JP2007033765A - パターン製造システム、露光装置、及び露光方法 - Google Patents

パターン製造システム、露光装置、及び露光方法 Download PDF

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敦 菅沼
Yuji Shimoyama
裕司 下山
Masataka Miyanishi
正孝 宮西
Takashi Okayasu
孝 岡安
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Abstract

【課題】 基板上に形成する導体の厚さのばらつきによりパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができるパターン製造システム、露光装置、及び露光方法を提供する。
【解決手段】 様々な線幅のパターン線を含むテストパターンが形成された複数種類の銅厚のテスト基板を画像認識手段60により撮像し、パターン線の線幅を実測して銅厚、線幅、及び露光補正量の対応関係を示す補正テーブルを作成する。基板に回路パターンを形成する際には、基板毎に銅厚測定部9により基板上に形成された銅箔の銅厚を測定し、測定した銅厚に応じた露光補正量を補正テーブルから求め、求めた露光補正量で露光量を補正する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、プリント基板の回路パターン等を製造する際に発生する仕上がりのばらつきを抑制するパターン製造システム、露光装置、及び露光方法に関するものである。
例えば、プリント基板の回路パターンを製造する場合、従来は、フォトマスクを作成し、このフォトマスクを利用して基板上のレジストを露光し硬化させた後、該レジストを現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンを利用して基板上の銅箔をエッチングすることにより回路パターンを形成する方法がとられている。上記従来の方法においては、エッチングを行う際、レジストパターン線の密度に依存して基板上の銅箔がエッチングされる量が変わり、仕上がる回路パターン線の線幅にばらつきが発生する虞があった。そこで、形成しようとしている回路パターン線の密度に基づいて予め入力データの補正を行いフォトマスクのパターン線の調整を行うようにしたものがある(例えば、特許文献1)。
また、レジストパターンの線幅が所定の線幅以下だとオーバーエッチングが発生することから、このオーバーエッチングが発生するレジストパターンのパターン線の線幅を予め測定しておき、所定の線幅以下のレジストパターンのパターン線の線幅を太らせるように補正ラインを付加するものもある(例えば、特許文献2)。
あるいは、エッチング液を繰り返し使用することによってエッチング液が劣化し、エッチングされた回路パターンの線幅が違ってくるというような仕上がりのばらつきを防ぐために、基板の空き領域(配線部分以外の領域)にテストパターンを埋め込み、エッチング後にそのテストパターンを画像認識してエッチングされた量の変化を確認して、それに応じて新たなエッチング液の供給やシャワー圧を変化させるように制御するものもある(例えば、特許文献3)。
しかしながら、前述の特許文献1や特許文献2の方法では、入力データの線幅を補正して仕上がった回路パターン線の線幅を指定された線幅に近づけようとするものではあるが、繰り返し加工を行うことにより現像液やエッチング液が徐々に劣化し、この劣化に伴って発生する仕上がりのばらつきを抑制することはできない。また、このようなフォトマスクを作成する方法でエッチング液の劣化などによる仕上がりのばらつきを抑制するためには、何度もフォトマスクを作成し直す必要があり生産コストが高くついてしまう。
一方、特許文献3では、パターン線がエッチングされた量の変化を確認して、新たなエッチグ液の供給やシャワー圧を変化させることで仕上がりが一定になるようにエッチングの進行を制御しようとしているが、このような新たなエッチング液の供給やシャワー圧の変化による制御では応答性が安定せず仕上がりのばらつきが残ってしまうという問題がある。
また、近年回路パターンの複雑化、高精細化に伴い、より精度の高い仕上がりが求められ、このようなエッチング液の劣化などによって生じる仕上がりのばらつきも無視できないものとなってきている。
これらの問題を解決するため、特許文献4では、生産コストが高くならず、現像液やエッチング液の劣化などに影響されて仕上がりがばらつくということがなく、仕上がり精度の高いパターン製造システムが提案されている。
特開平6−186724号公報 特開2001−134627公報 特開平9−162522号公報 特開2005−99739号公報
しかしながら、例えばパネルめっき法により基板を銅めっきすることにより基板上に導体を形成した場合、その導体の厚さ(銅厚)にばらつきが生じる場合がある。この場合、銅厚の差によりエッチング後のパターン線の線幅が異なってしまう。例えば銅厚が20μmの場合、エッチング後のパターン線の線幅は3〜5μm程ばらついてしまう場合がある。また、基板に銅箔を積層する(プレスする)方法を用いた場合でも銅箔のロット毎のばらつきによりエッチング後のパターン線の線幅がばらついてしまう場合がある。
本発明は、上記事情に鑑み、基板上に形成する導体の厚さのばらつきによりパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができるパターン製造システム、露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1記載のパターン製造システムは、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光する露光部と、露光された前記レジストを現像してレジストパターンを形成する現像部と、前記被エッチング材をエッチングして形成パターンを形成するエッチング部と、所定のパターン線を含むテストパターンが前記形成パターンとして形成された前記被エッチング材の厚さが異なる複数のテスト基板をスキャンして画像情報を得る画像認識手段と、前記画像情報のパターン線の線幅に基づいて、前記被エッチング材の厚さと、前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルを作成するテーブル作成手段と、前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定する測定手段と、測定した被エッチング材の厚さに応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正する補正部と、を備えたことを特徴とする。
ここで、「加工用パターン」、「レジストパターン」、「形成パターン」、「目標形成パターン」は、パターン線の座標値と線幅であらわされるものである。また、「目標形成パターン」とは、形成しようとしている形成パターン、そのときのパターン線の座標値と線幅であらわされるものである。「被エッチング材」とは、基板上に付着された銅箔のように、エッチング液によりエッチングされるものをいう。
また、「露光補正量」とは、エッチング後の形成パターンの線幅を目標形成パターンの線幅にするために所定の露光量を補正する量である。
本発明によれば、所定のパターン線を含むテストパターンが形成された被エッチング材の厚さが異なる複数のテスト基板をスキャンしてパターン線の線幅を求め、これに基づいて、被エッチング材の厚さと所定の露光量を補正する露光補正量及び加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルを作成する。そして、基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定し、測定した被エッチング材の厚さに応じた補正量を補正テーブルから求め、求めた補正量で所定の露光量及び加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正するため、エッチング後の被エッチング材の厚さが異なる場合でも、パターン線の線幅がばらつくのを抑えることができる。
なお、請求項2に記載したように、前記テストパターンは、線幅の異なる複数種類のパターン線を含み、前記作成手段は、前記画像情報のパターン線の線幅に基づいて、前記被エッチング材の厚さ、前記線幅、及び前記補正量の対応関係を表す補正テーブルを作成し、前記補正部は、測定した被エッチング材の厚さ及び形成しようとするパターン線の線幅に応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正するようにしてもよい。これにより、被エッチング材及び線幅毎に露光量及び線幅データの少なくとも一方を補正することができ、より適正に補正することができる。
また、製造装置には、加工条件が同一となるようにして加工を行っても場所によって形成された結果が違ってくるというように、それぞれ装置毎に特有のローカリティが現れる。
そこで、請求項3に記載したように、前記測定手段は、前記基板を複数の領域に分けた分割領域毎に被エッチング材の厚さを測定し、前記補正部は、分割領域毎に前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正することが好ましい。これにより、基板内で被エッチング材の厚さが異なる場合でもパターン線の線幅がばらつくのを抑えることができる。
請求項4記載の露光装置は、現像及びエッチングを経て目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光する露光部と、前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定した厚さ情報を取得する厚さ情報取得手段と、前記被エッチング材の厚さと前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルを記憶する記憶手段と、前記厚さ情報が示す前記被エッチング材の厚さに応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正する補正部と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、エッチング後の被エッチング材の厚さが異なる場合でも、パターン線の線幅がばらつくのを抑えることができる。
請求項5記載の露光方法は、現像及びエッチングを経て目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光を行う方法であって、前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定した厚さ情報を取得し、前記厚さ情報が示す前記被エッチング材の厚さに応じた前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量を、前記被エッチング材の厚さと前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正することを特徴とする。
この発明によれば、エッチング後の被エッチング材の厚さが異なる場合でも、パターン線の線幅がばらつくのを抑えることができる。
なお、被エッチング材の厚さと、露光補正量及び線幅補正量の少なくとも一方との対応関係を表す演算式を用意し、この演算式に基づいて、測定した被エッチング材の厚さに応じた露光補正量及び線幅補正量の少なくとも一方を求めるようにしてもよい。
本発明によれば、基板上に形成する導体の厚さのばらつきによりパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができる、という効果を有する。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
図1は、パターン製造システム1の概略構成を示す図であり、このパターン製造システム1により形成パターンの一例である回路パターンを製造する場合について説明する。
基板上に回路パターンを形成する場合には、まず、銅箔貼着工程Aにおいて基板上に回路形成材である銅箔を貼着し、整面工程Bにおいて貼着した銅箔の上面を機械研磨や化学研磨で整面処理し、ラミネーション工程Cにおいて、整面した銅箔上面にレジスト(レジスト材)をラミネートする。
また、外層基板に回路パターンを形成する場合は、図7に示すように、図1に示す工程において作成された内層基板に穴あけ工程A1でスルーホール等を作成し、次に銅メッキ工程A2により層間接続とパターン全面に銅メッキを行い導体を形成し、整面工程Bの後、ラミネーション工程Cにおいてレジストをラミネートする。
次に、本発明のパターン製造システム1により、基板にラミネートされたレジストを露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成する。
上記パターン製造システム1は、ラミネートされたレジスト材にパターンを露光する直描型の露光装置(露光部)4、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置(現像部)5、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング装置(エッチング部)6、整面工程後の基板上に形成された銅箔の厚さを測定する銅厚測定部9を備えている。
エッチング装置6には、銅箔をエッチングして形成された形成パターンをスキャンした画像情報200が得られるように、CCDカメラを用いた光学式検査機(AOI)などの画像認識装置(画像認識手段)60が設けられ、画像認識装置60は露光装置4とネットワーク8で接続されて、画像情報200が画像認識装置60から露光装置4に送信される。
CAD(Computer Aided Design)などを用いて設計された目標形成パターン(実際に形成しようとしている回路パターン)は、CAM(Computer Aided Manufacturing)7に取り込まれ、CAM7では、目標形成パターンの面付けレイアウト処理、位置合わせ用のマーキング、識別用のシンボルデータ、パターンの均一化用のダミーデータなどの付加情報の付加などを行った後に、回路パターンを加工するための座標値、線幅などを含む加工用パターンデータ100(例えば、Gerberデータなど)に変換されて露光装置4に出力される。
露光装置4は、図2に示すように、CAM7から入力された加工用パターンデータ100を加工に適した形式に変換するデータ変換手段41と、回路パターンが設計どおりの仕上がりとなるように露光装置の露光量を補正する補正部45と、加工用パターンデータ100に従って基板両面の露光を行う露光制御手段(露光用光源を含む)44と、を備えている。以下、本実施の形態では、補正手段45を露光装置4内に設けた場合について説明するが、他のコンピュータに補正手段45を備えた補正装置(補正部)を露光装置4に接続するようにしてもよい。
また、補正手段45は、様々な線幅のパターン線を含むテストパターンが露光、現像されたテスト基板をエッチング後に画像認識装置60で認識された画像情報200に基づいて、テスト基板に形成されたパターン線の線幅を測定し、この測定結果に基づいて銅厚に応じて露光量を補正するための補正テーブルを作成するテーブル作成部42と、得られた補正テーブルを記憶するメモリ46と、銅厚測定部9で測定された銅厚データ300及びメモリ46に記憶された補正テーブルに基づいて露光量を調整する調整手段43と、を備えている。
上記露光装置4として、レーザなどを用いてレジストに直接描画する直描装置が用いられる。例えば、図3に示すように、レーザ直描装置40はレーザ発生装置から発せられるレーザビームLBをビームスプリッターやビームセパレータを介して複数の描画用光束Lに分割し、分割された光束が一列状に並ぶ描画用光束LLとなって描画テーブルT上に到達するように構成され、描画テーブルTにセットされた基板S上を主走査方向(Y方向)と副走査方向(X方向)に描画用光束LLを走査させて基板Sに1列状に並んだドットで描画を行うものである。具体的には、特開平7−15993公報や特開平9−323180公報などに開示されている。あるいは、直描型の露光装置として、LCD(液晶表示素子)やDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)などの空間光変調素子を用いるものであってもよい。
このようなレーザ直描装置40で基板上のレジストに描画を行う場合には、加工用パターンデータ100をラスタデータに変換したものを描画データとし、この描画データに基づいて露光制御手段44で露光が行われる。また、露光は装置に設定されている標準露光量に基づいて行うが、必要に応じて露光量を調整することが可能である。露光量を調整するためには、調整手段43で求めた露光量を描画データとは別の情報として露光制御手段44に伝達することもできるが、露光量を描画データの画素を多値で表すものとし、調整手段43で求めた露光量に対応した多値に描画データを変換して露光制御手段44に伝達することもできる(例えば、1画素を255階調で表し、255が最大の露光量を表し数値が小さくなるほど露光量は小さくなる)。
銅厚測定部9は、例えば基板上に形成された銅箔の表面にプローブを押し当て、このプローブに電流を流して電圧を測定し、この測定結果から抵抗値を算出して膜厚に換算する装置を用いることができる(例えば日本アクア株式会社のアクアオームテスター等)。なお、銅厚を測定できるものであれば、これに限られるものではない。
次に、テーブル作成部42による補正テーブルの作成について、図4に示すフローチャートを参照して説明する。
まず、補正テーブルの作成に当たって、様々な線幅L1,L2,・・・のパターン線を含む予め定めたテストパターンが露光、現像、エッチングされた、様々な銅厚t1,t2,t3,・・・のテスト基板を作成する。なお、これらのテスト基板は、テスト基板内で銅厚のばらつきがないものを用意することが好ましい。また、テストパターンは、実際に形成する回路パターンで使用する線幅全てについてのパターン線を含むようにする。
そして、テスト基板を画像認識手段60にセットし(S100)、テスト基板の実測を行う。すなわち、テスト基板上に形成されたテストパターンを撮像し、この画像情報200に基づいて、テストパターンに含まれる様々な線幅のパターン線の線幅をテーブル作成部42により測定する。測定結果は一時的にメモリ46に記憶する。
そして、実測を行っていないテスト基板がある場合には(S104−N)、そのテスト基板を画像認識手段60にセットし、上記と同様に各種線幅の実測を行う。これを全てのテスト基板について行う。これにより、銅厚t1,t2,・・・と実測した線幅との対応関係が得られる。
全てのテスト基板について実測が終了した場合には(S104−Y)、テーブル作成部42は、前記対応関係と、各銅厚の線幅の理想値とに基づいて補正テーブルを作成する(S106)。具体的には、実測により得られた線幅と、その線幅の理想値との差分に応じた露光補正量、すなわち、この露光補正量で露光量を補正した場合に、エッチング後のパターン線の線幅がほぼ理想値となるような露光補正量を、銅厚及び線幅の種類毎に求め、銅厚、線幅、及び露光補正量の関係を示す補正テーブルを作成する。なお、前記差分に応じた露光補正量は、例えば前記差分と露光補正量との関係を予め求めておき、この関係から求めることができる。このようにして作成した補正テーブルは、メモリ46に記憶(登録)される。
また、補正テーブルに代えて、銅厚及び線幅をパラメータとし、これらのパラメータから露光補正量を求めるための演算式を前記対応関係等から求め、この演算式をメモリ46に登録するようにしてもよい。
次に、パターン製造システム1を用いて同じ回路パターンを繰り返し製造する場合の作用について、図5のフローチャートに従って説明する。
まず、回路パターンを製造するために、露光装置4はCAM7から基板の加工用パターンデータ100を受信し(S200)、露光装置4では受信したGerberデータ等のベクトルデータ形式の加工用パターンデータ100をデータ変換手段41でラスタデータ形式の加工用パターンデータ(描画データ)に変換する(S202)。
そして、整面工程後の基板上に形成された銅箔の厚さを銅厚測定部9により測定する(S204)。なお、測定は複数のポイントで行う。例えば、図6に示すように、基板上の領域を複数の領域(D1、D2、D3、D4)に分割し、各領域の中央を測定ポイントP1、P2、P3、P4とする。図2に示すように、測定結果は、銅厚データ300として調整手段43へ出力される。
次に、調整手段43は、銅厚測定部9から出力された銅厚データ300で表される各測定ポイントの銅厚に応じた線幅毎の露光補正量をメモリ46に記憶された補正テーブルから各々読み出す(S206)。読み出した各露光補正量は露光制御手段44に出力される。
そして、露光制御手段44で基板の銅箔上にラミネートされたレジストの露光を行う(S208)。このとき、調整手段43から出力された各測定ポイントの銅厚に応じた線幅毎の露光補正量により基板上の各領域の露光量がそれぞれ補正される。すなわち、例えば基板上の領域D1の回路パターンを露光する場合には、測定ポイントP1の銅厚及び形成しようとする回路パターンの線幅に応じた露光補正量で補正する。
基板の銅箔上にラミネートされたレジストが露光されると、現像装置5で現像を行って不要なレジストが除去され(ポジ型レジストの場合は露光されたレジストが除去され、ネガ型レジストの場合は露光されていないレジストが除去される)、銅箔の上面にレジストパターンが形成される(S210)。
さらに、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチング装置6でエッチングして形成パターンが形成される(S212)。そして、次の基板も同様に処理される。
このように、基板1枚毎に銅厚を測定し、測定した銅厚に応じて露光量を適正に補正するので、基板上に形成された銅箔の銅厚がばらついた場合でも、エッチング後のパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができる。
なお、本実施形態では、銅厚に応じて露光量を補正することにより銅厚のばらつきによるパターン線の線幅のばらつきを抑える場合について説明したが、銅厚に応じて加工用パターンデータ100のパターン線の線幅データを補正するようにしてもよい。この場合、テスト基板の実測により得られた線幅と、その線幅の理想値との差分に応じた線幅データを、銅厚及び線幅の種類毎に求め、銅厚、元の線幅データ、及び補正後の線幅データの関係を示す補正テーブルを作成すればよい。また、露光量及び加工用パターンデータ100のパターン線の線幅データの両方を補正するようにしてもよい。
なお、本実施形態のように銅厚に応じて露光量を補正する処理と特開2005−99739号公報に記載された補正処理とを組み合わせた補正処理を実行するようにしてもよい。
内層基板の作成工程及びパターン製造システムの構成を説明するための図である。 露光装置のブロック図である。 レーザ直描装置の図である。 補正テーブル作成処理を表すフローチャートである。 パターン製造システムの動作を表すフローチャートである。 基板上の領域の分割を説明するための図である。 外層基板の作成工程及びパターン製造システムの構成を説明するための図である。
符号の説明
A 銅箔貼着工程
A1 穴あけ工程
A2 銅メッキ工程
B 整面工程
C ラミネーション工程
1 パターン製造システム
4 露光装置
5 現像装置
6 エッチング装置
7 CAM
8 ネットワーク
9 銅厚測定部
40 レーザ直描装置
41 データ変換手段
42 テーブル作成部
43 調整手段
44 露光制御手段
45 補正部
46 メモリ
60 画像認識装置
100 加工用パターンデータ
200 画像情報
300 銅厚データ

Claims (5)

  1. 目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光する露光部と、
    露光された前記レジストを現像してレジストパターンを形成する現像部と、
    前記被エッチング材をエッチングして形成パターンを形成するエッチング部と、
    所定のパターン線を含むテストパターンが前記形成パターンとして形成された前記被エッチング材の厚さが異なる複数のテスト基板をスキャンして画像情報を得る画像認識手段と、
    前記画像情報のパターン線の線幅に基づいて、前記被エッチング材の厚さと、前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルを作成するテーブル作成手段と、
    前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定する測定手段と、
    測定した被エッチング材の厚さに応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正する補正部と、
    を備えたパターン製造システム。
  2. 前記テストパターンは、線幅の異なる複数種類のパターン線を含み、前記作成手段は、前記画像情報のパターン線の線幅に基づいて、前記被エッチング材の厚さ、前記線幅、及び前記補正量の対応関係を表す補正テーブルを作成し、前記補正部は、測定した被エッチング材の厚さ及び形成しようとするパターン線の線幅に応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正することを特徴とする請求項1記載のパターン製造システム。
  3. 前記測定手段は、前記基板を複数の領域に分けた分割領域毎に被エッチング材の厚さを測定し、前記補正部は、分割領域毎に前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のパターン製造システム。
  4. 現像及びエッチングを経て目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光する露光部と、
    前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定した厚さ情報を取得する厚さ情報取得手段と、
    前記被エッチング材の厚さと前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルを記憶する記憶手段と、
    前記厚さ情報が示す前記被エッチング材の厚さに応じた補正量を前記補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正する補正部と、
    を備えた露光装置。
  5. 現像及びエッチングを経て目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板に付着させた被エッチング材上のレジストに、所定の露光量で直接描画露光を行う方法であって、
    前記基板上に形成された被エッチング材の厚さを測定した厚さ情報を取得し、
    前記厚さ情報が示す前記被エッチング材の厚さに応じた前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量を、前記被エッチング材の厚さと前記所定の露光量を補正する露光補正量及び前記加工用パターンデータの線幅データを補正する線幅補正量の少なくとも一方の補正量との対応関係を表す補正テーブルから求め、求めた補正量で前記所定の露光量及び前記加工用パターンデータの線幅データの少なくとも一方を補正することを特徴とする露光方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015099258A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社リコー 画像処理装置及び方法、並びに画像形成装置
JP2021536587A (ja) * 2018-08-29 2021-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated フィールドの不均一性に対処するために空間光変調器セクションを予備として保持すること

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120101A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Sony Corp 露光方法及び露光装置
JP2001210580A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体製造システム
JP2005116929A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd パターン製造システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120101A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Sony Corp 露光方法及び露光装置
JP2001210580A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体製造システム
JP2005116929A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd パターン製造システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015099258A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社リコー 画像処理装置及び方法、並びに画像形成装置
JP2021536587A (ja) * 2018-08-29 2021-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated フィールドの不均一性に対処するために空間光変調器セクションを予備として保持すること
JP7271655B2 (ja) 2018-08-29 2023-05-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フィールドの不均一性に対処するために空間光変調器セクションを予備として保持すること

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