JP2010066460A - パターン補正方法およびパターン補正プログラム - Google Patents
パターン補正方法およびパターン補正プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010066460A JP2010066460A JP2008232064A JP2008232064A JP2010066460A JP 2010066460 A JP2010066460 A JP 2010066460A JP 2008232064 A JP2008232064 A JP 2008232064A JP 2008232064 A JP2008232064 A JP 2008232064A JP 2010066460 A JP2010066460 A JP 2010066460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line segment
- pattern
- adjacent
- correction
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
【課題】パターン同士が重なっている距離が変化した場合においても、パターンの補正値の誤差を低減できるようにする。
【解決手段】プロセッサ１は、パターンデータＤ１から補正対象パターンを設定し、その補正対象パターン上の線分とその線分に隣接する隣接パターンの辺との間の重なり距離を求め、補正テーブルＤ２を参照することで、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間隔に対応したバイアスを抽出し、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、その線分についての補正値を算出する。
【選択図】 図１
【解決手段】プロセッサ１は、パターンデータＤ１から補正対象パターンを設定し、その補正対象パターン上の線分とその線分に隣接する隣接パターンの辺との間の重なり距離を求め、補正テーブルＤ２を参照することで、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間隔に対応したバイアスを抽出し、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、その線分についての補正値を算出する。
【選択図】 図１
Description
本発明はパターン補正方法およびパターン補正プログラムに関し、特に、マスクパターンの粗密に起因するフォトリソグラフィ時の露光強度の変動を緩和するためのパターン補正方法に適用して好適なものである。
近年の半導体集積回路の微細化に伴って、光の波長の半分以下のパターンをフォトリソグラフィにて形成することが行われている。この場合、実際にウェハに形成されるパターン寸法と設計値との間の誤差が大きくなるため、このような誤差をコンピュータシミュレーションにて予め予測し、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）をマスクパターンに施すことで、実際にウェハに形成されるパターン寸法を設計値に近づけることが行われている。
ここで、光近接効果の程度は、パターンの粗密によって変動し、例えば、孤立パターンでは、光近接効果の影響が大きくなることから、孤立パターンの補正を行う場合には、孤立パターンに与えられる線分のバイアス（移動量）を大きくする必要がある。パターンの粗密を判定する方法としては、パターン間の間隔を計測する方法が一般的に用いられるが、パターン間の間隔を一箇所で測定すると、これらのパターン同士が一部しか重なっていない場合には、パターンの補正値の誤差が大きくなる。
このため、特許文献１には、集積回路装置の設計データよりパターンの辺を複数に分割し、分割された辺毎に、その辺に対応するパターンの幅、その辺に対応するパターンと隣接するパターンまでの間隔を複数箇所で測定し、その測定結果に基づいて補正テーブルを参照することで複数の移動量を抽出し、この抽出された複数の移動量に基づいて、分割された辺の補正値を算出する方法が開示されている。
しかしながら、パターン間の間隔を複数箇所で測定するだけでは、パターン同士がどの程度の距離に渡って重なっているかを考慮することができず、パターンのレイアウトによってはパターンの補正値の誤差が大きくなるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、パターン同士が重なっている距離が変化した場合においても、パターンの補正値の誤差を低減することが可能なパターン補正方法およびパターン補正プログラムを提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明の一態様によれば、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔を計測するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、前記計測された間隔に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、前記重なり距離に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法を提供する。
また、本発明の一態様によれば、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔を計測するステップと、前記分割された線分に属性を付与するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、前記計測された間隔に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、前記属性に対応した補正値計算式を選択するステップと、前記重なり距離に基づいて前記補正値計算式上で移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法を提供する。
また、本発明の一態様によれば、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔及び前記線分の線幅を計測するステップと、前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、前記計測された間隔及び線幅に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、前記重なり距離に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法を提供する。
また、本発明の一態様によれば、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、前記分割された線分に隣接する隣接パターンの辺を前記線分上の点から所定の放射角の範囲内で探索するステップと、前記探索された隣接パターンの辺と前記線分との間の間隔を計測するステップと、前記計測された間隔に対応した移動量を抽出するステップと、前記線分上の点から前記所定の放射角の範囲内で伸ばした線分のうち、前記探索された隣接パターンの辺と交差する線分のなす角度の範囲に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法を提供する。
また、本発明の一態様によれば、補正対象パターン上の線分と前記線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分に隣接する隣接パターンの辺との重なり距離に基づいて、前記線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と前記隣接パターンの辺との間の間隔に依存して決定される移動量を補正することにより、前記線分についての補正値を算出することを特徴とするパターン補正プログラムを提供する。
以上説明したように、本発明によれば、隣接パターン同士が重なっている距離が変化した場合においても、パターンの補正値の誤差を低減することが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係るパターン補正方法について図面を参照しながら説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るパターン補正処理装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、パターン補正処理装置には、ＣＰＵなどを含むプロセッサ１、固定的なデータを記憶するＲＯＭ２、プロセッサ１に対してワークエリアなどを提供するＲＡＭ３、プロセッサ１を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置４、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース５、外部との通信手段を提供する通信インターフェース６を設けることができ、プロセッサ１、ＲＯＭ２、ＲＡＭ３、外部記憶装置４、ヒューマンインターフェース５および通信インターフェース６はバス７を介して接続されている。
図１は、本発明の第１実施形態に係るパターン補正処理装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、パターン補正処理装置には、ＣＰＵなどを含むプロセッサ１、固定的なデータを記憶するＲＯＭ２、プロセッサ１に対してワークエリアなどを提供するＲＡＭ３、プロセッサ１を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置４、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース５、外部との通信手段を提供する通信インターフェース６を設けることができ、プロセッサ１、ＲＯＭ２、ＲＡＭ３、外部記憶装置４、ヒューマンインターフェース５および通信インターフェース６はバス７を介して接続されている。
ここで、外部記憶装置４には、パターンデータＤ１、補正テーブルＤ２および補正済データＤ３が格納されている。なお、パターンデータＤ１は、半導体集積回路のレイアウトに関する設計データであってもよいし、その設計データで表現される図形を加工処理した後のデータであってもよい。また、補正テーブルＤ２は、補正対象パターン上の線分に対して、その線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔に対応したバイアス（移動量）を登録することができる。また、補正済データＤ３は、補正テーブルＤ２から抽出されたバイアスから算出された補正値に基づいて補正されたデータを登録することができる。
また、プロセッサ１は、パターン補正プログラムを実行することにより、パターンデータＤ１から補正済データＤ３を算出することができる。また、プロセッサ１に実行させるプログラムは、外部記憶装置４に格納しておき、プログラムの実行時にＲＡＭ３に読み込むようにしてもよいし、プログラムをＲＯＭ２に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース６を介してプログラムを取得するようにしてもよい。
また、外部記憶装置４としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース５としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウス、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース６としては、例えば、インターネットやＬＡＮなどに接続するためのＬＡＮカードやモデムやルータなどを用いることができる。
そして、パターン補正プログラムが起動されると、プロセッサ１は、パターンデータＤ１から補正対象パターンを設定し、その補正対象パターン上の線分とその線分に隣接する隣接パターンの辺との間の重なり距離を求めることができる。そして、補正テーブルＤ２を参照することで、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間隔に対応したバイアスを抽出し、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、その線分についての補正値を算出することができる。そして、その補正値に基づいてパターンデータＤ１を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納することができる。なお、重なり距離とは、補正対象パターン上の線分と隣接パターン上の辺との間で重なる部分が存在する場合、その重なる部分を隣接パターン上の辺に沿って計測した距離を言う。
これにより、補正対象パターン上の線分と隣接パターンとの間隔に対応したバイアスに重なり距離に応じた重み付けを行うことが可能となる。このため、補正対象パターンと隣接パターンとがどの程度の距離に渡って重なっているかを考慮しつつ、補正対象パターン上の線分にバイアスを与えることが可能となり、補正対象パターンと隣接パターンとの間で重なり距離が変化した場合においても、パターンの補正値の誤差を低減することが可能となる。
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図２において、補正対象パターンＱ０の周辺には、補正対象パターンＱ０に隣接する隣接パターンＱ１、Ｑ２が配置されている。そして、補正対象パターンＱ０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ０の辺Ｈ１を複数の線分に分割する。なお、補正対象パターンＱ０の辺Ｈ１を複数の線分に分割する場合、設計データにおけるラインの最小設計寸法以上の間隔で分割することができる。例えば、最小設計寸法が８０ｎｍである場合、８０ｎｍ以上の間隔で分割することができる。ここで、分割により残りの辺の長さが最小設計寸法以下になる場合には、その部分は分割しないようにすることができる。また、分割は、等間隔に限定されることなく、異なる長さで分割するようにしてもよい。
図２は、本発明の第２実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図２において、補正対象パターンＱ０の周辺には、補正対象パターンＱ０に隣接する隣接パターンＱ１、Ｑ２が配置されている。そして、補正対象パターンＱ０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ０の辺Ｈ１を複数の線分に分割する。なお、補正対象パターンＱ０の辺Ｈ１を複数の線分に分割する場合、設計データにおけるラインの最小設計寸法以上の間隔で分割することができる。例えば、最小設計寸法が８０ｎｍである場合、８０ｎｍ以上の間隔で分割することができる。ここで、分割により残りの辺の長さが最小設計寸法以下になる場合には、その部分は分割しないようにすることができる。また、分割は、等間隔に限定されることなく、異なる長さで分割するようにしてもよい。
そして、辺Ｈ１上の線分Ｂ１についての補正値を算出する場合、線分Ｂ１に対する隣接パターンＱ１、Ｑ２の探索領域Ｅ１を設定する。なお、探索領域Ｅ１は、線分Ｂ１と水平方向では、線分Ｂ１の両端から外側にはみ出すように設定するとともに、線分Ｂ１と垂直方向では、設計上の隣接パターン間の最大距離より大きくなるように設定することができる。ただし、本実施形態及び以下の実施形態におけるパターン補正方法においては、必ずしも補正対象となる線分（本実施形態では線分Ｂ１）を延長することで探索領域Ｅ１を規定する必要はない。例えば、補正対象線分を延長せずに、補正対象線分の両端を探索領域Ｅ１の両端と一致させることもできる。
そして、探索領域Ｅ１を設定すると、線分Ｂ１の両端から探索領域Ｅ１の境界まで延長された仮想線分Ｂ１´を補正対象パターンＱ０に対して設定する。そして、探索領域Ｅ１において、仮想線分Ｂ１´と重なる辺を有する隣接パターンＱ１、Ｑ２を探索し、仮想線分Ｂ１´と隣接パターンＱ１、Ｑ２の辺との間の間隔を計測するとともに、仮想線分Ｂ１´と、隣接パターンＱ１、Ｑ２の辺との間の重なり距離を計測する。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、仮想線分Ｂ１´と隣接パターンＱ１、Ｑ２の辺との間隔に対応したバイアスを抽出し、仮想線分Ｂ１´と、隣接パターンＱ１、Ｑ２の辺との間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、線分Ｂ１についての補正値ＢＡ１を算出する。なお、仮想線分Ｂ１´と隣接パターンＱ１、Ｑ２の辺との間隔に対応したバイアスを重なり距離に基づいて補正する方法としては、これらのバイアスに重なり距離がそれぞれ重み付けされた値を用いることができる。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンＱ０を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する。
これにより、線分Ｂ１の両端から外側に隣接パターンＱ１、Ｑ２が存在する場合においても、その隣接パターンＱ１、Ｑ２との間隔を考慮しつつ、補正対象パターンＱ０上の線分Ｂ１にバイアスを与えることが可能となり、補正対象パターンＱ０の補正値の精度を向上させることが可能となる。
なお、探索領域Ｅ１の水平方向の長さをＡ、探索領域Ｅ１の垂直方向の長さをＳ１、補正対象パターンＱ０と隣接パターンＱ１との間の間隔をＳ０、補正対象パターンＱ０と隣接パターンＱ２との間の間隔をＳ２、仮想線分Ｂ１´と隣接パターンＱ１の辺との間の重なり距離をＰ０、仮想線分Ｂ１´と隣接パターンＱ２の辺との間の重なり距離をＰ２、隣接パターンＱ１、Ｑ２間の間隔をＰ１とすると、補正値Ｂｉａｓは、例えば、以下の（１）式で与えることができる。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０）＊Ｐ０／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ１）＊Ｐ１／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２）＊Ｐ２／Ａ ・・・（１）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアスである。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０）＊Ｐ０／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ１）＊Ｐ１／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２）＊Ｐ２／Ａ ・・・（１）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアスである。
（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図３において、補正対象パターンＱ１０の周辺には、補正対象パターンＱ１０に隣接する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２が配置されている。なお、補正対象パターンＱ１０は、幅が一定でなく、幅の異なる部分から構成されている。そして、補正対象パターンＱ１０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ１０の辺Ｈ２を複数の線分に分割する。そして、辺Ｈ２上の線分Ｂ２についての補正値を算出する場合、線分Ｂ２に対する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の探索領域Ｅ２を設定する。なお、探索領域Ｅ２は、線分Ｂ２と水平方向では、線分Ｂ２の両端から外側にはみ出すように設定するとともに、線分Ｂ２と垂直方向では、設計上の隣接パターン間の最大距離より大きくなるように設定することができる。
図３は、本発明の第３実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図３において、補正対象パターンＱ１０の周辺には、補正対象パターンＱ１０に隣接する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２が配置されている。なお、補正対象パターンＱ１０は、幅が一定でなく、幅の異なる部分から構成されている。そして、補正対象パターンＱ１０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ１０の辺Ｈ２を複数の線分に分割する。そして、辺Ｈ２上の線分Ｂ２についての補正値を算出する場合、線分Ｂ２に対する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の探索領域Ｅ２を設定する。なお、探索領域Ｅ２は、線分Ｂ２と水平方向では、線分Ｂ２の両端から外側にはみ出すように設定するとともに、線分Ｂ２と垂直方向では、設計上の隣接パターン間の最大距離より大きくなるように設定することができる。
そして、探索領域Ｅ２を設定すると、線分Ｂ２の両端から探索領域Ｅ２の境界まで延長された仮想線分Ｂ２´を補正対象パターンＱ１０に対して設定する。そして、探索領域Ｅ２において、仮想線分Ｂ２´と重なる辺を有する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２を探索し、仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の辺との間の間隔を計測する。さらに、仮想線分Ｂ１´と、隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の辺との間の重なり距離を計測するとともに、仮想線分Ｂ１´が隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の辺との重なっている領域ごとに補正対象パターンＱ１０の幅を計測する。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の辺との間隔および補正対象パターンＱ１０の幅に対応したバイアスを抽出し、仮想線分Ｂ２´と、隣接パターンＱ１１、Ｑ１２の辺との間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、線分Ｂ２についての補正値ＢＡ２を算出する。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンＱ１０を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する。
これにより、補正対象パターンＱ１０の幅が変化する場合においても、線分Ｂ２の両端から外側に存在する隣接パターンＱ１１、Ｑ１２との間隔を考慮しつつ、補正対象パターンＱ１０上の線分Ｂ２にバイアスを与えることが可能となり、補正対象パターンＱ１０の補正値の精度を向上させることが可能となる。
なお、補正対象パターンＱ１０は幅がＷ０、Ｗ１、Ｗ２の部分から構成され、探索領域Ｅ２の水平方向の長さをＡ、探索領域Ｅ２の垂直方向の長さをＳ１、補正対象パターンＱ１０と隣接パターンＱ１１との間の間隔をＳ０、補正対象パターンＱ１０と隣接パターンＱ１２との間の間隔をＳ２、幅Ｗ０の部分における仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１１の辺との間の重なり距離をＰ０、幅Ｗ１の部分における仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１１の辺との間の重なり距離をＰ１、幅Ｗ１の部分における仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１２の辺との間の重なり距離をＰ３、幅Ｗ２の部分における仮想線分Ｂ２´と隣接パターンＱ１２の辺との間の重なり距離をＰ４、隣接パターンＱ１１、Ｑ１２間の間隔をＰ２とすると、補正値Ｂｉａｓは、例えば、以下の（２）式で与えることができる。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ０）＊Ｐ０／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ１）＊Ｐ１／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ１，Ｗ１）＊Ｐ２／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ１）＊Ｐ３／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ２）＊Ｐ４／Ａ ・・・（２）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ０）は、パターン間の間隔がＳ０かつパターンの幅がＷ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ０かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ１かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ２かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ２）は、パターン間の間隔がＳ２かつパターンの幅がＷ２のバイアスである。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ０）＊Ｐ０／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ１）＊Ｐ１／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ１，Ｗ１）＊Ｐ２／Ａ＋Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ１）＊Ｐ３／Ａ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ２）＊Ｐ４／Ａ ・・・（２）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ０）は、パターン間の間隔がＳ０かつパターンの幅がＷ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ０，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ０かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ１かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ１）は、パターン間の間隔がＳ２かつパターンの幅がＷ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２，Ｗ２）は、パターン間の間隔がＳ２かつパターンの幅がＷ２のバイアスである。
図４は、本発明の一実施形態に係るパターン補正処理に使用される補正テーブルの一例を示す図である。
図４において、図１の補正テーブルＤ２には、パターン間の間隔Ｓに対応したバイアスが登録されたテーブルＴＢ１〜ＴＢｎをパターンの幅Ｗごとに設けることができる。そして、プロセッサ１は、この補正テーブルＤ２を参照することで、パターン間の間隔Ｓおよびパターンの幅Ｗに対応したバイアスを抽出することができる。
図４において、図１の補正テーブルＤ２には、パターン間の間隔Ｓに対応したバイアスが登録されたテーブルＴＢ１〜ＴＢｎをパターンの幅Ｗごとに設けることができる。そして、プロセッサ１は、この補正テーブルＤ２を参照することで、パターン間の間隔Ｓおよびパターンの幅Ｗに対応したバイアスを抽出することができる。
図５は、図１のパターン補正処理装置にて実行されるパターン補正処理の一例を示すフローチャートである。
図５において、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割する（ステップＳＴ１）。そして、未補正の線分がある場合（ステップＳＴ２）、分割された線分の両端から外側にはみ出すように、隣接パターンの探索領域を設定する（ステップＳＴ３）。
次に、分割された線分の両端から探索領域の境界まで延長された仮想線分を補正対象パターンに対して設定する（ステップＳＴ４）。そして、探索領域において、仮想線分と重なる辺を有する隣接パターンを探索し、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の間隔を計測するとともに、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の重なり距離を計測し、さらに仮想線分が隣接パターン２の辺との重なっている領域ごとに補正対象パターンの幅を計測する（ステップＳＴ５）。
図５において、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割する（ステップＳＴ１）。そして、未補正の線分がある場合（ステップＳＴ２）、分割された線分の両端から外側にはみ出すように、隣接パターンの探索領域を設定する（ステップＳＴ３）。
次に、分割された線分の両端から探索領域の境界まで延長された仮想線分を補正対象パターンに対して設定する（ステップＳＴ４）。そして、探索領域において、仮想線分と重なる辺を有する隣接パターンを探索し、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の間隔を計測するとともに、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の重なり距離を計測し、さらに仮想線分が隣接パターン２の辺との重なっている領域ごとに補正対象パターンの幅を計測する（ステップＳＴ５）。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、仮想線分と隣接パターンの辺との間隔および補正対象パターンの幅に対応したバイアスを抽出する（ステップＳＴ６）。そして、仮想線分と、隣接パターンの辺との間の重なり距離に基づいて、そのバイアスを補正することにより、分割された線分についての補正値を算出する（ステップＳＴ７）。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンを補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する（ステップＳＴ８）。
図６−１は、本発明の一実施形態に係る補正済パターンの一例を示す平面図である。
図６−１において、補正対象パターンＱ２０の周辺には、補正対象パターンＱ２０の３辺にそれぞれ隣接するように隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３が互いに離間して配置されている。そして、隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３との間の距離に応じて補正対象パターンＱ２０にバイアスＢＡ１１〜ＢＡ１３が与えられることで、補正済パターンが生成されている。ここで、補正対象パターンＱ２０のバイアスＢＡ１１〜ＢＡ１３を求める場合、補正対象パターンＱ２０上の線分に対向するパターンとの間の間隔だけでなく、補正対象パターンＱ２０上の線分の周囲のパターンとの間の間隔も考慮することで、隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３間の間隔も考慮しつつバイアスＢＡ１３を設定することができ、バイアスＢＡ１２よりもバイアスＢＡ１３を大きくすることができる。
図６−１において、補正対象パターンＱ２０の周辺には、補正対象パターンＱ２０の３辺にそれぞれ隣接するように隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３が互いに離間して配置されている。そして、隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３との間の距離に応じて補正対象パターンＱ２０にバイアスＢＡ１１〜ＢＡ１３が与えられることで、補正済パターンが生成されている。ここで、補正対象パターンＱ２０のバイアスＢＡ１１〜ＢＡ１３を求める場合、補正対象パターンＱ２０上の線分に対向するパターンとの間の間隔だけでなく、補正対象パターンＱ２０上の線分の周囲のパターンとの間の間隔も考慮することで、隣接パターンＱ２１〜Ｑ２３間の間隔も考慮しつつバイアスＢＡ１３を設定することができ、バイアスＢＡ１２よりもバイアスＢＡ１３を大きくすることができる。
図６−２は、本発明の一実施形態に係る補正済パターンのその他の例を示す平面図である。
図６−２において、補正対象パターンＱ２０の周辺には、補正対象パターンＱ２０の３辺にそれぞれ隣接するように隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６が互いに間隔を置かずに配置されている。そして、隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６との間の距離に応じて補正対象パターンＱ２０にバイアスＢＡ２１〜ＢＡ２３が与えられることで、補正済パターンが生成されている。ここで、補正対象パターンＱ２０のバイアスＢＡ２１〜ＢＡ２３を求める場合、補正対象パターンＱ２０上の線分に対向するパターンとの間の間隔だけでなく、補正対象パターンＱ２０上の線分の周囲のパターンとの間の間隔も考慮することで、隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６間の間隙も考慮しつつバイアスＢＡ２３を設定することができ、バイアスＢＡ２２よりもバイアスＢＡ２３を小さくすることができる。
図６−２において、補正対象パターンＱ２０の周辺には、補正対象パターンＱ２０の３辺にそれぞれ隣接するように隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６が互いに間隔を置かずに配置されている。そして、隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６との間の距離に応じて補正対象パターンＱ２０にバイアスＢＡ２１〜ＢＡ２３が与えられることで、補正済パターンが生成されている。ここで、補正対象パターンＱ２０のバイアスＢＡ２１〜ＢＡ２３を求める場合、補正対象パターンＱ２０上の線分に対向するパターンとの間の間隔だけでなく、補正対象パターンＱ２０上の線分の周囲のパターンとの間の間隔も考慮することで、隣接パターンＱ２４〜Ｑ２６間の間隙も考慮しつつバイアスＢＡ２３を設定することができ、バイアスＢＡ２２よりもバイアスＢＡ２３を小さくすることができる。
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図７において、補正対象パターンＱ３０の周辺には、補正対象パターンＱ３０に隣接する隣接パターンＱ３１が斜めに配置されている。そして、補正対象パターンＱ３０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ３０の辺Ｈ３を複数の線分に分割する。そして、辺Ｈ３上の線分Ｂ３についての補正値を算出する場合、線分Ｂ３に対する隣接パターンＱ３１の探索領域Ｅ３を、線分Ｂ３の両端から外側にはみ出すように設定する。
図７は、本発明の第４実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図７において、補正対象パターンＱ３０の周辺には、補正対象パターンＱ３０に隣接する隣接パターンＱ３１が斜めに配置されている。そして、補正対象パターンＱ３０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ３０の辺Ｈ３を複数の線分に分割する。そして、辺Ｈ３上の線分Ｂ３についての補正値を算出する場合、線分Ｂ３に対する隣接パターンＱ３１の探索領域Ｅ３を、線分Ｂ３の両端から外側にはみ出すように設定する。
そして、探索領域Ｅ３を設定すると、線分Ｂ３の両端から探索領域Ｅ３の境界まで延長された仮想線分Ｂ３´を補正対象パターンＱ３０に対して設定する。そして、探索領域Ｅ３において、仮想線分Ｂ３´と重なる辺を有する隣接パターンＱ３１を探索し、仮想線分Ｂ３´の複数の点と隣接パターンＱ３１の辺との間の間隔を計測する。例えば、隣接パターンＱ３１との間隔を計測するために、仮想線分Ｂ３´上に４つの点Ｍ０〜Ｍ３を設定することができる。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、仮想線分Ｂ３´の複数の点と隣接パターンＱ３１の辺との間隔に対応したバイアスを抽出し、それらのバイアスに基づいて線分Ｂ３についての補正値ＢＡ３を算出する。なお、隣接パターンＱ３１が斜めに配置されている場合、仮想線分Ｂ３´と隣接パターンＱ３１の辺との間隔に対応したバイアスを補正する方法としては、複数の点のバイアスに各点間の距離がそれぞれ重み付けされた平均値を用いることができる。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンＱ３０を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する。
これにより、補正対象パターンＱ３０に対して隣接パターンＱ３１が斜めに配置されている場合においても、線分Ｂ３の両端から外側に存在する隣接パターンＱ３１との間隔を考慮しつつ、補正対象パターンＱ３０上の線分Ｂ３にバイアスを与えることが可能となり、補正対象パターンＱ３０の補正値の精度を向上させることが可能となる。
なお、探索領域Ｅ３の水平方向の長さをＡ、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ０と隣接パターンＱ３１との間の間隔をＳ０、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ１と隣接パターンＱ３１との間の間隔をＳ１、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ２と隣接パターンＱ３１との間の間隔をＳ２、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ３と隣接パターンＱ３１との間の間隔をＳ３、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ０、Ｍ１間の距離をＰ０、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ１、Ｍ２間の距離をＰ１、仮想線分Ｂ３´上の点Ｍ２、Ｍ３間の距離をＰ２とすると、補正値Ｂｉａｓは、例えば、以下の（３）式で与えることができる。本実施形態では、Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２を重なり距離とする。
Ｂｉａｓ＝（Ｂｉａｓ（Ｓ０）＋Ｂｉａｓ（Ｓ１））／２＊Ｐ０／Ａ
＋（Ｂｉａｓ（Ｓ１）＋Ｂｉａｓ（Ｓ２））／２＊Ｐ１／Ａ
＋（Ｂｉａｓ（Ｓ２）＋Ｂｉａｓ（Ｓ３））／２＊Ｐ２／Ａ ・・・（３）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ３）は、パターン間の間隔がＳ３のバイアスである。
Ｂｉａｓ＝（Ｂｉａｓ（Ｓ０）＋Ｂｉａｓ（Ｓ１））／２＊Ｐ０／Ａ
＋（Ｂｉａｓ（Ｓ１）＋Ｂｉａｓ（Ｓ２））／２＊Ｐ１／Ａ
＋（Ｂｉａｓ（Ｓ２）＋Ｂｉａｓ（Ｓ３））／２＊Ｐ２／Ａ ・・・（３）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ３）は、パターン間の間隔がＳ３のバイアスである。
（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図８において、補正対象パターンＱ４０の周辺には、補正対象パターンＱ４０に隣接する隣接パターンＱ４１、Ｑ４２が配置されている。そして、補正対象パターンＱ４０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ４０の辺Ｈ４を複数の線分に分割する。そして、分割された線分Ｂ４上の点Ｍ４から所定の放射角θの範囲内を探索し、放射角θの範囲内で点Ｍ４から延伸された直線と交差する辺を有する隣接パターンＱ４１、Ｑ４２を探索する。なお、放射角θとしては、点Ｍ４から延伸された直線が、線分Ｂ１の両端から外側にはみ出した位置で隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差するように設定することできる。
図８は、本発明の第５実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
図８において、補正対象パターンＱ４０の周辺には、補正対象パターンＱ４０に隣接する隣接パターンＱ４１、Ｑ４２が配置されている。そして、補正対象パターンＱ４０の補正を行う場合、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンＱ４０の辺Ｈ４を複数の線分に分割する。そして、分割された線分Ｂ４上の点Ｍ４から所定の放射角θの範囲内を探索し、放射角θの範囲内で点Ｍ４から延伸された直線と交差する辺を有する隣接パターンＱ４１、Ｑ４２を探索する。なお、放射角θとしては、点Ｍ４から延伸された直線が、線分Ｂ１の両端から外側にはみ出した位置で隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差するように設定することできる。
そして、補正対象パターンＱ４０と隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺との間の間隔を計測するとともに、放射角θの範囲内で点Ｍ４から延伸された直線が、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差する角度の範囲を計測する。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、補正対象パターンＱ４０と隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺との間隔に対応したバイアスを抽出し、放射角θの範囲内で点Ｍ４から延伸された直線が、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差する角度の範囲に基づいて、そのバイアスを補正することにより、線分Ｂ４についての補正値を算出する。なお、線分Ｂ４と隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺との間隔に対応したバイアスを補正する方法としては、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差する角度の範囲が各バイアスに重み付けされた平均値を用いることができる。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンＱ４０を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、補正対象パターンＱ４０と隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺との間隔に対応したバイアスを抽出し、放射角θの範囲内で点Ｍ４から延伸された直線が、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差する角度の範囲に基づいて、そのバイアスを補正することにより、線分Ｂ４についての補正値を算出する。なお、線分Ｂ４と隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺との間隔に対応したバイアスを補正する方法としては、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２の辺と交差する角度の範囲が各バイアスに重み付けされた平均値を用いることができる。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンＱ４０を補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する。
これにより、線分Ｂ４の斜め方向に隣接パターンＱ４１、Ｑ４２が存在する場合においても、その隣接パターンＱ４１、Ｑ４２との間隔を考慮しつつ、補正対象パターンＱ４０上の線分Ｂ４にバイアスを与えることが可能となり、補正対象パターンＱ４０の補正値の精度を向上させることが可能となる。
なお、補正対象パターンＱ４０と隣接パターンＱ４１との間の間隔をＳ０、補正対象パターンＱ４０と隣接パターンＱ４２との間の間隔をＳ２、補正対象パターンＱ４０に隣接するパターンがない場合の間隔をＳ１、隣接パターンＱ４１の辺と交差する角度の範囲をθ１、隣接パターンＱ４２の辺と交差する角度の範囲をθ３、隣接パターンＱ４１、Ｑ４２のいずれの辺とも交差しない角度の範囲をθ２とすると、補正値Ｂｉａｓは、例えば、以下の（４）式で与えることができる。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０）＊θ１／θ＋Ｂｉａｓ（Ｓ１）＊θ２／θ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２）＊θ３／θ ・・・（４）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアスである。
Ｂｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｓ０）＊θ１／θ＋Ｂｉａｓ（Ｓ１）＊θ２／θ
＋Ｂｉａｓ（Ｓ２）＊θ３／θ ・・・（４）
ただし、Ｂｉａｓ（Ｓ０）は、パターン間の間隔がＳ０のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ１）は、パターン間の間隔がＳ１のバイアス、Ｂｉａｓ（Ｓ２）は、パターン間の間隔がＳ２のバイアスである。
（第６実施形態）
図９は、本発明の第６実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンの辺の分割例を示す平面図である。
図９において、Ｔ字形の補正対象パターンＱ５０の周辺には、補正対象パターンＱ５０に隣接する隣接パターンＱ５１が配置されている。ここで、補正対象パターンＱ５０には、複数のコーナＣ１〜Ｃ８が設けられている。
図９は、本発明の第６実施形態に係るパターン補正処理を説明するためのパターンの辺の分割例を示す平面図である。
図９において、Ｔ字形の補正対象パターンＱ５０の周辺には、補正対象パターンＱ５０に隣接する隣接パターンＱ５１が配置されている。ここで、補正対象パターンＱ５０には、複数のコーナＣ１〜Ｃ８が設けられている。
そして、補正対象パターンＱ５０の辺は、コーナＣ１、Ｃ２から最小設計寸法以上の長さで分割することができる。例えば、コーナ角Ｃ１から辺を分割することで、線分Ｂ１１、Ｂ１２を生成することができる。また、コーナ角Ｃ２から辺を分割することで、線分Ｂ１３、Ｂ１４を生成することができる。また、隣接パターンＱ５１に対向する辺では、隣接パターンＱ５１のコーナから補正対象パターンＱ５０に垂線ｌ１、ｌ２を引く。そして、この垂線ｌ１、ｌ２と直交する辺を垂線ｌ１、ｌ２の位置から、最小設計寸法以上の長さに基づいて分割することで、線分Ｂ１６、Ｂ１７を生成することができる。なお、分割によって残りの辺の長さが最小設計寸法以下となる場合、その部分は分割しないようにすることがでる。また、分割は、等間隔に行ってもよいし、長さが異なっていてもよい。このようにして、補正対象パターンＱ５０の辺が分割されると、これら分割された辺ごとに属性を設定することができる。
図１０は、図９のパターンの辺を分割した線分に付与された属性の一例を示す平面図である。
図１０において、図９の線分Ｂ１１、Ｂ１３は、コーナＣ１、Ｃ２からそれぞれ１番目に分割された線分であり、例えば、アウターコーナの属性が設定される。また、線分Ｂ１１、Ｂ１４は、コーナＣ１、Ｃ２からそれぞれ２番目に分割された線分であり、例えば配線の属性が設定される。また、Ｔ字の突き当たりの部分の線分Ｂ１５には、Ｔ字の属性が設定される。線分Ｂ１６は、垂線ｌ１から１番目に分割された線分であり、例えば、隣接パターンの属性が設定される。線分Ｂ１７は、垂線ｌ１から２番目に分割された線分であり、例えば、アウターコーナとしての属性が設定される。また、図９のコーナＣ５、Ｃ６からそれぞれ１番目に分割された線分には、例えば、インナーコーナとしての属性が設定される。また、コーナＣ１、Ｃ３間の線分には、例えば、ライン端としての属性が設定される。
図１０において、図９の線分Ｂ１１、Ｂ１３は、コーナＣ１、Ｃ２からそれぞれ１番目に分割された線分であり、例えば、アウターコーナの属性が設定される。また、線分Ｂ１１、Ｂ１４は、コーナＣ１、Ｃ２からそれぞれ２番目に分割された線分であり、例えば配線の属性が設定される。また、Ｔ字の突き当たりの部分の線分Ｂ１５には、Ｔ字の属性が設定される。線分Ｂ１６は、垂線ｌ１から１番目に分割された線分であり、例えば、隣接パターンの属性が設定される。線分Ｂ１７は、垂線ｌ１から２番目に分割された線分であり、例えば、アウターコーナとしての属性が設定される。また、図９のコーナＣ５、Ｃ６からそれぞれ１番目に分割された線分には、例えば、インナーコーナとしての属性が設定される。また、コーナＣ１、Ｃ３間の線分には、例えば、ライン端としての属性が設定される。
そして、分割された辺ごとに、補正対象パターンＱ５０の幅、この補正対象パターンＱ５０に隣接する隣接パターンＱ５１との間隔および重なり距離が複数箇所で測定される。なお、この幅、間隔および重なり距離の測定は、属性ごとに測定方向を定めることができる。ここで、Ｔ字の属性が設定された線分およびライン端の属性が設定された線分についてはバイアスを０とし、これらの線分は移動させないようにすることができる。
（第７実施形態）
図１１−１は、本発明の第７実施形態に係る線分にインナーコーナの属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図、図１１−２は、本発明の第７実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理のその他の例を示す平面図である。
図１１−１において、Ｌ字形の補正対象パターンＱ６０の辺Ｈ６は、線分Ｂ６１、Ｂ６２に分割され、線分Ｂ６１には、インナーコーナの属性が設定されたものとする。この場合、この線分Ｂ６１には、例えば、一定のバイアスＢＡ６１を固定値として与えることができる。
あるいは、図１１−２に示すように、線分Ｂ６１に隣接する線分Ｂ６２にバイアスＢＡ６２が与えられた場合、線分Ｂ６１には、バイアスＢＡ６２と同一のバイアスＢＡ６３を与えるようにしてもよい。
図１１−１は、本発明の第７実施形態に係る線分にインナーコーナの属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図、図１１−２は、本発明の第７実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理のその他の例を示す平面図である。
図１１−１において、Ｌ字形の補正対象パターンＱ６０の辺Ｈ６は、線分Ｂ６１、Ｂ６２に分割され、線分Ｂ６１には、インナーコーナの属性が設定されたものとする。この場合、この線分Ｂ６１には、例えば、一定のバイアスＢＡ６１を固定値として与えることができる。
あるいは、図１１−２に示すように、線分Ｂ６１に隣接する線分Ｂ６２にバイアスＢＡ６２が与えられた場合、線分Ｂ６１には、バイアスＢＡ６２と同一のバイアスＢＡ６３を与えるようにしてもよい。
（第８実施形態）
図１２−１は、本発明の第８実施形態に係る線分にアウターコーナの属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図、図１２−２は、本発明の第８実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理のその他の例を示す平面図である。
図１２−１において、Ｌ字形の補正対象パターンＱ６０の辺Ｈ７は、線分Ｂ６３、Ｂ６４に分割され、線分Ｂ６４には、アウターコーナの属性が設定されたものとする。そして、線分Ｂ６４に隣接して隣接パターンＱ６１が配置されている。この場合、この線分Ｂ６４には、例えば、一定のバイアスＢＡ６４を固定値として与えることができる。特に、隣接パターンＱ６１との間隔Ｐ６１が所定値以下の場合、バイアスＢＡ６４を負の値とすることができる。
あるいは、図１２−２に示すように、線分Ｂ６４に隣接する線分Ｂ６３にバイアスＢＡ６５が与えられた場合、線分Ｂ６４には、バイアスＢＡ６５と同一のバイアスＢＡ６６を与えるようにしてもよい。
図１２−１は、本発明の第８実施形態に係る線分にアウターコーナの属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図、図１２−２は、本発明の第８実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理のその他の例を示す平面図である。
図１２−１において、Ｌ字形の補正対象パターンＱ６０の辺Ｈ７は、線分Ｂ６３、Ｂ６４に分割され、線分Ｂ６４には、アウターコーナの属性が設定されたものとする。そして、線分Ｂ６４に隣接して隣接パターンＱ６１が配置されている。この場合、この線分Ｂ６４には、例えば、一定のバイアスＢＡ６４を固定値として与えることができる。特に、隣接パターンＱ６１との間隔Ｐ６１が所定値以下の場合、バイアスＢＡ６４を負の値とすることができる。
あるいは、図１２−２に示すように、線分Ｂ６４に隣接する線分Ｂ６３にバイアスＢＡ６５が与えられた場合、線分Ｂ６４には、バイアスＢＡ６５と同一のバイアスＢＡ６６を与えるようにしてもよい。
（第９実施形態）
図１３は、本発明の第９実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図である。
図１３において、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１５には、Ｔ字の属性が設定されるものとする。そして、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１５に隣接して隣接パターンＱ５２が配置されているものとする。
図１３は、本発明の第９実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図である。
図１３において、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１５には、Ｔ字の属性が設定されるものとする。そして、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１５に隣接して隣接パターンＱ５２が配置されているものとする。
そして、この線分Ｂ１５に対応するパターンの幅を測定する場合、例えば、線分Ｂ１５の両端及び中央部で、補正対象パターンＱ５０の幅Ｗ１１〜Ｗ１３を測定することができる。また、線分Ｂ１５から隣接パターンＱ５２までの距離を測定する場合、線分Ｂ１５の両端では、隣接パターンＱ５２までの距離Ｓ１２、Ｓ１３を斜めに測定し、線分Ｂ１５の中央部では、隣接パターンＱ５２までの距離Ｓ１１を垂直に測定することができる。ここで、隣接パターンＱ５２までの距離Ｓ１２、Ｓ１３を斜めに測定する場合、距離Ｓ１２は、線分Ｂ１５に対して例えば１３５°の角度で測定し、距離Ｓ１３は、線分Ｂ１５に対して例えば４５°の角度で測定することができる。
（第１０実施形態）
図１４は、本発明の第１０実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図である。
図１４において、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１３には、アウターコーナの属性が設定され、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１８には、インナーコーナの属性が設定されているものとする。そして、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１３に隣接して隣接パターンＱ５３が配置されているものとする。
図１４は、本発明の第１０実施形態に係る線分に属性が付与された時のパターン補正処理の一例を示す平面図である。
図１４において、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１３には、アウターコーナの属性が設定され、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１８には、インナーコーナの属性が設定されているものとする。そして、補正対象パターンＱ５０上の線分Ｂ１３に隣接して隣接パターンＱ５３が配置されているものとする。
そして、線分Ｂ１８に対応するパターンの幅を測定する場合、例えば、線分Ｂ１８の端部から斜めに補正対象パターンＱ５０の幅Ｗ１４を測定することができる。ここで、補正対象パターンＱ５０の幅Ｗ１４を斜めに測定する場合、幅Ｗ１４は、線分Ｂ１８に対して例えば４５°の角度で測定することができる。
また、線分Ｂ１３から隣接パターンＱ５３までの距離を測定する場合、線分Ｂ１３の右端では、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２３を斜めに測定し、線分Ｂ１３の左端および中央部では、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２１、Ｓ２２を垂直に測定することができる。ここで、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２３を斜めに測定する場合、距離Ｓ２３は、線分Ｂ１３に対して例えば４５°の角度で測定することができる。
また、線分Ｂ１３から隣接パターンＱ５３までの距離を測定する場合、線分Ｂ１３の右端では、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２３を斜めに測定し、線分Ｂ１３の左端および中央部では、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２１、Ｓ２２を垂直に測定することができる。ここで、隣接パターンＱ５３までの距離Ｓ２３を斜めに測定する場合、距離Ｓ２３は、線分Ｂ１３に対して例えば４５°の角度で測定することができる。
そして、以上のように属性が設定された各線分についてのパターンの幅および隣接パターンまでの距離が測定されると、これらの幅および距離に応じて補正テーブルが検索され、各線分に対して複数のバイアスが抽出される。なお、属性ごとにパターンの幅と距離の関係が相違する補正テーブルを設けることも可能である。
そして、各線分に対して複数のバイアスが抽出されると、各線分の属性に対応した補正値計算式が選択され、この補正値計算式からパターンの補正値が算出される。なお、この補正値は、これらのバイアスに重なり距離が重み付けされた平均値として算出するようにしてもよいし、複数のバイアスの最大値および最小値に重なり距離を重み付けするようにしてもよい。そして、このようにして算出された補正値に基づいて、分割された線分のパターンが補正される。
図１５は、図１のパターン補正処理装置にて線分に属性が付与された時に実行されるパターン補正処理の一例を示すフローチャートである。
図１５において、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割する（ステップＳＴ１１）。そして、未補正の線分がある場合（ステップＳＴ１２）、分割された線分の両端から外側にはみ出すように、隣接パターンの探索領域を設定する（ステップＳＴ１３）。
図１５において、図１のプロセッサ１は、補正対象パターンの辺を複数の線分に分割する（ステップＳＴ１１）。そして、未補正の線分がある場合（ステップＳＴ１２）、分割された線分の両端から外側にはみ出すように、隣接パターンの探索領域を設定する（ステップＳＴ１３）。
次に、分割された線分についての属性を設定する（ステップＳＴ１４）。なお、この属性としては、例えば、インナーコーナ、アウターコーナまたはライン端などを挙げることができる。
次に、分割された線分の両端から探索領域の境界まで延長された仮想線分を補正対象パターンに対して設定する（ステップＳＴ１５）。そして、探索領域において、仮想線分と重なる辺を有する隣接パターンを探索し、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の間隔を計測するとともに、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の重なり距離を計測し、さらに仮想線分が隣接パターン２の辺との重なっている領域ごとに補正対象パターンの幅を計測する（ステップＳＴ１６）。
次に、分割された線分の両端から探索領域の境界まで延長された仮想線分を補正対象パターンに対して設定する（ステップＳＴ１５）。そして、探索領域において、仮想線分と重なる辺を有する隣接パターンを探索し、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の間隔を計測するとともに、その隣接パターンの辺と仮想線分との間の重なり距離を計測し、さらに仮想線分が隣接パターン２の辺との重なっている領域ごとに補正対象パターンの幅を計測する（ステップＳＴ１６）。
そして、図１のプロセッサ１は、補正テーブルＤ２を参照することで、仮想線分と隣接パターンの辺との間隔および補正対象パターンの幅に対応したバイアスを抽出する（ステップＳＴ１７）。そして、分割された線分に設定された属性ごとに補正値計算式を選択する（ステップＳＴ１８）。
例えば、線分に設定された属性がライン端である場合、Ｂｉａｓ＝０という補正値計算式を選択することができる。また、線分に設定された属性がインナーコーナまたはアウターコーナである場合、Ｂｉａｓ＝固定値またはＢｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｎｅｘｔ Ｓｅｇｍｅｎｔ）という補正値計算式を選択することができる。ただし、Ｎｅｘｔ Ｓｅｇｍｅｎｔは、分割された線分に隣接する線分である。
例えば、線分に設定された属性がライン端である場合、Ｂｉａｓ＝０という補正値計算式を選択することができる。また、線分に設定された属性がインナーコーナまたはアウターコーナである場合、Ｂｉａｓ＝固定値またはＢｉａｓ＝Ｂｉａｓ（Ｎｅｘｔ Ｓｅｇｍｅｎｔ）という補正値計算式を選択することができる。ただし、Ｎｅｘｔ Ｓｅｇｍｅｎｔは、分割された線分に隣接する線分である。
そして、仮想線分と、隣接パターンの辺との間の重なり距離に基づいて、補正値計算式上でバイアスを補正することにより、分割された線分についての補正値を算出する（ステップＳＴ１９）。そして、その補正値に基づいて補正対象パターンを補正することで、補正済データＤ３を算出し、外部記憶装置４に格納する（ステップＳＴ２０）。
（第１１実施形態）
図１６−１〜図１６−４は、本発明の第１１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図１６−１において、下地層１１上には、積層膜１２が形成され、積層膜１２上には、レジスト膜１３が形成されている。なお、下地層１１としては、半導体基板や絶縁層や導電層などを用いることができる。また、積層膜１２としては、絶縁層や導電層などを用いることができる。そして、レジスト膜１３上には露光用マスク１５が配置されている。ここで、露光用スク１５には、Ｃｒ膜やハーフトーン膜などの遮光膜１６ａ〜１６ｄが形成され、この遮光膜１６ａ〜１６ｄにてマスクパターンを構成することができる。ここで、遮光膜１６ａ〜１６ｄは、遮光膜１６ａ〜１６ｄの粗密に起因するフォトリソグラフィ時の露光強度の変動を緩和するためのパターン補正が施されている。
図１６−１〜図１６−４は、本発明の第１１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図１６−１において、下地層１１上には、積層膜１２が形成され、積層膜１２上には、レジスト膜１３が形成されている。なお、下地層１１としては、半導体基板や絶縁層や導電層などを用いることができる。また、積層膜１２としては、絶縁層や導電層などを用いることができる。そして、レジスト膜１３上には露光用マスク１５が配置されている。ここで、露光用スク１５には、Ｃｒ膜やハーフトーン膜などの遮光膜１６ａ〜１６ｄが形成され、この遮光膜１６ａ〜１６ｄにてマスクパターンを構成することができる。ここで、遮光膜１６ａ〜１６ｄは、遮光膜１６ａ〜１６ｄの粗密に起因するフォトリソグラフィ時の露光強度の変動を緩和するためのパターン補正が施されている。
そして、レジスト膜１３にパターンを形成する場合、露光用マスク１５を介してレジスト膜１３に露光光を照射する。そして、レジスト膜１３に露光光が照射されると、ポジレジストでは、照射部分のレジストが分解され、照射部分に潜像１４ａ〜１４ｄが形成される。
そして、図１６−２に示すように、潜像１４ａ〜１４ｄが形成されたレジスト膜１３を現像することで、積層膜１２上にレジストパターン１７ａ〜１７ｄが形成される。そして、図１６−３に示すように、レジストパターン１７ａ〜１７ｄをマスクとして積層膜１２のエッチングを行うことで、下地層１１上に積層パターン１２ａ〜１２ｄを形成する。なお、積層パターン１２ａ〜１２ｄは、例えば、配線パターン、トレンチパターンまたはコンタクトパターンなどを構成することができる。そして、図１６−４に示すように、アッシングなどの方法で積層パターン１２ａ〜１２ｄ上からレジストパターン１７ａ〜１７ｄを除去する。
ここで、遮光膜１６ａ〜１６ｄにはパターン補正が施されているため、遮光膜１６ａ〜１６ｄの寸法と積層パターン１２ａ〜１２ｄの寸法との間には差異が発生し、積層パターン１２ａ〜１２ｄの寸法を設計値の寸法に一致させることができる。
１ プロセッサ、２ ＲＯＭ、３ ＲＡＭ、４ 外部記憶装置、５ ヒューマンインターフェース、６ 通信インターフェース、７ バス、Ｄ１ パターンデータ、Ｄ２ 補正テーブル、Ｄ３ 補正済データ、Ｑ０、Ｑ１０、Ｑ２０、Ｑ３０、Ｑ４０、Ｑ５０、Ｑ６０ 補正対象パターン、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ２１〜Ｑ２６、Ｑ３１、Ｑ４１、Ｑ４２、Ｑ５１〜Ｑ５３、Ｑ６１ 隣接パターン、Ｂ１〜Ｂ４、Ｂ１１〜Ｂ１７、Ｂ６１〜Ｂ６４ 線分、Ｂ１´〜Ｂ３´ 仮想線分、Ｅ１〜Ｅ３ 探索領域、Ｃ１〜Ｃ８ コーナ、１１ 下地層、１２ 積層膜、１２ａ〜１２ｄ 積層パターン、１３ レジスト膜、１４ａ〜１４ｄ 潜像、１５ 露光用マスク、１６ａ〜１６ｄ 遮光膜、１７ａ〜１７ｄ レジストパターン
Claims (5)
- 補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔を計測するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、
前記計測された間隔に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、
前記重なり距離に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法。 - 補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔を計測するステップと、
前記分割された線分に属性を付与するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、
前記計測された間隔に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、
前記属性に対応した補正値計算式を選択するステップと、
前記重なり距離に基づいて前記補正値計算式上で移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法。 - 補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記線分に隣接する隣接パターンの辺との間の間隔及び前記線分の線幅を計測するステップと、
前記分割された線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と、前記隣接パターンの辺との重なり距離を計測するステップと、
前記計測された間隔及び線幅に対応した前記線分の移動量を抽出するステップと、
前記重なり距離に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法。 - 補正対象パターンの辺を複数の線分に分割するステップと、
前記分割された線分に隣接する隣接パターンの辺を前記線分上の点から所定の放射角の範囲内で探索するステップと、
前記探索された隣接パターンの辺と前記線分との間の間隔を計測するステップと、
前記計測された間隔に対応した移動量を抽出するステップと、
前記線分上の点から前記所定の放射角の範囲内で伸ばした線分のうち、前記探索された隣接パターンの辺と交差する線分のなす角度の範囲に基づいて前記移動量を補正することで前記線分についての補正値を算出するステップとを備えることを特徴とするパターン補正方法。 - 補正対象パターン上の線分と前記線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分に隣接する隣接パターンの辺との重なり距離に基づいて、前記線分又はその線分の両端から外側に延長された仮想線分と前記隣接パターンの辺との間の間隔に依存して決定される移動量を補正することにより、前記線分についての補正値を算出することを特徴とするパターン補正プログラム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008232064A JP2010066460A (ja) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | パターン補正方法およびパターン補正プログラム |
| US12/549,209 US20100062549A1 (en) | 2008-09-10 | 2009-08-27 | Pattern correcting method, method of manufacturing semiconductor device, and pattern correcting program |
| TW098130136A TW201017455A (en) | 2008-09-10 | 2009-09-07 | Pattern correcting method, method of manufacturing semiconductor device, and pattern correcting program |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008232064A JP2010066460A (ja) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | パターン補正方法およびパターン補正プログラム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010066460A true JP2010066460A (ja) | 2010-03-25 |
Family
ID=41799631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008232064A Pending JP2010066460A (ja) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | パターン補正方法およびパターン補正プログラム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100062549A1 (ja) |
| JP (1) | JP2010066460A (ja) |
| TW (1) | TW201017455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013535817A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-09-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路レイアウト内のリソグラフィック結合パターンの迅速評価方法 |
| WO2018230476A1 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
| JP2019003170A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102343850B1 (ko) * | 2015-05-06 | 2021-12-28 | 삼성전자주식회사 | 광 근접 보정에서 공통의 바이어스 값을 이용하여 마스크를 제작하는 방법 |
| KR102417183B1 (ko) * | 2016-02-25 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 적층형 메모리 장치, ｏｐｃ 검증 방법, 적층형 메모리 장치의 레이아웃 디자인 방법, 및 적층형 메모리 장치의 제조 방법 |
| TWI743807B (zh) * | 2020-05-27 | 2021-10-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 用於光學鄰近修正的重定位方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6453452B1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description |
| JP3805936B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2006-08-09 | 株式会社東芝 | マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム |
| US6453457B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout |
| US6574784B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-06-03 | George P. Lippincott | Short edge management in rule based OPC |
| US20030152850A1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-14 | Nikon Corporation | Rule-based methods for proximity-effect correction of charged-particle-beam lithography pattern using subregion-approximation for determining pattern element bias |
| JP4479486B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法 |
| JP2008052221A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | パターン生成方法及びプログラム |
-
2008
- 2008-09-10 JP JP2008232064A patent/JP2010066460A/ja active Pending
-
2009
- 2009-08-27 US US12/549,209 patent/US20100062549A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-07 TW TW098130136A patent/TW201017455A/zh unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013535817A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-09-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路レイアウト内のリソグラフィック結合パターンの迅速評価方法 |
| WO2018230476A1 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
| JP2019003170A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201017455A (en) | 2010-05-01 |
| US20100062549A1 (en) | 2010-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7985517B2 (en) | Lithography simulation method, computer program product, and pattern forming method | |
| US10685165B2 (en) | Metrology using overlay and yield critical patterns | |
| JP2010066460A (ja) | パターン補正方法およびパターン補正プログラム | |
| US9910348B2 (en) | Method of simultaneous lithography and etch correction flow | |
| US20100023914A1 (en) | Use Of Graphs To Decompose Layout Design Data | |
| US8234599B2 (en) | Use of graphs to decompose layout design data | |
| TW201939171A (zh) | 具有傾斜週期性結構之度量衡目標及方法 | |
| JP2006189845A (ja) | アシストフィーチャを配置するための方法および装置 | |
| JP4254871B2 (ja) | 光近接効果補正方法、光近接効果補正装置、光近接効果補正プログラム、半導体装置の製造方法、パターン設計制約策定方法および光近接効果補正条件算出方法 | |
| US7600213B2 (en) | Pattern data verification method, pattern data creation method, exposure mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer program product | |
| US10796070B2 (en) | Layout pattern similarity determination based on binary turning function signatures | |
| JP2001188336A (ja) | マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム | |
| JP2011145564A (ja) | マスクパターン生成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン生成プログラム | |
| CN110765724B (zh) | 一种掩模优化方法及电子设备 | |
| JP2009210635A (ja) | パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
| US8617773B2 (en) | Method of correcting mask pattern, computer program product, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP5810701B2 (ja) | 光近接効果補正方法、設計方法及び設計装置 | |
| JP2009210707A (ja) | フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム | |
| US8627242B1 (en) | Method for making photomask layout | |
| US11669669B2 (en) | Circuit layouts and related methods | |
| US9396299B2 (en) | Reticle mark arrangement method and nontransitory computer readable medium storing a reticle mark arrangement program | |
| US8504951B2 (en) | Dose-data generating apparatus, dose-data generating method, and manufacturing method of semiconductor device | |
| US8640059B2 (en) | Forming separation directives using a printing feasibility analysis | |
| TWI624200B (zh) | 曝光資料校正裝置、配線圖案形成系統、用於校正曝光資料的電腦程式產品、曝光資料校正方法及配線基板的製造方法 | |
| JP2009092779A (ja) | 半導体装置の設計方法及び半導体装置の製造方法、並びにプログラム |