JP6882091B2 - 露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 298
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 230
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
なお、基板ステージ105を第1モードで制御するか、或いは、基板ステージ105を第2モードで制御するかは、主制御部127が自動的に決定してもよいし、ユーザの入力に応じて決定してもよい。ユーザは、例えば、表示部131に表示される設定画面(ユーザインタフェース)を介して、基板ステージ105を制御するモードを選択(指定)することができる。
Claims (10)
- マスクと基板とを移動させながら前記基板を露光することで前記基板上にパターンを転写する露光装置であって、
前記基板を保持して移動させるステージと、
前記ステージを制御する制御部と、
前記ステージに保持された前記基板のショット領域が前記ショット領域に対する露光が行われる露光領域に到達する前に、前記ショット領域の高さ方向の位置を計測する第1計測部と、
前記第1計測部に先立って前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測する第2計測部と、を有し、
前記制御部は、前記第2計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測して得られる第1計測値に基づいて前記基板を前記高さ方向に移動させるための第1駆動と、前記第1駆動に続いて前記第1計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測して得られる第2計測値と前記第1計測値とに基づいて前記基板を前記高さ方向に移動させるための第2駆動とによって、前記ショット領域が前記露光領域に到達するまでに前記ステージに保持された前記基板の前記高さ方向の位置が最終目標位置となるように前記ステージを制御することを特徴とする露光装置。 - 前記制御部は、前記第1計測部と前記第2計測部とが前記ショット領域の同一の計測対象箇所の前記高さ方向の位置を計測するように、前記第1計測部及び前記第2計測部のそれぞれで前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測するタイミングを制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1計測値と前記第2計測値との平均値から前記第2駆動における前記基板の前記高さ方向の目標位置を求め、前記第2駆動では、前記ステージに保持された前記基板の前記高さ方向の位置が前記目標位置となるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1計測値及び前記第2計測値のそれぞれに重みを与えて前記第2駆動における前記基板の前記高さ方向の目標位置を求め、前記第2駆動では、前記ステージに保持された前記基板の前記高さ方向の位置が前記目標位置となるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測するときの前記ステージの加速度と、前記第2計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測するときの前記ステージの加速度との関係に基づいて、前記第1計測値及び前記第2計測値のそれぞれに与える重みを決定することを特徴とする請求項3又は4に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測するときの前記ステージの制御偏差と、前記第2計測部で前記ショット領域の前記高さ方向の位置を計測するときの前記ステージの制御偏差との関係に基づいて、前記第1計測値及び前記第2計測値のそれぞれに与える重みを決定することを特徴とする請求項3又は4に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1計測部で計測する、前記高さ方向及び前記基板の走査方向に直交する方向における前記ショット領域の位置と、前記第2計測部で計測する、前記高さ方向及び前記基板の走査方向に直交する方向における前記ショット領域の位置とのずれ量に基づいて、前記第1計測値及び前記第2計測値のそれぞれに与える重みを決定することを特徴とする請求項3又は4に記載の露光装置。
- 前記制御部は、ユーザの入力に応じて、前記第1計測値及び前記第2計測値のそれぞれに与える重みを決定することを特徴とする請求項3又は4に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1駆動と前記第2駆動とによって、前記ショット領域が前記露光領域に到達するまでに前記ステージに保持された前記基板の前記高さ方向の位置が前記最終目標位置となるように前記ステージを制御する第1モード、又は、前記第1駆動と前記第1計測値及び前記第2計測値のいずれか一方に基づいて前記基板を前記高さ方向に駆動する第3駆動とによって、前記ショット領域が前記露光領域に到達するまでに前記ステージに保持された前記基板の前記高さ方向の位置が前記最終目標位置となるように前記ステージを制御する第2モードで、前記ステージを制御することを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017121561A JP6882091B2 (ja) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | 露光装置及び物品の製造方法 |
KR1020180070702A KR102354948B1 (ko) | 2017-06-21 | 2018-06-20 | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN201810642012.2A CN109100920B (zh) | 2017-06-21 | 2018-06-21 | 曝光装置以及物品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017121561A JP6882091B2 (ja) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019008029A JP2019008029A (ja) | 2019-01-17 |
JP6882091B2 true JP6882091B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=64844993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017121561A Active JP6882091B2 (ja) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6882091B2 (ja) |
KR (1) | KR102354948B1 (ja) |
CN (1) | CN109100920B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7312053B2 (ja) * | 2019-08-05 | 2023-07-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
JP7361599B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-10-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
TW202147454A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-12-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 熱處理裝置及熱處理方法 |
CN116324626A (zh) * | 2020-10-20 | 2023-06-23 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备中的衬底水平感测 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3288280B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 露光方法 |
JPH11186129A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
AU2076099A (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-16 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
JP2003173960A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2003203855A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3780221B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-05-31 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
JP3428639B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2003-07-22 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
JPWO2005124832A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2008-04-17 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP5498243B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP6032503B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2016-11-30 | 株式会社ニコン | 駆動システム及び駆動方法、並びに露光装置及び露光方法 |
JP6071628B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP6267530B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2018-01-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
US20160266500A1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of device |
JP6806509B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
-
2017
- 2017-06-21 JP JP2017121561A patent/JP6882091B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-20 KR KR1020180070702A patent/KR102354948B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-21 CN CN201810642012.2A patent/CN109100920B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102354948B1 (ko) | 2022-01-25 |
CN109100920B (zh) | 2021-07-09 |
CN109100920A (zh) | 2018-12-28 |
JP2019008029A (ja) | 2019-01-17 |
KR20180138544A (ko) | 2018-12-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210506 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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