット状態記憶部43、生産管理部44、工程フロー記憶部45を有している。EBデータコントロール部41は、欠損確認部、復号化部と解凍部を有している。

図3に示すように、半導体装置設計システム6は、設計部10と保管システム11を有している。保管システム11は、図2の保管システム18と同じ構造を有する。半導体装置設計システム6は、図2の半導体装置設計製造システム5から工場17を省いた構造を有する。

図4に示すように、半導体装置製造システム7は、保管システム14と工場15を有している。保管システム14は、図2の保管システム18と同じ構造を有する。工場15は、図2の工場17と同じ構造を有する。半導体装置製造システム7は、図2の半導体装置設計製造システム5から設計部16を省いた構造を有する。

図5に示すように、半導体装置設計製造システム5を構成する保管システム21は、図2の保管システム18、図3の保管システム11と図4の保管システム14と同じ構造を有する。

図6に示すように、半導体装置設計製造システム5を構成する工場19は、図2の工場17と図4の工場15と同じ構造を有する。

図7に示すように、設計部9は、システム設計部51、機能設計部52、論理回路設計部53、レイアウト設計部54、EBデータ変換部55、EBデータ検証部56、暗号化部59、ユーザ認証部60、EB直描データ登録配信依頼情報作成部61とデータ送受信部62を有する。そして、EBデータ検証部56は、EBデータ表示部57とディスプレイ58を有する。なお、設計部16は、コンピュータであってもよく、コンピュータにプログラムに書かれた手順を実行させることにより、設計部16を実現させてもよい。そして、設計部9は、一般的に設計部署または設計会社が所有している。一方、設計部8、10、16は、図7の設計部9からレイアウト設計部54、EBデータ変換部55、EBデータ検証部56を省いた構造を有する。

図8に示すように、半導体装置の設計方法は、まず、ステップS1で、システム設計部51において、半導体装置を含むシステムの設計をする。ステップS2で、機能設計部52において、設計したシステムに基づいて、半導体装置に要求される機能を設計する。ステップS3で、論理回路設計部53において、設計した機能に基づいて、半導体装置の論理回路を設計する。論理回路設計部53は設計された論理回路を回路データD1として出力する。可能であれば、ステップS4で、レイアウト設計部54において、設計された論理回路に基づいて、半導体装置のレイアウトを設計する。レイアウト設計部54は設計されたレイアウトをレイアウトデータD2として出力する。レイアウトデータD2は通常GDS2等のCADフォーマットで記載されている。可能であれば、ステップS5で、EBデータ変換部55において、EB直描データD3を生成する。EBデータ検証部56が、生成されたEB直描データD3を検証する。EBデータ表示部57がEB直描データD3を直描画像データD4に変換する。EBデータ検証部56が、直描画像データD4がEBの描画のルールを満足しているか判定する。なお、EBデータ検証部56は、直描画像データD4をディスプレイ58に表示し、オペレータに直描画像データD4がEBの描画のルールを満足しているかの判定結果を促してもよい。オペレータは、促しに応じ、判定結果をEBデータ検証部56に入力する。この判定結果に基づいてEBデータ検証部56が、EBの描画のルールを満足しているか判定する。ステップS6で、暗号化部59において、送信データを暗号化する。送信データは、回路データD1、可能であればレイアウトデータD2、EB直描データD3である。

図9に示すように、半導体装置設計製造システム5を含むネットワークは、設計部16、保管システム18、工場17、マスク設計システム12とマスク製造システム13を有している。工場17は、マスクストッカー65、露光装置66、成膜装置67とエッチング装置68を有している。

実施例1の半導体装置設計製造方法は、好ましくは半導体装置が新規製品の1ロット目である場合、もしくは、半導体装置の設計のリファイン等があった場合に適用できる。

図10と図11に示すように、実施例1の半導体装置設計製造方法は、図8の半導体装置の設計方法の後に、まず、ステップS11で、図7のユーザ認証部60が、図9の設計仲介部31にユーザ認証を求める。ステップS12で、設計仲介部31が、求めに応じ、ユーザ認証する。ユーザ認証が成功したことをユーザ認証部60が確認する。

ステップS13で、EB直描データ登録配信依頼情報作成部61が、EB直描データ登録配信依頼情報D5を設計仲介部31にネットワーク1乃至4を介して送信する。図12に示すように、EB直描データ登録配信依頼情報D5は、製造される半導体装置の製品名、EBで直描するレイヤー名、設計部8乃至10、16の名称や半導体装置の納期等のユーザ情報、EB直描で使用するEB直描装置の描画機種、工場15、17、19、20のウェハー工場名、これらの製品名、レイヤー名と描画機種に対応するEB直描データD3、レイアウトデータD2または回路データD1を収めた描画ファイルを有している。ステップS14で、設計仲介部31が、EB直描データ登録配信依頼情報D5を受信する。これにより、EB直描データD3を登録・配信するJobが設計仲介部31に登録される。設計仲介部31が、描画ファイルに収められたEB直描データD3、レイアウトデータD2または回路データD1を復号化する。

ステップS15で、設計仲介部31が、受信したEB直描データ登録配信依頼情報D5の描画ファイルが回路データD1であるか判断する。描画ファイルが回路データD1であれば、ステップS16に進む。描画ファイルが回路データD1でなければ、ステップS17に進む。

ステップS16で、保管システム18のレイアウト設計部32が、回路データD1に基づいて、半導体装置のレイアウトを設計する。レイアウト設計部32は設計されたレイアウトをレイアウトデータD2として出力する。

ステップS17で、設計仲介部31が、半導体装置の製造にマスクが必要か判断する。半導体装置の製造にマスクが必要であれば、ステップS18に進む。半導体装置の製造にマスクが必要でなければ、ステップS38に進む。

ステップS18で、マスク設計システム12が、レイアウトデータD2に基づいて、露光装置66で使用するマスクを設計する。ステップS19で、マスク製造システム13が、マスクを製造する。ステップS20で、マスク製造システム13が、工場17の生産管理部44にマスクを送付する。生産管理部44は、マスクをマスクストッカー65に保管させる。

ステップS38で、設計仲介部31が、受信したEB直描データ登録配信依頼情報D5の描画ファイルがEB直描データD3であるか判断する。描画ファイルがEB直描データD3であれば、図11のステップS24に進む。描画ファイルがEB直描データD3でなければ、ステップS21に進む。

ステップS21で、EBデータ変換部33が、レイアウトデータD2に基づいてEB直描データD3を生成する。レイアウトデータD2からEB直描データD3への変換処理では、EB直描データD3は、EB直描データ登録配信依頼情報D5に書かれている描画機種に適合したフォーマットに変換する。フォーマットは、EB直描装置47が提供するソフトウェアーやサードパーティ製、内製と状況に合わせて選択する。

ステップS22で、EBデータ検証部34が、生成されたEB直描データD3を検証する。EBデータ検証部34が、レイアウトデータD2と生成したEB直描データD3と重ね合わせを行う。EBデータ表示部38がEB直描データD3を直描画像データD4に変換する。ステップS23で、EBデータ検証部34が、直描画像データD4がEBの描画のルールを満足しているか判定する。直描画像データD4がEBの描画のルールを満足している場合は、図11のステップS24に進む。直描画像データD4がEBの描画のルールを満足していない場合は、ステップS21に戻り、原因を究明し施策を行った上で、EB直描データへの変換を繰り返す。

なお、EBデータ検証部34は、直描画像データD4をディスプレイ39に表示する。図13に示すように、直描画像データD4はディスプレイ39に表示されるディスプレイ表示画像71中に図形パターン72として表示される。EBデータ検証部34は、オペレータに直描画像データD4がEBの描画のルールを満足しているかの判定結果を促す。オペレータは、促しに応じ、判定結果をEBデータ検証部34に入力する。この判定結果に基づいてEBデータ検証部34が、EBの描画のルールを満足しているか判定する。あるいは、設計仲介部31が、直描画像データD4を設計部9のデータ送受信部62を介してEBデータ検証部56に送信する。EBデータ検証部56は、直描画像データD4をディスプレイ58に表示し、オペレータに直描画像データD4がEBの描画のルールを満足しているかの判定結果を促す。オペレータは、促しに応じ、判定結果をEBデータ検証部56に入力する。データ送受信部62が、判定結果を設計仲介部31に送信する。この判定結果に基づいてEBデータ検証部34が、EBの描画のルールを満足しているか判定する。

ステップS24で、EBデータ圧縮部35が、EB直描データD3を圧縮する。これは、記憶媒体の節約と、ネットワーク1乃至4の負荷の低減のためである。ステップS25で、EBデータ中央記憶部36が、EB直描データD3をEBデータ中央記憶部36内のEBデータベースに記録・登録する。図14に示すように、EBデータベースはレコード77を有し、レコード77は、製品名のフィールド73、レイヤーのフィールド74、描画機種75のフィールド75とEB直描データD3のフィールド76を有する。EBデータ中央記憶部36は、EBデータベースから製品名、レイヤー名と描画機種で特定されるEB直描データD3を抽出することができる。また、製品名-レイヤー名-描画機種を用いたファイル名をつけてEB直描データD3を保存してもよい。また、EB直描データD3は一般的にデータサイズが大きいため、書き込み可能DVD等のビット単価の安い記憶媒体を利用すればよい。1枚のDVDに1つの製品名に関するEB直描データD3を記憶させ、そのDVDがDVDのオートチェンジャーによって抽出可能なように、その製品名とそのDVDを関係付けておく。DVDのオートチェンジャーが、EBデータベースに含まれることになる。

ステップS26で、工場仲介部37の暗号化部がEB直描データD3を暗号化する。暗号化によって、情報の漏洩、改竄、なりすまし等を防ぐ。ステップS27で、工場仲介部37が、送信待ち信号をEBデータコントロール部41に送信する。ステップS28で、EBデータコントロール部41が工場仲介部37にユーザ認証を求める。ステップS29で、工場仲介部37がユーザ認証する。ステップS30で工場仲介部37がEB直描データD3をEBデータコントロール部41に送信する。ステップS31でEBデータコントロール部41がEB直描データD3を受信する。EB直描データD3は、EB直描データ登録配信依頼情報D5に書かれているウェハー工場名に該当する工場15、17、19、20にネットワーク1乃至4を介して転送する。なお、ウェハー工場15、17、19、20へのデータ転送は、描画される順番で転送する。つまり、下地のレイヤーから転送する。その理由は、EB直描データD3待ちでロットが停滞することを最小限に押さえる為である。設計仲介部31と工場仲介部37が、保管システム18の利用ログを利用履歴記憶部40に記憶させる。設計仲介部31であれば、記憶する項目は、ユーザである設計部16の名称、利用時刻、利用サービス名等である。利用サービスとは、レイアウトデータD2への変換、EB直描データD3への変換、EB直描データD3の検証、EB直描データD3の圧縮、EB直描データD3のEBデータベースでの保管等である。記憶された項目に基づいて、設計仲介部31は、課金の金額を計算し、設計部16に課金の金額を請求する。一方、工場仲介部37であれば、記憶する項目は、ユーザである工場17の名称、利用時刻、利用サービス名等である。利用サービスとは、EB直描データD3のEBデータベースからの読み出しである。記憶された項目に基づいて、工場仲介部37は、課金の金額を計算し、工場17に課金の金額を請求する。

ステップS32で、EBデータコントロール部41の欠損確認部が、EB直描データD3の欠損確認をする。ファイル転送によるデータ欠損を防ぐためにチェックサムを用いた確認を行う。EBデータコントロール部41の復号化部が、EB直描データD3を復号化する。EBデータコントロール部41の解凍部が、EB直描データD3を解凍する。

ステップS33で、EBデータ工場記憶部42がEB直描データD3をEBデータ工場記憶部42内のEBデータベースに記録する。EBデータ工場記憶部42のEBデータベースのデータ構造は、図14のEBデータ中央記憶部36のEBデータベースのデータ構造と同じである。EBデータ工場記憶部42のEBデータベースに用いられる記録媒体としては、消去ができ書き換えが可能な記録媒体が望ましく、ハードディスクメモリ、固体素子メモリ等が考えられる。

ステップS34で、生産管理部44の工程フロー生成部が、EBデータベースに記憶された製品名、レイヤー名と描画機種に基づいて工程フローを生成する。生産管理部44は、工程フローを工程フロー記憶部45に記憶させる。工程フローは、製品名毎に作成される。図15に示すように、工程フローはロット投入に始り、EB描画工程#1、#2、マスクを用いた露光工程、成膜工程やエッチング工程を経て、払い出しで終了する。工程フローのEB描画工程#1と#2にはそれぞれ処理条件79、80が添付されている。処理条件79、80には、製品名、レイヤー名と描画機種が設定されている。処理条件79、80の製品名、レイヤー名と描画機種は、設計部8乃至10、16が送信した図12のEB直描データ登録配信依頼情報D5の内容と同じ必要がある。

ステップS35で、生産管理部44が製品名をつけたロットをラインに投入する。製品名の工程フローに基づいて、成膜装置67がロットに対して成膜する。工程フローに基づいて、エッチング装置68がロットに対してエッチングする。工程フローに基づいて、露光装置66がマスクストッカー65からマスクを取り出し、マスクを用いてロットを露光する。

ステップS36で、EB直描装置47が、工程フローのEB描画工程#1と#2の処理条件79、80の製品名、レイヤー名と描画機種を読み出す。EB直描装置47が、EBデータ工場記憶部42のEBデータベースから製品名、レイヤー名と描画機種で特定されるEB直描データD3を読み出す。EB直描装置47が、読み出したEB直描データD3を用いてロットに直描処理を行う。EB直描装置47とEBデータ工場記憶部42はネットワークファイルシステム(NFS:Network File System)等のネットワークファイル共有を用いる。最終的にロットは払い出され、製品名のロットは完成する。

保管システム11、14、18、21は、ネットワーク1乃至4を介して設計部8乃至10、16から回路データD1、レイアウトデータD2もしくはEB直描データD3を受信する。保管システム11、14、18、21は、回路データD1もしくはレイアウトデータD2をEB直描データD3に変換する。保管システム11、14、18、21は、EB直描データD3を保管する。保管システム11、14、18、21は、EB直描データD3を任意のウェハー工場15、17、19、20に転送・配信する。このことにより、保管システム11、14、18、21は、EB直描データD3を集中管理できる。1つの保管システム11、14、18、21で,複数の設計部8乃至10、16からEB直描データD3を受信できる。1つの保管システム11、14、18、21で、複数のウェハー工場15、17、19、20へEB直描データD3を送信できる。複数のウェハー工場15、17、19、20で同一の製品のEB直描データD3を簡単に取得できる。部門外や会社外からEB直描データD3の保管や取得ができる。

保管システム11、14、18、21を有する半導体装置設計製造システム5、半導体設計システム6、半導体製造システム7では、EB直描データD3が、手作業でハンドリングされることはない。よって、人的リソースが増大することはない。ハンドリングによるミスを低減できる。

保管システム11、14、18、21では、取得されたEB直描データD3は、このEB直描データD3を用いてEB直描を行うウェハー工場15、17、19、20へ、取得直後に無条件で送信される。工場15、17、19、20は、EB直描を行う前にタイムリーにEB直描データD3を取得することができる。

実施例2の半導体装置設計製造方法は、1つの工場15、17、19、20で製造される同一の半導体装置が2ロット目以降である場合に適用できる。すなわち、1ロット目に使用したEB直描データD3がEBデータ工場記憶部42から消去されている場合を考慮する。これは、EBデータ工場記憶部42の記憶容量を小さく設定するからである。実施例2の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7は、実施例1の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7と同じ構造を有している。

図16に示すように、実施例2の半導体装置設計製造方法では、まず、ステップS41で、工場15、17、19、20の生産管理部44が工程フローを生成する。生産管理部44は図15の工程フローを工程フロー記憶部45に登録する。この作業はEB直描に限らず、フォトマスクを使用した場合と同様に実施することができる。工程フローが完成すると、実際にロットが工場15、17、19、20のラインに投入される。

ステップS42で、EBデータコントロール部41が、EB直描工程を有しているEBロット情報を取得する。図17に示すように、EBロット情報とは、製品名、レイヤー名、描画機種、ロット番号、利用時刻、削除可能フラグである。工程フローの中にEB描画工程が複数存在する場合は、それらの描画工程毎のEBロット情報が取得できる。EBロット情報はレコード87を有し、レコード87は、製品名のフィールド81、レイヤー名のフィールド82、描画機種のフィールド83、ロット番号のフィールド84、利用時刻のフィールド85と削除可能フラグのフィールド86を有する。EBデータコントロール部41は、EBロット状態記憶部43から利用時間と削除可能なフラグに基づいてEB直描データD3を削除可能な製品名を抽出することができる。

ステップS43で、取得したEBロット情報を、EBロット状態記憶部43が記憶・登録する。なお、利用時刻には登録時刻を設定し、削除可能フラグには「No」を設定する。

ステップS44で、EBデータコントロール部41が、EBデータ工場記憶部42に、EBロット情報の製品名、レイヤー名、描画機種に一致する製品名、レイヤー名、描画機種に関係付けられたEB直描データD3が存在するか判断する。存在する場合は、必要なEB直描データD3が存在しているので、図11のステップS35あるいはステップS36に進む。存在しない場合は、ステップS45に進む。

ステップS45で、EBデータコントロール部41が、工場仲介部37にユーザ認証を要求する。ステップS46で、工場仲介部37が、ユーザ認証を行う。ステップS47で、EBデータコントロール部41が、EBデータダウンロード要求情報を工場仲介部37に出力する。図18に示すように、EBデータダウンロード要求情報は、工場17等で製造する半導体装置の製品名、EBで直描するレイヤー名、半導体装置の納期等のユーザ情報、EB直描で使用するEB直描装置の描画機種、工場17等のウェハー工場名を有している。

ステップS48で、工場仲介部37が、EBデータダウンロード要求情報の製品名、レイヤー名と描画機種に対応したEB直描データD3をEBデータ中央記憶部36から取得する。この後、図11のステップS26に進む。ステップS26以降の処理は実施例1と同じである。

実施例2の半導体装置設計製造方法によれば、ウェハー工場でEB直描工程を有するロットが投入されると、EBデータコントロール部41が工場仲介部37にEB直描データD3のダウンロード要求を出し、EB直描が行われる前に,EB直描データD3をEBデータ工場記憶部42にダウンロードすることができる。このように、保管システム11、14、18、21は、工場15、17、19、20からのダウンロード要求に応じ、EB直描データD3を要求した工場15、17、19、20に配信できる。したがって、工場15、17、19、20でロットの再投入が予想される半導体装置のEB直描データD3であっても、工場15、17、19、20は保持しておく必要はない。EB直描データD3はデータサイズが大きいので、保持する必要がない分、システムソース的に負荷を小さくすることができる。

実施例3の半導体装置設計製造方法では、使用頻度の低いEB直描データD3は、工場15、17、19、20のEBデータ工場記憶部42から削除する。このことにより、EB直描データD3のファイルサイズが大きくても、各ウェハー工場15、17、19、20でのシステム的なリソースを累積的に増大させることはない。削除したEB直描データD3が必要な際は、実施例2の半導体装置設計製造方法によりEB直描データD3がダウンロードできる。実施例3の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7は、実施例1の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7と同じ構造を有している。

図19に示すように、実施例3の半導体装置設計製造方法では、図11のステップS36の後に、ステップS51で、生産管理部44が、EB直描工程を1工程でも有しているロットLotA乃至LotEが完成し、払い出されたことを認識する。その払い出されたロットLotA乃至LotEの製品名「製品A」「製品B」、ロット番号「LotA」乃至「LotE」を取得する。払い出された時刻をロットLotA乃至LotE毎に取得する。

ステップS52で、図20に示すようにEBデータコントロール部41が、EBロット状態記憶部43の取得したロット番号「LotA」乃至「LotE」と同一のロット番号のレコード88乃至97の削除可能フラグのフィールド86をすべて「Yes」にする。EBデータコントロール部41が、EBロット状態記憶部43の取得したロット番号「LotA」乃至「LotE」と同一のロット番号のレコード88乃至97の利用時刻のフィールド85に、取得した払い出された時刻を入力する。

ステップS53で、EBデータコントロール部41が、EBデータ工場記憶部42の空き容量をチェックし、十分な空き容量があるか判断する。空き容量が十分あるかどうかの判断の基準としては、例えば、空き容量が全容量の10%以下であること、空き容量が1GB以下であることが考えられる。十分な空き容量があれば、実施例3の半導体装置設計製造方法は終了する。十分な空き容量がなければ、ステップS54に進む。

ステップS54で、EBデータコントロール部41が、削除可能フラグがすべてYesであるEBデータ特定因子を抽出する。EBデータ特定因子とは、製品名、レイヤー名と描画機種のことである。具体的には、(製品名、レイヤー名、描画機種)の組で、(製品A、M1、E1)、(製品A、M2、E1)、(製品B、M1、E2)、(製品B、M2、E2)が抽出できる。

ステップS55で、EBデータコントロール部41が、複数の(製品名、レイヤー名、描画機種)の組が見つかった場合は、最新の利用時刻が一番古い組を抽出する。具体的には、(製品A、M1、E1)の組の最新の利用時刻は2003年10月であり、(製品A、M2、E1)の組の最新の利用時刻は2003年10月であり、(製品B、M1、E2)の組の最新の利用時刻は2002年12月であり、(製品B、M2、E2)の組の最新の利用時刻は2002年12月である。したがって、最新の利用時刻が一番古い組は、最新の利用時刻が2002年12月である(製品B、M1、E2)と(製品B、M2、E2)の組である。

ステップS56で、EBデータコントロール部41が、抽出された(製品名、レイヤー名、描画機種)の組が特定するEBデータ工場記憶部42のEBデータベースの図14のレコード77をEB直描データD3を含めて削除する。また、EBデータコントロール部41が、抽出された(製品名、レイヤー名、描画機種)の組が特定するEBロット状態記憶部43の図20のEBロット情報のレコード94乃至97を削除する。ステップS53に戻る。空き容量が十分になるまで、ステップS53乃至S56のループを繰り返す。ただし、削除可能なデータがなくなり、なお空き容量が不足している場合は、EBデータ工場記憶部42の記憶媒体の容量を増設する。

実施例3の半導体装置設計製造方法によれば、EB直描データD3を各ウェハー工場15、17、19、20で長期に保存する必要が無く、設備費と保守費が低減できる。

実施例4の半導体装置設計製造方法では、EB直描データD3だけでなく、近接効果の補正データをあわせて扱う。実施例4の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7は、実施例1の半導体装置設計製造システム5、半導体装置設計システム6、半導体装置製造システム7と同じ構造を有している。

近接効果とは、EB直描の際に、半導体装置の基板等の下層レイヤーからの散乱ビームによって、実質的にパターンに与えられるエネルギー量が増加する現象をいう。特に、パターンが近接して密度が高く配置されている場合、孤立したパターンに比較して寸法が大きくなる。近接効果補正を行い、ビーム露光領域内での蓄積エネルギーが略一定になるように各位置の露光量を補正する。近接効果の補正データとは、露光量の補正が必要な照射領域を表している。

補正データは、補正モデルに基づき、補正すべきレイヤーのEB直描データD3と下層レイヤーのEB直描データD3を用いて生成される。補正モデルの例は、図21に示すように、まず、下層レイヤーAとBのEB直描データD3の描画画像データ101と102の論理和を求める。論理和として描画画像データ104が生成される。次に、補正すべきレイヤーCのEB直描データD3の描画画像データ103と描画画像データ104の論理積を求める。論理積として補正データの描画画像データ105が生成される。描画画像データ105に基づいて補正データが生成される。例の補正モデルは、式1の論理式で表される。

補正データ(レイヤーC)=(描画データ(レイヤーA)+描画データ(レイヤーB))*描画データ(レイヤーC) ・・・(1)
ここで、+は論理和、*は論理積を意味している。

補正データは、EB直描の際には、常にEB直描データD3といっしょに使用され、補正データは、EB直描データD3に従属するデータと考えられる。しかし、実施例4の半導体装置設計製造方法では、補正データを、EB直描データD3と同格に扱い、補正データは、見かけ上EB直描データD3とは異なるレイヤーが作成し、補正データ用に1つのレコード77が設けられる。これにより,実施例1〜3で説明した半導体装置設計製造方法を多少変更することで、補正データもEB直描データD3と同様に保管・管理することができる。

実施例1における変更点としては、図10のステップS13の設計部16等から受信するデータを、図12のEB直描データ登録配信依頼情報D5だけでなく、EB補正データ作成登録配信依頼情報を追加する。図22に示すように、EB補正データ作成登録配信依頼情報は、製品名、補正レイヤー名、補正モデル、ユーザ情報、描画機種、ウェハー工場名を有する。補正の関係にあれば、製品名、ユーザ情報、描画機種、ウェハー工場名は、EB直描データ登録配信依頼情報D5とEB補正データ作成登録配信依頼情報で同じになる。補正レイヤー名は、EB直描データ登録配信依頼情報D5のレイヤー名とは異なる仮想の名前を付けることができる。このことにより、図14のEBデータベースで補正データ用のレコード77を生成することができる。補正データはEB直描データD3とフォーマットは同じである。EB直描装置47は、EB直描データD3に基づいて、電子ビームの照射パターンを決定する。EB直描装置47は、補正データに基づき、電子ビームの照射強度を変化させる。

ステップS21のEB直描データD3への変換の際に、EBデータ変換部33が、補正データを生成する。EB補正データ作成登録配信依頼情報の補正モデルに基づいて、必要となる描画画像データ群101乃至103は、EBデータ中央記憶部36から取得する。なお、補正モデルは、図21の補正データを作成するアルゴリズムに限られない。補正モデル毎に固有パラメータを有していてもよい。

ステップS34の工程フローを作成する際に、図23に示すように、EB描画工程#1の処理条件107に補正用のレイヤー名を追加する。この補正用のレイヤー名は、EB補正データ作成登録配信依頼情報の補正レイヤー名と同じにする。

実施例2と3における変更点としては、図16のステップS43のEBロット情報を記録する際に、図24に示すように、補正データ用のレイヤー名のフィールド108を生成させる。ステップS44の対象データが、EBデータ工場記憶部42にあるか判定する際に、補正データがあるかを判定する。以上で、補正データを管理することができる。

実施例5では、実施例1の図9等のEBデータ中央記憶部36と、図11のステップS25のEBデータ中央記憶部36がEB直描データD3を記憶することと、実施例2の図16のステップS48の工場仲介部37がEBデータ中央記憶部36からEB直描データD3を読み出すことについて詳細に説明する。

EBデータ中央記憶部36は、図25に示すように、記録媒体制御部110とEBデータベース116を有している。記録媒体制御部110は、記録媒体識別名取得部111、スロット識別名取得部112、記録媒体識別名生成部113、ファイル名生成部114と記録媒体移動制御部115を有している。EBデータベース116は、サブEBデータベース117、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118、記録媒体オートチェンジャー119と記録媒体保管庫120を有している。

記録媒体オートチェンジャー119は、図26に示すように、記録媒体ドライブ121、記録媒体搬入搬出部122、記録媒体スロット1乃至nと記録媒体取り出し口123を有している。スロット1乃至nは複数あり、記録媒体を出し入れできる。それぞれのスロット1乃至nは、スロット識別名に基づいて特定することができる。記録媒体保管庫120は、図27に示すように、記録媒体搬入搬出部124を有している。なお、記録媒体DVD1乃至4は、DVDを想定しているが、これに限らず、不揮発性のメモリであればよく、ビット単価を考慮して選択する。具体的には、EEPROM、SRAM、磁気ディスクメモリ、DVDも含めた光ディスクメモリを記録媒体DVD1乃至4として使用することができる。

次に、実施例1の図11のステップS25のEBデータ中央記憶部36がEB直描データD3を記憶することでは、図28に示すようなEB直描データ書き込み方法が実施される。EBデータ中央記憶部36は、EB直描データD3と、EB直描データD3と関係づけられた製品名、レイヤー名と描画機種を受信可能な状態にあると考える。

まず、ステップS61で、記録媒体識別名取得部111が、サブEBデータベース117に基づいて、製品名で特定される媒体識別名を取得する。また、記録媒体識別名取得部111が、サブEBデータベース117に基づいて、製品名、前記レイヤー名と前記描画機種で特定できるファイル名を取得する。サブEBデータベース117は、図30に示すように、レコード129を有し、レコード129は、製品名のフィールド73、レイヤー名のフィールド74、描画機種のフィールド75、媒体識別名とファイル名のフィールド126、最終アクセス時刻のフィールド127と所在地がスロット1乃至nか保管庫120かを示すフィールド128を有する。

ステップS62で、記録媒体識別名取得部111が、製品名で特定される媒体識別名がすでにサブEBデータベース117に記録されているか判断する。記録されていない場合はステップS63に進み、記録されている場合はステップS65に進む。

ステップS63で、記録媒体識別名生成部113が、製品名、レイヤー名と描画機種に基づいて特定可能な新規な媒体識別名を生成する。さらに、ステップS64で、記録媒体識別名生成部113が、製品名、レイヤー名と描画機種に基づいてその新規な媒体識別名を特定することが可能なレコード129を、サブEBデータベース117に生成する。

ステップS64で、記録媒体搬入搬出部122が、新規な記録媒体を記録媒体ドライブ121に搬入する。記録媒体識別名生成部113が、新規な媒体識別名を新規な記録媒体に記録する。記録媒体識別名生成部113が、記録媒体が入っておらず、媒体識別名が記録された記録媒体を入れることが可能なスロットのスロット識別名を抽出する。記録媒体識別名生成部113が、図31に示すように、記録媒体が置かれるスロットのスロット識別名をその記録媒体の媒体識別名から特定可能なレコード133をスロット識別名−記録媒体識別名データベース118に生成する。このスロット識別名−記録媒体識別名データベース118に生成されるレコード133は、スロット識別名のフィールド131と記録媒体識別名のフィールド132を有する。ステップS67に進む。

ステップS65に進むと、スロット識別名取得部112が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118に基づいて、媒体識別名に対応するスロット識別名が存在するか判断する。媒体識別名に対応するスロット識別名が存在する場合は、ステップS67に進む。媒体識別名に対応するスロット識別名が存在しない場合は、ステップS66に進む。媒体識別名に対応するスロット識別名が存在しない場合は、媒体識別名に対応する記録媒体は、保管庫120に置かれている。保管庫120では、記録媒体搬入搬出部122、124が、記録媒体DVD1乃至4をスロット1乃至nとの間で出し入れできる。

ステップS66で、記憶媒体移動制御部115が、EB直描データD3が書き込まれた時のアクセス時刻、および、読み出されるたびに更新されるアクセス時刻を、フィールド127に記憶する。このアクセス時刻は製品名、レイヤー名と描画機種と関係づけられレコード129を構成する。記憶媒体移動制御部115が、記録媒体毎にアクセス時刻が最も新しいアクセス時刻を選択する。記憶媒体移動制御部115が、スロットに入っている複数の記録媒体の中から最も新しいアクセス時刻が最も古い記録媒体の媒体識別名を抽出する。記憶媒体搬入搬出部122、124が、抽出された媒体識別名で特定される記録媒体をスロット1乃至nから保管庫120へ移動させる。記憶媒体搬入搬出部122、124が、ステップS61で取得された媒体識別名で特定される記録媒体DVD1乃至4を保管庫120から空いたスロット1乃至nへ移動させる。記憶媒体移動制御部115が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118において、記録媒体DVD1乃至4の入れ替えが行われたスロット1乃至nのスロット識別名に対応する媒体識別名を書き換える。記憶媒体移動制御部115が、記録媒体がスロットと保管庫120のどちらに置かれているかを識別する識別名を、フィールド128に記憶する。記録媒体がスロット1乃至nと保管庫120のどちらに置かれているかを識別する識別名は製品名、レイヤー名と描画機種と関係づけられレコード129を構成する。フィールド128を用いてステップS65の判断を行ってもよい。

スロットの個数が有限で、オートチェンジャー119内に格納できる記録媒体の個数は有限であっても、アクセス時刻が古い順に記録媒体を保管庫120へ移動させることにより、記録可能な記録媒体の個数を増やすことができる。書き込みの際、書き込まれるEB直描データの製品名と同じ製品名のEB直描データを記録した記録媒体DVD1乃至4がオートチェンジャー119に存在せず、保管庫120に存在しても、同じ製品名のEB直描データD3を記録媒体DVD1乃至4に集めて記録することができる。

ステップS67で、スロット識別名取得部112が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118に基づいて、媒体識別名からスロット識別名を取得する。

ステップS68で、ファイル名生成部114が、製品名、レイヤー名と描画機種で特定できるファイル名を生成する。

ステップS69で、記録媒体ドライブ121が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118に基づいて、取得したスロット識別名から特定される前記記録媒体に、製品名、レイヤー名と描画機種で特定されるEB直描データと生成されたファイル名を記録する。ファイル名と共に記録されたEB直描データは、ファイル名を指定することで読み出すことができる。

ステップS70で、記録媒体ドライブ121が、EB直描データの全データが記録でき、記録媒体DVD1乃至4の記憶容量に不足は無いか判定する。全データを記録できず記憶容量が不足する場合は、ステップS63に戻る。全データが記録でき記憶容量に不足が無い場合は、EB直描データ書き込み方法が終了する。このことにより、1つの記録媒体に複数のEB直描データD3を記録できる。また、1つのEB直描データD3を複数の記録媒体に分割して記録できる。具体的には、図32(a)と(b)に示すように、ディスクID00001のDVDディスクは、複数のEB直描データDEV01−LAYER1−EQ1、DEV01−LAYER2−EQ1、DEV01−LAYER3−EQ1を記録している。ディスクID00002のDVDディスクは、複数のEB直描データDEV01−LAYER3−EQ1、DEV01−LAYER4−EQ1を記録している。また、EB直描データDEV01−LAYER3−EQ1をディスクID00001と00002の2つのDVDディスクに分割して記録できる。

次に、実施例2の図16のステップS48の工場仲介部37がEBデータ中央記憶部36からEB直描データD3を読み出すことでは、図29に示すようなEB直描データ読み出し方法が実施される。EBデータ中央記憶部36は、EB直描データD3と関係づけられた製品名、レイヤー名と描画機種を受信可能な状態にあり、EB直描データD3を送信可能な状態にあると考える。

まず、ステップS70で、記録媒体識別名取得部111が、サブEBデータベース117に基づいて、オートチェンジャー119内に存在する記録媒体に関する媒体識別名とファイル名の範囲内で、製品名、レイヤー名と描画機種で特定される媒体識別名とファイル名を取得する。

ステップS71で、媒体識別名取得部111が、媒体識別名とファイル名を取得できたか判定する。媒体識別名とファイル名を取得できた場合は、ステップS74へ進む。媒体識別名とファイル名を取得できない場合は、ステップS72へ進む。

ステップS72で、記録媒体識別名取得部111が、サブEBデータベース117に基づいて、保管庫120内に存在する記録媒体に関する製品名、レイヤー名と描画機種で特定される媒体識別名とファイル名を取得する。

ステップS73で、記憶媒体移動制御部115と記憶媒体搬入搬出部122、124により、ステップS66と同様に、1つの記録媒体DVD1乃至4をスロット1乃至nから保管庫120へ移動させる。記憶媒体搬入搬出部122、124が、ステップS70で取得された媒体識別名で特定される記録媒体DVD1乃至4を保管庫120から空いたスロット1乃至nへ移動させる。記憶媒体移動制御部115が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118において、記録媒体DVD1乃至4の入れ替えが行われたスロット1乃至nのスロット識別名に対応する媒体識別名を書き換える。記憶媒体移動制御部115が、記録媒体DVD1乃至4がスロットと保管庫120のどちらに置かれているかを識別する識別名を、フィールド128に記憶する。フィールド128を用いてステップS70とS72の取得を行ってもよい。

読み出しの際、読み出されるEB直描データD3を記録した記録媒体がオートチェンジャー119に存在せず、保管庫120に存在しても、EB直描データD3を記読み出すことができる。

ステップS74で、スロット識別名取得部112が、スロット識別名−記録媒体識別名データベース118に基づいて、媒体識別名からスロット識別名を取得する。

ステップS75で、記録媒体ドライブ121が、取得したスロット識別名に基づいて特定されるスロット1乃至nから取り出された記録媒体DVD1乃至4からファイル名で特定されるEB直描データを読み出す。

ステップS76で、記録媒体ドライブ121が、EB直描データD3の全データが読み出せたか判定する。全データを読み出せていない場合は、ステップS70に戻る。全データが読み出せた場合は、EB直描データD3読み出し方法が終了する。

実施例1に係る半導体装置設計製造システムを含むネットワークの接続関係を示す図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造システムの構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計システムの構成図である。 実施例1に係る半導体装置製造システムの構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造システムを構成する保管システムの構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造システムを構成する工場の構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造システムを構成する半導体装置設計部の構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造方法を構成する半導体装置設計方法のフローチャートである。 実施例1に係る半導体装置設計製造システムを含むネットワークの構成図である。 実施例1に係る半導体装置設計製造方法を構成する半導体装置製造方法のフローチャート(その1)である。 実施例1に係る半導体装置設計製造方法を構成する半導体装置製造方法のフローチャート(その2)である。 EB直描データ登録配信依頼情報のデータ構造を示す表である。 EB直描データのEBデータ表示部による画像である。 EBデータベースのデータ構造を示す表である。 半導体装置の製造工程の工程フローを示す図である。 実施例2に係る半導体装置設計製造方法を構成する半導体装置製造方法のフローチャート(その3)である。 EBロット情報のデータ構造を示す表(その1)である。 EBデータダウンロード要求情報のデータ構造を示す表である。 実施例3に係る半導体装置設計製造方法を構成する半導体装置製造方法のフローチャート(その4)である。 EBロット情報のデータ構造を示す表(その2)である。 実施例4のEB補正データの作成方法を説明するための図である。 EB補正データ作成登録配信依頼情報のデータ構造を示す表である。 EB補正データを用いる半導体装置の製造工程の工程フローを示す図である。 EBロット情報のデータ構造を示す表(その3)である。 実施例5に係る半導体装置設計製造システムのEBデータ中央記憶部の構成図である。 EBデータ中央記憶部のDVDオートチェンジャーの構成図である。 EBデータ中央記憶部のDVD保管庫の構成図である。 EBデータ中央記憶部のEB直描データ書き込み方法のフローチャートである。 EBデータ中央記憶部のEB直描データ読み出し方法のフローチャートである。 EBデータ中央記憶部のEBデータベースのサブEBデータベースのデータ構造を示す表である。 EBデータ中央記憶部のEBデータベースのスロット識別名−記録媒体識別名データベースのデータ構造を示す表である。 ディスクの容量に対するEB直描データのファイルの容量の関係を示す円グラフである。

符号の説明

1 インターネット
2乃至4 LAN
5 半導体装置設計製造システム
6 半導体装置設計システム
7 半導体装置製造システム
8乃至10 設計部
11 保管システム
12 マスク設計システム
13 マスク製造システム
14 保管システム
15 工場
16 設計部
17 工場
18 保管システム
19、20 工場
21 保管システム
31 設計仲介部
32 レイアウト設計部
33 EBデータ変換部
34 EBデータ検証部
35 EBデータ圧縮部
36 EBデータ中央記憶部
37 工場仲介部
38 EBデータ表示部
39 ディスプレイ
40 利用履歴記憶部
41 EBデータコントロール部
42 EBデータ工場記憶部
43 EBロット状態記憶部
44 生産管理部
45 工程フロー記憶部
46 EB直描データ要求システム
47 EB直描装置
51 システム設計部
52 機能設計部
53 論理回路設計部
54 レイアウト設計部
55 EBデータ変換部
56 EBデータ検証部
57 EBデータ表示部
58 ディスプレイ
59 暗号化部
60 ユーザ認証部
61 EB直描データ登録配信依頼情報作成部
62 データ送受信部
65 マスクストッカー
66 露光装置
67 成膜装置
68 エッチング装置
71 ディスプレイ表示画像
72 直描画像データ
73乃至76 フィールド
77 レコード
79、80 EB描画工程の処理条件
81乃至86 フィールド
87乃至97 レコード
101乃至103 描画データ
104 加工途中のデータ
105 補正データ
107 EB描画工程の処理条件
108 フィールド
110 記録媒体制御部
111 記録媒体識別名取得部
112 スロット識別名取得部
113 記録媒体識別名生成部
114 ファイル名生成部
115 記録媒体移動制御部
116 EBデータベース
117 サブEBデータベース
118 スロット識別名−記録媒体識別名データベース
119 記録媒体オートチェンジャー
120 記録媒体保管庫
121 記録媒体ドライブ
122 記録媒体搬入搬出部
123 記録媒体取り出し口
124 記録媒体搬入搬出部
126乃至128 フィールド
129 レコード
131、132 フィールド
133 レコード

Claims (5)

  1. EB直描により半導体装置を製造する工場にネットワークを介して接続する半導体装置設計システムにおいて、
    前記EB直描に用いるEB直描データを生成するEBデータ変換部と、
    前記EB直描データを記録するEBデータ中央記憶部と、
    前記ネットワークを介して前記EB直描データを前記工場に配信し、前記工場からのダウンロード要求に応じて前記EB直描データを前記工場に再度配信する工場仲介部とを有することを特徴とする半導体装置設計システム。
  2. 半導体装置を設計する設計部に第1のネットワークを介して接続し、EB直描データを用いるEB直描により半導体装置を製造する半導体装置製造システムにおいて、
    前記第1のネットワークを介して前記設計部から前記EB直描データに変換可能な回路データまたはレイアウトデータを受信する設計仲介部と、
    前記EB直描データを生成するEBデータ変換部と、
    前記EB直描データを記録するEBデータ中央記憶部と、
    第2のネットワークを介して前記EB直描データを配信する工場仲介部と、
    前記第2のネットワークを介して前記工場仲介部から前記EB直描データを受信するEBデータコントロール部と、
    前記EB直描データを記録するEBデータ工場記憶部と、
    前記EB直描データを用いて前記EB直描を行い前記半導体装置を製造するEB直描装置を有することを特徴とする半導体装置製造システム。
  3. 前記半導体装置の製品名、前記EB直描を行うレイヤー名、前記EB直描装置の描画機種を処理条件とするEB描画工程を含んだ前記半導体装置の製造の工程フローを記憶する工程フロー記憶部と、
    前記半導体装置の第1のロットが投入される際に、前記製品名、前記レイヤー名、前記描画機種、前記第1のロットのロット番号、投入される時刻と削除可能フラグを有するEBロット情報を記憶し、前記第1のロットが払い出しされた際に、前記ロット番号で特定されるEBロット情報の投入される時刻を払い出された時刻に変更し、削除可能フラグを第1の状態から第2の状態へ変更するEBロット状態記憶部をさらに有し、
    前記EBデータコントロール部が、前記第2の状態の削除可能フラグを有するEBロット情報の前記製品名、前記レイヤー名と前記描画機種で特定されるEB直描データをEBデータ工場記憶部から削除した後、前記製品名、前記レイヤー名と前記描画機種が同じ前記半導体装置の第2のロットが投入される際に前記製品名、前記レイヤー名と前記描画機種を前記工場仲介部に送信し、
    前記EBデータ中央記憶部が、前記製品名、前記レイヤー名と前記描画機種で特定される前記EB直描データを抽出することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置製造システム。
  4. 前記EBデータ変換部が、前記EB直描データを用いて描画するレイヤーの下層レイヤーの前記EB直描データを用いて、前記EB直描データを用いた描画を補正するための補正データを作成し、
    前記工程フロー記憶部が、さらに補正データ用のレイヤー名を含んだ前記工程フローを記憶し、
    前記EBロット状態記憶部が、さらに補正データ用のレイヤー名を有する前記EBロット情報を記憶することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置製造システム。
  5. 半導体装置を製造する際のEB直描に用いるEB直描データを記録する半導体装置設計システムにネットワークを介して接続する半導体装置製造システムにおいて、
    前記ネットワークを介して前記半導体装置設計システムから前記EB直描データを受信するEBデータコントロール部と、
    前記EB直描データを記録するEBデータ工場記憶部と、
    前記EB直描データを用いてEB直描を行い前記半導体装置を製造するEB直描装置とを有し、
    前記EBデータ工場記憶部は、前記EB直描データを用いた前記EB直描が行われていない場合は前記EB直描データを消去し、
    前記EBデータコントロール部は、前記EB直描データが前記EBデータ工場記憶部に記憶されているか検索し、記憶されていない場合は前記半導体装置設計システムに前記EB直描データをダウンロード要求して前記半導体装置設計システムから前記EB直描データを再度受信することを特徴とする半導体装置製造システム。
JP2004014209A 2004-01-22 2004-01-22 半導体装置の設計システムと製造システム Pending JP2005209850A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004014209A JP2005209850A (ja) 2004-01-22 2004-01-22 半導体装置の設計システムと製造システム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004014209A JP2005209850A (ja) 2004-01-22 2004-01-22 半導体装置の設計システムと製造システム
US10901371 US7239934B2 (en) 2004-01-22 2004-07-29 System and method for delivering writing data of a semiconductor device and fabricating a semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005209850A true true JP2005209850A (ja) 2005-08-04

Family

ID=34823683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004014209A Pending JP2005209850A (ja) 2004-01-22 2004-01-22 半導体装置の設計システムと製造システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7239934B2 (ja)
JP (1) JP2005209850A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250810A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法
JP2011044463A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7962645B2 (en) * 2005-01-31 2011-06-14 International Business Machines Corporation Apparatus, system, and method for automatically mapping a tape library system
JP2006287061A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Canon Inc 露光装置及びそのパラメータ設定方法
JP4621548B2 (ja) 2005-06-21 2011-01-26 株式会社東芝 半導体製造装置及びその方法
JP4541237B2 (ja) * 2005-06-29 2010-09-08 リンテック株式会社 半導体ウエハ処理テープ巻装体およびそれを用いた半導体ウエハ処理テープ貼着装置ならびに半導体ウエハ加工処理装置
US7526739B2 (en) * 2005-07-26 2009-04-28 R3 Logic, Inc. Methods and systems for computer aided design of 3D integrated circuits
KR101229020B1 (ko) * 2006-06-22 2013-02-01 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크의 자성제거 방법 및 그 장치
JP5139658B2 (ja) * 2006-09-21 2013-02-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ処理制御装置
US7829379B2 (en) * 2007-10-17 2010-11-09 Analog Devices, Inc. Wafer level stacked die packaging
US8019926B2 (en) * 2008-07-03 2011-09-13 Quantum Corporation Automatically assigning a multi-dimensional physical address to a data storage device
NL2019502A (en) * 2016-09-08 2018-03-13 Mapper Lithography Ip Bv Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
US10079206B2 (en) 2016-10-27 2018-09-18 Mapper Lithography Ip B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3889091B2 (ja) * 1996-09-03 2007-03-07 三菱電機株式会社 半導体開発情報統合装置
US6578188B1 (en) * 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US6674086B2 (en) * 1998-03-20 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography
US6313476B1 (en) * 1998-12-14 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam lithography system
JP2002041126A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Toshiba Corp 半導体デバイスの生産方法及び生産システム
US6901574B2 (en) * 2001-02-09 2005-05-31 Lacour Patrick J. Data management method for mask writing
DE60143328D1 (de) * 2001-02-23 2010-12-02 Hitachi Ltd Inspektionssystem für Halbleiter
JP2002351931A (ja) 2001-05-29 2002-12-06 Hitachi Ltd マスク描画データ作成管理方法、データ処理システムおよびフォトマスクの製造方法
US6725237B2 (en) * 2001-06-01 2004-04-20 International Business Machines Corporation System and method of preparing data for a semiconductor mask manufacturer
US7041512B2 (en) * 2001-06-07 2006-05-09 Advantest Corp. Electron beam exposure apparatus, electron beam exposing method, semiconductor element manufacturing method, and pattern error detection method
US6686914B2 (en) * 2001-06-11 2004-02-03 General Electric Company Methods and systems for automatically translating geometric data
US6544698B1 (en) * 2001-06-27 2003-04-08 University Of South Florida Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography
US6760640B2 (en) * 2002-03-14 2004-07-06 Photronics, Inc. Automated manufacturing system and method for processing photomasks
US7053355B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US6828542B2 (en) * 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
JP2006502422A (ja) * 2002-07-12 2006-01-19 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定型のマスク検査のための方法及びシステム
US7249342B2 (en) * 2002-07-12 2007-07-24 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
JP3806076B2 (ja) * 2002-08-19 2006-08-09 大日本スクリーン製造株式会社 荷電粒子ビーム露光データ作成方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
US7069533B2 (en) * 2003-03-14 2006-06-27 Chatered Semiconductor Manufacturing, Ltd System, apparatus and method for automated tapeout support
US7234130B2 (en) * 2004-02-25 2007-06-19 James Word Long range corrections in integrated circuit layout designs

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250810A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法
JP2011044463A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置

Also Published As

Publication number Publication date Type
US20050177268A1 (en) 2005-08-11 application
US7239934B2 (en) 2007-07-03 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5710920A (en) Object extending method
US7634455B1 (en) Method and apparatus for providing controlled access to software objects and associated documents
US7366460B2 (en) System and method for mobile data update
US7093246B2 (en) Automated updates of software and systems
US20040107197A1 (en) System, method and user interface allowing customized portfolio management
US7657666B2 (en) Systems and methods of media management, such as management of media to and from a media storage library, including removable media
US20030103528A1 (en) Information converting apparatus
US7051054B1 (en) Method and apparatus for emulating read/write file system on a write-once storage disk
US20030012373A1 (en) Semiconductor manufacturing system and information management method
US20060212543A1 (en) Modular applications for mobile data system
US20040107214A1 (en) Customized document portfolio system integrating IP libraries and technology documents
US7752165B2 (en) Persistent query system for automatic on-demand data subscriptions from mobile devices
US20070282927A1 (en) Method and apparatus to handle changes in file ownership and editing authority in a document management system
US20030050886A1 (en) Method and apparatus for managing the versioning of business objects using a state machine
US20040181769A1 (en) System, apparatus and method for automated tapeout support
US20070156272A1 (en) Integrated configuration, flow and execution system for semiconductor device experimental flows and production flows
US7653811B2 (en) Selecting a repository satisfying a security level of data
US20070006209A1 (en) Multi-level patching operation
US7716590B1 (en) Method and apparatus for dynamically updating a secondary form element based on a selection in a primary form element
US20060026549A1 (en) Method and system for conducting an online transaction of multi-project wafer service
JP2008015984A (ja) データ移行装置及び方法並びにプログラム
JP2004295270A (ja) 共用記憶システム
JPH1097966A (ja) 産業用機器の遠隔保守システム及びこれを利用した生産方法
US7054851B2 (en) Communication data format for use in data storage and retrieval
US20100228587A1 (en) Service oriented architecture lifecycle organization change management

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080805