JP2001344302A - 電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装置 - Google Patents
電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子線露光装置における、ＣＡＤデータを変換
したＥＢ用データが元のＣＡＤデータと相違ないかどう
かを正確に効率的に検証する。 【解決手段】電子線露光装置の、ＬＳＩ設計データ（Ｃ
ＡＤデータ）２１とそのデータ変換後のＥＢデータ２２
との間で、排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算を行う第１の
工程と、第１の工程で出力されたデータとＣＡＤデータ
２１との間で論理積（ａｎｄ）演算を行う第２の工程
と、第２の工程の出力から図形数が０かどうかを判断す
る第３の工程から構成され、図形数が０でない時、デー
タ変換時に変換エラー２４があったかどうかを効率的に
判断するように動作する。
したＥＢ用データが元のＣＡＤデータと相違ないかどう
かを正確に効率的に検証する。 【解決手段】電子線露光装置の、ＬＳＩ設計データ（Ｃ
ＡＤデータ）２１とそのデータ変換後のＥＢデータ２２
との間で、排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算を行う第１の
工程と、第１の工程で出力されたデータとＣＡＤデータ
２１との間で論理積（ａｎｄ）演算を行う第２の工程
と、第２の工程の出力から図形数が０かどうかを判断す
る第３の工程から構成され、図形数が０でない時、デー
タ変換時に変換エラー２４があったかどうかを効率的に
判断するように動作する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線によって微細
パターンを形成する電子線描画装置用パターンデータ処
理方法に関し、特にパターンデータの信頼性を向上させ
た電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装
置に関する。
パターンを形成する電子線描画装置用パターンデータ処
理方法に関し、特にパターンデータの信頼性を向上させ
た電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成できる有効な露光方法である。従来の
この種の電子線露光装置としては、特開平−１１−６７
６３４号公報に示されたものがあり、これは、図３のブ
ロック図に示すような、電子ビーム露光装置が用いられ
ている。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成できる有効な露光方法である。従来の
この種の電子線露光装置としては、特開平−１１−６７
６３４号公報に示されたものがあり、これは、図３のブ
ロック図に示すような、電子ビーム露光装置が用いられ
ている。
【０００３】この電子ビーム露光装置は、第１アパーチ
ャー３と複数個の開口パターン６Ａ〜６Ｅを設けた第２
アパーチャー６とで電子ビーム５０Ａを複数個のパター
ンを有する電子ビーム５０Ｂに成形し、レジストを塗布
した半導体ウエハ１１上に照射して微細パターンを形成
する装置である。
ャー３と複数個の開口パターン６Ａ〜６Ｅを設けた第２
アパーチャー６とで電子ビーム５０Ａを複数個のパター
ンを有する電子ビーム５０Ｂに成形し、レジストを塗布
した半導体ウエハ１１上に照射して微細パターンを形成
する装置である。
【０００４】図３において、電子銃１を発した電子ビー
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台１２の上の半導体ウエハ１１に照射され
る。
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台１２の上の半導体ウエハ１１に照射され
る。
【０００５】第１アパーチャー３には四角の開口部３Ａ
が形成されており、矩形ビーム５０Ａが形成される。第
２アパーチャー６上には複数個の開口パターン６Ａ〜６
Ｅを一括開口として予め作っておき、第１アパーチャー
３を通して、四角形に成形された電子ビーム５０Ａを第
２アパーチャー６上の一括開口上に照射し、この内の複
数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂを半導体ウエ
ハ上に塗布してあるレジストに照射して、複数個のパタ
ーンを一度に転写する方法である。すなわち、一回の電
子ビームのショットにより、１個もしくは複数のパター
ンの潜像をレジストに形成することができる。
が形成されており、矩形ビーム５０Ａが形成される。第
２アパーチャー６上には複数個の開口パターン６Ａ〜６
Ｅを一括開口として予め作っておき、第１アパーチャー
３を通して、四角形に成形された電子ビーム５０Ａを第
２アパーチャー６上の一括開口上に照射し、この内の複
数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂを半導体ウエ
ハ上に塗布してあるレジストに照射して、複数個のパタ
ーンを一度に転写する方法である。すなわち、一回の電
子ビームのショットにより、１個もしくは複数のパター
ンの潜像をレジストに形成することができる。
【０００６】形成すべき図形データは、記憶装置１５に
保存されており、データバス１３を介して計算機１４に
より図形データ用メモリ１７に読み出された後、データ
の展開、ソート等の必要な処理が行われる。これらのデ
ータは制御装置１６を通してブランキング電極２、成形
偏向器５、主偏向器８、副偏向器９に転送され、半導体
ウエハ１１上の所望の位置に所望の形状の電子ビーム５
０Ｂを照射することが出来る。また、可変成形用開口パ
ターン６Ｆを用いることで、矩形ビーム５０Ａを任意の
大きさの矩形ビーム５０Ｃに成形し、半導体ウエハ上に
塗布してあるレジストに照射することで、任意の大きさ
のパターンを形成することもできる。
保存されており、データバス１３を介して計算機１４に
より図形データ用メモリ１７に読み出された後、データ
の展開、ソート等の必要な処理が行われる。これらのデ
ータは制御装置１６を通してブランキング電極２、成形
偏向器５、主偏向器８、副偏向器９に転送され、半導体
ウエハ１１上の所望の位置に所望の形状の電子ビーム５
０Ｂを照射することが出来る。また、可変成形用開口パ
ターン６Ｆを用いることで、矩形ビーム５０Ａを任意の
大きさの矩形ビーム５０Ｃに成形し、半導体ウエハ上に
塗布してあるレジストに照射することで、任意の大きさ
のパターンを形成することもできる。
【０００７】この図形一括描画方式の方法により、同様
のパターンを描画するのに必要なショット数は従来用い
られてきた可変成形方式の電子ビーム露光装置に比べ、
約１／１０〜１／１００となる。この結果、電子ビーム
露光を行うのに必要な時間は減少し、スループットを改
善することが出来る。さらに図形一括描画方式では第２
アパーチャ上に予め規定された寸法の開口部が設けられ
ているため、第２アパーチャを通過した後の電子ビーム
５０Ｂのサイズが安定しており、高寸法精度のパターン
が得られる。
のパターンを描画するのに必要なショット数は従来用い
られてきた可変成形方式の電子ビーム露光装置に比べ、
約１／１０〜１／１００となる。この結果、電子ビーム
露光を行うのに必要な時間は減少し、スループットを改
善することが出来る。さらに図形一括描画方式では第２
アパーチャ上に予め規定された寸法の開口部が設けられ
ているため、第２アパーチャを通過した後の電子ビーム
５０Ｂのサイズが安定しており、高寸法精度のパターン
が得られる。
【０００８】ところが、第２アパーチャ６に搭載できる
図形一括セルの数は有限であり、全てのパターンを図形
一括方式で描画できるわけではなく、図形一括セルとし
て抽出されなかったパターンは可変成形方式で描画され
ることになる。これらの振り分けは一般にデータ変換ソ
フトによって行われる。
図形一括セルの数は有限であり、全てのパターンを図形
一括方式で描画できるわけではなく、図形一括セルとし
て抽出されなかったパターンは可変成形方式で描画され
ることになる。これらの振り分けは一般にデータ変換ソ
フトによって行われる。
【０００９】この処理は、図４のフロー図に示される。
この図４に示すように、まずＣＡＤデータ２１を入力デ
ータとするＥＢ用データ変換（ステップＳ１１）を行
い、その出力データとなるＥＢ用データ２２内にその結
果が記述される。
この図４に示すように、まずＣＡＤデータ２１を入力デ
ータとするＥＢ用データ変換（ステップＳ１１）を行
い、その出力データとなるＥＢ用データ２２内にその結
果が記述される。
【００１０】しかし、可変成形方式で描画できるパター
ンは矩形のみであるため、図５のパターン図に示すよう
に、矩形パターン３２はそのまま矩形データ３４に変換
されるが、斜め線パターン３１は、一般に図５（ｂ）に
示すように、複数の矩形３３に分割され、短冊状に近似
して描画される。
ンは矩形のみであるため、図５のパターン図に示すよう
に、矩形パターン３２はそのまま矩形データ３４に変換
されるが、斜め線パターン３１は、一般に図５（ｂ）に
示すように、複数の矩形３３に分割され、短冊状に近似
して描画される。
【００１１】一方、データ変換後のＥＢデータ２２が正
常かどうか、すなわちＣＡＤデータ２１とＥＢデータ２
２とが相違ないかどうかの確認は、従来、図６に示すよ
うなフローチャートに従って行われてきた。すなわち、
ＣＡＤデータ２１とデータ変換後のパターンデータ（Ｅ
Ｂデータ）２２との間で排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算
を行い（ステップＳ１）、ｅｘｏｒデータ２３を得る。
次に、ステップＳ３ａで、ｅｘｏｒデータ２３の図形数
が０であるかどうかを判断する。この図形数が０であれ
ば（Ｙ）、ＥＢデータ２２は正常と判断し（ステップＳ
４）、図形数が０でなければ（Ｎ），ＥＢデータ２２は
異常と判断する（ステップＳ５）。
常かどうか、すなわちＣＡＤデータ２１とＥＢデータ２
２とが相違ないかどうかの確認は、従来、図６に示すよ
うなフローチャートに従って行われてきた。すなわち、
ＣＡＤデータ２１とデータ変換後のパターンデータ（Ｅ
Ｂデータ）２２との間で排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算
を行い（ステップＳ１）、ｅｘｏｒデータ２３を得る。
次に、ステップＳ３ａで、ｅｘｏｒデータ２３の図形数
が０であるかどうかを判断する。この図形数が０であれ
ば（Ｙ）、ＥＢデータ２２は正常と判断し（ステップＳ
４）、図形数が０でなければ（Ｎ），ＥＢデータ２２は
異常と判断する（ステップＳ５）。
【００１２】しかし、このとき、図７のパターン図に示
すように、斜め線を矩形近似した図形３３が存在すれ
ば、ｅｘｏｒ演算後のデータ（ｅｘｏｒデータ）２３に
は、近似図形３３と元図形３１の差分図形３５が存在す
ることになり、ｅｘｏｒデータ２３の図形数が０でない
ことから、ＥＢデータ２２が異常と判断されてしまうこ
とになる。
すように、斜め線を矩形近似した図形３３が存在すれ
ば、ｅｘｏｒ演算後のデータ（ｅｘｏｒデータ）２３に
は、近似図形３３と元図形３１の差分図形３５が存在す
ることになり、ｅｘｏｒデータ２３の図形数が０でない
ことから、ＥＢデータ２２が異常と判断されてしまうこ
とになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術の問
題点は、ｅｘｏｒ演算によるデータ検証を行った場合、
得られる差分図形の中に斜め線を矩形近似した結果、発
生する差分図形とデータ変換時のエラーの結果、発生し
た差分図形が共に含まれるため、正確なデータ検証が不
可能となることである。
題点は、ｅｘｏｒ演算によるデータ検証を行った場合、
得られる差分図形の中に斜め線を矩形近似した結果、発
生する差分図形とデータ変換時のエラーの結果、発生し
た差分図形が共に含まれるため、正確なデータ検証が不
可能となることである。
【００１４】本発明の目的は、ｅｘｏｒ演算を用いた電
子線露光装置用パターンデータのデータ検証において、
斜め線を矩形近似した結果、得られる差分図形とデータ
変換時のエラーの結果、得られる差分図形を区別し、よ
り正確なデータ検証方法およびその検証装置を提供する
ことにある。
子線露光装置用パターンデータのデータ検証において、
斜め線を矩形近似した結果、得られる差分図形とデータ
変換時のエラーの結果、得られる差分図形を区別し、よ
り正確なデータ検証方法およびその検証装置を提供する
ことにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、電子ビ
ームをレジスト上に照射することにより、微細パターン
を形成する電子線露光方式に用いるパターンデータの検
証方法において、ＬＳＩ設計データとなるＣＡＤデータ
と、このＣＡＤデータをデータ変換した後のＥＢデータ
との間で、互に重なり合わない部分データを抽出する第
１の工程と、この第１の工程で出力されたデータと前記
ＣＡＤデータとの間で互に重なり合った部分データを抽
出する第２の工程と、この第２の工程で出力されたデー
タの有無を判断する第３の工程とから構成され、この第
３の工程の出力データが有った時に、前記データ変換時
に変換エラーがあると判断することを特徴とする。
ームをレジスト上に照射することにより、微細パターン
を形成する電子線露光方式に用いるパターンデータの検
証方法において、ＬＳＩ設計データとなるＣＡＤデータ
と、このＣＡＤデータをデータ変換した後のＥＢデータ
との間で、互に重なり合わない部分データを抽出する第
１の工程と、この第１の工程で出力されたデータと前記
ＣＡＤデータとの間で互に重なり合った部分データを抽
出する第２の工程と、この第２の工程で出力されたデー
タの有無を判断する第３の工程とから構成され、この第
３の工程の出力データが有った時に、前記データ変換時
に変換エラーがあると判断することを特徴とする。
【００１６】本発明において、第１の工程では、ＣＡＤ
データと、このＣＡＤデータをデータ変換した後のＥＢ
データとの間の排他的論理和演算を行い、第２の工程で
は、前記第１の工程で出力されたデータと前記ＣＡＤデ
ータとの間の論理積演算を行うこともでき、さらに、第
３の工程では、第２の工程の出力データが有りの場合、
出力された図形数が０ではなく、前記データ変換時に変
換エラーがあると判断することができる。
データと、このＣＡＤデータをデータ変換した後のＥＢ
データとの間の排他的論理和演算を行い、第２の工程で
は、前記第１の工程で出力されたデータと前記ＣＡＤデ
ータとの間の論理積演算を行うこともでき、さらに、第
３の工程では、第２の工程の出力データが有りの場合、
出力された図形数が０ではなく、前記データ変換時に変
換エラーがあると判断することができる。
【００１７】本発明の他の構成は、電子ビームをレジス
ト上に照射することにより、微細パターンを形成する電
子線露光装置のパターンデータの検証装置において、Ｌ
ＳＩ設計データとなるＣＡＤデータと、このＣＡＤデー
タをデータ変換した後のＥＢデータとの間の排他的論理
和演算を行う第１の論理回路と、この第１の論理回路の
出力データと前記ＣＡＤデータとの間の論理積演算を行
う第２の論理回路と、この第２の論理回路の出力の有無
を判定する比較器とを備え、この比較器の出力が有とな
った時に、前記データ変換時に変換エラーがあると判定
することを特徴とする。
ト上に照射することにより、微細パターンを形成する電
子線露光装置のパターンデータの検証装置において、Ｌ
ＳＩ設計データとなるＣＡＤデータと、このＣＡＤデー
タをデータ変換した後のＥＢデータとの間の排他的論理
和演算を行う第１の論理回路と、この第１の論理回路の
出力データと前記ＣＡＤデータとの間の論理積演算を行
う第２の論理回路と、この第２の論理回路の出力の有無
を判定する比較器とを備え、この比較器の出力が有とな
った時に、前記データ変換時に変換エラーがあると判定
することを特徴とする。
【００１８】本発明において、第１の論理回路が、排他
的論理和回路からなることもでき、また、第２の論理回
路が、論理積回路からなることもできる。
的論理和回路からなることもでき、また、第２の論理回
路が、論理積回路からなることもできる。
【００１９】本発明の構成によれば、データ変換時に変
換エラーがあったかどうかを効率的に判断するように動
作する。
換エラーがあったかどうかを効率的に判断するように動
作する。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態
のデータ検証方法を説明したフローチャートである。ま
ず、ＣＡＤデータ２１とデータ変換後のパターンデータ
（ＥＢデータ）２２との間でデータ検証として、排他的
論理和（ｅｘｏｒ）演算を行う（ステップＳ１）。その
結果得られた図形（ｅｘｏｒデータ）２３とＣＡＤデー
タ２１との間で変換エラー部抽出のための論理積（ａｎ
ｄ）演算を行う（ステップＳ２）。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態
のデータ検証方法を説明したフローチャートである。ま
ず、ＣＡＤデータ２１とデータ変換後のパターンデータ
（ＥＢデータ）２２との間でデータ検証として、排他的
論理和（ｅｘｏｒ）演算を行う（ステップＳ１）。その
結果得られた図形（ｅｘｏｒデータ）２３とＣＡＤデー
タ２１との間で変換エラー部抽出のための論理積（ａｎ
ｄ）演算を行う（ステップＳ２）。
【００２１】次に変換エラー部抽出の結果、得られたエ
ラーデータ２４の図形数が０であるかどうかを判断する
（ステップＳ３）。もし、図形数が０であれば（Ｙ）、
データ変換は正常であると判断し（ステップＳ４）、図
形数が０でなければ（Ｎ）、異常と判断する（ステップ
Ｓ５）。
ラーデータ２４の図形数が０であるかどうかを判断する
（ステップＳ３）。もし、図形数が０であれば（Ｙ）、
データ変換は正常であると判断し（ステップＳ４）、図
形数が０でなければ（Ｎ）、異常と判断する（ステップ
Ｓ５）。
【００２２】なお、ここでは、検証方法としてフロー図
を示しているが、排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算を排他
的論理和回路により、論理積（ａｎｄ）演算を論理積回
路により、また変換エラー部抽出の結果を、出力レベル
を比較する比較器（コンパレータ）により判定すること
により、ハードウェアによる検証装置とすることも出来
る。
を示しているが、排他的論理和（ｅｘｏｒ）演算を排他
的論理和回路により、論理積（ａｎｄ）演算を論理積回
路により、また変換エラー部抽出の結果を、出力レベル
を比較する比較器（コンパレータ）により判定すること
により、ハードウェアによる検証装置とすることも出来
る。
【００２３】次に、具体的な例を用いて本実施形態の動
作を説明する。図２（ａ）はＣＡＤデータ２１の一例を
示した模式図である。ＣＡＤデータ２１として、パター
ン３１は平行四辺形であり、パターン３２は矩形であ
る。ＥＢデータ２２への変換時にパターン３１は矩形近
似されてパターン３３となり、パターン３２は変換時の
エラーのため、矩形部分４０が抜け落ちて、パターン３
４となったとする。
作を説明する。図２（ａ）はＣＡＤデータ２１の一例を
示した模式図である。ＣＡＤデータ２１として、パター
ン３１は平行四辺形であり、パターン３２は矩形であ
る。ＥＢデータ２２への変換時にパターン３１は矩形近
似されてパターン３３となり、パターン３２は変換時の
エラーのため、矩形部分４０が抜け落ちて、パターン３
４となったとする。
【００２４】データ検証としてｅｘｏｒ演算を行うと、
差分図形（ｅｘｏｒデータ）２３にはパターン３１を矩
形近似した結果、発生する差分図形３５とデータ変換時
に抜け落ちた矩形に相当するパターン３６が含まれる。
次に、ｅｘｏｒデータ２３とＣＡＤデータ２１との間で
ａｎｄ演算を行うと、変換エラーのために抜け落ちた矩
形部分４０に相当するパターン３７だけが抽出される。
このときエラーデータ２４の図形数が０ではないため、
データ変換時に異常があったと判断される。
差分図形（ｅｘｏｒデータ）２３にはパターン３１を矩
形近似した結果、発生する差分図形３５とデータ変換時
に抜け落ちた矩形に相当するパターン３６が含まれる。
次に、ｅｘｏｒデータ２３とＣＡＤデータ２１との間で
ａｎｄ演算を行うと、変換エラーのために抜け落ちた矩
形部分４０に相当するパターン３７だけが抽出される。
このときエラーデータ２４の図形数が０ではないため、
データ変換時に異常があったと判断される。
【００２５】なお、ここでは電子ビームを用いてウエハ
上に直接描画する場合について述べてきたが、ガラス基
板上に描画するマスク描画装置、あるいはイオンビーム
等のその他の荷電粒子線を用いた場合でも本発明の構成
が有効であることは言うまでもない。
上に直接描画する場合について述べてきたが、ガラス基
板上に描画するマスク描画装置、あるいはイオンビーム
等のその他の荷電粒子線を用いた場合でも本発明の構成
が有効であることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明した本発明の構成によれば、斜
め線を矩形近似したパターンデータを含む場合でも、層
間演算を行うことにより、矩形近似した結果、発生する
差分図形とデータ変換時のエラーの結果、発生した差分
図形を区別できるため、従来法より確実にデータ検証が
行なえるという効果がある。
め線を矩形近似したパターンデータを含む場合でも、層
間演算を行うことにより、矩形近似した結果、発生する
差分図形とデータ変換時のエラーの結果、発生した差分
図形を区別できるため、従来法より確実にデータ検証が
行なえるという効果がある。
【図１】本発明の一実施形態の動作を説明するフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１の実施形態に用いるパタ
ーンデータの具体例を説明するパターン図である。
ーンデータの具体例を説明するパターン図である。
【図３】一般の電子線描画装置の構成を示すブロック図
である。
である。
【図４】ＥＢ用データ変換の動作を示すフローチャート
である。
である。
【図５】（ａ）（ｂ）はＥＢ用データ変換時のパターン
データの具体例を説明するパターン図である。
データの具体例を説明するパターン図である。
【図６】従来の実施例の動作を示すフローチャートであ
る。
る。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は図７の従来例に用いるパター
ンデータの具体例を説明するパターン図である。
ンデータの具体例を説明するパターン図である。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャー ３Ａ 第１アパーチャー開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャー ６Ａ〜６Ｆ 第２アパーチャー開口パターン ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １２ 試料台 １３ データバス １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ 図形データ用メモリ ２１ ＣＡＤデータ ２２ ＥＢデータ ２３ ｅｘｏｒデータ ２４ エラーデータ ３１〜３７ 図形パターン ４０ 矩形部分 ５０ 電子ビーム ５０Ａ 矩形ビーム Ｓ１〜Ｓ５，Ｓ１１ 処理ステップ
Claims (6)
- 【請求項１】 電子ビームをレジスト上に照射すること
により、微細パターンを形成する電子線露光方式に用い
るパターンデータの検証方法において、ＬＳＩ設計デー
タとなるＣＡＤデータと、このＣＡＤデータをデータ変
換した後のＥＢデータとの間で、互に重なり合わない部
分データを抽出する第１の工程と、この第１の工程で出
力されたデータと前記ＣＡＤデータとの間で互に重なり
合った部分データを抽出する第２の工程と、この第２の
工程で出力されたデータの有無を判断する第３の工程と
から構成され、この第３の工程の出力データが有った時
に、前記データ変換時に変換エラーがあると判断するこ
とを特徴とする電子線露光装置用データの検証方法。 - 【請求項２】 第１の工程では、ＣＡＤデータと、この
ＣＡＤデータをデータ変換した後のＥＢデータとの間の
排他的論理和演算を行い、第２の工程では、前記第１の
工程で出力されたデータと前記ＣＡＤデータとの間の論
理積演算を行う請求項１記載の電子線露光装置用データ
の検証方法。 - 【請求項３】 第３の工程では、第２の工程の出力デー
タが有りの場合、出力された図形数が０ではなく、前記
データ変換時に変換エラーがあると判断する請求項１記
載の電子線露光装置用データの検証方法。 - 【請求項４】 電子ビームをレジスト上に照射すること
により、微細パターンを形成する電子線露光装置のパタ
ーンデータの検証装置において、ＬＳＩ設計データとな
るＣＡＤデータと、このＣＡＤデータをデータ変換した
後のＥＢデータとの間の排他的論理和演算を行う第１の
論理回路と、この第１の論理回路の出力データと前記Ｃ
ＡＤデータとの間の論理積演算を行う第２の論理回路
と、この第２の論理回路の出力の有無を判定する比較器
とを備え、この比較器の出力が有となった時に、前記デ
ータ変換時に変換エラーがあると判定することを特徴と
する電子線露光装置用データの検証装置。 - 【請求項５】 第１の論理回路が、排他的論理和回路か
らなる請求項４記載の電子線露光装置用データの検証装
置。 - 【請求項６】 第２の論理回路が、論理積回路からなる
請求項４記載の電子線露光装置用データの検証装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166235A JP2001344302A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 電子線露光装置用データの検証方法およびその検証装置 |
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