JP2014143429A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014143429A
JP2014143429A JP2014045560A JP2014045560A JP2014143429A JP 2014143429 A JP2014143429 A JP 2014143429A JP 2014045560 A JP2014045560 A JP 2014045560A JP 2014045560 A JP2014045560 A JP 2014045560A JP 2014143429 A JP2014143429 A JP 2014143429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
height
stage
measurement
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014045560A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanori Sato
隆紀 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014045560A priority Critical patent/JP2014143429A/ja
Publication of JP2014143429A publication Critical patent/JP2014143429A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】ステージの加速中に基板の高さを計測し、当該計測された高さに基づいて等速移動中のステージに保持された基板の高さを正確に計測することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】制御器は、基板を露光する前に計測した基板の高さについての加速中と等速移動中の計測結果の差分をステージの加速に起因する計測誤差の補正値として取得し、基板の高さがスリット光の入射領域外の第1計測点でステージの加速中に計測された基板上の位置で基板を露光する場合には、第1計測点で計測された基板の高さを補正値で補正された高さに基づいて位置決め機構を制御しながら基板を走査し、基板の高さが第1計測点でステージの等速移動中に計測された基板上の位置で基板を露光する場合には、第1計測点で計測された基板の高さを補正値で補正することなく、計測された基板の高さに基づいて位置決め機構を制御しながら前記基板を走査する。
【選択図】図6

Description

本発明は、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
従来の露光装置は、生産性を向上するために、ステージに搭載したウエハの面位置を、ステージの移動中に計測する。ステージの移動中、とりわけステージの加速中又は減速中にウエハの面位置を計測すると、装置の本体構造体の変形が発生し、面位置の計測結果に計測誤差が生じる。特許文献1に示す露光装置では、前記計測誤差を補正するための補正値を、露光に先立って求める。この補正値は、ステージ姿勢のピッチング成分を基に算出されている。露光装置は、前記補正値を用いて、ステージの移動中に計測した面位置の計測結果を補正し、補正された面位置に従ってウエハを露光する。
特開平11−191522号公報
しかし、ステージの加速中に基板の高さを計測し、当該計測された高さに基づいて等速移動中のステージを位置決めして基板を露光することは、特許文献1には開示されていない。近年の更なる生産性向上の要求から、ステージを高速で位置決めするために、ステージを加速又は減速するときの加速度が増加する傾向にある。その結果として、装置の本体構造体の変形のみならず、ステージ自体の変形や、レーザ干渉計の参照ミラー等のステージ上に搭載した計測器にも変形が生じ、計測器の計測結果にステージの加速に起因する計測誤差が含まれる。
そこで、本発明は、ステージの加速中に基板の高さを計測し、当該計測された高さに基づいて等速移動中のステージに保持された基板の高さを正確に計測することが可能な露光装置を提供することを目的とする。
本発明は、レチクルと基板とを走査しながらスリット光を使い投影光学系を介して前記レチクルのパターンを前記基板に投影して前記基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記基板を走査する第1方向および前記投影光学系の光軸に沿う第2方向に前記ステージを位置決めする位置決め機構と、前記第1方向に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点で前記基板の前記第2方向における位置である高さを計測する計測器と、制御器と、を備え、前記複数の計測点は、前記基板に対する前記スリット光の入射領域外の第1計測点を含み、前記露光装置は、前記計測器により前記第1計測点で前記基板の高さを計測し、前記第1計測点で計測された高さに基づいて前記位置決め機構により前記ステージを前記第2方向に位置決めしながら前記基板を走査するように構成され、前記制御器は、前記基板を露光する前に、前記計測器に、前記基板上の所定位置での前記基板の高さを前記ステージの加速中に計測させ、前記所定位置での前記基板の高さを前記ステージの等速移動中に計測させ、前記所定位置での前記基板の高さについての加速中での計測結果と等速移動中での計測結果との差分を算出し、該算出された差分を前記ステージの加速に起因する計測誤差の補正値として取得し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの加速中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正し、前記補正値で補正された高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの等速移動中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正することなく、計測された前記基板の高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査する、ことを特徴とする。
本発明によれば、ステージの加速中に基板の高さを計測し、当該計測された高さに基づいて等速移動中のステージに保持された基板の高さを正確に計測することが可能な露光装置を提供することができる。
第1実施形態の露光装置を示した図である。 ウエハと計測点との位置関係を示した図である。 計測点と露光スリットの位置関係を示した図である。 走査露光時の計測方法を示した図である。 走査露光時の計測方法を示した図である。 ステージの加速中における計測誤差を求める方法を示した図である。 露光方法のフローチャートである。 ウエハとウエハ上のショット領域を示した図である。 第3実施形態の露光装置を示した図である。
〔第1実施形態〕
図1は、第1実施形態の露光装置を示す。露光装置は、レチクル(原版)2とウエハ(基板)4とを相対的にX方向(第1方向)に走査しながらスリット光を使い投影光学系1を介してレチクル2のパターンをウエハ4に投影してウエハ4を露光する走査型投影露光装置である。スリット光による露光領域を定めるスリット形状は、矩形又は円弧形状である。縮小投影光学系1の光軸AXはZ方向(第2方向)であり、像面は光軸AXに沿うZ方向と垂直な関係にある。レチクル2は、ステージ(レチクルステージ)3上に保持される。レチクル2のパターンは、縮小投影光学系1の倍率で1/4ないし1/2、或は1/5に縮小投影され、その像面に像を形成する。表面にレジストが塗布されたウエハ(基板)4には、先の露光工程で形成された同一のパターン構造を有する多数個のショット領域が配列されている。ウエハを保持するステージ(ウエハステージ)5は、ウエハ4を吸着してウエハステージ5に固定するチャックを有している。すなわち、ウエハステージ5は、基板を搭載して移動可能なステージを構成している。また、ウエハステージ5は、X方向とY方向に各々水平移動可能なXYステージを有し、Z方向への移動も可能である。さらに、ウエハステージ5は、X軸及びY軸の回りに回転可能なレベリングステージ、Z軸の回りに回転可能な回転ステージも有している。このように、ウエハステージ5は、レチクルパターン像をウエハ上のショット領域に合致させるための6軸補正系を構成している。ウエハステージ5のX方向及びY方向の位置情報は、ウエハステージ5に固定されたバーミラー23と干渉計24とによって、常時計測されている。
ウエハ4の表面位置及び傾きを計測するために設けた計測器16は、ランプ、発光ダイオード等の光源10を含んでいる。コリメータレンズ11は、光源10からの光束を、断面の強度分布がほほ均一の平行光束として射出している。プリズム形状のスリット部材12は、一対のプリズムを互いの斜面が相対するように貼り合わされている。この貼り合わせ面に、複数の開口(例えば9個のピンホール)をクロム等の遮光膜を利用して設けている。両テレセントリック系のレンズ13は、スリット部材12の複数のピンホールを通過した独立の9個の光束を、ミラー14を介してウエハ4上の9個の計測点に導光している。このとき、レンズ13に対して、ピンホールが形成されている平面とウエハ4の表面を含む平面とは、シャインプルーフの条件を満足するように設定されている。第1実施形態において、光源10から射出された各光束は、ウエハ4上への入射角Φ(光軸となす角)が70°以上である。図2に示すように、レンズ13を通過した9個の光束は、パターン領域の互いに独立した各計測点に入射し結像している。また、9個の計測点がウエハ4内で互いに独立して観察されるように、X方向からXY平面内でθ°(例えば22.5°)回転させた方向より入射させている。光源10、コリメータレンズ11、スリット部材12、レンズ13、ミラー14は、ウエハ4上の計測点に光束を斜めに投光する投光光学系を構成している。
次に、ウエハ4からの反射光束を受光する両テレセントリック系の受光光学系の各構成について説明する。受光光学系は、ウエハ4からの9個の反射光束を、ミラー15を介して受光している。受光光学系内に設けたストッパ絞り17は、9個の各計測点に対して共通に設けられている。ストッパ絞り17は、ウエハ4上に存在する回路パターンによって発生する高次の回折光(ノイズ光)を、カットする。両テレセントリック系の受光光学系を通過した光束は光軸が互いに平行となっている。補正光学系群18の9個の個別の補正レンズにより、光電変換素子群19の計測面に対して、互いに同一の大きさを有したスポット光となるように、再結像させている。また、受光光学系は、ウエハ4上の各計測点と光電変換素子群19の計測面とが、互いに共役となるように倒れ補正を行っている。そのため、各計測点の局所的な傾きにより発生する計測面でのピンホール像の位置変化はなく、各計測点の光軸方向AXでの高さ変化に応答して、計測面上でピンホール像が変化するように構成されている。ここで、光電変換素子群19は、例えば9個の1次元CCDラインセンサにより構成しているが、2次元の位置計測素子を複数配置して構成した場合においても、同一の効果を得ることができる。投光光学系10〜14と受光光学系15〜19とは、X方向(第1方向)に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点でウエハ4の高さを計測する計測器16を構成している。計測器16は、計測器制御部26によって制御されている。
図1に示すように、レチクル2は、レチクルステージ3に吸着され固定される。レチクルステージ3は、投影光学系1の光軸AXと垂直な面内で、X方向(矢印3a)に一定速度で走査する。この時、Y方向は、常に目標位置を維持して走査するように補正駆動される。レチクルステージ3のX方向及びY方向の位置情報は、同図のレチクルステージ3に固定されたバーミラー20と干渉計21とによって、常時計測されている。照明光学系6は、エキシマレーザ等のパルス光を発生する光源を含む。また、照明光学系6は、不図示のビームを整形する光学系、オプティカルインテグレータ、コリメータ及びミラー等の部材で構成され、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過或いは反射する材料で形成されている。ビームを整形する光学系は、入射ビームの断面形状(寸法含む)を所望の形に整形する。オプティカルインテグレータは、光束の配光特性を均一にし、レチクル2を均一照度で照明する。照明光学系6内の不図示のマスキングブレードにより、チップサイズに対応して矩形の照明領域が設定される。照明領域で部分照明されたレチクル2上のパターンが、投影光学系1を介してウエハ4上に投影される。
メイン制御部27は、レチクル2のスリット像をウエハ4の所定領域に結像させるため、以下の動作を制御している。すなわち、メイン制御部27は、XY面内の位置(XYの位置及びZ軸に対する回転θ)と、Z方向の位置(XY各軸に対する回転α、β及びZ軸上の高さZ)の調整を行う。また、メイン制御部27は、レチクルステージ3とウエハステージ5を、投影光学系1に対し同期させて走査させる。さらに、メイン制御部27は、投影光学系1を介して、レチクル2上のパターンをウエハ4上に投影露光する走査露光を行う。レチクルステージ3を同図矢印3aの方向に走査する場合、メイン制御部27は、図1の矢印5aの方向に投影光学系1の縮小倍率分だけ補正された速度でウエハステージ5を走査する。レチクルステージ3の走査速度は、照明光学系6内におけるマスキングブレードの走査方向の幅と、ウエハ4の表面に塗布されたレジストの感度から、生産性が有利となるように決定される。メイン制御部27は、レチクルステージ3の干渉計21とウエハステージ5の干渉計24の位置データ、及び不図示のアライメント顕微鏡から得られるウエハ4の位置データから、制御データを算出する。メイン制御部27は、前記制御データに基づき、レチクルステージ制御部22及びウエハステージ制御部25を制御してレチクル2上のパターンのXY面内での位置合わせを行う。ウエハステージ制御部25は、X方向(第1方向)およびZ方向(第2方向)にウエハステージ5を位置決めする位置決め機構を構成している。メイン制御部27、レチクルステージ制御部22、ウエハステージ制御部25、計測器制御部26は、制御器を構成している。
図3は、光電変換素子群19がウエハ4上のショット領域301に形成する9個の面位置の計測点と、露光スリット302との関係を示す。露光スリット302は、図3の破線で囲まれた矩形の露光領域を示す。計測点303〜305は、露光スリット内に形成されたウエハ4に対するスリット光の入射領域内の面位置の計測点(第2計測点)である。計測点306〜311は、露光スリットから距離Lp離れたスリット光の入射領域外の位置に配置され、ウエハ4の高さを最も早く計測することができる計測点(第1計測点)である。計測点306〜311のうち使用される計測点は、ウエハステージ5の移動方向によって切り替えられる。例えば、F方向へ走査露光する場合、露光スリット302内の計測点303〜305に先立って、計測点306〜308にてショット領域301の面位置が計測される。露光対象領域が露光スリット302内へ到達するまでに、計測点306〜308の計測結果に基づいて、メイン制御部27はウエハステージ5を最適露光像面位置へ駆動する。他方、R方向へ走査露光する場合、露光スリット302内の計測点303〜305に先立って、計測点309〜311にてショット領域301の面位置が計測される。露光対象領域が露光スリット302内へ到達するまでに、計測点309〜311の計測結果に基づいて、メイン制御部27はウエハステージ5を最適露光像面位置へ駆動する。露光装置は、ウエハ4の高さを最も早く計測することができる計測点306〜308又は計測点309〜311で計測されたウエハ4の高さに基づいて露光位置におけるウエハ4のZ方向の位置を位置決めしながら露光処理を行うように構成されている。
走査露光時の面位置の計測方法について、図4を用いて説明する。図4aは、ショット領域と面位置の計測点、及びウエハステージ5の駆動軌跡を示した図である。ショット領域401は露光処理が済んだショット領域、ショット領域402はこれから露光されるショット領域、ショット領域403はショット領域402の次に露光されるショット領域である。図4aの矢印つき破線は、ウエハステージ5の駆動軌跡である。図4bは、ウエハステージ5が図4aに示す軌跡で駆動した際の速度と時刻の関係を示した図である。ショット領域401の露光が終了した後、ウエハステージ5は、減速しながらX方向へ駆動し、次の露光対象であるショット領域402へ移る。この減速期間は、図4bの時刻t1から時刻t2の区間に該当する。続いて、不図示の加速開始点に達した際に、メイン制御部27はウエハステージ5をR方向へ加速する。この加速期間は、図4bの時刻t2から時刻t3の区間に該当する。露光スリット302が少なくともショット領域402に差し掛かるまでには、ウエハステージ5が目標速度へ到達していることが望ましい。ウエハステージ5の速度が目標速度へ到達した後は、ショット領域402を抜けるまで等速で走査を続ける。この等速期間は、図4bの時刻t3から時刻t4の区間に該当する。この際、メイン制御部27は、ショット領域402の面位置計測と最適露光像面位置への駆動とを順次行わせながら、露光処理をする。露光スリット302がショット領域402を抜けた後、メイン制御部27は、ショット領域403の露光に向けてウエハステージ5を減速し、X方向へ駆動し、次いで加速する。図4bは、時刻t4以降の区間に該当する。
図4aの404から409は、ショット領域402における面位置の計測位置の一例を示している。ショット領域402の計測位置は、ショット領域402全体の面位置を計測すべく、Y方向に対して複数箇所存在するが、図4aでは、簡略化のため404から409のみを図示している。はじめに、面位置の計測点306〜308が、計測位置404〜406の面位置を計測する場合を考える。図5を用いて説明する。前述したように、ショット領域401の露光終了後、メイン制御部27は、ショット領域402の露光に向けてウエハステージ5を減速し、X方向へ駆動し、次いで加速する。面位置の計測点306〜308が、計測位置404〜406に到達した際、ウエハステージ5の速度は、図4bの時刻t2〜t3の区間にあり、ウエハステージ5は加速中である。ウエハステージ5の加速によって、露光装置の本体構造体やウエハステージ5自体の変形が発生する。前記変形によって、面位置計測点306〜308にて計測した面位置404〜406は、計測誤差を含んでいる。前記計測誤差を含んだ面位置の計測結果にて、メイン制御部27が露光像面位置への駆動目標値を生成してしまうと、デフォーカスが発生し、解像不良を引き起こす原因となってしまう。計測位置404〜406は、ウエハステージ5の加速中にウエハ4の高さを計測器16の第1計測点で計測する基板上の所定位置である。
次に、面位置の計測点306〜308が、計測位置407〜409の面位置を計測する場合を考える。面位置の計測点306〜308が、計測位置407〜409に到達した際、ウエハステージ5の速度は、図4bの時刻t3〜t4の区間にあり、ウエハステージ5は等速移動中である。ウエハステージ5が等速移動中であれば、前述した本体構造体やウエハステージ5自体の変形は、面位置の計測結果に影響を与える程発生しない。なお、面位置の計測点306〜308が、計測位置404〜406の面位置を計測する際、ウエハステージ5の速度が等速移動中となるためには、以下のいずれかの対応が必要となる
a)加速開始点をショット領域から遠ざける。
b)面位置の計測点303〜305と306〜308との距離Lpを縮める。
c)ウエハステージ5の加速度を上げる。
もし対応aを実現するならば、ウエハステージがY方向へ移動する距離が増加するため、生産性が低下する。対応bを実現するならば、露光対象領域が露光スリット302内へ到達するまでの時間が短くなる。そのため、ウエハ4の平坦度が悪い場合、最適露光像面位置への駆動が十分に実施できず、デフォーカスにつながる。対応cを実現するならば、露光装置の大型化やコストアップにつながる。以上のように、コストアップなしに露光装置の生産性と精度を両立するためには、ウエハステージ5が加速中に面位置を計測する必要がある。
次に、ウエハステージ5の加速中に面位置を計測することによって生じる計測誤差を、露光に先立って求める方法について説明する。図6は、ショット領域601における計測位置602〜604と、面位置の計測点との関係を示している。面位置の計測点303と306と309は、同一のX座標位置に配置されている。また、計測点304と307と310は、同一のX座標位置に配置されている。さらに、計測点305と308と311は、同一のX座標位置に配置されている。そのため、Y方向の走査に対し、各光電変換素子19が計測する面位置の計測のタイミングを調整することで、ショット領域の同一座標位置を、異なる光電変換素子19によって重複して計測できる。図6b及び図6cを用いて、具体的に説明する。図6aに示す方向Rに走査し、ショット領域601内の計測位置602を計測する場合を考える。図6bのタイミングにて、面位置の計測点306が、計測位置602を計測する。一定時間の走査後、図6cのタイミングにて、面位置の計測点303が、計測位置602を計測する。同様に、図6aの計測位置603は、面位置の計測点307にて計測した後、面位置の計測点304にて計測する。また、図6aの計測位置604は、面位置の計測点308にて計測した後、面位置の計測点305にて計測する。図6bの時点にて、面位置の計測点306〜308が、計測位置602〜604をそれぞれ計測する。本タイミングでは、図4bの時刻t2〜t3の区間、すなわちウエハステージ5が加速中での計測となる。そのため、面位置の計測点306〜308にて計測した結果には、計測位置602〜604の面位置と、前記変形による計測誤差をあわせた結果が得られる。図6cの時点にて、面位置の計測点303〜305が、計測位置602〜604をそれぞれ計測する。本タイミングでは、図4bの時刻t3〜t4の区間、すなわちウエハステージ5が等速移動中での計測となる。ウエハステージ5が等速移動中であると、前記変形は発生しない。よって、面位置の計測点303〜305にて計測した面位置は、計測誤差を含んでおらず、計測位置602〜604の面位置のみが得られる。
前述したように、ウエハステージ5の加速中の計測点306〜308での計測結果αと、等速移動中の計測点303〜305での計測結果βは、ウエハ4上の同一の座標位置を計測している。そのため、αとβの差分を算出することで、計測結果から、計測位置602〜604の面位置の成分を除去することができ、前記計測誤差の成分のみを抽出することができる。すなわち、ウエハステージ5の加速に起因する面位置の計測誤差の補正値Compを、式1により取得することができる。
Comp = α ― β・・・(1)
ウエハステージ5の加速に起因する本体構造体等の変形量は、ウエハステージ5の加速度によって異なる。そのため、前記補正値Compをウエハステージ5の加速度毎に求め、保持してもよい。露光時の走査方向が異なると、変形が発生する部位が異なるため、面位置の計測時の計測誤差が変化する。そのため、前記補正値Compを露光時の走査方向毎に求め、保持しても良い。ウエハ4上のショット領域のサイズや配置場所、ショット領域の露光順序によって、露光前後のウエハステージ5の駆動軌跡が異なる。前記変形量は、Y方向への加速時のみならず、露光前後のX方向への駆動によっても異なる。そのため、前記補正値Compを露光前後のウエハステージ5の駆動軌跡毎に求め、保持してもよい。
このようにして求めた前記補正値Compを用いてウエハステージ5が加速中に計測した面位置を式2のように補正する。式2中のFcompは、前記補正値Compで補正した後の面位置の計測値を表している。また、Forgは、補正前の面位置の計測値を表している。
Fcomp = Forg ― Comp・・・(2)
補正後の面位置の計測結果Fcompに基づき、メイン制御部27は、ウエハステージ5を最適露光像面位置へ補正駆動しつつ、露光処理を行う。補正値Compでの面位置の計測結果の補正は、ウエハステージ5が加速中に計測する面位置の計測点のみを対象としても良い。
〔第2実施形態〕
次に、図7に基づいて露光方法の一例について説明する。ステップ1において、メイン制御部27は、露光処理の制御を開始する。ステップ2において、不図示の搬送ハンドは、ウエハ4をウエハステージ5上に搬入し、不図示のチャックに吸着固定する。ステップ3において、メイン制御部27は、ステップ7で実施するグローバルアライメントのための事前計測及び補正を行う。グローバルアライメントで用いられる不図示の高倍視野アライメント顕微鏡の計測範囲に入るように、不図示の低倍視野アライメント顕微鏡にてウエハ4の回転誤差等のずれ量を計測し、補正する。ステップ4において、計測器16を用いてウエハ4の複数のショット領域(例えば、図8の801)における面位置を計測する。当該計測結果から、メイン制御部27は、ウエハ4の全体的な傾きを算出し、補正する。
ステップ5において、メイン制御部27は、ステップ8の走査露光でリアルタイムに面位置を計測する際の事前調整を行う。事前調整は、例えば、特開平10−64980号公報に示される、検出器の16光源10の光量調整や、特開平9−45608号公報に示される、ウエハ4上のショット領域表面のパターン段差の記憶である。さらに、ステップ5において、ウエハステージ5が加速中に面位置を計測することによって生じる計測誤差に対する補正値を求める。ウエハステージ5を露光時と同様の速度、加速度、軌跡で駆動した状態にて、前記補正値取得のための面位置の計測を行う。前記計測後、同一の座標位置に対して、加速中に計測した面位置の計測結果αと、等速移動中に計測した面位置の計測結果βを用いて、式1により補正値Compを取得する。前記補正値Compは、ショット領域内のY方向の計測位置の全点に対して取得しても良い。または、ウエハステージ5が加速中となる計測位置のみ取得しても良い。前記補正値Compは、ショット領域毎に個別の値を持っても良い。または、XY座標に依存した値として持っても良い。または、各ショット領域に共通の値として、1ショット領域分のみ保持しても良い。前記補正値Compを取得するための面位置の計測は、全ショット領域を露光時の順序通りに計測しても良い。または、図8の802のように、単一のショット領域を用いても良い。または、同図の801のように、複数のショット領域を使用し、結果を平均化しても良い。
ステップ6において、ウエハステージ5上の不図示の光量センサ及び基準マーク、レチクルステージ3上の不図示の基準プレートを用いて、投影光学系1の傾きや像面湾曲等の補正値の取得を行う。具体的には、ウエハステージ5をXYZ方向へ走査した際の露光光の光量変化を、前記光量センサにて計測する。前記光量センサの光量変化量から、前記基準プレートに対する前記基準マークのずれ量を計測し、補正値を算出及び補正する。ステップ7において、不図示の高倍視野アライメント顕微鏡を用いてウエハ4上のアライメントマークを計測し、ウエハ全体のずれ量及び各ショット領域共通のずれ量を算出する。前記アライメントマークを精密に計測するためには、アライメントマークのコントラストが、ベストコントラスト位置になければならない。ベストコントラスト位置の計測は、計測器16とアライメント顕微鏡を用いて行う。具体的には、予め定められた高さにウエハステージ5を駆動し、アライメント顕微鏡にてコントラストを計測すると同時に、計測器16にて面位置を計測する工程を数回繰り返す。この際、各高さに応じたコントラストの計測結果と面位置の計測結果を対応づけて、メイン制御部27に保存する。得られた複数のコントラストの計測結果から、最もコントラストの高い位置を算出し、ベストコントラスト位置とする。
ステップ8において、計測器16にて露光対象ショット領域の面位置をリアルタイムに計測する。面位置の計測結果は、式2を用いて前記補正値Compで補正する。補正後の面位置の計測結果Fcompに基づき、メイン制御部27は、ウエハステージ5を最適露光像面位置へ補正駆動しつつ、露光処理を行う。全ショット領域の露光処理が完了した後、ステップ9において、基板をウエハステージ5から搬出し、ステップ10で一連の露光処理を終了する。
図7のフローチャートでは、ステップ5における補正値Compの取得シーケンスをウエハ毎に実施している。生産性の向上のため、複数のウエハに1回の頻度で前記補正値Compの取得シーケンスを実施しても良い。例えば、ロットの露光処理を行う前に、ロットに属する少なくとも1枚のウエハ、例えばロット先頭のウエハを用いて補正値Compの取得シーケンスを実施する。そして、次ウエハ以降はシーケンスをスキップし、ロット先頭で得た補正値Compを露光時に使用しても良い。または、露光装置の組立、調整時やメンテナンス等の特定のタイミングだけ実施する方法でも良い。ウエハ上のショット領域のサイズや配置場所、ショット領域の露光順序等のレイアウト条件、及びウエハステージの速度、加速度等の駆動条件が同じ場合、前記計測誤差は略同一となる。そのため、ステップ5で取得した前記補正値Compを、前記レイアウト条件や前記ウエハステージの駆動条件に関連づけて、保持しておく。同一条件のウエハを露光する場合は、保持していた補正値Compを利用した露光を行い、前記補正値Compの取得シーケンスをスキップしても良い。
〔第3実施形態〕
次に、図9に基づいて第3実施形態の露光装置について説明する。第3実施形態の露光装置は、図9に示すように、ホストコンピュータと接続されている。前記ホストコンピュータは、複数(例えば、同図では4)台の露光装置1〜4と接続されている。前記ホストコンピュータは、露光装置の稼動状態やオフセット等のパラメータを管理する役割を担う。前述したウエハステージ5が加速中に面位置を計測することによって生じる計測誤差に対する補正値も、前記ホストコンピュータにより管理する。他の露光装置と同一条件でウエハを露光する場合は、他の露光装置で取得した前記補正値を利用し、図7のステップ5に示した前記補正値の取得シーケンスをスキップしても良い。
〔第4実施形態〕
次に、デバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
本発明の一つの側面は、レチクルと基板とを走査しながらスリット光を使い投影光学系を介して前記レチクルのパターンを前記基板に投影して前記基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記基板を走査する第1方向および前記投影光学系の光軸に沿う第2方向に前記ステージを位置決めする位置決め機構と、前記第1方向に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点で前記基板の前記第2方向における位置である高さを計測する計測器と、制御器と、を備え、前記複数の計測点は、前記基板に対する前記スリット光の入射領域外の第1計測点を含み、前記露光装置は、前記計測器により前記第1計測点で前記基板の高さを計測し、前記第1計測点で計測された高さに基づいて前記位置決め機構により前記ステージを前記第2方向に位置決めしながら前記基板を走査するように構成され、前記制御器は、前記基板を露光する前に、前記計測器に、前記基板上の所定位置での前記基板の高さを前記ステージの加速中に計測させ、前記所定位置での前記基板の高さを前記ステージの等速移動中に計測させ、前記所定位置での前記基板の高さについての加速中での計測結果と等速移動中での計測結果との差分を算出し、該算出された差分を前記ステージの加速に起因する計測誤差の補正値として取得し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの加速中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正し、前記補正値で補正された高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの等速移動中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正することなく、計測された前記基板の高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査する、ことを特徴とする。

Claims (4)

  1. レチクルと基板とを走査しながらスリット光を使い投影光学系を介して前記レチクルのパターンを前記基板に投影して前記基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持するステージと、
    前記基板を走査する第1方向および前記投影光学系の光軸に沿う第2方向に前記ステージを位置決めする位置決め機構と、
    前記第1方向に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点で前記基板の前記第2方向における位置である高さを計測する計測器と、
    制御器と、
    を備え、
    前記複数の計測点は、前記基板に対する前記スリット光の入射領域外の第1計測点を含み、
    前記露光装置は、前記計測器により前記第1計測点で前記基板の高さを計測し、前記第1計測点で計測された高さに基づいて前記位置決め機構により前記ステージを前記第2方向に位置決めしながら前記基板を走査するように構成され、
    前記制御器は、
    前記基板を露光する前に、前記計測器に、前記基板上の所定位置での前記基板の高さを前記ステージの加速中に計測させ、前記所定位置での前記基板の高さを前記ステージの等速移動中に計測させ、
    前記所定位置での前記基板の高さについての加速中での計測結果と等速移動中での計測結果との差分を算出し、該算出された差分を前記ステージの加速に起因する計測誤差の補正値として取得し、
    前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの加速中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正し、前記補正値で補正された高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの等速移動中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正することなく、計測された前記基板の高さに基づいて前記位置決め機構を制御しながら前記基板を走査する、
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御器は、ロットの露光処理を行う前に、該ロットに属する少なくとも1枚の基板を用いて前記ステージの加速に起因する計測誤差の補正値を取得し、前記取得された補正値を使用しながら前記ロットに属する基板を走査する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. レチクルと基板とを第1方向に沿って走査しながらスリット光を使い投影光学系を介して前記レチクルのパターンを前記基板に投影して前記基板を露光する露光方法であって、
    計測器により、前記計測器の前記第1方向に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点の中のうち前記基板に対する前記スリット光の入射領域外の第1計測点で前記基板を保持するステージの加速中に前記基板上の所定位置での前記基板の高さを計測し、前記ステージの等速移動中に前記所定位置での前記基板の高さを計測する工程と、
    前記所定位置での前記基板の高さについての加速中での計測結果と等速移動中での計測結果との差分を算出し、該算出された差分を前記ステージの加速に起因する計測誤差の補正値として取得する工程と、
    前記計測器により前記第1計測点で前記基板の高さを計測し、前記制御器が、前記第1計測点で計測された前記基板の高さに基づいて前記ステージを前記第2方向に位置決めしながら前記基板を走査する工程と、
    を含み、
    前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの加速中に計測された前記基板上の位置で前記基板を露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正し、前記補正値で補正された高さに基づいて前記ステージを位置決めしながら前記基板を走査し、前記基板の高さが前記第1計測点で前記ステージの等速移動中に計測された前記基板上の位置で露光する場合には、前記第1計測点で計測された前記基板の高さを前記補正値で補正することなく、計測された前記基板の高さに基づいて前記ステージを位置決めしながら前記基板を走査する、
    ことを特徴とする露光方法。
  4. 請求項1または請求項2に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記露光された基板を現像する工程と、
    を有するデバイス製造方法。
JP2014045560A 2014-03-07 2014-03-07 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 Pending JP2014143429A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014045560A JP2014143429A (ja) 2014-03-07 2014-03-07 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014045560A JP2014143429A (ja) 2014-03-07 2014-03-07 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010107716A Division JP5498243B2 (ja) 2010-05-07 2010-05-07 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014143429A true JP2014143429A (ja) 2014-08-07

Family

ID=51424446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014045560A Pending JP2014143429A (ja) 2014-03-07 2014-03-07 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014143429A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019101187A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品の製造方法
CN113495433A (zh) * 2020-03-19 2021-10-12 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0785472A2 (en) * 1996-01-16 1997-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JPH09199386A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Canon Inc 走査型露光装置および方法ならびに半導体デバイスの製造方法
JPH11191522A (ja) * 1997-08-29 1999-07-13 Canon Inc 露光方法および装置
JP2000003864A (ja) * 1999-06-14 2000-01-07 Nikon Corp 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
WO2005124832A1 (ja) * 2004-06-17 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置
JP2007035783A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc 露光装置及び方法
US20080297743A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0785472A2 (en) * 1996-01-16 1997-07-23 Canon Kabushiki Kaisha Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JPH09199386A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Canon Inc 走査型露光装置および方法ならびに半導体デバイスの製造方法
JPH11191522A (ja) * 1997-08-29 1999-07-13 Canon Inc 露光方法および装置
JP2000003864A (ja) * 1999-06-14 2000-01-07 Nikon Corp 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
WO2005124832A1 (ja) * 2004-06-17 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置
JP2007035783A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc 露光装置及び方法
US20080297743A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2008300579A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019101187A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品の製造方法
CN113495433A (zh) * 2020-03-19 2021-10-12 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法
CN113495433B (zh) * 2020-03-19 2023-08-18 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5498243B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR100875008B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR100365602B1 (ko) 노광방법및장치와반도체디바이스제조방법
JP5339671B2 (ja) 描画システム
JP6071628B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP7147738B2 (ja) 計測装置及び計測方法、並びに露光装置
CN109100920B (zh) 曝光装置以及物品的制造方法
TWI430052B (zh) A drawing system, a correction device for a tracing data, a method of manufacturing the substrate, a computer program product
US10209631B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP6267530B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP6327861B2 (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
JP2008058477A (ja) 描画装置
JP2014143429A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20090310108A1 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2010258085A (ja) 面位置検出方法
JP5734344B2 (ja) 露光装置および物品の製造方法
JP2009194247A (ja) 露光装置
US9557657B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP6053316B2 (ja) リソグラフィー装置、および、物品製造方法
JP2018081238A (ja) 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150206

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150605