CN116224708B - 一种掩模版图形的校正方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩模版图形的校正方法及装置，所述校正方法包括以下步骤：输入目标图形和模拟图形；根据模拟图形对目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量，并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量；根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形；当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形；以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。

Description

一种掩模版图形的校正方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种掩模版图形的校正方法及装置。

背景技术

光学邻近效应校正（Optical Proximity Correction，OPC）是一种光刻增强技术，主要在半导体器件的生产过程中使用，能够保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。对半导体结构进行光刻时，因光的波粒二象性，在关键尺寸较小的情况下，投影图像容易出现违规行为。例如实际投影得到的线宽比设计图形更窄或更宽，以及图像因光学分辨图形造成的失真。

如果不对投影图形进行纠正，将会极大地影响成品中集成电路的电性能。而现有的校正手段中，OPC校正过程复杂，且校正后仍旧难以保证图形曝光后具有足够的工艺窗口。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版图形的校正方法，提升了光学邻近校正的精度和效率，从而提升了成品半导体的电学性能。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种掩模版图形的校正方法，至少包括：

输入目标图形和模拟图形；

根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；

预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；

根据所述循环修正量或所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；

当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及

当所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。

在本发明一实施例中，获取所述初始修正图形的步骤包括：

当所述循环修正量大于等于所述校正量阈值，根据所述校正量阈值调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形；以及

当所述循环修正量小于所述校正量阈值，根据所述循环修正量调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形。

在本发明一实施例中，获取所述循环修正量依据以下公式：

D_i=n+1=b*（a+D_i=n）；

其中，D_i=n+1为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D_i=n为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数。

在本发明一实施例中，所述总循环次数和所述循环次数阈值的差值为2次或3次。

在本发明一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。

在本发明一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述循环次数阈值且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，以及当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。

在本发明一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸小于等于所述关键尺寸阈值时，输出所述初始修正图形。

在本发明一实施例中，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，输出所述校验修正图形。

在本发明一实施例中，输入所述模拟图形的步骤包括：

获取原始图形，所述原始图形为所述目标图形或所述初始修正图形或所述校验修正图形；

将所述原始图形输入光学邻近校正模型，并设置光刻参数；

对所述原始图形进行模拟光刻，获得所述模拟图形；以及

每当所述目标图形开始新的校正循环，输入所述模拟图形。

本发明提供了一种掩模版图形的校正装置，包括：

图形输入模块，用于输入目标图形和模拟图形；

循环校正模块，用于根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；

修正量计算模块，用于预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；

目标图形修正模块，用于根据所述循环修正量和所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；

初始修正图形校验模块，用于在所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值时，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及

图形输出模块，用于在所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数时，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。

如上所述，本发明提供了一种掩模版图形的校正方法及装置，能够对掩模版图形进行光学邻近校正，使校正后的目标图形在光刻后能得到与设计图形误差小的图形。并且，本发明中掩模版图形的校正方法，误差累积小，且对设备算力要求低，校正后的目标图形精度高且校正效率也高。根据本发明提供掩模版图形的校正方法，将获得的掩模版应用于光学邻近校正，能够提升成品半导体的关键尺寸精度，从而保障半导体器件的电学性能。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中目标图形的示意图。

图2为本发明一实施例中模拟图形的示意图。

图3为本发明一实施例中图形修正方法的流程图。

图4为本发明一实施例中初始修正图形的示意图。

图5为本发明一实施例步骤S40和步骤S50的流程示意图。

图6为本发明一实施例中进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。

图7为本发明另一实施例中进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。

图8为每次校正循环都进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。

图9为在奇数校正循环回合进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。

图10为在偶数校正循环回合进行关键尺寸阈值校验的收敛度示意图。

图11为本发明一实施例中掩模版图形的校正装置的示意图。

图中：100、目标图形；101、线宽尺寸；102、密集图形间距尺寸；103、图形头对头尺寸；104、图形拐角尺寸；200、模拟图形；300、初始修正图形；400、图形修正装置；401、图形输入模块；402、循环校正模块；403、修正量计算模块；404、目标图形修正模块；405、初始修正图形校验模块；406、图形输出模块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在半导体集成电路的制程中，首先进行电路设计，再将电路设计方案经过版图设计形成版图图形，后将版图图形通过曝光显影等手段转移到掩模版上，形成掩模版图形。在利用掩模版图形对晶圆光刻前，可以通过本发明提供的掩模版的图形修正方法对掩模版图形进行校正，使得掩模版图形在晶圆上形成的目标图形与设计的版图图形高度拟合。具体的，当晶圆上的线宽小于曝光波长时，可以对掩模上的图形进行校正。例如，使用248nm波长光刻机，当图形线宽小于例如250nm时，可以对掩模版图形进行简单的图形校正。当图形线宽小于例如180nm时，可以对掩模版图形进行严格的图形校正。

请参阅图1至图3所示，本发明提供了一种掩模版图形的校正方法，可以用于例如250nm及以下的掩模版图形校正。具体的，本发明所述掩模版图形的校正方法包括步骤S10。在步骤S10中，输入目标图形和模拟图形。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，目标图形100可以是经集成电路设计后制作得到的掩模版图形。其中，可以通过相移掩模将电路设计的版图图形转移至掩模版上。具体地，可以将设计的版图图形通过电子束曝光机曝光，并将版图图形曝光至涂油感光材料的掩模版上，然后经过显影、干法蚀刻等过程版图图形精确地定像在掩模版上，再经清洗、检测处理后对掩模版涂胶。对掩模版再次曝光后显影，通过对相移层的干法蚀刻和相位检测等多个步骤形成掩模版图形。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，目标图形100可以包括线宽尺寸101、密集图形间距尺寸102、图形头对头尺寸103和图形拐角尺寸104。其中，目标图形100包括多个主图案，且主图案可以是密集图形，例如多个线性阵列分布且相邻的条状图形。主图案也可以是稀疏图形，例如单个条状图形，或是间隔距离较大的多个条状图形。主图案也可以是具有拐角部的图形，且本发明不限定主图案的拐角部数量。图1中部分主图案包括例如2个拐角部。在本实施例中，目标图形100中，线宽尺寸101可以是主图案的宽度尺寸。密集图形间距尺寸102可以是多个密集图案之间的间距尺寸。图形头对头尺寸103可以是密集图案和稀疏图案之间的间距尺寸，且可以是最小间距尺寸。图形拐角尺寸104可以是体现主图案中拐角部角度的尺寸。本发明不限定目标图形100的尺寸类型为上述尺寸类型，也不限定目标图形100的主图案为上述图案类型。例如，目标图形100还可以包括线对头尺寸（space patternabout head to line），用以体现主图案的端部与另一主图案的边之间的距离。其中，目标图形100的主图案中可以包括多种直线线型和弧形线型的组合图形，例如矩形、圆形、椭圆形和弯折图形等等。在本发明的其他实施例中，还可以设置辅助图形，例如亚分辨率辅助图形（Sub-Resolution Assistant Feature），帮助调整目标图形100。

请参阅图1和图2所示，在本发明一实施例中，在目标图形100的基础上，可以通过基于模型的光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC）获得目标图形100经过模拟光刻获得的模拟图形200。具体的，获取光学邻近校正模型，设定目标图形100的光刻机参数。其中，光学邻近校正模型可以是经过多次验证的校正模型，能够模拟光刻条件，并用光学模型和光刻胶化学反应模型来计算出目标图形100经曝光后的模拟图形200。将目标图形100的图形信息和晶圆的关键尺寸信息以及多个辅助图形输入光学邻近校正模型中，通过光学邻近校正模型的计算，获得模拟图形200。如图2所示，在模拟光刻条件下，模拟图形200和目标图形100的边缘位置差别较大。因此根据模拟图形200可以对目标图形100进行调整。例如，模拟图形200中，线宽尺寸101减小，则可以增大目标图形100的线宽尺寸101，以弥补光学衍射造成的图形误差。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，本发明所述掩模版图形的校正方法还包括步骤S20。在步骤S20中，根据模拟图形200对目标图形100进行循环校正，并预设总循环次数和循环次数阈值。在本实施例中，在第一次校正时，根据模拟图形200和目标图形100，对目标图形100进行校正，获得第一初始修正图形。模拟图形200为目标图形100经光学邻近校正模型计算得到的图形。在第二次校正时，将目标图形100调整后的第一初始修正图形输入光学邻近校正模型中，获得第二模拟图形，并根据第二模拟图形调整目标图形100，获得第二初始修正图形。经过上述过程，完成对原始目标图形的2次循环校正，并以此类推，完成对目标图形100的多次循环校正。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S20中，预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值。其中，总循环次数可以根据产线能力、修正精确度以及计算设备的算力确定。并且，预设总循环次数可以基于大批量实验数据设置，晶圆关键尺寸不同、掩模版图形设计不同以及所使用的光学邻近校正模型的算力不同，都可以影响总循环次数的设置。其中，总循环次数大于等于例如10次。本发明对总循环次数不作严格限定。在本实施例中，循环次数阈值和总循环次数的差值为定值，且例如为2次~3次，具体的，循环次数阈值和总循环次数的差值为例如2次。例如，总循环次数为16次，则循环次数阈值可以是例如14次。

请参阅图3所示，在本发明一实施例中，每一次循环中，根据模拟图形和目标图形的尺寸差值，对目标图形进行校正。具体的，对目标图形进行校正的步骤包括步骤S30。在步骤S30中，预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量。其中，循环干涉量为上一次校正循环时获得的循环修正量。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，校正系数b可以是比例系数，且校正系数可以是例如0.5~1。通过校正系数调节目标图形的修正量，以避免目标图形的修正量过大。在实验时，每次实验中，获取目标图形多次校正循环的总校正量。可以根据多次实验的总校正量，预设校正量阈值c。其中，校正量阈值可以是纳米级数值。在步骤S30中，获取目标图形和模拟图形的尺寸差值。在本实施例中，可以根据线宽尺寸101、密集图形间距尺寸102、图形头对头尺寸103和图形拐角尺寸104，获取模拟图形和目标图形的多个尺寸差值a。循环干涉量D_i=n为上次校正循环中目标图形100的校正量。循环修正量为本次校正循环目标图形的修正量。其中，获取循环修正量D_i=n+1的数值可依据以下公式。

D_i=n+1=b*（a+D_i=n） （1）。

请参阅图1至图3以及式（1）所示，在发明一实施例中，式（1）中，D_i=n+1为循环修正量，b为校正系数，a为模拟图形和目标图形的尺寸差值，D_i=n为循环干涉量，i表示目标图形100进行校正循环的回合数，n可用于表示校正循环的次数。其中，i和n为自然数。其中，在第一次对目标图形进行校正时，循环干涉量D_i=0可以是例如0，循环修正量的计算公式可以被精简为D_i=1=b*a。在本实施例中，可以根据线宽尺寸101、密集图形间距尺寸102、图形头对头尺寸103和图形拐角尺寸104等关键尺寸位置，获取多个循环修正量。

请参阅图1至图4所示，在发明一实施例中，本发明所述掩模版的图形修正方法包括步骤S40。在步骤S40中，根据循环修正量和校正量阈值调整目标图形100，获取初始修正图形。具体的，在步骤S40中，当循环修正量小于校正量阈值，则根据循环修正量的数值对目标图形100进行校正。若是循环修正量大于等于校正量阈值，则根据校正量阈值c的数值对目标图形100进行校正，以防止目标图形在单次循环中被过度修正，从而提升多次循环校正的精度。

请参阅图1至图4所示，在发明一实施例中，可以在目标图形100上设置多个截线，如图1所示，例如设置了截线1、截线2、截线3和截线4。在目标图形100中，密集图形间距尺寸102包括尺寸a₀。目标图形100经模拟光刻后获得模拟图形200，目标图形100的边缘经过模拟光刻后发生位移，因此目标图形100的尺寸数值也随之变化。如图2所示，在模拟图形200中，密集图形间距尺寸102有多个数值。在本实施例中，截线沿着密集图形间距尺寸102的度量方向设置。模拟图形200中，密集图形间距尺寸102包括尺寸a₁、尺寸a₂、尺寸a₃和尺寸a₄。在步骤S30中，可以沿着截线，根据尺寸a₁与尺寸a₀的差值，以及校正系数和校正量阈值获取截线1上密集图形间距尺寸102的循环修正量。以此类推，获得截线2、截线3和截线4上密集图形间距尺寸102的循环修正量。在步骤S40中，根据截线1对应的循环修正量，移动截线1与目标图形100边原交点的位置，例如移动点A和点A’的位置，增加或缩减AA’的长度。以此类推，调整截线2上点B和点B’的位置，增加或缩减BB’的长度。以此类推，调整目标图形100的多个关键尺寸，再连线调整后的交点位置，如图4所示，形成初始修正图形300。在本发明的其他实施例中，也可以通过设置辅助图形，根据辅助图形和目标图形100的间距，帮助调整目标图形100的边缘。

请参阅图1至图4所示，在发明一实施例中，在步骤S30中，对目标图形100进行第一次循环校正，获得循环修正量D_i=1。在步骤S40中，根据循环修正量D_i=1对目标图形100进行校正，获得初始修正图形。对目标图形100进行第二次校正循环时，依据第一次校正循环时获得的循环修正量D_i=1的数值，计算循环修正量D_i=2的数值。因此在步骤S40中，在第二次校正循环时，可以根据循环修正量D_i=2调整目标图形100的尺寸，获得初始修正图形。以此类推，在第n次校正循环时，可以根据循环修正量D_i=n的数值调整目标图形100的尺寸，获得第n次循环的初始修正图形。在本实施例中，每一次校正循环获得的初始修正图形都可以用于下一次校正循环中的模拟光刻，以得到下一次校正循环所需的模拟图形。具体的，第一次校正循环中获得的第一初始修正图形，在第二次校正循环中，以第一初始修正图形作为目标图形，并将第一初始修正图形的信息输入光学邻近校正模型中进行模拟光刻，获得第二模拟图形。在第二次校正循环中，根据第二模拟图形调整目标图形100，获得目标图形100的循环修正量D_i=2，并获得第二次校正循环的第二初始修正图形。以此类推。在本实施例中，本次校正循环的初始修正图形覆盖前一次校正循环的初始修正图形，本次校正循环中对目标图形100的循环修正量随着循环次数累积，并不断迭代，直到校正循环结束。根据本发明提供的修正方法，不仅能通过多次循环提升图形修正的准确性，还能通过控制每次循环时的修正量提升图形修正的精度。并且，通过迭代获取每次循环的循环修正量，对初始的目标图形100进行计算，计算量小且精度高，误差干扰因素少。

请参阅图1至图4所示，在发明一实施例中，本发明所述掩模版的图形修正方法还包括步骤S50。在步骤S50中，预设关键尺寸阈值，当目标图形100的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形。

请参阅图1、图3和图5所示，在发明一实施例中，在步骤S20中，关键尺寸阈值m可以是预设数值，且预设多类关键尺寸阈值m。在本实施例中，可以分别根据线宽尺寸101、密集图形间距尺寸102、图形头对头尺寸103和图形拐角尺寸104设置关键尺寸阈值m₁、m₂、m₃和m₄。其中，关键尺寸阈值可以是根据集成电路设计和掩模版制造实验获得的数值或数值范围，以确保初始修正图形不会违背设计所限制的关键尺寸要求。在步骤S50中，当目标图形100的校正循环次数大于等于循环次数阈值，对初始修正图形进行校验。具体的，步骤S50包括步骤S501至步骤S504。

步骤S501、判断目标图形的校正循环次数是否大于等于循环次数阈值，当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，执行步骤S502。

步骤S502、判断初始修正图形的关键尺寸是否大于关键尺寸阈值，当初始修正图形的关键尺寸大于关键尺寸阈值，执行步骤S503，当初始修正图形的关键尺寸小于等于关键尺寸阈值，执行步骤S504。

步骤S503、根据初始修正图形和关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形的关键尺寸，直到初始修正图形的关键尺寸小于等于关键尺寸阈值。

步骤S504、对目标图形进行下一次循环校正。

请参阅图1、图3和图5所示，在发明一实施例中，在步骤S501中，当目标图形100的校正循环次数大于等于循环次数阈值时，执行步骤S502。在步骤S502中，判断本次循环中初始修正图形的关键尺寸（Critical Dimension，CD）是否小于等于关键尺寸阈值。例如，总循环次数为16次，则循环次数阈值为例如14次。当目标图形100的校正循环执行到如第14次时、第15次时和第16次时，执行步骤S502。在步骤S502中，以第14次校正循环为例说明对初始校正图形的处理。当校正循环执行到如第14次时，将第十三初始修正图形输入光学邻近校正模型中，获得第十四初始修正图形。判断第十四初始修正图形的关键尺寸是否小于等于关键尺寸阈值。具体的，在步骤S502中，分别判断第十四初始修正图形的线宽尺寸是否小于等于关键尺寸阈值m₁、密集图形间距尺寸是否小于等于关键尺寸阈值m₂、图形头对头尺寸是否小于等于关键尺寸阈值m₃，以及判断图形拐角尺寸是否小于等于关键尺寸阈值m₄。若是第十四初始修正图形的全部关键尺寸都小于等于对应的关键尺寸阈值，则执行步骤S504，不对第十四初始修正图形进行校正，继续执行对目标图形100的第十五次校正循环。其中，第十四初始修正图形的任一关键尺寸大于对应的关键尺寸阈值，则执行步骤S503。在步骤S503中，根据第十四初始修正图形的关键尺寸和对应的关键尺寸阈值的差值，调整第十四初始修正图形的关键尺寸。具体的，可以减小第十四初始修正图形的关键尺寸，直到第十四初始修正图形的全部关键尺寸小于对应的关键尺寸阈值。

请参阅图1、图3和图5所示，在发明一实施例中，在步骤S503中，在单次校正循环中，获取目标图形100的单次循环总修正量，并根据校验总修正量调整目标图形100，获得校验修正图形。其中，单次循环修正量为单次循环的循环修正量和校验尺寸修正量之和。其中，校验尺寸修正量可以是初始修正图形的关键尺寸和关键尺寸阈值的差值，也可以大于初始修正图形的关键尺寸和关键尺寸阈值的差值，以使初始修正图形调整后的关键尺寸小于等于关键尺寸阈值。

请参阅图1、图3和图5所示，在发明另一实施例中，在步骤S501中，当目标图形100的校正循环次数等于循环次数阈值时，以及当目标图形100的校正循环次数等于总循环次数时，执行步骤S502，以平衡目标图形100的修正精确度和修正效率。例如，总循环次数为16次，循环次数阈值为例如14次。则当第14次对目标图形100进行校正时，执行步骤S502。当第15次对目标图形100进行校正时，直接执行步骤S40和S504，获得第十五初始校正图形后，直接执行对目标图形100的第16次校正循环。当第16次对目标图形100进行校正时，执行步骤S502。在本实施例中，总循环校正次数大于循环次数阈值，以保证在对目标图形100进行光学邻近校正时，至少执行2次对目标图形100的修正校验。且总循环校正次数和循环次数阈值的差值大于等于2，则可以保证两次修正校验过程非相邻的循环，以提升修正校验的效率。且在本实施例中，在最后一次执行对目标图形100的校正循环时，获得初始修正图形，执行对初始修正图形的修正校验，以提升对目标图形100输出图形的精确度。

请参阅图1、图5和图6所示，在发明一实施例中，当目标图形100的校正循环次数大于等于循环次数阈值，执行步骤S502。如图6所示，总循环次数为例如16次，循环次数阈值为例如14次。因此在第14次、第15次和第16次的校正循环中，通过关键尺寸阈值对初始修正图形进行修正校验。图6中，横轴表示目标图形100的循环次数，纵轴表示数值变化量。折线10表示目标曲线，用于表示目标图形100的尺寸。折线20表示校验曲线，用于表示关键尺寸阈值介入目标图形100的修正后，目标图形100的尺寸变化量，负数可代表目标尺寸100的关键尺寸减少对应的数值，正数可以用于表示目标尺寸100的关键尺寸增加对应的数值。折线30表示目标图形100经模拟光刻后的收敛度（Edge Placement Error，EPE），可用于表示初始修正图形或校验修正图形与目标图形的拟合程度。具体的，收敛度可以通过计算模拟图形与目标图形的位置误差获得。如图6所示，本实施例的修正校验方法，兼具修正效率和修正精确度。

请参阅图1和图7所示，在发明一实施例中，当目标图形100的校正循环次数等于总循环次数和循环次数阈值时，执行步骤S502，通过关键尺寸阈值对初始修正图形进行修正校验。如图7所示，总循环次数为例如16次，循环次数阈值为例如14次。因此在第14次和第16次的校正循环中，通过关键尺寸阈值对初始修正图形进行修正校验。图7中，可以看到在第1次修正时，收敛度的变化较大，且第一次修正时，收敛度可以达到例如7nm。从第4次修正开始，可以看到目标图形100的修正收敛度变化不大，且都为正数，并不符合关键尺寸阈值的限制。直到第16次对初始修正图形进行修正校验时，收敛度达到例如-10nm。此时目标图形100符合关键尺寸阈值的限制。本实施例中的修正校验方法，效率更高。

请参阅图1和图5，以及图8至图10所示，在发明一实施例中，对关键尺寸阈值介入的修正步骤进行调整试验。图8中，在目标图形100的每个校正循环中，执行步骤S502，将初始修正图形的关键尺寸和关键尺寸阈值进行比较。如图8所示，前4次校正循环中，目标图形100的收敛度变化较大，从第5次校正循环开始，收敛度变化较小。第15次校正循环时，收敛度符合关键尺寸阈值的规则，但收敛度较大，在第16次校正循环时，收敛度符合关键尺寸阈值的规则且收敛度较小。可以看出这一方法中，校正效率和校正的精确度未被良好平衡，在第5次至第15次的关键尺寸阈值校验得到的校正结果不够理想。设置总循环次数后，图9为在奇数的校正循环回合进行关键尺寸阈值的校验，图10为在偶数的校正循环回合进行关键尺寸阈值的校验。综合这几种实验方式，可以看出本发明中提供的在大于等于循环次数阈值时进行关键尺寸阈值的校验，能够平衡校正效率和校正的精确度，使目标图形100的调整获得符合掩模规则检查（Mask Rule Check，MRC）。

请参阅图1、图3和图5所示，在发明一实施例中，本发明所述掩模版的图形修正方法还包括步骤S60。在步骤S60中，当目标图形100的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。在步骤S50中，当目标图形100的校正循环次数等于循环次数阈值时，对目标图形100的初始修正图形进行第一次关键尺寸阈值校验。当目标图形100的校正循环次数等于总循环次数时，对目标图形100的初始修正图形进行最后一次关键尺寸阈值校验，获得校验修正图形。在步骤S60中，将最后一次关键尺寸阈值校验获得的校验修正图形输出。其中，当目标图形100的校正循环次数达到总循环次数，而本次初始修正图形不满足关键尺寸阈值的修正条件，则输出最后一次校正循环的初始修正图形。

请参阅图3和图11所示，本发明还提供一种掩模版的图形修正装置400，修正装置400包括图形输入模块401、循环校正模块402、修正量计算模块403、目标图形修正模块404、初始修正图形校验模块405和图形输出模块406。其中，图形输入模块401用于输入目标图形100和模拟图形200。循环校正模块402用于根据模拟图形对目标图形100进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值。修正量计算模块403用于预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形100和本次循环的模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形100的循环修正量。目标图形修正模块404用于根据循环修正量和校正量阈值调整目标图形100，获取初始修正图形。初始修正图形校验模块405用于在目标图形100的校正循环次数大于等于循环次数阈值时，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形。图形输出模块406用于在目标图形100的校正循环次数达到总循环次数时，输出校验修正图形或初始修正图形。

本发明提供了一种掩模版图形的校正方法及系统，在输入目标图形后，根据光学邻近校正模型获取目标图形经模拟光刻后的模拟图形，输入模拟图形，根据模拟图形对目标图形进行循环校正。预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值，以及校正系数和校正量阈值。根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量。根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形。当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形。当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (8)

1.一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，至少包括：

输入目标图形和模拟图形，其中输入所述模拟图形的步骤包括：

获取原始图形，所述原始图形为所述目标图形或初始修正图形或校验修正图形；

将所述原始图形输入光学邻近校正模型，并设置光刻参数；

对所述原始图形进行模拟光刻，获得所述模拟图形；以及

每当所述目标图形开始新的校正循环，输入所述模拟图形；

根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；

预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量，其中获取所述循环修正量依据以下公式：D_i=n+1=b*（a+D_i=n），其中，D_i=n+1为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D_i=n为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数；

根据所述循环修正量或所述校正量阈值调整所述目标图形，获取所述初始修正图形；

当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得所述校验修正图形；以及

当所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。

2.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，获取所述初始修正图形的步骤包括：

当所述循环修正量大于等于所述校正量阈值，根据所述校正量阈值调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形；以及

当所述循环修正量小于所述校正量阈值，根据所述循环修正量调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形。

3.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，所述总循环次数和所述循环次数阈值的差值为2次或3次。

4.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。

5.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，当所述目标图形的校正循环次数等于所述循环次数阈值且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，以及当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，获取所述校验修正图形。

6.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸小于等于所述关键尺寸阈值时，输出所述初始修正图形。

7.根据权利要求1所述的一种掩模版图形的校正方法，其特征在于，当所述目标图形的校正循环次数等于所述总循环次数，且所述初始修正图形的关键尺寸大于所述关键尺寸阈值时，输出所述校验修正图形。

8.一种掩模版图形的校正装置，其特征在于，包括：

图形输入模块，用于输入目标图形和模拟图形，其中输入所述模拟图形的步骤包括：

获取原始图形，所述原始图形为所述目标图形或初始修正图形或校验修正图形；

将所述原始图形输入光学邻近校正模型，并设置光刻参数；

对所述原始图形进行模拟光刻，获得所述模拟图形；以及

每当所述目标图形开始新的校正循环，输入所述模拟图形；

循环校正模块，用于根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；

修正量计算模块，用于预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量，其中获取所述循环修正量依据以下公式：D_i=n+1=b*（a+D_i=n），其中，D_i=n+1为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D_i=n为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数；

目标图形修正模块，用于根据所述循环修正量和所述校正量阈值调整所述目标图形，获取所述初始修正图形；

初始修正图形校验模块，用于在所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值时，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得所述校验修正图形；以及

图形输出模块，用于在所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数时，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。