KR102015844B1 - 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법 - Google Patents

마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102015844B1
KR102015844B1 KR1020120126182A KR20120126182A KR102015844B1 KR 102015844 B1 KR102015844 B1 KR 102015844B1 KR 1020120126182 A KR1020120126182 A KR 1020120126182A KR 20120126182 A KR20120126182 A KR 20120126182A KR 102015844 B1 KR102015844 B1 KR 102015844B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
slit hole
slit
exposure beam
maskless
Prior art date
Application number
KR1020120126182A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140059913A (ko
Inventor
김기준
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120126182A priority Critical patent/KR102015844B1/ko
Publication of KR20140059913A publication Critical patent/KR20140059913A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102015844B1 publication Critical patent/KR102015844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

Abstract

본 발명은 마스크리스 노광장비에 관한 것으로, 특히 크로스토크(crosstalk)를 감지할 수 있는 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 마스크리스 노광장비의 일측에 빔 위치 측정부를 더욱 구비하여, 마스크리스 노광장비를 셋업(setup)한 후, 또는 노광공정 전, 후에 기판 상에 조사되는 노광빔의 위치 및 사이즈 등을 수시로 검사함으로써, 마스크 없이 원하는 패턴 형상으로 기판 상의 포토레지스트를 노광할 수 있는 동시에 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 반영한 노광빔의 위치를 신속하게 측정할 수 있다.
이를 통해, 마스크리스 노광공정의 노광빔의 크로스토크 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 설계된 회로패턴과 정밀하게 일치하는 패턴을 형성할 수 있다.

Description

마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법{Maskless lithographic apparatus and inspecting method of crosstalk using the same}
본 발명은 마스크리스 노광장비에 관한 것으로, 특히 크로스토크(crosstalk)를 감지할 수 있는 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
한편, 이 같은 평판표시장치 제조공정에는 기판 표면에 소정물질의 박막층을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo lithography)공정, 박막의 노출된 부분을 제거하여 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각(etching) 공정이 수 차례 반복 포함되며, 그 외에도 세정과 절단 등의 수많은 공정이 수반된다.
여기서 포토리소그라피 공정은 박막이 증착된 기판 상에 포토레지스트(photo-resist, 이하 PR이라 함)를 도포 한 후, 목적하는 형태의 패턴이 형성된 마스크(mask)를 대면시켜 노광(exposing) 및 현상(developing)함으로써, 마스크의 패턴과 동일한 형상의 PR 패턴을 형성하는 것이다.
그러나, 이러한 노광공정은 그 공정이 매우 까다롭고 복잡하여 긴 제조시간을 필요로 하고 높은 제조비용을 요하게 되며, 특히, 최근 고해상도의 표시장치가 요구됨에 따라 고해상도의 미세회로 패턴을 노광하기 위한 마스크의 제작비용 및 관리비용 또한 증가하게 되므로, 마스크 방식 노광공정의 제조비용은 기하급수적으로 증가하게 된다.
따라서, 최근에는 마스크 방식의 문제점을 해결하기 위해, 최근에는 마스크제작비용이 들지 않으며, 초미세회로를 구현할 수 있는 마스크리스(maskless) 노광공정이 부각되고 있는 추세이다.
마스크리스 노광공정은 DMD(Digital Micro-mirror Device)을 이용하여 제어신호로 만들어진 패턴 정보를 가지고, DMD의 다수의 마이크로 미러가 일정한 각도를 가지고 입사되는 빔을 원하는 각도로 보내고, 그 외의 빔은 다른 각도로 보냄으로써 필요한 빔만을 이용하여 기판에 전사시키는 방식을 통해 패턴을 노광한다.
여기서, DMD를 이용한 마스크리스 노광장비에서는 화상 데이터 등에 따라 생성한 제어신호에 기초하여 DMD의 마이크로 미러(micro mirror) 각각을 온/오프 제어해서 노광빔을 변조하고, 변조된 노광빔을 노광 면상에 조사하여 패턴을 노광하게 되는데, 기판 상에 고정밀도의 미세회로 패턴을 노광하는 경우, 마이크로 미러의 반사면의 각도 오차에 따라, 설계된 회로패턴에 정밀하게 일치하지 않을 수 있다.
즉, 각각의 마이크로 미러에 의해 투영되는 노광빔은 제어신호에 기초하여 일정한 위치의 기판 상에 조사되어야 하나, 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차에 의해 노광빔의 위치 오차가 발생하게 되고, 이를 통해 원하지 않는 노광빔이 이웃한
빔스폿의 위치로 침범하는 현상이 발생하게 된다.
이를 노광빔의 크로스토크(crosstalk) 불량이라 정의하도록 하겠다.
이러한 현상에 의해 생기는 입사광 개별 빔스폿의 강도분포 변화로 인해 , 명암의 모양인 간섭 무늬를 발생 시키기도 하며, 이러한 현상은 최종적으로 원하지않는 위치에 이미지를 형성하는 이른바, 고스트(ghost) 이미지 발생을 유발하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 마스크 없이 원하는 패턴 형상으로 기판 상의 포토레지스트를 노광할 수 있는 동시에 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 반영한 노광빔의 위치를 신속하게 측정하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다.
이를 통해, 마스크리스 노광공정의 노광빔의 크로스토크 불량이 발생하는 것을 방지하고자 하는 것을 제 2 목적으로 하며, 설계된 회로패턴과 정밀하게 일치하는 패턴을 형성하고자 하는 것을 제 3 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 스테이지 상부에 위치하며, 복수의 마이크로 미러를 포함하는 DMD(digital micro-mirror device)를 통해 상기 기판 상으로 노광빔을 조사하는 노광헤드부와; 상기 스테이지의 일측에 위치하며, 상기 노광빔의 간섭량을 검출하는 슬릿마스크와, 상기 슬릿마스크에 의해 검출되는 상기 노광빔의 광량 신호를 검출하는 카메라를 포함하여, 상기 노광빔의 간섭에 의한 크로스토크(crosstalk)와 벡터량을 산출하는 빔 위치 측정부를 포함하는 마스크리스(maskless) 노광장비를 제공한다.
이때, 상기 슬릿마스크는 상기 노광헤드부의 노광유효영역에 대응되는 사이즈를 가지며, 상기 슬릿마스크 상에는 그룹 형태로 각 구역 별로 배치되며, 상기 슬릿마스크의 두께를 가지는 개구부로 이루어지는 오프슬릿홀(off slit hole)과 크롬(Cr)막에 의해 막힌 온슬릿홀(on slit hole)이 형성되어 있으며, 상기 오프슬릿홀은 상기 온슬릿홀과 이웃하여 위치한다.
그리고, 상기 오프슬릿홀과 상기 온슬릿홀은 열과 행방향으로 서로 교대로 형성되며, 상기 카메라는 상기 온슬릿홀로 조사되는 상기 노광빔의 간섭에 의해 상기 오프슬릿홀을 통해 광량 신호를 검출한다.
또한, 상기 광량 신호를 통해 상기 노광빔의 간섭량을 산출하여, 상기 노광빔의 위치 및 사이즈를 판단하며, 상기 벡터량은 상기 노광빔의 간섭량을 위치별로 측정하여 산출한다.
또한, 상기 크로스토크 불량과 상기 벡터량을 통해 상기 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 산출하며, 상기 오프슬릿홀과 상기 온슬릿홀의 크기는 상기 노광빔에 의해 형성되는 빔스폿 보다 크다.
그리고, 상기 카메라는 이동부에 장착되며, 상기 노광헤드부는 상기 마이크로 미러로 노광빔을 제공하는 광원과, 상기 마이크로 미러에 의해 반사된 상기 노광빔을 빔스폿 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판 상에 전달하는 노광 광학계를 포함한다.
또한, 상기 노광 광학계는 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array : 231), 스페셜 필터(special filter : 233) 그리고 프로젝션 렌즈(projection lens : 235)를 포함한다.
또한, 본 발명은 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 스테이지 상부에 위치하며, 복수의 마이크로 미러를 포함하는 DMD(digital micro-mirror device)를 통해 상기 기판 상으로 노광빔을 조사하는 노광헤드부와; 상기 스테이지의 일측에 위치하며, 상기 노광빔의 간섭량을 검출하는 슬릿마스크와, 상기 슬릿마스크에 의해 검출되는 상기 노광빔의 광량 신호를 검출하는 카메라를 포함하는 빔 위치 측정부를 포함하며, 그룹 형태로 각 구역 별로 배치되며, 상기 슬릿마스크의 두께를 가지는 개구부로 이루어지는 오프슬릿홀(off slit hole)과 크롬(Cr)막에 의해 막힌 온슬릿홀(on slit hole)이 형성되어 있으며, 상기 오프슬릿홀은 상기 온슬릿홀과 이웃하여 위치하는 마스크리스(maskless) 노광장비를 이용한 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법에 있어서, 상기 노광빔을 상기 온슬릿홀에 대응하여 조사하는 단계와; 상기 카메라를 이용하여 상기 온슬릿홀로 조사한 노광빔의 간섭에 의한 상기 오프슬릿홀의 광량 신호를 검출하는 단계와; 상기 광량 신호를 통해 상기 노광빔의 간섭량을 산출하는 단계를 포함하는 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법을 제공한다. .
이때, 상기 노광빔의 간섭량을 통해, 상기 노광빔의 위치 및 사이즈를 판단하며, 상기 노광빔의 간섭량을 위치별로 측정하여, 상기 노광빔의 벡터량을 산출한다.
그리고, 상기 노광빔의 간섭량을 통해, 상기 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 산출한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 마스크리스 노광장비의 일측에 빔 위치 측정부를 더욱 구비하여, 마스크리스 노광장비를 셋업(setup)한 후, 또는 노광공정 전, 후에 기판 상에 조사되는 노광빔의 위치 및 사이즈 등을 수시로 검사함으로써, 마스크 없이 원하는 패턴 형상으로 기판 상의 포토레지스트를 노광할 수 있는 동시에 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 반영한 노광빔의 위치를 신속하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
이를 통해, 마스크리스 노광공정의 노광빔의 크로스토크 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 설계된 회로패턴과 정밀하게 일치하는 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장비를 개략적으로 도시한 정면도.
도 2는 도 1의 마스크리스 노광장비에 의한 빔스폿 어레이를 나타낸 평면도.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 빔 위치 측정부를 개략적으로 도시한 사시도.
도 3b는 도 3a의 슬릿마스크를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4a ~ 4b는 본 발명의 실시예에 의한 빔 위치 측정부에서 노광빔의 위치를 측정하는 원리를 설명한 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장비를 개략적으로 도시한 정면도이며, 도 2는 도 1의 마스크리스 노광장비에 의한 빔스폿 어레이를 나타낸 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장비(100)는 크게 하나 이상의 노광헤드부(200)와, 처리대상물인 기판(111)을 이동시키는 스테이지(120)를 포함한다.
여기서, 처리대상물인 기판(111) 상에는 패턴 형성 재료 즉, 포토레지스트가 도포된 상태이며, 이러한 기판(111)은 스테이지(120) 상에 안착된 상태로 도면상으로 정의한 Y축 방향으로 왕복 이동 가능하다.
이러한 기판(111) 상부에는 포토레지스트를 노광하기 위한 노광헤드부(200)가 위치하며, 각 노광헤드부(200)는, 노광빔(L)을 제공하는 광원(210), 광원(210)으로부터 제공된 노광빔(L)을 노광 패턴에 따라 변조하는 디지털 마이크로 미러 디바이스(digital micro-mirror device : DMD, 220), DMD(220)로부터 전달된 변조된 노광빔(L)을 빔스폿 어레이(beam spot array : 240) 형태로 기판(111) 상에 전달하는 노광 광학계(230)를 포함한다.
광원(210)은 반도체 레이저 또는 자외선 램프 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, DMD(220)는 SRAM 셀 과 같은 메모리 셀과, 메모리 셀 상에 매트릭스 타입으로 배열된 다수의 마이크로 미러를 포함하여 이루어지는데, 일예로 마이크로 미러는 1024개 × 768개로 배열될 수 있으며, 각 마이크로 미러의 표면에는 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료가 증착되어 있다.
여기서, 마이크로 미러의 반사율은 약 90%이상인 것이 바람직하며, 그 배열 간격은 세로방향과 가로방향으로 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 일예로 배열 간격은 약 13.7㎛을 가질 수 있다. 이러한 마이크로 미러는, 힌지(hinge) 등의 지지부에 의해 메모리 셀 상에 배치된다.
이러한 DMD(220)는 메모리 셀에 디지털신호가 인가되면, 지지부에 의해 지지된 마이크로 미러가 메모리 셀 표면에 대하여 ±α도(예를 들면 ±12도)의 범위에서 기울어지게 된다. 따라서, 노광 패턴의 정보에 따라 DMD(220)를 구성하는 마이크로 미러의 경사를 제어하게 됨으로써, DMD(220)에 입사하는 노광빔(L)은 각각의 마이크로 미러의 경사에 따라 특정한 방향으로 반사되게 된다.
DMD(220)를 구성하는 각각의 마이크로 미러의 온/오프(on/off) 상태는 외부의 제어부(미도시)에 의해 제어될 수 있다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 일예로 마이크로 미러가 +α도로 경사져 있을 경우 노광빔(L)은 마이크로 미러에 반사되어 노광 광학계(230)를 향하게 되고, 이러한 상태를 온(on) 상태라고 한다. 반대로, 마이크로 미러가 -α도로 경사져 있을 경우 노광빔(L)은 마이크로 미러에 반사되어 광흡수체(미도시)로 향하게 되고, 이러한 상태를 오프(off) 상태라고 한다.
이러한 DMD(220)로부터 반사된 노광빔(L)은 노광 광학계(230)로 전달되어 빔스폿 어레이(240) 형태로 기판(111) 상에 조사되는데, 노광 광학계(230)는 노광빔(L)이 지나가는 경로를 따라 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array : 231), 스페셜 필터(special filter : 233) 그리고 프로젝션 렌즈(projection lens : 235)를 포함한다.
마이크로 렌즈 어레이(231)는 DMD(220)의 마이크로 미러에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈가 2차원으로 배열되어서 이루어지는데, DMD(220)가 1024개×768개의 마이크로 미러로 이루어져 있는 경우, 이에 대응하여 마이크로 렌즈도 1024개 × 768개가 배치된다.
이러한 마이크로 렌즈는 배열 간격 또한 DMD(220)의 마이크로 미러의 배열 간격과 대응된다.
이러한 마이크로 렌즈 어레이(231)는 DMD(220)로부터 반사된 노광빔(L)을 복수개의 광들로 분리하여 집광시키는 역할을 한다.
스페셜 필터(233) 또한 마이크로 렌즈 어레이(231)의 마이크로 렌즈에 대응하여 다수의 핀홀이 마이크로 렌즈의 초점면에 2차원적으로 배열된 것으로, 핀홀은 마이크로 렌즈를 통해 포커싱된 빔스폿(241)의 크기를 일정한 크기로 정형화하거나 광학계에서 발생한 잡광(noise)를 차단하는 역할을 한다.
그리고, 프로젝션 렌즈(235)는 마이크로 렌즈 어레이(231)에서 집광된 노광빔(L)들의 해상도를 조정하여 투과시키는 역할을 한다. 예를 들어 마이크로 렌즈 어레이(231)의 초점면에 형성된 다수의 빔스폿(241)을 예를 들어 약 1 배로 기판(111) 상에 결상한다.
여기서, DMD(220) 및 마이크로 렌즈 어레이(231)를 포함하는 노광헤드부(200)는 기판(111)의 스캔방향 즉, 도면상으로 정의한 Y축 방향에 대해 소정의 정렬각으로 기울어져 배치되는 것이 바람직하다.
즉, 노광헤드부(200)의 배치 각도에 의존하는 빔스폿 어레이(240)의 배열 방향(Y')은 스캔 방향(Y축 방향)에 대하여 소정의 정렬각(θ)으로 기울어져 배치될 경우, 마스크리스 노광장비(100)의 해상도(resolution)를 높일 수 있다.
이때, 마이크로 렌즈 어레이(231)의 초점면에 포커싱되는 노광빔(L)은 원형 또는 타원 형상을 가지게 된다.
이러한 노광빔(L)이 스페셜 필터(233)와 프로젝션 렌즈(235)를 거쳐 기판(111) 상에 결상된 것을 도 2에 도시한 바와 같이 빔스폿 어레이(beam spot array)(240)라고 하며, 빔스폿 어레이(240)는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 빔스폿(241)으로 이루어진다.
즉, DMD(220)에 의해 기판(111) 상에 다수의 빔스폿(241)으로 이루어진 빔스폿 어레이(240)가 형성된다. 빔스폿 어레이(240)의 빔스폿(241)은 DMD(220)의 마이크로 미러 및 마이크로 렌즈 어레이(231)의 마이크로 렌즈에 대응한다. 따라서, DMD(220), 마이크로 렌즈 어레이(231) 및 빔스폿 어레이(240)는 모두 실질적으로 동일한 배열 방향(Y')을 가진다.
본 발명의 실시예에 있어서, DMD(220)가 M 열(column)× N 행(row)의 마이크로 미러로 이루어져 있는 경우, 빔스폿 어레이(240)도 M 열 × N 행의 마이크로 렌즈로 이루어진다. 이때, 빔스폿(241)은 가로 및 세로 방향으로 동일한 간격(D)으로 이격되어 배치될 수 있다.
일예로, 빔스폿(241)의 배열 간격은 약 55㎛이고, 빔스폿(241)은 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 약 2.5㎛인 가우시안 분포를 가지는 원형 형성을 가질 수 있다.
그리고, 빔스폿 어레이(240)의 배열방향(Y'은 기판(111)의 스캔방향(Y)에 대하여 소정의 정렬각(θ)을 이루도록 스테이지(120) 또는 노광헤드부(200)가 회전되어, 기판(111)이 스캔 방향(Y)을 따라 움직이는 동안 빔스폿(241)이 기판(111) 상에 결상되는 영역을 따라 스캔라인(243)이 형성된다.
따라서, 스캔방향(Y)과 배열방향(Y')이 소정의 정렬각(θ)을 이루고 배치되면, 빔스폿(241)의 간격(D)은 그대로 유지되지만 이웃하는 스캔라인(243) 간의 거리(A)는 줄어들게 된다. 따라서, 마스크리스 노광장비(100)의 해상도(resolution)를 높이게 된다.
여기서, 본 발명의 실시예에서는 DMD(220)와 마이크로 렌즈 어레이(231)가 1024개 × 768개로 배열되며, 프로젝션 렌즈(235)의 배율을 1배인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 DMD(220)와 마이크로 렌즈 어레이(231)의 배열 및 프로젝션 렌즈(235)의 배율은 원하는 빔스폿(241)의 크기, 노광할 패턴의 최소 형상 사이즈(minimum feature size), 및 노광 장치(100)에서 사용할 노광헤드부(200)의 개수에 따라 최적의 배율 조합을 도출할 수 있다.
그리고, 본 발명의 실시예에서는 기판(111)이 안착된 스테이지(120)가 노광헤드부(200)에 대하여 이동하는 것을 일예로 하였으나, 이에 한정되지 않으며 스테이지(120)는 고정되고 노광헤드부(200)가 이동할 수도 있다. 나아가, 스테이지(120) 및 노광헤드부(200)가 모두 이동할 수도 있다.
또한, 하나의 노광헤드부(200)가 기판(111) 상에 배치되어 있는 것을 일예로 하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다수의 노광헤드부(200)가 스테이지(120)의 스캔 방향(Y)에 대하여 수직으로 배열됨으로써 공정 시간을 단축시킬 수 있다.
따라서, 이러한 마스크리스 노광장비(100)는 노광헤드부(200)의 광원(210)에서 노광빔(L)을 출사하고, DMD(220)에서 광원(210)에서 출사된 노광빔(L)을 적어도 둘 이상의 연속적인 중첩된 패턴들을 갖는 노광빔(L)으로 반사시킨다.
그리고, DMD(220)에 반사된 노광빔(L)을 마이크로 렌즈 어레이(231)에서 복수개의 노광빔(L)으로 분리하여 집광시키고, 스페셜 필터(233)와 프로젝션 렌즈(235)는 마이크로 렌즈 어레이(231)에서 집광된 노광빔(L)들의 해상도를 조정하여 투과시킴으로써, 기판(111) 상의 포토레지스트를 원하는 형태로 노광할 수 있는 것이다.
특히, 본 발명의 실시예에 마스크리스 노광장비(100)는 노광헤드부(200)에서 기판(111) 상에 조사되는 노광빔(L)의 위치를 측정하기 위한 빔 위치 측정부(300)가 스테이지(120)의 일측에 설치되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 마스크리스 노광장비(100)는 마스크리스 노광장비(100)를 셋업(setup)한 후, 또는 노광공정 전, 후에 빔 위치 측정부(300)를 통해 기판(111) 상에 조사되는 노광빔(L)의 위치 및 사이즈 등을 수시로 검사하는 모니터링 산출 시스템을 포함한다.
이때 획득한 데이터를 통해 노광빔(L)을 기판(111) 상에 조사하여 패턴이 형성되도록 할 때 반영되도록 함으로써, 노광빔(L)의 크로스토크(crosstalk) 불량이 발생하지 않고, 기판(111) 상에 원하는 패턴이 형성되도록 할 수 있다.
빔 위치 측정부(300)는 스테이지(120)에 고정되거나 또는 분리되게 설치된 슬릿마스크(310)와 슬릿마스크(310)에 천공된 검출용 슬릿홀(330, 도 3a 참조)을 통해 노광헤드부(200)의 DMD(220)에서 투영되는 노광빔(L)의 광량 신호를 검출하는 카메라(320)로 이루어진다.
이에 대해 도 3a ~ 3b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 빔 위치 측정부를 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 3b는 도 3a의 슬릿마스크를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 노광헤드부(200) 하부로 빔 위치 측정부(300)가 위치하는데, 빔 위치 측정부(300)는 슬릿마스크(310)와 슬릿마스크(310)를 투과하는 노광빔(도 1의 L)의 광량 신호를 검출하기 위한 카메라 그리고 제어부를 포함한다.
슬릿마스크(310)는 마스크리스 노광장비(도 1의 100)의 스테이지(도 1의 120)의 일측에 고정되거나 또는 분리되어 설치되며, 하나의 노광헤드부(200)의 유효노광영역에 대응되는 사이즈로 이루어진다.
여기서, 슬릿마스크(310)는 석영유리판에 차광용 얇은 크롬(Cr)막(311)이 형성되어 있으며, 이러한 크롬막(311)의 소정 복수 위치에 복수의 검출용 슬릿홀(330)이 형성되어 있다.
이때, 슬릿마스크(310)에 형성된 검출용 슬릿홀(330)은 그룹 형태로 각 구역(C) 별로 배치되며, 각 구역(C) 별로 배치된 검출용 슬릿홀(330)의 구조는 기판(도 1의 111) 상에 조사되는 빔스폿(도 2의 241)의 구조와 동일하게 형성된다.
여기서, 각 구역(C) 별로 배치된 검출용 슬릿홀(330) 중 일부 검출용 슬릿홀(330)은 슬릿마스크(310)가 천공되어 슬릿마스크(310)의 두께를 가지는 원 모양의 개구부로 이루어지며, 나머지 검출용 슬릿홀(330)은 크롬막(311)에 의해 막혀 있다.
즉, 각 구역(C) 별로 배치된 복수개의 검출용 슬릿홀(330)은 개구부로 이루어지는 오프(off)슬릿홀(331)과 크롬막(311)에 의해 막혀있는 온(on)슬릿홀(333)로 나뉘어 구분될 수 있는데, 이러한 오프슬릿홀(331)과 온슬릿홀(333)은 각각 각각 DMD(도 1의 220)의 마이크로 미러에 대응하여 위치한다.
그리고, 오프슬릿홀(331)은 온슬릿홀(333)과 이웃하여 위치하게 되는데, 즉, 하나의 오프슬릿홀(331)의 주변으로는 다수개의 온슬릿홀(333)만이 위치하여 형성된다.
이러한 검출용 슬릿홀(330)은 노광공정 시 기판(도 1의 111)에 조사되는 노광빔(도 1의 L)에 의해 형성되는 빔스폿(241)의 크기 보다 크게 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 빔스폿(241)의 반지름은 r값을 가지며, 검출용 슬릿홀(330)은 지름 D값을 가질 때, 검출용 슬릿홀(330)의 D 값은 r값의 2배보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
이를 통해, 검출용 슬릿홀(330)과 노광빔(도 1의 L)에 의해 형성되는 빔스폿(241)의 구별력을 향상시켜, 보다 정확하게 노광빔(도 1의 L)의 위치 오차를 파악할 수 있다. 또한, 노광빔(도 1의 L)의 방향 위치 또한 손쉽게 파악할 수 있다.
그리고, 이러한 슬릿마스크(310) 하부에 위치하는 카메라(320)는 스테이지(도 1의 120)에 고정되거나 또는 분리되어 설치될 수 있으며, 이동부(도 1의 330)를 통해 슬릿마스크(310)의 하부에서 자유로이 이동가능하다.
카메라(320)는 슬릿마스크(310)의 검출용 슬릿홀(330)을 통과한 노광빔(도 1의 L)을 촬상하여 광량 신호를 검출하게 되며, 검출된 광량 신호는 제어부(미도시)로 전달되어 제어부(미도시)에 의해 노광빔(도 1의 L)에 의한 간섭량을 산출하게 된다.
또한, 카메라(320)를 통해 검출된 신호의 강도나 편광 방향을 변화시킴으로써, 화상 관찰을 할 수도 있다.
즉, 마스크리스 노광장비(도 1의 100)는 DMD(도 1의 220)의 마이크로 미러의 각도 오차에 의해 노광빔(도 1의 L)의 위치 오차가 발생하게 되고, 이를 통해 이웃하는 노광빔(도 1의 L)이 서로 간섭되어 조사되는 문제점이 발생하게 되는 것이다.
따라서, 본 발명의 마스크리스 노광장비(도 1의 100)는 노광공정을 진행하기 전 또는 진행 후, 빔 위치 측정부(300)를 통해 기판(도 1의 111) 상에 조사되는 노광빔(도 1의 L)의 위치 및 사이즈 등을 수시로 검사하여, 이를 노광빔(도 1의 L)을 기판(도 1의 111) 상에 조사하여 패턴이 형성되도록 할 때 반영되도록 하는 것이다.
이를 통해, 노광빔(도 1의 L)의 크로스토크(crosstalk) 불량이 발생하지 않고, 기판(도 1의 111) 상에 원하는 패턴이 형성되도록 할 수 있다.
여기서, 도 4a ~ 4b를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 빔 위치 측정부에서 노광빔(L)위 위치를 측정하는 원리에 대해 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 4a ~ 4b는 본 발명의 실시예에 의한 빔 위치 측정부에서 노광빔의 위치를 측정하는 원리를 설명한 도면이다.
여기서, 원은 슬릿마스크(도 3a의 310) 상에 형성된 검출용 슬릿홀(330)을 나타내며, 검출용 슬릿홀(330)은 오프슬릿홀(331)과 온슬릿홀(333)로 구분된다. 그리고, 검은 색 점은 온스릿홀(333)로 조사되는 노광빔(도 1의 L)에 의한 간섭량을 나타낸다.
도시한 바와 같이, 슬릿마스크(도 3a의 310) 상에는 다수의 구역(C)이 나뉘어 정의되며, 각 구역(C) 별로 복수개의 검출용 슬릿홀(330)이 일정간격 이격하여 위치한다.
이때, 개구부로 이루어지는 오프슬릿홀(331)은 크롬(311)에 의해 막혀있는 온슬릿홀(333)과 이웃하여 위치하며, 오프슬릿홀(331)은 온슬릿홀(333)과 열과 행방향으로 서로 교대로 형성된다.
즉, 제 1 열과 제 1 행으로는 오프슬릿홀(331)과 온슬릿홀(333)이 교대로 형성되며, 제 2 열과 제 2 행으로는 온슬릿홀(333)만이 형성된다.
따라서, 오프슬릿홀(331)의 주변으로는 적어도 3개의 온슬릿홀(333)이 위치하게 된다.
이러한 슬릿마스크(도 3a의 310) 상으로 노광헤드부(도 3a의 200)로부터 노광빔(도 1의 L)을 조사하는데, 이때 슬릿마스크(도 3a의 310)로 조사되는 노광빔(도 1의 L)은 슬릿마스크(도 3a의 310)의 온슬릿홀(333)에 대응하는 노광빔(도 1의 L) 만이 슬릿마스크(도 3a의 310) 상으로 조사되도록 한다.
따라서, 노광헤드부(도 3a의 200)의 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차가 발생되지 않은 경우, 슬릿마스크(도 3a의 310)로 조사된 노광빔(도 1의 L)은 모두 슬릿마스크(도 3a의 310)의 크롬막(311)에 의해 막혀 슬릿마스크(도 3a의 310)의 하부에 위치하는 카메라(도 3a의 320)로는 노광빔(도 1의 L)에 의한 광량 신호가 검출되지 않게 된다.
그러나, 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차가 발생된 경우, 도시한 바와 같이 오프슬릿홀(331)을 통해 슬릿마스크(도 3a의 310)의 하부에 위치하는 카메라(도 3a의 320)로 노광빔(도 1의 L)에 의한 광량 신호가 검출되게 된다.
이를 통해, 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차가 발생되었다는 것을 확인할 수 있다.
특히, 카메라(도 3a의 320)로 검출되는 노광빔(도 1의 L)의 광량 신호를 통해, 크로스토크(crosstalk) 불량과 노광빔(도 1의 L)의 치우침 정도 즉, 벡터량을 산출할 수 있다.
즉, 오프슬릿홀(331)을 통해 검출되는 광량 신호는 오프슬릿홀(331)의 주변에 위치하는 온슬릿홀(333)로 조사되는 노광빔(도 1의 L)의 간섭량(1S, 2S, 3S)에 따라 다른 광량 신호를 갖게 되므로, 이러한 광량 신호를 통해 크로스토크 불량과 벡터량을 산출할 수 있는 것이다.
이에 대해 도 4b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보면, 노광헤드부(도 3a의 200)로부터 슬릿마스크(도 3a의 310)의 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)로 노광빔(도 1의 L)을 조사하면, 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)로 노광빔(도 1의 L)을 조사하는 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차에 의해 제 1 오프슬릿홀로(331)는 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)로 조사된 노광빔(도 1의 L)의 간섭이 발생하여, 노광빔(도 1의 L)의 광량 신호가 검출되게 된다.
이때, 제 1 오프슬릿홀(331)을 통해 검출되는 광량 신호에 따라 카메라(도 3a의 320)는 슬릿마스크(도 3a의 310)의 검출용 슬릿홀(330)을 통과한 노광빔(도 1의 L)을 촬상하여 광량 신호를 검출하게 되며, 검출된 광량 신호는 제어부(미도시)로 전달되어 제어부(미도시)에 의해 검출된 노광빔(도 1의 L)에 의한 간섭량을 산출하게 되고, 이를 통해 노광빔(도 1의 L)의 위치 및 사이즈의 불량 여부를 판단하게 된다.
이를 통해, 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)로부터 크로스토크 불량 발생 여부를 확인할 수 있다.
또한, 제 1 오프슬릿홀(331)로 노광빔(도 1의 L)이 간섭되는 정도 즉, 크로스토크 광량을 위치별로 측정하여 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c) 중 크로스토크 불량이 발생된 노광빔(도 1의 L)을 산출할 수 있으며, 노광빔(도 1의 L)의 벡터량 또한 산출할 수 있다.
즉, 빔 위치 측정부(300)는 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)에서 모두 크로스토크 불량이 발생될 경우의 데이터와 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c) 중 하나 또는 두개에서만 크로스토크 불량이 발생된 데이터와 제 1 오프슬릿홀(331)의 크로스토크 광량을 비교하여, 제 1 오프슬릿홀(331) 주변에 위치하는 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c) 중 몇 개의 노광빔(도 1의 L)이 크로스토크 불량이 발생되었는지 산출할 수 있다.
이때, 제 1 오프슬릿홀(331)의 크로스토크 광량을 위치별로 측정함으로써, 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c) 중 크로스토크 불량이 발생된 노광빔(도 1의 L)을 산출할 수 있다.
또한, 제 1 오프슬릿홀(331)의 크로스토크 광량을 위치별로 측정하여 노광빔(도 1의 L)의 벡터량을 산출함으로써, 제 1 내지 제 3 온슬릿홀(333a, 333b, 333c)에 대응되는 각각의 DMD(도 1의 220)의 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차 또한 산출할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장비(도 1의 100)는 스테이지(도 1의 120)의 일측으로 빔 위치 측정부(도 3a의 300)를 더욱 구비함으로써, 마스크리스 노광장비(도 1의 100)를 셋업(setup)한 후, 또는 노광공정 전, 후에 빔 위치 측정부(도 3a의 300)를 통해 기판(도 1의 111) 상에 조사되는 노광빔(도 1의 L)의 위치 및 사이즈 등을 수시로 검사하여, 이때 획득한 데이터를 통해 노광빔(도 1의 L)을 기판(도 1의 111) 상에 조사하여 패턴이 형성되도록 할 때 반영되도록 함으로써, 노광빔(도 1의 L)의 크로스토크(crosstalk) 불량이 발생하지 않고, 기판(도 1의 111) 상에 원하는 패턴이 형성되도록 할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
200 : 노광헤드부
300 : 빔 위치 측정부
310 : 슬릿마스크, 311 : 크롬막
320 : 카메라, 330 : 검출용 슬릿홀
C : 구역

Claims (16)

  1. 기판이 안착되는 스테이지와;
    상기 스테이지 상부에 위치하며, 복수의 마이크로 미러를 포함하는 DMD(digital micro-mirror device)를 통해 상기 기판 상으로 노광빔을 조사하는 노광헤드부와;
    상기 스테이지의 일측에 위치하며, 상기 노광빔의 간섭량을 검출하는 슬릿마스크와, 상기 슬릿마스크에 의해 검출되는 상기 노광빔의 광량 신호를 검출하는 카메라를 포함하여, 상기 노광빔의 간섭에 의한 크로스토크(crosstalk)와 벡터량을 산출하는 빔 위치 측정부
    를 포함하며,
    상기 슬릿마스크 상에는 그룹 형태로 각 구역 별로 배치되며, 상기 슬릿마스크의 두께를 가지는 개구부로 이루어지는 오프슬릿홀(off slit hole)과 크롬(Cr)막에 의해 막힌 온슬릿홀(on slit hole)이 형성되어 있으며, 상기 오프슬릿홀은 상기 온슬릿홀과 이웃하여 위치하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿마스크는 상기 노광헤드부의 노광유효영역에 대응되는 사이즈를 갖는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오프슬릿홀과 상기 온슬릿홀은 열과 행방향으로 서로 교대로 형성되는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 카메라는 상기 온슬릿홀로 조사되는 상기 노광빔의 간섭에 의해 상기 오프슬릿홀을 통해 광량 신호를 검출하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 광량 신호를 통해 상기 노광빔의 간섭량을 산출하여, 상기 노광빔의 위치 및 사이즈를 판단하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 벡터량은 상기 노광빔의 간섭량을 위치별로 측정하여 산출하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 크로스토크와 상기 벡터량을 통해 상기 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 산출하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 오프슬릿홀과 상기 온슬릿홀의 크기는 상기 노광빔에 의해 형성되는 빔스폿 보다 큰 마스크리스(maskless) 노광장비.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 카메라는 이동부에 장착되는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광헤드부는 상기 마이크로 미러로 노광빔을 제공하는 광원과, 상기 마이크로 미러에 의해 반사된 상기 노광빔을 빔스폿 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판 상에 전달하는 노광 광학계를 포함하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 노광 광학계는 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array), 스페셜 필터(special filter) 그리고 프로젝션 렌즈(projection lens)를 포함하는 마스크리스(maskless) 노광장비.
  13. 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 스테이지 상부에 위치하며, 복수의 마이크로 미러를 포함하는 DMD(digital micro-mirror device)를 통해 상기 기판 상으로 노광빔을 조사하는 노광헤드부와; 상기 스테이지의 일측에 위치하며, 상기 노광빔의 간섭량을 검출하는 슬릿마스크와, 상기 슬릿마스크에 의해 검출되는 상기 노광빔의 광량 신호를 검출하는 카메라를 포함하는 빔 위치 측정부를 포함하며, 그룹 형태로 각 구역 별로 배치되며, 상기 슬릿마스크의 두께를 가지는 개구부로 이루어지는 오프슬릿홀(off slit hole)과 크롬(Cr)막에 의해 막힌 온슬릿홀(on slit hole)이 형성되어 있으며, 상기 오프슬릿홀은 상기 온슬릿홀과 이웃하여 위치하는 마스크리스(maskless) 노광장비를 이용한 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법에 있어서,
    상기 노광빔을 상기 온슬릿홀에 대응하여 조사하는 단계와;
    상기 카메라를 이용하여 상기 온슬릿홀로 조사한 노광빔의 간섭에 의한 상기 오프슬릿홀의 광량 신호를 검출하는 단계와;
    상기 광량 신호를 통해 상기 노광빔의 간섭량을 산출하는 단계
    를 포함하는 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노광빔의 간섭량을 통해, 상기 노광빔의 위치 및 사이즈를 판단하는 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 노광빔의 간섭량을 위치별로 측정하여, 상기 노광빔의 벡터량을 산출하는 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 노광빔의 간섭량을 통해, 상기 마이크로 미러의 위치 및 각도 오차를 산출하는 마스크리스(maskless) 노광장비의 크로스토크(crosstalk) 검사방법.
KR1020120126182A 2012-11-08 2012-11-08 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법 KR102015844B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120126182A KR102015844B1 (ko) 2012-11-08 2012-11-08 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120126182A KR102015844B1 (ko) 2012-11-08 2012-11-08 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140059913A KR20140059913A (ko) 2014-05-19
KR102015844B1 true KR102015844B1 (ko) 2019-08-30

Family

ID=50889506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120126182A KR102015844B1 (ko) 2012-11-08 2012-11-08 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102015844B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11961222B2 (en) 2020-05-11 2024-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Mask inspection apparatus and mask inspection method using the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057699B (zh) * 2016-07-20 2019-01-11 武汉华星光电技术有限公司 光阻层上过孔的测量方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010533310A (ja) 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090124179A (ko) * 2008-05-29 2009-12-03 삼성전자주식회사 노광 장치의 빔위치 오차 측정 방법 및 이를 이용한 노광장치
KR20100093696A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 노광 장치와 이를 이용한 빔 위치 측정 및 주소 지정 방법
KR101202319B1 (ko) * 2010-07-26 2012-11-16 삼성전자주식회사 노광 장치 및 그 제어 방법
KR20120038800A (ko) * 2010-10-14 2012-04-24 엘지전자 주식회사 마스크리스 노광장치 및 노광방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010533310A (ja) 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11961222B2 (en) 2020-05-11 2024-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Mask inspection apparatus and mask inspection method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140059913A (ko) 2014-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5524278B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR20100028560A (ko) 노광 방법 및 전자 디바이스 제조 방법
TWI673994B (zh) 光學裝置及用於校正光學裝置之方法
JP2005354066A (ja) 整列マーカ、リソグラフィ装置およびそれを使うデバイス製造方法
KR20100030999A (ko) 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 정렬 오차의 보상 방법
US20140152969A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2022514365A (ja) オーバーレイターゲットを用いるフィールド間補正
KR20090124179A (ko) 노광 장치의 빔위치 오차 측정 방법 및 이를 이용한 노광장치
JP2011164599A (ja) マイクロミラーデバイスの選別方法、マイクロミラーデバイス選別装置およびマスクレス露光装置
US20090009736A1 (en) Apparatus for and Method of Forming Optical Images
KR102047224B1 (ko) 마스크리스 노광장비 및 이의 왜곡차 측정 및 매칭방법
KR20120100208A (ko) 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
KR102015844B1 (ko) 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법
JP6655753B2 (ja) 照明源としてのマイクロｌｅｄアレイ
JP5013763B2 (ja) リソグラフィ投影装置
KR101764169B1 (ko) 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 빔 위치 계측 방법
TW201931016A (zh) 用於繞射限制光學系統之透鏡像差之經驗偵測
JP2006352120A (ja) センサーで結像システムを較正するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法並びにそれによって製造されたデバイス
TWI505040B (zh) 微影裝置、量測輻射光束光點聚焦的方法及元件製造方法
JP5401770B2 (ja) 面位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR20120100209A (ko) 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 스티칭 노광 방법
JP2014514764A (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置をメンテナンスするための方法、及びデバイス製造方法
KR20160046016A (ko) 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
KR20200014089A (ko) 마스크리스 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법
KR20120078014A (ko) 마스크리스 노광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right