JP2005116929A

JP2005116929A - パターン製造システム

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Publication number: JP2005116929A
Application number: JP2003351924A
Authority: JP
Inventors: Kiyoteru Morita; 清輝森田; Atsushi Suganuma; 敦菅沼; Daisuke Nakatani; 大輔中谷; Mitsuru Sawano; 充沢野
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2003-10-10
Filing date: 2003-10-10
Publication date: 2005-04-28

Abstract

【課題】銅箔厚などによるパターン線の線幅の仕上がりのばらつきを調整して、パターンを形成することで精度の高い仕上がりにする。
【解決手段】基板上に銅箔およびレジストを積層し、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を用いて直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成する。このとき、銅箔厚を入力し、銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅および露光量のうち少なくとも一方を調整する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プリント基板の回路パターン等を製造する際に基板上に形成した銅箔の厚さや、銅箔上に塗布したレジストの厚さ等による仕上がりのばらつきを抑制するパターン製造システムに関するものである。

例えば、プリント基板の回路パターンを製造する場合、従来は、基板上に銅箔を形成し、さらに銅箔上にレジストを塗布した基板に、フォトマスクを用いて基板上のレジストを露光して硬化させた後、該レジストを現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンを利用して基板上の銅箔をエッチングすることにより回路パターンを形成する方法がとられている。

上記従来の方法において、エッチングを行う際、銅箔厚が厚い場合には、エッチング時間が長くなるためサイドエッチグ量が多く仕上がった回路パターンのパターン線の線幅は細くなり、銅箔厚が薄い場合には、エッチング時間が短いためサイドエッチグ量は少なく仕上がった回路パターンのパターン線の線幅が太くなるというように、銅箔厚の厚さに依存して仕上がる回路のパターン線の線幅にばらつきが発生するという問題があった。

また、レジストを露光する際、光（例えば、レーザ）がレジストを通過した部分が露光されるため、レジスト厚の違いにより露光されるレジストの幅が異なる。例えば、ネガ型レジストにおいては、レジスト厚が厚い場合には露光が十分に行われないため形成されるレジストパターンの線幅は細くなり（ポジ型レジストでは太くなる）、レジスト厚が薄い場合には露光が十分に行われ形成されるレジストパターンの線幅は太くなる（ポジ型レジストでは細くなる）というように、レジストの厚さに依存してばらつきが発生する。さらに、レジストを通過した光は銅箔の上面で散乱し、散乱した光によってもレジストは露光される。そのため、銅箔の整面状態によってもレジストが露光されるパターン線の線幅が異なり、形成されるレジストパターンの線幅にばらつきが生じるという問題があった。

また、エッチングに用いるレジストパターンの線幅が所定の線幅以下の部分にはオーバーエッチングが発生することから、このオーバーエッチングが発生するレジストパターンのパターン線の線幅を予め記憶しておき、所定の線幅以下のレジストパターンのパターン線の線幅を太らせるように補正ラインを付加するものがある（例えば、特許文献２）。

あるいは、加工工程の各工程における様々な要因により発生する仕上がりのばらつきを防ぐために、基板の空き領域（配線部分以外の領域）にテストパターンを埋め込み、エッチング後にそのテストパターンを画像認識してエッチングされた量の変化を確認して、それに応じて新たなエッチグ液の供給やシャワー圧を変化させるように制御するものもある（例えば、特許文献３）。

さらに、エッチングを行う際、レジストパターンのパターン線の密度に依存して基板上の銅箔がエッチングされる量が変わり、仕上がる回路パターン線の線幅にばらつきが発生するため、形成しようとしている回路パターン線の密度に基づいて予め入力データの補正を行いフォトマスクのパターン線の調整を行うようにしたものもある（例えば、特許文献１）。
特開平６−１８６７２４号公報特開２００１−１３４６２７公報特開平９−１６２５２２号公報

しかしながら、前述の特許文献１や特許文献２の方法では、入力データの線幅を補正して仕上がった回路パターン線の線幅を指定された線幅に近づけようとするものではあるが、銅箔厚やレジスト厚の違いによって発生する仕上がりのばらつきを抑制することはできない。また、このようなフォトマスクを作成する方法で銅箔厚やレジスト厚の違いによる仕上がりのばらつきを抑制するためには、加工工程に搬送されて来る基板に対応して何度もフォトマスクを作成し直す必要があり生産コストが高くついてしまう。

一方、特許文献３では、パターン線がエッチングされた量の変化を確認して、新たなエッチグ液の供給やシャワー圧を変化させることで仕上がりが一定になるようにエッチングの進行を制御しようとしているが、このような新たなエッチング液の供給やシャワー圧の変化による制御では応答性が安定せず仕上がりのばらつきが残ってしまうという問題がある。

また、近年回路パターンの複雑化、高精細化に伴い、より精度の高い仕上がりが求められ、このような銅箔厚やレジスト厚などの違いによって生じる仕上がりのばらつきも無視できないものとなってきている。

本発明は、上記事情に鑑み、生産コストが高くならず、銅箔厚やレジスト厚などに影響されて仕上がりがばらつくということがなく、仕上がり精度の高いパターン製造システムを提供することを目的とする。

本発明のパターン製造システムは、基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記銅箔の銅箔厚を入力する銅箔厚入力手段と、
該銅箔厚入力手段によって入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするものである。

ここで、「加工用パターン」、「レジストパターン」、「形成パターン」および「目標形成パターン」は、パターン線の座標値と線幅であらわされるものである。

また、「目標形成パターン」とは、形成しようとしている形成パターンであり、そのときのパターン線の座標値と線幅であらわされるものである。

「銅箔厚入力手段」は、例えば、銅箔形成装置で基板上に銅箔を形成する際、変位計等を用いて、銅箔形成前の基板の厚さと銅箔形成後の銅箔と基板を合わせた厚さを計測して、その差から銅箔の厚さを求め、求めた銅箔の厚さをネットワークを介して入力を行う通信部や、基板上に形成された銅箔の厚さを計測した結果等を、操作パネル等から直接入力する入力装置等である。

また、「目標銅箔厚」とは、形成しようとする銅箔の厚さである。

「加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅の調整」は、補正量を求めて加工用パターンデータの線幅をこの補正量を加えた線幅に直接書き換えるものでもよいが、加工用パターンデータは直接書き換えないで、求めた補正量と加工用パターンデータで指定された線幅とを加算して調整済線幅を別途取得するものでもよい。

また、前記調整手段は、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を調整するものが望ましい。

「パターン線の線幅を補正する補正量」とは、現像後のレジストパターンの線幅が所望の線幅に仕上がるように加工用パターンデータのパターン線の線幅を補正する量であり、「基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係」は、実際にエッチング後の形成パターンのパターン線の線幅を計測して実験的に求めたものを使用することができる。例えば、銅箔厚の異なる基板に線幅を変えたテスト用パターンを用いて形成パターンを形成し、その結果得られ形成パターンの線幅を計測することにより求めた関係を使用することができる。

銅箔を形成する際、銅箔厚が均一となるようにして形成を行っても場所によって形成された銅箔厚が違ってくる。そこで、前記銅箔厚入力手段では、前記基板を複数の区分に分けた各区分毎に銅箔厚を入力するものとし、前記調整手段では、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を前記各区分毎に求め、該補正量を用いて前記加工用パターンにより指定されたパターン線の線幅を前記各区分毎に調整するものが望ましい。

また、前記調整手段は、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差と露光量を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記所定の露光量を調整するものであってもよい。

「露光量を補正する補正量」とは、現像後のレジストパターンの線幅が所望の線幅に仕上がるように露光量を補正する量であり、「基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差と露光量を補正する補正量との関係」は、実際にエッチング後の形成パターンのパターン線の線幅を計測して実験的に求めたものを使用することができる。例えば、銅箔厚の異なる基板にテスト用パターンを用いて露光量を変えて形成パターンを形成し、その結果得られ形成パターンの線幅を計測することにより求めた関係を使用することができる。

本発明の他のパターン製造システムは、基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記レジストのレジスト厚を入力するレジスト厚入力手段と、
該レジスト厚入力手段によって入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚の差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするものである。

「レジスト厚入力手段」は、例えば、レジスト塗布装置で基板上にレジストを塗布する際、変位計等を用いて、レジスト塗布前の銅箔と基板を合わせた厚さとレジスト塗布後のレジストと銅箔と基板を合わせた厚さを計測して、その差からレジストの厚さを求め、求めたレジストの厚さをネットワークを介して入力を行う通信部や、基板上に形成されたレジストの厚さを計測した結果等を、操作パネル等から直接入力する入力装置等である。

また、「目標レジスト厚」とは、形成しようとするレジストの厚さである。

また、前記調整手段は、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を調整するものであるってもよい。

「基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係」は、実際にレジストを露光し現像してレジストパターンを形成後、レジストパターンが形成された銅箔をエッチングして形成された形成パターンのパターン線の線幅を計測して実験的に求めたものを使用することができる。例えば、レジスト厚の異なる基板にテスト用パターンを用いて形成パターンを形成し、その結果得られ形成パターンの線幅を計測することにより求めた関係を使用することができる。

レジストを塗布する際、レジスト厚が均一となるようにして塗布しても場所によって塗布されたレジスト厚が違ってくる。そこで、レジスト厚入力手段では、前記基板を複数の区分に分けた各区分毎にレジスト厚を入力するものとし、前記調整手段では、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を前記各区分毎に求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を前記各区分毎に調整するものが望ましい。

また、前記調整手段は、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差と露光量を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記所定の露光量を調整するものであってもよい。

「基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差と露光量を補正する補正量との関係」は、実際にレジストを露光し現像してレジストパターンを形成後、レジストパターンが形成された銅箔をエッチングして形成された形成パターンのパターン線の線幅を計測して実験的に求めたものを使用することができる。例えば、レジスト厚の異なる基板にテスト用パターンを用いて露光量を変えて形成パターンを形成し、その結果得られ形成パターンの線幅を計測することにより求めた関係を使用することができる。

本発明のさらに他のパターン製造システムは、基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記露光手段で前記レジストを露光する光がレジストを通過後、前記銅箔の上面で散乱する散乱量を入力する散乱量入力手段と、
該散乱量入力手段によって入力された前記散乱量に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするものである。

「散乱量入力手段」は、例えば、銅箔を整面処理した後に光が正反射以外の場所で反射された光量を計測して散乱量を求め、求めた散乱量をネットワークを介して入力を行う通信部や、計測した散乱量を操作パネル等から直接入力する入力装置等である。

本発明のパターン製造システムによれば、基板上に形成された銅箔厚や、基板の銅箔の上に形成されたレジスト厚に基づいて、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅か露光量を調整することによって、銅箔厚やレジスト厚の違いによる仕上がりのばらつきをなくすことができる。

また、フィルムまたはガラス原版に描いたマスクパターンを用いてレジストを露光する場合には、このようなばらつきに対応するために度々マスクパターンを作り直す必要がありコストが高くつくが、直描型の露光装置を用いてパターン線の線幅や露光量を随時変えることにより、コストアップを招くことなく常に仕上がりが均一になるように調整することができる。

また、パターン線の線幅を補正する補正量と銅箔厚やレジスト厚との関係を実測して得たものを記憶しておくようにすれば、各製造装置に対応した補正を行うことが可能になる。

さらに、複数の区分に分けて各区分の銅箔厚やレジスト厚を計測して各区分毎に補正した場合には、基板の場所による銅箔厚やレジスト厚が違いによる仕上がりのばらつきをなくすように補正することができるため、より均一な仕上がりにすることが可能になる。

露光量を補正する補正量と銅箔厚やレジスト厚との関係を実測して得たものを記憶しておくことにより、各製造装置に対応した補正を露光量を調整することによっても可能になる。

さらに、レジストが露光されるパターン線の線幅は、銅箔上面で光が散乱される散乱量によって異なってくるため、散乱量に基づいて加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅か露光量を調整することによって、銅箔上面の整面状態による仕上がりのばらつきをなくすこともでき、より均一な仕上がりにすることができる。

以下、本発明のパターン製造システムの第１の実施の形態について図面を用いて説明する。

図１は、パターン製造システムの第１の実施の形態を示す図であり、このパターン製造システム１により形成パターンの一例である回路パターンを製造する場合について説明する。パターン製造システム１は、基板上に回路形成材である銅箔を形成する銅箔形成装置（銅箔形成手段）２、形成した銅箔の上面を機械研磨や化学研磨で整面処理する整面装置（整面手段）３、整面した銅箔上にレジストをラミネートするラミネーション装置（ラミネーション手段）４、ラミネートされたレジスト材にパターンを露光する直描型の露光装置（露光手段）５、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置（現像手段）６、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング装置（エッチング手段）７を備えている。

銅箔形成装置２には、基板上に形成した銅箔の厚さを入力する銅箔厚検出手段２０が設けられ、銅箔厚検出手段２０は露光装置５とネットワーク８で接続されて、検出された銅箔厚２００が銅箔厚検出手段２０から露光装置５に送信される。

銅箔厚検出手段２０として、例えば、銅箔形成装置２に変位計を設け、銅箔形成装置２に搬送された基板に銅箔を形成する前の変位と、銅箔を形成した後の変位を計測して、その差から形成された銅箔の銅箔厚を検出する。変位計としては、レーザ変位計等を用いることが可能である。

露光装置５は、図２に示すように、ＣＡＭ９から入力された加工用パターンデータ１００を加工に適した形式に変換するデータ変換手段５１と、銅箔厚検出手段２０によって検出された銅箔厚をネットワーク８を介して入力する銅箔厚入力手段５５と、入力された銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータ１００を調整する調整手段５３と、加工用パターンデータ１００に従って露光を行う露光制御手段（露光用光源を含む）５４とを備えている。また、目標銅箔厚は、最も加工に適した銅箔の厚さを露光装置５の操作パネル等から予め入力しておく。

上記露光装置５としては、レーザなどを用いてレジストに直接描画する直描装置が用いられる。例えば、図３に示すように、レーザ直描装置５０はレーザ発生装置から発せられるレーザビームＬＢをビームスプリッターやビームセパレータを介して複数の描画用光束Ｌに分割し、分割された光束が一列状に並ぶ描画用光束ＬＬとなって描画テーブルＴに到達するように構成され、描画テーブルＴにセットされた基板Ｓ上を主走査方向（Ｙ方向）と副走査方向（Ｘ方向）に描画用光束ＬＬを走査させて基板Ｓに１列状に並んだドットで描画を行うものである。具体的には、特開平７−１５９９３公報や特開平９−３２３１８０公報などに開示されている。

このようなレーザ光を複数の描画光束に分解したドットで描画を行うレーザ直描装置５０を用いて、基板の銅箔上に塗布されたレジストに回路パターンの描画を行うためには、加工用パターンデータ１００をラスタデータに変換したものを描画データとして用い、この描画データに基づいて露光制御手段５４で露光を行なう。また、露光は装置に設定されている標準露光量に基づいて行うが、必要に応じて露光量を調整することが可能である。露光量を調整するためには、調整手段４３で調整した露光量を描画データとは別の情報として露光制御手段４４に伝達することもできるが、露光量を描画データの画素を多値で表すものとし、調整手段４３で調整した露光量に対応した多値に描画データを変換して露光制御手段４４に伝達することもできる。例えば、１画素（１ドット）を２５５階調で表すものとし、２５５が最大の露光量を表し、数値が小さくなるほど小さい露光量を表すものとする。露光制御手段５４では、このように多値（階調）で表された描画データに基づいて諧調に応じた露光量で露光を行う。

ここで、パターン製造システム１を用いて同じ回路パターンを繰り返し製造する場合の作用について、図４のフローチャートに従って説明する。

まず、露光装置５はＣＡＭ９から加工用パターンデータ１００を予め受信し（Ｓ１００）、露光装置５では受信したＧｅｒｂｅｒデータ等のベクトルデータ形式の加工用パターンデータ１００をデータ変換手段５１でラスタデータ形式の加工用パターンデータ（描画データ）に変換しておく（Ｓ１０１）。

回路パターンを形成する基板が銅箔形成装置２に搬送されると、銅箔厚検出手段２０で銅箔を形成する前の基板を変位計で計測し、回路形成材である銅箔を基板に形成後（Ｓ１０２）、再度、銅箔厚検出手段２０で銅箔が形成された基板を変位計で計測して、銅箔を形成した後の変位計の値と銅箔を形成する前の変位計の値を差し引いて、形成された銅箔厚を検出する（Ｓ１０３）。検出した銅箔厚は、ネットワーク８を介して銅箔厚検出手段２０から露光装置５の銅箔厚入力手段５５に送信する。

銅箔が形成された基板は整面装置３に搬送され、整面装置３で銅箔の上面を整面処理する（Ｓ１０４）。さらに、整面処理された基板はラミネーション装置４に搬送され、基板の銅箔上にレジストがラミネートされる（Ｓ１０５）。

レジストがラミネートされた基板は露光装置５に搬送され、露光装置５はラスタデータ形式の加工用パターンデータを用いて露光制御手段５４でレジストの露光を行う（Ｓ１０６）。

レジストが露光されると現像装置５で現像を行い不要なレジストが除去され（ポジ型レジストの場合は露光されたレジストが除去され、ネガ型レジストの場合は露光されていないレジストが除去される）、銅箔の上面にレジストパターンが形成される（Ｓ１０７）。さらに、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチング装置６でエッチングして形成パターンを形成する（Ｓ１０８）。

このとき、銅箔厚が目標銅箔厚より厚い場合には、エッチングに時間がかかるためサイドエッチングの量が多くなり形成パターンの線幅が細くなるが、銅箔厚が目標銅箔厚より薄い場合には、エッチングに時間がかからないためサイドエッチングが少なく形成パターンのパターン線は細くなることはない。そのため、銅箔の厚さが目標銅箔厚より厚い場合には、目標形成パターンの線幅に形成パターンを仕上げるために、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅を太くすることで目標形成パターンの線幅を持つ形成パターンに仕上げることができる。

そこで、形成パターンのパターン線が目標形成パターンの線幅となるように仕上げるためには、露光装置５は銅箔厚入力手段５５から銅箔厚２００を入力し、入力した銅箔厚２００と目標銅箔厚との差を算出し（Ｓ１０９）、差が所定の値以下である場合には（Ｓ１１０−ＹＥＳ）、そのまま同じ加工用パターンデータ１００を用いて次の基板の加工を行なってもよいが、受信した銅箔厚２００と目標銅箔厚との差が所定の値以上である場合には（Ｓ１１０−ＮＯ）、加工用パターンデータ１００を補正して露光を行う必要がある。

そこで、調整手段５３は、銅箔厚２００と目標銅箔厚との差に基づいてエッチング後の形成パターンのパターン線の線幅が目標とする線幅（目標形成パターンのパターン線の線幅）になるように、加工用パターンデータ１００で指定されたパターン線の線幅を調整する（Ｓ１１１）。

形成パターンのパターン線の線幅が所望の線幅に仕上がるように加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正する補正量ΔＷと銅箔厚２００と目標銅箔厚との差（以下、銅箔厚の差とする）ΔＴとの間には、例えば、図５に示すような関係があり、
ΔＷ＝ｆ１（ΔＴ）（１）
ΔＴ：銅箔厚の差
と表される。この関係は実験を行って得られた結果や実際に製造して得られた結果等から求め、求めた関係を予め露光装置５に記憶しておき、調整手段５３では、これに基づいて線幅の調整を行う。

また、銅箔形成装置２で基板上に形成された銅箔は、基板の場所によって形成された銅箔厚が違うというようなローカリティが発生する。そこで、このようなローカリティが吸収できるように、例えば、加工を行う基板上の領域を、図６に示すような複数の区分（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）に分け、分けた各区分毎に銅箔厚検出手段２０で銅箔厚２００を検出して露光装置５に送信し、露光装置５では送信された銅箔圧２００を銅箔厚入力手段５５から入力して、調整手段５３では、各区分毎の銅箔厚の差から各区分における補正量ΔＷを求める。各区分に分けて銅箔厚を検出する場合には、各区分の中央付近で測定を行ったものを用いるのが好ましい。また、この区分の分割は細かくする程、場所に対応して細かい調整をすることが可能となる。

そこで、露光装置５は、銅箔厚入力手段５５から入力された銅箔厚２００に基づいて、調整手段５３で上述の関係を用いて線幅を補正する補正量を求める。例えば、銅箔厚の差がＴ１の場合には、そのときの補正量Ｗ１を用いて調整する（図５参照）。また、図６に示すＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の区分に基板を分割した場合には、上記区分に対応するように加工用パターンデータ１００も複数の区分に分割して、各区分毎に加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正を行う。

以上、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅を補正する場合について説明したが、加工用パターンデータ１００の露光量を調整して形成パターンのパターン線の線幅を調整することも可能である。露光量を変えて形成パターンのパターン線の線幅を調整するには、露光量を変化させるとそれに伴ってどの程度形成パターンのパターン線の線幅が変わるかを記憶しておいて露光量の調整を行う。パターン線の補正量ΔＷと、この補正量ΔＷ程線幅を変えるための露光量を補正する補正量ΔＥとの間には、例えば、図７に示すような関係があり、
ΔＷ＝ｆ２（ΔＥ）（２）
と表せる。この関係も、前述の（１）式と同様に、実験を行って得られた結果や実際に製造して得られた結果等に基づいて求め、求めた関係を予め露光装置５に記憶しておく。

露光量を調整して形成パターンの線幅を調整するためには、前述と同様に、調整手段５３で、まず、銅箔厚の差Ｔ１と、（１）式に基づき線幅を補正する補正量Ｗ１を求める。さらに（２）式の関係に基づいて、補正量Ｗ１から露光量を補正する補正量Ｅ１を求め（図７参照）、補正量Ｅ１程で露光制御部５４の露光量を補正する。

線幅の調整を行う場合と同様に露光量の調整も、基板上の区分を複数の区分に分割し、分割した基板上の区分に対応するように加工用パターンデータ１００を分割して、対応する各区分毎に露光量を補正して調整したものが望ましい。

以上説明したように、銅箔厚の差が所定の値以上の場合には、露光量または加工用パターンデータ１００の線幅を調整したものを用いて、次に加工する基板のレジストを露光する（Ｓ１０２）。

レジストが露光された基板は現像装置５で不要なレジストが除去され、銅箔の上面にレジストパターンが形成される（Ｓ１０３）。レジストパターンが形成された基板上の銅箔はエッチング装置６でエッチングされて回路パターンが形成される（Ｓ１０４）。

以下、前述の同様に、銅箔厚の差が所定の値以下の場合には（Ｓ１０６−ＹＥＳ）、調整を行わずに同じ露光量で同じ加工用パターンデータ１００を用いて次の基板の加工を行なうが、銅箔厚の差が所定の値以上となる場合には（Ｓ１０６−ＮＯ）、加工用パターンデータ１００を再度調整して（Ｓ１０８）、次の基板の加工を行う。

以上、調整手段５３では所定の値以上の銅箔厚に差がある場合に調整を行うとして説明したが、銅箔厚に差が僅かであっても差があれば調整を行うようにしてもよい。

また、銅箔厚入力手段５５で、ネットワーク８を介して銅箔厚を受信して入力する場合について説明したが、露光装置５の操作パネルから銅箔厚を入力するようにしてもよい。

以上詳細に説明したように、銅箔厚を検出し、形成パターンが所望の線幅になるように銅箔厚に応じて加工用パターンデータの線幅や露光量を調整することが可能である。

次に、第２の実施の形態では、レジストの厚さを検出して形成パターンのパターン線の線幅を目標形成パタンのパターン線の線幅に仕上げる場合について説明する。図８は、第２の実施の形態のパターン製造システム１ａの実施の形態を示す図である。前述の実施の形態と同一の構成には同一符号を付して詳細な説明は省略し、相違するものについてのみ説明する。

本実施の形態のパターン製造システム１ａは、基板上に回路形成材である銅箔を形成する銅箔形成装置２ａ、形成した銅箔の上面を機械研磨や化学研磨で整面処理する整面装置３、整面した銅箔上にレジストをラミネートするラミネーション装置４ａ、ラミネートされたレジスト材にパターンを露光する直描型の露光装置５ａ、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置６、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング装置７を備えている。

本実施の形態では、銅箔形成装置２ａに銅箔厚検出手段は設けず、ラミネーション装置４ａにレジスト厚検出手段４０を設ける。レジスト厚検出手段４０は露光装置５ａとネットワーク８で接続され、レジスト厚４００がレジスト厚検出手段４０から露光装置５ａに送信される。

レジスト厚検出手段４０としては、例えば、ラミネーション装置４ａに変位計を設け、ラミネーション装置４ａに搬送された基板の銅箔上にレジストを塗布する前の変位と、レジストを塗布した後の変位を計測して、その差から塗布されたレジストのレジスト厚４００を検出する。変位計は、レーザ変位計等を用いることが可能である。

露光装置５ａは、図９に示すように、ＣＡＭ９から入力された加工用パターンデータ１００を加工に適した形式に変換するデータ変換手段５１と、レジスト厚検出手段４０によって検出されたレジスト厚４００をネットワーク８を介して入力するレジスト厚入力手段５５ａと、入力されたレジスト厚４００と目標レジスト厚との差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータ１００を調整する調整手段５３ａと、加工用パターンデータ１００に従って露光を行う露光制御手段５４とを備えている。また、目標レジスト厚は、最も加工に適したレジストの厚さを露光装置５の操作パネル等から予め入力しておく。

本実施の形態の露光装置５ａとしては、前述の実施の形態で説明した直描型の露光装置を用いることができる。

そこで、パターン製造システム１を用いて同じ回路パターンを繰り返し製造する場合の作用について説明する。

まず、前述の実施の形態と同様に、露光装置５ａはＣＡＭ９から加工用パターンデータ１００を予め受信し、加工用パターンデータ１００をラスタデータ形式の加工用パターンデータ（描画データ）に変換しておく。

そこで、回路パターンを形成する基板が銅箔形成装置２ａに搬送されると、基板上に銅箔を形成し、銅箔が形成された基板は整面装置３に搬送され、整面装置３で銅箔の上面を整面処理してラミネーション装置４に搬送される。

ラミネーション装置４に基板の銅箔上にレジストがラミネートされる前に、レジスト厚検出手段４０でレジストを塗布する前の銅箔が形成された基板を変位計で計測してレジストを銅箔上に塗布し、再度、レジスト厚検出手段４０でレジストが塗布された基板を変位計で計測して、レジストを塗布した後の変位計の値とレジストを塗布する前の変位計の値を差し引いてレジストのレジスト厚４００を検出する。検出されたレジスト厚４００は、ネットワーク８を介してレジスト厚検出手段２０から露光装置５ａのレジスト厚入力手段５５ａに送信される。

レジストがラミネートされた基板は露光装置５ａに搬送され、露光装置５はラスタデータ形式の加工用パターンデータを用いて露光制御手段５４でレジストの露光を行う。

レジストが露光されると現像装置６で現像を行い不要なレジストが除去されが、レジスト厚４００が目標レジスト厚より厚い場合には、露光が十分に行われない。そのため、現像したレジストパターンのパターン線の線幅は、ポジ型レジストの場合は太くなり、ネガ型レジストの細くなる。このようなレジストパターンが形成された基板をエッチング装置７を用いて、基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成しても、形成パターンのパターン線の線幅は目的形成パターンのパターン線の線幅には仕上がらない。

そこで、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンの線幅に仕上がるように、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅を補正する。加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正量ΔＷとレジスト厚４００と目標レジスト厚との差（以下、レジスト厚の差とする）ΔＳとの間には、例えば、図１０に示すような関係があり、
ΔＷ＝ｆ３（ΔＳ）（３）
ΔＳ：レジスト厚の差
と表される。この関係は実験を行って得られた結果や実際に製造して得られた結果等から求め、求めた関係を予め露光装置５ａに記憶しておき、調整手段５３ａでは、これに基づいて線幅の調整を行う。

調整手段５３ａは、式（３）の関係に基づいて、レジスト厚の差ΔＳからパターン線の補正を行う補正量ΔＷを求めて、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正を行う。

また、前述の実施形態と同様に、基板上を複数の区分に分割し、各区分毎のレジスト厚を計測し、各区分において最も適切な補正が得られるようにしたものが望ましい。

さらに、前述の実施形態と同様に、露光量を変化させるとそれに伴ってどの程度形成パターンのパターン線の線幅が変わるかを露光装置５ａに記憶しておき露光量を補正する補正量を求めて調整してもよい。露光量の調整も、基板上の区分を複数の区分に分割し、分割した基板上の複数の区分に対応するように加工用パターンデータ１００を複数の区分に分割して、対応する各区分毎に露光量を補正して調整したものが望ましい。

また、レジスト厚入力手段５５ａで、ネットワーク８を介してレジスト厚を受信して入力する場合について説明したが、露光装置５ａの操作パネルからレジスト厚を入力するようにしてもよい。

以上詳細に説明したように、レジスト厚を検出し、露光量や加工用パターンデータの線幅を調整して、最終的にエッチング後に形成される形成パターンを常に同じ仕上がりにすることが可能である。

次に、第３の実施の形態では、レジストを露光する際、レジストを通過した光が銅箔の上面で散乱することによってレジストが硬化する影響を考慮して、形成パターンのパターン線の線幅を目標形成パターンの線幅に仕上げる場合について説明する。図１１は、第３の実施の形態のパターン製造システム１ｂの実施の形態を示す図である。前述の各実施の形態と同一の構成には同一符号を付して詳細な説明は省略し、相違するものについてのみ説明する。

本実施の形態のパターン製造システム１ｂは、基板上に回路形成材である銅箔を形成する銅箔形成装置２ａ、形成した銅箔の上面を機械研磨や化学研磨で整面処理する整面装置３ｂ、整面した銅箔上にレジストをラミネートするラミネーション装置４、ラミネートされたレジスト材にパターンを露光する直描型の露光装置５ｂ、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置６、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング装置７を備えている。

本実施の形態では、整面装置３ｂに散乱量検出手段３０を設ける。散乱量検出手段３０は露光装置５ｂとネットワーク８で接続され、散乱量３００が散乱量検出手段３０から露光装置５ｂに送信される。

整面後の銅箔に光を照射すると、良好な状態に整面された銅箔上では散乱は起こらず正反射の位置でのみ反射した光が感知されるが、あまり良好な状態に整面されていない銅箔上では正反射以外の位置においても反射した光が感知される。そこで、散乱量検出手段３０として、例えば、整面した銅箔に光を照射し、正反射の以外位置でフォトディテクター等を用いて感知された光量を計測して散乱量３００を検出する。

露光装置５ｂは、図１２に示すように、ＣＡＭ９から入力された加工用パターンデータ１００を加工に適した形式に変換するデータ変換手段５１と、散乱量検出手段３０によって検出された散乱量３００をネットワーク８を介して入力する散乱量入力手段５５ｂと、入力された散乱量３００に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータ１００を調整する調整手段５３ｂと、加工用パターンデータ１００に従って露光を行う露光制御手段５４とを備えている。

また、本実施の形態の露光装置５ｂとしては、前述の実施の形態で説明した直描型の露光装置を用いることができる。

まず、前述の実施の形態と同様に、露光装置５はＣＡＭ９から加工用パターンデータ１００を予め受信し、加工用パターンデータ１００をラスタデータ形式の加工用パターンデータ（描画データ）に変換しておく。

そこで、回路パターンを形成する基板が銅箔形成装置２ａに搬送されると、基板上に銅箔を形成し、銅箔が形成された基板は整面装置３に搬送される。

整面装置３は、基板に形成された銅箔の上面を整面処理し、整面処理した銅箔の上面を散乱量検出手段３０で散乱量３００を検出する。検出された散乱量３００は、ネットワーク８を介して散乱量検出手段３０から露光装置５ｂの散乱量入力手段５５ｂに送信する。

整面処理された基板はラミネーション装置４に搬送され、基板の銅箔上にレジストがラミネートされる。レジストがラミネートされた基板は露光装置５に搬送され、露光装置５はラスタデータ形式の加工用パターンデータを用いて露光制御手段５４でレジストの露光を行う。

露光を行う際、銅箔上面の整面状態が良好でない場合には、レジストを通過した光が銅箔上面で散乱し、露光されるレジストの範囲が広くなり、現像装置６で現像したレジストパターンのパターン線の線幅は、ポジ型レジストの場合は細くなり、ネガ型レジストの場合は太くなる。そのため、形成されたレジストパターンをこのまま用いて、エッチング装置７でエッチングすると、最終的に形成される形成パターンのパターン線の線幅は目的形成パターンのパターン線の線幅と異なるものに仕上がる。

そこで、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンの線幅に仕上がるように加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅を補正する。加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正量ΔＷと散乱量Ｄ（３００）との間には、例えば、図１３に示すような関係があり、
ΔＷ＝ｆ４（Ｄ）（３）
Ｄ：散乱量
と表される。この関係は実験を行って得られた結果や実際に製造して得られた結果等から求め、求めた関係を予め露光装置５ｂに記憶しておき、調整手段５３ｂでは、これに基づいて線幅の調整を行う。

調整手段５３ｂは、式（３）の関係に基づいて、散乱量Ｄ（３００）からパターン線の補正を行う補正量ΔＷを求めて、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正を行う。

また、前述の各実施形態と同様に、基板上を複数の区分に分割し、各区分毎に散乱量３００を計測し、各区分において最も適切な補正が得られるようにしたものが望ましい。

さらに、前述の実施形態と同様に、露光量を変化させるとそれに伴ってどの程度形成パターンのパターン線の線幅が変わるかを露光装置５ｂに記憶しておき、露光量を補正する補正量を求めて調整してもよい。露光量の調整も、基板上の区分を複数の区分に分割し、分割した基板上の複数の区分に対応するように加工用パターンデータ１００を複数の区分に分割して、対応する各区分毎に露光量を補正して調整したものが望ましい。

また、散乱量入力手段５５ｂで、ネットワーク８を介して散乱量を受信して入力する場合について説明したが、露光装置５ｂの操作パネルから散乱量を入力するようにしてもよい。

以上詳細に説明したように、銅箔上面の散乱量を検出し、形成パターンが所望の線幅になるように加工用パターンデータの線幅や露光量を調整することが可能である。

第４の実施の形態では、レジスト厚とレジストを通過した光が銅箔の上面で散乱する散乱量の双方の影響を加味して、形成パターンのパターン線の線幅を目標形成パターンの線幅に仕上げる場合について説明する。図１４は、第４の実施の形態のパターン製造システム１ｂの実施の形態を示す図である。前述の各実施の形態と同一の構成には同一符号を付して詳細な説明は省略し、相違するものについてのみ説明する。

本実施の形態のパターン製造システム１ｂは、基板上に回路形成材である銅箔を形成する銅箔形成装置２ａ、形成した銅箔の上面を機械研磨や化学研磨で整面処理する整面装置３ｂ、整面した銅箔上にレジストをラミネートするラミネーション装置４ａ、ラミネートされたレジスト材にパターンを露光する直描型の露光装置５ｃ、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置６、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング装置７を備えている。

ラミネーション装置４ａには、レジスト厚検出手段４０を備え、検出されたレジスト厚４００はネットワーク８を介して露光装置５ｃに送信される。さらに、整面装置３ｂには、散乱量検出手段３０が設けられ、散乱量検出手段３０によって検出された散乱量３００はネットワーク８を介して露光装置５ｃに送信される。

露光装置５ｃは、図１５に示すように、ＣＡＭ９から入力された加工用パターンデータ１００を加工に適した形式に変換するデータ変換手段５１と、散乱量検出手段３０によって検出された散乱量３００をネットワーク８を介して入力する散乱量入力手段５５ｂと、レジスト厚検出手段４０によって検出されたレジスト厚４００をネットワーク８を介して入力するレジスト厚入力手段５５ａと、入力されたレジスト厚４００と目標レジスト厚との差および散乱量に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、加工用パターンデータ１００を調整する調整手段５３ｃと、加工用パターンデータ１００に従って露光を行う露光制御手段５４とを備えている。

また、本実施の形態の露光装置５ｃとしては、前述の実施の形態で説明した直描型の露光装置を用いることができる。

整面装置３は、基板に形成された銅箔の上面を整面処理し、整面処理した銅箔の上面を散乱量検出手段３０で散乱量３００を検出する。検出された散乱量３００は、ネットワーク８を介して散乱量検出手段３０から露光装置５の散乱量入力手段５５ｂに送信する。

整面処理された基板はラミネーション装置４に搬送され、基板の銅箔上にレジストがラミネートされ、レジスト厚検出手段４０によってレジスト厚４００を検出し、ネットワーク８を介して露光装置５のレジスト厚入力手段５５ａに送信する。

レジストがラミネートされた基板は露光装置５に搬送され、露光装置５はラスタデータ形式の加工用パターンデータを用いて露光制御手段５４でレジストの露光を行う。

露光を行う際、レジスト厚によって露光されるレジストの幅が異なってくる（詳細は第２の実施の形態参照）。さらに、レジスト厚が異なると銅箔の上面で散乱する散乱量も異なってくる。

そこで、形成パターンのパターン線の線幅が目標形成パターンの線幅に仕上がるように加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅を補正する。加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正量ΔＷは、散乱量Ｄ（３００）と、レジスト厚と目標レジスト厚との差（レジスト厚の差）ΔＳとに依存し、この関係は、例えば、
ΔＷ＝ｆ４（ΔＳ、Ｄ）（４）
Ｄ：散乱量
ΔＳ：レジスト厚の差
と表される（不図示）。この関係は実験を行って得られた結果や実際に製造して得られた結果等から求め、求めた関係を予め露光装置５ｃに記憶しておき、調整手段５３ｃでは、これに基づいて線幅の調整を行う。

調整手段５３ｃは、この関係に基づいて、散乱量Ｄ（３００）およびレジスト厚の差ΔＳからからパターン線の補正を行う補正量ΔＷを求めて、加工用パターンデータ１００のパターン線の線幅の補正を行う。

また、前述の各実施形態と同様に、基板上を複数の区分に分割し、各区分毎に散乱量３００レジスト厚の差を計測し、各区分において最も適切な補正が得られるようにしたものが望ましい。

さらに、前述の実施形態と同様に、露光量を変化させると、それに伴ってどの程度形成パターンのパターン線の線幅が変わるかを露光装置５ｃに記憶しておき、露光量を補正する補正量を求めて調整してもよい。露光量の調整も、基板上の区分を複数の区分に分割し、分割した基板上の複数の区分に対応するように加工用パターンデータ１００を複数の区分に分割して、対応する各区分毎に露光量を補正して調整したものが望ましい。

また、レジスト厚入力手段５５ａで、ネットワーク８を介してレジスト厚を受信して入力する場合について説明したが、露光装置５ａの操作パネルからレジスト厚を入力するようにしてもよい。同様に、散乱量入力手段５５ｂでも、ネットワーク８を介して散乱量を受信して入力する場合について説明したが、露光装置５ｂの操作パネルから散乱量を入力するようにしてもよい。

以上詳細に説明したように、銅箔上面の散乱量とレジスト厚とを加味して、形成パターンが所望の線幅になるように加工用パターンデータの線幅や露光量を調整することが可能である。

前述の第３・第４の実施の形態では、銅箔上面で光が散乱した散乱量を実際に計測して求めているが、銅箔上面の表面の粗さ等から散乱量を推定するようにしてもよい。

また、前述の各実施の形態では、基板上の領域を複数の区分に分けて比較する場合について説明したが、場所によるローカリティが大きく現れない場合には、区分に分けないで加工用パターンデータを調整するようにしてもよい。

また、前述の各実施の形態において、エッチング装置６に、ＣＣＤカメラを用いた光学式検査機（ＡＯＩ）などの画像認識装置を設けて、銅箔をエッチングして形成された形成パターンをスキャンした画像情報を得て、形成パターンの仕上がりが確認できるように構成すれば、目視で仕上がり精度を確認することが可能となる。

また、前述の各実施の形態では、回路パターンについて説明したが、ガラス基板に着色感光材やレジスト材を塗布してカラーフィルターの製造行うカラーフィルター製造装置においても、同様に現像後やエッチング後に形成されたパターンのばらつきがなくなるように調整することが可能である。具体的には、プラズマディスプレイ・液晶ディスプレイ・有機ＥＬディスプレイなどのカラーフィルター製造に対応することが可能である。

さらに、シリコンウェハーにレジストを塗布して半導体の製造を行う半導体製造装置においても、同様に調整することが可能である。

以上詳細に説明したように、エッチング液の劣化や現像液の劣化に応じて随時加工用パターンデータを調整することによって、より精度の高い仕上がりを維持することが可能になる。

第１の実施の形態のパターン製造システムの構成を説明するための図第１の実施の形態の露光装置のブロック図レーザ直描型露光装置の図パターン製造システムの作用を説明するためのフローチャート銅箔厚の差と加工用パターンデータのパターン線の補正量との関係を表す図区分の分割を説明するための図線幅の補正量と露光の補正量との関係を表す図第２の実施の形態のパターン製造システムの構成を説明するための図第２の実施の形態の露光装置のブロック図レジスト厚の差と加工用パターンデータのパターン線の補正量との関係を表す図第３の実施の形態のパターン製造システムの構成を説明するための図第３の実施の形態の露光装置のブロック図散乱量と加工用パターンデータのパターン線の補正量との関係を表す図第４の実施の形態のパターン製造システムの構成を説明するための図第４の実施の形態の露光装置のブロック図

符号の説明

１パターン製造システム
２銅箔形成装置（銅箔形成手段）
３整面装置（整面手段）
４ラミネーション装置（ラミネーション手段）
５露光装置（露光手段）
６現像装置（現像手段）
７エッチング装置（エッチング手段）
８ネットワーク
９ＣＡＭ
２０銅箔厚検出手段
３０散乱量検出手段
４０レジスト厚検出手段
５１データ変換手段
５５銅箔厚入力手段
５３調整手段
５４露光制御手段（露光用光源を含む）
５５銅箔厚入力手段
５５ａレジスト厚入力手段
５５ｂ散乱量入力手段
５０レーザ直描装置
１００加工用パターンデータ
２００銅箔厚
３００散乱量
４００レジスト厚

Claims

基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記銅箔の銅箔厚を入力する銅箔厚入力手段と、
該銅箔厚入力手段によって入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするパターン製造システム。
前記調整手段が、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を調整するものであることを特徴とする請求項１記載のパターン製造システム。
前記銅箔厚入力手段が、前記基板を複数の区分に分けた各区分毎に銅箔厚を入力するものであり、
前記調整手段が、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を前記区分毎に求め、該補正量を用いて前記加工用パターンにより指定されたパターン線の線幅を前記各区分毎に調整するものであることを特徴とする請求項１記載のパターン製造システム。
前記調整手段が、基板に形成した銅箔の銅箔厚と目標銅箔厚との差と露光量を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記銅箔厚入力手段により入力された前記銅箔厚と目標銅箔厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記所定の露光量を調整するものであることを特徴とする請求項１記載のパターン製造システム。
基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記レジストのレジスト厚を入力するレジスト厚入力手段と、
該レジスト厚入力手段によって入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚の差に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするパターン製造システム。
前記調整手段が、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を調整するものであることを特徴とする請求項５記載のパターン製造システム。
前記レジスト厚入力手段が、前記基板を複数の区分に分けた各区分毎にレジスト厚を入力するものであり、
前記調整手段が、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差とパターン線の線幅を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を前記各区分毎に求め、該補正量を用いて前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を前記各区分毎に調整するものであることを特徴とする請求項５記載のパターン製造システム。
前記調整手段が、基板の銅箔上に塗布されたレジストのレジスト厚と目標レジスト厚との差と露光量を補正する補正量との関係を予め記憶し、該関係に基づいて前記レジスト厚入力手段により入力された前記レジスト厚と目標レジスト厚との差に対応した補正量を求め、該補正量を用いて前記所定の露光量を調整するものであることを特徴とする請求項８から９いずれか記載のパターン製造システム。
基板上に銅箔およびレジストをこの順に積層してなる被加工物の前記レジストに対して、目標形成パターンを形成するための加工用パターンデータに基づき、基板上の銅箔の上に塗布されたレジストに、所定の露光量で前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のパターン線を直接描画して露光する露光手段と、該露光手段で露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像手段と、前記レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成するエッチング手段とを備えたパターン製造システムにおいて、
前記露光手段で前記レジストを露光する光がレジストを通過後、前記銅箔の上面で散乱する散乱量を入力する散乱量入力手段と、
該散乱量入力手段によって入力された前記散乱量に基づいて、前記形成パターンのパターン線の線幅が前記目標形成パターンのパターン線の線幅に近づくように、前記所定の露光量および前記加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅のうち少なくとも一方を調整する調整手段とを有し、
前記露光手段が、前記調整手段により調整された線幅および／または露光量を用いて前記レジストに直接描画して露光するものであることを特徴とするパターン製造システム。