TW201710674A - 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 145
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 121
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 196
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 239000012925 reference material Substances 0.000 claims description 10
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000012217 deletion Methods 0.000 claims description 7
- 230000037430 deletion Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 86
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 43
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 36
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
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Abstract
設計資料7中所含之複數個資料區塊71中，表示一注目圖案之注目資料區塊包含表示注目圖案之一部分圖案之多邊形資料711、及指示參照表示注目圖案之另一部分圖案之參照資料區塊之參照指示資訊。於設計資料之修正中，自注目資料區塊實質性地刪除參照指示資訊，而個別地修正刪除參照指示資訊後之注目資料區塊、與參照資料區塊。合成已修正注目資料區塊所示之圖案與已修正參照資料區塊所示之圖案。藉此，個別地修正注目資料區塊中所含之多邊形資料所示之圖案、與參照資料區塊所示之圖案。
Description
本發明係關於一種修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之技術。
過去以來，於印刷基板之製造步驟中，對以樹脂等絕緣材料形成之基板施加各種處理。例如，藉由於基板之表面上形成銅等之膜，且於該膜上形成抗蝕劑之圖案，進而施加蝕刻，而於基板上形成配線圖案。於蝕刻中，有時因圖案配置之疏密或圖案之大小等，而使形成於基板上之圖案之形狀與設計資料不同。
於日本專利第3074675號公報中，揭示藉由以電子束直描裝置於基板上形成抗蝕劑圖案，並以電漿蝕刻裝置進行蝕刻而形成圖案之技術。又，提出有於根據圖案之設計資料產生電子束直描用資料之處理中，包含修正微負載效應所引起之蝕刻後之圖案尺寸變化之處理。
於日本專利第4274784號公報中，提出有使用蝕刻後之基板之圖像資料與設計資料以獲得所需之蝕刻後基板時，產生顯示需要如何修正設計資料之縮放規則(resizing rule)。
於日本專利特開2008-134512號公報中，揭示於製作光罩時，針對圖案間之每一空間(距離)，指定用以修正過度蝕刻之修正值之方法。又，提出於直線圖案與圓弧圖案對向之情形時，對該對向之部位加以進一步之修正。
於日本專利特開2013-12562號公報中，揭示於根據導體圖案之設計資料一面考慮側面蝕刻一面製成輪廓形狀(導體圖案之外形形狀)時，基於鄰接之輪廓形狀間之距離而設定修正值之技術。
日本專利特開2013-250101號公報係關於藉由蝕刻形成之配線圖案之缺陷檢查者。於該缺陷檢查中，藉由根據形成於基板之表面之測定用圖案測定蝕刻資訊(蝕刻曲線)，並使用該蝕刻曲線對設計資料進行蝕刻模擬而產生檢查資料。然後，藉由對照基板上之配線圖案之圖像資料與檢查資料，而檢測配線圖案之缺陷。
近幾年來，於進行對基板之蝕刻之裝置中，為提高生產性，而對配置有多個相同塊(圖案)之大型基板進行蝕刻。因此，依基板上之位置而蝕刻特性不同，從而即使為對相同塊之蝕刻，亦有蝕刻結果不同之情況。因此，考慮取得對於基板上之複數個位置之複數種蝕刻特性，並基於該等複數種蝕刻特性而修正設計資料。
另一方面，於使用CAD(Computer Aided Design：電腦輔助設計)等製成之設計資料中，包含分別顯示圖案之複數個資料區塊。例如，於將基板上之整體圖案分割為複數片，且於各片內包含複數塊之排列與周邊電路之情形時，顯示一片之資料區塊成為包含表示周邊電路之多邊形資料、與指示顯示各塊之資料區塊之參照的參照指示資訊之資料構造。另，周邊電路係用於例如製造期間之複數塊之檢查。
於該情形時，於資料區塊成為修正單位之資料修正裝置中，選擇性地進行顯示片之資料區塊之修正、或顯示塊之資料區塊之修正之任一者。於選擇顯示片之資料區塊之修正之情形時，使用相同蝕刻特
性修正該片所包含之複數塊及周邊電路之全部，無法使用個別之蝕刻特性修正塊與周邊電路。又，於選擇顯示塊之資料區塊之修正之情形時，雖可使用個別之蝕刻特性修正複數塊，但無法修正多邊形所示之周邊電路。
本發明係有關於修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之資料修正裝置，其目的在於，個別地修正一資料區塊所包含之多邊形資料所示之圖案、與該資料區塊之參照指示資訊指示參照之另一資料區塊所示之圖案。
本發明之資料修正裝置包含：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之全部圖案之設計資料；蝕刻特性記憶部，其記憶蝕刻特性；及資料修正部，其基於上述蝕刻特性修正上述設計資料，而取得已修正設計資料；且上述設計資料包含分別表示圖案之複數個資料區塊；上述複數個資料區塊中，表示一注目圖案之注目資料區塊包含：表示上述注目圖案之一部分圖案之多邊形資料、及指示參照表示上述注目圖案之另一部分圖案之參照資料區塊之參照指示資訊；上述資料修正部包含：資料區塊修正部，其自上述注目資料區塊實質性地刪除上述參照指示資訊，且個別地修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊、與上述參照資料區塊，而取得已修正注目資料區塊、與已修正參照資料區塊；及已修正資料合成部，其藉由合成上述已修正注目資料區塊所示之圖案、與上述已修正參照資料區塊所示之圖案，而取得上述已修正設計資料。
根據本發明，可個別地修正注目資料區塊中所含之多邊形資料所示之圖案、與參照資料區塊所示之圖案。
於本發明之一較佳形態中，上述蝕刻特性記憶部記憶複數種蝕刻特性；且於上述資料區塊修正部中，於刪除上述參照指示資訊後之
上述注目資料區塊之修正中所使用之蝕刻特性、與於上述參照資料區塊之修正中所使用之蝕刻特性不同。
於該情形時，較佳為，上述複數種蝕刻特性係對於上述對象物上之複數個對象位置分別求出，將與上述對象物上之與刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊所示之圖案之位置對應之位置最接近之對象位置之蝕刻特性設為最接近蝕刻特性，上述資料區塊修正部至少基於上述最接近蝕刻特性而修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊。
於本發明之另一較佳形態中，於上述設計資料中所含之第1資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第2資料區塊之參照指示資訊，且於上述第2資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第3資料區塊之參照指示資訊；上述資料區塊修正部依序進行上述第3資料區塊之修正、刪除上述第3資料區塊之參照指示資訊後之上述第2資料區塊之修正、及刪除上述第2資料區塊之參照指示資訊後之上述第1資料區塊之修正；上述已修正資料合成部係合成已修正之第3資料區塊所示之圖案、已修正之第2資料區塊所示之圖案、及已修正之第1資料區塊所示之圖案。
本發明亦有關於在對象物上描繪圖案之描繪裝置。本發明之描繪裝置包含：上述之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於由上述資料修正裝置修正後之設計資料而對來自上述光源之光進行調變；及掃描機構，其於對象物上掃描由上述光調變部調變後之光。
本發明亦有關於檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之檢查裝置。本發明之檢查裝置包含：上述之資料修正裝置；實際圖像記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料；及缺陷檢測部，其藉由比較由上述資料修正裝置修正後之設計資料與上述檢查圖像資料，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之
缺陷。
本發明亦有關於修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之資料修正方法、於對象物上描繪圖案之描繪方法、檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之檢查方法、及記錄有程式之記錄媒體。
上述之目的及其他目的、特徵、態樣及優點當可藉由參照附加圖式於以下進行之該發明之詳細說明而明瞭。
1‧‧‧描繪裝置
1a‧‧‧檢查裝置
2‧‧‧資料處理裝置
3‧‧‧曝光裝置
7‧‧‧設計資料
8‧‧‧記錄媒體
9‧‧‧基板
21‧‧‧資料修正裝置
21a‧‧‧資料修正裝置
22‧‧‧資料轉換部
25‧‧‧實際圖像記憶部
26‧‧‧缺陷檢測部
31‧‧‧描繪控制器
32‧‧‧載台
33‧‧‧光出射部
35‧‧‧掃描機構
60‧‧‧全體圖案
61‧‧‧片圖案
62‧‧‧子片圖案
63‧‧‧塊圖案
71‧‧‧資料區塊
80‧‧‧程式
95‧‧‧特性取得用圖案
96‧‧‧測定圖案
201‧‧‧CPU
202‧‧‧ROM
203‧‧‧RAM
204‧‧‧硬碟
205‧‧‧顯示器
206a‧‧‧鍵盤
206b‧‧‧滑鼠
207‧‧‧讀取/寫入裝置
208‧‧‧通信部
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性記憶部
213‧‧‧資料修正部
214‧‧‧資料區塊修正部
215‧‧‧修正控制部
216‧‧‧修正運算部
217‧‧‧已修正資料合成部
331‧‧‧光源
332‧‧‧光調變部
611‧‧‧周邊電路圖案
621‧‧‧周邊電路圖案
711‧‧‧多邊形資料
712‧‧‧參照指示資訊
951‧‧‧第1圖形要素群
952‧‧‧第1圖形要素
953‧‧‧第2圖形要素群
954‧‧‧第2圖形要素
A1‧‧‧部分
E‧‧‧蝕刻量
G‧‧‧間隙寬度
L1‧‧‧蝕刻曲線
L2‧‧‧蝕刻曲線
P‧‧‧對象位置
S11~S15‧‧‧步驟
S21~S26‧‧‧步驟
S31‧‧‧步驟
S32‧‧‧步驟
圖1係顯示第1實施形態之描繪裝置之構成之圖。
圖2係顯示資料處理裝置之構成之圖。
圖3係顯示資料處理裝置之功能之方塊圖。
圖4係顯示設計資料之構成之圖。
圖5係顯示資料區塊之階層構造之圖。
圖6係顯示全體圖案之圖。
圖7係顯示描繪裝置之描繪流程之圖。
圖8係放大顯示特性取得用圖案之一部分之圖。
圖9係放大顯示測定圖案之一部分之圖。
圖10係顯示蝕刻曲線之圖。
圖11係顯示設計資料修正處理之流程之圖。
圖12係顯示已修正之全體圖案之圖。
圖13係顯示藉由比較例之處理之已修正之全體圖案之圖。
圖14係顯示藉由比較例之處理之已修正之全體圖案之圖。
圖15係顯示第2實施形態之檢查裝置之功能之方塊圖。
圖16係顯示檢查裝置之檢查流程之一部分之圖。
圖1係顯示本發明之第1實施形態之描繪裝置1之構成之圖。描繪裝置1係藉由對設置於基板9表面之感光材料即抗蝕劑膜照射光，而於
抗蝕劑膜上直接描繪電路圖案等圖像之直描裝置。基板9係例如由絕緣性材料形成，且於表面設置有銅等導電性材料之膜。基板9係用於製造印刷基板。對藉由描繪裝置1描繪圖案後之基板9，於基板處理裝置等(省略圖示)中實施顯影、蝕刻。藉此，在基板9上形成圖案。對基板9之蝕刻係例如藉由對基板9賦予蝕刻液而進行之濕蝕刻。另，作為對基板9之蝕刻，亦可進行例如使用電漿等之乾蝕刻。
描繪裝置1包含資料處理裝置2及曝光裝置3。資料處理裝置2修正於基板9上描繪之圖案之設計資料，而產生描繪資料。曝光裝置3基於自資料處理裝置2傳送來之描繪資料而進行對基板9之描繪(即曝光)。資料處理裝置2與曝光裝置3只要可進行兩裝置間之資料之授受，則亦可實體上分開，當然，亦可一體地設置。
曝光裝置3包含描繪控制器31、載台32、光出射部33及掃描機構35。描繪控制器31控制光出射部33及掃描機構35。載台32將基板9保持於光出射部33之下方。光出射部33包含光源331及光調變部332。光源331朝向光調變部332出射雷射光。光調變部332對來自光源331之光進行調變。將藉由光調變部332調變後之光照射於載台32上之基板9。作為光調變部332係使用例如將複數個光調變元件二維排列之DMD(Digital Mirror Device：數位鏡面器件)。光調變部332亦可為將複數個光調變元件一維排列之調變器等。
掃描機構35使載台32於水平方向上移動。具體而言，藉由掃描機構35，使載台32於主掃描方向、及與主掃描方向垂直之副掃描方向上移動，藉此，將藉由光調變部332調變後之光於基板9上於主掃描方向及副掃描方向上掃描。於曝光裝置3中，亦可設置使載台32水平地旋轉之旋轉機構。又，亦可設置使光出射部33於上下方向移動之升降機構。掃描機構35只要可於基板9上掃描來自光出射部33之光，則並非必須為使載台32移動之機構。例如，亦可藉由掃描機構35，使光出
射部33於載台32之上方於主掃描方向及副掃描方向移動。
圖2係顯示資料處理裝置2之構成之圖。資料處理裝置2係成為包含進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)201、記憶基本程式之ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)202、及記憶各種資訊之RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)203之一般之電腦系統之構成。資料處理裝置2進而包含：硬碟204，其進行資訊記憶；顯示器205，其進行圖像等各種資訊之顯示；鍵盤206a及滑鼠206b，其等接收來自操作者之輸入；讀取/寫入裝置207，其進行自光碟、磁碟、磁光碟等電腦可讀取之記錄媒體8之資訊之讀取及寫入；及通信部208，其於與描繪裝置1之其他構成等之間收發信號。
於資料處理裝置2中，於事前經由讀取/寫入裝置207自記錄媒體8讀出程式80並記憶至硬碟204。CPU201藉由按照程式80一面使用RAM203或硬碟204一面執行運算處理(即，藉由電腦執行程式)，而實現後述之功能。
圖3係顯示資料處理裝置2之功能之方塊圖。於圖3中，一併顯示連接於資料處理裝置2之曝光裝置3之構成之一部分(描繪控制器31)。資料處理裝置2包含資料修正裝置21與資料轉換部22。資料修正裝置21修正藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之設計資料。資料修正裝置21包含設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、及資料修正部213。
設計資料記憶部211記憶藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之設計資料。蝕刻特性記憶部212記憶後述之複數種蝕刻特性。資料修正部213包含資料區塊修正部214及已修正資料合成部217。資料區塊修正部214包含修正控制部215及修正運算部216。
對資料轉換部22，輸入由資料修正裝置21修正後之設計資料(以
下，稱為「已修正設計資料」)。已修正設計資料通常為多邊形等矢量資料。資料轉換部22將矢量資料即已修正設計資料轉換成光柵資料即描繪資料。資料處理裝置2之功能既可藉由專用之電性電路實現，亦可部分使用專用之電性電路。
圖4係顯示設計資料7之構成之圖。設計資料7包含分別表示圖案之複數個資料區塊71(亦稱為結構)。各資料區塊71包含表示該資料區塊71所示之全部或一部分圖案之多邊形資料711。一部分之資料區塊71包含指示參照另一資料區塊71之參照指示資訊712。該另一資料區塊71(以下，稱為「參照資料區塊71」)表示包含該參照指示資訊712之上述資料區塊71所示之圖案之一部分圖案。實際上，一資料區塊71中所含之參照指示資訊712所示之參照資料區塊71包含指示參照另一參照資料區塊71之參照指示資訊712。即，於設計資料7中，存在一資料區塊71使用另一資料區塊71、該另一資料區塊71使用進而另一資料區塊71之嵌套狀(巢狀)關係。
圖5係將設計資料7中所含之複數個資料區塊71之嵌套狀關係顯示為階層構造(樹狀構造)之圖。對各資料區塊71賦予名稱，且於圖5中，於表示資料區塊71之矩形之內部記入該資料區塊71之名稱。又，以平行四邊形表示各資料區塊71所包含之多邊形資料711。於以下之說明中，將一資料區塊71包含指示參照另一資料區塊71之參照指示資訊712之使用關係簡單標記為「一資料區塊71包含另一資料區塊71」等。
如圖5所示，名稱「頂層」之資料區塊71(以下，稱為「頂層之資料區塊71」，以下相同)包含第1片之資料區塊71、第2片之資料區塊71等。第1片之資料區塊71包含多邊形資料711、第1子片之資料區塊71、第2子片之資料區塊71等。第1子片之資料區塊71包含多邊形資料711、第1塊之資料區塊71、第2塊之資料區塊71、第3塊之資料區塊
71、第4塊之資料區塊71。第1片之資料區塊71所包含之第2子片之資料區塊71等亦具有與第1子片之資料區塊71相同之構造。頂層之資料區塊71所包含之第2片之資料區塊71等亦具有與第1片之資料區塊71相同之構造。
圖6係顯示設計資料7所示之全體圖案60之圖。全體圖案60係設計資料7中頂層之資料區塊71所示之圖案，係預定藉由蝕刻而於基板9上形成者。全體圖案60包含第1片圖案61、第2片圖案61等。第1及第2片圖案61係第1片之資料區塊71及第2片之資料區塊71分別顯示之圖案。位於圖6中之左上之第1片圖案61包含周邊電路圖案611、第1子片圖案62、第2子片圖案62等。周邊電路圖案611係第1片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案。第1及第2子片圖案62係第1子片之資料區塊71及第2子片之資料區塊71分別顯示之圖案。
位於圖6中之左上之第1子片圖案62包含周邊電路圖案621、第1塊圖案63、第2塊圖案63、第3塊圖案63、第4塊圖案63。周邊電路圖案621係第1子片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案。第1至第4塊圖案63係第1塊之資料區塊71、第2塊之資料區塊71、第3塊之資料區塊71及第4塊之資料區塊71分別顯示之圖案。第1片圖案61所包含之第2子片圖案62等亦具有與第1子片圖案62相同之圖案。全體圖案60所包含之第2片圖案61等亦具有與第1片圖案61相同之圖案。
實際上，第1塊之資料區塊71、第2塊之資料區塊71、第3塊之資料區塊71、及第4塊之資料區塊71(以下，總稱為「塊之資料區塊71」，對於片之資料區塊71及子片之資料區塊71亦相同)之各者亦包含塊構成零件之資料區塊71。即，塊圖案63包含省略圖示之塊構成零件之圖案。
其次，一面參照圖7，一面對描繪裝置1之描繪流程進行說明。首先，對於一主面上形成有抗蝕劑膜之測試用之基板(為與後述之步
驟S15中進行描繪之基板9相同形狀及大小，以下，稱為「測試基板」)，藉由曝光裝置3描繪特定之測試圖案。測試圖案包含複數個特性取得用圖案。於圖6中，於在測試基板中與描繪各特性取得用圖案之對象位置對應之位置(以下，同樣稱為「對象位置」)標註符號P。
圖8係放大顯示測試基板上之特性取得用圖案95之一部分之圖。實際上，特性取得用圖案95可藉由施以顯影處理而可作為抗蝕劑圖案被視認。此處，將特性取得用圖案95之各圖形要素之位置、形狀、大小設為與測試圖案用之設計資料(但是，不進行使用資料修正裝置21之修正)所示之圖案嚴格一致者。
於圖8所示之例中，特性取得用圖案95包含複數個第1圖形要素群951。各第1圖形要素群951包含相互平行地於一方向延伸之2條大致直線狀之第1圖形要素952。各第1圖形要素群951之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G(即，2條第1圖形要素952之與長度方向垂直之方向之間隙之寬度)與另一第1圖形要素群951之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G不同。
藉由對測試基板之顯影處理，而於測試基板上形成顯示測試圖案之抗蝕劑圖案。接著，藉由對測試基板，以該抗蝕劑圖案為遮罩實施蝕刻，並進而實施抗蝕劑剝離等處理，而於測試基板之主面形成顯示複數個特性取得用圖案95之複數個測定圖案。
圖9係放大顯示與特性取得用圖案95對應之測定圖案96之一部分之圖。測定圖案96包含分別顯示複數個第1圖形要素群951之複數個第2圖形要素群953。於圖9中，放大顯示1個第2圖形要素群953。各第2圖形要素群953包含與2條第1圖形要素952對應之大致直線狀之2條第2圖形要素954。第2圖形要素954係使用抗蝕劑圖案之第1圖形要素952之部位藉由蝕刻形成者。於圖9中，以二點鏈線一併顯示第1圖形要素952之輪廓線。
此處，將各第2圖形要素群953之形成2條第2圖形要素954間之間隙之各第2圖形要素954之邊(輪廓線之部位)、與對應於該邊之第1圖形要素952之邊之間之距離(與形成該間隙之輪廓線之部位垂直之方向之距離)稱為蝕刻量E。蝕刻量E表示該等2條第2圖形要素954間之間隙之第2圖形要素954之邊相對於各第1圖形要素952之邊之移動量(輪廓線之單側之變細量)。蝕刻量E依存於與該等2條第2圖像要素954對應之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G而變化。間隙寬度G與蝕刻量E之關係係藉由拍攝測試基板而取得測定圖案96之圖像，並比較該圖像、與特性取得用圖案95之設計資料而取得。
圖10係顯示表示間隙寬度G與蝕刻量E之關係之蝕刻曲線之圖。於圖10中，對2條蝕刻曲線標註符號L1、L2而顯示。於蝕刻曲線中，隨著間隙寬度G變小而蝕刻量E亦逐漸變小。雖於間隙寬度G為某種程度較大之範圍內，蝕刻量E與間隙寬度G大致成正比，但若間隙寬度G變小，則蝕刻量E相對於間隙寬度G之減少而急遽減少。換言之，若間隙寬度G變小，則蝕刻曲線之斜率變大。
於複數個特性取得用圖案95中，因於測試基板上之位置(即對象位置P)不同，故如圖10之2條蝕刻曲線L1、L2般，蝕刻曲線之形狀互不相同。於本處理例中，自複數個特性取得用圖案95分別取得複數條蝕刻曲線。換言之，對於複數個對象位置P取得複數條蝕刻曲線。另，於圖10中，以黑色或白色方形之點表示各第1圖形要素群951之間隙寬度G之蝕刻量E。於複數個特性取得用圖案95中，測定蝕刻量E之間隙寬度G之大小或個數亦可不同。
特性取得用圖案95亦可包含矩形以外之各種形狀之圖形要素及各種組合之圖形要素群。例如，亦可於特性取得用圖案95中包含直徑不同之複數個圓形圖形要素，而取得表示圓形圖形要素之直徑與蝕刻量之關係之蝕刻曲線。針對此種蝕刻曲線之種類，亦可取得與複數個
對象位置P分別對應之複數條蝕刻曲線。於以下之說明中，將對於測試基板及基板9上之各對象位置P之1條或複數條蝕刻曲線通稱為「蝕刻特性」。蝕刻特性典型而言，表示於設計資料所示之圖案中相互鄰接之圖形要素間之間隙(設計間隙)之寬度、與藉由蝕刻形成之圖案之該圖形要素間之間隙(實際間隙)之寬度之關係。
於描繪裝置1中，將對於複數個對象位置P之複數種蝕刻特性記憶於蝕刻特性記憶部212而加以準備(步驟S11)。此時，較佳於資料修正裝置21中，進而進行藉由特定方法取得複數個特性組之處理。各特性組僅包含複數個(所有)對象位置P中之蝕刻特性相互類似之對象位置P之集合，且特性組之個數少於對象位置P之個數。於取得特性組之處理中，對於同一特性組中所含之所有對象位置P，分配代表該特性組中所含之所有對象位置P之蝕刻特性之代表蝕刻特性。換言之，將對於各對象位置P之蝕刻特性置換為複數個代表蝕刻特性中該蝕刻特性最類似之一代表蝕刻特性。
另，蝕刻特性既可於描繪裝置1以外之裝置中取得，亦可於描繪裝置1中取得。於描繪裝置1中進行蝕刻特性之取得之情形時，於描繪裝置1中，設置取得測定圖案96(參照圖9)之圖像之攝像部、及基於測定圖案96之圖像與特性取得用圖案95(參照圖8)之設計資料求出各對象位置P之蝕刻特性之蝕刻特性運算部(於第2實施形態之檢查裝置1a中同樣)。
接著，於描繪裝置1中，藉由將預定藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之設計資料7輸入於資料修正裝置21、並記憶於設計資料記憶部211予以準備(步驟S12)。於資料修正部213中，進行基於蝕刻特性而修正設計資料7之設計資料修正處理，並取得已修正設計資料(步驟S13)。
圖11係顯示設計資料修正處理流程之圖。於設計資料修正處理
中，首先，指定設計資料7所包含之複數個資料區塊71中之修正對象之資料區塊71(以下，稱為「對象資料區塊71」)(步驟S21)。如已敘述般，設計資料7包含頂層之資料區塊71、片之資料區塊71、子片之資料區塊71、及塊之資料區塊71等(參照圖5)。此處，將片之資料區塊71、子片之資料區塊71、及塊之資料區塊71指定為對象資料區塊71。對象資料區塊71之指定係例如藉由操作者經由鍵盤206a或滑鼠206b之輸入而進行。亦可預先指定對象資料區塊71。
於修正控制部215中，在於各對象資料區塊71中包含參照指示資訊712、且於該參照指示資訊712所示之參照資料區塊71為其他對象資料區塊71之情形時，取得表示該各對象資料區塊71利用該參照資料區塊71之資訊。藉此，如於圖5中以一點鏈線包圍之部分A1般，取得對象資料區塊71之階層構造(步驟S22)。
接著，於對象資料區塊71之階層構造中，確認未修正之對象資料區塊71之存在有無。若確認未修正之對象資料區塊71之存在(步驟S23)，則自設計資料7擷取未修正之對象資料區塊71中之最下層對象資料區塊71。此處，擷取各塊之資料區塊71，並輸入於修正運算部216。
於修正運算部216中，使用蝕刻特性修正各塊之資料區塊71(即進行對資料區塊71之蝕刻修正)(步驟S24)。如已敘述般，對於基板9上之複數個對象位置P取得複數種蝕刻特性。於各塊之資料區塊71之修正中，使用與基板9上之與該塊之資料區塊71所示之圖6中之塊圖案63之位置對應之位置(即，描繪於基板9上時之塊圖案63之位置)最接近之對象位置P之蝕刻特性(以下，稱為「最接近蝕刻特性」)。
此時，於基板9上之與該塊圖案63對應之位置，考慮到進行按照最接近蝕刻特性所示之蝕刻量之過度(即，超過所需量)之蝕刻。即，參照最接近蝕刻特性，以將蝕刻後之基板9上之圖案之各圖形要素以
所需之線寬或大小形成之方式，進行擴寬該塊圖案63所包含之圖形要素之線寬、或擴大圖形要素之修正。以此方式，取得顯示已修正之塊圖案63之資料區塊71(以下，稱為「已修正資料區塊71」)。對於各已修正資料區塊71，將顯示配置該已修正資料區塊71所示之圖案之位置之位置資訊建立關聯。
實際上，於修正運算部216之資料區塊71之修正中，將該資料區塊71所包含之多邊形資料711、及參照資料區塊71(此處為非對象資料區塊71之塊構成零件之資料區塊71等)之全部以於相同階層展開之狀態(即，以相同階層之多邊形資料之狀態)，變更圖形要素之線寬或大小。因此，已修正資料區塊71例如包含顯示已修正圖案之多邊形資料，不包含參照指示資訊712(即，不包含參照資料區塊71)。根據修正運算部216之設計，已修正資料區塊71亦可包含參照指示資訊712。
於本實施形態中，複數個塊之資料區塊71分別所示之圖案即塊圖案63係相同。因此，於取得已敘述之特性組之情形時，可使用一特性組之代表蝕刻特性，將自一塊之資料區塊71取得之已修正資料區塊71直接利用作為對於將該特性組所包含之對象位置P設為最接近對象位置之其他塊之資料區塊71之已修正資料區塊71。藉此，對於塊之資料區塊71之蝕刻修正之執行次數變少，而於短時間內完成分別對應於複數個塊之資料區塊71之複數個已修正資料區塊71之取得。於圖12中，藉由使對顯示塊圖案63之矩形標註之平行斜線之間隔一致，而表現利用相同已修正資料區塊71之塊圖案63。於圖12中，標註有間隔相同之平行斜線之圖案係使用相同蝕刻特性修正者(於後述之圖13及圖14中相同)。實際上，於當前時點，塊圖案63以外之圖案之修正未完成。
若各塊之資料區塊71之修正完成，則於包含關於塊之資料區塊71之參照指示資訊712之子片之資料區塊71(參照圖5)中，刪除該參照
指示資訊712(步驟S25)。即，於對象資料區塊71中，刪除關於已修正之對象資料區塊71之參照指示資訊712。參照指示資訊712並非必須嚴格地刪除，例如，亦可於對象資料區塊71中，僅使關於已修正之對象資料區塊71之參照指示資訊712無效化。即，只要實質性地刪除關於已修正之對象資料區塊71之參照指示資訊712即可。
於修正控制部215中，於對象資料區塊71之階層構造中，確認未修正之對象資料區塊71之存在有無。此處，若確認片之資料區塊71、及子片之資料區塊71未修正(步驟S23)，則自設計資料7擷取未修正之對象資料區塊71中為最下層之對象資料區塊71即子片之資料區塊71。
於修正運算部216中，使用蝕刻特性修正各子片之資料區塊71(步驟S24)。此時，於子片之資料區塊71中，(實質性地)刪除關於塊之資料區塊71之參照指示資訊712，而子片之資料區塊71所示之圖案僅為子片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之周邊電路圖案621。因此，使用與周邊電路圖案621之位置(例如重心)最接近之對象位置P之蝕刻特性(最接近蝕刻特性)，進行周邊電路圖案621所包含之圖形要素之修正，而取得子片之已修正資料區塊71。於圖12中，對於與塊圖案63個別地修正之周邊電路圖案621，標註與修正時所用之蝕刻特性對應之間隔之平行斜線。於當前時點，塊圖案63及周邊電路圖案621以外之圖案之修正未完成。
若各子片之資料區塊71之修正完成，則於包含關於子片之資料區塊71之參照指示資訊712之片之資料區塊71(參照圖5)中，刪除該參照指示資訊712(步驟S25)。即，於對象資料區塊71中，刪除關於已修正之對象資料區塊71之參照指示資訊712。
於修正控制部215中，若確認片之資料區塊71未修正(步驟S23)，則自設計資料7擷取片之資料區塊71。於修正運算部216中，使用蝕刻特性修正片之資料區塊71(步驟S24)。此時，於片之資料區塊71中，
已刪除關於子片之資料區塊71之參照指示資訊712，而片之資料區塊71所示之圖案僅為片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之周邊電路圖案611。因此，使用與周邊電路圖案611之位置最接近之對象位置P之蝕刻特性(最接近蝕刻特性)，進行周邊電路圖案611所包含之圖形要素之修正，而取得片之已修正資料區塊71。於圖12中，對於與塊圖案63及周邊電路圖案621個別地修正之周邊電路圖案611，標註與修正時所用之蝕刻特性對應之間隔之平行斜線。
於在步驟S22取得之對象資料區塊71之階層構造(參照圖5中之部分A1)中，由於片之資料區塊71為最上層，且不存在包含關於片之資料區塊71之參照指示資訊712之對象資料區塊71，故省略修正控制部215之步驟S25之處理，並返回步驟S23。然後，確認不存在未修正之對象資料區塊71(步驟S23)，而將所有已修正之對象資料區塊71、即複數個塊之已修正資料區塊71、複數個子片之已修正資料區塊71、及複數個片之已修正對象資料區塊71與其位置資訊一起自資料區塊修正部214輸出至已修正資料合成部217。
於已修正資料合成部217中，使用位置資訊合成所有已修正之對象資料區塊71所示之圖案(步驟S26)。具體而言，如圖12所示，合成塊之已修正資料區塊71所示之塊圖案63、子片之已修正資料區塊71所示之周邊電路圖案621、及片之已修正資料區塊71所示之周邊電路圖案611。又，於設計資料7中，存在不包含任一對象資料區塊71之未修正之資料區塊71之情形時，亦同樣合成該資料區塊71所示之圖案(未修正之圖案)。藉此，取得已修正設計資料，完成設計資料修正處理。另，亦可將各已修正資料區塊71及位置資訊於步驟S24中取得該已修正資料區塊71時輸出至已修正資料合成部217，且將已修正資料合成部217所進行之步驟S26之處理與步驟S23~S25部分地並行進行。
實際上，於已修正設計資料所示之階層構造中，塊之已修正資料區塊71、子片之已修正資料區塊71、及片之已修正資料區塊71成為相同階層，且包含於頂層之資料區塊71。即，將塊之資料區塊71、及子片之資料區塊71藉由上述設計資料修正處理提升至與為最上層之對象資料區塊71之片之資料區塊71相同階層。又，於在設計資料7中，於頂層之資料區塊71包含並非對象資料區塊71之資料區塊71之情形時，該資料區塊71於已修正設計資料中，亦可直接(未修正之狀態)包含於頂層之資料區塊71。
將已修正設計資料自資料修正裝置21傳送至資料轉換部22。於資料轉換部22中，將矢量資料即已修正設計資料轉換成為光柵資料即描繪資料(圖7：步驟S14)。
將該描繪資料自資料轉換部22傳送至曝光裝置3之描繪控制器31。於曝光裝置3中，藉由基於來自資料處理裝置2之描繪資料，利用描繪控制器31控制光出射部33之光調變部332及掃描機構35，而進行對基板9之描繪(步驟S15)。對於進行描繪之基板9，以與測試基板相同條件，進行顯影、蝕刻等各種處理。如已敘述般，於基板9之表面設置有銅等導電性材料之膜，藉由上述處理，於基板9上形成多個配線圖案。
實際上，對於以相同全體圖案60為描繪對象之複數個基板9，利用相同已修正設計資料依序進行描繪。又，於變更全體圖案、即以新的全體圖案為描繪對象時，使用該新的全體圖案進行步驟S12、S13，而產生已修正設計資料。然後，基於該已修正設計資料，進行對基板9之描繪。
此處，如上述般，針對於子片之資料區塊71包含顯示周邊電路圖案621之多邊形資料711、及指示參考塊之資料區塊71之參照指示資訊712之情形時，選擇性地進行塊之資料區塊71之修正、或子片之資
料區塊71之修正之任一者之比較例之處理予以敘述。於比較例之處理中，於選擇子片之資料區塊71之修正之情形時，如圖13所示般，使用相同蝕刻特性修正子片圖案62所包含之複數個塊圖案63及周邊電路圖案621之全部，無法使用個別之蝕刻特性修正塊圖案63及周邊電路圖案621。又，於選擇塊之資料區塊71之修正之情形時，則如圖14所示般，雖可使用個別之蝕刻特性修正複數個塊圖案63，但無法修正周邊電路圖案621。
相對於此，於資料修正裝置21中，自子片之資料區塊71實質性地刪除參照指示資訊712，並使用個別之蝕刻特性修正刪除該參照指示資訊712後之子片之資料區塊71、與該參照指示資訊712所指示參照之塊之資料區塊71，而取得子片之已修正資料區塊71、與塊之已修正資料區塊71。然後，藉由合成子片之已修正資料區塊71所示之圖案、與塊之已修正資料區塊71所示之圖案而取得已修正設計資料。藉此，實現個別地修正子片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之周邊電路圖案621、與塊之資料區塊71所示之塊圖案63。
又，於蝕刻特性記憶部212記憶複數種蝕刻特性，且於刪除參照指示資訊712後之子片之資料區塊71之修正、與該參照指示資訊712所指示參照之塊之資料區塊71之修正中利用不同之蝕刻特性。藉此，可個別且精度良好地修正子片之資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之周邊電路圖案621、與塊之資料區塊71所示之塊圖案63。
進而，基於與基板9上之與該資料區塊71所示之周邊電路圖案621之位置對應之位置最接近之對象位置P之蝕刻特性(即，最接近蝕刻特性)而進行刪除參照指示資訊712後之子片之資料區塊71之修正。藉此，可適當地修正周邊電路圖案621。
於資料修正部213中，亦可於所有資料區塊71之修正中使用相同之蝕刻特性。於該情形時，為了藉由上述比較例之處理修正周邊電路
圖案621，而選擇子片之資料區塊71之修正。此時，因將複數個塊之資料區塊71與該資料區塊71所包含之顯示周邊電路圖案621之多邊形資料711一起以相同階層展開，故對子片之資料區塊71所示之圖案之全體進行使用蝕刻特性之運算，而運算量增大。相對於此，於上述資料修正部213中，由於可一面修正周邊電路圖案621，一面將使用單一蝕刻特性取得之一塊之已修正資料區塊71直接利用作為其他塊之已修正資料區塊71，故可削減運算量。
對於包含塊之資料區塊71作為參照資料區塊71之子片之資料區塊71之上述處理對於包含子片之資料區塊71作為參照資料區塊71之片之資料區塊71亦同樣進行。因此，於資料修正裝置21中，於顯示一注目圖案之注目資料區塊71包含顯示該注目圖案之一部分之圖案之多邊形資料711、與顯示該注目圖案之其他部分之圖案之參照資料區塊71之參照指示資訊712之情形時，亦可說執行了上述處理。即，於資料修正裝置21中，自注目資料區塊71實質性地刪除參照指示資訊712，且個別地修正刪除參照指示資訊712後之注目資料區塊71、與參照資料區塊71，而取得已修正注目資料區塊71、與已修正參照資料區塊71。然後，藉由合成已修正資料區塊71所示之圖案、與已修正參照資料區塊71所示之圖案，而取得已修正設計資料。其結果，可個別地修正注目資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案、與參照資料區塊71所示之圖案。
此處，將片之資料區塊71、子片之資料區塊71及塊之資料區塊71分別稱為第1至第3資料區塊71。於該情形時，於設計資料7所包含之第1資料區塊71中，包含多邊形資料711與指示參照第2資料區塊71之參照指示資訊712，且於第2資料區塊71中，包含多邊形資料711與指示參照第3資料區塊71之參照指示資訊712。又，於圖11之設計資料修正處理中，藉由資料區塊修正部214，依序進行第3資料區塊71之修
正、刪除第3資料區塊71之參照指示資訊712後之第2資料區塊71之修正、及刪除第2資料區塊71之參照指示資訊712後之第1資料區塊71之修正。然後，藉由已修正資料合成部217，合成已修正之第3資料區塊71所示之圖案、已修正之第2資料區塊71所示之圖案、及已修正之第1資料區塊71所示之圖案。藉此，可個別地修正第1資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案、第2資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案、及第3資料區塊71所示之圖案。
其次，對本發明之第2實施形態之檢查裝置進行說明。圖15係顯示檢查裝置1a之功能之方塊圖。檢查裝置1a係檢查描繪設計圖案後藉由蝕刻而於基板9上形成之圖案之裝置。於檢查裝置1a中，進行基板9上之圖案、與經後述之蝕刻修正之設計資料之比較。檢查裝置1a係與圖2所示之資料處理裝置2同樣，成為一般之電腦系統之構成。
檢查裝置1a包含資料修正裝置21a、實際圖像記憶部25、及缺陷檢測部26。資料修正裝置21a與圖3所示之資料修正裝置21同樣包含設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、及資料修正部213。實際圖像記憶部25記憶形成於基板9上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料。缺陷檢測部26檢測形成於基板9上之該圖案之缺陷。
其次，一面參照圖16，一面對檢查裝置1a之檢查流程進行說明。於檢查裝置1a之檢查中，首先，進行與圖7之步驟S11~S13、及圖11之步驟S21~S26同樣之處理。具體而言，基於形成於測試基板上之測定圖案，取得複數個對象位置P之蝕刻特性，並於蝕刻特性記憶部212予以準備(步驟S11)。接著，將顯示全體圖案60之設計資料7記憶於設計資料記憶部211予以準備(步驟S12)。於資料修正部213中，藉由設計資料修正處理而基於蝕刻特性修正設計資料7(步驟S13)。
於該設計資料修正處理中，於設計資料7中指定對象資料區塊71(步驟S21)，並取得對象資料區塊71之階層構造(參照圖5)(步驟
S22)。然後，反復進行未修正之對象資料區塊71中最下層之對象資料區塊71之修正、及關於已修正之對象資料區塊71之參照指示資訊712之刪除，而修正所有對象資料區塊71(步驟S23~S25)。
此處，檢查裝置1a之蝕刻修正之內容與描繪裝置1之蝕刻修正不同。具體而言，於基板9之各圖案之位置中，考慮到於實際之蝕刻處理時進行按照最接近蝕刻特性所示之蝕刻量之過度蝕刻。即，以各對象資料區塊71所示之圖形要素成為實際之蝕刻處理後之線寬或大小之方式，進行縮窄該圖形要素之線寬、或縮小圖形要素之修正。換言之，對各對象資料區塊71進行與於描繪裝置1中在上述步驟S24對對象資料區塊71進行之修正相反之修正。然後，藉由合成所有已修正之對象資料區塊71所示之圖案，而取得已修正設計資料(步驟S26)。將該已修正設計資料自資料修正裝置21a傳送至缺陷檢測部26。
接著，取得基板9上之蝕刻圖案之圖像資料，並將該圖像資料作為檢查圖像資料記憶至實際圖像記憶部25予以準備(步驟S31)。此處，基板9上之蝕刻圖案係藉由將基於修正前之設計資料7描繪於基板9上之抗蝕劑膜之圖案顯影而形成抗蝕劑圖案，並利用該抗蝕劑圖案實施蝕刻，而形成於基板9上之圖案。步驟S31既可與步驟S11~S13並行進行，亦可於步驟S11~S13之前進行。該檢查圖像資料既可於檢查裝置1a以外之裝置中取得，亦可於檢查裝置1a中取得。於檢查裝置1a中進行檢查圖像資料之取得之情形時，於檢查裝置1a中，設置取得檢查圖像資料之攝像部。另，於上述步驟S11中，於在檢查裝置1a中取得測定圖案96之圖像之情形時，檢查圖像資料之取得亦較佳於檢查裝置1a中進行。
將檢查圖像資料自實際圖像記憶部25傳送至缺陷檢測部26。於缺陷檢測部26中，藉由比較該檢查圖像資料、與自資料修正裝置21a傳送來之已修正設計資料(即，藉由資料修正裝置21a蝕刻修正後之設
計資料)，而檢測形成於基板9上之蝕刻圖案之缺陷(步驟S32)。如上所述，由於在該已修正設計資料中，以各圖案之圖形要素成為實際之蝕刻處理後之線寬或大小之方式進行修正，故於缺陷檢測部26中，檢測出檢查圖像資料與已修正設計資料之差異作為基板9上之蝕刻圖案之缺陷。
如於以上所說明般，於資料修正裝置21a中，自注目資料區塊71實質性地刪除參照資料區塊71之參照指示資訊712，而個別地修正刪除參照指示資訊712後之注目資料區塊71、與參照資料區塊71。然後，藉由合成已修正注目資料區塊71所示之圖案、與已修正參照資料區塊71所示之圖案，而取得已修正設計資料。藉此，可個別地修正注目資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案、與參照資料區塊71所示之圖案。又，於檢查裝置1a中，假若抑制於比較檢查圖像資料與未蝕刻修正之設計資料7之情形時檢測出之虛報(起因於過度蝕刻之偽缺陷之檢測)，則可高精度地進行基板9上之蝕刻圖案之檢查。
於上述描繪裝置1及檢查裝置1a中，可進行各種變更。
於資料修正裝置21、21a中，亦可不將各對象位置P之蝕刻特性置換成特性組之代表蝕刻特性，即進行資料區塊71之修正。於該情形時，將相互不同之所有蝕刻特性之各者利用於與其對象位置P最接近之圖案之資料區塊71之修正。即，使用最接近蝕刻特性修正各資料區塊71。又，亦可對各資料區塊71所示之圖案之位置個別地求出蝕刻特性。例如，基於各圖案之位置、與配置於該圖案之位置周圍之複數個對象位置P之位置關係，對該等複數個對象位置P之複數種蝕刻特性進行加權，而基於經進行加權之複數種蝕刻特性求出該圖案之位置之蝕刻特性。然後，基於該蝕刻特性，修正與該圖案對應之資料區塊71。於該情形時，可理解為各資料區塊71之修正係基於包含最接近蝕刻特性之複數種蝕刻特性而進行。
如以上，於資料修正裝置21、21a中，較佳至少基於最接近蝕刻特性修正各資料區塊71。於該情形時，於對於刪除參照指示資訊712後之資料區塊71之最接近蝕刻特性之特定，係參照該資料區塊71所示之圖案之位置、即該資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案之位置。且，與基板9上之與該圖案之位置對應之位置最接近之對象位置P之蝕刻特性成為最接近蝕刻特性，而至少基於最接近蝕刻特性修正該資料區塊71。其結果，可適當地修正該資料區塊71所包含之多邊形資料711所示之圖案。
於資料區塊修正部214中，於對象資料區塊71之階層構造中，亦可自最上層之對象資料區塊71開始進行修正。於該情形時，修正最上層之對象資料區塊71時，忽略該對象資料區塊71所包含之指示參照其他對象資料區塊71之參照指示資訊712。該其他對象資料區塊71之修正亦與最上層之對象資料區塊71之修正同樣地進行。根據上述處理，亦個別地修正實質性地刪除參照指示資訊712後之對象資料區塊71、與該對象資料區塊71之參照資料區塊71即其他對象資料區塊71。
圖5所示之資料區塊71之階層構造、及圖6所示之全體圖案60僅為一例，例如，可將子片之資料區塊71所包含之塊之資料區塊71之個數任意變更。又，亦可省略子片之資料區塊71，而於片之資料區塊71包含塊之資料區塊71及顯示周邊電路圖案621之多邊形資料711。
測試基板及基板9之複數個對象位置P(特性取得用圖案95)之配置及數量並非限定於圖6所示者，可適當變更。例如，於基板9上於塊之良率較高之區域較稀疏地配置特性取得用圖案95，於塊之良率較低之區域較細密地配置特性取得用圖案95。
基板9除印刷基板之製造用之基板以外，亦可為半導體基板或玻璃基板等。描繪裝置1可利用於對基板9以外之各種對象物上之圖案之描繪。檢查裝置1a亦可利用於檢查藉由蝕刻而於基板9以外之各種對
象物上形成之圖案之檢查。資料修正裝置21、21a既可作為與描繪裝置1及檢查裝置1a獨立之裝置利用，亦可利用於藉由蝕刻在基板9以外之各種對象物上形成之圖案之設計資料之修正。
上述實施形態及各變化例之構成只要不互相矛盾則可加以適當組合。
雖已詳細地描寫說明發明，但已敘述之說明僅為例示並非加以限定者。因此，只要不脫離本發明之範圍，亦可有多種變化或態樣。
7‧‧‧設計資料
71‧‧‧資料區塊
711‧‧‧多邊形資料
A1‧‧‧部分
Claims (13)
- 一種資料修正裝置，其係修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料者，且包含：設計資料記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之全體圖案之設計資料；蝕刻特性記憶部，其記憶蝕刻特性；及資料修正部，其基於上述蝕刻特性而修正上述設計資料，並取得已修正設計資料；且上述設計資料包含分別表示圖案之複數個資料區塊；上述複數個資料區塊中，表示一注目圖案之注目資料區塊包含表示上述注目圖案之一部分圖案之多邊形資料、及指示參照表示上述注目圖案之另一部分圖案之參照資料區塊之參照指示資訊；上述資料修正部包含：資料區塊修正部，其自上述注目資料區塊實質性地刪除上述參照指示資訊，且個別地修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊與上述參照資料區塊，而取得已修正注目資料區塊、與已修正參照資料區塊；及已修正資料合成部，其藉由合成上述已修正注目資料區塊所示之圖案、與上述已修正參照資料區塊所示之圖案，而取得上述已修正設計資料。
- 如請求項1之資料修正裝置，其中上述蝕刻特性記憶部記憶複數種蝕刻特性；且於上述資料區塊修正部中，刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊之修正中所使用之蝕刻特性、與上述參照資料區 塊之修正中所使用之蝕刻特性不同。
- 如請求項2之資料修正裝置，其中上述複數種蝕刻特性係對於上述對象物上之複數個對象位置分別求出；且將與上述對象物上之與刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊所示之圖案之位置對應之位置最接近之對象位置之蝕刻特性設為最接近蝕刻特性，且上述資料區塊修正部至少基於上述最接近蝕刻特性而修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊。
- 如請求項1之資料修正裝置，其中於上述設計資料中所含之第1資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第2資料區塊之參照指示資訊，於上述第2資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第3資料區塊之參照指示資訊；且上述資料區塊修正部依序進行上述第3資料區塊之修正、刪除上述第3資料區塊之參照指示資訊後之上述第2資料區塊之修正、及刪除上述第2資料區塊之參照指示資訊後之上述第1資料區塊之修正；上述已修正資料合成部係合成已修正之第3資料區塊所示之圖案、已修正之第2資料區塊所示之圖案、及已修正之第1資料區塊所示之圖案。
- 一種描繪裝置，其係於對象物上描繪圖案者，且包含：如請求項1至4中任一項之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於由上述資料修正裝置修正後之設計資料而對來自上述光源之光進行調變；及 掃描機構，其於對象物上掃描由上述光調變部調變後之光。
- 一種檢查裝置，其係檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案者，且包含：如請求項1至4中任一項之資料修正裝置；實際圖像記憶部，其記憶藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料；及缺陷檢測部，其藉由比較由上述資料修正裝置修正後之設計資料與上述檢查圖像資料，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
- 一種資料修正方法，其係修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料者，且包含：a)準備藉由蝕刻而於對象物上形成之全體圖案之設計資料之步驟；b)準備蝕刻特性之步驟；及c)基於上述蝕刻特性而修正上述設計資料，取得已修正設計資料之步驟；且上述設計資料包含分別表示圖案之複數個資料區塊；上述複數個資料區塊中，表示一注目圖案之注目資料區塊包含表示上述注目圖案之一部分圖案之多邊形資料、及指示參照表示上述注目圖案之其他部分圖案之參照資料區塊之參照指示資訊；上述c)步驟包含：c1)自上述注目資料區塊實質性地刪除上述參照指示資訊，且個別地修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊與上述參照資料區塊，而取得已修正注目資料區塊、與已修正參照資料區塊之步驟；及 c2)藉由合成上述已修正注目資料區塊所示之圖案、與上述已修正參照資料區塊所示之圖案，而取得上述已修正設計資料之步驟。
- 如請求項7之資料修正方法，其中於上述b)步驟中，準備複數種蝕刻特性；於上述c1)步驟中，刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊之修正中所使用之蝕刻特性、與上述參照資料區塊之修正中所使用之蝕刻特性不同。
- 如請求項8之資料修正方法，其中上述複數種蝕刻特性係對於上述對象物上之複數個對象位置分別求出；且將與上述對象物上之與刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊所示之圖案之位置對應之位置最接近之對象位置之蝕刻特性設為最接近蝕刻特性，於上述c1)步驟中，至少基於上述最接近蝕刻特性而修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊。
- 如請求項7之資料修正方法，其中於上述設計資料中所含之第1資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第2資料區塊之參照指示資訊，且於第2資料區塊中，包含多邊形資料與指示參照第3資料區塊之參照指示資訊；於上述c1)步驟中，依序進行上述第3資料區塊之修正、刪除上述第3資料區塊之參照指示資訊後之上述第2資料區塊之修正、及刪除上述第2資料區塊之參照指示資訊後之上述第1資料區塊之修正；於上述c2)步驟中，合成已修正之上述第3資料區塊所示之圖案、已修正之第2資料區塊所示之圖案、及已修正之第1資料區 塊所示之圖案。
- 一種描繪方法，其係於對象物上描繪圖案者，且包含：藉由如請求項7至10中任一項之資料修正方法而修正設計資料之步驟；及於對象物上掃描基於經修正之上述設計資料而調變後之光之步驟。
- 一種檢查方法，其係檢查藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案者，且包含：藉由如請求項7至10中任一項之資料修正方法修正設計資料之步驟；及藉由比較經修正之上述設計資料、與藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之圖像資料即檢查圖像資料，而檢測形成於上述對象物上之上述圖案缺陷之步驟。
- 一種記錄媒體，其係記錄有修正藉由蝕刻而於對象物上形成之圖案之設計資料之程式者，且藉由電腦對上述程式之執行係使上述電腦執行如下步驟：a)準備藉由蝕刻而於對象物上形成之全體圖案之設計資料之步驟；b)準備蝕刻特性之步驟；及c)基於上述蝕刻特性而修正上述設計資料，並取得已修正設計資料之步驟；且上述設計資料包含分別表示圖案之複數個資料區塊；上述複數個資料區塊中，顯示一注目圖案之注目資料區塊包含表示上述注目圖案之一部分圖案之多邊形資料、及指示參照表示上述注目圖案之其他部分圖案之參照資料區塊之參照指示資訊； 上述c)步驟包含：c1)自上述注目資料區塊實質性地刪除上述參照指示資訊，個別地修正刪除上述參照指示資訊後之上述注目資料區塊、與上述參照資料區塊，而取得已修正注目資料區塊、與已修正參照資料區塊之步驟；及c2)藉由合成上述已修正注目資料區塊所示之圖案、與上述已修正參照資料區塊所示之圖案，而取得上述已修正設計資料之步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-147785 | 2015-07-27 | ||
| JP2015147785A JP6466277B2 (ja) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201710674A true TW201710674A (zh) | 2017-03-16 |
| TWI612296B TWI612296B (zh) | 2018-01-21 |
Family
ID=57945844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105119616A TWI612296B (zh) | 2015-07-27 | 2016-06-22 | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6466277B2 (zh) |
| KR (1) | KR20170013162A (zh) |
| TW (1) | TWI612296B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI729331B (zh) * | 2018-01-11 | 2021-06-01 | 開曼群島商創新先進技術有限公司 | 圖像標註資訊處理方法、裝置、伺服器及系統 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7214452B2 (ja) * | 2018-12-03 | 2023-01-30 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2830330B2 (ja) * | 1989-04-04 | 1998-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 近接効果補正方法 |
| JP4274784B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2009-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 配線形成システムおよびその方法 |
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| JP4493391B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-06-30 | 新光電気工業株式会社 | パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置 |
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| JP2009014830A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターンデータ生成装置、露光システム、パターンデータ生成方法、およびプログラム |
| TWI409661B (zh) * | 2009-11-18 | 2013-09-21 | Iyun Leu | 物體製造缺陷的應用方法 |
| NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
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-
2015
- 2015-07-27 JP JP2015147785A patent/JP6466277B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-22 TW TW105119616A patent/TWI612296B/zh active
- 2016-07-20 KR KR1020160092073A patent/KR20170013162A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170013162A (ko) | 2017-02-06 |
| TWI612296B (zh) | 2018-01-21 |
| JP6466277B2 (ja) | 2019-02-06 |
| JP2017026942A (ja) | 2017-02-02 |
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