TWI624200B - 曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法 - Google Patents

曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI624200B
TWI624200B TW105122459A TW105122459A TWI624200B TW I624200 B TWI624200 B TW I624200B TW 105122459 A TW105122459 A TW 105122459A TW 105122459 A TW105122459 A TW 105122459A TW I624200 B TWI624200 B TW I624200B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
data
finishing
pattern
value
correction
Prior art date
Application number
TW105122459A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201714503A (zh
Inventor
Teppei Yamamoto
Hajime Nakayama
Haruo Ogino
Satoshi Isoda
Akira Maeda
Ryo Yamada
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Screen Holdings Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201714503A publication Critical patent/TW201714503A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI624200B publication Critical patent/TWI624200B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本發明的問題是要減低下底資料的手動測量所造 成的勞力消耗，並抑制曝光資料校正量的誤差，而提高電路寬度精準度。
本發明的解決手段是一種曝光資料校正裝置，其執行以下動作：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自第1實體圖案的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於設計資料的曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自第1實體圖案的下底所得到的資料；決定第1上底資料與下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中該一個區域含有與第1實體圖案不同的區域，或者該第2上底資料基於自與第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所得到的資料；基於用來得到第2上底資料之實體圖案用的設計資料、第2上底資料和相關關係，來決定校正函數；以及，基於校正函數，對用來得到第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。

Description

曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資 料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法
本發明關於曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、及配線基板的製造方法，更特別關於用來製造在電子機器等中所使用到之配線基板之曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、及配線基板的製造方法。
隨著電子機器的高性能化與小型化之趨勢，對於在電子機器中所使用到之配線基板，也希望能夠藉由配線圖案的細線化而達成高密度化。
作為用來對應這種藉由配線圖案的細線化來達成高密度化的配線圖案形成方法，已經有想出一種方法，是將直接描繪式的曝光裝置(DI)與光學式檢查裝置(AOI)加以組合，其中該曝光裝置(DI)以雷射光或UV一LED(紫外線發光二極體)光等來將曝光圖案直接照射至感光性光阻層，而該光學式檢查裝置(AOI)利用反射光讀取以蝕刻等方式實際形成出來的實體圖案，並與原本的資料(設計資料)進行比較，上述方法將蝕刻後之實際的精加工資料導入至光學式外觀檢查裝置(AOI)，並回授至曝光裝置(DI)(專利文獻1～3)。
(先前技術文獻) [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2005－116929號公報。 專利文獻2：日本特開2006－303229號公報。 專利文獻3：日本特開2007－033764號公報。
(發明所欲解決的問題) 如第17圖所示，實體圖案為具有上底(頂部)與下底(底部)的凸狀形狀，而精加工值，例如配線圖案(以下也會單純稱為「圖案」)的電路寬度在頂部寬度1702與底部寬度1704間並不相同。對於配線圖案的高密度化來說，縮小設計值與底部寬度的誤差是很重要的。若使用光學式外觀檢查裝置(AOI)，雖然能夠比較容易地進行精加工值測量，但利用AOI所測量到的精加工值是頂部寬度，無法得到底部寬度的資料。因此即便使用AOI的測量值回授至DI來進行曝光資料的校正，仍然有著因頂部寬度與底部寬度之差值而導致有誤差產生的問題。
雖然可使用顯微鏡來測量底部寬度，但由於需要手動操作而需要大量的測量時間。若為了減輕測量的負擔而以將測量位置減少之方式來進行測量，則會有因為無法得到足夠的樣本而不能夠進行正確的回授的問題
本發明的目的在於提供一種曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、以配線基板的製造方法，其可減低下底(底部)資料的手動測量所造成的勞力消耗，並抑制曝光資料校正量的誤差，而提高微細電路形成時的電路寬度精準度。
(用來解決問題的手段) 本發明是有鑑於上述問題而完成，具有如以下之特徵。亦即，本發明的一實施態樣之曝光資料校正裝置，執行以下動作：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、與用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
本發明亦可包含以下特徵：本發明中的前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述另外二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述另外二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：基於前述第1上底資料中的校正量資料，決定第1暫定校正函數；基於前述下底資料中的校正量資料，決定第2暫定校正函數；以及，基於自前述第1暫定校正函數所得到之校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到之校正量的差值，製作校正量差值函數；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定第3暫定校正函數；以及，基於前述校正量差值函數，對前述第3暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
又，本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定第1精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述第1上底資料中的精加工值；決定第2精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述下底資料中的精加工值；以及，決定精加工值差值函數，其基於前述第1精加工值函數與第2精加工值函數的差值；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述精加工值差值函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
進一步，本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定以下二個校正量的校正量相關函數：前述第1上底資料中的校正量資料中所示的校正量、及與該校正量對應之前述下底資料中的校正量資料中所示的校正量；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述校正量相關函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
又進一步，本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者，前述第2上底資料，包含在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定以下二個精加工值的精加工值相關函數：在前述第1上底資料中所測量到的精加工值、以及在前述下底資料中所測量到的精加工值；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於已被決定的精加工值相關函數，並基於前述第2上底資料中的精加工值來計算出與該精加工值對應之下底中的精加工值的推算值；以及，基於以下二個精加工值的差值來決定校正函數：用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值、及對應於該精加工值之前述被推算出來的下底中的精加工值。
前述第1上底資料和前述第2上底資料中所含的精加工值，可為基於利用光學式外觀檢查裝置而得到的資料之精加工值；前述下底資料，可為基於利用顯微鏡而得到的資料之下底資料。
前述校正函數，能以配置有配線圖案之相同基板面的各個區域為單位來分別決定。
前述校正函數，能以在配置有配線圖案之相同基板的上表面和下表面為單位來分別決定。
前述校正函數，可針對配線圖案中的縱線和橫線的各者來分別決定。
又，本發明的配線圖案形成系統，具備：曝光資料製作手段，其製作曝光資料，該曝光資料基於作為目標的配線圖案之設計資料；圖案曝光手段，其基於曝光資料，在被配置在基板上之感光性光阻層上曝光出曝光圖案；顯影圖案形成手段，其對曝光出前述曝光圖案之感光性光阻層進行顯影，以形成顯影圖案；實體圖案形成手段，其針對形成有前述顯影圖案之基板進行電路加工，以形成實體圖案；上底資料製作手段，其製作上底資料，該上底資料基於自前述實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料；下底資料製作手段，其製作下底資料，該下底資料基於自前述實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；以及，前述的曝光資料校正裝置，其基於前述上底資料、下底資料和設計資料來校正曝光資料。
又，本發明之一實施態樣中的用來校正曝光資料之程式，使電腦執行以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
又，本發明之一實施態樣中的用來校正曝光資料之方法，包含以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
進一步，本發明之一實施態樣中的配線基板製造方法，包含以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正；以及，基於前述曝光資料，形成配線圖案。
又，本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：基於前述第1上底資料中的校正量資料，決定第1暫定校正函數；基於前述下底資料中的校正量資料，決定第2暫定校正函數；以及，基於自前述第1暫定校正函數所得到之校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到之校正量的差值，製作校正量差值函數；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定第3暫定校正函數；以及，基於前述校正量差值函數，對前述第3暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定第1精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述第1上底資料中的精加工值；決定第2精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述下底資料中的精加工值；以及，決定精加工值差值函數，其基於前述第1精加工值函數與第2精加工值函數的差值；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述精加工值差值函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定以下二個校正量的校正量相關函數：前述第1上底資料中的校正量資料中所示的校正量、及與該校正量對應之前述下底資料中的校正量資料中所示的校正量；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述校正量相關函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
本發明亦可包含以下特徵：前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者，前述第2上底資料，包含在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定以下二個精加工值的精加工值相關函數：在前述第1上底資料中所測量到的精加工值、以及在前述下底資料中所測量到的精加工值；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於已被決定的精加工值相關函數，並基於前述第2上底資料中的精加工值來計算出與該精加工值對應之下底中的精加工值的推算值；以及，基於以下二個精加工值的差值來決定校正函數：用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值、及對應於該精加工值之前述被推算出來的下底中的精加工值。
前述第1上底資料和前述第2上底資料中所含的精加工值，可為基於利用光學式外觀檢查裝置而得到的資料之精加工值；前述下底資料，可為基於利用顯微鏡而得到的資料之下底資料。
前述校正函數，能以配置有配線圖案之相同基板面的各個區域為單位來分別決定。
前述校正函數，能以配置有配線圖案之相同基板的上表面和下表面為單位來分別決定。
前述校正函數，可針對配線圖案中的縱線和橫線的各者來分別決定。
本發明的一實施態樣中的配線基板製造方法，包含以下步驟：製作曝光資料，該曝光資料基於作為目標的配線圖案之設計資料；基於曝光資料，在被配置在基板上之感光性光阻層上曝光出曝光圖案；對曝光出前述曝光圖案之感光性光阻層進行顯影，以形成顯影圖案；針對形成有前述顯影圖案之基板進行電路加工，以形成第1實體圖案；製作第1上底資料，該第1上底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料；製作下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料之相關關係；製作第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正；以及，基於前述已校正過的曝光資料，形成配線圖案。
(發明的功效) 根據本發明，能夠提供一種曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、以配線基板的製造方法，其可減低下底資料的手動測量所造成的勞力消耗，並基於上底資料(AOI測量資料)與實體圖案的下底資料的相關關係來抑制曝光資料校正量的誤差值，而提高微細電路形成時的電路寬度精準度。
[第1實施型態] 第1圖表示本發明的一實施型態的配線圖案形成系統100的概略圖。配線圖案形成系統100，具備：設計資料製作裝置101、曝光資料製作裝置102、曝光裝置104、顯影圖案製作裝置106、實體圖案製作裝置108、上底和下底資料製作裝置110、及曝光資料校正裝置112。
設計資料製作裝置101，為製作設計資料的裝置，在本實施型態中使用CAD(Computer Aided Design，電腦輔助設計)。配線圖案的設計資料(原本資料)，是將要形成之目標的配線圖案加以資料化後的結果，例如是以座標與電路寬度來加以表示。亦可具有被附加上曝光所需之資訊的資料。本發明中，能夠使用任意的配線圖案。
曝光資料製作裝置102，是根據設計資料來製作曝光資料的裝置，此處使用CAM(Computer Aided Manufacturing，電腦輔助製造)。曝光裝置104，是基於由曝光資料製作裝置102所製作出的曝光資料，將曝光圖案曝光在被配置於基板上之感光性光阻層上的裝置。例如，能夠使用直接描繪裝置(DI：Direct Imaging)，其使用雷射光或UV－LED光，直接將曝光圖案曝光在感光性光阻層上。曝光資料，是用來藉由使用雷射光或UV－LED光之直線描繪裝置等之曝光裝置，讓感光性光阻層針對與配線圖案對應的曝光圖案進行感光並加以形成的資料。
所謂感光性光阻層，是指藉由微影法對銅箔等的金屬箔進行蝕刻來形成配線圖案時所使用的蝕刻光阻層。所謂曝光圖案，是指基於曝光資料而被曝光至感光性光阻層上的圖案，並且對應於根據之後的顯影步驟來形成的顯影圖案。顯影圖案製作裝置106，是對已曝光出曝光圖案之感光性光阻層加以顯影，以形成顯影圖案的裝置。
實體圖案製作裝置108，是對已形成顯影圖案之基板進行電路加工，以形成實體圖案的裝置。例如，能夠使用蝕刻裝置。所謂電路加工，是指形成實體圖案，例如可舉出以下方式：根據減去法(subtract)來蝕刻金屬箔以形成配線圖案。實體圖案能夠由實體圖案形成手段來加以形成。所謂實體圖案，是指進行電路形成處理而實際形成出來的配線圖案，例如可舉出：根據減去法來蝕刻金屬箔而獲得的配線圖案。
上底和下底資料製作裝置110，是製作以實體圖案的上底(頂部)和下底(底部)的座標與電路寬度或間隙寬度等的精加工值來表示之資料的裝置。本實施型態中，使用光學式外觀檢查裝置(AOI：Automatic Optical Inspection)來製作上底資料。AOI，能夠用於檢測自實體圖案的上底(頂部)反射出來的光以將該圖案數值化，並作成以座標與電路寬度或間隙寬度等的精加工值來表示的資料。又，能夠使用具有測量功能的金屬顯微鏡(有時會單純稱為「顯微鏡」)來製作下底資料。此處，上底和下底資料製作裝置110，接收到使用顯微鏡所測量到的下底精加工值的輸入，並基於該下底精加工值來製作下底資料。
曝光資料校正裝置112，取得由上底和下底製作裝置110所製作出的第1上底資料和下底資料，並決定第1上底資料和下底資料的相關關係。進一步，取得由上底和下底製作裝置110所製作出的第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中上述第2實體圖案與第1實體圖案不同。並且，基於實體圖案(該實體圖案是用來得到第2上底資料)用的設計資料、第2上底資料、及已被決定的相關關係，針對設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值的差值來決定校正函數，然後基於校正函數來校正實體圖案用的曝光資料，其中該校正函數表示會造成該差值產生的因素與用來抑制該差值之校正量間的關係，且該實體圖案是用來得到第2上底資料。
所謂會造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素，是指在設計資料的配線圖案規格中，會因為該因素有所變動，而造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生變化的因素。作為這樣的因素，可舉出以下的其中一者或是任意二者以上的組合：實體圖案的設計資料的圖案間隙、圖案尺寸、圖案厚度、圖案位置、圖案疏密、圖案形狀等。本實施型態中，作為造成實體圖案資料與原本資料間的差值產生的因素，是採用配線圖案的圖案間隙(在此為線與線的間隙)。所謂校正函數，是對造成差值產生的因素與用來抑制該差值之曝光資料的校正量間的關係加以規定的函數。
作為曝光資料校正裝置112，在本實施型態中，使用具備第2圖所示的硬體構成之電腦200。電腦200，具備：處理部(處理器)201、顯示部202、輸入部203、記憶部204、通訊部205、及連接這些構成零件的匯流排210。顯示部202顯示由在電腦200中執行的程式所輸出的影像。輸入部203是接收來自使用者的輸入之零件，例如為鍵盤或滑鼠。記憶部204只要是非揮發性記憶體或揮發性記憶體、硬碟等能夠儲存資訊的零件，則可為任何零件。用來執行曝光資料校正用的步驟之程式206被儲存於記憶部204中。通訊部205，進行無線通訊，或是利用乙太網路(登錄商標)纜線、USB(通用序列匯流排)纜線等來進行有線通訊。亦可經由通訊部205，來取得由上底和下底製作裝置110所製作出的上底資料和下底資料。一旦執行程式206，處理部(處理器)201便執行曝光資料校正用的步驟。曝光資料校正裝置112，不一定需要是泛用的電腦，亦可由用來執行各步驟的全部或是一部分之硬體、及與該硬體協同工作來運作的軟體來加以實現。
本實施型態中的系統的動作流程表示於第3圖。首先，設計資料製作裝置101製作第1實體圖案用的設計資料(步驟301)，並且曝光資料製作裝置102基於此設計資料製作曝光資料(步驟302)。曝光裝置104，基於由曝光資料製作裝置102所製作出的曝光資料，將曝光圖案曝光於被配置在基板上的感光性光阻層上(步驟304)。顯影圖案製作裝置106，對已曝光出曝光圖案的感光性光阻層加以顯影，以形成顯影圖案(步驟306)，實體圖案製作裝置108，針對形成有顯影圖案的基板進行電路加工，以形成第1實體圖案(步驟308)。上底和下底資料製作裝置110，製作第1上底資料和下底資料(步驟310)。在第2上底資料是利用第1實體圖案的上底來製作出來的情況下，在此處亦製作第2上底資料。又，亦能夠將自第1實體圖案體得到的全體資料作為第2上底資料，並將其中一部分作為第1上底資料。
接著，判定是否要為了進行曝光資料校正而製作第2實體圖案(步驟312)。例如，在第2上底資料是利用第1實體圖案的上底來得到的情況下，不需要製作第2實體圖案。若有需要製作第2實體圖案，則回到設計資料製作步驟301，進行相同的步驟來形成第2實體圖案，並在步驟310中製作第2實體圖案的上底資料。第2實體圖案的下底資料，不會去加以製作。在不要製作第2實體圖案的上底資料的情況下，或是在製作出第2實體圖案之後，進行曝光資料校正步驟314，並結束曝光資料校正用的動作流程。之後，基於被校正過的曝光資料，例如使用曝光裝置104、顯影圖案製作裝置106、實體圖案製作裝置108來形成配線圖案，而製造出配線基板。
第4圖中，更具體地對曝光資料校正步驟314加以說明。首先，曝光資料校正裝置112，取得由上底和下底資料製作裝置100所製作出的第1上底資料，其中該第1上底資料基於自第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料(步驟401)，然後取得下底資料，其中該第1下底資料基於自第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料(步驟402)，並決定第1上底資料與下底資料的相關關係(步驟404)。進一步，曝光資料校正裝置112，取得由上底和下底資料製作裝置100所製作出的第2上底資料，其中該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中上述第2實體圖案與第1實體圖案不同(步驟406)。然後，基於用來得到第2上底資料之實體圖案用的設計資料、第2上底資料、及步驟404中製作出的相關關係，針對設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值來決定校正函數，其中該校正函數表示會造成該差值產生的因素與用來抑制該差值之校正量間的關係(步驟408)，然後基於校正函數來校正實體圖案用的曝光資料，其中該實體圖案是用來得到第2上底資料(步驟410)。
自下底得到的下底資料與自上底得到的上底資料間的相關關係，設想會依存於圖案間隙、圖案尺寸、圖案厚度、圖案位置、圖案疏密、圖案形狀等。因此，在決定一次相關關係之後，對於相同的圖案間隙等，可藉由將該相關關係套用至根據AOI資料所得到的其他上底資料，來正確地推測下底資料，而不用手動測量與該其他上底資料對應的新的下底的精加工值。並且，基於被推測出的此下底資料來製作校正函數，可藉此抑制曝光資料校正量的誤差，而提高微細電路形成時的電路寬度精準度。
校正函數被設想是會根據用來取得資料的基板上的區域而發生變化。另一方面，上底資料與下底資料的相關關係，被設想是比較不會根據用來取得資料的基板上的區域而發生變化。因此，例如針對用來決定相關關係之第1上底資料和下底資料用的測量，可僅在第1實體圖案的受限區域中進行，藉此以較少的勞力消耗來決定相關關係，並且將已被決定的相關關係應用至使用AOI自第1實體圖案全體取得的第2上底資料上，藉此針對第1實體圖案本身亦能夠一邊減輕勞力消耗，一邊得到將基板全體的傾向考慮在裡面之更正確的校正函數。
由於相關關係和校正函數有時會根據基板上的區域而發生變化，因此亦可針對配置有配線圖案之相同基板面的每個區域來決定相關關係和校正函數。設計資料與精加工值的關係，即便在相同基板上，有時也會根據區域而成為特殊的關係。例如，由於在基板的中央附近，蝕刻液容易蓄積使得蝕刻速度較慢，因此圖案間隙有變窄的傾向，而在基板的周圍，蝕刻速度較快，因此圖案間隙有變寬的傾向。又，在基板角落中，由於在利用電鍍來形成銅膜時電流會集中於此處，因此銅膜有變厚的傾向，而被設想其上底資料與下底資料間的相關關係會與其他區域不同。因此，藉由遵循本實施型態來針對相同基板面的每個區域決定相關關係和校正函數，可進行精準度更高的電路形成處理。
又，亦可針對配置有配線圖案之相同基板的上表面和下表面個別決定校正函數。與基板面的區域相同的，相關關係和校正函數有時會因上表面和下表面而有所不同。例如，由於上表面容易蓄積蝕刻液使得蝕刻速度較慢，因此圖案間隙有變窄的傾向，而在下表面中，蝕刻速度較快，因此圖案間隙有變寬的傾向。因此，藉由遵循本實施型態來針對相同基板面的上表面和下表面決定相關關係和校正函數，可進行精準度更高的電路形成處理。
又，由於配線圖案中的設計資料與精加工值間的關係有時會不同，亦可針對配線圖案中的縱線和橫線的各者來決定校正函數。
[第2實施型態] 以下針對本發明的第2實施型態加以說明。本實施型態與第1實施型態的不同之處在於採用步驟500(第5圖)來代替第1實施型態的步驟314(第3、4圖)，除此以外與第1實施型態相同。以下的說明中，僅說明與第1實施型態不同的部分，而省略掉相同的部分。
為了容易理解發明，以下說明這樣的例子：準備在絕緣層上具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板來作為基板，然後利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻(用來讓基板全體的銅厚度變薄的整面蝕刻處理)將銅厚度作成約18μm，並曝光上作為第1實體圖案的測試圖案，進行電路形成處理，而製作出相關關係抽出用基板。
本實施型態中，在步驟310中所製作的第1上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值，是在第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；並且，下底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值，是在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。
本實施型態中，使用配線圖案的間隙寬度來作為精加工值，但本案所屬技術領域中具有通常知識者當然明白，例如在使用電路寬度等其他精加工值的情況下同樣能夠實施本發明。這點在以下將說明的其他實施型態中也是一樣。
此處，使用AOI測量第1實體圖案的四角和中央的指定區域中之上底的間隙寬度，並且針對測量到各個間隙寬度之座標，算出上述間隙寬度與該座標在設計資料中所規定的間隙寬度間的差值，來作為校正量資料。同樣的，作為下底資料的校正量，使用顯微鏡測量第1實體圖案的四角和中央的指定區域中之下底的間隙寬度，並且針對測量到各個間隙寬度之座標，算出上述間隙寬度與該座標在設計資料中所規定的間隙寬度間的差值，來作為校正量資料。此處，把要進行上底和下底資料用的測量之區域設為相同區域。藉由對獲得自相同區域之資料間進行比較，便能夠藉此取得更正確的上底資料與下底資料的相關關係。
自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第1上底資料和下底資料中的校正量資料如下表所示。 [表1]
表1中的CAD資料表示設計資料中所規定的間隙(gap)寬度(μm)。AOI測量的精加工值，表示根據與設計資料中所規定的間隙寬度對應之AOI測量，來測得之測試圖案的四角和中央區域中的上底之間隙寬度(μm)，且校正量是將CAD資料的間隙寬度(μm)與AOI測量的間隙寬度間的差值乘上1/2者。之所以要乘上1/2，是指對間隙的兩端套用的校正量。關於顯微鏡測量也是一樣。顯微鏡測量的精加工值，表示根據顯微鏡測量來測得之測試圖案的四角和中央區域中的下底之間隙寬度(μm)，且校正量是將CAD資料的間隙寬度(μm)與顯微鏡測量的間隙寬度間的差值乘上1/2者。例如，CAD資料＝20、AOI測量精加工值＝44.1、顯微鏡測量精加工值＝28.4，所代表的意義是設計上應該要成為20μm之間隙處，根據AOI所測量到的上底中的間隙寬度是44.1μm，而根據顯微鏡所測量到的間隙寬度是28.4μm。並且，若基於AOI測量精加工值，則CAD資料的此間隙應該要在兩端進行12.0μm的校正，且若基於顯微鏡測量，則應該要進行4.2μm的校正。
接著，曝光資料校正裝置112，取得由上底資料和下底資料製作裝置110在步驟310中所製作出的第1上底資料和下底資料(步驟501、502)，基於第1上底資料中的校正量資料來決定第1暫定校正函數(步驟504)，基於下底資料中的校正量資料來決定第2暫定校正函數(步驟506)，基於自第1暫定校正函數所得到的校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到的校正量間的差值(偏移量)，來製作校正量差值函數(步驟508)。
本實施型態中之第1暫定校正函數，是用來表示AOI測量間隙寬度用的校正量之函數(AOI測量校正函數(蝕刻曲線))，且上述校正量是指相對於表1和第6圖所示之設計資料中的間隙寬度的校正量；第2暫定校正函數，是用來表示顯微鏡測量間隙寬度用的校正量之函數(顯微鏡測量校正函數)，且上述校正量是指相對於設計資料中的間隙寬度的校正量。此處，雖然是將表1和第6圖所示的各設計資料中的間隙寬度與校正量的關係作為各個暫定校正函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定暫定校正函數。並且，校正量差值函數，是表示相對於表1和第6圖所示的設計資料中的間隙寬度的、自第1暫定校正函數所得到的校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到的校正量間的差值(偏移量)的函數。與暫定校正函數同樣的，雖然是將表1和第6圖所示的各設計資料中的間隙與偏移量的關係作為校正量差值函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定校正量差值函數。
接著，在步驟510中取得第2上底資料。本實施型態中，第2上底資料包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是根據與第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。
然後，基於用來取得第2上底資料的實體圖案用的設計資料和第2上底資料，來決定第3暫定校正函數(步驟512)，基於校正量差值函數來修正第3暫定校正函數以決定校正函數(步驟514)，基於此校正函數來校正曝光資料(步驟516)。
此處，第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是根據實體圖案整體中的上底所測量到的精加工值，其中上述實體圖案整體包含第1實體圖案的四角和中央，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。因此，用來取得第2上底資料的實體圖案，是第1實體圖案。
自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第2上底資料中的校正量資料如下表所示。 [表2]
表2中的CAD資料表示設計資料中所規定的間隙寬度(μm)。AOI測量的校正值，是將根據AOI測量所得到之測試圖案的上底之間隙寬度(μm)與CAD資料的間隙寬度(μm)間的差值乘上1/2者。偏移量是表1的偏移量(AOI測量用的校正量與顯微鏡測量用的校正量的差值)。本實施型態中，校正量差值函數，是表示偏移量的函數，且該偏移量是相對於表2和第7圖所示之設計資料中的間隙寬度。
本實施型態中，第3暫定校正函數，是用來表示AOI測量間隙寬度用的校正量之函數(AOI測量校正函數(蝕刻曲線)) ，且上述校正量是指相對於表2和第7圖所示之設計資料中的間隙寬度的校正量。並且，藉由利用校正量差值函數(偏移量)對第3暫定校正函數進行偏移來加以修正。此處，自相對於各設計資料的間隙值之AOI測量用的校正量減去偏移量，藉此得到校正函數。校正函數，是表示相對於設計資料中的間隙寬度之已被修正過的校正量(表2的偏移後的校正量)之函數。此處，雖然是將表2和第7圖所示之偏移後校正量相對於設計資料中的間隙寬度的關係作為校正函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定校正函數。
本實施型態中，第2上底資料，是基於根據實體圖案整體中的上底所測量到的精加工值來得到，其中上述實體圖案整體包含第1實體圖案的四角和中央，但亦可不含有用來得到第1上底資料之第1實體圖案的四角和中央的部分，或者亦可基於根據與第1實體圖案不同的第2實體圖案中的上底所測量到的精加工值。這點在其他實施型態中也是一樣。
[實施型態3] 以下針對本發明的第3實施型態加以說明。本實施型態與第1實施型態的不同之處在於採用步驟800(第8圖)來代替第1實施型態的步驟314(第3、4圖)，除此以外與第1實施型態相同。以下的說明中，僅說明與第1實施型態不同的部分，而省略掉相同的部分。又，採用根據與第2實施型態中所說明過之條件相同的條件來製作之相關關係抽出用基板作為例子來加以說明。
本實施型態中，在步驟310中所製作的第1上底資料，包含在第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值，下底資料，包含在第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值。在第1實體圖案的四角和中央的指定區域中，使用AOI測量上底中的間隙寬度來作為上底資料，並使用顯微鏡同樣地測量第1實體圖案的四角和中央的指定區域之下底中的間隙寬度，來作為下底資料。
曝光資料校正裝置112，取得由上底資料和下底資料製作裝置110在步驟310中所製作出的第1上底資料和下底資料(步驟801、802)；決定第1精加工值函數，該第1精加工值函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及第1上底資料中的精加工值(步驟804)；決定第2精加工值函數，該第2精加工值函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及下底資料中的精加工值(步驟804)；並決定精加工值差值函數，該精加工值差值函數是基於第1精加工值函數與第2精加工值函數之差值(步驟808)。藉此，決定上底資料與下底資料的相關關係。
自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第1上底資料和下底資料中的精加工值資料如下表所示。 [表3]
跟表1同樣地，表3中的CAD資料表示設計資料中所規定的間隙寬度(μm)。AOI測量和顯微鏡測量的精加工值，表示根據與設計資料中所規定的間隙寬度對應之測量，所得到之在測試圖案的四角和中央區域中的上底和下底之間隙寬度(μm)。表3中的被測量到的精加工值，使用與表1中所示的相同的數值。差值是將與各CAD資料的間隙寬度對應之AOI測量的間隙寬度與顯微鏡測量的間隙寬度的差值乘上1/2者。例如，CAD資料＝20、AOI測量精加工值＝44.1、顯微鏡測量精加工值＝28.4，所代表的意義是設計上應該要成為20μm之間隙處，根據AOI所測量到的上底中的間隙寬度是44.1μm，而根據顯微鏡所測量到的間隙寬度是28.4μm。並且，AOI測量精加工值與顯微鏡測量精加工值之差值為15.7，將該差值的1/2經過四捨五入處理後值，即得到精加工值差值＝7.8μm。
本實施型態中，第1精加工值函數，是表示相對於表3和第9圖所示之設計資料中的間隙寬度之AOI測量間隙寬度的精加工值之函數(AOI測量精加工值函數)，而第2精加工值函數，是表示相對於設計資料中的間隙寬度之顯微鏡測量間隙寬度的精加工值之函數(顯微鏡測量精加工值函數)。此處，雖然是將表3和第9圖所示的各設計資料中的間隙與精加工值的關係作為各個精加工值函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定精加工值函數。並且，精加工值差值函數，是表示相對於表3和第9圖所示之各設計資料中的間隙寬度之AOI測量精加工值與顯微鏡測量精加工值的差值之函數。與精加工值函數同樣的，雖然是將與表3和第9圖所示的各設計資料中的間隙相對之AOI測量精加工值與顯微鏡測量精加工值的差值的關係作為精加工值差值函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定精加工值差值函數。
接著，在步驟810中，取得第2上底資料。本實施型態中，第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底來測量到的精加工值，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是根據與第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底來測量到的精加工值，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。
然後，基於用來取得第2上底資料之實體圖案用的設計資料和第2上底資料，決定暫定校正函數(步驟812)，並基於精加工值差值函數來修正前述暫定校正函數，而決定校正函數(步驟814)。
此處，第2上底資料，使用與第2實施型態相同的資料。自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第2上底資料中的校正量資料(AOI測量)如下表所示。這數據與表2所示者相同。 [表4]
本實施型態中，暫定校正函數，是用來表示AOI測量間隙寬度用的校正量之函數(AOI測量校正函數(蝕刻曲線)) ，且上述校正量是指相對於表4和第10圖所示之設計資料中的間隙寬度的校正量。並且，藉由利用精加工值差值函數對此暫定校正函數進行偏移來加以修正。此處，藉由從與各設計資料的間隙值相對之AOI測量用的校正量減去精加工值差值(偏移量)，來得到校正函數。校正函數，是表示相對於設計資料中的間隙寬度之已被修正的校正量之函數。此處，雖然是將表4和第10圖所示之偏移後校正量相對於設計資料中的間隙寬度的關係作為校正函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定校正函數。
[實施型態4] 以下針對本發明的第4實施型態加以說明。本實施型態與第1實施型態的不同之處在於採用步驟1100(第11圖)來代替第1實施型態的步驟314(第3、4圖)，除此以外與第1實施型態相同。以下的說明中，僅說明與第1實施型態不同的部分，而省略掉相同的部分。又，採用根據與第2實施型態中所說明過的條件相同的條件來製作的相關關係抽出用基板作為例子來加以說明。
本實施型態中，在步驟310中所製作的第1上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值，是在第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；並且，下底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值，是在第1實體圖案的至少一部分區域中的根據下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。
第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，上述二個精加工值的其中一者，是根據與第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而上述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值。
曝光資料校正裝置112，取得由上底資料和下底資料製作裝置110在步驟310中所製作出的第1上底資料和下底資料(步驟1101、1102)；並決定以下二個校正量的校正量相關函數：第1上底資料中的校正量資料中所示的校正量、及與該校正量對應之下底資料中的校正量資料中所示的校正量(步驟1104)。藉此，決定上底資料與下底資料的相關關係。
然後，在取得第2上底資料後(步驟1106)，基於用來取得第2上底資料之實體圖案用的設計資料和第2上底資料，決定暫定校正函數(步驟1108)，基於校正量相關函數來修正暫定校正函數，而決定校正函數(步驟1110)，並基於此校正函數來校正曝光資料(步驟1112)。
自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第1上底資料和下底資料中的校正量資料，與實施型態2相關連，為如表1所示者。針對表1中的基於顯微鏡測量之校正量與基於AOI測量之校正量的相對關係，將其表示成圖表後的結果為第12圖。例如，若觀察CAD資料＝20之列，基於AOI測量之校正為為12.1，與此相對之基於顯微鏡測量之校正量為4.2。在此情況下，將其標記在(x,y)＝(12.1,4.2)的座標處。對所有的資料進行這樣的標記之後，藉由逼近式來決定相關關係式。此處藉由線性逼近來決定相關關係式，得到校正量相關函數為y=1.2861x-10.563。
自相關關係抽出用基板所製作出來之第2上底資料中的校正量資料如以下所示。將基於AOI測量之校正量作為x，代入前述的校正量相關函數(y=1.2861x-10.563)，藉此算出被修正過的校正量y。 [表5]
本實施型態中，暫定校正函數，是用來表示AOI測量間隙寬度用的校正量之函數(AOI測量校正函數(蝕刻曲線))，且上述校正量是指相對於表5和第13圖所示之設計資料中的間隙寬度的校正量。並且，藉由根據校正量相關函數對暫定校正函數進行修正，來得到校正函數。校正函數，是表示相對於設計資料中的間隙寬度之已被修正過之校正量之函數。此處，雖然是將表5和第13圖所示之修正後校正量相對於設計資料中的間隙寬度的關係作為校正函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定校正函數。
[實施型態5] 以下針對本發明的第5實施型態加以說明。本實施型態與第1實施型態的不同之處在於採用步驟1400(第14圖)來代替第1實施型態的步驟314(第3、4圖)，除此以外與第1實施型態相同。以下的說明中，僅說明與第1實施型態不同的部分，而省略掉相同的部分。又，採用根據與第2實施型態中所說明過的條件相同的條件來製作的相關關係抽出用基板作為例子來加以說明。
本實施型態中，在步驟310中所製作出的第1上底資料，包含在第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值，下底資料，包含在第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值。
曝光資料校正裝置112，取得由上底資料和下底資料製作裝置110所製作出的第1上底資料和下底資料(步驟1401、1402)；決定在第1上底資料中所測量到的精加工值與在下底資料中所測量到的精加工值的精加工值相關函數(步驟1404)。藉此，決定上底資料與下底資料的相關關係。
在步驟1406中，取得第2上底資料。第2上底資料，包含在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中上述區域含有與第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者，第2上底資料，包含根據與第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值。
基於已被決定的精加工值相關函數，自第2上底資料中的精加工值計算出對應之下底中的精加工值的推算值(步驟1408)，並基於以下二個精加工值的差值來決定校正函數：用來得到第2上底資料之實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值、及對應於該精加工值之被推算出來的下底中的精加工值(步驟1410)。基於此校正函數，對曝光資料進行校正(步驟1412)。
自基於前述條件所得到之相關關係抽出用基板，製作出的第1上底資料和下底資料中的精加工值，與實施型態3相關連，為如表3所示者。針對表3中的基於顯微鏡測量之精加工值與基於AOI測量之精加工值的相對關係，將其表示成圖表後的結果為第15圖。例如，若觀察CAD資料＝20之列，基於AOI測量之精加工值為44.1，相對於此的基於顯微鏡測量之精加工值為28.4。在此情況下，將其標記在(x,y)＝(44.1,28.4)的座標處。對所有的資料進行這樣的標記之後，藉由逼近式來決定相關關係式。此處藉由線性逼近來決定相關關係式，得到校正量相關函數為y=1.0177x-13.389。
自相關關係抽出用基板所製作出來之第2上底資料中的精加工值資料如以下所示。將基於AOI測量之精加工值作為x，代入前述的校正量相關函數(y=1.0177x-13.389)，藉此算出推算之下底精加工值(間隙寬度)。並且，將該被算出之推算精加工值(間隙寬度)與CAD資料中的設計上的精加工值間的差值乘上1/2後的數值作為校正量。
[表6]
若將此表中所示之相對於設計資料中的間隙寬度之校正量表示為校正函數(蝕刻曲線)，則會如第16圖所示。此處，校正函數，是表示校正量的函數，且該校正量是基於與設計資料中的間隙寬度相對之被推算出來的精加工值。此處，雖然是將表6和第16圖所示之校正量相對於設計資料中的間隙寬度的關係作為校正函數，但亦可根據基於測量資料的逼近式來決定校正函數
(實施例) 為了確認本實施型態的功效，準備具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板，利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻將銅厚度作成約18μm，並根據由上述的實施型態2～5所得到的校正函數來校正曝光資料，進行實體圖案的曝光、顯影、電路形成處理，而製作出電路形成基板。針對使用實施型態2～5之步驟所製作出的校正函數來形成的電路形成基板，分別標記為實施例1～4。
[比較例1] 作為比較例1，準備具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板，利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻將銅厚度作成約18μm，並將測試圖案曝光於其上，進行電路形成處理，而製作出校正函數抽出用基板。然後，以顯微鏡對此校正函數抽出用基板測量電路寬度和間隙寬度，並根據此測量值製作校正函數(蝕刻曲線)。
準備具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板，利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻將銅厚度作成約18μm，並根據上述校正函數(底部寬度)來校正曝光資料，進行實體圖案的曝光、顯影、電路形成處理，而製作出電路形成基板。
[比較例2] 準備具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板，利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻將銅厚度作成約18μm，並將測試圖案曝光於其上，進行電路形成處理，而製作出校正函數抽出用基板。然後，以光學式自動外觀檢查裝置對此校正函數抽出用基板測量電路寬度和間隙寬度，並根據此測量值製作校正函數(蝕刻曲線)。
準備具有5μm之銅箔的厚度0.22mm之MCL－E－700G(商品名，日立化成股份有限公司製)之貼銅積層板，利用銅電鍍施加約19μm的鍍敷，藉由半蝕刻將銅厚度作成約18μm，並根據上述校正函數(頂部寬度)來校正曝光資料，進行實體圖案的曝光、顯影、電路形成處理，而製作出電路形成基板。
[比較] 在表7和表8中表示實施例1～4、比較例1和比較例2的測量結果。表7和表8的各項目，表示關於線條部(電路寬度)之設計值和顯微鏡測量值。又，表7的「L／S＝50／40」表示L(線條部：電路寬度)為50μm、S(間隔部：間隙寬度)為40μm之設計規格，表8的「L／S＝50／50」表示L(線條部：電路寬度)為50μm、S(間隔部：間隙寬度)為50μm之設計規格。實施例1和實施例2，由於差異只在要決定上底資料與下底資料的相關關係時，是基於以上底和精加工值為基礎的校正量之差值，還是基於精加工值本身的差值，因此最終所得到的校正函數會是相同的。因此，根據實施例1和實施例2所得到的結果也會是相同的。 [表7]
[表8]
如表7所示，關於L／S＝50／40的設計規格，實施例1和實施例2中的電路寬度之尺寸精準度(偏差：3σ)為上表面6.7μm、下表面8.8μm，實施例3中為上表面6.5μm、下表面8.4μm，實施例4中為上表面6.7μm、下表面9.0μm。相對於此，比較例1中為上表面7.1μm、下表面9.7μm，比較例2中為上表面7.6μm、下表面20.5μm。
如表8所示，關於L／S＝50／50的設計規格，實施例1和實施例2中的電路寬度之尺寸精準度(偏差：3σ)為上表面6.0μm、下表面7.7μm，實施例3中為上表面5.8μm、下表面7.4μm，實施例4中為上表面6.0μm、下表面8.3μm。相對於此，比較例1中為上表面6.4μm、下表面9.2μm，比較例2中為上表面6.0μm、下表面8.8μm。
由此結果可知，關於上表面和下表面中的偏差，本發明的實施例1～4均表示出優於比較例之特性，因此藉由使用本發明可提高電路寬度精準度。
以上所說明過的各實施型態，只是用來說明本發明的例示內容，本發明並不限定於這些實施型態。本發明，只要不脫離其要旨，便能夠以各種型態來加以實施。
100‧‧‧配線圖案形成系統
101‧‧‧設計資料製作裝置
102‧‧‧曝光資料製作裝置
104‧‧‧曝光裝置
106‧‧‧顯影圖案製作裝置
108‧‧‧實體圖案製作裝置
110‧‧‧上底和下底資料製作裝置
112‧‧‧曝光資料校正裝置
200‧‧‧電腦
201‧‧‧處理部
202‧‧‧顯示部
203‧‧‧輸入部
204‧‧‧記憶部
205‧‧‧通訊部
206‧‧‧曝光資料校正程式
301~314‧‧‧步驟
401~410‧‧‧步驟
500~516‧‧‧步驟
800~816‧‧‧步驟
1100~1112‧‧‧步驟
1400~1412‧‧‧步驟
1700‧‧‧基板
1701‧‧‧配線圖案
1702‧‧‧上底(頂部)寬度
1704‧‧‧下底(底部)寬度
第1圖表示本發明的實施型態的配線圖案形成系統的概略圖。 第2圖表示本發明的實施型態中的曝光資料校正裝置的硬體構成圖。 第3圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正方法的流程圖。 第4圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正步驟的流程圖。 第5圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正步驟的流程圖。 第6圖表示本發明的一實施型態的暫定校正函數。 第7圖表示本發明的一實施型態的暫定校正函數和校正函數。 第8圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正步驟的流程圖。 第9圖表示本發明的一實施型態的精加工值函數。 第10圖表示本發明的一實施型態的暫定校正函數和校正函數。 第11圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正步驟的流程圖。 第12圖表示本發明的一實施型態的校正量相關函數。 第13圖表示本發明的一實施型態的暫定校正函數和校正函數。 第14圖表示本發明的一實施型態的曝光資料校正步驟的流程圖。 第15圖表示本發明的一實施型態的精加工值相關函數。 第16圖表示本發明的一實施型態的校正函數。 第17圖表示實體圖案的剖面形狀之概略圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無

Claims (22)

  1. 一種曝光資料校正裝置，其對用來製作配線圖案的曝光資料進行校正，且前述曝光資料校正裝置執行以下動作：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
  2. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述另外二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述另外二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：基於前述第1上底資料中的校正量資料，決定第1暫定校正函數；基於前述下底資料中的校正量資料，決定第2暫定校正函數；以及，基於自前述第1暫定校正函數所得到之校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到之校正量的差值，製作校正量差值函數；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定第3暫定校正函數；以及，基於前述校正量差值函數，對前述第3暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  3. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定第1精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述第1上底資料中的精加工值；決定第2精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述下底資料中的精加工值；以及，決定精加工值差值函數，其基於前述第1精加工值函數與第2精加工值函數的差值；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述精加工值差值函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  4. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定以下二個校正量的校正量相關函數：前述第1上底資料中的校正量資料中所示的校正量、及與該校正量對應之前述下底資料中的校正量資料中所示的校正量；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述校正量相關函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  5. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者，前述第2上底資料，包含在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值；決定前述相關關係的動作，包含以下動作：決定以下二個精加工值的精加工值相關函數：在前述第1上底資料中所測量到的精加工值、及在前述下底資料中所測量到的精加工值；並且，決定前述校正函數的動作，包含以下動作：基於已被決定的精加工值相關函數，並基於前述第2上底資料中的精加工值來計算出與該精加工值對應之下底中的精加工值的推算值；以及，基於以下二個精加工值的差值來決定校正函數：用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值、及對應於該精加工值之前述被推算出來的下底中的精加工值。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之資料校正裝置，其中，前述第1上底資料和前述第2上底資料中所含的精加工值，是基於利用光學式外觀檢查裝置而得到的資料之精加工值；前述下底資料，是基於利用顯微鏡而得到的資料之下底資料。
  7. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述校正函數，以配置有配線圖案之相同基板面的各個區域為單位來分別決定。
  8. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述校正函數，以配置有配線圖案之相同基板的上表面和下表面為單位來分別決定。
  9. 如請求項1所述之資料校正裝置，其中，前述校正函數，針對配線圖案中的縱線和橫線的各者來分別決定。
  10. 一種配線圖案形成系統，其具備：曝光資料製作手段，其製作曝光資料，該曝光資料基於作為目標的配線圖案之設計資料；圖案曝光手段，其基於曝光資料，在被配置在基板上之感光性光阻層上曝光出曝光圖案；顯影圖案形成手段，其對曝光出前述曝光圖案之感光性光阻層進行顯影，以形成顯影圖案；實體圖案形成手段，其針對形成有前述顯影圖案之基板進行電路加工處理，以形成實體圖案；上底資料製作手段，其製作上底資料，該上底資料基於自前述實體圖案的至少一部分區域中的上底而得到的資料；下底資料製作手段，其製作下底資料，該下底資料基於自前述實體圖案的至少一部分區域中的下底而得到的資料；以及，如請求項1至9中任一項所述之曝光資料校正裝置，其基於前述上底資料、下底資料和設計資料來校正曝光資料。
  11. 一種電腦程式產品，其包含用來校正曝光資料的程式，且該曝光資料是用來製作配線圖案，該程式使電腦執行以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
  12. 一種曝光資料校正方法，是用來校正曝光資料的方法，且該曝光資料是用來製作配線圖案，該方法包含以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；以及，基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正。
  13. 一種配線基板製造方法，其包含以下步驟：取得第1上底資料，該第1上底資料基於自具有上底和下底之凸狀的第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料，前述第1實體圖案是藉由電路加工而得到，且該電路加工使用基於作為目標的配線圖案用的設計資料之曝光資料；取得下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料的相關關係；取得第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正；以及，基於前述曝光資料，形成配線圖案。
  14. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：基於前述第1上底資料中的校正量資料，決定第1暫定校正函數；基於前述下底資料中的校正量資料，決定第2暫定校正函數；以及，基於自前述第1暫定校正函數所得到之校正量與對應於該校正量之自第2暫定校正函數所得到之校正量的差值，製作校正量差值函數；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定第3暫定校正函數；以及，基於前述校正量差值函數，對前述第3暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  15. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定第1精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述第1上底資料中的精加工值；決定第2精加工值函數，其表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及前述下底資料中的精加工值；以及，決定精加工值差值函數，其基於前述第1精加工值函數與第2精加工值函數的差值；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述精加工值差值函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  16. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述第1上底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述下底資料，包含基於以下二個精加工值間的差值之校正量資料：在第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所測量到的精加工值、及與該精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；前述第2上底資料，包含基於二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第1實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；或者，前述第2上底資料包含基於另外二個精加工值間的差值之校正量資料，前述二個精加工值的其中一者，是在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值，而前述二個精加工值的另一者，是與該前一個精加工值對應之前述第2實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定以下二個校正量的校正量相關函數：前述第1上底資料中的校正量資料中所示的校正量、及與該校正量對應之前述下底資料中的校正量資料中所示的校正量；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於用來取得前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料和前述第2上底資料，決定暫定校正函數；以及，基於前述校正量相關函數，對前述暫定校正函數進行修正，以決定校正函數。
  17. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述第1上底資料，包含在前述第1實體圖案的上底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述下底資料，包含在前述第1實體圖案的下底的至少一部分區域中所測量到的精加工值；前述第2上底資料，包含在一個區域中的上底所測量到的精加工值，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者，前述第2上底資料，包含在與前述第1實體圖案不同的第2實體圖案的上底所測量到的精加工值；決定前述相關關係的步驟，包含以下步驟：決定以下二個精加工值的精加工值相關函數：在前述第1上底資料中所測量到的精加工值、及在前述下底資料中所測量到的精加工值；並且，決定前述校正函數的步驟，包含以下步驟：基於已被決定的精加工值相關函數，並基於前述第2上底資料中的精加工值來計算出與該精加工值對應之下底中的精加工值的推算值；以及，基於以下二個精加工值的差值來決定校正函數：用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料中所規定的精加工值、及對應於該精加工值之前述被推算出來的下底中的精加工值。
  18. 如請求項13至17中任一項所述之配線基板製造方法，其中，前述第1上底資料和前述第2上底資料中所含的精加工值，是基於利用光學式外觀檢查裝置而得到的資料之精加工值；前述下底資料，是基於利用顯微鏡而得到的資料之下底資料。
  19. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述校正函數，以配置有配線圖案之相同基板面的各個區域為單位來分別決定。
  20. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述校正函數，以配置有配線圖案之相同基板的上表面和下表面為單位來分別決定。
  21. 如請求項13所述之配線基板製造方法，其中，前述校正函數，針對配線圖案中的縱線和橫線的各者來分別決定。
  22. 一種配線基板製造方法，其包含以下步驟：製作曝光資料，該曝光資料基於作為目標的配線圖案之設計資料；基於曝光資料，在被配置在基板上之感光性光阻層上曝光出曝光圖案；對曝光出前述曝光圖案之感光性光阻層進行顯影，以形成顯影圖案；針對形成有前述顯影圖案之基板進行電路加工，以形成第1實體圖案；製作第1上底資料，該第1上底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的上底所得到的資料；製作下底資料，該下底資料基於自前述第1實體圖案的至少一部分區域中的下底所得到的資料；決定前述第1上底資料與前述下底資料之相關關係；製作第2上底資料，該第2上底資料基於自一個區域中的上底所得到的資料，其中前述一個區域含有與前述第1實體圖案的至少一部分區域不同的區域，或者該第2上底資料基於自第2實體圖案的上底所得到的資料，其中前述第2實體圖案與前述第1實體圖案不同；基於用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的設計資料、前述第2上底資料和前述相關關係，來決定校正函數，該校正函數表示以下二者間的關係：造成設計資料中所規定的精加工值與實體圖案中的精加工值間的差值產生的因素、及用來抑制該差值之校正量；基於前述校正函數，對用來得到前述第2上底資料之實體圖案用的曝光資料進行校正；以及，基於前述已校正過的曝光資料，形成配線圖案。
TW105122459A 2015-07-17 2016-07-15 曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法 TWI624200B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015143080A JP6491974B2 (ja) 2015-07-17 2015-07-17 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201714503A TW201714503A (zh) 2017-04-16
TWI624200B true TWI624200B (zh) 2018-05-11

Family

ID=57834365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105122459A TWI624200B (zh) 2015-07-17 2016-07-15 曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6491974B2 (zh)
KR (1) KR102086497B1 (zh)
CN (1) CN107850855B (zh)
TW (1) TWI624200B (zh)
WO (1) WO2017014190A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6663672B2 (ja) * 2015-09-25 2020-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW584789B (en) * 2003-05-26 2004-04-21 Fujitsu Ltd Pattern size correction apparatus, pattern size correction method and photomask
TW201224678A (en) * 2010-11-04 2012-06-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252202A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP3913924B2 (ja) * 1999-03-19 2007-05-09 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
JP4018309B2 (ja) * 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2003017830A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Nitto Denko Corp 配線回路基板の製造方法および検査方法
JP2005116929A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd パターン製造システム
JP2005115232A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd 製造支援システムおよびプログラム
JP2006303229A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Toray Eng Co Ltd 回路形成システム
JP2007033764A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Fujifilm Holdings Corp パターン製造システム、露光装置、及び露光方法
TW200721260A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Nikon Corp Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask and device manufacturing method
US7842442B2 (en) * 2006-08-31 2010-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing overlay errors within exposure fields by APC control strategies
CN101192009B (zh) * 2006-11-28 2011-07-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立光学近接修正模型的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW584789B (en) * 2003-05-26 2004-04-21 Fujitsu Ltd Pattern size correction apparatus, pattern size correction method and photomask
TW201224678A (en) * 2010-11-04 2012-06-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017014190A1 (ja) 2017-01-26
JP6491974B2 (ja) 2019-03-27
TW201714503A (zh) 2017-04-16
CN107850855B (zh) 2020-05-26
KR102086497B1 (ko) 2020-03-09
CN107850855A (zh) 2018-03-27
JP2017026710A (ja) 2017-02-02
KR20180014057A (ko) 2018-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015062054A (ja) フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
CN109884862A (zh) 三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置及方法
TWI624200B (zh) 曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法
JP2010066460A (ja) パターン補正方法およびパターン補正プログラム
JP4952155B2 (ja) 研磨条件予測プログラム、記録媒体、研磨条件予測装置および研磨条件予測方法
JP6559433B2 (ja) フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
TWI617899B (zh) 經由匹配程序決定施加至積體電路製造過程之劑量校正的方法
JP2009186841A (ja) フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク
JP6690204B2 (ja) 配線基板の製造方法、データ補正装置、配線パターン形成システム及びデータ補正方法
JP2017181613A (ja) 配線基板の製造方法、データ補正装置、配線パターン形成システム及びデータ補正方法
JP2003295415A (ja) フォトマスク供給システム
JP5744998B2 (ja) 露光画像の補償方法
JP6610210B2 (ja) 配線パターン形成システム
Yang et al. OPC accuracy enhancement through systematic OPC calibration and verification methodology for sub-100nm node
TWI663682B (zh) 基板檢測夾具設計方法，基板檢測夾具及基板檢測裝置
TWI805181B (zh) 用於蝕刻製程的補償方法、補償系統及深度學習系統
JP6381180B2 (ja) 露光装置、情報管理装置、露光システムおよびデバイス製造方法
TW202249133A (zh) 對準誤差補償方法及其系統
TWI617934B (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法
KR20080062699A (ko) 광 근접효과 보정방법
TW583564B (en) Layout pattern producing system, layout pattern producing method, and the program making computer implementing the same
CN115052422A (zh) 电路板阻抗线补偿模型的建立方法、补偿方法及装置
CN112541205A (zh) 一种建模方法
JP2018146990A (ja) 表示装置製造用フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及びフォトマスクの検査装置
CN115561970A (zh) 图形检测方法、设备和存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees