KR101374954B1 - 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법 - Google Patents

마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101374954B1
KR101374954B1 KR1020070069238A KR20070069238A KR101374954B1 KR 101374954 B1 KR101374954 B1 KR 101374954B1 KR 1020070069238 A KR1020070069238 A KR 1020070069238A KR 20070069238 A KR20070069238 A KR 20070069238A KR 101374954 B1 KR101374954 B1 KR 101374954B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure energy
exposure
line width
unit
maskless
Prior art date
Application number
KR1020070069238A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090005860A (ko
Inventor
신영훈
박명주
이형진
이태호
이창주
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020070069238A priority Critical patent/KR101374954B1/ko
Priority to CN2008800239532A priority patent/CN101790775B/zh
Priority to PCT/KR2008/003632 priority patent/WO2009008605A2/en
Priority to JP2010515963A priority patent/JP5597535B2/ja
Priority to US12/452,565 priority patent/US8363209B2/en
Publication of KR20090005860A publication Critical patent/KR20090005860A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101374954B1 publication Critical patent/KR101374954B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2057Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/12Function characteristic spatial light modulator

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 보정함으로써, 노광된 패턴의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜, 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치시킴으로써, 노광된 패턴의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 노광부의 조도를 측정하여, 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 블랭크 이미지를 생성하고, 이 블랭크 이미지를 이용하여, 조도 편차를 제거하고, 노광된 패턴에 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
노광, 패턴, 얼룩, 조도, 블랭크, 선폭

Description

마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의 제조 방법 { Maskless exposure apparatus and method, and method for manufacturing flat display panel }
본 발명은 정렬을 우수하게 할 수 있는 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 갖는 평판 표시(Flat panel display) 패널의 필요성이 대두되었다.
이러한 필요성에 의하여 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electroluminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등과 같은 화상 표시 패널이 개발되었다.
이 중 액정표시(Liquid Crystal Display, LCD) 패널은 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
한편, 표시 패널은 소비자의 요구에 따라 대형화되면서 다양한 공정 설비가 개발되어지고 있으며, 신공법을 이용한 설비들이 개발되고 있다.
특히, 노광 장비는 각 표시 패널에서 패턴을 형성하기 위한 핵심적인 장비이며, 조명장치의 광을 입사받아 포토마스크의 패턴을 투과하여 노광시킬 막에 결상시켜 노광시키는 기능을 수행한다.
도 1은 일반적인 따른 노광 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 광원(10)에서 발산된 광이 포토마스크(20)의 패턴을 따라 기판(40) 상부의 감광막(30)에 조사되어, 상기 감광막(30)은 패턴 형상으로 노광된다.
도 2a 내지 2c는 일반적인 노광 장치의 조도 분포에 따라 얼룩의 발생을 설명하기 위한 도면으로서, 노광 장치가 정지시의 조도 분포는 도 2a와 같이 가우시안 분포를 갖는다.
그리고, 노광 장치가 스캔시에는 도 2b와 같이, 스캔 방향으로 균일하고, 스캔의 직각 방향으로 가우시안 분포가 진행된 분포를 갖는다,
이러한 조도 분포에 의해 스캔과 직각 방향으로 도 2c와 같이, 선폭 차이가 유발되고 이것에 의해 노광된 패턴에는 얼룩이 형성된다.
본 발명은 노광된 패턴에 얼룩이 발생하는 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 바람직한 제 1 양태(樣態)는,
소정의 대상물에 마스크없이 노광하는 마스크리스 노광부와;
상기 대상물에 노광된 패턴의 선폭을 측정하는 선폭 측정부와;
상기 노광된 패턴의 기준 선폭 범위가 미리 저장되어 있는 저장부와;
상기 선폭 측정부에서 측정된 패턴의 선폭과 상기 저장부에 저장되어 있는 기준 선폭 범위를 비교하는 비교부와;
상기 비교부의 출력 신호를 받아, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 제어신호를 상기 마스크리스 노광부로 출력하는 제어부로 구성된 마스크리스 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 바람직한 제 2 양태(樣態)는,
디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 출사시켜, 소정의 대상물을 노광하는 마스크리스 노광부와;
상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 측정하는 적산 노광 에너지 측정부와;
상기 마스크리스 노광부의 기준 적산 노광 에너지가 저장되어 있는 저장부와;
상기 적산 노광 에너지 측정부에서 측정된 적산 노광 에너지와 상기 저장부 에 저장되어 있는 기준 노광 에너지를 비교하는 비교부와;
상기 측정된 적산 노광 에너지가 상기 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 비교부의 출력을 입력받아 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치되도록, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시키는 제어부로 구성된 마스크리스 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 바람직한 제 3 양태(樣態)는,
마스크리스 노광부에서 소정의 대상물에 노광하는 단계와;
상기 대상물에 노광된 패턴의 선폭을 측정하는 단계와;
상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있는지 여부를 판단하는 단계와;
상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 선폭을 보정하는 단계로 구성된 마스크리스 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 바람직한 제 4 양태(樣態)는,
디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 마스크리스 노광부에서 출사시켜 소정의 대상물을 노광하는 단계와;
상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 측정하는 단계와;
상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단 하는 단계와;
상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 단계로 구성된 마스크리스 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 바람직한 제 5 양태(樣態)는,
디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 마스크리스 노광부에서 출사하는 단계와;
상기 마스크리스 노광부에서 출사된 패턴 광의 조도를 측정하는 단계와;
상기 측정된 조도로 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 블랭크 이미지(Blank image)를 생성하는 단계와;
상기 생성된 블랭크 이미지에 따라 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜, 상기 마스크리스 노광부는 소정의 대상물을 노광하는 단계로 구성된 마스크리스 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 바람직한 제 6 양태(樣態)는,
반복적인 단위 패턴을 형성하기 위한 노광 공정이 구비된 평판 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,
상기 노광 공정은, 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭을 보정하는 공정, 상기 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 공정과, 노광을 위한 광의 에너지 분포와 반대의 에너지 분포를 갖는 블랭크 이미지로 상기 노광을 광의 에너지 분포를 균일하게 하는 공정 중 하나가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 평판 디스플레이 패널의 제조 방법이 제공된다.
본 발명은 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 보정함으로써, 노광된 패턴의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜, 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치시킴으로써, 노광된 패턴의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 노광부의 조도를 측정하여, 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 블랭크 이미지를 생성하고, 이 블랭크 이미지를 이용하여, 조도 편차를 제거하고, 노광된 패턴에 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 소정의 대상물(110)에 마스크없이 노광하는 마스크리스 노광부(100)와; 상기 대상물(110)에 노광된 패턴의 선폭을 측정하는 선폭 측정부(210)와; 상기 노광된 패턴의 기준 선폭 범위가 미리 저장되어 있는 저장부(230)와; 상기 선폭 측정부(210)에서 측정된 패턴의 선폭과 상기 저장부(230)에 저장되어 있는 기준 선폭 범위를 비교하는 비교부(220)와; 상기 비교부(220)의 출력 신호를 받아, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 제어신호를 상기 마스크리스 노광부로 출력하는 제어부(240)로 구성된다.
이렇게 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치는 노광된 패턴의 선폭을 측정하여, 측정된 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 보정할 수 있는 것이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 방법을 설명하기 위한 플로우챠트로서, 마스크리스 노광부에서 소정의 대상물에 노광한다.(S10단계)
그 후, 상기 대상물에 노광된 패턴의 선폭을 측정한다.(S20단계)
이어서, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있는지 여부를 판단 한다.(S30단계)
그 다음, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 선폭을 보정한다.(S40단계)
그리고, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있으면, 종료한다.
도 5a와 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 전술된 문턱(Threshold) 광량은 노광 패턴 형성시, 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀이 타겟(Target) 선폭내에 어느 정도 포함되었을 때, 온(On)할 것인가를 나타내는 척도이다.
그리고, 상기 문턱 광량을 낮게 설정할수록, 더 두꺼운 선폭을 얻을 수 있게 된다.
즉, 도 5a와 같이, 문턱 광량이 100%이면, 디지털 마이크로미러 소자(150)는 노광할 패턴의 외주면(111) 내측에 해당하는 픽셀들(151)이 온(On)되고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 문턱 광량이 50%이면, 디지털 마이크로미러 소자(150)는 노광할 패턴의 외주면(111)을 벗어나는 픽셀들(152)도 온(On)된다.
여기서, 도 5a 및 5b에서, 음영으로 도시된 픽셀들이 온(On)된 픽셀들이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 출사시켜, 소정의 대상물(110)을 노광하는 마스크리스 노광부(100)와; 상기 마스크리스 노광부(100)의 적산 노광 에너지를 측정하는 적산 노광 에너지 측정부(310)와; 상기 마스크리스 노광부(100)의 기준 적산 노광 에너지가 저장되어 있는 저장부(330)와; 상기 적산 노광 에너지 측정부(310)에서 측정된 적산 노광 에너지와 상기 저장부(330)에 저장되어 있는 기준 노광 에너지를 비교하는 비교부(320)와; 상기 측정된 적산 노광 에너지가 상기 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 비교부(320)의 출력을 입력받아 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치되도록, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시키는 제어부(340)로 구성된다.
그러므로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치는 노광부의 적산 노광 에너지가 상기 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜, 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치시킴으로써, 노광된 패턴의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 것이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 방법을 설명하기 위한 플로우챠트로서, 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 마스크리스 노광부에서 출사시켜 소정의 대상물을 노광한다.(S110단계)
여기서, 상기 마스크리스 노광부는 상기 대상물을 한 방향으로 스캔(Scan)하면서 노광하는 것이 바람직하다.
그 다음, 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 측정한다.(S120단계)
그 후, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단한다.(S130단계)
연이어, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시킨다.(S140단계)
여기서, 상기 적산 노광 에너지를 측정하는 것은, 상기 노광된 대상물 영역을 복수개의 영역들로 분할하고, 분할된 영역들 각각에서 적산 노광 에너지를 측정하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단하는 것은, 상기 분할된 영역들 각각에서 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 분할된 영역들을 노광시키는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시킨다.
또한, 상기 분할된 영역들 각각의 하나는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 하나이고, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 분할된 영역들 각각을 노광시키는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀을 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 것이 바람직하다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 방법은 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들의 적산 노광 에너지가 기준값보다 큰 값을 갖는 픽셀들을 강제적으로 오프시켜, 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 균일하게 분포시키는 것이다.
도 8은 본 발명에 따라 마스크리스(Maskless) 노광부의 프로젝션 렌즈에서 적산 노광 에너지를 설명하기 위한 도면으로서, 마스크리스 노광부에서는 프로젝션 렌즈를 거치면서 광원의 에너지가 프로젝션 렌즈(170)의 중심부에서는 높고, 외곽부에서는 낮아지게 된다.
따라서, 마스크리스 노광부가 한 방향으로 스캔하는 경우, 적산 노광 에너지가 위치별로 차이가 난다.
그러므로, 본 발명의 제 2 실시예에서는 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시킴으로써, 에너지 차이를 조절할 수 있는 것이다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 마스크리스 노광부에서 출사한다.(S210단계)
그 다음, 상기 마스크리스 노광부에서 출사된 패턴 광의 조도를 측정한다.(S220단계)
이어서, 상기 측정된 조도로 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 블랭크 이미지(Blank image)를 생성한다.(S230단계)
그 후, 상기 생성된 블랭크 이미지에 따라 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜, 상기 마스크리스 노광부는 소정의 대상물을 노광한다.(S240단계)
이때, 마스크리스 노광부가 복수개로 배열되어 있는 경우, 각 스캔 영역의 경계 지점의 블랭크 이미지를 중첩시켜, 각각의 마스크리스 노광부들로 노광시킴으로써, 스캔 영역의 경계 지점의 조도를 높여서 노광된 패턴에서 얼룩 발생을 감소시킬 수 있게 된다.
도 10a 내지 10c는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 생성된 블랭크 이미지에 의해 원래 패턴광의 에너지가 균일하게 되는 것을 설명하기 위한 그래프로서, 도 10a와 같이 마스크리스 노광부에서 출사되는 패턴광의 에너지 분포(410)는 균일하 기 않다.
그러므로, 전술된 바와 같이, 상기 마스크리스 노광부에서 출사된 패턴 광의 조도를 측정하고, 이 측정된 측정된 조도로 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 블랭크 이미지(Blank image)를 생성하는데, 도 10b는 블랭크 이미지의 에너지 분포(420)를 도시한 것이다.
결국, 상기 생성된 블랭크 이미지에 따라 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시키면, 도 10c와 같이, 에너지 분포(430)는 균일하게 되어, 조도 편차를 제거하고, 노광된 패턴에 얼룩 발생을 감소시킬 수 있는 것이다.
도 11a와 11b는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 블랭크(Blank) 이미지를 생성하는 것을 설명하기 위한 도면으로서, 블랭크 이미지를 생성하기 위해, 도 11a와 같이, 타겟(Target) 광량을 설정하고, Y축으로 스캔하면서 조도를 측정한다.
상기 측정된 조도에 의해 도 11b의 '500'과 같은 블랭크 이미지를 생성할 수 있게 된다.
이 블랭크 이미지의 생성을 설명하면, 먼저, 위치별 스캔된 조도값을 인덱스(Index)(i)로 정의하고, 인덱스(i)(mm/mJ) = 해상도(mm)/초기 적산광량(mJ) X 실제 스캔 픽셀이 된다.
이때, 조도 편차를 delintensity로 정의하고, 측정된 조도를 dataintensity(i)로 정의하고, 기준 조도를 dataintensitymin = target으로 정의하면, delintensity = dataintensity(i) - dataintensitymin = target이 된다.
그리고, 마스킹 거리(Masking distance)는 delintensity X 인덱스(i)이다.
또한, 해당 영역에 오프(Off)할 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들인 마스킹 픽셀(Masking Pixel)은 마스킹 거리 X 해상도가 된다.
그러므로, X좌표는 측정 위치이고, Y좌표는 마스크 픽셀이 되어, 블랭크 이미지를 생성할 수 있는 것이다.
상술된 바와 같은, 본 발명의 마스크리스 노광 방법은 평판 디스플레이 패널을 제조하는 공정 중에 수행하게 된다.
즉, 반복적인 단위 패턴을 형성하기 위한 노광 공정이 구비된 평판 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 노광 공정은, 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭을 보정하는 공정, 상기 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 공정과, 노광을 위한 광의 에너지 분포와 반대의 에너지 분포를 갖는 블랭크 이미지로 상기 노광을 광의 에너지 분포를 균일하게 하는 공정 중 하나가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 노광 공정은 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 출사하여 노광하는 마스크리스 노광부에서 수행하며, 상기 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 공정은 상기 온(On)된 디 지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 수행하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 블랭크 이미지는 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시킬 수 있는 이미지인 것이다.
이와 같이, 액정 디스플레이 패널과 플라즈마 디스플레이 패널 등을 포함하는 평판 디스플레이 패널에서 수행되는 노광 공정은 본 발명의 마스크리스 노광 장치 및 방법에 수행할 수 있는 것이다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 일반적인 따른 노광 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 2a 내지 2c는 일반적인 노광 장치의 조도 분포에 따라 얼룩의 발생을 설명하기 위한 도면
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 방법을 설명하기 위한 플로우챠트
도 5a와 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 방법을 설명하기 위한 플로우챠트
도 8은 본 발명에 따라 마스크리스(Maskless) 노광부의 프로젝션 렌즈에서 적산 노광 에너지를 설명하기 위한 도면
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마스크리스(Maskless) 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 10a 내지 10c는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 생성된 블랭크 이미지에 의해 원래 패턴광의 에너지가 균일하게 되는 것을 설명하기 위한 그래프
도 11a와 11b는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 블랭크(Blank) 이미지를 생성하는 것을 설명하기 위한 도면

Claims (9)

  1. 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 출사시켜 소정의 대상물에 마스크없이 노광하는 마스크리스 노광부;
    상기 대상물에 노광된 패턴의 선폭을 측정하는 선폭 측정부;
    상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 측정하는 적산 노광 에너지 측정부;
    상기 마스크리스 노광부의 기준 적산 노광 에너지와 노광된 패턴의 기준 선폭 범위가 미리 저장되어 있는 저장부;
    상기 적산 노광 에너지 측정부에서 측정된 적산 노광 에너지와 상기 저장부에 저장되어 있는 기준 노광 에너지를 비교하고, 상기 선폭 측정부에서 측정된 패턴의 선폭과 상기 저장부에 저장되어 있는 기준 선폭 범위를 비교하는 비교부;및
    상기 비교부의 출력 신호를 받아, 상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 노광된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있도록 제어신호를 상기 마스크리스 노광부로 출력하고, 상기 측정된 적산 노광 에너지가 상기 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 비교부의 출력을 입력받아 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지와 일치되도록, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시키는 제어부로 구성된 마스크리스 노광 장치.
  2. 삭제
  3. 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀(Pixel)들이 선택적으로 온(On)되어 형성된 패턴 광을 마스크리스 노광부에서 출사시켜 상기 마스크리스 노광부에서 소정의 대상물에 노광하는 단계;
    상기 대상물에 노광된 패턴의 선폭을 측정하는 단계;
    상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내에 있는지 여부를 판단하는 단계;
    상기 측정된 패턴의 선폭이 기준 선폭 범위내를 벗어나 있으면, 상기 마스크리스 노광부의 문턱(Threshold) 광량을 감소시켜 선폭을 보정하는 단계;
    상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 측정하는 단계;
    상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단하는 단계;및
    상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 단계로 구성된 마스크리스 노광 방법.
  4. 삭제
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 적산 노광 에너지를 측정하는 것은,
    상기 노광된 대상물 영역을 복수개의 영역들로 분할하고, 분할된 영역들 각각에서 적산 노광 에너지를 측정하는 것이고,
    상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단하는 것은,
    상기 분할된 영역들 각각에서 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은지 여부를 판단하는 것이고,
    상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 분할된 영역들을 노광시키는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 일부를 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 분할된 영역들 각각의 하나는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀들 중 하나이고,
    상기 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 것은,
    상기 측정된 적산 노광 에너지가 기준 노광 에너지보다 높은 경우, 상기 분할된 영역들 각각을 노광시키는 온(On)된 디지털 마이크로미러 소자의 픽셀을 오프(Off)시켜 상기 마스크리스 노광부의 적산 노광 에너지를 기준 노광 에너지와 일치시키는 것인 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020070069238A 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법 KR101374954B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070069238A KR101374954B1 (ko) 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법
CN2008800239532A CN101790775B (zh) 2007-07-10 2008-06-25 无掩模曝光方法
PCT/KR2008/003632 WO2009008605A2 (en) 2007-07-10 2008-06-25 Maskless exposure method
JP2010515963A JP5597535B2 (ja) 2007-07-10 2008-06-25 マスクレス露光方法及びマスクレス露光装置
US12/452,565 US8363209B2 (en) 2007-07-10 2008-06-25 Method and apparatus to adjust misalignment of the maskless exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070069238A KR101374954B1 (ko) 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090005860A KR20090005860A (ko) 2009-01-14
KR101374954B1 true KR101374954B1 (ko) 2014-03-14

Family

ID=40487382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070069238A KR101374954B1 (ko) 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101374954B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9891537B2 (en) 2016-03-09 2018-02-13 Samsung Electronics, Co., Ltd. Maskless lithographic apparatus measuring accumulated amount of light

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102024785B1 (ko) * 2012-11-23 2019-09-24 엘지디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치의 얼라인 방법
KR102171301B1 (ko) 2013-07-09 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 Dmd를 이용한 디지털 노광기 및 그 제어 방법
KR101429406B1 (ko) * 2013-10-25 2014-08-13 인하대학교 산학협력단 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
JP6662786B2 (ja) * 2014-03-25 2020-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. ブラシヘッド製造方法
CN115167019A (zh) * 2022-07-15 2022-10-11 苏州华星光电技术有限公司 曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040053148A1 (en) 2002-09-17 2004-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
KR20050067073A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 화상노광방법 및 장치
WO2006098391A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Fujifilm Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR20070020410A (ko) * 2004-02-25 2007-02-21 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 광학 마스크리스 리소그래피에서 패턴을 노광하고 마스크를에뮬레이팅하는 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040053148A1 (en) 2002-09-17 2004-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
KR20050067073A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 화상노광방법 및 장치
KR20070020410A (ko) * 2004-02-25 2007-02-21 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 광학 마스크리스 리소그래피에서 패턴을 노광하고 마스크를에뮬레이팅하는 방법
WO2006098391A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Fujifilm Corporation Exposure apparatus and exposure method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9891537B2 (en) 2016-03-09 2018-02-13 Samsung Electronics, Co., Ltd. Maskless lithographic apparatus measuring accumulated amount of light

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090005860A (ko) 2009-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5597535B2 (ja) マスクレス露光方法及びマスクレス露光装置
KR101374954B1 (ko) 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법
JP4942301B2 (ja) 直接露光装置および直接露光方法
JP5289343B2 (ja) 露光量決定方法、半導体装置の製造方法、露光量決定プログラムおよび露光量決定装置
US7508492B2 (en) Surface light source control apparatus and surface light source control method
JP2010533310A5 (ko)
CN101078886A (zh) 图像记录方法和图像记录设备
US20100110401A1 (en) Photolithography systems and associated methods of focus correction
CN108681213B (zh) 数字化光刻系统和方法
KR102478399B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법
JP2007033764A (ja) パターン製造システム、露光装置、及び露光方法
JP4806581B2 (ja) 光量調整方法、画像記録方法及び装置
KR20210133147A (ko) 정보 처리 장치, 표시 제어 방법, 기억 매체, 기판 처리 시스템, 및 물품의 제조 방법
KR101347410B1 (ko) 마스크리스 노광 장치와 방법
JP2004119570A (ja) 露光量設定方法、露光方法およびこれを用いた露光装置
KR20160046016A (ko) 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
JP7214452B2 (ja) フォトマスクの製造方法
JP2006350131A (ja) 光源制御装置
JP7220066B2 (ja) フォトマスクの描画装置
JP7193353B2 (ja) 空間光変調素子の検査装置及び検査方法
JP4118137B2 (ja) 露光用マスク、半導体装置の製造方法及び欠陥修正要否判定装置
JP2007033765A (ja) パターン製造システム、露光装置、及び露光方法
US8283093B2 (en) Optical proximity correction process
JP2007318181A (ja) 現像処理装置の調整方法及び半導体装置の製造方法
CN113050386A (zh) 数字曝光方法、电子元器件基板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170224

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180223

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200224

Year of fee payment: 7