JP2017026710A - 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法 - Google Patents

露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】下底データの手動測定による手間を低減させつつ、露光データ補正量の誤差を抑制し、回路幅精度を向上させる。
【解決手段】設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた第１の実パターンの上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得し、第１の実パターンの下底から得られたデータに基づく下底データを取得し、第１の上底データと下底データとの相関関係を決定し、第１の実パターンの異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得し、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、第２の上底データ及び相関関係に基づいて、補正関数を決定し、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを補正関数に基づいて補正する、露光データ補正装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光データ補正装置、配線パターン形成システム及び配線基板の製造方法に関するものであり、特には電子機器等に用いられる配線基板の製造に用いられる露光データ補正装置、配線パターン形成システム及び配線基板の製造方法に関するものである。
電子機器の高機能化、小型化の動向から、電子機器に用いられる配線基板に対しても、配線パターンの細線化による高密度化が求められている。
このような配線パターンの細線化による高密度化に対応するための配線パターン形成方法としては、感光性レジストに露光パターンをレーザ光やＵＶ−ＬＥＤ光などで直接照射する直接描画式の露光装置（ＤＩ）と、エッチング等で実際に形成された実パターンを反射光で読み取って元データ（設計データ）との比較を行う光学式検査装置（ＡＯＩ）を組み合わせて、エッチング後の実際の仕上りのデータを光学式外観検査装置（ＡＯＩ）に取り込み、露光装置（ＤＩ）にフィードバックする方法が考えられている（特許文献１〜３）。
特開２００５−１１６９２９号公報 特開２００６−３０３２２９号公報 特開２００７−０３３７６４号公報
図１７に示すとおり、実パターンは、上底（トップ）と下底（ボトム）を有する凸状の形状を有するものであり、仕上がり値、例えば、配線パターン（以下、単に「パターン」ということがある。）の回路幅はトップ幅１７０２とボトム幅１７０４で異なる。配線パターンの高密度化にあたっては、設計値とボトム幅との誤差を小さくすることが重要である。光学式外観検査装置（ＡＯＩ）を用いれば、仕上がり値測定を比較的容易に行うことができるが、ＡＯＩによって測定される仕上がり値はトップ幅であり、ボトム幅のデータは得られない。このためＡＯＩの測定値を用いてＤＩにフィードバックして露光データの補正を行っても、トップ幅とボトム幅の差分による誤差が生じる問題がある。
顕微鏡を用いることによりボトム幅を測定することは可能であるが、手動で行う必要があるため膨大な測定時間が必要となる。測定負担を軽減するために測定箇所を減らして測定を行った場合には、十分なサンプルをとることができないため、正確なフィードバックを行うことができないという問題がある。
本発明は、下底（ボトム）データの手動測定による手間を低減させつつ、露光データ補正量の誤差を抑制し、微細回路形成時の回路幅精度を向上させることが可能な露光データ補正装置、配線パターン形成システム及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、以下のような特徴を有している。すなわち本発明の一実施態様の露光データ補正装置は、目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得し、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得し、前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定し、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得し、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定し、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する。
本発明における前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定することは、前記第１の上底データにおける補正量データに基づいて第１の仮補正関数を決定し、前記下底データにおける補正量データに基づいて第２の仮補正関数を決定し、前記第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する、ことを含み、前記補正関数を決定することは、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて第３の仮補正関数を決定し、前記補正量差分関数に基づいて前記第３の仮補正関数を修正して補正関数を決定する、ことを含んでもよい。
また、前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定することは、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第１の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第１の仕上がり値関数を決定し、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第２の仕上がり値関数を決定し、前記第１の仕上がり値関数と第２の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する、ことを含み、前記補正関数を決定することは、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、ことを含んでもよい。
さらに、前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定することは、前記第１の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定することを含み、前記補正関数を決定することは、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、ことを含んでもよい。
さらにまた、前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、前記相関関係を決定することは、前記第１の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定することを含み、前記補正関数を決定することは、前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第２の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算し、前記第２の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する、ことを含んでもよい。
前記第１及び第２の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものであってもよい。
前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定されてもよい。
前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定されてもよい。
前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定されてもよい。
また本発明の配線パターン形成システムは、目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する露光データ作成手段と、露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光手段と、前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成手段と、前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成手段と、前記実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく上底データを作成する上底データ作成手段と、前記実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する下底データ作成手段と、前記上底データ、下底データ及び設計データに基づいて露光データを補正する前述の露光データ補正装置と、を備える。
また、本発明の一実施態様における露光データを補正するためのプログラムは、コンピュータに、目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、を実行させる。
また、本発明の一実施態様における露光データを補正するための方法であって、目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、を含む。
さらに、本発明の一実施態様における配線基板製造方法は、目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、前記露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、を含む配線基板製造方法。
また、前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定する工程は、前記第１の上底データにおける補正量データに基づいて第１の仮補正関数を決定する工程と、前記下底データにおける補正量データに基づいて第２の仮補正関数を決定する工程と、前記第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する工程と、を含み、前記補正関数を決定する工程は、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて第３の仮補正関数を決定する工程と、前記補正量差分関数に基づいて前記第３の仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、を含んでもよい。
前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定する工程は、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第１の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第１の仕上がり値関数を決定する工程と、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第２の仕上がり値関数を決定する工程と、前記第１の仕上がり値関数と第２の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する工程と、を含み、前記補正関数を決定する工程は、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、を含んでもよい。
前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、前記相関関係を決定する工程は、前記第１の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定する工程を含み、前記補正関数を決定する工程は、前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、を含んでもよい。
前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、前記相関関係を決定する工程は、前記第１の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定する工程を含み、前記補正関数を決定する工程は、前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第２の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算する工程と、前記第２の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する工程と、を含んでもよい。
前記第１及び第２の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものであってもよい。
前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定されてもよい。
前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定されてもよい。
前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定されてもよい。
本発明の一実施態様における配線基板製造方法は、目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する工程と、露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する工程と、前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する工程と、前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない第１の実パターンを形成する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを作成する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する工程と、前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを作成する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、前記補正された露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、を含む。
本発明によれば、下底データの手動測定による手間を低減させつつ、上底データ（ＡＯＩ測定データ）と実パターンの下底データとの相関関係に基づいて、露光データ補正量の誤差分を抑制し、微細回路形成時の回路幅精度を向上させることが可能な露光データ補正装置、配線パターン形成システム及び配線基板の製造方法を提供することができる。
本発明の実施形態の配線パターン形成システムの概略図を表す。 本発明の実施形態における露光データ補正装置のハードウェア構成図を表す。 本発明の一実施形態の露光データ補正方法のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の露光データ補正工程のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の露光データ補正工程のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の仮補正関数を示す。 本発明の一実施形態の仮補正関数及び補正関数を示す。 本発明の一実施形態の露光データ補正工程のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の仕上がり値関数を示す。 本発明の一実施形態の仮補正関数及び補正関数を示す。 本発明の一実施形態の露光データ補正工程のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の補正量相関関数を示す。 本発明の一実施形態の仮補正関数及び補正関数を示す。 本発明の一実施形態の露光データ補正工程のフローチャートを示す。 本発明の一実施形態の仕上がり値相関関数を示す。 本発明の一実施形態の補正関数を示す。 実パターンの断面形状の概略図を示す。
［第１の実施形態］
図１に本発明の一実施形態に係る配線パターン形成システム１００の構成図を示す。配線パターン形成システム１００は、設計データ作成装置１０１、露光データ作成装置１０２、露光装置１０４、現像パターン作成装置１０６、実パターン作成装置１０８、上底及び下底データ作成装置１１０及び露光データ補正装置１１２を備える。
設計データ作成装置１０１は、設計データを作成する装置であり、本実施形態においてはＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）を用いる。配線パターンの設計データ（元データ）は、形成しようとする目標の配線パターンをデータ化したものであり、例えば、座標と回路幅で表すものである。露光に必要な情報を付加されたデータを有していてもよい。本発明においては、任意の配線パターンを用いることができる。
露光データ作成装置１０２は、設計データから露光データを作成する装置であり、ここではＣＡＭ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）を用いる。露光装置１０４は、露光データ作成装置１０２によって作成された露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する装置である。例えば、レーザ光又はＵＶ−ＬＥＤ光を用いて、直接感光性レジストに露光パターンを露光させる直接描画装置（ＤＩ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍａｇｉｎｇ）を用いることができる。露光データは、配線パターンに対応する露光パターンを、レーザ光又はＵＶ光等を用いた直線描画装置等の露光装置によって、感光性レジストを感光させて形成するためのデータである。
感光性レジストとは、フォトリソ法によって、銅箔等の金属箔をエッチングすることにより、配線パターンを形成する際に用いるエッチングレジストのことをいう。露光パターンとは、露光データに基づいて、感光性レジストに露光されたパターンをいい、その後の現像によって形成される現像パターンに対応するものである。現像パターン作成装置１０６は露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する装置である。
実パターン作成装置１０８は、現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない、実パターンを形成する装置である。例えば、エッチング装置を用いることができる。回路加工とは、実パターンを形成することをいい、例えば、サブトラクト法により金属箔をエッチングして配線パターンを形成することが挙げられる。実パターンは実パターン形成手段によって形成することができる。実パターンとは、回路形成を行って実際に形成される配線パターンをいい、例えば、サブトラクト法により金属箔をエッチングして得られた配線パターンが挙げられる。
上底及び下底データ作成装置１１０は、実パターンの上底（トップ）及び下底（ボトム）の座標と回路幅や間隙幅等の仕上がり値で表されたデータを作成する装置である。本実施形態においては、上底データの作成のために光学式外観検査装置（ＡＯＩ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）を用いる。ＡＯＩは、実パターンの上底（トップ）から反射する光を検出してそのパターンを数値化し、座標と回路幅や間隙幅等の仕上がり値で表されたデータとするのに用いることができる。また、下底データの作成のために、測定機能を有する金属顕微鏡（単に、「顕微鏡」ということがある。）を用いることができる。ここでは、上底及び下底データ作成装置１１０は、顕微鏡を用いて測定された下底仕上がり値の入力を受け付け、これに基づいて下底データを作成する。
露光データ補正装置１１２は、上底及び下底データ作成装置１１０によって作成された第１の上底データ及び下底データを取得し、第１の上底データ及び下底データの相関関係を決定する。さらに、上底及び下底データ作成装置１１０によって作成された、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する。そして、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、第２の上底データ及び決定された相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定し、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを補正関数に基づいて補正する。
設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子とは、設計データの配線パターン仕様の中で、それが変動することによって、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分に変化を生じさせる因子をいう。このような因子として、例えば、実パターンの設計データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置、パターン粗密、パターン形状等の何れか又は何れか２以上の組み合せが挙げられる。本実施の形態においては、実パターンデータと元データとの差分を生じさせる因子として、配線パターンのパターン間隙（ここでは、ラインとラインの間隙）を用いる。補正関数とは、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための露光データの補正量との関係を規定したものである。
露光データ補正装置１１２として、本実施形態においては、図２に示すハードウェア構成を備えるコンピュータ２００を用いる。コンピュータ２００は、処理部（プロセッサ）２０１、表示部２０２、入力部２０３、記憶部２０４、通信部２０５、及び、これらの各構成部品を接続するバス２１０を備える。表示部２０２はコンピュータ２００において実行されるプログラムによって出力される画像を表示する。入力部２０３はユーザからの入力を受け付けるものであり、例えば、キーボードやマウスである。記憶部２０４は不揮発性メモリや揮発性メモリ、ハードディスク等の情報を格納できるものであればいかなるものであってもよい。露光データ補正のための工程を実行するためのプログラム２０６が記憶部２０４に格納される。通信部２０５は、無線通信やイーサネット（登録商標）ケーブル、ＵＳＢケーブル等を用いた有線通信を行う。通信部２０５を介して、上底及び下底データ作成装置１１０によって作成された上底データ及び下底データを取得してもよい。プログラム２０６が実行されると、処理部（プロセッサ）２０１は露光データ補正のための工程を実行する。露光データ補正装置１１２は、汎用コンピュータである必要はなく、各工程のすべて又は一部を実行するためのハードウェアとこれと協働して動作するソフトウェアによって実現されてもよい。
本実施形態におけるシステムの動作フローを図３に示す。まず、設計データ作成装置１０１が第１の実パターンのための設計データを作成し（工程３０１）、この設計データに基づいて、露光データ作成装置１０２が露光データを作成する（工程３０２）。露光装置１０４が、露光データ作成装置１０２によって作成された露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに露光パターンを露光する（工程３０４）。現像パターン作成装置１０６が、露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成し（工程３０６）、実パターン作成装置１０８が、現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない、第１の実パターンを形成する（工程３０８）。上底及び下底データ作成装置１１０が第１の上底及び下底データを作成する（工程３１０）。第２の上底データが第１の実パターンの上底から作成される場合には、ここで第２の上底データも作成する。また、第１の実パターンから得られる全体のデータを第２の上底データとし、その一部を第１の上底データとすることもできる。
次に、露光データ補正のために第２の実パターンを作成する必要があるか否かを判定する（工程３１２）。例えば、第２の上底データが第１の実パターンの上底から得られる場合には、第２の実パターンを作成する必要はない。必要であれば、設計データ作成工程３０１に戻り、同様の工程を行って第２の実パターンを形成し、工程３１０において第２の実パターンの上底データを作成する。第２の実パターンの下底データは作成しない。第２の実パターンの上底データを作成しない場合、又は、第２の実パターンを作成した後は、露光データ補正工程３１４を行って、露光データ補正のための動作フローを終了する。その後、補正された露光データに基づいて、例えば、露光装置１０４、現像パターン作成装置１０６、実パターン作成装置１０８を用いて、配線パターンを形成して、配線基板を製造する。
図４において、露光データ補正工程３１４をより具体的に説明する。まず、露光データ補正装置１１２が、上底及び下底データ作成装置１１０によって作成された第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得し（工程４０１）、第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得し（工程４０２）、第１の上底データと下底データとの相関関係を決定する（工程４０４）。さらに、露光データ補正装置１１２は、上底及び下底データ作成装置１１０によって作成された、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する（工程４０６）。そして、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、第２の上底データ及び工程４０４において作成された相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定し（工程４０８）、第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを補正関数に基づいて補正する（工程４１０）。
下底から得られた下底データと上底から得られた上底データとの相関関係は、パターン間隙、パターンサイズ、パターンの厚さ、パターン位置、パターン粗密、パターン形状等に依存するものであると考えられる。したがって、一度、相関関係を決定した後は、同様のパターン間隙等については、その相関関係をＡＯＩデータによって得られた他の上底データに適用することにより、当該他の上底データに対応する新たな下底の仕上がり値を手動で測定することなく、下底データを正確に推定することが可能となる。そして、この推定された下底データに基づいて、補正関数を作成することにより、露光データ補正量の誤差を抑制し、微細回路形成時の回路幅精度を向上させることが可能となる。
補正関数はデータを取得する基板上の領域によって変化するものと考えられる。一方、上底データと下底データとの相関関係は、データを取得する基板上の領域によっては比較的変化しないと考えられる。このため、例えば、相関関係を決定するための第１の上底データ及び下底データのための測定は第１の実パターンの限定された領域のみで行うことで少ない手間で相関関係を決定し、決定された相関関係をこの第１の実パターン全体からＡＯＩを用いて取得された第２の上底データに適用することで、第１の実パターンそれ自体に対しても、手間を軽減しつつ、基板全体の傾向を考慮したより正確な補正関数を得ることができる。
相関関係及び補正関数が、基板上の領域によって変化する場合があるため、相関関係及び補正関数を配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定してもよい。設計データと仕上がり値との関係は、同一基板上であっても領域によっては特異な関係となる場合がある。例えば、基板の中央付近においてはエッチング液が溜まりやすくエッチング速度が遅いため、パターン間隙が狭くなる傾向にあり、基板周辺においてはエッチング速度が速いため、パターン間隙が広くなる傾向がある。また、基板角においては、電気めっきによる銅膜形成時において電流が集中するため、銅膜が厚くなる傾向があり、上底データと下底データとの相関関係が他の領域と異なると考えられる。このため、同一基板面の領域毎に、本実施形態に従って、相関関係及び補正関数を決定することにより、より精度の高い回路形成を行うことが可能となる。
また、補正関数を配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定してもよい。基板面の領域と同様に、相関関係及び補正関数が異なる場合がある。例えば、上面の方がエッチング液が溜まりやすくエッチング速度が遅いため、パターン間隙が狭くなる傾向にあり、下面においてはエッチング速度が速いため、パターン間隙が広くなる傾向がある。このため、同一基板面の上面及び下面毎に、本実施形態に従って相関関係及び補正関数を決定することにより、より精度の高い回路形成を行うことが可能となる。
また、配線パターンにおける設計データと仕上がり値との関係が異なる場合があるため、補正関数を配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定してもよい。
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第１の実施形態の工程３１４（図３、４）に代えて、工程５００（図５）を採用した点で第１の実施形態と異なるが、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の説明においては、第１の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。
発明の理解のため、基板として、絶縁層上に５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチング（基板全体の銅厚を薄くするための全面エッチング処理）により銅厚を約１８μｍにし、第１の実パターンとしてのテストパターンを露光し、回路形成を行い、相関関係抽出用基板を作成した場合を例にとって説明する。
本実施形態において、工程３１０において作成される第１の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、下底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含む。
本実施形態においては、仕上がり値として配線パターンの間隙幅を用いるが、例えば、回路幅等他の仕上がり値を用いた場合であっても同様に本発明を実施可能であることは当業者には明らかである。以下に説明する他の実施形態においても同様とする。
ここでは、第１の実パターンの四隅及び中央の所定の領域において上底における間隙幅をＡＯＩを用いて測定し、それぞれの間隙幅を測定した座標における設計データで定められた間隙幅との差分を補正量データとして算出する。同様に、下底データの補正量として、顕微鏡を用いて第１の実パターンの四隅及び中央の所定の領域の下底における間隙幅を測定し、それぞれの間隙幅を測定した座標における設計データの間隙幅との差分を補正量データとして算出する。ここでは、上底及び下底データのための測定を行う領域を同じ領域とする。同じ領域から得られたデータ間で比較することでより正確な上底データと下底データの相関関係を取得できる。
前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第１の上底データ及び下底データにおける補正量データは以下のとおりである。
Figure 2017026710
表１におけるＣＡＤデータは設計データにおいて定められた間隙（ギャップ）幅（μｍ）を示す。ＡＯＩ測定の仕上値は、設計データにおいて定められた間隙幅に対応するＡＯＩ測定によって得られたテストパターンの四隅及び中央領域における上底の間隙幅（μｍ）を示すものであり、補正量はＣＡＤデータの間隙幅（μｍ）とＡＯＩ測定の間隙幅との差分を１／２にしたものである。１／２とするのは、間隙の両端に対して適用する補正量という意味である。顕微鏡測定についても同様である。顕微鏡測定の仕上値は、顕微鏡測定によって得られたテストパターンの四隅及び中央領域における下底の間隙幅を示すものであり、補正量はＣＡＤデータの間隙幅と顕微鏡測定の間隙幅との差分を１／２にしたものである。例えば、ＣＡＤデータ＝２０、ＡＯＩ測定仕上値＝４４．１、顕微鏡測定仕上値＝２８．４は、設計としては２０μｍの間隙となるべきところが、ＡＯＩによって測定された上底における間隙幅は４４．１μｍであり、顕微鏡によって測定された間隙幅は２８．４μｍであったことを意味する。そして、ＡＯＩ測定仕上値に基づけば、ＣＡＤデータのこの間隙は両端で１２．０μｍ補正するべきであり、顕微鏡測定に基づけば、４．２μｍ補正すべきであることになる。
次に、露光データ補正装置１１２は、上底データ及び下底データ作成装置１１０によって工程３１０において作成された第１の上底データ及び下底データを取得し（工程５０１、５０２）、第１の上底データにおける補正量データに基づいて第１の仮補正関数を決定し（工程５０４）、下底データにおける補正量データに基づいて第２の仮補正関数を決定し（工程５０６）、第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分（シフト量）に基づいて補正量差分関数を作成する（工程５０８）。
本実施形態において第１の仮補正関数は、表１及び図６に示された設計データにおける間隙幅に対するＡＯＩ測定間隙幅のための補正量を表す関数（ＡＯＩ測定補正関数（エッチングカーブ））であり、第２の仮補正関数は、設計データにおける間隙幅に対する顕微鏡測定間隙幅のための補正量を表す関数（顕微鏡測定補正関数）である。ここでは、表１及び図６に示された各設計データにおける間隙と補正量の関係をそれぞれの仮補正関数とするが、測定データに基づく近似式によって仮補正関数を決定してもよい。そして、補正量差分関数は、表１及び図６に示される設計データにおける間隙幅に対する第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分（シフト量）を表す関数である。仮補正関数と同様に、表１及び図６に示された各設計データにおける間隙とシフト量の関係を補正量差分関数とするが、測定データに基づく近似式によって補正量差分関数を決定してもよい。
次に、工程５１０において第２の上底データを取得する。本実施形態において第２の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含む。
そして、第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び第２の上底データに基づいて第３の仮補正関数を決定し（工程５１２）、補正量差分関数に基づいて第３の仮補正関数を修正して補正関数を決定し（工程５１４）、この補正関数に基づいて露光データを補正する（工程５１６）。
ここでは、第２の上底データは、第１の実パターンの四隅及び中央を含む実パターン全体における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含むものとする。したがって、第２の上底データを取得するために使用した実パターンは、第１の実パターンである。
前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第２の上底データにおける補正量データは以下のとおりである。
Figure 2017026710
表２におけるＣＡＤデータは設計データにおいて定められた間隙幅（μｍ）を示す。ＡＯＩ測定の補正量は、ＡＯＩ測定によって得られたテストパターンの上底における間隙幅（μｍ）とＣＡＤデータの間隙幅（μｍ）との差分を１／２にしたものである。シフト量は表１のシフト量（ＡＯＩ測定のための補正量と顕微鏡測定のための補正量の差分）である。本実施形態において補正量差分関数は、表２及び図７に示された設計データにおける間隙幅に対するシフト量を表わす関数である。
本実施形態において第３の仮補正関数は、表２及び図７に示された設計データにおける間隙幅に対するＡＯＩ測定間隙幅のための補正量を表す関数（ＡＯＩ測定補正関数（エッチングカーブ））である。そして、第３の仮補正関数を補正量差分関数（シフト量）によってシフトすることによって修正する。ここでは、各設計データの間隙値に対するＡＯＩ測定のための補正量からシフト量を減算することにより、補正関数を得る。補正関数は、設計データにおける間隙幅に対する修正された補正量（表２のシフト後の補正量）を表す関数である。ここでは、表２及び図７に示された設計データにおける間隙幅に対するシフト後補正量の関係を補正関数とするが、測定データに基づく近似式によって補正関数を決定してもよい。
本実施形態においては、第２の上底データは、第１の実パターンの四隅及び中央を含む実パターン全体における上底で測定された仕上がり値に基づいて得られたが、第１の上底データを得るために使用された第１の実パターンの四隅及び中央を含まない部分のみとしてもよいし、第１の実パターンとは異なる第２の実パターンにおける上底で測定された仕上がり値に基づいてもよい。他の実施形態においても同様とする。
［実施形態３］
本発明の第３の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第１の実施形態の工程３１４（図３、４）に代えて、工程８００（図８）を採用した点で第１の実施形態と異なるが、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の説明においては、第１の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第２の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
本実施形態において、工程３１０において作成される第１の上底データは、第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、下底データは、第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含む。第１の実パターンの四隅及び中央の所定の領域において上底における間隙幅をＡＯＩを用いて上底データを測定し、下底データとして顕微鏡を用いて同様に第１の実パターンの四隅及び中央の所定の領域の下底における間隙幅を測定する。
露光データ補正装置１１２は、上底データ及び下底データ作成装置１１０によって工程３１０において作成された第１の上底データ及び下底データを取得し（工程８０１、８０２）、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と第１の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第１の仕上がり値関数を決定し（工程８０４）、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と下底データにおける仕上がり値との関係を示す第２の仕上がり値関数を決定し（工程８０６）、第１の仕上がり値関数と第２の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する（工程８０８）。これにより、上底データと下底データとの相関関係を決定する。
前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第１の上底データ及び下底データにおける仕上がり値データは以下のとおりである。
Figure 2017026710
表１と同様に、表３におけるＣＡＤデータは設計データにおいて定められた間隙幅（μｍ）を示し、ＡＯＩ測定及び顕微鏡の仕上値は設計データにおいて定められた間隙幅に対応する測定によって得られたテストパターンの四隅及び中央領域における上底及び下底の間隙幅（μｍ）を示す。表３における測定された仕上がり値は、表１に示されたものと同じものを使用する。差分は各ＣＡＤデータの間隙幅に対応するＡＯＩ測定の間隙幅と顕微鏡測定の間隙幅の差分を１／２にしたものである。例えば、ＣＡＤデータ＝２０、ＡＯＩ測定仕上値＝４４．１、顕微鏡測定仕上値＝２８．４は、設計としては２０μｍの間隙となるべきところが、ＡＯＩによって測定された上底における間隙幅は４４．１μｍであり、顕微鏡によって測定された間隙幅は２８．４μｍであったことを意味する。そして、ＡＯＩ測定仕上値と顕微鏡測定仕上値との差分は１５．７であり、その１／２の値を四捨五入した値として、仕上値差分＝７・８μｍが得られた。
本実施形態において第１の仕上がり値関数は、表３及び図９に示された設計データにおける間隙幅に対するＡＯＩ測定間隙幅の仕上がり値を表す関数（ＡＯＩ測定仕上値関数）であり、第２の仕上がり値関数は、設計データにおける間隙幅に対する顕微鏡測定間隙幅の仕上がり値を表す関数（顕微鏡測定仕上値関数）である。ここでは、表３及び図９に示された各設計データにおける間隙と仕上がり値の関係をそれぞれの仕上がり値関数とするが、測定データに基づく近似式によって仕上がり値関数を決定してもよい。そして、仕上がり値差分関数は、表３及び図９に示される各設計データにおける間隙に対するＡＯＩ測定仕上値と顕微鏡測定仕上値との差分を表す関数である。仕上がり値関数と同様に、表３及び図９に示された各設計データにおける間隙に対するＡＯＩ測定仕上値と顕微鏡測定仕上値との差分の関係を仕上がり値差分関数とするが、測定データに基づく近似式によって仕上がり値差分関数を決定してもよい。
次に、工程８１０において、第２の上底データを取得する。本実施形態において、第２の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含む。
そして、第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し（工程８１２）、仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する（工程８１４）。
ここでは、第２の上底データは、第２の実施形態と同じものを使用する。前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第２の上底データにおける補正量データ（ＡＯＩ測定）は表４に示すとおりであり、これは表２に示したものと同じである。
Figure 2017026710
本実施形態において仮補正関数は、表４及び図１０に示された設計データにおける間隙幅に対するＡＯＩ測定間隙幅のための補正量を表す関数（ＡＯＩ測定補正関数（エッチングカーブ））である。そして、この仮補正関数を仕上がり値差分関数によってシフトすることによって修正する。ここでは、各設計データの間隙値に対するＡＯＩ測定のための補正量から仕上値差分（シフト量）を減算することにより補正関数を得る。補正関数は、設計データにおける間隙幅に対する修正された補正量を表す関数である。ここでは、表４及び図１０に示された設計データにおける間隙幅に対するシフト後補正量の関係を補正関数とするが、測定データに基づく近似式によって補正関数を決定してもよい。
［実施形態４］
本発明の第４の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第１の実施形態の工程３１４（図３、４）に代えて、工程１１００（図１１）を採用した点で第１の実施形態と異なるが、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の説明においては、第１の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第２の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
本実施形態において、工程３１０において作成される第１の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、下底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含む。
第２の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含む。
露光データ補正装置１１２は、上底データ及び下底データ作成装置１１０によって工程３１０において作成された第１の上底データ及び下底データを取得し（工程１１０１、１１０２）、第１の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定する（工程１１０４）。これにより、上底データと下底データとの相関関係を決定する。
そして、第２の上底データを取得した後（工程１１０６）、第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し（工程１１０８）、補正量相関関数に基づいて仮補正関数を修正して補正関数を決定し（工程１１１０）、この補正関数に基づいて露光データを補正する（工程１１１２）。
前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第１の上底データ及び下底データにおける補正量データは実施形態２に関連して表１に示したとおりである。表１におけるＡＯＩ測定に基づく補正量に対する顕微鏡測定に基づく補正量の関係をグラフに示したものが図１２である。例えば、ＣＡＤデータ＝２０の行をみると、ＡＯＩ測定に基づく補正量＝１２．１であり、これに対して顕微鏡測定に基づく補正量＝４．２である。この場合、（ｘ、ｙ）＝（１２．１、４．２）の座標をプロットする。これをすべてのデータについて行った後、近似式により相関関係式を決定する。ここでは線形近似により相関関係式を決定し、補正量相関関数としてy = 1.2861x - 10.563を得た。
相関関係抽出用基板から作成された第２の上底データにおける補正量データは以下に示すとおりである。ＡＯＩ測定に基づく補正量をｘとして、前述の補正量相関関数（y = 1.2861x - 10.563）に代入することにより、修正された補正量yを算出する。
Figure 2017026710
本実施形態において仮補正関数は、表５及び図１３に示された設計データにおける間隙幅に対するＡＯＩ測定間隙幅のための補正量を表す関数（ＡＯＩ測定補正関数（エッチングカーブ））である。そして、仮補正関数を補正量相関関数によって修正することによって補正関数を得る。補正関数は、設計データにおける間隙幅に対する修正された補正量を表す関数である。ここでは、表５及び図１３に示された設計データにおける間隙幅に対する修正後補正量の関係を補正関数とするが、測定データに基づく近似式によって補正関数を決定してもよい。
［実施形態５］
本発明の第５の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第１の実施形態の工程３１４（図３、４）に代えて、工程１４００（図１４）を採用した点で第１の実施形態と異なるが、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の説明においては、第１の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第２の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
本実施形態において、工程３１０において作成される第１の上底データは、第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、下底データは、第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含む。
露光データ補正装置１１２は、上底データ及び下底データ作成装置１１０によって作成された第１の上底データ及び下底データを取得し（工程１４０１、１４０２）、第１の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定する（工程１４０４）。これにより、上底データと下底データとの相関関係を決定する。
工程１４０６において、第２の上底データを取得する。第２の上底データは、第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含む。
決定された仕上がり値相関関数に基づいて、第２の上底データにおける仕上がり値から対応する下底における仕上がり値の推定値を計算し（工程１４０８）、第２の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する（工程１４１０）。この補正関数に基づいて露光データを補正する（工程１４１２）。
前述の条件に基づいて得られた相関関係抽出用基板から作成された第１の上底データ及び下底データにおける仕上値は第３の実施形態に関連して表３に示したとおりである。表３におけるＡＯＩ測定に基づく仕上値に対する顕微鏡測定に基づく仕上値の関係をグラフに示したものが図１５である。例えば、ＣＡＤデータ＝２０の行をみると、ＡＯＩ測定における仕上がり値＝４４．１であり、これに対して顕微鏡測定に基づく仕上がり値＝２８．４である。この場合、（ｘ、ｙ）＝（４４．１、２８．４）の座標をプロットする。これをすべてのデータについて行った後、近似式により相関関係式を決定する。ここでは線形近似により相関関係式を決定し、仕上がり値相関関数としてy = 1.0177x - 13.389を得た。
相関関係抽出用基板から作成された第２の上底データにおける仕上がり値データは以下に示すとおりである。ＡＯＩ測定に基づく仕上がり値をｘとして、前述の補正量相関関数（y = 1.0177x - 13.389）に代入することにより、推定される下底仕上がり値（間隙幅）を算出する。そして、その算出された推定仕上がり値（間隙幅）とＣＡＤデータにおける設計上の仕上がり値との差分を１／２にしたものを補正量とする。
Figure 2017026710
この表に示された設計データにおける間隙幅に対する補正量を補正関数（エッチングカーブ）として示すと図１６のとおりとなる。ここで補正関数は、設計データにおける間隙幅に対する推定された仕上がり値に基づく補正量を表す関数である。ここでは、表６及び図１６に示された設計データにおける間隙幅に対する補正量の関係を補正関数とするが、算出されたデータに基づく近似式によって補正関数を決定してもよい。
本実施形態の効果を確認するために、５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約１８μｍにし、上述の実施形態２〜５によって得られた補正関数で露光データを補正し、実パターンの露光・現像・回路形成を行い、回路形成基板を作成した。実施形態２〜５の工程によって作成された補正関数を用いて形成された回路形成基板をそれぞれ実施例１〜４とする。
［比較例１］
比較例１として、５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約１８μｍにし、テストパターンを露光し、回路形成を行い、補正関数抽出用基板を作成した。そして、この補正関数抽出用基板を顕微鏡にて回路幅及び間隙幅を測定し、この測定値より補正関数（エッチングカーブ）を作成した。
５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約１８μｍにし、前記補正関数（ボトム幅）で露光データを補正し、実パターンの露光・現像・回路形成を行い、回路形成基板を作成した。
［比較例２］
５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約１８μｍにし、テストパターンを露光し、回路形成を行い、補正関数抽出用基板を作成する。補正関数抽出用基板を光学式自動外観検査装置にて回路幅及び間隙幅を測定し、前記測定値より補正関数（エッチングカーブ）を作成した。
５μｍの銅箔を有した厚さ０．２２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ（日立化成株式会社製 商品名）の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約１９μｍのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約１８μｍにし、補正関数（トップ幅）で露光データを補正し、実パターンの露光・現像・回路形成を行い、回路形成基板を作成した。
［比較］
表７及び８に実施例１〜４、比較例１及び比較例２の測定結果を示す。表７及び８の各項目は、ライン（回路幅）についての設計値及び顕微鏡測定値を示す。また、表７の「Ｌ／Ｓ＝５０／４０」は、Ｌ（ライン：回路幅）が５０μｍ、Ｓ（スペース：間隙幅）が４０μｍの設計仕様であることを示し、表８の「Ｌ／Ｓ＝５０／５０」は、Ｌ（ライン：回路幅）が５０μｍ、Ｓ（スペース：間隙幅）が５０μｍの設計仕様であることを示す。実施例１及び２は上底データと下底データの相関関係を決定するに際して、上底及び仕上がり値に基づく補正量の差分に基づくか、仕上がり値そのものの差分に基づくかの違いだけであるため、最終的に得られる補正関数は同じとなる。そのため、実施例１及び２によって得られる結果も同じとなる。
Figure 2017026710
Figure 2017026710
表７に示すとおり、Ｌ／Ｓ＝５０／４０の設計仕様については、実施例１及び２における回路幅の寸法精度（ばらつき：３σ）は、上面６．７、下面８．８μｍであり、実施例３においては上面６．５、下面８．４μｍ、実施例４においては上面６．７、下面９．０μｍであった。これに対して、比較例１においては上面７．１、下面９．７μｍであり、比較例２においては、上面７．６、下面２０．５μｍであった。
また、表８に示すとおり、Ｌ／Ｓ＝５０／５０の設計仕様については、実施例１及び２における回路幅の寸法精度（ばらつき：３σ）は、上面６．０、下面７．７μｍであり、実施例３においては上面５．８、下面７．４μｍ、実施例４においては上面６．０、下面８．３μｍであった。これに対して、比較例１においては上面６．４、下面９．２μｍであり、比較例２においては、上面６．０、下面８．８μｍであった。
この結果から、上面及び下面におけるばらつきにおいて本発明の実施例１〜４はいずれも比較例と比べて良い特性を示し、本発明を用いることにより回路幅精度が向上することがわかった。
以上に説明してきた各実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない限り、種々の形態で実施することができる。
１００ 配線パターン形成システム
１０１ 設計データ作成装置
１０２ 露光データ作成装置
１０４ 露光装置
１０６ 現像パターン作成装置
１０８ 実パターン作成装置
１１０ 上底及び下底データ作成装置
１１２ 露光データ補正装置
２００ コンピュータ
２０１ 処理部
２０２ 表示部
２０３ 入力部
２０４ 記憶部
２０５ 通信部
２０６ 露光データ補正プログラム
１７００ 基板
１７０１ 配線パターン
１７０２ 上底（トップ）幅
１７０４ 下底（ボトム）幅

Claims (22)

  1. 配線パターンを作成するための露光データを補正する露光データ補正装置であって、
    目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得し、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得し、
    前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定し、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得し、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定し、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する、
    露光データ補正装置。
  2. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定することは、
    前記第１の上底データにおける補正量データに基づいて第１の仮補正関数を決定し、
    前記下底データにおける補正量データに基づいて第２の仮補正関数を決定し、
    前記第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する、
    ことを含み、
    前記補正関数を決定することは、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて第３の仮補正関数を決定し、
    前記補正量差分関数に基づいて前記第３の仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
    ことを含む、請求項１に記載の露光データ補正装置。
  3. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定することは、
    設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第１の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第１の仕上がり値関数を決定し、
    設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第２の仕上がり値関数を決定し、
    前記第１の仕上がり値関数と第２の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する、
    ことを含み、
    前記補正関数を決定することは、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、
    前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
    ことを含む、請求項１に記載の露光データ補正装置。
  4. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定することは、前記第１の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定することを含み、
    前記補正関数を決定することは、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、
    前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
    ことを含む、請求項１に記載の露光データ補正装置。
  5. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、
    前記相関関係を決定することは、前記第１の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定することを含み、
    前記補正関数を決定することは、
    前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第２の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算し、
    前記第２の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する、
    ことを含む、請求項１に記載の露光データ補正装置。
  6. 前記第１及び第２の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものである、請求項１から５の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
  7. 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定される、請求項１から６の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
  8. 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定される、請求項１から７の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
  9. 前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定される、請求項１から８の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
  10. 目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する露光データ作成手段と、
    露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光手段と、
    前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成手段と、
    前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成手段と、
    前記実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく上底データを作成する上底データ作成手段と、
    前記実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する下底データ作成手段と、
    前記上底データ、下底データ及び設計データに基づいて露光データを補正する、請求項１から９の何れか一項の露光データ補正装置と、
    を備える配線パターン形成システム。
  11. 配線パターンを作成するための露光データを補正するためのプログラムであって、コンピュータに、
    目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
    前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
    を実行させるプログラム。
  12. 配線パターンを作成するための露光データを補正するための方法であって、
    目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
    前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
    を含む方法。
  13. 目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを取得する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
    前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを取得する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
    前記露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、
    を含む配線基板製造方法。
  14. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定する工程は、
    前記第１の上底データにおける補正量データに基づいて第１の仮補正関数を決定する工程と、
    前記下底データにおける補正量データに基づいて第２の仮補正関数を決定する工程と、
    前記第１の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第２の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する工程と、
    を含み、
    前記補正関数を決定する工程は、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて第３の仮補正関数を決定する工程と、
    前記補正量差分分関数に基づいて前記第３の仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
    を含む、請求項１３に記載の配線基板製造方法。
  15. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定する工程は、
    設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第１の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第１の仕上がり値関数を決定する工程と、
    設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第２の仕上がり値関数を決定する工程と、
    前記第１の仕上がり値関数と第２の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する工程と、
    を含み、
    前記補正関数を決定する工程は、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、
    前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
    を含む、請求項１３に記載の配線基板製造方法。
  16. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第１の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第２の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
    前記相関関係を決定する工程は、前記第１の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定する工程を含み、
    前記補正関数を決定する工程は、
    前記第２の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第２の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、
    前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
    を含む、請求項１３に記載の配線基板製造方法。
  17. 前記第１の上底データは、前記第１の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記下底データは、前記第１の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
    前記第２の上底データは、前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、
    前記相関関係を決定する工程は、前記第１の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定する工程を含み、
    前記補正関数を決定する工程は、
    前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第２の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する工程と、
    を含む、請求項１３に記載の配線基板製造方法。
  18. 前記第１及び第２の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものである、請求項１３から１７の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
  19. 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定される、請求項１３から１８の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
  20. 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定される、請求項１３から１９の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
  21. 前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定される、請求項１３から２０の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
  22. 目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する工程と、
    露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する工程と、
    前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する工程と、
    前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない第１の実パターンを形成する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第１の上底データを作成する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する工程と、
    前記第１の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
    前記第１の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第１の実パターンとは異なる第２の実パターンの上底から得られたデータに基づく第２の上底データを作成する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第２の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
    前記第２の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
    前記補正された露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、
    を含む配線基板製造方法。
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