CN105223770B - 光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。本发明还公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，不会增加系统的负担。

Description

光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统。
背景技术
在半导体的制备过程中，当客户的版图中出现有特殊设计的区域时，为了实现OPC(Optical Proximity Correction，光学临近效应修正)时对此区域进行特殊处理，客户会增加一层标记层(mark layer)对此特殊区域进行标注。但是，客户提供的标记层经常会出现只覆盖多边图形(polygon)部分区域的现象，如图2所示，从而导致系统对标记层覆盖(under mark layer)区域识别错误。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种避免标记层只覆盖多边图形部分区域的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法。
还提供了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。
一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
在其中一个实施例中，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。
在其中一个实施例中，所述对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形的步骤具体为：将所述多边图形的边缘向外扩展预设值。
在其中一个实施例中，所述预设值为0～50纳米。
在其中一个实施例中，所述预设值为20～30纳米。
一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，包括：第一获取模块，用于获取半导体版图和标记层；第二获取模块，用于获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；放大处理模块，用于对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；合成模块，用于将所述新的多边图形与所述标记层合成一个新的标记层；以及特殊处理模块，用于在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
在其中一个实施例中，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。
在其中一个实施例中，所述放大处理模块用于对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形具体为：所述放大处理模块将所述多边图形的边缘向外扩展预设值。
在其中一个实施例中，所述预设值为0～50纳米。
在其中一个实施例中，所述预设值为20～30纳米。
上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，有效避免系统对标记层覆盖区域识别错误现象的发生，且该方法简单易行，不会增加系统的负担。
附图说明
图1为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法的流程图；
图2为半导体版图中标记层只覆盖多边图形部分区域的示意图；
图3为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法中执行步骤S120后得到的多边图形的示意图；
图4为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法中执行步骤S130后得到的新的多边图形的示意图；
图5为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法中执行步骤S140后得到标记层的示意图；
图6为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统的方框图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1所示为一实施例中光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括以下步骤。
S110，获取半导体版图和标记层。
在半导体版图中，当出现需要进行特殊设计的区域时，为实现光学临近效应修正(OPC)时对该区域进行特殊处理，往往通过增加一层标记层对此特殊区域进行标注。由于不同客户的需求不同，该标记层一般由客户进行提供。但是客户提供的标记层经常会出现只覆盖需要进行特殊处理的多边图形部分区域的现象，如图2所示。其中10所代表的区域为需要进行特殊处理的多边图形，20所代表的区域为标记层所覆盖的区域，30所代表的图形区域为标记层覆盖多边图形的区域。显然，标记层只覆盖了需要进行特殊处理的多边图形的部分区域，并没有完全覆盖多边图形。该现象会导致系统对标记层覆盖的多边图形的识别发生错误，进而导致生产出的半导体不能够满足客户需求。为避免前述问题的产生，本发明对标记层进行了优化，在客户提供的标记层的基础上制备一个新的标记层。
要对标记层进行优化，需要先获取半导体版图和标记层。在本实施例中，采用本领域技术人员习知的技术手段即可获取半导体版图和标记层，故不再赘述。
S120，获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形。
在本实施例中，获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形包括所有与标记层有重叠区域的多边图形。具体地，与标记层有重叠区域的多边图形包括完全与标记层重叠的多边图形和部分与标记层重叠的多边图形。图3为执行该步骤后获取到的多边图形的示意图。
S130，对多边图形进行放大处理得到新的多边图形。
通过对多边图形进行放大处理，可以确保得到的新的多边图形包含了所有与标记层有重叠区域的多边图形，同时也能够保证系统对标记层覆盖区域的多边图形进行有效的识别。在本实施例中，放大处理具体为将多边图形的边缘向外扩展预设值a。具体地，多边图形均为封闭结构，故以多边图形的封闭区域为内，反之则为外。将多边图形的边缘向外扩展预设值a，预设值a不宜过大。在本实施例中，预设值a的范围为0～50纳米。在其他的实施例中，预设值a也可以为20～30纳米。可以理解，在其他的实施例中，预设值a可以根据需要进行略微的调整。图4为步骤S130后获得的新的多边图形的示意图。其中虚线为未进行放大处理的多边图形的边缘，实线为经过放大处理后得到的新的多边图形的边缘。
S140，将新的多边图形与标记层合成为一个新的标记层。
将新的多边图形与标记层合成为一个新的标记层，如图5所示。其中10所代表的区域为需要进行特殊处理的多边图形，20所代表的区域为标记层所覆盖的区域，30所代表的图形区域为标记层覆盖多边图形的区域。显然，新的标记层能够完全覆盖并包含需要特殊处理的多边图形，能够有效避免标记层只覆盖多边图形部分区域的问题。本方法不需要对OPC系统的版本进行改变即可避免该问题的产生，从而实现OPC verify分类处理的目的，而且不会增加系统的负荷。
S150，在光学临近效应修正工艺中对被新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
根据需要，对新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理，以满足客户的需求。
上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象。同时，该方法简单易行，不会增加系统的负担。
如图6所示，为一实施例中的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，其包括第一获取模块610、第二获取模块620、放大处理模块630、合成模块640以及特殊处理模块650。
第一获取模块610用于获取半导体版图和标记层。在本实施例中，第一获取模块610采用本领域技术人员习知的技术手段即可实现对半导体版图和标记层的获取。
第二获取模块620用于获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形。其中，与标记层有重叠区域的多边图形包括所有与原始标记层完全重叠或者部分重叠的多边图形。
放大处理模块630用于对多边图形进行放大处理得到新的多边图形。具体地，放大处理模块630将多边图形的边缘向外扩展预设值。在本实施例中，预设值为0～50纳米。在其他实施例中，预设值也可以设置为20～30纳米。
合成模块640用于将新的多边图形与标记层合成为一个新的标记层。新的标记层能够完全覆盖需要进行特殊处理的所有多边图形，可以有效避免标记层只覆盖多边图形部分区域的问题，从而避免系统对标记层覆盖区域识别错误现象的发生，有效的提高了生产产品的合格率。
特殊处理模块650用于在光学临近效应修正工艺中对被新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理，以满足客户需求。
上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，且不会增加系统的负担。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，其特征在于，包括步骤：
获取半导体版图和标记层；
获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；
对所述多边图形进行边缘向外扩展预设值放大处理得到新的多边图形；
将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；
在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
2.根据权利要求1所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，其特征在于，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。
3.根据权利要求1所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，其特征在于，所述预设值为0～50纳米。
4.根据权利要求1所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，其特征在于，所述预设值为20～30纳米。
5.一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于获取半导体版图和标记层；
第二获取模块，用于获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；
放大处理模块，用于对所述多边图形进行边缘向外扩展预设值放大处理得到新的多边图形；
合成模块，用于将所述新的多边图形与所述标记层合成一个新的标记层；以及
特殊处理模块，用于在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
6.根据权利要求5所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，其特征在于，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。
7.根据权利要求5所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，其特征在于，所述预设值为0～50纳米。
8.根据权利要求5所述的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，其特征在于，所述预设值为20～30纳米。
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