CN101790775B - 无掩模曝光方法 - Google Patents

无掩模曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101790775B
CN101790775B CN2008800239532A CN200880023953A CN101790775B CN 101790775 B CN101790775 B CN 101790775B CN 2008800239532 A CN2008800239532 A CN 2008800239532A CN 200880023953 A CN200880023953 A CN 200880023953A CN 101790775 B CN101790775 B CN 101790775B
Authority
CN
China
Prior art keywords
maskless exposure
pattern
light
maskless
dmd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008800239532A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101790775A (zh
Inventor
慎瑛勋
徐园镐
朴明周
李炯振
车相焕
李泰昊
李昌柱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020070069282A external-priority patent/KR101234932B1/ko
Priority claimed from KR1020070069238A external-priority patent/KR101374954B1/ko
Priority claimed from KR1020070073431A external-priority patent/KR101353810B1/ko
Priority claimed from KR1020070099194A external-priority patent/KR101347410B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN101790775A publication Critical patent/CN101790775A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101790775B publication Critical patent/CN101790775B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

公开了一种无掩模曝光方法，其中能够利用无掩模曝光部的第一图案和主基准单元的第二图案来执行更精确的光学对准，并且还可以减少经曝光图案中产生的模糊。

Description

无掩模曝光方法
技术领域
以下说明总体上涉及无掩模曝光方法。
背景技术
近来，随着信息社会的迅速发展，出现了对于具有诸如厚度薄、重量轻和功耗低的优异特性的平板显示器(FPD)的需要。
为了满足这种需要，已经开发了诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)的图像显示板。
在这些板中，LCD板由于其优异的分辨率、色彩显示能力和图像质量而经常用于笔记本计算机或台式监视器。
同时，随着根据客户需要而扩大板，开发了各种处理设备，并且开发了利用新技术的设备。
具体地说，曝光装置对于在各显示板中形成图案是必要的，并且执行从照明装置接收光并使得该光透射过光掩模的图案以在要曝光的层上成像从而对该层进行曝光的功能。
图1是例示了传统曝光处理的示意性截面图。根据光掩模20的图案，从光源10发出的光照射到基板40的上部上的光敏层30，从而根据该图案形状对光敏层30进行曝光。
在该传统的曝光处理中，当曝光区域为较大区域时，需要多个发光装置来对该较大区域进行曝光。然而，存在如下问题：由于这些发光装置之间产生光强度偏差，导致不能执行精确的曝光处理。
发明内容
技术问题
本公开的目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够利用无掩模曝光部的第一图案和主基准单元(MRU)的第二图案来执行更精确的光学对准。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够通过提供对准照相机来对准数字微镜器件(DMD)、多阵列透镜(MAL)和MRU的光学中心。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够利用具有从DMD反射的第一图案和MRU的第二图案的光来校正DMD和MAL的角度、投影透镜的缩放率、投影透镜的Y轴和X轴之间的间隔，以进行曝光。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够减小阈值光量以校正临界尺寸(CD：Critical Dimension)，使得经曝光的图案的CD在基准CD范围内，由此减少在经曝光的图案中产生模糊。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够测量曝光部的强度并产生能够翻转DMD的一些像素的空白图像，由此利用该空白图像来去除光强度偏差并减少经曝光的图案中的模糊的产生。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够对用无掩模曝光部进行了扫描的台的迹线进行再划分，提取无掩模曝光部在再划分位置处的焦距，并在保持在再划分位置处提取的焦距的同时在再划分位置处执行曝光，由此即使排列了多个曝光部也可以在防止机械干扰的同时设定焦点。
另一目的是提供一种无掩模曝光方法，其能够使曝光图案交叠，从而在交叠曝光区域中通过抵消强度特性而使得光强度均匀，由此去除经曝光的图案中的模糊。
技术方案
在一个总的方面，一种无掩模曝光方法包括以下步骤：
制备无掩模曝光部，该无掩模曝光部包括：光源，其用于投射光；空间光调制器(SLM)，其用于将从所述光源投射的光反射为具有第一图案的光；多阵列透镜(MAL)，其排列有多个透镜以将从所述SLM反射的具有所述第一图案的光分成多个光，并对分出的光进行集光；以及投影透镜，其用于控制由所述MAL集光的光的分辨率(resolution)并透射所得到的光；
将来自所述无掩模曝光部的所述第一图案的光照射到主基准单元(MRU)，该MRU由透光材料形成并形成有不透射具有所述第一图案的光的第二图案；
在MRU照相机处对透过所述MRU的光进行拍摄；
利用由所述MRU照相机拍摄的图像中表示的所述第一图案和所述第二图案来计算未对准误差；以及
移动并对准所述MAL或所述SLM，以校正所述未对准误差。
有效效果
根据本公开，存在以下优点：能够利用无掩模曝光部的第一图案和MRU的第二图案来执行更精确的光学对准。
另一个优点在于，提供了能够对准DMD、MAL和MRU的光学中心的对准照相机。
附图说明
图1是例示了传统曝光处理的示意性截面图。
图2是例示了根据本公开第一实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图3是例示了根据本公开的无掩模曝光部的示意性结构图。
图4是根据本公开的从SLM反射的具有第一图案的光的示例的示意图。
图5是例示了根据本公开的MRU中形成的第二图案的示例的示意图。
图6是例示了根据本公开的输入到MRU照相机的图像的示例的图。
图7是例示了根据本公开的无掩模曝光方法的流程图。
图8到10是例示了根据本公开的在SLM和MAL之间不存在未对准误差的状态的图。
图11和12是例示了根据本公开的在SLM和MAL之间存在未对准误差的状态的图。
图13是例示了根据本公开第一实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图14是例示了根据本公开第一实施方式的另一无掩模曝光方法的流程图。
图15和16是例示了根据本公开第一实施方式的MRU照相机中的多个划分区域的重心的计算的图。
图17和18是例示了根据本公开的对准DMD、MAL和MRU的坐标的状态的示意性截面图。
图19是例示了根据本公开的校正角度的方法的图。
图20到22是例示了根据本公开的用于角度校正的图案的图。
图23和24是例示了根据本公开的用于校正投影透镜的缩放率的方法的图。
图25和26是根据本公开的校正投影透镜的角度和间隔的状态的图。
图27是例示了驱动台接合到无掩模曝光部的要校正的各单元的状态的示意图。
图28是例示了校正摄影透镜的错位的方法的图。
图29到31是例示了校正投影透镜的Y轴之间的间隔的方法的图。
图32到34是例示了根据本公开的通过投影透镜的X轴之间的间隔进行了曝光的状态的图。
图35是例示了根据本公开第二实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图36是例示了根据本公开第二实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图37和38是根据本公开第二实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图39是例示了根据本公开第三实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图40是例示了根据本公开第三实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图41是例示了根据本公开的无掩模曝光部的投影透镜中的累积曝光能量的图。
图42是根据本公开第四实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图43到45是例示了通过根据本公开第四实施方式产生的空白图像而使得原始图案光的能量变得均匀的曲线图。
图46和47是例示了根据本公开第四实施方式的空白图案的产生的图。
图48是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图49是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图50是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光装置中的调焦的示意图。
图51和52是例示了根据本公开第五实施方式的通过MAL的移动来变焦的图。
图53是例示了根据本公开第五实施方式的随着无掩模曝光部扫描物体而变化的物体表面状况的图。
图54是例示了根据本公开的无掩模曝光装置的台的立体图。
图55是例示了根据本公开第六实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图56是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图57是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图58是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光方法的流程图。
图59是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的调焦的图。
图60是根据本公开第八实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
图61是根据本公开第八实施方式的无掩模曝光方法的示意性流程图。
图62是例示了根据本公开第八实施方式的无掩模曝光方法的概念图。
图63和64是例示了根据本公开的形成交叠曝光图案的处理的示意性概念图。
图65和66是例示了根据本公开的两个无掩模曝光部的初始光强度分布的曲线图。
图67是例示了根据本公开的形成25％交叠曝光图案的方法的示意性概念图。
图68到70是例示了根据本公开的交叠区域的光强度分布的曲线图。
具体实施方式
下面将参照附图来详细地描述本发明公开的示例性实施方式。
图2是例示了根据本公开第一实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。该无掩模曝光装置包括：无掩模曝光部100，其用具有第一图案的光对预定物体进行曝光；主基准单元(MRU)200，其由透光材料形成，并形成有不透射具有第一图案的光的第二图案；以及MRU照相机250，其用于对透射过MRU 200的光进行拍照。
因此，本公开的无掩模曝光装置可以利用无掩模曝光部100的第一图案和MRU 200的第二图案来更精确地执行光学对准。
这里，MRU 200是参照无掩模曝光装置的绝对基准的部件。
图3是例示了根据本公开的无掩模曝光部的示意性结构图。该无掩模曝光部包括：光源110，其用于投射光；空间光调制器(SLM)120，其用于将从光源110投射的光反射为具有第一图案的光；多阵列透镜(MAL)130，其排列有多个透镜以将从SLM 120反射的具有第一图案的光分割成多个光，并对所分割的光进行集光；以及投影透镜140，其用于控制由MAL 130集光的光的分辨率并透射所得到的光。
在如上所述构造的无掩模曝光部中，光源110投射光，SLM 120将从光源110投射的光反射为具有第一图案的光。
然后，MAL 130将从SLM 120反射的具有第一图案的第一光分割成多个光并对所分割的光进行集光，投影透镜140控制由MAL 130集光的光并透射所得到的光，由此能够执行曝光而不需要掩模。
图4是根据本公开的从SLM反射的具有第一图案的光的示例的示意图。SLM通过外部信号而选择性地反射光源的光，从而反射光变得具有图案形状。
因此，通过SLM，曝光部能够产生光图案并执行曝光而不需要利用掩模。
在本公开中，优选的是SLM为数字微镜器件(DMD：DigitalMicromirror Device)121。
该DMD排列有选择性地反射照射部的光的多个微镜，从而能够通过根据图像数据选择性地驱动所述多个微镜并由此反射来自光源的一部分光来投射图案光。
同时，本公开中应用的第一图案优选地由DMD中不反射光的区域构成。
也就是说，如图4所示，选择性地驱动DMD的多个微镜来反射光，以使得存在不反射光的十字形区域。
这里，在图4中，以圆形示意性示出了多个微镜122，并且白色圆表示被驱动的微镜，而黑色圆表示没有被驱动的微镜。
因此，黑色圆形微镜成为不反射光的区域，在图4中以十字形图案示出。
该十字形状成为前述第一图案125。
图5是例示了根据本公开的MRU中形成的第二图案的示例的示意图。本公开中应用的MRU 200形成有不透光的标记，并且该标记成为形成在MRU 200中的第二图案210。
利用对外部环境(例如，温度)的变化不敏感的材料制造MRU 200，从而MRU 200具有接近于0的变形。
因此，优选的是，MRU 200透射光，并且第二图案210由MRU 200中不透光的标记形成。
也就是说，在图5中，由于在透光的MRU 200中形成有不透光的标记240，所以实现了第二图案210。
图6是例示了根据本公开的输入到MRU照相机的图像的示例的图。与前述图4相似，当从DMD反射的第一图案的光透过MRU时，由于光不能透过MRU的第二图案，因此在MRU照相机拍摄的图像中存在第一图案125和第二图案210。
此时，如果第一图案125和第二图案210被形成为彼此类似的图案，则很容易相互比较这两个图案，因此更便于计算未对准误差。
图7是例示了根据本公开的无掩模曝光方法的流程图。首先，制备无掩模曝光部，其包括：光源，其用于投射光；SLM，其用于将从光源投射的光反射为具有第一图案的光；MAL，其排列有多个透镜以将从SLM反射的具有第一图案的光分割成多个光，并对所分割的光进行集光；以及投影透镜，其用于控制由MAL集光的光的分辨率并透射所得到的光(步骤S10)。
此后，无掩模曝光部将第一图案的光照射到MRU上，该MRU由透光材料形成并形成有不透射具有第一图案的光的第二图案(步骤S20)。
然后，MRU照相机对透过MRU的光进行拍照(步骤S30)。
接着，利用由MRU照相机拍摄的图像中存在的第一图案和第二图案来计算未对准误差(步骤S40)。
由于MRU照相机拍摄的图像中存在第一图案和第二图案，因此可以通过比较第一图案和第二图案来计算未对准误差。
也就是说，在本公开中，可以将第二图案用作校正曝光装置的绝对基准。
接着，为了校正未对准误差，移动MAL或SLM以执行校正(步骤S60)。
此时，MAL或SLM设置有移动台，并且移动台按照能够校正未对准误差的移动量进行移动。
在曝光处理之前或曝光处理期间执行前述步骤S10到S60。
图8到10是例示了根据本公开的在SLM和MAL之间不存在未对准误差的状态的图。如图8所示，DMD 121的多个微镜122以矩形形状形成，并且所述多个微镜122被选择性驱动并反射光以形成十字形状的第一图案125。
此时，在SLM和MAL之间不存在未对准误差的情况下，从MAL投射的光束的形状如图9所示，由MRU照相机拍摄的图像如图10所示。
图11和12是例示了根据本公开的在SLM和MAL之间存在未对准误差的状态的图。在SLM和MAL之间存在未对准误差的情况下，当如图8所示从DMD反射了具有第一图案的光时，从MAL投射的光束的形状如图11所示，由MRU照相机拍摄的图像如图12所示。
图13是例示了根据本公开第一实施方式的无掩模曝光方法的流程图。本实施方式中的SLM是DMD。
首先，初始化MAL的台(步骤S110)。
换句话说，将MAL的台设定到原点。
然后，移动MRU台(步骤S120)。
这里，移动MRU台，使得MRU的中心与无掩模曝光部的第N个投影透镜的中心一致。
接着，DMD显示对准图案(步骤S130)。
换句话说，DMD照射第一图案。
接着，确定MRU照相机是否识别出透过MRU的第二图案的点(步骤S140)。
这里，所述点指的是位于第一图案中的点，第一图案由多个点构成。
如果MRU照相机识别出了所述点，则计算该点的中心值(步骤S150)。
此时，点的中心值是指由点构成的第一图案的中心值。
接着，根据点的中心值计算未对准误差(步骤S160)。
这里，为了利用点的中心值来计算未对准误差，通过对第一图案的中心值与第二图案的中心值进行比较来计算误差。
这里，未对准误差包含平移误差和旋转误差。
接着，确定未对准误差是否为“0”(步骤S170)。
如果未对准误差为“0”，则存储MAL台的位置值(步骤S190)，而如果未对准误差不是“0”，则移动MAL台(步骤S180)。
然后，将MAL台按照与要对准的未对准误差的值对应的移动量进行移动。
图14是例示了根据本公开第一实施方式的另一种无掩模曝光方法的流程图。本实施方式中的SLM是DMD。
首先，初始化SLM的台(步骤S210)。
换句话说，将SLM的台设定到原点。
然后，移动MRU台(步骤S220)。
接着，DMD显示对准图案(步骤S230)。
换句话说，DMD照射第一图案。
接着，MRU照相机拍摄透过MRU的第二图案的光(步骤S240)。
接着，计算由MRU照相机拍摄的图像中的每个分割区域的重心(步骤S250)。
换句话说，计算针对分割区域的亮度的重心。
接着，根据计算出的重心来计算未对准误差(步骤S260)。
这里，未对准误差包含平移误差和旋转误差。
接着，确定未对准误差是否为“0”(步骤S270)。
如果未对准误差为“0”，则存储SLM台的位置值(步骤S290)，而如果未对准误差不是“0”，则移动SLM台(步骤S280)。
然后，将SLM台移动与要对准的未对准误差的值对应的移动量。
换句话说，如图15所示，在将拍摄图像分成四个的情况下，可以通过获取针对各区域的亮度的重心并计算各重心的平均坐标来计算平移误差。
而且，如图16所示，可以通过连接各区域的重心来基于MRU照相机的基准轴计算旋转误差。
同时，实际上可以在曝光处理之前或曝光处理期间实时地执行前述第一实施方式和第二实施方式的曝光方法。
图17和18是例示了根据本公开的对准DMD、MAL和MRU的坐标的状态的示意性截面图。首先，将板保持部510置于板台500的上部，将玻璃600放置在板保持部510的上部。
并且，在玻璃600上对准有多个无掩模曝光部100A和100B，对准照相机700放置在所述多个无掩模曝光部100A和100B的侧部。
同时，由于无掩模曝光装置没有形成有图案和基准标记的掩模，因此应当利用要校正和管理的单个坐标系统来精确地测量全部光学基准。
因此，在本公开中，如图17所示，预定的无掩模曝光部100A的DMD 120和MAL 130以及MRU 200的光学中心与第一轴P1一致。
换句话说，对准DMD 120、MAL 130和MRU 200的坐标系统。
然后，如图18所示，沿着扫描方向移动MRU照相机250，使得对准照相机700和MRU 200的中心与第二轴P2一致。
因此，由于能够测量第一轴P1和第二轴P2之间的偏差，所以可以利用该偏差来进行校正以使得DMD 120、MAL 130和MRU 200的光学中心彼此一致。
优选的是，在移动和对准MAL或SLM的步骤之后执行光学中心的这个一致处理，以校正图7中的未对准误差。
因此，设置对准照相机700以使得其中心用作对准DMD 120、MAL130和MRU 200的光学中心的标准。
而且，设置对准照相机700来识别曝光装置内部装载的玻璃的对准标记，以产生图案。
如上所述，在本公开的无掩模曝光装置和方法中，可以使用测量到的偏差在机械上精确地对准决定曝光质量的必要部件。
优选的是，在图7中的步骤S50之后进一步提供校准错位(稍后描述)的步骤，其中，移动MAL或SLM并使其对准以校准错位。
图19是例示了根据本公开的校正角度的方法的图。如上所述，在对准了无掩模曝光部和MRU之后精确地对准了各部件的中心，但没有确认DMD和MAL的角度是否与扫描轴对准。
因此，在本公开中，向DMD输入条纹图案，至少执行两次曝光扫描，并测量各扫描图案中的误差。利用该测量到的误差来校正DMD和MAL的角度。
这里，条纹图案对应于SLM的前述第一图案。
当如图20所示在从DMD照射条纹图案之后DMD和MAL的角度没有与扫描精确对准时，执行曝光，使得各执行图案的位置彼此偏离。
通过在曝光后基于测量到的误差来调节DMD和MAL的角度并且再次曝光，可以执行曝光以使得经曝光的图案与DMD的输入图案精确地一致，如图22所示。
图23和24是例示了根据本公开的校正投影透镜缩放率的方法的图。为了校正投影透镜的缩放率，从DMD沿45度方向照射至少两个十字形图案，并且将这些图案与MRU的第二图案进行比较，由此校正投影透镜的缩放率。
此时，从DMD照射的十字形图案对应于前述第一图案。
此时，MRU的第二图案也形成为对应于第一图案的图案形状。
因此，如图24所示，利用由MRU照相机拍摄的图像，可以在对DMD的第一图案和MRU的第二图案的中心进行比较的同时测量并校正投影透镜的缩放率，而不需要曝光-显影-干燥的处理。
图25和26是根据本公开的校正投影透镜的角度和间隔的状态的图。可以通过将从DMD照射的第一图案的虚光(imaginary light)与MRU的第二图案进行比较来校正投影透镜的角度和间隔。
首先，如图25所示，在投影透镜的角度和间隔彼此不一致的情况下，从DMD照射的第一图案的虚光801与MRU的第二图案802彼此偏离。
在偏离的状态下，对误差进行测量，并根据此测量到的误差来实时驱动单个台以校正误差，由此能够获得更精确的校正结果。
因此，如图26所示，尽管没有执行实际的曝光处理，也可以校正投影透镜的角度和间隔。
图27是例示了驱动台接合到无掩模曝光部的要校正的各单元的状态的示意图。DMD、MAL和投影透镜各自都设置有驱动台。
因此，在本公开中，可以通过驱动单个台来校正DMD的第一图案和MRU的第二图案的光之间的错位。
图28是例示了校正摄影透镜的错位的方法的图。在利用多个投影透镜的情况下，应当按照预定基准来对准投影透镜的光轴。
然而，在投影透镜的中心轴由于诸如投影透镜的像差的影响而彼此不一致的情况下，投影透镜发生错位，从而在曝光时产生图案缺陷。
此时，即使一个轴偏离，图案实际上也曝光在不同位置，从而在图案中产生位置误差。
因此，在本公开中，设定标准轴(状态A)，测量多个投影透镜的X轴和Y轴(状态B)，然后对这些轴进行校正(状态C)。
图29到31是例示了投影透镜的Y轴之间的间隔的校正方法的图。这些图示出了通过多个投影透镜曝光的图案。
换句话说，经曝光的图案彼此偏离，这是因为曝光处理是在投影透镜的单个中心轴与其他投影透镜的中心轴在Y轴(扫描轴)截面上有所偏离的状态下执行的。
因此，由彼此偏离的各投影透镜进行的曝光产生的图案相对于Y轴方向存在于彼此不同的位置。
因此，在整个经曝光的图案区域中，图案呈现为模糊。
因此，在本公开中，利用从多个投影透镜投射的具有同一图案的光执行曝光，测量各图案的位置误差和角度误差，并且可以基于测量到的误差来校正投影透镜之间的Y轴间隔。
图32和33是例示了根据本公开的通过投影透镜的X轴之间的间隔进行曝光的状态的图。与扫描轴垂直的X轴截面上，当投影透镜的中心轴彼此一致时，形成正常曝光图案。
换句话说，经曝光的图案的厚度均匀。
然而，在投影透镜的中心轴彼此偏离的情况下，由各投影透镜的曝光而产生的图案产生于相对于X轴方向彼此不同的位置。
因此，形成异常曝光图案，并且这在整个图案区域呈现模糊。
图33示出了如下的情况：投影透镜之间的间隔较宽，产生了没有被曝光的未曝光区域，并且图案厚度发生变化。
同样，图34示出了如下的情况：投影透镜之间的间隔较窄，产生了过曝光区域，并且图案厚度发生变化。
因此，当投影透镜的间隔比基准间隔宽或窄时，一部分在扫描之间存在间隔从而未被曝光一部分发生交叠从而被过曝光。因此，经曝光的图案的质量不均匀。
因此，在本公开中，一对相邻投影透镜投射具有相同图案的光，一个投影透镜对测试区域进行曝光，然后另一个投影透镜移动到测试区域以对测试区域进行曝光，利用投影透镜的移动量和经曝光的图案的中心之间的差来获得X轴的间隔误差，然后利用获得的X轴间隔误差来校正这一对投影透镜的X轴间隔。
在制造FPD板的处理期间执行如上所述的无掩模曝光方法。
换句话说，在设置有用于形成重复单位图案的曝光处理的FPD板制造方法中，在无掩模曝光装置中执行曝光处理，所述无掩模曝光装置包括：无掩模曝光部，其利用具有第一图案的光对预定物体进行曝光；MRU，其形成有不透射具有第一图案的光的第二图案；以及MRU照相机，其对透过MRU的光进行拍照，并且，在曝光处理之前或曝光处理期间，在所述无掩模曝光部中还设置有如下的处理：将第一图案的光照射到形成有不透射具有第一图案的光的第二图案的MRU上，并透射该光，MRU照相机对透过MRU的光进行拍照，利用由MRU照相机拍摄的图像中存在的第一图案和第二图案来计算未对准误差，并且移动MAL或SLM以校正未对准误差。
如上所述，可以在无掩模曝光装置和方法中执行在包括LCD板和PDP的FPD板中执行的曝光处理。
图35是例示了根据本公开第二实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图，该无掩模曝光装置包括：无掩模曝光部1110，其用于无掩模地对预定物体1100进行曝光；临界尺寸测量部1210，其用于测量在物体1110上曝光的图案的临界尺寸(CD)；存储部1230，其中预先存储了经曝光的图案的标准CD范围；比较部1220，其用于将CD测量部1210测量到的图案的CD与存储部1230中存储的基准CD范围进行比较；以及控制部1240，其接收比较部1220的输出信号，当图案的测量CD超出基准CD范围时向无掩模曝光部输出控制信号以减小无掩模曝光部的阈值光强度，以使得经曝光图案的CD在基准CD范围内。
如上所述构成的根据本公开第二实施方式的无掩模曝光装置可以测量经曝光图案的CD，并且在测量到的CD超出基准CD范围时通过减小阈值光强度来校正CD以使得经曝光图案的CD在基准CD范围内。
图36是例示了根据本公开第二实施方式的无掩模曝光方法的流程图。无掩模曝光部对预定物体进行曝光(步骤S1010)。
接着，测量在物体上曝光的图案的CD(步骤S1020)。
接着，确定测量到的图案的CD是否在基准CD范围内(步骤S1030)。
此后，当测量到的图案的CD超出基准CD范围时，减小无掩模曝光部的阈值光强度以校正该CD(步骤S1040)。
当测量到的图案的CD落入基准CD范围时，结束该处理。
图37和38是根据本公开第二实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。前述的阈值光量是根据在形成曝光图案时目标CD内包含的DMD的像素的水平来确定是否导通像素的指标。
而且，阈值光强度设置得越低，获得的CD越厚。
换句话说，如图37所示，当阈值光强度为100％时，导通DMD 1150的位于要曝光的图案的周界1111内部的像素1151。如图38所示，当阈值光强度为50％时，还导通DMD 1150的位于要曝光的图案的周界1111外部的像素1151。
这里，在图37和38中，用阴影标记的像素为导通的像素。
图39是例示了根据本公开第三实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图，该无掩模曝光装置包括：无掩模曝光部1100，其用于投射通过选择性导通DMD的像素而形成的图案光，以对预定物体1110进行曝光；累积曝光能量测量部1310，其用于测量无掩模曝光部1100的累积曝光能量；存储部，其中存储了无掩模曝光部1100的基准累积曝光能量；比较部，其用于将累积曝光能量测量部1310测量到的累积曝光能量与存储部中存储的基准累积曝光能量进行比较；以及控制部1340，在测量到的累积曝光能量高于基准累积曝光能量时，控制部1340接收比较部1320的输出，并关闭DMD的导通像素中的一部分，以使得无掩模曝光部的累积曝光能量与基准累积曝光能量一致。
因此，在曝光部的累积曝光能量高于基准累积曝光能量时，根据本公开第三实施方式的无掩模曝光装置关闭DMD的一些像素，以使得曝光部的累积曝光能量与基准累积曝光能量一致，由此减少经曝光图案产生的模糊。
图40是例示了根据本公开第三实施方式的无掩模曝光方法的流程图。从无掩模曝光部投射通过选择性导通DMD的像素而形成的图案光以对预定物体进行曝光(步骤S1110)。
这里，优选的是，无掩模曝光部在沿一个方向扫描物体的同时对物体进行曝光。
接着，测量无掩模曝光部的累积曝光能量(步骤S1120)。
然后，确定测量到的累积曝光能量是否高于基准曝光能量(步骤S1130)。
随后，当测量到的累积曝光能量高于基准累积曝光能量时，关闭DMD的导通像素中的一部分，使得无掩模曝光部的累积曝光能量与基准累积曝光能量一致(步骤S1140)。
这里，在测量累积曝光能量时，优选的是，将曝光的物体区域分割成多个区域，在各个分割区域中测量累积曝光能量。
另外，在确定测量到的累积曝光能量是否高于基准曝光能量时，优选的是，在各个分割区域中测量到的累积曝光能量高于基准累积曝光能量。
当测量到的累积曝光能量高于基准曝光能量时，关闭对分割区域进行曝光的DMD的导通像素中的一部分，使得无掩模曝光部的累积曝光能量与基准曝光能量一致。
另外，优选的是，各分割区域具有DMD的一个导通像素，并且当测量到的累积曝光能量高于基准累积曝光能量时，关闭DMD的对相应分割区域进行曝光的导通像素，使得无掩模曝光部的累积曝光能量与基准累积曝光能量一致。
如上所述，根据本公开第三实施方式的无掩模曝光方法强制关闭累积曝光能量高于基准值的像素，从而使得无掩模曝光部的累积曝光能量均匀分布。
图41是例示了根据本公开的无掩模曝光部的投影透镜中的累积曝光能量的图。在无掩模曝光部中，在透过投影透镜时，光源的能量在投影透镜1170的中心处较高，而在投影透镜1170的离开中心的部分较低。
因此，在无掩模曝光部沿着一个方向曝光的情况下，累积曝光能量在各位置处彼此不同。
因此，在本公开第三实施方式中，当测量到的累积曝光能量高于基准曝光能量时，可以通过关闭DMD的一些导通像素并且由此使得无掩模曝光部的累积曝光能量与基准曝光能量一致来控制该能量差。
图42是根据本公开第四实施方式的无掩模曝光方法的流程图。从无掩模曝光部投射由DMD的像素的选择性导通而形成的图案光(步骤S1210)。
接着，测量从无掩模曝光部投射的图案光的强度(步骤S1220)。
接着，利用所测量到的光强度，产生可以关闭DMD的一些像素的空白图像(步骤S1230)。
此后，根据该空白图像关闭DMD的导通像素中的一部分，并且无掩模曝光部对预定物体进行曝光(步骤S1240)。
当设置有多个无掩模曝光部时，通过在各扫描区域的边界部分处交叠空白图像并利用各无掩模曝光部对空白图像进行曝光，可以提高各扫描区域的边界部分处的光强度，从而减少经曝光图案中产生的模糊。
图43到45是例示了通过根据本公开第四实施方式产生的空白图像来使得原始图案光能量变得均匀的图。如图43所示，从无掩模曝光部投射的图案光的能量分布1410不均匀。
因此，如上所述，测量从无掩模曝光部投射的图案光的强度，并利用测量到的强度来产生能够关闭DMD的导通像素中的一部分的空白图像，图44示出了空白图像的能量分布1420。
因此，通过根据空白图像关闭DMD的导通像素中的一部分，能量分布1430变得均匀，如图45所示。因此，可以消除强度偏差并减少经曝光图案中产生的模糊。
图46和47是例示了根据本公开第四实施方式的空白图案的产生的图。为了产生空白图像，如图46所示，设定目标光量，并在沿Y轴扫描的同时测量光强度。通过测量到的光强度，可以产生诸如图47中“1500”的空白图像。
现在描述空白图像的产生，在不同位置扫描到的强度值定义为Index(i)，Index(i)由Index(i)(mm/mJ)＝分辨率(mm)/初始累积光量(mJ)x实际扫描像素来表示。
此时，当将强度偏差定义为delintensity、将测量到的强度定义为dataintensity(i)、并将基准强度定义为dataintensitymin＝target时，delintensity由delintensity＝dataintensity(i)-dataintensitymin＝target表示。
而且，掩蔽距离由delintensity x Index(i)来表示。
此外，作为DMD的对应区域中要关闭的像素的掩蔽像素由掩蔽距离x分辨率来表示。
因此，X坐标表示测量位置，Y坐标表示掩蔽像素，由此能够产生空白图像。
在制造FPD板的处理期间执行如上所述的本公开的无掩模曝光方法。
换句话说，在设置有用于形成重复单位图案的曝光处理的FPD板制造方法中，曝光处理还包括通过减小阈值光量来校正经曝光图案的CD的处理、使得累积曝光能量与基准曝光能量一致的处理、和利用具有与曝光能量分布相反的能量分布的空白图像来使得曝光能量分布均匀的处理中的一个。
这里，优选的是，在通过投射由DMD的像素的选择性导通而形成的图像光来进行曝光的无掩模曝光部中执行曝光处理，并且通过关闭DMD的导通像素中的一部分来执行使得累积曝光能量与基准曝光能量一致的处理。
此外，空白图像是能够关闭DMD的导通像素中的一部分的图像。
如上所述，可以在无掩模曝光装置和方法中执行在包括LCD板和PDP的FPD板中执行的曝光处理。
图48是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图，该无掩模曝光装置包括：光源2110，其用于投射光；SLM2120，其用于将从光源2110投射的光反射为具有第一图案的光；扩束器2130，其用于对从SLM 2120投射的光进行扩束；MAL 2140，其排列有多个透镜，以将在扩束器2130中进行了扩束的光分割成多个光，并对所分割的光进行集光；投影透镜2160，其用于控制由MAL 2140集光的光的分辨率并向物体2175透射所得到的光；致动器2150，其用于沿Z轴驱动MAL 2140，以预调节投影透镜2160和物体2175之间的工作距离WD；以及台2170，物体置于该台上，并且该台设置有用于对投影透镜2160和物体2175之间的工作距离进行二次调节的校平电机2180。
这里，优选的是，还设置有用于测量投影透镜2160和物体2175之间的工作距离的自动对焦传感器。
换句话说，自动对焦传感器感测工作距离是否在景深(DOF)内。
自动对焦传感器可以利用激光、红外线、超声波等来测量工作距离，并且还可以利用CCD视觉地测量工作距离。
图49是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光方法的流程图。测量设置有MAL的无掩模曝光部与物体之间的工作距离(步骤S2010)。
然后，确定所测量到的工作距离是否在基准工作距离内(步骤S2020)。
接着，当测量到的工作距离不在基准工作距离内时，仅移动无掩模曝光部的MAL以进行调焦(步骤S2030)。
接着，当测量到的工作距离在基准工作距离内时，无掩模曝光部对物体进行曝光(步骤S2040)。
图50是例示了根据本公开第五实施方式的无掩模曝光装置中的调焦的示意图。在本公开中，扩束器2130和投影透镜2160是固定的，驱动用于沿着Z轴移动MAL 2140的致动器2150，以对无掩模曝光部进行调焦。
此时，因为MAL 2140应当每纳米地移动，因此使用诸如压力致动器(piezo-actuator)或音圈电机的精密致动器。
此时，在传统的曝光装置中，由于通过上下移动全部投影透镜或者通过上下移动能够调焦的特定透镜来进行调焦，因此存在以下问题：在对非常精密的投影透镜进行的细调中可能产生误差，并且当曝光装置由多个无掩模曝光部构成时可能产生与相邻曝光部的干扰。
因此，在本公开中，优点在于，由于通过沿着Z轴移动MAL来进行调焦，因此即使排列了多个无掩模曝光部，也能够防止机械干扰。
图51和52是例示了根据本公开第五实施方式的通过MAL移动而进行变焦的图。当如图50所示MAL 2140的焦点位于线“AA”上时，如果MAL 2140沿着Z轴方向向下移动，则焦点位于处于线“AA”下方的线“BB”上，如图51所示。
因此，焦点随着MAL 2140沿着Z轴方向上下移动而改变。
图53是例示了根据本公开第五实施方式的物体表面状况随着无掩模曝光部扫描该物体而变化的图。无掩模曝光部设置有投影透镜2161。
在该无掩模曝光部扫描之前的初始状态下，物体的工作面位于投影透镜2161的Z轴行程(stroke)范围内，但物体的工作面随着进入后面的扫描而位于投影透镜2161的Z轴行程范围之外。
在这种情况下，由于不能仅利用MAL台2151(即，用于沿Z轴驱动MAL的致动器)来设置焦点，需要驱动安装在台中的台校平电机来将工作面设置在投影透镜2161的Z轴行程内。
因此，为了设定自动对焦，MAL台2151执行微驱动，台校平电机执行宏驱动。
因此，如图54所示，在台2170中安装了三个台校平电机，通过这三个台校平电机来控制平面。
图54中示出了两个台校平电机2181和2182以用于参考。
图55是例示了根据本公开第六实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图，该无掩模曝光装置包括：多个无掩模曝光部2100，其用于无掩模地对预定物体进行曝光；前自动对焦传感器2200，其布置于所述多个无掩模曝光部2100的前面，以测量无掩模曝光部2100与物体之间的工作距离；以及后自动对焦传感器2300，其布置于所述多个无掩模曝光部2100的后面，以测量无掩模曝光部2100与物体之间的工作距离。
这里，物体置于台上，台设置有用于调节无掩模曝光部2100与物体之间的工作距离的台校平电机。
另外，前自动对焦传感器2200包括至少三个前自动对焦传感器，以同时测量无掩模曝光部2100的Z轴位移和利用台校平电机驱动的基准面。
此外，由于当使用前自动对焦传感器220时针对前面驱动台校平电机，因此在后自动对焦传感器2300的位置处，相对于投影透镜，工作距离可能在景深之外。因此，后自动对焦传感器2300用于监视并防止前述现象。
图56是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图，该无掩模曝光装置包括：台2170，其上放置预定物体2175；无掩模曝光部2100，其无掩模地对物体2175进行曝光；焦距测量部2210，其用于测量无掩模曝光部2100的焦距；存储部2220，其存储焦距测量部2210测量到的焦距；以及控制部2230，其输出用于移动无掩模曝光部2100和台2170以保持存储部2220中存储的焦距的控制信号。
这里，焦距是指无掩模曝光部2100能够对物体2175形成最优焦点的距离。
在如上所述构成的根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置中，焦距测量部2210测量无掩模曝光部2100的焦距，将该测量到的焦距存储在存储部2220中，并且控制部2230输出控制信号并移动无掩模曝光部2100和台2170以进行对焦，使得在无掩模曝光部2100和物体2175之间可以保持存储部2220中存储的焦距。
图57是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。
如图56中示出的焦距测量部2210，优选采用位置映射传感器2310，其将各个无掩模曝光部扫描的台的迹线细分成多个位置，并在所述多个细分位置中的每个位置处测量焦距。
该映射传感器2310可以由前述前自动对焦传感器中的一个实现。
因此，在表1中示出了在所述多个细分位置中的每个位置处测量到的焦距。
此时，由于各无掩模曝光部都设置有投影透镜，图57和表1将无掩模曝光部示出并表示为投影透镜。
因此，在各投影透镜Lens1至Lens5扫描的台的迹线的各个细分位置P1至P5处测量焦距，并在表1中示出焦距。
换句话说，第一投影透镜Lens1的位置“P1”处的焦距是“LP1-1”，第二投影透镜Lens2的位置“P2”处的焦距是“LP2-2”。
表1
  Lensl   Lens2   Lens3   Lens4   Lens5
  P1   LP1-1   LP2-1   LP3-1   LP4-1   LP5-1
  P2   LP1-2   LP2-2   LP3-2   LP4-2   LP5-2
  P3   LP1-3   LP2-3   LP3-3   LP4-3   LP5-3
  P4   LP1-4   LP2-4   LP3-4   LP4-4   LP5-4
  P5   LP1-5   LP2-5   LP3-5   LP4-5   LP5-5
  ...   ...   ...   ...   ...   ...
图58是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光方法的流程图。首先，将可以放置要曝光的物体的台置于无掩模曝光部的下部(步骤S2110)。
接着，无掩模曝光部对该台进行扫描(步骤S2120)。
然后，各个无掩模曝光部将台的扫描迹线细分成多个位置，并提取各个无掩模曝光部在所述多个细分位置处的最优焦距(步骤S2140)。
接着，将要曝光的物体置于台上(步骤S2140)。
然后，无掩模曝光部在保持在所述多个细分位置处提取的最优焦距的同时对物体进行曝光(步骤S2150)。
将物体置于设置有台校平电机的台的上部，在保持所提取的最优焦距的同时利用无掩模曝光部对物体进行曝光的步骤优选为如下的步骤：通过驱动台校平电机，在保持所提取的最优焦距的同时利用无掩模曝光部对物体进行曝光。
图59是例示了根据本公开第七实施方式的无掩模曝光装置的调焦的图。如上所述，为了提取焦距，通过仅利用MAL台2151(即，沿Z轴驱动MAL的致动器)的微驱动和利用放置物体的台2170中设置的台校平电机2181、2182和2183的宏驱动来执行对无掩模曝光部的调节。
换句话说，无掩模曝光部包括：光源，其用于投射光；SLM，其用于将从光源投射的光反射为具有图案的光；扩束器，其用于对从SLM投射的光进行扩束；MAL，其中排列了多个透镜以将在扩束器中进行了扩束的光分成多个光，并对所分出的光进行集光；以及投影透镜，其用于控制由MAL集光的光的分辨率并向物体透射所得到的光。
在制造FPD板的处理期间执行如上所述的本公开的无掩模曝光方法。
因此，在设置有用于形成重复单位图案的曝光处理的FPD板制造方法中，所述曝光处理包括测量无掩模曝光部与物体之间的工作距离并且在所测量到的工作距离不在基准工作距离范围内时通过仅移动无掩模曝光部的MAL来调焦的处理，或者包括如下处理：利用无掩模曝光部对台进行扫描，提取无掩模曝光部在扫描迹线的细分位置处的焦距，并在保持在细分位置处提取的焦距的同时进行曝光。
如上所述，可以在无掩模曝光装置和方法中执行在包括LCD板和PDP的FPD板中执行的曝光处理。
图60是根据本公开第八实施方式的无掩模曝光装置的示意性结构图。该无掩模曝光装置包括至少一个无掩模曝光部3100。
无掩模曝光部3100包括：DMD 3120，其用于反射从光源3110入射的光并投射具有至少两个连续交叠图案的光；MAL 3130，其排列有多个透镜以将从DMD投射的光分成多个光，并对所分出的光进行集光；以及投影透镜，其用于控制由MAL 3130集光的光的分辨率并透射所得到的光。
在如上所述构造的无掩模曝光部中，光源3110投射光，DMD 3120将从光源3110投射的光反射为具有至少两个连续交叠图案的光。
换句话说，DMD 3120将光源3110的光反射成具有第一图案的光，然后将光源3110的光反射为与第一图案交叠的第二图案。
因此，DMD 3120连续产生并投射具有交叠的第一和第二图案的光。
而且，MAL 3130将从DMD 3120反射的光分为多个光，并对所分出的光进行集光，投影透镜3140控制由MAL 3130集光的光的分辨率并透射所得到的光，由此能够执行曝光而不需要掩模。
因此，由于DMD 3120反射具有至少两个连续交叠图案的光，所以无掩模曝光装置可以在玻璃上形成交叠的曝光图案，从而减少模糊。
同时，优选使图案交叠25％到75％。
图61是根据本公开第八实施方式的无掩模曝光方法的示意性流程图。无掩模曝光部产生具有至少两个连续交叠图案的光(步骤S3010)。
这里，优选使图案交叠25％到75％。
然后，通过利用无掩模曝光部中产生的具有连续交叠图案的光对玻璃进行曝光来形成在玻璃上交叠的曝光图案(步骤S3020)。
这里，在形成交叠曝光图案的步骤中，优选的是，通过利用无掩模曝光部对玻璃扫描与连续图案的数量相等的次数来形成交叠的曝光图案。
换句话说，当无掩模曝光部对玻璃扫描两次时，连续图案的数量为2，在玻璃上形成两个图案，并且这两个图案之间有交叠。
另外，当无掩模曝光部对玻璃扫描三次时，连续图案的数量为3，在玻璃上形成三个图案，并且这三个图案之间有交叠。
图62是例示了根据本公开第八实施方式的无掩模曝光方法的概念图。当利用两个无掩模曝光部3410和3420对尺寸为M x N(rnm)的玻璃3300进行扫描和曝光时，各个无掩模曝光部3410和3420通过对玻璃扫描三次来对整个玻璃进行曝光。
换句话说，无掩模曝光部对玻璃扫描多次以形成曝光图案。
此时，各个无掩模曝光部设置有DMD，并且该DMD在对玻璃扫描三次的同时反射光，并且该反射的光由交叠的连续图案形成。
因此，如图62所示，在玻璃上依次形成在第一次扫描时从DMD照射的区域3411、在第二次扫描时从DMD照射的区域3412和在第三次扫描时从DMD照射的区域3412，这些图案之间有交叠。
图63和64是例示了根据本公开的形成交叠曝光图案的处理的示意性概念图。首先，在从无掩模曝光部投射具有两个连续交叠图案的光的情况下，当无掩模曝光部对玻璃3300的上部扫描两次时，从无掩模曝光部中的DMD照射的区域3411和3412交叠，如图63所示。
因此，如图64所示，经曝光图案由无掩模曝光部的第一次扫描时照射的区域3411和第二次扫描时照射的区域3412形成，第一次扫描时照射的区域3411和第二次扫描时照射的区域3412彼此交叠，在交叠区域3430中形成的经曝光图案3510也是交叠的。
图65和66是例示了根据本公开的这两个无掩模曝光部的初始光强度分布的曲线图。如图65和66所示，可以理解的是，根据这两个无掩模曝光部的扫描次数的累积曝光能量表现出高斯分布。
此时，各个无掩模曝光部的初始光强度分布为3.5％和4.0％。
因此，由于无掩模曝光部因具有非线性属性的变量(例如，无掩模曝光部之间的内部变形和分辨率)而具有不同的光强度分布，因此在经曝光图案中形成模糊。
在本公开中，通过交叠曝光图案来减少经曝光图案的这种模糊。
图67是例示了根据本公开的形成25％交叠曝光图案的方法的示意性概念图。在无掩模曝光部3100的第一次扫描时从无掩模曝光部的DMD照射的第一区域3451和第二扫描时从无掩模曝光部的DMD照射的第二区域3452交叠25％。
此时，当将第一区域3541的中心和第二区域3542的中心之间的距离定义为步进距离时，步进距离Lstep与扫描速度模式与反比，而扫描速度与扫描速度模式成正比。
因此，可以通过控制扫描速度模式来控制交叠区域。
换句话说，通过提高扫描速度模式来缩短步进距离，从而交叠区域变宽。
因此，扫描速度的升高使交叠区域变宽。
因此，可以通过控制扫描速度来使得第一次扫描时照射的区域和第二次扫描时照射的区域交叠25％。
图68到70是例示了根据本公开的交叠区域的光强度分布的曲线图。如上所述，在本公开中，形成交叠的曝光图案，从而去除曝光图案的模糊。
此时，曝光图案优选为交叠25％到75％。
换句话说，当交叠小于25％时，不容易去除模糊，而当交叠大于75％时，执行过曝光并且交叠区域的厚度变厚。
首先，在图68中，曲线“A”表示未交叠区域的光强度分布，而曲线“B”表示25％交叠的区域的光强度分布。
这里，可以理解的是，由于光强度具有高斯分布，因此存在几乎没有光强度的区域，例如“A1”，从而在未交叠区域中产生模糊，并且具有峰值光强度的区域和几乎没有光强度的区域之间存在很大的差异。
相反，可以理解的是，在25％交叠的区域中，即使在具有最低强度的区域，例如“B1”和“B2”，也存在特定级别的光强度，并且与未交叠区域的光强度相比，具有峰值光强度的区域和具有最低光强度的区域之间的差显著减小，从而减少了模糊。
此外，图69的曲线“C”表示50％交叠区域的光强度分布，图70中的图“D”表示75％交叠区域的光强度分布。
这里，可以理解的是，图69中的50％交叠区域中的具有最低强度的区域C1、C2、C3、C4和C5的区域的光强度和图70中的75％交叠区域中的具有最低强度的区域D1、D2、D3、D4、D5、D6和D7的光强度高于25％交叠区域中的具有最低强度的区域的强度，并且光强度变得均匀，因此，随着交叠率升高，模糊减少。
也就是说，通过交叠曝光图案，抵消了交叠区域中的强度曲线而使其变得均匀。
优选的是，在第一实施方式的无掩模曝光方法的移动并对准MAL或SLM以校正未对准误差的步骤之后执行第二到第六实施方式的前述无掩模曝光方法。
尽管已经参照具体的示例性实施方式描述了本新颖概念，但本发明不受这些实施方式的限制，而仅由所附权利要求来限制。需要理解的是，本领域的技术人员可以不脱离本公开的范围和精神的情况下对实施方式进行改变和修改。
工业适用性
根据本公开，可以提供一种无掩模曝光方法，该方法能够减少曝光图案中产生的模糊，因为可以更精确地执行无掩模曝光部的光学对准。

Claims (20)

1.一种无掩模曝光方法，所述无掩模曝光方法包括以下步骤：
制备无掩模曝光部，该无掩模曝光部包括：光源，其用于投射光；空间光调制器，其用于将从所述光源投射的光反射为具有第一图案的光；多阵列透镜，其排列有多个透镜以将从所述空间光调制器反射的具有所述第一图案的光分成多个光，并对分出的光进行集光；以及投影透镜，其用于控制由所述多阵列透镜集光的光的分辨率并透射所得到的光；
将来自所述无掩模曝光部的所述第一图案的光照射到主基准单元，所述主基准单元由透光材料形成并形成有不透射具有所述第一图案的光的第二图案；
在主基准单元照相机处对透过所述主基准单元的光进行拍摄；
利用由所述主基准单元照相机拍摄到的图像中表示的所述第一图案和所述第二图案来计算未对准误差；以及
移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差。
2.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，在利用由所述主基准单元照相机拍摄到的图像中表示的所述第一图案和所述第二图案来计算未对准误差的步骤中，
根据由所述主基准单元照相机拍摄到的图像来计算针对所分出的各个区域的亮度的重心，并根据计算出的重心来计算所述未对准误差。
3.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，所述空间光调制器是数字微镜器件。
4.根据权利要求3所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光部还设置有用于对准所述数字微镜器件、所述多阵列透镜和所述主基准单元的光学中心的作为基准的对准照相机，并且
其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
使所述数字微镜器件、所述多阵列透镜和所述主基准单元的光学中心与第一轴(P1)一致；
通过沿曝光扫描方向移动所述主基准单元照相机，使所述对准照相机和所述主基准单元的光学中心与第二轴一致；以及
测量所述第一轴(P1)与所述第二轴(P2)之间的偏差，并利用所述偏差来校正所述数字微镜器件、所述多阵列透镜和所述主基准单元，使得所述数字微镜器件、所述多阵列透镜和所述主基准单元的光学中心彼此一致。
5.根据权利要求3所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括校正所述数字微镜器件、所述多阵列透镜和所述主基准单元的未对准的步骤。
6.根据权利要求5所述的无掩模曝光方法，其中，在所述校正步骤中，
将条纹图案输入所述数字微镜器件，至少两次执行用于曝光的扫描，测量各个扫描图案的误差，并利用所述误差来校正所述数字微镜器件和所述多阵列透镜的角度。
7.根据权利要求5所述的无掩模曝光方法，其中，在所述校正步骤中，
沿45度方向从所述数字微镜器件照射至少两个十字形图案，并通过所述十字形图案与所述主基准单元的所述第二图案的比较来校正所述投影透镜的缩放率。
8.根据权利要求5所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光部设置有多个，并且
其中，在所述校正步骤中，
从所述多个无掩模曝光部的所述投影透镜投射具有相同图案的光，利用所述光对一层进行曝光，测量形成在所述层上的各个图案的位置误差和角度误差，并基于测量误差来校正所述投影透镜的扫描轴的间隔。
9.根据权利要求5所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光部设置有多个，并且
其中，在所述校正步骤中，
从相邻无掩模曝光部的一对所述投影透镜投射具有相同图案的光，利用一个投影透镜对测试区域进行曝光，将另一个投影透镜移动到所述测试区域以对所述测试区域进行曝光，利用所述投影透镜的移动量和这两个经曝光图案的中心之间的差来获得与所述一对投影透镜的曝光扫描轴垂直的X轴的间隔误差，并利用所获得的X轴间隔误差来校正所述一对投影透镜的X轴间隔。
10.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
利用所述无掩模曝光部对预定物体进行曝光；
测量在所述物体上曝光的图案的临界尺寸；
确定测量到的所述图案的临界尺寸是否在基准临界尺寸范围内；以及
当测量到的所述图案的临界尺寸在所述基准临界尺寸范围之外时，通过减小所述无掩模曝光部的阈值光量来校正所述临界尺寸。
11.根据权利要求3所述的无掩模曝光方法，其中，所述数字微镜器件设置有用于反射从所述光源投射的光的多个像素，
其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
通过从所述无掩模曝光部投射由所述数字微镜器件的所述多个像素的选择性导通而形成的图案光，对预定物体进行曝光；
测量所述无掩模曝光部的累积曝光能量；
确定测量到的累积曝光能量是否高于基准曝光能量；以及
当测量到的累积曝光能量高于所述基准曝光能量时，通过关闭所述数字微镜器件的导通像素中的一部分来使得所述无掩模曝光部的累积曝光能量与所述基准曝光能量一致。
12.根据权利要求11所述的无掩模曝光方法，其中，在测量累积曝光能量时，将被曝光物体的区域分成多个区域，并在各个所分出区域中测量累积曝光能量，
在确定测量到的累积曝光能量是否高于基准曝光能量时，确定在各个所分出区域中测量到的累积曝光能量是否高于基准曝光能量，并且
当测量到的累积曝光能量高于所述基准曝光能量时，通过关闭所述数字微镜器件的用于对所述分出区域进行曝光的导通像素中的一部分像素，来使得所述无掩模曝光部的累积曝光能量与所述基准曝光能量一致。
13.根据权利要求12所述的无掩模曝光方法，其中，所述分出区域中的每一个都是导通的数字微镜器件的一个像素，并且
在使得所述累积曝光能量与所述基准曝光能量一致时，关闭所述数字微镜器件的用于对相应分出区域进行曝光的导通像素中的一部分像素，以使得所述累积曝光能量与所述基准曝光能量一致。
14.根据权利要求3所述的无掩模曝光方法，其中，所述数字微镜器件设置有用于反射从所述光源投射的光的多个像素，
其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
从所述无掩模曝光部投射由所述数字微镜器件的所述多个像素的选择性导通而形成的图案光；
测量从所述无掩模曝光部投射的所述图案光的强度；
利用测量到的光强度产生能够关闭所述数字微镜器件的导通像素中的一部分的空白图像；以及
通过根据所产生的空白图像来关闭所述数字微镜器件的导通像素中的一部分，利用所述无掩模曝光部对预定物体进行曝光。
15.根据权利要求14所述的无掩模曝光方法，其中，在所述无掩模曝光部设置有多个的情况下，通过使所述空白图像在各个扫描区域的边界部分交叠来利用各个无掩模曝光部执行曝光。
16.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
测量所述无掩模曝光部与物体之间的工作距离；
确定测量到的工作距离是否在基准工作距离内；
当测量到的工作距离不在基准工作距离内时，通过仅移动所述无掩模曝光部的多阵列透镜并控制焦点来利用所述无掩模曝光部对所述物体进行曝光。
17.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，所述无掩模曝光部设置有多个，并且
其中，所述无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
将台设置于所述多个无掩模曝光部的下部，在所述台上能够放置要曝光的物体；
利用所述多个无掩模曝光部对所述台进行扫描；
将各个无掩模曝光部扫描的所述台的迹线细分为多个位置，并在所述多个细分位置提取各个无掩模曝光部的焦距；
将要曝光的所述物体放置于所述台上；以及
利用所述多个无掩模曝光部在保持在所述多个细分位置提取的焦距的同时对所述物体进行曝光。
18.根据权利要求17所述的无掩模曝光方法，其中，利用所述多个无掩模曝光部在保持在所述多个细分位置提取的焦距的同时对所述物体进行曝光的步骤是如下的步骤：在通过宏驱动设置在所述物体放置于其上的所述台中的台校平电机、并利用驱动所述多阵列透镜的致动器进行微驱动来保持所提取的焦距的同时，利用所述多个无掩模曝光部对所述物体进行曝光。
19.根据权利要求1所述的无掩模曝光方法，其中，该无掩模曝光方法在移动并对准所述多阵列透镜或所述空间光调制器以校正所述未对准误差的步骤之后还包括以下步骤：
在所述无掩模曝光部中产生具有至少两个交叠连续图案的光；以及
形成交叠的曝光图案的步骤，该步骤通过利用在所述无掩模曝光部中产生的交叠图案对玻璃进行曝光，在玻璃上形成交叠的曝光图案。
20.根据权利要求19所述的无掩模曝光方法，其中，在形成交叠的曝光图案的步骤中，通过利用所述无掩模曝光部对所述玻璃扫描与所述连续图案的数量相等的次数，来形成所述交叠的曝光图案。
CN2008800239532A 2007-07-10 2008-06-25 无掩模曝光方法 Active CN101790775B (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0069238 2007-07-10
KR1020070069282A KR101234932B1 (ko) 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법
KR10-2007-0069282 2007-07-10
KR1020070069238A KR101374954B1 (ko) 2007-07-10 2007-07-10 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법
KR1020070073431A KR101353810B1 (ko) 2007-07-23 2007-07-23 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의 제조 방법
KR10-2007-0073431 2007-07-23
KR10-2007-0099194 2007-10-02
KR1020070099194A KR101347410B1 (ko) 2007-10-02 2007-10-02 마스크리스 노광 장치와 방법
PCT/KR2008/003632 WO2009008605A2 (en) 2007-07-10 2008-06-25 Maskless exposure method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101790775A CN101790775A (zh) 2010-07-28
CN101790775B true CN101790775B (zh) 2012-05-30

Family

ID=40229236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800239532A Active CN101790775B (zh) 2007-07-10 2008-06-25 无掩模曝光方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8363209B2 (zh)
JP (1) JP5597535B2 (zh)
CN (1) CN101790775B (zh)
WO (1) WO2009008605A2 (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101678050B1 (ko) * 2009-11-16 2016-12-07 삼성전자 주식회사 오프 액시스 정렬을 이용한 마스크리스 노광 장치 및 방법
KR20110072630A (ko) * 2009-12-23 2011-06-29 삼성전자주식회사 빔의 위치 측정 장치 및 방법
KR101678070B1 (ko) * 2009-12-24 2016-11-22 삼성전자 주식회사 마스크리스 노광장치 및 그 제어방법
JP2011237684A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101899781B1 (ko) * 2010-12-28 2018-09-21 엘지디스플레이 주식회사 노광장치
KR101929906B1 (ko) * 2010-12-28 2018-12-18 엘지디스플레이 주식회사 노광장치 및 노광장치의 정렬 방법
US9690210B2 (en) * 2011-08-18 2017-06-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102662313B (zh) * 2012-05-09 2016-03-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻对准参数预测方法以及光刻方法
KR102015844B1 (ko) * 2012-11-08 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법
KR102024785B1 (ko) * 2012-11-23 2019-09-24 엘지디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치의 얼라인 방법
KR102020934B1 (ko) * 2012-12-07 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치의 얼라인 방법
KR101984898B1 (ko) 2012-12-27 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치
KR102120624B1 (ko) 2013-04-04 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 Glv를 이용한 디지털 노광기 및 dmd를 이용한 디지털 노광기
KR102171301B1 (ko) * 2013-07-09 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 Dmd를 이용한 디지털 노광기 및 그 제어 방법
KR102151254B1 (ko) * 2013-08-19 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 노광장치 및 그 방법
US9992460B2 (en) 2013-11-03 2018-06-05 Dolby Laboratories Licensing Corporation Systems and methods for local dimming in multi-modulation displays
CN105527795B (zh) 2014-09-28 2018-09-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光装置及离焦倾斜误差补偿方法
KR20160115682A (ko) * 2015-03-25 2016-10-06 삼성전자주식회사 대상에 대하여 공간적으로 가변하는 오토 포커싱을 가능하게 하는 방법 및 이를 이용하는 촬상 시스템
CN104950593B (zh) * 2015-06-10 2017-04-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于定位dmd光刻系统中相机焦平面位置的分划板
CN104950592B (zh) * 2015-06-10 2017-02-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 校准dmd光刻系统中投影镜头焦面和相机焦面位置的方法
KR20170105247A (ko) 2016-03-09 2017-09-19 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 광량의 측정 방법
CN106023069B (zh) * 2016-05-31 2019-04-16 西安嵌牛电子科技有限公司 一种基于视频流的多dmd曝光方法
CN106647184B (zh) * 2016-12-31 2019-06-14 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种直写式丝网制版设备的曝光方法
JP2019028331A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
KR101985857B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-04 주식회사 리텍 노광 광학계에서 dmd를 정렬하기 위한 장치
JP7111348B2 (ja) * 2018-06-15 2022-08-02 ミタニマイクロニクス株式会社 スクリーンマスクの製造方法
US10503076B1 (en) 2018-08-29 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Reserving spatial light modulator sections to address field non-uniformities
CN109782552A (zh) * 2019-02-25 2019-05-21 钧迪智能装备科技(苏州)有限公司 一种弧形工件激光直接曝光设备
CN109739073A (zh) * 2019-02-25 2019-05-10 钧迪智能装备科技(苏州)有限公司 一种弧形工件激光直写曝光方法
KR101985859B1 (ko) * 2019-02-28 2019-06-05 주식회사 리텍 노광 광학계에서 dmd를 정렬하기 위한 장치 및 그 방법
EP3926403A1 (en) * 2020-06-17 2021-12-22 Mycronic Ab Maskless second layer alignment method and apparatus
JPWO2023282205A1 (zh) * 2021-07-05 2023-01-12
KR20240019296A (ko) * 2021-07-12 2024-02-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 배선 패턴 형성 방법
CN114200781B (zh) * 2021-12-13 2023-01-06 南京大学 一种无掩膜光刻校准方法
WO2023205093A1 (en) * 2022-04-19 2023-10-26 Applied Materials, Inc. Digital lithography apparatus with autofocus position control and methods of use thereof
CN116482927B (zh) * 2023-04-26 2024-02-20 江苏镭创高科光电科技有限公司 一种胶片运动曝光装置与方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922550A (zh) * 2004-02-25 2007-02-28 麦克罗尼克激光系统公司 在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5576829A (en) * 1990-10-08 1996-11-19 Nikon Corporation Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask
US6061606A (en) * 1998-08-25 2000-05-09 International Business Machines Corporation Geometric phase analysis for mask alignment
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
EP1107064A3 (en) * 1999-12-06 2004-12-29 Olympus Optical Co., Ltd. Exposure apparatus
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
JP2004111579A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4057937B2 (ja) * 2003-03-25 2008-03-05 富士フイルム株式会社 露光装置
JP2004327660A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20040239901A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
JP2005022250A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録方法及び画像記録装置
JP2007501430A (ja) * 2003-08-04 2007-01-25 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット Ｐｓｍ位置調整方法及び装置
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
JP2005189714A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2005202095A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd マルチビーム露光装置
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7164465B2 (en) * 2004-07-13 2007-01-16 Anvik Corporation Versatile maskless lithography system with multiple resolutions
US7411657B2 (en) * 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006261155A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2006309194A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録方法及び装置
JP2006276696A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 描画ずれ測定方法、露光方法、目盛パターン、目盛パターン描画方法、および目盛パターン描画装置
JP2006337878A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 露光装置及び露光方法
JP2007052214A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Nikon Corp 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2008233343A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Advanced Mask Inspection Technology Kk 試料検査装置、補正画像生成方法及びプログラム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922550A (zh) * 2004-02-25 2007-02-28 麦克罗尼克激光系统公司 在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5597535B2 (ja) 2014-10-01
CN101790775A (zh) 2010-07-28
US20100208229A1 (en) 2010-08-19
US8363209B2 (en) 2013-01-29
WO2009008605A2 (en) 2009-01-15
JP2010533310A (ja) 2010-10-21
WO2009008605A3 (en) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101790775B (zh) 无掩模曝光方法
KR101240130B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법, 및 마이크로 디바이스 제조 방법
TW440749B (en) Optical exposure apparatus of scanning exposure system and its exposing method
US8662676B1 (en) Automatic projector calibration
JP2010533310A5 (zh)
CN209297103U (zh) 数字化双面光刻或曝光系统
US20020025482A1 (en) Exposure method
CN1573576A (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN1595300B (zh) 衬底曝光方法和光刻投影设备
CN105652607A (zh) 一种用于数字光刻系统的光强不均匀性测量与校正方法
JPH06260391A (ja) 露光方法
JP6882091B2 (ja) 露光装置及び物品の製造方法
CN108073043A (zh) 一种直写式丝网制版系统的光均匀性补偿方法
KR101234932B1 (ko) 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의제조 방법
KR20190100974A (ko) 안티-블레이즈드 dmd를 이용한 해상도 향상 디지털 리소그래피
US7564535B2 (en) Seamless exposure with projection system comprises array of micromirrors with predefined reflectivity variations
JPH07105323B2 (ja) 露光方法
CN109085740A (zh) 一种数字光刻系统光强不均匀度的测定及校正方法
CN1695096A (zh) 位置检测方法和表面形状估算方法、曝光装置及采用该曝光装置的器件制造方法
JP2004233893A (ja) 投影露光装置、投影露光方法、被露光部材の製造方法、被露光部材および半導体デバイス
CN114815012B (zh) 一种基于数字微透镜器件的多聚焦透镜阵列制作方法
JP4897432B2 (ja) 露光方法及び露光装置
KR101353810B1 (ko) 마스크리스 노광 장치와 방법, 및 평판 디스플레이 패널의 제조 방법
KR20180040316A (ko) 광학 3d 스캐너
JP2001313241A (ja) 露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant