JP2005055563A - マスク補正プログラム、マスク補正方法およびマスク製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光用マスクのマスクパターン形状に対して、単にＯＰＣを行うだけではなく、転写後の寸法誤差の生じ易さをも考慮することで、従来よりも高精度な転写像を得ることを可能にする。
【解決手段】マスク補正量導出関数を用いて露光用マスクのマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行うのにあたり、第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて、前記マスク補正量導出関数を特定する。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィ工程で用いられる露光用マスクについてのマスク補正方法、マスク補正プログラムおよびマスク製造方法に関する。

一般に、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィ工程では、露光後またはエッチング処理後にウエハ等の被露光体上にて所望通りの転写像（パターン形状）を得ることが求められる。ただし、近年は露光装置の波長と同等またはそれよりも短いゲート線幅の形成が増えつつあることから、転写後の寸法（Critical dimension；以下「ＣＤ」と略す）精度を所望レベル以内に収めることが困難になって来ている。
また、露光用マスクにおけるマスクパターン形状を設計値通りに作成しても、光近接効果の影響によって必ずしも所望通りの転写像が得られるとは限らない。そのため、リソグラフィ工程で用いられる露光用マスクに対しては、通常、光近接効果による変動分を考慮して、そのマスクパターン形状に対して設計段階で補正を加える光近接効果補正（Optical Proximity effect Correction：以下、単に「ＯＰＣ」という）が行われる（例えば、特許文献１参照）。

ＯＰＣでは、マスクパターン形状に対する補正量が、例えばモデルベースＯＰＣであれば、いわゆる「モデル」と呼ばれるマスク補正量導出関数によって決定される。したがって、モデルベースＯＰＣを行う場合には、マスク補正量導出関数が補正結果に大きな影響を与えるため、そのマスク補正量導出関数の特定が非常に重要となる。マスク補正量導出関数の特定は、以下のようにして行われる。すなわち、従来は、設計上許可されているあらゆる形状および大きさのパターンの全てを代表し得る単純化されたパターンの集合体（以下「テストパターン」という）について、実際のプロセスを用いて露光、転写、エッチング等を行って転写像を得て、その寸法（以下「実測結果」という）を測定する。
モデル関数は、テストマスクパターンを入力データとして転写像を計算し出力し、測長箇所に相当する寸法を予測するものである。ここでマスク補正量を導出する際には
マスク補正量付加→転写像計算→設計パターンとの比較判定 を繰り返す
この際に前述のモデル関数を用いるので、前述のモデル関数を用いて予測した転写寸法と実測した寸法の差が可能な限り小さくなるように、モデル関数を構成する係数などを微調整している。

特開２００２−１２２９７７号公報

ところで、リソグラフィ工程においては、マスクパターン形状に寸法誤差が含まれていると、その寸法誤差が露光転写後の被露光体上にて増幅強調されてしまうことがある。さらに、その増幅強調される度合は、マスクパターン形状への依存性があり、例えばライン・アンド・スペース状のパターンでは、そのライン線幅やライン間ピッチによって異なる。このような露光用マスク上における寸法誤差の露光転写による増幅度を示す指標は、マスク誤差増幅度（Mask error Enhancement Factor；以下「ＭＥＥＦ」と略す）と呼ばれ、被露光体上の転写像の寸法変動量をマスク寸法（１倍の換算値）の変動量で除した数値、具体的には以下に示す（１）式で表される。

ＭＥＥＦ（Pitch，W）＝被露光体上パターン線幅寸法誤差／（露光用マスクＣＤ誤差×Ｍ）・・・（１）
（ただし、Ｍはマスク縮小倍率）

このように、ＭＥＥＦは、マスクパターン形状のライン線幅とライン間ピッチに依存し、マスクパターン形状の寸法誤差が増減した際の転写像に対する影響力を示している。
しかしながら、ＯＰＣによるマスク補正量を決定する際には、補正された露光用マスク上におけるマスクパターン形状の寸法が、その設計値と同一であるものとされている。すなわち、実際にはマスクパターン形状がその寸法誤差によって必ずしも設計値と同一であるとは限らないにも拘わらず、その寸法誤差についてのＭＥＥＦが全く考慮されていない。したがって、実際に作製した補正マスクパターン形状に寸法誤差（寸法のばらつき）が生じている場合には、マスク補正量導出関数を用いたＯＰＣを行っても、その寸法誤差がＭＥＥＦによって強調されて補正後のパターン形状にも残存してしまい、転写像上で数ｎｍ程度の無視できない誤差となって現れることも考えられる。

そこで、本発明は、露光用マスクのマスクパターン形状に対して、単にＯＰＣを行うだけではなく、転写後の寸法誤差の生じ易さをも考慮することで、従来よりも高精度な転写像を得ることのできるマスク補正プログラム、マスク補正方法およびマスク製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク補正プログラムで、コンピュータを、マスク補正量導出関数を用いて露光用マスクのマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行う補正手段として機能させるとともに、前記マスク補正量導出関数は、第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて特定されたものであることを特徴とする。

また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク補正方法で、マスク補正量導出関数を用いて露光用マスクのマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行うマスク補正方法であって、第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて、前記マスク補正量導出関数を特定することを特徴とする。

また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク製造方法で、被露光体上に所望パターンを露光転写する露光用マスクを作成するためのマスク製造方法であって、第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて、マスク補正量導出関数を特定し、前記マスク補正量導出関数を用いて形成すべきマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行って前記露光用マスクを得ることを特徴とする。

上記構成のマスク補正プログラム並びに上記手順のマスク補正方法およびマスク製造方法によれば、第１のテストパターンとその転写像との光近接効果によるずれ量の実測値、すなわち光近接効果によるパターンエッジ位置のずれ量の実測結果と、第２のテストパターンが転写像となった場合における寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度、すなわち寸法誤差が増減した際の転写像に対する影響力を示すＭＥＥＦとが、マスク補正量導出関数の基になる。このとき、第１のテストパターンと第２のテストパターンは、同一のものであっても良いが、光近接効果によるずれ量は主にパターン形状の端縁近傍に顕著に現れ、またＭＥＥＦは主にパターンのライン線幅やライン間ピッチに影響を受けるため、それぞれに対応したパターンとすることが望ましい。これらの両方に基づいて、マスク補正量導出関数が特定（モデルフィッティング）されることから、そのマスク補正量導出関数を用いて光近接効果補正を行えば、光近接効果補正は、光近接効果によるパターンエッジ位置のずれ量の実測値のみに基づくものではなく、ＭＥＥＦをも考慮した相補的なものとなる。

本発明に係るマスク補正プログラム、マスク補正方法およびマスク製造方法は、光近接効果補正を行う際に用いるマスク補正量導出関数がＭＥＥＦをも考慮して特定されるので、光近接効果によるずれ量の実測値のみに基づいてマスク補正量導出関数を特定した場合に比べて高精度なマスク補正量導出関数が実現され、結果としてＯＰＣ（光近接効果補正）の高精度化が図れるようになる。また、その補正精度を劣化させる要因が光近接効果の影響か、あるいはマスクパターン形状の寸法誤差の影響かの切り分けが可能となるので、補正精度の高精度化を図れるだけでなく、例えばＭＥＥＦの値が小さい部分は光近接効果による許容ずれ量を大きくするといった柔軟性のある対応も実現可能となる。

以下、図面に基づき本発明に係るマスク補正プログラム、マスク補正方法およびマスク製造方法の最良の実施の形態について説明する。

先ず、本発明に係るマスク補正プログラムの概要について説明する。ここで説明するマスク補正プログラムは、モデルベースＯＰＣを行うために用いられるものであり、さらに詳しくは露光用マスクを介してウエハ等の被露光体上への露光を行う際に、その被露光体上にて所望パターンの転写像を得るために用いられるものである。そのために、マスク補正プログラムは、演算機能やデータ入出力機能等を有したコンピュータや、コンピュータとしての機能を備えたマスク製造装置等（以下、これらを単に「コンピュータ」と総称する）において実行される。

このマスク補正プログラムを実行することにより、コンピュータでは、露光用マスクのマスクパターン形状に対するモデルベースＯＰＣを行う補正手段として機能するようになっている。なお、マスク補正プログラムは、予めコンピュータ内にインストールしておくことが考えられるが、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものをコンピュータが読み出しても、あるいは有線若しくは無線による通信手段を介してコンピュータに配信されるものであってもよい。

ここで、このコンピュータが行うモデルベースＯＰＣについて説明する。モデルベースＯＰＣでは、マスクパターン形状に対する補正量が、「モデル」と呼ばれるマスク補正量導出関数によって決定される。ただし、そのマスク補正量導出関数は、従来のモデルベースＯＰＣの場合とは異なり、詳細を後述するように、光近接効果によるパターンエッジ位置のずれ量の実測値とＭＥＥＦの値とに基づいて特定されたものである。

そして、そのマスク補正量導出関数を用いて、露光用マスクにおけるマスクパターン形状を補正する。これにより、補正後のマスクパターン形状を有した露光用マスクが形成されることになり、その露光用マスクを介してウエハ等の被露光体上への露光を行えば、その被露光体上にて所望パターンの転写像が得られるようになるのである。なお、ここで行う補正処理自体および露光用マスクの製造処理自体については、従来と同様に公知技術を用いて行えばよいため、ここではその説明を省略する。

このように、モデルベースＯＰＣを行う場合には、マスク補正量導出関数が補正結果に大きな影響を与えるため、そのマスク補正量導出関数の特定が非常に重要となる。そこで、次に、マスク補正量導出関数の特定について説明する。

マスク補正量導出関数は、光近接効果によるパターンエッジ位置のずれ量の実測値と、ＭＥＥＦの値とに基づいて特定される。
光近接効果によるずれ量の実測値とは、設計上許可されているあらゆる形状および大きさのパターンの全てを代表し得る単純化されたパターンの集合体であるテストパターン（以下「第１のテストパターン」という）に対して、実際のプロセスを用いて露光、転写、エッチング等を行って転写像の寸法を実測し、これにより得られる第１のテストパターンと転写像とのずれ量の実測値のことをいう。
モデル関数は、テストマスクパターンを入力データとして転写像を計算し出力し、測長箇所に相当する寸法を予測するものである。ここでマスク補正量を導出する際には
マスク補正量付加→転写像計算→設計パターンとの比較判定 を繰り返す
この際に前述のモデル関数を用いるので、前述のモデル関数を用いて予測した転写寸法と実測した寸法の差が可能な限り小さくなるように、モデル関数を構成する係数などを微調整している。
また、ＭＥＥＦとは、ライン線幅やライン間ピッチが異なる様々なテストパターン（以下「第２のテストパターン」という）に対して、実際のプロセスを用いて露光、転写、エッチング等を行って転写像の寸法を実測し、これにより得られる第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であり、既に説明した（１）式で示されるものである。

なお、光近接効果によるパターンエッジ位置のずれ量の実測値を得るための第１のテストパターンと、ＭＥＥＦの値を得るための第２のテストパターンとは、光近接効果によるずれ量が主にパターン形状の端縁近傍に顕著に現れ、またＭＥＥＦが主にパターンのライン線幅やライン間ピッチに影響を受けるため、上述したようなそれぞれに対応したパターンとすることが望ましいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、それぞれが同一のものであっても構わない。

このような光近接効果によるずれ量の実測値とＭＥＥＦの値とが入力されると、コンピュータは、これらの両方に基づいてモデルフィッティングを行って、連続的なモデルであるマスク補正量導出関数、すなわちＯＰＣモデルを特定するのである。

ところで、仮に、ＯＰＣを行った後に存在し得る転写像上でのパターン寸法公差の大きさ（以下「トータルＯＰＣ誤差値」という）について、以下の（２）式を想定する。

この（２）式において、「モデル補正誤差」とは、フィッティングされたプロセスモデル自体が持つ補正値の誤差に相当する。また、「マスク誤差起因分」とは、ＯＰＣ補正が施された露光用マスクにおけるマスク製造誤差がＭＥＥＦで強調されてウエハに転写されたために発生するパターンエッジ位置の誤差に相当する。すなわちＭＥＥＦで強調されたマスク寸法誤差起因のパターンエッジ位置誤差である。

この（２）式より、「モデル補正誤差」は、「マスク誤差起因分」がマスクパターン形状を構成する各パターンの線幅とピッチに依存することから、これと同様に各パターンの線幅とピッチに依存することがわかる。このことから、「モデル補正誤差」、すなわち満足すべき「モデル精度」については、以下の（３）式によって表すことができる。

この（３）式において、「マスク寸法誤差×ＭＥＥＦ」は、第２のテストパターンに基づいて求められるＭＥＥＦの値に相当し、例えばシミュレーション（実験とのキャリブレーション後）または実測値により、線幅およびピッチ毎に求めておく。なお、「マスク寸法誤差」は、その値自体はランダムな現象として現れるが、露光用マスクの製造プロセスの実力から一義的に得られる定数として取り扱うものとする。また、「ＯＰＣ補正残さ」とは、ＯＰＣを行った後に得られる転写像上での許容される誤差幅に相当する。

ＯＰＣモデルの特定は、これら（２）式および（３）式を基にして行う。すなわち、（２）式および（３）式から、各線幅およびピッチにおけるフィッティング誤差を算出し、これを規格化してマスクパターン形状に応じたフィッティングを行って、トータルＯＰＣ誤差値が所望範囲内に収まるように、すなわち所望通りの転写像が得られるように、ＯＰＣモデルを特定する。

ただし、（３）式より、「モデル補正誤差」は、ＭＥＥＦの値、すなわちパターンの線幅・ピッチ毎に異なる値を取ることがわかる。したがって、（２）式および（３）式を基にして特定したＯＰＣモデルを用いれば、ＯＰＣの対象となる露光用マスクの精度をモデルのみで規定するのではなくマスクプロセスまで考慮して決定することになるので、相補的に規格化することが可能となり、結果として全てのパターンのトータルＯＰＣ誤差値を所定所望範囲内に収めることが容易となる。

例えば半導体装置におけるトランジスタと成り得るゲート層にＯＰＣを行う場合を考える。

ゲート層にＯＰＣを行う場合には、先ず、ＯＰＣモデルを特定するための「テストパターン設計」を行う。この「テストパターン設計」では、トランジスタの実回路を設計する際に最小線幅、スペースを規定したルール（以下デザインルール）に従って、例えば図１（ａ）または（ｂ）に示すようなテストパターンを作成し、これと同時に「モデル精度」および「ＯＰＣ補正残さ」のスペックを定めておく。具体的には、例えば使用する露光装置をＮＡ０．６０、σ０．７０なるＫｒＦ露光装置とし、目標線幅を２５０ｎｍとし、ＯＰＣ補正残さのスペック（線幅）をウエハ上１５ｎｍとする。なお、ここで設計するテストパターンには、モデル作成用の第１のテストパターンのみでなく、ＭＥＥＦを求めるための第２のテストパターンも含めておく。第２のテストパターンとしては、例えば図２に示すように、目標線幅の５本バーパターンのピッチを変えた複数個のパターンを基準とし、線幅を増減させ同ピッチを持つ何水準かのパターン群からなるものが考えられる。

「テストパターン設計」の後は、続いて、「テストマスク作成」を行う。この「テストマスク作成」では、「テストパターン設計」で得たテストパターンについての設計データを基に、そのテストパターンに対応する露光用マスク（以下「テストマスク」という）を作成する。このときのマスク作成は、公知技術を用いて行えばよい。そして、テストマスクの作成後は、「テストマスク測定」を行う。この「テストマスク測定」では、テストマスク上におけるマスクパターン形状の寸法を、例えば走電型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測長する。その結果、例えば図３（ａ）に示すように、目標線幅を２５０ｎｍに対して線幅を１０ｎｍ増減させたスルーピッチの線幅の測長結果、すなわち２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍの三水準のデータが得られることになる。

「テストマスク測定」の後は、続いて、「ウエハ転写」を行う。この「ウエハ転写」では、テストマスクを用いてウエハ上への露光を行い、そのウエハ上へのパターンの転写、成形を行う。以下、パターンの転写、成形されたウエハのことを「サンプル」という。なお、このときの露光転写は、公知技術を用いて行えばよい。そして、サンプルを得た後は、「サンプル測定」を行う。この「サンプル測定」では、サンプル上に形成されているパターン形状の寸法を、例えばＳＥＭを用いて測長する。図１（ａ）（ｂ）に示されてような箇所を測長する。測長箇所は、「テストマスク測定」でのテストマスク上における測長箇所と同一とする。その結果、例えば図３（ｂ）に示すように、ライン幅２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍの三水準のウエハ加工後の測長結果が得られることになる。

このようにして「テストマスク測定」および「サンプル測定」を行い、以下（４）式より「ＭＥＥＦ算出」を行う。この「ＭＥＥＦ算出」では、「テストマスク測定」および「サンプル測定」で得られた各データ、すなわち三水準の測長結果の差分を求め、その差分を用いてウエハ転写後の影響を算出する。図３（ｃ）および（ｄ）は、ライン幅２５０ｎｍを基準としたときの差分を示したものである。これらの図中において、最下段はレンジ（RANGE）となっている。また、図４（ａ）および（ｂ）は、図３（ｃ）および（ｄ）に示した差分、すなわちマスク上およびウエハ上での線幅差をグラフ化したものである。
そして、ピッチ毎に「サンプル測定」での測長結果であるレンジの値を「テストマスク測定」での測長結果であるレンジの値で除算すると、その算出結果がそれぞれのピッチにおけるＭＥＥＦの値となる。つまり、ＭＥＥＦは、以下の（４）式によって求められる。

具体的には、例えば目標線幅（基準線幅）２５０ｎｍのピッチ５００ｎｍでは、ＭＥＥＦの値は、図３（ｃ）（ｄ）より５１／２０＝２．５５となる。これと同様にピッチ毎にＭＥＥＦの値を算出すると、その結果は、図３（ｅ）に示すようになる。

ＭＥＥＦの値を算出すると、その後は、「モデル精度決定」を行う。この「モデル精度決定」では、「ＯＰＣ補正残さ」のスペックから、必要な「モデル精度」を決定する。すなわち、各パターンにおいて、上述した「ＭＥＥＦ算出」で算出したＭＥＥＦの値を基に、（３）式によってパターンピッチ毎に満たすべき「モデル精度」を算出する。その結果、例えばピッチに関わらず一律５ｎｍのマスク寸法誤差が発生する際に、必要なモデル精度（フィッティング残差スペック）は図３（ｅ）となる。図５は、図３（ｆ）に示したモデル精度（フィッティング残差スペック）をグラフ化したものである。左軸にＭＥＥＦ、右軸にフィッティング残さスペックを示す。

この「モデル精度」は、ＭＥＥＦの値が大きい箇所はその精度を厳しいものとする必要があるが、ＭＥＥＦの値が小さい箇所であれば要求される精度の許容範囲が大きいものとなる。具体的には、「ＯＰＣ補正残さ」のスペックを線幅で１５ｎｍとし、「マスク寸法誤差」をウエハ換算で５ｎｍと仮定した場合を想定する。その場合において、例えばパターン密度が密側でＭＥＥＦも大きい、線幅２５０ｎｍ、ピッチ５００ｎｍのライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）パターンを考える。このときのＭＥＥＦの値は「２．５５」である。これらの値を（３）式に当てはめると、以下の（５）式のようになり、モデル精度＜８という結果が得られる。これは、モデルのフィッティング残さスペックを線幅で８ｎｍ以内に収める必要があることを示している。これと同様に、ＭＥＥＦが約１となる疎ピッチ（孤立パターン）のモデルフィティングスペックは図５に示す通り、約１４ｎｍとなる。

このようにして「モデル精度決定」を行った後は、続いて、「モデル作成」を行う。この「モデル作成」では、「モデル精度決定」にて定めた実効スペックを満たすように、ＯＰＣモデルを特定する。これにより、ＯＰＣのためのＯＰＣモデル、すなわちＯＰＣの際に用いられるマスク補正量導出関数が特定されることになる。なお、マスク補正量導出関数の導出に必要となるＯＰＣモデルのフィッティングについては、公知技術を用いて行えばよいため、ここではその説明を省略する。

そして、「モデル作成」を行った後は、「ＯＰＣ実行」を行う。すなわち、特定したＯＰＣモデルを用いて、トランジスタの実回路に対するＯＰＣを行う。
このときのＯＰＣは、ＭＥＥＦをも考慮して特定したＯＰＣモデルを用いて行うものである。すなわち、そのＯＰＣモデルは、主にマスクパターン設計の現場で用いられるＯＰＣという概念に、主にマスクパターン形成の現場で用いられるＭＥＥＦという概念を適用し、相補的な規格化を可能としたものである。したがって、従来に比べてＯＰＣの高精度化が図れるようになり、さらには例えばＭＥＥＦの値が小さい部分は光近接効果による許容ずれ量を大きくするといった柔軟性のある対応も実現可能となる。

なお、本発明は、ＯＰＣを必要とする露光用マスクであれば、電子線、イオンビーム、荷電粒子線等のいずれにより露光を行うものであっても、またＬＥＥＰＬ（Low Energy E-beam Proximity Projection Lithography）のような電子線等倍近接露光に対応するものであっても、全く同様に適用できる。

テストパターンの一具体例を示す説明図であり、（ａ）はライン状のパターンを示す図、（ｂ）はライン・アンド・スペース状のパターンを示す図である。（実施例１） テストパターンの他の具体例を示す説明図であり、線幅およびピッチの異なる何水準かのパターン群からなるものを示す図である。（実施例１） テストパターンから得られるデータの一具体例を示す説明図であり、（ａ）はパターンの線幅測長結果を示す図、（ｂ）はパターン転写後における線幅測長結果を示す図、（ｃ）は各水準の差分の測長結果を示す図、（ｄ）はパターン転写後における各水準の差分の測長結果を示す図、（ｅ）はＭＥＥＦ算出結果、算出されたモデルフィッテングスペックを示す図（実施例１） マスク上およびウエハ上での線幅公差の具体例をグラフ化した説明図であり、（ａ）はマスク上の線幅公差を示す図、（ｂ）はウエハ上の線幅公差を示す図である。（実施例１） ＭＥＥＦとモデル精度（フィッティング残さスペック）との相関の具体例をグラフ化した説明図である。（実施例１）

Claims (3)

1. コンピュータを、マスク補正量導出関数を用いて露光用マスクのマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行う補正手段として機能させるとともに、
   前記マスク補正量導出関数は、第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて特定されたものである
   ことを特徴とするマスク補正プログラム。
2. マスク補正量導出関数を用いて露光用マスクのマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行うマスク補正方法であって、
   第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて、前記マスク補正量導出関数を特定する
   ことを特徴とするマスク補正方法。
3. 被露光体上に所望パターンを露光転写する露光用マスクを作成するためのマスク製造方法であって、
   第１のテストパターンと当該第１のテストパターンによる転写像との光近接効果によるずれ量の実測値と、第２のテストパターンが転写像となった場合における当該第２のテストパターンの寸法誤差の増幅度を示す指標であるマスク誤差増幅度とに基づいて、マスク補正量導出関数を特定し、
   前記マスク補正量導出関数を用いて形成すべきマスクパターン形状に対する光近接効果補正を行って前記露光用マスクを得る
   ことを特徴とするマスク製造方法。
   

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