JP2009080349A - 寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムを提供する。
【解決手段】変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法、または、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムに関する。

近年の半導体装置等においては、パターンの微細化が目覚ましく、設計ルールが微細化するに伴い設計パターンをウェーハ上において所望の形状、寸法通りに転写することが困難になってきている。この場合、設計パターンと転写されたウェーハ上のパターンとに乖離が発生すると、転写されたウェーハ上のパターンが変形することにより電気特性が劣化し、また、パターンのブリッジや断線などにより歩留まりが低下するといった問題が引き起こされるおそれがある。

そのため、設計パターンの形状、寸法通りに転写されるようマスクパターンの形状に補正を加えるプロセス変換差補正（ＰＰＣ：Process Proximity Correction）処理などが行われている。

ここで、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程においては、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンのレイアウト環境が、そのパターンの寸法精度に大きな影響を及ぼす。そのため、開口パターンの対向するエッジ間の距離に応じて段階的に定められた寸法変換差の値を用いるプロセス変換差補正処理が提案されている（特許文献１を参照）。この特許文献１に開示をされた技術においては、変換差予測点におけるライン長とスペース長とに基づいて、予め段階的に定められた範囲から寸法変換差の値を選択して寸法変換差の予測を行うようにしている。

しかしながら、特許文献１に開示をされた技術は、線状のパターンに対しては寸法変換差予測の精度を向上させることができるが、非線状のパターン（例えば、パターンが断続的であったり、環状のパターンであったりする場合）に対しては、パターン形状などの影響を受けるために寸法変換差予測の精度向上に改善の余地があった。
特開２００４−３６３３９０号公報

本発明は、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムを提供する。

本発明の一態様によれば、変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、上記のいずれかの寸法変換差予測方法により予測した寸法変換差に基づいて、設計パターンデータに対するプロセス変換差補正を行い、露光パターンデータを作成すること、を特徴とするフォトマスクの製造方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、上記のフォトマスクの製造方法によりフォトマスクを作成し、前記フォトマスクを用いて露光すること、を特徴とする電子部品の製造方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、上記のいずれかの寸法変換差予測方法により予測した寸法変換差に基づいて、設計パターンデータを検証すること、を特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、コンピュータに、変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて演算させ、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差の予測を実行させること、を特徴とする寸法変換差予測プログラムが提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、コンピュータに、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて演算させ、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差の予測を実行させること、を特徴とする寸法変換差予測プログラムが提供される。

本発明によれば、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムが提供される。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。尚、図１（ａ）は模式平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ矢視断面図である。また、図１（ｃ）はパターンが断続的な場合を例示するための模式平面図である。
図２は、比較例に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。尚、図２（ａ）は設計パターンの模式平面図、図２（ｂ）はウェーハ上に転写されたパターンの模式平面図である。

まず、図２に示す比較例に係る寸法変換差予測方法について説明をする。図２に示す寸法変換差予測方法は、本発明者が発明をするに至った過程で検討したものである。
図２（ａ）に示す設計パターンをそのままウェーハ上に転写すると、図２（ｂ）に示すようにライン長Ｌが短くなる。また、その他にも、設計上９０度のはずのコーナーが丸くなったり、ライン長Ｌが長くなったりするようなことも生じ得る。
このような現象を起こす要因の１つに、エッチングの影響（例えば、エッチング速度のパターン依存性など）などに起因するプロセス変換差と呼ばれているものがある。

半導体装置としての所望の電気特性を達成するため、パターンの断線やブリッジなどによる不良発生を抑制するためには、ウェーハ上で設計パターン通りの寸法及び形状を実現する必要がある。そのため、寸法変換差を予め予測（寸法変換差予測）して、リソグラフィ工程で用いられるフォトマスク上のパターン形状を補正することが必要となる。

ここで、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンのレイアウト環境が、そのパターンの寸法精度に大きな影響を及ぼす。
図３は、寸法変換差とスペース長Ｓとの関係を例示するための模式グラフ図である。 図３に示すように、スペース長Ｓが大きくなるに従い、寸法変換差も大きくなる。ただし、スペース長Ｓと寸法変換差とが必ずしも比例関係にあるとはいえない。そこで、変換差予測点におけるライン長Ｌとスペース長Ｓとに基づいて、予め段階的に定められた範囲から寸法変換差の値を選択して寸法変換差予測を行うようにすれば便利である。

表１は、ライン長Ｌとスペース長Ｓとに基づいて、段階的に定められた寸法変換差の値を例示するための表である。この場合、寸法変換差の値は、予め実験などを行い求めるようにしている。尚、ライン長Ｌは、２００ｎｍ（ナノメートル）の場合である。

このように、周辺に配置された他のパターンとのレイアウト環境をも考慮すれば、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。しかしながら、実際のパターンの形状は、図２に例示をした線状のパターン形状のみとは限らず、パターンの形状が非線状となった場合には、寸法変換差予測に誤差が生ずることになる。

図４は、パターンの形状が非線状となる場合を例示するための模式図である。尚、図４（ａ）はパターン形状が断続的な場合、図４（ｂ）はパターン形状が環状の場合である。 図４（ａ）に示すように、隣接するパターンが途切れた部分におけるスペース長Ｓ１は、隣接するパターンが存在する部分におけるスペース長Ｓ２よりも長くなる。そのため、スペース長Ｓ１に基づいて上記の表１などから寸法変換差の値を求めるようにすれば、誤差が生じることになる。
同様に、図４（ｂ）に示すものの場合においても、スペース長Ｓ３、Ｓ４の長さが異なるので、それに基づいて求められる寸法変換差の値に誤差が生じることになる。

本発明者は検討の結果、寸法変換差予測を行う部分（以下、変換差予測点という）における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係を解析することで、寸法変換差を予測するようにすれば、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができるとの知見を得た。

次に、図１に戻って、本発明の第１の実施の形態に係る寸法変換差予測方法を例示する。 尚、説明の便宜上、ウェーハ１上に形成された絶縁膜２がレジストパターン３をマスクとして、エッチングされる場合を例にとって説明をする。

図１（ｂ）に示すように、変換差予測点を、レジストパターン３の表面から下方（ウェーハ１の方向）に向けて寸法Ｈの位置とする。そして、寸法変換差予測を行うにあたり変換差予測点における開口角を求める。

開口角は、変換差予測点を中心として出る半直線が動くことで形成される球面のうち、半直線が近接するレジストパターン３や絶縁膜２のパターンと干渉しない部分の角度とする。そのため、開口角は、立体角で表される。このような開口角は、設計パターンデータに基づいて求めることができる。
ここで、説明の便宜上、前述のようにして形成される「立体」のうちの代表的な断面を用いて開口角をさらに説明する。尚、代表的な断面における角度は、平面角で表されることになる。
例えば、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度（平面角）は、図１（ｂ）に示すようにθ１となる。また、ウェーハ１の主面と平行な方向における角度（平面角）は、図１（ａ）に示すようにθ２となる。

この場合、隣接するパターンに途切れた部分がある場合には、図１（ｃ）に示すようにθ３の分だけ大きくなることになる。そして、隣接するパターンに途切れた部分がある場合には、ウェーハ１の主面と垂直な方向においても、図１（ｂ）に示すようにθ４の分だけ大きくなることになる。

また、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度θ１は、スペース長Ｓと変換差予測点の垂直方向位置（寸法Ｈ）により変動する。すなわち、スペース長Ｓが長くなれば角度θ１は大きくなり、寸法Ｈが小さくなれば角度θ１は大きくなる。

図５は、変換差予測点の垂直方向位置（寸法Ｈ）とスペース長Ｓとが、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度θ１に与える影響を例示するための模式グラフ図である。尚、図中のＨ１〜Ｈ３の線図は、変換差予測点の垂直方向位置（寸法Ｈ）毎にスペース長Ｓとウェーハ１の主面と垂直な方向における角度θ１との関係を解析したものであり、Ｈ１は寸法Ｈが５０ｎｍ（ナノメートル）程度、Ｈ２は寸法Ｈが１００ｎｍ（ナノメートル）程度、Ｈ３は寸法Ｈが１５０ｎｍ（ナノメートル）程度の場合である。
図５に示すように、スペース長Ｓが長くなれば角度θ１は大きくなり、スペース長Ｓが同じであっても寸法Ｈが小さくなれば角度θ１は大きくなる。
このように、変換差予測点の垂直方向位置（寸法Ｈ）毎にスペース長Ｓとウェーハ１の主面と垂直な方向における角度θ１との関係を予め解析しておけば、寸法Ｈをパラメータとして角度θ１を容易に計算することができる。

このような開口角は、変換差予測点における入射物（例えば、ラジカルやイオンなど）の入射量に影響を与え、寸法変換差の値が変動する要因となる。すなわち、開口角が大きくなればその分だけ変換差予測点に入射可能となる入射物の量が増えることになり、エッチング量が増加してライン長Ｌが短くなりやすくなる。

そのため、寸法変換差予測において開口角を考慮するものとすれば、比較例の場合に比べて多方向のレイアウト環境を反映した寸法変換差の値を知ることができるので、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる。

また、本発明者は検討の結果、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係を解析することで、寸法変換差を予測するようにすれば、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができるとの知見を得た。

図６は、本発明の第２の実施の形態に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。尚、図１で説明をしたものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。
図６に示すように、変換差予測点をレジストパターン３の表面から下方（ウェーハ１の方向）に向けて寸法Ｈの位置とする。そして、寸法変換差予測を行うにあたり変換差予測点における入射角を求める。
入射角は、変換差予測点を中心として出る半直線が動くことで形成される球面のうち、半直線が近接するレジストパターン３や絶縁膜２のパターンと干渉しない部分の角度とする。そのため、入射角は、立体角で表される。このような入射角は、設計パターンデータに基づいて求めることができる。
ここで、説明の便宜上、前述のようにして形成される「立体」のうちの代表的な断面を用いて入射角をさらに説明する。尚、代表的な断面における角度は、平面角で表されることになる。
例えば、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度（平面角）は、図６に示すようにθ５となる。尚、ウェーハ１の主面と平行な方向における角度（平面角）は、前述の図１（ａ）の場合と同様にして考えることができる。
また、設計パターンデータや後述する入射物の角度分布、ラジカルＲとイオンＩの割合などは設計データから知ることができる。すなわち、後述する入射物の入射量は設計データに基づいて求めることができることになる。

図６に示すように、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度（平面角）θ５は、ウェーハ１の主面と垂直な方向において、変換差予測点を中心として出る半直線が近接するレジストパターン３や絶縁膜２のパターンと干渉しない部分の角度（平面角）である。この場合、隣接するパターンに途切れた部分がある場合には、図６に示すようにθ６の分だけ大きくなることになる。

このような入射角は、変換差予測点における入射物の入射量に影響を与え、寸法変換差の値が変動する要因となる。すなわち、入射角が大きくなればその分だけ変換差予測点に入射可能となる入射物の量が増えることになり、エッチング量が増加してライン長Ｌが短くなりやすくなる。

また、本実施の形態においては、入射物の角度分布をも考慮して入射量を求め寸法変換差予測を行うようにしている。ここで、入射物としては、例えば、反応性ガスをプラズマ状態にして発生させたラジカルＲやイオンＩを例示することができる。

この場合、図６に示すように、イオンＩは、拡がりが小さく垂直な方向の角度分布を持って変換差予測点に入射する。一方、図７に示すようにラジカルＲは、拡がりが大きくほぼ等方的な角度分布を持って変換差予測点に入射する。そのため、パターンの上方（開口部付近）においては、ラジカルＲの方が変換差予測点に多く入射しやすくなる。尚、拡がりが小さく垂直な方向の角度分布を持つイオンＩは、パターンの下方（底面付近）においても比較的容易に変換差予測点に入射することができる。

また、図６においては、変換差予測点への直接入射成分を例示しているが、パターンの側壁面でのＮ次反射成分をも含むようにすることができる。

また、ドライエッチング装置においては、その方式によりエッチングに用いられるラジカルＲとイオンＩの割合が異なる。例えば、ＣＤＥ（Chemical Dry Etching)装置においてはラジカルＲが主体のエッチングが行われ、反応性イオンエッチングにおいてはラジカルＲとイオンＩの相乗効果によりエッチングが行われる。そのため、エッチングに用いられるラジカルＲとイオンＩの割合をも考慮して入射物の入射量を求めるようにすることもできる。

また、ドライエッチングのプロセス条件によっても入射物の入射量が変化し得る。例えば、処理圧力が高ければイオンＩとガス粒子との衝突頻度が高くなり、角度分布が拡がりやすくなる。一方、処理圧力が低くければ、イオンＩとガス粒子との衝突頻度が低くなるので、角度分布が狭くなりやすくなる。そのため、ドライエッチングのプロセス条件をも考慮して入射物の入射量を求めるようにすることもできる。

このように入射角、入射物の角度分布を考慮して変換差予測点における入射物の入射量を求めるようにすれば、寸法変換差予測の精度を向上させることができる。
次に、開口角を用いた寸法変換差予測方法について例示をする。
まず、前述のようにして開口角を演算して求める。この際、ウェーハ１の主面と垂直な方向における角度θ１については、スペース長Ｓが設計時に決定されるので、寸法Ｈを変数とした関数とすることができる。そのため、平面角である角度θ１を包含する関係にある立体角である開口角も寸法Ｈを変数とした関数θ（Ｈ）とすることができる。

その結果、例えば、寸法変換差ＣＤを以下の（１）式のような関数で表すことができる。

寸法変換差ＣＤ＝α＋β×開口角θ（Ｈ） ・・・（１）

尚、α、βは係数であり、以下に説明をする回帰分析法などにより決定することができる。

回帰分析法により、（１）式の係数α、βを決定する際には、最小二乗法を用いることができる。すなわち、寸法変換差の実測値（実験値）と演算値との差の二乗平均が最小となるような係数α、βを求めるようにする。尚、この際、実測値との誤差が最小となるような寸法Ｈを選択して前述の演算を行うようにすることもできる。

図８は、寸法変換差の実測値（実験値）を例示するための模式グラフ図である。
図８に示すような寸法変換差の実測値（実験値）を所定の寸法Ｈ毎に測定し、データベース化しておけば、前述の係数α、βの決定を円滑に行うことができる。

図９は、寸法変換差の式による値と実測値（実験値）との関係を例示するための模式グラフ図である。尚、グラフ図中の「●」は寸法変換差の実測値（実験値）を表し、「直線」は寸法変換差の関数式（（１）式）を表している。この際、前述のようにして求めた寸法変換差の関数式は下記の式の通りとしている。
寸法変換差ＣＤ＝−２７．９＋１５．２×開口角θ（Ｈ）
図９からは、回帰分析法により求めた寸法変換差の式による寸法変換差の値と、寸法変換差の実測値（実験値）とが近似していることがわかる。そのため、寸法変換差の式を用いて寸法変換差を求め、後述するようにフォトマスクのパターン修正や危険点の検証などを行うことができる。

尚、係数α、βの値は前述のものに限定されるわけではなく、種々の具体的条件下で測定された寸法変換差の実測値（実験値）に基づいて適宜決定される。

また、開口角に基づいて、段階的に寸法変換差の値を定めるようにすることもできる。 下記の表２は、開口角に基づいて、段階的に定められた寸法変換差の値を例示するための表である。

このように、回帰分析法などを用いて寸法変換差を段階的に求めるようにすれば、実測値（実験値）からの乖離を少なくすることができる。そして、段階的に定められた寸法変換差の値に基づいて、後述するようにフォトマスクのパターン修正や危険点の検証などを行うことができる。

以上は開口角を用いた寸法変換差予測方法であるが、前述した変換差予測点における入射物の入射量に基づいて寸法変換差予測を行う場合も同様にすることができる。すなわち、この場合においても回帰分析法により寸法変換差の式を求めたり、寸法変換差を段階的に求めたりすることができる。そして、そのようにして求められた寸法変換差の値に基づいて、後述するようにフォトマスクのパターン修正や危険点の検証などを行うことができる。

また、解析方法として多変量解析法の一種である回帰分析法を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、その他の多変量解析法、応答曲面法などを用いて開口角・入射量と寸法変換差の実測値（実験値）との相関関係を解析することでコンパクトモデル化を行い、そのモデルに基づいて種々の具体的条件下における寸法変換差予測を行うようにすることができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができるので、的確なプロセス変換差補正を行うことができる。そのため、パターンが変形することによる電気特性の劣化、パターンのブリッジや断線などを抑制することができ品質の向上とともに生産性をも向上させることができる。
また、危険点などの抽出も的確に行うことができるので、設計データの検証精度を向上させることもできる。

次に、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法について例示をする。
図１０は、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法について例示をするためのフローチャート図である。
まず、設計パターンデータ（ウェーハ上に形成されるパターンのデータ）を作成する（ステップＳ１０）。
次に、設計パターンデータから、スペース長Ｓ、ライン長Ｌ、パターンの形状などのデータが抽出される（ステップＳ２０）。
次に、前述した開口角、入射量（入射角と入射物の角度分布）などが演算され、予め測定された寸法変換差の実測値（実験値）との相関関係が解析される（ステップＳ３０）。 尚、入射物の角度分布については、前述したラジカルやイオンの割合なども考慮することができる。
次に、解析の結果得られた寸法変換差の式を用いて寸法変換差の値を演算したり、解析の結果得られた寸法変換差の値を段階的にまとめた表より寸法変換差の値を選択したりして寸法変換差予測を行う（ステップＳ４０）。
次に、求められた寸法変換差の値を用いてプロセス変換差補正を行う（ステップＳ５０）。この場合、光近接効果補正を併せて行うようにすることもできる。尚、光近接効果補正に関しては、既知の技術を適用させることができるので、その説明は省略する。
また、補正後の設計パターンデータに設計ルールを満たさない部分がある場合には、設計パターンデータの修正が行われ、修正後のデータに対して再度プロセス変換差補正や光近接効果補正を行うようにすることができる。
次に、補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する（ステップＳ６０）。
以上のように、前述した寸法変換差予測方法により予測された寸法変換差に基づいて、設計パターンデータに対する補正が行われ、露光パターンデータが作成される。

次に、作成された露光パターンデータに基づいて、エッチングによりフォトマスクを作成する（ステップＳ７０）。

図１１は、フォトマスクの製造方法のブロック図である。
図１１に示すように、設計パターンデータに対してプロセス変換差補正を行うことで露光パターンデータを作成する。その際、前述したような開口角や入射量の演算を行い、それと実測値との相関関係を解析し、それに基づいて寸法変換差予測を行うようにする。

本実施の形態によれば、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができるので、的確な補正を行うことができる。そのため、寸法変換差の少ないフォトマスクを得ることができる。また、危険点の抽出、配線抵抗容量計算なども的確に行うことができるので、製品歩留まりに優れたフォトマスクを得ることができる。

次に、本発明の実施の形態に係る電子部品の製造方法を半導体装置の製造方法を例にとり説明する。
半導体装置の製造方法は、成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などによりウェーハ上にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などの複数の工程を繰り返すことにより実施される。そして、このような半導体装置の製造方法において、前述したフォトマスクの製造方法によりフォトマスクが製造され、また、そのようにして製造されたフォトマスクを用いて露光が行われる。また、前述した寸法変換差予測方法により予測された寸法変換差に基づいて、危険点の抽出などの設計パターンデータの検証が行われる。
尚、前述した寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法以外のものは、既知の各工程の技術を適用することができるので、その説明は省略する。

図１２は、フォトマスクの製造と露光とを例示するためのブロック図である。
図１２に示すように、設計パターンデータに対して寸法変換差予測によるプロセス変換差補正を行い、補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する。この場合、光近接効果補正を併せて行うようにすることもできる。そして、露光パターンデータに基づいてフォトマスクを作成し、そのフォトマスクを用いて露光・現像・エッチング・レジスト除去などを行いウェーハ上にパターンを形成する。この場合、補正後の設計パターンデータから危険点を抽出したり、配線抵抗容量計算をしたりする際の精度を向上させることができる。
また、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係る寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法を半導体装置の製造に用いる場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されるわけではない。例えば、液晶表示装置の製造（例えば、カラーフィルタやアレイ基板の製造）におけるパターンの形成などのようにフォトリソグラフィ技術を用いる電子部品の製造にも広く適用させることができる。

次に、本実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムについて例示をする。
本実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムは、コンピュータに、前述した開口角に基づいた寸法変換差予測方法、入射物の入射量に基づいた寸法変換差予測方法を実行させるためのものである。
図１３は、本発明の実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。尚、図１３は、開口角に基づいた寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。

まず、コンピュータに入力された設計パターンデータからスペース長などが抽出され、抽出されたデータに基づいて開口角が演算される（ステップＳ１００）。
次に、コンピュータに入力された寸法変換差の実測値（実験値）と開口角をパラメータとした寸法変換差の演算式との相関関係が解析される（ステップＳ１０１）。
次に、解析により求められた演算式に基づいて寸法変換差の予測値が演算される（ステップＳ１０２）。
尚、開口角の演算や相関関係の解析などについては、前述したものと同様のためその説明は省略する。また、コンピュータや入力装置の構成も既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。

図１４は、本発明の他の実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。尚、図１４は、入射物の入射量に基づいた寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。

まず、コンピュータに入力された設計データ（設計パターンデータの部分）からスペース長などが抽出され、抽出されたデータに基づいて入射角が演算される。そして、コンピュータに入力された設計データから入射物の角度分布などが抽出され、入射角と入射物の角度分布などに基づいて入射量が演算される（ステップＳ１１０）。
次に、コンピュータに入力された寸法変換差の実測値（実験値）と入射量をパラメータとした寸法変換差の演算式との相関関係が解析される（ステップＳ１１１）。
次に、解析により求められた演算式に基づいて寸法変換差の予測値が演算される（ステップＳ１１２）。
尚、入射角、入射量の演算や相関関係の解析などについては、前述したものと同様のためその説明は省略する。また、コンピュータや入力装置の構成も既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。

以上、本発明の実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。

前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。

また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

本発明の第１の実施の形態に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。 比較例に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。 寸法変換差とスペース長との関係を例示するための模式グラフ図である。 パターンの形状が非線状となる場合を例示するための模式図である。 変換差予測点の垂直方向位置とスペース長とが、ウェーハの主面と垂直な方向における角度に与える影響を例示するための模式グラフ図である。 本発明の第２の実施の形態に係る寸法変換差予測方法を例示するための模式図である。 ラジカルの角度分布を例示するための模式図である。 寸法変換差の実測値（実験値）を例示するための模式グラフ図である。 寸法変換差の式による値と実測値（実験値）との関係を例示するための模式グラフ図である。 本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法について例示をするためのフローチャート図である。 フォトマスクの製造方法のブロック図である。 フォトマスクの製造と露光とを例示するためのブロック図である。 本発明の実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。 本発明の他の実施の形態に係る寸法変換差予測プログラムの動作手順を例示するためのフローチャートである。

符号の説明

１ ウェーハ、２ 絶縁膜、３ レジストパターン、Ｈ 寸法、Ｉ イオン、Ｌ ライン長、Ｒ ラジカル、Ｓ スペース長、θ１〜θ４ 角度、θ５ 入射角、θ６ 入射角

Claims (9)

1. 変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法。
2. 変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法。
3. 前記相関関係に基づいて多変量解析法、または応答曲面法により前記寸法変換差を予測すること、を特徴とする請求項１または２に記載の寸法変換差予測方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の寸法変換差予測方法により予測した寸法変換差に基づいて、設計パターンデータに対するプロセス変換差補正を行い、露光パターンデータを作成すること、を特徴とするフォトマスクの製造方法。
5. 光近接効果補正を併せて行うこと、を特徴とする請求項４記載のフォトマスクの製造方法。
6. 請求項４または５に記載のフォトマスクの製造方法によりフォトマスクを作成し、前記フォトマスクを用いて露光すること、を特徴とする電子部品の製造方法。
7. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の寸法変換差予測方法により予測した寸法変換差に基づいて、設計パターンデータを検証すること、を特徴とする電子部品の製造方法。
8. コンピュータに、
   変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて演算させ、
   前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差の予測を実行させること、を特徴とする寸法変換差予測プログラム。
9. コンピュータに、
   変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて演算させ、
   前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差の予測を実行させること、を特徴とする寸法変換差予測プログラム。

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