JP2006184702A - パターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 複雑なレイアウトのパターンに対しても適切に補正が可能なパターンデータ補正方法を提供する。
【解決手段】 フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正する際に、フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を設計データに基づいて検出し（Ｓ１）、そのスペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し（Ｓ２）と、ダミーパターンに近接して並置されるパターンの輪郭部のうち、対向するパターン間の第２の方向に伸びるダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出し（Ｓ３）、検出された補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行い（Ｓ４）、ダミーパターンを除去する（Ｓ５）。
【選択図】 図１

Description

本発明はパターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法に関し、特にフォトマスクまたはウェハ上にパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法に関する。

近年の先端半導体デバイスの製造プロセスにおいて、フォトリソグラフィー工程で形成するパターンの微細化・高集積化が進んでいる。露光波長以下のパターンを形成するような場合、近接効果の影響でフォトマスク（以下マスクという。）のマスクパターンと、このマスクパターンをウェハ上に転写したレジストパターンとの形状が一致しない問題が生じている。

また、このマスクパターンを転写したレジストパターンを用いて下地層を微細加工するエッチング工程においても、パターン形状の差異やパターン密度の疎密により変換差に違いを生じるローディング効果が現われ、レジストパターンと選択的にエッチングした下地層の微細加工パターンとの形状が一致しない現象が生じる。

この問題を解決し、パターンを所望のパターン寸法・形状にするために、必要な補正量をマスクパターンデータに加味する光近接効果補正（Optical Proximity Correction，以下ＯＰＣという。）技術が近年一般的に採用されるようになった。

このＯＰＣの効果を発揮させるためには、マスクパターンの出来上がり寸法とパターンデータ寸法の乖離を可能な限り小さくすることが必要となる。そのために、近年の先端半導体デバイス製造用のマスクにおいては、リニアリティ、パターン疎密差などに対して非常に厳しい精度が要求されている。しかしながら、現状ではマスク製造プロセスの改善だけで前述の要求を満足させることが非常に困難になっている。これは、特にネガ型のレジストを用いるマスク製造プロセスにおいて顕著である。このネガ型のマスク製造プロセスは、非常に厳しい精度が必要とされるゲートレイヤ用のマスクに用いられることもあって、深刻な問題となっている。

例として、ネガ型のレジストを用いて形成したマスクにおけるラインパターンの寸法の疎密依存性（スルーピッチ特性）について説明する。
図２３は、パターン寸法の疎密依存性を示す図である。

ここでは、ラインパターン寸法を４００ｎｍとしたときの疎密依存特性を、設計寸法からのエラーという形で示している。横軸がラインパターン間のスペース幅で、縦軸が設計値からの寸法エラーの値を示している。図のように狭ピッチになるにつれ寸法エラーが増大していくことがわかる。この問題は、ネガ型のレジストを用いた際に被エッチング面積が高いことから異方性の低いエッチング条件を適用せざるを得ないため、狭ピッチ側でエッチングが進行しにくくなることに起因する。

上記の寸法エラーをＯＰＣ技術で補正する手法が、例えば特許文献１に開示されている。これは、いわゆるルールベースのＯＰＣ技術をマスクプロセスに応用した例である。隣接パターン間のスペース寸法と、パターン自身の寸法変動との相関関係を規定し、そこからマスクパターンデータに対して必要な寸法補正を施すという手法である。一般的に、ルールベースの寸法補正においては、孤立パターンに与える補正を０とし、パターンが密になるにしたがって所定の補正を加えていく。この手法の効果を検討した結果を以下に示す。

表１は、スペース寸法とパターン寸法変動との相関関係から規定した寸法補正テーブルの例である。
また、図２４は、図２３で示したような疎密依存性を示すパターンに対して表１の補正テーブルに基づいた寸法補正を加えた結果を示す図である。

表１の補正テーブルを用いて補正を行うことで、疎密度に依存したエラーを低減することができる。
また、従来、近接効果により生じたパターンの変形を適切に修正し、補正するマスクのパターン形状補正方法において、マスクの角部パターンとゲート電極との距離に応じて補正パターンを付与するかしないかを選択する技術があった（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００３−１９５４７８号公報 特開２００２−６４７７号公報

しかし、特許文献１で開示されている従来の手法では、ラインパターンとスペースなどの単純なパターンに対しては効果があるが、複雑なレイアウトのパターンに対しては逆に悪影響を与えてしまう問題があった。

以下にラインパターンとドットパターンが狭いピッチで混在するパターンに対して、特許文献１に基づいた補正を加えた場合の例を示す。
図２５は、補正前のパターンとそのパターンを用いて作成した実際のマスクを示す図であり（Ａ）が補正前のパターン、（Ｂ）がマスク像である。

また、図２６は、補正前のパターン寸法の疎密依存性を示す図である。
図２５、２６のように、補正を行わないと、Ａ部及びＢ部ともスペース寸法を狭くしたときに、例えば、８００ｎｍ付近から寸法エラーが増大していくことがわかる。

図２７は、補正後のパターンとそのパターンを用いて作成した実際のマスクを示す図であり（Ａ）が補正後のパターン、（Ｂ）がマスク像である。
また、図２８は、補正後のパターン寸法の疎密依存性を示す図である。

図２７（Ａ）で示す補正後のパターンを用いて作成したマスクにおいては、図２８に示すように、Ａ部は良好に補正がなされていることがわかる。但し、パターンが密に存在する場合は、エッチングも進行しにくくなるため、Ｂ部のパターン寸法もＡ部と同様に所望の寸法より大きくなってしまう。しかしながら、Ｂ部はパターンのエッジに対向する方向に他のパターンが存在しないことから、補正ルールの上からは孤立のパターンとみなされ補正がなされない。そのために、図２８のように、適切な補正がされずに寸法エラーが発生してしまう。実際のデバイスパターンにおいて従来の手法を適用しようとした場合、このような問題が発生することは明らかである。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、複雑なレイアウトのパターンに対しても適切に補正が可能なパターンデータ補正方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、所望の微細加工パターンを得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明では上記問題を解決するために、フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、図１に示すように、フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を前記設計データに基づいて検出するステップ（Ｓ１）と、前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップ（Ｓ２）と、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出するステップ（Ｓ３）と、検出された前記補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行うステップ（Ｓ４）と、前記ダミーパターンを除去するステップ（Ｓ５）と、を有することを特徴とするパターンデータ補正方法が提供される。

上記の方法によれば、フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部が検出され、そのスペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータが生成され、ダミーパターンに近接して並置されるパターンの輪郭部のうち、対向するパターン間の第２の方向に伸びるダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジが検出され、検出された補正対象エッジに対して、そのパターンの輪郭部のうち他のエッジとは独立の補正が行われ、ダミーパターンは除去される。

また、フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、第１のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターンの間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出するステップと、前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップと、前記対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジを抽出するステップと、前記孤立エッジに対して、前記ダミーパターンの前記エッジの長さと、前記ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正を行うステップと、前記ダミーパターンを除去するステップと、を有することを特徴とするパターンデータ補正方法が提供される。

上記の方法によれば、第１のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターンの間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出し、そのスペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンを生成し、対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びるダミーパターンのエッジを抽出し、孤立エッジに対して、抽出したダミーパターンのエッジの長さと、ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正が行われ、ダミーパターンは除去される。

本発明では、フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を設計データに基づいて検出し、そのスペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し、そのダミーパターンに近接して並置されるパターンの輪郭部のうち、対向するパターン間の第２の方向に伸びるダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出し、検出された補正対象エッジに対し、そのパターンの輪郭部の他のエッジとは独立の補正を行うようにしたので、通常孤立のパターンとみなされ、適切な補正がなされないようなエッジに対しても適切な補正を行うことができる。

また、第２のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターン間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出し、そのスペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し、対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びるダミーパターンのエッジを抽出し、孤立エッジに対して、抽出したダミーパターンのエッジの長さと、ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正を行うようにしたので、通常孤立のパターンとみなされ、適切な補正がなされないようなエッジに対しても適切な補正を行うことができる。

また、上記の方法を用いて作成したフォトマスクを、半導体装置の製造工程に用いることで、所望の微細加工パターンを得ることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態のパターンデータ補正方法の概略を示す図である。
また、図２はパターンの例を示す図である。

以下ではフォトマスク上に図２のようなマスクパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法について説明する。
図２のようなパターン１、２、３、４を有するような設計データに対し、従来の手法で近接効果補正を行う場合、例えばパターン４のエッジ４ａは、対向する方向に他のパターンが存在しないことから、通常の近接効果補正ルール（ライン＆スペース）では孤立のパターンとみなされるために補正がされない。ところが複雑なレイアウトでパターンが密に存在する場合は、この領域のエッチングも進行しにくくなるため、エッジ４ａのパターン寸法も他のエッジと同様に所望の寸法より大きくなってしまう。そのために、適切な補正がされずに図２７、図２８で示したように寸法エラーが発生してしまう。

そこで、図１に示すパターンデータ補正方法においては、まず、例えば、図２のようなパターン１、２、３、４を有するような設計データを読み込んで、対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部５を検出する（ステップＳ１）。このようなスペース部５は、所定のルールに従って検出される（詳細は後述する。）。

次に、検出されたスペース部５を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成する（ステップＳ２）。
図３は、ダミーパターンを生成したときの様子を示す図である。

この図のようにパターン１、２間のスペース部５にダミーパターン６を生成する。そして、ダミーパターン６に近接して並置されるパターン４の輪郭部のうち、対向するパターンデータ１、２間の距離方向に伸びるダミーパターン６のエッジ６ａ、６ｂの対向に位置するエッジ４ａを補正対象エッジとして検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたエッジ４ａに対し、パターン４の輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行う（ステップＳ４）。具体的には、検出されたエッジ４ａに対しては、ダミーパターン６との距離や、パターン１、２間の距離に応じた補正値を適用して補正する（詳細は後述する。）。最後にダミーパターン６を除去する（ステップＳ５）。

このようなパターンデータ補正方法によれば、通常孤立のパターンとみなされ、適切な補正がなされないようなエッジに対しても適切な補正を行うことができる。
以下詳細を説明する。

なお、以下に示すパターンデータ補正方法は、例えば、コンピュータに記憶されたソフトウェアのアルゴリズムにしたがって、ＣＰＵ（Central Processing Unit）が動作することによって実現する。

図４は、第１の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
まず、原図となる設計データを入力すると（ステップＳ１０）、この設計データから図２で示したようなスペース部５を検出するために、パターンがＩ字状またはＴ字状に対向している部分を抽出する（ステップＳ１１）。具体的には、以下のように配置されているパターンをＩ字部またはＴ字部と定義して抽出する。

図５は、Ｉ字部またはＴ字部を定義する一例を示す図である。
まず、ある条件で矢印Ａ１、Ａ２方向の長さが一定の長さ以上あるパターン１０の先端部１０ａを認識する。そしてその先端部１０ａから所定の距離Ｌ１内（例えば、２０００ｎｍ以内）に対向するようなパターン１１が存在する場合をＩ字部と認識する。また、パターン１１の幅Ｗ１がある値より大きい場合はＴ字部と認識する。前述した図２の例では、パターン１、２が対向して配置されるＩ字部として認識される。

図６は、Ｔ字部と認識されるパターンの例を示す図である。
この例では、パターン１２、１３によるＴ字部と、パターン１３、１４によるＴ字部が抽出され、パターンが対向している部分に生じているスペース部１５、１６が検出される。

なお、図４のステップＳ１１の処理でＩ字部またはＴ字部が抽出されなかった場合にはステップＳ１７の処理に進む。
Ｉ字部またはＴ字部が抽出された場合には、そのＩ字部またはＴ字部において検出されたスペース部を埋めるようなダミーパターン（図３参照）を生成する（ステップＳ１２）。なお、ダミーパターンに対応するパターンデータは、原図（実パターン）の設計データとは異なるレイヤ定義（変数など）とすることで、実際のマスクパターン作成時に消去したり、実パターンの設計データと区別したりすることを容易にできる。

次に、対向するパターン間の距離方向に伸びるダミーパターンのエッジを抽出する（ステップＳ１３）。ここでは、例えば、図３で示したようなダミーパターン６において、パターン１、２間の距離（以下突合せ間隔という。）方向に伸びるエッジ６ａ、６ｂを検出する。

その後、検出されたダミーパターンに近接して並置されるパターンの輪郭部のうち、対向するパターン間の距離方向に伸びるダミーパターンのエッジの対向に位置するエッジを、補正対象エッジとして検出する（ステップＳ１４）。具体的には、レイヤ定義されたダミーパターンのパターンデータと実パターンデータとの違いを検出して、図３のように、ダミーパターン６に近接して並置される実パターンであるパターン４の輪郭部のうち、エッジ６ａの対向に位置し且つこのエッジ６ａと同じ長さの領域を抽出することで、補正対象のエッジ４ａを検出する。

次に、ルールチェックを行い、検出された補正対象エッジに対して補正を行うか否かを判定する（ステップＳ１５）。このルールチェックは、通常の近接効果補正ルールであるライン＆スペースとは異なり、例えば、図３で示したパターンデータの場合、エッジ６ａの長さ（つまり突合せ間隔）及び、エッジ６ａと対向するパターンデータ４のエッジ４ａ間の間隔（スペース幅）に応じて、エッジ４ａを補正するか否かを判定する。

ここで補正対象エッジに補正が必要と判定された場合には、突合せ間隔及びスペース幅に応じて補正値を決定してエッジ４ａを補正する（ステップＳ１６）。ここでは、例えば予め突合せ間隔及びスペース幅に応じた補正値を格納したテーブルを参照して補正を行うようにしてもよい。その後、生成したダミーパターンを除去し（ステップＳ１７）、補正処理を終える。なお、例えば、スペース幅や突合せ間隔が広くて、補正対象エッジに補正が必要ないと判定された場合には、補正を行わずに、ステップＳ１７の処理の後、補正処理を終える。

一方、ステップＳ１１の処理で、条件に適合したＴ字部またはＩ字部が抽出されなかった場合には、通常の近接効果補正ルール（ライン＆スペース）に基づき補正を行うか否かを判定し（ステップＳ１８）、補正を行う場合には、表１で示したようなテーブルを用いてスペース寸法及びライン寸法に応じて補正値を決定してエッジの補正を行う（ステップＳ１９）。補正を行う必要がないと判定された場合には、補正を行わず処理を終了する。

以上のように、所定の条件のもと、パターンデータがＩ字状またはＴ字状に対向する部分を抽出することで、例えば、図２のエッジ４ａに影響を及ぼすようなスペース部５を効率よく検出することができる。そして、このエッジ４ａをパターン４の輪郭部の他のエッジと独立に補正することによって、複雑なレイアウトのパターンに対しても近接効果の影響を適切に補正することができる。

次に、第２の実施の形態のパターンデータ補正方法を説明する。
図７は、第２の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。

ステップＳ２０からステップＳ２３までは図４で示した第１の実施の形態のパターンデータ補正方法におけるステップＳ１０からステップＳ１３の処理と同様である。第２の実施の形態のパターンデータ補正方法では、ステップＳ２３で抽出したダミーパターンのエッジを、近接して並置されるパターンに接するように移動させるステップＳ２４を有している。

図８は、ダミーパターンのエッジを移動させる様子を示す図である。
ダミーパターン６のエッジ６ａ、６ｂをそれぞれ矢印方向に移動させる。このとき、エッジ６ａは、対向位置に実パターンであるパターン４が存在するので、ある距離だけ移動するとパターン４に接する。そして、この接した領域を抽出することで、補正対象エッジを検出する（ステップＳ２５）。

さらに、ステップＳ２６のルールチェックでは、突合せ間隔及び、ステップＳ２４の処理でダミーパターン６のエッジ６ａを移動させた距離を検出してエッジ４ａが補正対象か否かを判定する。そして、エッジ４ａが補正対象であれば、突合せ間隔及びダミーパターン６のエッジ６ａを移動させた距離に応じて補正値を決定してエッジ４ａを補正する（ステップＳ２７）。その後、生成したダミーパターンを除去し（ステップＳ２８）、補正処理を終える。補正対象エッジに補正が必要ないと判定された場合には、補正を行わずに、ステップＳ２８の処理の後、補正処理を終える。ステップＳ２９、Ｓ３０の処理は、図４のステップＳ１８、Ｓ１９の処理と同様である。

次に、第３の実施の形態のパターンデータ補正方法を説明する。
図９は、第３の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。

ステップＳ４０からステップＳ４２までは図４で示した第１の実施の形態のフローチャートにおけるステップＳ１０からステップＳ１２の処理と同様である。第３の実施の形態のパターンデータ補正方法では、ステップＳ４３で、対向するパターン間の距離方向に伸びるエッジ（以下第３の実施の形態では第１のエッジという。）を抽出した後、さらにこの第１のエッジに対し垂直な第２のエッジを抽出する（ステップＳ４４）。そしてこの第２のエッジを延長して（ステップＳ４５）、補正対象エッジを検出する（ステップＳ４６）。

図１０は、ダミーパターンの第２のエッジを延長して補正対象エッジを検出する様子を示す図である。
この図のように、ダミーパターン６の第１のエッジ６ａ、６ｂに対し垂直な第２のエッジ６ｃ、６ｄを定義して、そしてこの第２のエッジ６ｃ、６ｄを延長する。一定距離延長すると、ダミーパターン６に近接して並置されるパターン４に接する。このとき接した２点Ｐ１、Ｐ２で挟まれた領域を抽出することで、補正対象のエッジ４ａを検出することができる。

さらに、ステップＳ４７のルールチェックでは、突合せ間隔及び、ステップＳ４５の処理で第２のエッジ６ｃ、６ｄを伸ばしたときのパターン４に接するまでの距離をチェックしてエッジ４ａが補正対象か否かを判定する。そして、エッジ４ａが補正対象であれば、突合せ間隔及び第２のエッジ６ｃ、６ｄを伸ばしてパターン４に接するまでの距離に応じて補正値を決定してエッジ４ａを補正する（ステップＳ４８）。ここで、延長した第２のエッジ６ｃ、６ｄとパターン４の補正対象エッジ４ａとがなす角度に応じて、補正対象エッジ４ａの補正値を決定するようにしてもよい。例えば、この角度をパラメータとして補正の要否や補正値を決定する補正テーブルを設けて、これを参照するようにしてもよい。その後、生成したダミーパターンを除去し（ステップＳ４９）、補正処理を終える。なお、補正対象エッジに補正が必要ないと判定された場合には、補正を行わずに、ステップＳ４９の処理の後、補正処理を終える。ステップＳ５０、Ｓ５１の処理は、図４のステップＳ１８、Ｓ１９の処理と同様である。

次に、第４の実施の形態のパターンデータ補正方法を説明する。
図１１は、第４の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。

ステップＳ６０からステップＳ６３までの処理は図４で示した第１の実施の形態のフローチャートにおけるステップＳ１０からステップＳ１３の処理と同様である。但し、第４の実施の形態では、ステップＳ６２で生成するダミーパターンを第１のダミーパターンと呼ぶことにする。第４の実施の形態のパターンデータ補正方法では、ステップＳ６２の処理で発生した第１のダミーパターンと、この第１のダミーパターンに近接して並置されるパターン間のスペースを埋めるような第２のダミーパターンを発生するステップＳ６４をさらに有している。

図１２は、発生した第２のダミーパターンの例を示す図である。
第１のダミーパターン６と、パターン４間のスペースを埋めるような第２のダミーパターン７を発生した例を示している。第４の実施の形態のパターンデータ補正方法では、さらに、発生した第２のダミーパターン７において、第１のダミーパターン６とパターン４に接しないエッジ７ａ、７ｂを抽出する（ステップＳ６５）。そして第２のダミーパターン７とパターン４が接するエッジ領域を抽出することで、補正対象のエッジ４ａを検出することができる（ステップＳ６６）。さらに、ステップＳ６７のルールチェックでは、エッジ６ａ、６ｂの長さ（つまり突合せ間隔）及び、第２のダミーパターン７のエッジ７ａ、７ｂの長さ（つまりスペース幅）をチェックしてエッジ４ａが補正対象か否かを判定する。そして、エッジ４ａが補正対象であれば、エッジ６ａ、６ｂの長さ及びエッジ７ａ、７ｂの長さに応じて補正値を決定してエッジ４ａを補正する（ステップＳ６８）。その後、生成した第１及び第２のダミーパターン６、７を除去し（ステップＳ６９）、補正処理を終える。なお、補正対象エッジに補正が必要ないと判定された場合には、補正を行わずに、ステップＳ６９の処理の後、補正処理を終える。ステップＳ７０、Ｓ７１の処理は、図４のステップＳ１８、Ｓ１９の処理と同様である。

以上説明した第１から第４の実施の形態のパターンデータ補正方法では、始めに所定の大きさのスペース部を埋めるようなダミーパターンを発生させ、そのダミーパターンをもとに、補正対象エッジを検出するとして説明したが、始めに、孤立と認識されるエッジを抽出するようにしてもよい。それを以下に第５の実施の形態として説明する。

図１３は、第５の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
まず、原図となる設計データを入力すると（ステップＳ８０）、パターンの輪郭部のエッジの中で、エッジの鉛直方向の所定の距離以内に、対向するパターン間に生じるスペース部が存在する領域（孤立の領域）があるか否かを判定し（ステップＳ８１）、存在する場合にはその領域を孤立エッジとして検出する（ステップＳ８２）。なお、ステップＳ８１の処理で、条件に見合う領域がない場合にはステップＳ７７の処理に進む。

図１４は、孤立エッジを検出する様子を示す図である。
ここでは、パターン２０の輪郭部のエッジ２０ａの鉛直方向に、パターン２１、２２が対向して生じるスペース部２３が存在する例を示しており、このエッジ２０ａは孤立エッジとして検出される。

次にスペース部２３を埋めるようなダミーパターンを生成させる（ステップＳ８３）。
図１５は、補正対象の孤立エッジの対向のスペース部にダミーパターンを生成させた様子を示す図である。

ステップＳ８２の処理で検出された補正対象の孤立エッジ２０ａの対向のスペース部２３を埋めるようなダミーパターン２４を生成させている。
その後、対向するパターン２１、２２間の距離方向に伸びるダミーパターン２４のエッジ２４ａ、２４ｂを抽出する（ステップＳ８４）。

さらに、ステップＳ８５のルールチェックでは、抽出したエッジ２４ａ、２４ｂの長さ（つまり突合せ間隔）及び、ダミーパターン２４と補正対象の孤立エッジ２０ａの間隔をチェックして孤立エッジ２０ａを補正するか否かを判定する。

ここで、具体的な判定基準を説明するために、パターンの輪郭部のエッジの中で孤立と見なされる領域の寸法特性を評価した結果を示す。
図１６は、パターン寸法のスペース幅及び突合せ間隔依存性を示している。

ここでは、図１４の評価パターンにおいて、スペース幅を２００、３２０、５６０、１０００、２０００ｎｍ、突合せ間隔を２００、２４０、３２０、４００、５６０、８００、１０００、２０００ｎｍと変化させたときのパターン寸法の変化を評価している。なお、設計データのパターン２０、２１、２２の寸法は３２０ｎｍとしている。

このグラフから、スペース幅が１０００ｎｍ以上であれば、図１４の孤立エッジ２０ａと定義された領域は、突合せ間隔の値に係わらず、通常の孤立としての寸法特性を示す。すなわち、スペース幅を変化させても寸法は一定である。

一方、スペース幅が１０００ｎｍ以下になると、孤立エッジ２０ａと定義された領域の寸法エラーは徐々に増大し、パターンデータ２０とパターンデータ２１、２２の間隔を狭める。すなわち寸法測定点周囲のパターン密度が高くなると、その領域全体のエッチング速度が低下し、パターン寸法が太ってしまう。なお、突合せ間隔が２０００ｎｍになるとスペース幅を狭くしても寸法エラーの増大が見られない。

以上の評価結果から、図１４のようなパターンであると、孤立エッジ２０ａの鉛直方向の約１０００ｎｍ以内に、対向するパターン２１、２２間に生じる突合せ間隔が２０００ｎｍ以下のスペース部２３が存在する場合に補正が必要であると判定される。

そして、孤立エッジ２０ａに対し補正が必要であると判定された場合、ダミーパターン２４のエッジ２４ａ、２４ｂの長さと、ダミーパターン２４と孤立エッジ２０ａとの間隔に応じて補正値を決定して孤立エッジ２０ａを補正する（ステップＳ８６）。その後、生成したダミーパターンを除去し（ステップＳ８７）、補正処理を終える。なお、孤立エッジ２０ａに補正が必要ないと判定された場合には、補正を行わずに、ステップＳ８７の処理の後、補正処理を終える。一方ステップＳ８１の処理で、孤立と判定されなかったエッジに対しては、通常の近接効果補正ルール（ライン＆スペース）に基づき補正を行うか否かを判定し（ステップＳ８８）、補正を行う場合には、例えば表１で示したようなテーブルを用いてスペース寸法及びライン寸法に応じて補正値を決定して補正を行う（ステップＳ８９）。補正を行う必要がないと判定された場合には、補正を行わず処理を終了する。

ところで、第１から第５の実施の形態のパターンデータ補正方法では、ある設計データに対して、通常の近接効果補正ルールで補正する処理（ステップＳ１８、Ｓ１９、Ｓ２９、Ｓ３０、Ｓ５０、Ｓ５１、Ｓ７０、Ｓ７１、Ｓ８８、Ｓ８９）と、補正が必要であるが孤立と判定されてしまう（以下見かけ孤立という。）パターンのエッジを検出して他のエッジとは独立のルールで補正を行う処理（ステップＳ１１〜Ｓ１７、Ｓ２１〜Ｓ２８、Ｓ４１〜Ｓ４９、Ｓ６１〜Ｓ６９、Ｓ８１〜Ｓ８７）とを、条件に応じて切り替えて行う場合について説明した。しかし、始めに通常の近接効果補正ルールを用いて補正したデータに対し、上記の見かけ孤立のエッジを他のエッジとは独立のルールで補正を行う処理を適用するようにしてもよい。これを以下に第６の実施の形態のパターンデータ補正方法として説明する。

図１７は、第６の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
まず、原図となる設計データを入力すると（ステップＳ９０）、通常の近接効果補正ルール（ライン＆スペース）に基づき補正を行うか否かを判定し（ステップＳ９１）、補正を行う場合には、例えば表１で示したようなテーブルを用いてスペース寸法及びライン寸法に応じて補正値を決定して補正を行う（ステップＳ９２）。そして補正した場合には補正したデータを、補正を行う必要がないと判定された場合には補正を行わずに元の設計データをハードディスクドライブなどの記録媒体３０に出力する（ステップＳ９３）。

図１８は、スペース寸法及びライン寸法に応じて補正したパターンの例を示す図である。
ここでは、図２で示したパターンに対して、スペース寸法及びライン寸法に応じた補正を適用した結果の一例を示している。

図のように、例えば、パターン４のエッジ４ａのように、見かけ孤立の影響で幅が広がるエッジが存在する。これを補正するために、この記録媒体３０に格納されたデータを入力して、前述の見かけ孤立のパターンのエッジを検出して他のエッジとは独立のルールで補正を行う処理（ステップＳ１１〜Ｓ１７、Ｓ２１〜Ｓ２８、Ｓ４１〜Ｓ４９、Ｓ６１〜Ｓ６９またはＳ８１〜Ｓ８７）を行う（ステップＳ９５）。なお、第１から４の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理にあるＩ字部またはＴ字部の抽出処理（ステップＳ１１、Ｓ２１、Ｓ４１、Ｓ６１）でＩ字部またはＴ字部が見つからない場合や、第５の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理にある孤立の検出（ステップＳ８１）で孤立が見つからない場合には、補正を行わず処理を終了する。

以上のように第１から第６の実施の形態のパターンデータ補正方法を適用することで、複雑なレイアウトのパターンに対しても近接効果の影響を適切に補正したマスクを生成することができる。

最後に、上記のパターンデータ補正方法を用いて作成したマスクを、実際の半導体装置の製造に適用した例を説明する。
図１９、２０、２１、２２は、半導体装置の製造工程の一工程を示す断面図である。

まず、図１９のようにシリコン基板１００中に、例えばＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法により、例えば深さ３００ｎｍのトレンチに埋め込まれてなる素子分離膜１０１を形成する。なお、図において、左側の素子領域がＮ型トランジスタ形成領域であり、右側の素子領域がＰ型トランジスタ形成領域であるものとする。

次に、図２０のように例えば熱酸化法により、素子分離膜１０１により画定された素子領域上に、犠牲酸化膜１０２を形成する。そしてフォトリソグラフィーにより、Ｎ型トランジスタ形成領域を露出し、Ｐ型トランジスタ形成領域を覆うフォトレジスト膜１０３を形成する。さらに、フォトレジスト膜１０３をマスクとしてイオン注入を行い、Ｎ型トランジスタ形成領域のシリコン基板１００中に、Ｐ型不純物拡散領域１０４、１０５、１０６を形成する。

ここで、Ｐ型不純物拡散領域１０４は、例えばインジウムイオン（Ｉｎ⁺）を、加速エネルギーを６０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０¹³ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。

また、Ｐ型不純物拡散領域１０５は、例えばインジウムイオンを、加速エネルギーを１８０ｋｅＶ、ドーズ量を３×１０¹³ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。
Ｐ型不純物拡散領域１０６は、例えばボロンイオン（Ｂ⁺）を、加速エネルギーを１５０ｋｅＶ、ドーズ量を３×１０¹³ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。

次いで、図２１のようにフォトリソグラフィーにより、Ｐ型トランジスタ形成領域を露出し、Ｎ型トランジスタ形成領域を覆うフォトレジスト膜１０７を形成する。そしてフォトレジスト膜１０７をマスクとしてイオン注入を行い、Ｐ型トランジスタ形成領域のシリコン基板１００中に、Ｎ型不純物拡散領域１０８、１０９、１１０を形成する。

ここで、Ｎ型不純物拡散領域１０８は、例えば砒素イオン（Ａｓ⁺）を、加速エネルギーを１００ｋｅＶ、ドーズ量を５×１０¹²ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。

また、Ｎ型不純物拡散領域１０９は、例えば砒素イオンを、加速エネルギーを１５０ｋｅＶ、ドーズ量を３×１０¹³ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。
Ｎ型不純物拡散領域１１０は、例えばリンイオン（Ｐ⁺）を、加速エネルギーを３００ｋｅＶ、ドーズ量を３×１０¹³ｃｍ^-2としてイオン注入することにより形成する。

次に、例えば弗酸系の水溶液を用いたウェットエッチングにより、犠牲酸化膜１０２を除去する。そして、例えば熱酸化法により、犠牲酸化膜１０２を除去することにより露出する素子領域上に、例えば膜厚１１ｎｍのシリコン酸化膜を成長し、図２２のようにシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜１１１を形成する。そして、ゲート絶縁膜１１１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば膜厚１００ｎｍのポリシリコン膜（図示せず）を堆積する。その後、ポリシリコン膜上に有機系の反射防止膜１１２を膜厚８０ｎｍ程度に塗布し、さらに感光材料であるＡｒＦ型のポジ型レジストを膜厚２５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度に塗布する。

この状態のウェハ基板に、ＡｒＦエキシマレーザを光源とする縮小投影露光装置を用い、前述の第１から第６の実施の形態のパターンデータ補正方法を用いて作成したマスクのパターンを露光する。露光条件は、開口率（ＮＡ）が０．７で１／２輪帯照明（σ値：０．４２５／０．８５）とし、露光量を２１０Ｊ／ｃｍ²とする。

次いで、熱処理（ＰＥＢ）及び現像処理を行い、レジストパターン１１３の形成を行う。そして、このレジストパターン１１３をマスクに反射防止膜１１２、ポリシリコン膜及びゲート絶縁膜１１１をエッチングし、ポリシリコン膜よりなるゲート電極１１４、１１５を形成する。ここで、ゲート電極１１４はＮ型トランジスタのゲート電極であり、ゲート電極１１５はＰ型トランジスタのゲート電極である。

このように、前述の第１から第６の実施の形態のパターンデータ補正方法を用いて作成したマスクを用いて形成されたゲート電極１１４、１１５のパターン寸法の均一性を調べたところ、従来のマスクを用いた場合と比べて本発明のパターンデータ補正方法を用いて作成したマスクを適用する場合、寸法の均一性が約４ｎｍ改善されることがわかった。

なお、上記では、いずれもマスクを作成する際のパターンデータを補正するためのパターンデータ補正方法について説明したが、ウェハにパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正することにも、同様に適用可能である。

（付記１） フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、
前記フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を前記設計データに基づいて検出するステップと、
前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップと、
前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出するステップと、
検出された前記補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行うステップと、
前記ダミーパターンを除去するステップと、
を有することを特徴とするパターンデータ補正方法。

（付記２） 前記ダミーパターンに対応する前記パターンデータは、前記パターンのパターンデータとは異なるレイヤまたは変数で定義されていることを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。

（付記３） 前記パターンがＴ字状またはＩ字状に対向する部分に生じる領域を前記スペース部とすることを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。
（付記４） 前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記エッジの対向に位置し且つ前記エッジと同じ長さの領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。

（付記５） 前記ダミーパターンの前記エッジを、近接して並置される前記パターンに接するように移動させて、前記パターンデータの輪郭部において前記エッジが接した領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。

（付記６） 前記ダミーパターンの、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記エッジに対し垂直な２つのエッジを延長し、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンデータと接する２点で挟まれた領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。

（付記７） 前記エッジの延長線と前記パターンの前記補正対象エッジとがなす角度に応じて、前記補正対象エッジの補正値を決定することを特徴とする付記６記載のパターンデータ補正方法。

（付記８） 前記ダミーパターンと、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターン間のスペースを埋めるような第２のダミーパターンを形成するステップをさらに有し、
前記第２のダミーパターンと前記パターンが接する領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。

（付記９） 予め所定のルールに従って補正を行った設計データに対して、前記各ステップの処理を行うことを特徴とする付記１記載のパターンデータ補正方法。
（付記１０） 前記所定のルールは、前記パターンのライン寸法及び前記パターン間のスペース寸法に応じて補正値を決定する補正ルールであることを特徴とする付記９記載のパターンデータ補正方法。

（付記１１） フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、
第１のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターンの間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出するステップと、
前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップと、
前記対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジを抽出するステップと、
前記孤立エッジに対して、前記ダミーパターンの前記エッジの長さと、前記ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正を行うステップと、
前記ダミーパターンを除去するステップと、
を有することを特徴とするパターンデータ補正方法。

（付記１２） 前記ダミーパターンに対応する前記パターンデータは、前記パターンのパターンデータとは異なるレイヤまたは変数で定義されていることを特徴とする付記１１記載のパターンデータ補正方法。

（付記１３） 予め所定のルールに従って補正を行った設計データに対して、前記各ステップの処理を行うことを特徴とする付記１１記載のパターンデータ補正方法。
（付記１４） 前記所定のルールは、前記パターンのライン寸法及び前記パターン間のスペース寸法に応じて補正値を決定する補正ルールであることを特徴とする付記１３記載のパターンデータ補正方法。

（付記１５） 半導体装置の製造方法において、
フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するために、前記フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターンデータ間に生じる所定の大きさのスペース部を前記設計データに基づいて検出し、前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出し、検出された前記補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行い、前記ダミーパターンを除去するようにして形成したフォトマスクを用いて露光を行う露光工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１６） 半導体装置の製造方法において、
フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するために、第１のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターンの間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出し、前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し、前記対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジを抽出し、前記孤立エッジに対して、前記ダミーパターンの前記エッジの長さと、前記ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正を行い、前記ダミーパターンを除去するようにして形成したフォトマスクを用いて露光を行う露光工程を、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明の実施の形態のパターンデータ補正方法の概略を示す図である。 パターンの例を示す図である。 ダミーパターンを生成したときの様子を示す図である。 第１の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 Ｉ字部またはＴ字部を定義する一例を示す図である。 Ｔ字部と認識されるパターンの例を示す図である。 第２の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 ダミーパターンのエッジを移動させる様子を示す図である。 第３の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 ダミーパターンの第２のエッジを延長して補正対象エッジを検出する様子を示す図である。 第４の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 発生した第２のダミーパターンの例を示す図である。 第５の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 孤立エッジを検出する様子を示す図である。 補正対象の孤立エッジの対向のスペース部にダミーパターンを生成させた様子を示す図である。 パターン寸法のスペース幅及び突合せ間隔依存性を示す図である。 第６の実施の形態のパターンデータ補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。 スペース寸法及びライン寸法に応じて補正したパターンの例を示す図である。 半導体装置の製造工程の一工程を示す断面図である（その１）。 半導体装置の製造工程の一工程を示す断面図である（その２）。 半導体装置の製造工程の一工程を示す断面図である（その３）。 半導体装置の製造工程の一工程を示す断面図である（その４）。 パターン寸法の疎密依存性を示す図である。 図２３で示したような疎密依存性を示すパターンに対して表１の補正テーブルに基づいた寸法補正を加えた結果を示す図である。 補正前のパターンとそのパターンを用いて作成した実際のマスクを示す図であり（Ａ）が補正前のパターン、（Ｂ）がマスク像である。 補正前のパターン寸法の疎密依存性を示す図である。 補正後のパターンとそのパターンを用いて作成した実際のマスクを示す図であり（Ａ）が補正後のパターン、（Ｂ）がマスク像である。 補正後のパターン寸法の疎密依存性を示す図である。

符号の説明

１、２、３、４ パターン
４ａ、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ エッジ
５ スペース部
６ ダミーパターン

Claims (10)

1. フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、
   前記フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を前記設計データに基づいて検出するステップと、
   前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップと、
   前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出するステップと、
   検出された前記補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行うステップと、
   前記ダミーパターンを除去するステップと、
   を有することを特徴とするパターンデータ補正方法。
2. 前記ダミーパターンに対応する前記パターンデータは、前記パターンのパターンデータとは異なるレイヤまたは変数で定義されていることを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
3. 前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記エッジの対向に位置し且つ前記エッジと同じ長さの領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
4. 前記ダミーパターンの前記エッジを、近接して並置される前記パターンに接するように移動させて、前記パターンデータの輪郭部において前記エッジが接した領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
5. 前記ダミーパターンの、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記エッジに対し垂直な２つのエッジを延長し、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンデータと接する２点で挟まれた領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
6. 前記エッジの延長線と前記パターンの前記補正対象エッジとがなす角度に応じて、前記補正対象エッジの補正値を決定することを特徴とする請求項５記載のパターンデータ補正方法。
7. 前記ダミーパターンと、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターン間のスペースを埋めるような第２のダミーパターンを形成するステップをさらに有し、
   前記第２のダミーパターンと前記パターンが接する領域を抽出することで、前記補正対象エッジを検出することを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
8. 予め所定のルールに従って補正を行った設計データに対して、前記各ステップの処理を行うことを特徴とする請求項１記載のパターンデータ補正方法。
9. フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するパターンデータ補正方法において、
   第１のパターンの輪郭部のエッジの中で、第１の方向の所定の距離以内に、対向する第２のパターンの間に生じるスペース部が存在する領域を孤立エッジとして抽出するステップと、
   前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成するステップと、
   前記対向する第１のパターンと第２のパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジを抽出するステップと、
   前記孤立エッジに対して、前記ダミーパターンの前記エッジの長さと、前記ダミーパターンと前記孤立エッジとの間隔に応じて補正を行うステップと、
   前記ダミーパターンを除去するステップと、
   を有することを特徴とするパターンデータ補正方法。
10. 半導体装置の製造方法において、
    フォトマスクまたはウェハ上に半導体装置の設計データに基づいてパターンを形成する際に生じる近接効果の影響を補正するために、前記フォトマスクまたはウェハ上に配置されて第１の方向に対向するパターン間に生じる所定の大きさのスペース部を前記設計データに基づいて検出し、前記スペース部を埋めるようなダミーパターンに対応するパターンデータを生成し、前記ダミーパターンに近接して並置される前記パターンの輪郭部のうち、前記対向するパターン間の第２の方向に伸びる前記ダミーパターンのエッジの対向に位置する補正対象エッジを検出し、検出された前記補正対象エッジに対し、前記輪郭部の他のエッジとは独立に補正を行い、前記ダミーパターンを除去するようにして形成したフォトマスクを用いて露光を行う露光工程、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
    

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