JP5217442B2 - 露光データ作成方法及び露光方法 - Google Patents
露光データ作成方法及び露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5217442B2 JP5217442B2 JP2008000950A JP2008000950A JP5217442B2 JP 5217442 B2 JP5217442 B2 JP 5217442B2 JP 2008000950 A JP2008000950 A JP 2008000950A JP 2008000950 A JP2008000950 A JP 2008000950A JP 5217442 B2 JP5217442 B2 JP 5217442B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- line width
- exposure amount
- dose curve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 124
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 55
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 7
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
ここで、βfは前方散乱長、βbは後方散乱長、ηは後方散乱強度比率を示す。前方散乱長βf、後方散乱長βb及び後方散乱強度比率ηの値は、電子線のエネルギー、レジストの膜厚、基板の材料等に依存し、実験やシミュレーションにより定められる。例えば、レジストの膜厚を0.3μm、電子線の加速電圧を50kVとしたとき、βf=28nm、βb=11.43μm、η=0.67である。一般に、前方散乱長βfは、純粋な前方散乱だけでなく、収差等に起因する電子線のぼけ(所謂ビームぼけ)、酸の拡散等の要素を含んだ値である。
[露光データ作成工程]
図4に示すステップS1〜S10の処理は、CPU等のプロセッサ、記憶部及びキーボード等の入力部を有する汎用コンピュータにより実行可能である。コンピュータに露光データ作成工程の各手順を実行させるプログラムは、記憶部に格納されてプロセッサにより実行される。プログラムは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されていても良く、この場合プログラムはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体からコンピュータの記憶部にインストールされていても良い。
ここで、ε(W’,W,βf)は吸収エネルギー分布の前方散乱成分、αは線幅修正後の面積密度であり、次式(3)で表される。
露光量変動に対して寸法変化が最小になる線幅W’は、補正露光量Qをγ1倍、γ2倍(γ1<1<γ2)したときの目標線幅Wからの乖離ΔW1、ΔW2を次式(4)と上記式(2)から求め、これらの2乗和が最小になるように決める。
式(4)は、上記式(2)を代入することで補正露光量に依存しない次式(5)で表される。
又、代表パターンの形状を修正する際には、1つ以上の既知のプロセスばらつきを含めて、露光量変動に対する寸法変化が最小になるようにすることが望ましい。例えば、ビームぼけのばらつきを考慮する場合を説明する。ビームぼけは上記式(1)のβfに含まれているので、ビームぼけのばらつきによりβfが動く範囲をβf1≦βf≦βf2で表す。γ0を1、βf0を基準にするβfとして、γとβfの組(γi,βfj)(i=0,1,2;j=0,1,2)における目標線幅Wからの乖離ΔWi,jを上記式(5)に代わる次式(6)により求める。
更に、γとβfの各組に優先度を表す重み付け係数ci,j(0≦ci,j≦1,c0,0=0)を割り当て、次式(7)値X2が最小になる線幅W’を求める。
このようにして、基準CD−DOSE曲線は、次式(8)を満たす(γ,W+ΔW)の組として表現できる。
次に、ステップS4〜S7により、線幅で分類したパターン群に含まれる各パターンに対して、基準CD−DOSE曲線からの乖離が最小のCD−DOSE曲線を得るようにパターンの形状を変更する。又、ステップS8〜S10により、各パターンに対して、周辺パターンを考慮して目標寸法が得られるように露光量を補正して記憶部に電子線用露光データ13を格納する。
ここで、αkηはk番目のパターンにおける吸収エネルギー分布の後方散乱成分を示す。
最後に、以上の修正を施した形状と補正露光量Qk’を持つパターンに基づいて電子線用露光データ13を作成する。
[露光工程]
図9は、露光工程を説明するフローチャートである。図9に示すステップS21,S22の処理は、周知の構成を有する電子線露光装置(図示せず)により実行可能である。図9に示す露光工程は、図4に示す露光データ作成工程で作成した電子線用露光データ13に基づいて、電子線露光装置により露光対象物であるウェーハ21にパターンを描画する。露光されたウェーハ21は、その後周知の膜除去工程や成膜工程を経て、各種半導体装置等が製造可能となる。
(付記1)
パターン毎に露光量を調整しながら露光対象物を露光する荷電粒子ビーム露光用の露光データ作成方法であって、
パターンを目標線幅で分類し、
各目標線幅のパターン群に対して、基準となる露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す基準特性を設定し、
各目標線幅のパターンの露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す特性が該基準特性に揃うように形状及び露光量を補正して露光データを作成することを特徴とする、露光データ作成方法。
(付記2)
該パターンは、レジストの吸収エネルギーの後方散乱成分が略一定とみなせる程度の最大分割サイズ以下のパターンに予め分割されており、
該特性はCD−DOSE曲線であり、該基準特性は基準CD−DOSE曲線であり、
該吸収エネルギーの閾値で目標線幅が得られるように各パターンの露光量を補正することを特徴とする、付記1記載の露光データ作成方法。
(付記3)
該基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、該パターン群に含まれるパターンの配置に基づいて設定することを特徴とする、付記2記載の露光データ作成方法。
(付記4)
該基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、該パターン群の中で最も露光量変動に対する線幅変化が大きい代表パターンに基づいて決定することを特徴とする、付記3記載の露光データ作成方法。
(付記5)
該基準CD−DOSE曲線は、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように代表パターンの形状を修正したときのCD−DOSE曲線であることを特徴とする、付記4記載の露光データ作成方法。
(付記6)
1つ以上の既知のプロセスばらつきに対して、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように該代表パターンの形状を修正することを特徴とする、付記5記載の露光データ作成方法。
(付記7)
該パターン群に含まれる各パターンに対して、該基準CD−DOSE曲線からの乖離が最小になるCD−DOSE曲線が得られるように形状を変更することを特徴とする、付記1記載の露光データ作成方法。
(付記8)
1つ以上の既知のプロセスばらつきに対して、該基準CD−DOSE曲線からの乖離が最小になるように各パターンの形状を変更することを特徴とする、付記7記載の露光データ作成方法。
(付記9)
該基準CD−DOSE曲線からの乖離を計算する露光量の範囲は、目標線幅が得られる露光量の近傍であることを特徴とする 、付記7又は8記載の露光データ作成方法。
(付記10)
形状変更した各パターンは、プロセスばらつきがない条件で、目標線幅が得られるように露光量を補正することを特徴とする、付記7又は8記載の露光データ作成方法。
(付記11)
パターン毎に露光量を調整しながら露光対象物を露光する荷電粒子ビーム露光技術による露光方法であって、
パターンを目標線幅で分類し、各目標線幅のパターン群に対して基準となる露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す基準特性を設定して各目標線幅のパターンの露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す特性が該基準特性に揃うように形状及び露光量を補正し、
露光時に線幅ばらつきが最小になるように全パターンの露光量を一律に調整して該露光対象物を露光することを特徴とする、露光方法。
(付記12)
該パターンは、レジストの吸収エネルギーの後方散乱成分が略一定とみなせる程度の最大分割サイズ以下のパターンに予め分割されており、
該特性はCD−DOSE曲線であり、該基準特性は基準CD−DOSE曲線であり、
該吸収エネルギーの閾値で目標線幅が得られるように各パターンの露光量を補正することを特徴とする、付記11記載の露光方法。
(付記13)
目標線幅からの乖離が最小になる最適露光量を求め、仮露光により補正された露光量の該最適露光量に対する比率を決定し、
該比率と荷電粒子ビーム用露光データに基づいて該露光対象物上にパターンを描画することを特徴とする、付記11又は12記載の露光方法。
(付記14)
該仮露光は、デザインルールで許容されている線幅と間隔、面積密度の組み合わせを網羅するように予め作成された評価用データから露光データを作成し、プロセスばらつきがない条件での露光量を中心にいくつか露光量を振って露光し、夫々の露光量における評価パターンの出来上がり線幅を測定して目標線幅に対するばらつきが最小になる露光量を最適露光量とすることを特徴とする、付記13記載の露光方法。
(付記15)
該基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、該パターン群に含まれるパターンの配置に基づいて設定することを特徴とする、付記12記載の露光方法。
(付記16)
該基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、該パターン群の中で最も露光量変動に対する線幅変化が大きい代表パターンに基づいて決定することを特徴とする、付記15記載の露光方法。
(付記17)
該基準CD−DOSE曲線は、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように代表パターンの形状を修正したときのCD−DOSE曲線であることを特徴とする、付記16記載の露光方法。
(付記18)
1つ以上の既知のプロセスばらつきに対して、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように該代表パターンの形状を修正することを特徴とする、付記17記載の露光方法。
(付記19)
該パターン群に含まれる各パターンに対して、該基準CD−DOSE曲線からの乖離が最小になるCD−DOSE曲線が得られるように形状を変更することを特徴とする、付記13記載の露光方法。
(付記20)
1つ以上の既知のプロセスばらつきに対して、該基準CD−DOSE曲線からの乖離が最小になるように各パターンの形状を変更することを特徴とする、付記19記載の露光方法。
12 最大分割サイズ
13 電子線用露光データ
B,B11〜B18 パターン
B1〜B4 矩形領域
Claims (12)
- パターン毎に露光量を調整しながら露光対象物を露光する荷電粒子ビーム露光用の露光データ作成方法であって、
パターンを目標線幅で分類し、
各目標線幅のパターン群に対して、基準となる露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す基準特性を設定し、
各目標線幅のパターンの露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す特性が前記基準特性に揃うように形状及び露光量を補正して露光データを作成し、
各目標線幅のパターンの形状の補正は、前記特性と前記基準特性との差分が最小になる修正した線幅が目標線幅より大きいと線幅を太らせ、小さいと細らせる
ことを特徴とする、露光データ作成方法。 - 前記パターンは、レジストの吸収エネルギーの後方散乱成分が略一定とみなせる程度の最大分割サイズ以下のパターンに予め分割されており、
前記特性はCD−DOSE曲線であり、
前記基準特性は基準CD−DOSE曲線であり、
前記吸収エネルギーの閾値で目標線幅が得られるように各パターンの露光量を補正することを特徴とする、請求項1記載の露光データ作成方法。 - 前記基準CD−DOSE曲線の設定は、
前記パターン群の中で最も露光量変動に対する寸法変化が大きいパターンを代表パターンに選定し、
前記代表パターンの形状を前記露光量変動に対する寸法変化が最小になるように修正し、
修正した前記代表パターンの形状でのCD−DOSE曲線を前記基準CD−DOSE曲線とする
ことを特徴とする、請求項2記載の露光データ作成方法。 - 前記基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、前記パターン群に含まれるパターンの配置に基づいて設定することを特徴とする、請求項2又は3記載の露光データ作成方法。
- 前記基準CD−DOSE曲線の露光量変動に対する線幅変化の大きさを、前記パターン群の中で最も露光量変動に対する線幅変化が大きい代表パターンに基づいて決定することを特徴とする、請求項4記載の露光データ作成方法。
- 前記基準CD−DOSE曲線は、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように代表パターンの形状を修正したときのCD−DOSE曲線であることを特徴とする、請求項5記載の露光データ作成方法。
- 1つ以上の既知のプロセスばらつきに対して、露光量変動に対する線幅変化が最小になるように前記代表パターンの形状を修正することを特徴とする、請求項6記載の露光データ作成方法。
- パターン毎に露光量を調整しながら露光対象物を露光する荷電粒子ビーム露光技術による露光方法であって、
パターンを目標線幅で分類し、各目標線幅のパターン群に対して基準となる露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す基準特性を設定して各目標線幅のパターンの露光量とレジストパターンの出来上がり線幅の関係を示す特性が前記基準特性に揃うように形状及び露光量を補正し、
露光時に線幅ばらつきが最小になるように全パターンの露光量を一律に調整して前記露光対象物を露光し、
各目標線幅のパターンの形状の補正は、前記特性と前記基準特性との差分が最小になる修正した線幅が目標線幅より大きいと線幅を太らせ、小さいと細らせる
ことを特徴とする、露光方法。 - 前記パターンは、レジストの吸収エネルギーの後方散乱成分が略一定とみなせる程度の最大分割サイズ以下のパターンに予め分割されており、
前記特性はCD−DOSE曲線であり、
前記基準特性は基準CD−DOSE曲線であり、
前記吸収エネルギーの閾値で目標線幅が得られるように各パターンの露光量を補正することを特徴とする、請求項8記載の露光方法。 - 前記基準CD−DOSE曲線の設定は、
前記パターン群の中で最も露光量変動に対する寸法変化が大きいパターンを代表パターンに選定し、
前記代表パターンの形状を前記露光量変動に対する寸法変化が最小になるように修正し、
修正した前記代表パターンの形状でのCD−DOSE曲線を前記基準CD−DOSE曲線とする
ことを特徴とする、請求項9記載の露光方法。 - 目標線幅からの乖離が最小になる最適露光量を求め、仮露光により補正された露光量の前記最適露光量に対する比率を決定し、
前記比率と荷電粒子ビーム用露光データに基づいて前記露光対象物上にパターンを描画することを特徴とする、請求項8乃至10のいずれか1項記載の露光方法。 - 前記仮露光は、デザインルールで許容されている線幅と間隔、面積密度の組み合わせを網羅するように予め作成された評価用データから露光データを作成し、プロセスばらつきがない条件での露光量を中心にいくつか露光量を振って露光し、夫々の露光量における評価パターンの出来上がり線幅を測定して目標線幅に対するばらつきが最小になる露光量を最適露光量とすることを特徴とする、請求項11記載の露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008000950A JP5217442B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 露光データ作成方法及び露光方法 |
US12/332,456 US7977018B2 (en) | 2008-01-08 | 2008-12-11 | Exposure data preparation method and exposure method |
TW097148448A TWI423305B (zh) | 2008-01-08 | 2008-12-12 | 曝光資料準備方法及曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008000950A JP5217442B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 露光データ作成方法及び露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164363A JP2009164363A (ja) | 2009-07-23 |
JP5217442B2 true JP5217442B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=40844848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008000950A Expired - Fee Related JP5217442B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 露光データ作成方法及び露光方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7977018B2 (ja) |
JP (1) | JP5217442B2 (ja) |
TW (1) | TWI423305B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10120275B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-11-06 | Toshiba Memory Corporation | Layout method of mask pattern, manufacturing method of a semiconductor device and exposure mask |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2959026B1 (fr) * | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
JP5728259B2 (ja) | 2011-03-10 | 2015-06-03 | キヤノン株式会社 | プログラム及び決定方法 |
JP6035792B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 後方散乱、前方散乱及びビームブラー補正装置、後方散乱、前方散乱及びビームブラー補正方法および後方散乱、前方散乱及びビームブラー補正プログラム |
JP6018811B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-11-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ドリフト補正方法および描画データの作成方法 |
JP2015050439A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法 |
JP6493049B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-04-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US11054748B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dummy insertion for improving throughput of electron beam lithography |
CN113050386B (zh) * | 2021-03-19 | 2024-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 数字曝光方法、电子元器件基板及其制备方法 |
CN113985705B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-11-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种快速实现光刻系统精密校准的光学方法及装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126360A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Sony Corp | マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 |
JP3813050B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JP3360725B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 電子線露光方法、並びにこれに用いるマスク及び電子線露光装置 |
EP1267392B1 (en) * | 2000-03-21 | 2013-07-03 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography apparatus |
JP3874629B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JP4003865B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-11-07 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光用マスクパターンの矩形/格子データ変換方法及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光方法 |
JP4463589B2 (ja) | 2003-08-21 | 2010-05-19 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 荷電粒子ビーム露光における下層構造に基づく後方散乱強度の生成方法及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 |
JP2007316201A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線描画装置による描画方法 |
-
2008
- 2008-01-08 JP JP2008000950A patent/JP5217442B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-11 US US12/332,456 patent/US7977018B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-12 TW TW097148448A patent/TWI423305B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10120275B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-11-06 | Toshiba Memory Corporation | Layout method of mask pattern, manufacturing method of a semiconductor device and exposure mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200933700A (en) | 2009-08-01 |
US7977018B2 (en) | 2011-07-12 |
JP2009164363A (ja) | 2009-07-23 |
US20090176168A1 (en) | 2009-07-09 |
TWI423305B (zh) | 2014-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5217442B2 (ja) | 露光データ作成方法及び露光方法 | |
US7939246B2 (en) | Charged particle beam projection method | |
JP4476975B2 (ja) | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US7638247B2 (en) | Method for electron beam proximity effect correction | |
JP3686367B2 (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP5063071B2 (ja) | パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR102154105B1 (ko) | 하전 입자 빔 리소그라피를 이용하여 패턴들을 형성하기 위한 방법 및 시스템 | |
KR101671322B1 (ko) | 가변 성형 빔 리소그래피를 이용하여 레티클을 설계 및 제조하기 위한 방법 | |
US7608845B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and method thereof, and method for resizing dimension variation due to loading effect | |
TWI661265B (zh) | 使用多重射束帶電粒子束微影術於表面上形成圖案之方法 | |
JP5871558B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US10522328B2 (en) | Method of performing dose modulation, in particular for electron beam lithography | |
US20080213677A1 (en) | Photomask manufacturing method using charged beam writing apparatus | |
KR102201802B1 (ko) | 하전 입자 빔 리소그래피를 이용한 치수 균일도를 위한 방법 및 시스템 | |
CN110517954B (zh) | 电子束照射方法、电子束照射装置及记录有程序的计算机可读的非易失性存储介质 | |
JP5888006B2 (ja) | 電子線照射量決定方法 | |
JP5110294B2 (ja) | 電子線描画用パターンデータの作成方法及びそれに用いる近接効果補正方法、そのデータを用いたパターン形成方法 | |
JP2002313693A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
JPH1126360A (ja) | マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 | |
JP5416998B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
US7897308B2 (en) | Method for transferring a predetermined pattern reducing proximity effects | |
JP5924043B2 (ja) | 後方散乱補正装置、後方散乱補正方法および後方散乱補正プログラム | |
JP6167663B2 (ja) | 現像ローディング補正プログラム、計算機、描画システム、現像ローディング補正方法 | |
JP2009295893A (ja) | 近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置 | |
JP2005019780A (ja) | 荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法、及び近接効果のパラメータの推定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5217442 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |